KR20060096055A - 비대칭 호스트를 갖는 ｏｌｅｄ 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 애노드, 캐소드 및 이들 사이에 위치된 발광 층을 갖는 OLED 소자로서, 상기 발광층은 발광 도판트 및 화학식 I의 모노안트라센 유도체를 포함하는 호스트를 함유한다:
화학식 I
Figure 112006027629118-PCT00026
상기 식에서,
R1 내지 R8이 H이고;
R9가 R10과 동일하지 않고;
R9가 지방족 탄소 고리 일원과의 융합 고리를 갖지 않는 바이페닐기이고,
R10이 선택적으로 치환되는 오르토-치환된 또는 메타 일치환된 페닐기이되,
단, R9 및 R10은 아민 및 황 화합물이 없다.

Description

비대칭 호스트를 갖는 ＯＬＥＤ 소자{OLED DEVICE WITH ASYMMETRIC HOST}
본 발명은 호스트 및 도판트를 함유하는 발광 층을 포함하는 유기 전기발광(EL) 소자에 관한 것으로서, 상기 호스트는 70℃에서 바람직한 작동 안정도를 갖는 모노안트라센 화합물을 포함한다.
유기 전기발광 소자는 20년에 걸쳐 알려졌지만, 이들의 성능 한계는 많은 바람직한 용도에 대한 장벽이 되었다. 가장 간단한 형태에서, 유기 EL 소자는 정공 주입을 위한 애노드, 전자 주입을 위한 캐소드, 및 이들 전극 사이에 샌드위치되어 발광을 초래하는 전하 재조합을 지지하는 유기 매질로 이루어진다. 또한, 이들 소자는 보통 유기 발광 다이오드 또는 OLED로 불린다. 초기의 유기 EL 소자의 대표적인 것들에는 1965년 3월 9일에 허여된 거니(Gurnee) 등의 미국 특허 제 3,172,862 호; 1965년 3월 9일에 허여된 거니 등의 미국 특허 제 3,173,050 호; 드레스너(Dresner)의 문헌["Double Injection Electroluminescence in Anthracene", RCA Review, Vol. 30, pp.322-334, 1969]; 및 1973년 1월 9일에 허여된 드레스너의 미국 특허 제 3,710,167 호에 있다. 보통 다환형 방향족 탄화수소로 이루어진 이 들 소자의 유기 층은 매우 두껍다(1㎛ 보다 훨씬 크다). 결과적으로, 작동 전압은 매우 높았고, 종종 100V를 초과하였다.
보다 최근의 유기 EL 소자는 애노드와 캐소드 사이에 극히 얇은 층(예, <1.0㎛)으로 이루어진 유기 EL 요소를 포함한다. 본원에서, "유기 EL 요소"라는 용어는 애노드와 캐소드 전극 사이의 층들을 포함한다. 두께를 감소시키면 유기 층의 저항이 낮아지고, 훨씬 더 낮은 전압에서 작동하는 소자를 가능케 한다. 기본 2-층 EL 소자 구조에서, 먼저 미국 특허 제 4,356,429 호에 기술되어 있는, 애노드에 인접한 EL 소자의 하나의 유기 층은 정공을 수송하도록 특정하게 선택되므로, 정공-수송 층으로서 불리고, 다른 유기 층은 전자를 수송하도록 특정하게 선택되어, 전자-수송 층으로서 불린다. 유기 EL 요소 내에서의 주입된 정공 및 전자의 재조합은 효율적인 전기발광을 생성한다.
또한, 정공-수송 층과 전자-수송 층 사이에 유기 발광 층(LEL)을 함유하는 3층 유기 EL 소자가 제안되었고, 예를 들면, 탕 등의 문헌[J. Applied Physics, Vol. 65, pages 3610-3616, 1989]에 개시되어 있다. 보통 발광 층은 게스트(guest) 물질로 도핑된 호스트(host) 물질로 이루어진다. 또한, 정공-주입 층(HIL), 정공-수송 층(HTL), 발광 층(LEL) 및 전자 수송/주입 층(ETL)을 포함하는 4층 EL 소자가 미국 특허 제 4,769,292 호에 제안되었다. 이들 구조들은 소자 효율의 개선을 가져왔다.
안트라센계 호스트가 종종 사용된다. 9,10-다이-(2-나프틸)안트라센 호스트의 유용한 부류는 미국 특허 제 5,935,721 호에 개시되어 있다. 개선된 소자 반감 기(half-life)를 갖는 발광 층에서 사용되는 비스-안트라센 화합물은 US 6,534,199 및 US 2002/136,922에 개시되어 있다. 안트라센 화합물을 사용하여 개선된 휘도를 갖는 전기발광 소자는 미국 특허 제 6,582,837 호에 개시되어 있다. 또한, 미국 특허 제 6,465,115 호에 개시된 바에 따르면, 안트라센이 HTL에서 사용되었다. 그 외, OLED 소자에서 안트라센 물질의 사용을 개시하는 다른 문헌, 예컨대 JP2000-273056, US 5,972,247, JP2001-097897, US 2002/0048687, WO 03/060956, WO 02/088274, EP 0429821, WO 03/007658, JP 2000-053677 및 JP 2001-335516이 있다.
이런 장점에도 불구하고, 보다 우수한 작동 안정도를 갖고 편리하게 제조되는 호스트에 대한 계속적 필요성이 존재한다. OLED 소자의 개선된 작동 안정도는 보다 많은 제품에서의 사용을 가능케 할 것이다.
발명의 요약
본 발명은 애노드, 캐소드 및 이들 사이에 위치된 발광 층을 갖는 OLED 소자를 제공하되, 상기 발광층은 발광 도판트 또는 게스트 물질 및 화학식 I의 모노안트라센 유도체를 포함하는 호스트를 함유한다:
Figure 112006027629118-PCT00001
상기 식에서,
R1 내지 R8이 H이고;
R9가 R10과 동일하지 않고;
R9가 지방족 탄소 고리 일원과의 융합 고리를 갖지 않는 바이페닐기이고,
R10이 선택적으로 치환되는 오르토-치환된 또는 메타 일치환된 페닐기이되,
단, R9 및 R10은 아민 및 황 화합물이 없다.
또한, 이런 OLED 소자를 사용한 디스플레이 및 지역(area) 발광 소자를 제공한다. 본 발명의 소자는 바람직한 작동 안정도를 보인다.
도 1은 본 발명이 사용될 수 있는 전형적인 OLED 소자의 단면을 도시한다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101 기판
103 애노드
105 정공-주입 층(HIL)
107 정공-수송 층(HTL)
109 발광 층(LEL)
111 전자-수송 층(ETL)
113 캐소드
250 전류/전압원
260 전기 도체
일반적으로 본 발명은 상기와 같이 요약된다. 호스트의 특정 예는 화학식 I에 정의된다:
화학식 I
Figure 112006027629118-PCT00002
상기 식에서,
R1 내지 R8이 H이고;
R9가 지방족 탄소 고리 일원과의 융합 고리를 갖지 않는 바이페닐기이되,
단, R9가 R10과 동일하지 않으며 아민 및 황 화합물이 없다. 적당하게는, R9는 펜안트릴 및 페릴렌을 포함하지만 이에 한정되지는 않는 융합 방향족 고리 시스템을 형성하는 치환된 바이페닐 기, 또는 하나 이상의 치환기, 예컨대 불소, 사이아노 기, 하이드록시, 알킬, 트라이플루오로메틸, 알콕시, 아릴옥시, 아릴, 헤테로환 옥시 기, 카복시, 트라이메틸실릴 기로 치환된 바이페닐 기, 또는 비치환된 바이페닐 기이다. 간단하게, R9는 4-바이페닐(Inv-4, Inv-11), 4-바이페닐을 포함하는 펜안트릴(Inv-16), 사이아노 치환된 4-바이페닐(Inv-22)이다. R10은 오르토-치환된 또는 메타-일치환된 페닐 기이다.
적당하게는, R10은 (a) 페닐, 바이페닐, 나프틸, 펜안트릴, 플루오로안틸, 터페닐을 포함하지만 이에 한정되지는 않는, 알킬, 트라이플루오로메틸, 불소, 사이아노 기, 하이드록시, 알콕시, 아릴옥시, 아릴로 오르토 일치환 또는 이치환된 페닐기, 또는 (b) 페닐, 바이페닐, 나프틸, 펜안트릴, 플루오로안틸, 피렌일, 헤테로환 옥시 기를 포함하지만 이에 한정되지는 않는, 알킬, 트라이플루오로메틸, 불소, 사이아노 기, 하이드록시, 알콕시, 아릴옥시, 아릴로 메타-일치환된 페닐기이다. 간단하게, R10은 나프틸(Inv-3, Inv-4), 바이페닐, 트라이플루오로메틸(Inv-6) 또는 트라이메틸실릴(Inv-7)으로 메타-치환된 페닐 고리 또는 페닐 고리(Inv-1, Inv-4)로 오르토-치환된 페닐 고리이다.
구체적으로 달리 언급되지 않는 한, 용어 "치환된" 또는 "치환기"의 사용은 수소 이외의 임의의 기 또는 원자를 의미한다. 구체적으로 달리 언급되지 않는 한, 용어 "방향족 고리 시스템"의 사용은 전체 고리 시스템이 방향족인 하나의 고리 또는 함께 융합된 하나 초과의 고리의 시스템을 의미한다. 구체적으로 달리 언급되지 않는 한, 용어 "치환된 페닐 고리"의 사용은 치환되어 하나의 치환 또는 비치환된 융합 방향족 고리 시스템, 또는 하나 초과의 치환 또는 비치환된 융합 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있는 치환된 페닐 고리를 의미한다. 달리 제공되지 않는 한, 치환가능한 수소를 함유하는 기(화합물 또는 착체 포함)가 언급되는 경우, 이는 비치환된 형태 뿐만 아니라, 치환기가 유용성에 필요한 성질을 파괴하지 않는 한 본원에 언급된 임의의 치환기(융합된 고리 포함) 또는 치환기들로 추가로 치환된 형태를 포함하는 것으로 또한 의도된다. 적당하게는, 치환기는 할로겐일 수 있거나, 또는 탄소, 규소, 산소 또는 인의 원자에 의해 분자의 나머지 부분에 결합될 수 있다.
필요한 경우, 치환기는 그 자체가 전술된 치환기로 1회 이상 추가로 치환될 수 있다. 사용된 특정 치환기는 특정 용도에 대한 목적하는 바람직한 성질을 얻기 위해 당업자에 의해 선택될 수 있고, 이는 예컨대 전자-흡인 기, 전자-공여 기 및 입체 기를 포함한다.
특정 비대칭 안트라센이 높은 효율을 보이는 OLED 소자에 극히 유용한 것으로 밝혀졌다. 이런 화합물은 풀 컬러 OLED 소자 및 동영상화(motion imaging) 소자 뿐만 아니라 백색 광을 생성하는 OLED에서 유용하다.
본 발명의 유용한 화합물은 다음을 포함한다(본원에서 "Inv-"는 본 발명의 화합물을 의미하고, "비교-"는 비교 화합물을 의미한다. 예, Inv-1은 본 발명의 화합물-1이고, 비교-1은 비교 화합물-1이다):
Figure 112006027629118-PCT00003
Figure 112006027629118-PCT00004
Figure 112006027629118-PCT00005
Figure 112006027629118-PCT00006
Figure 112006027629118-PCT00007
본 발명의 화합물은 이후에 정의된 바와 같은 도판트와 함께, 특정 두께를 포함하는 발광 층에서 전형적으로 사용된다. 유용한 발광 물질의 예는 안트라센, 플루오렌 유도체, 페리플란텐 유도체, 인데노페릴렌 유도체, 비스(아진일)아민 붕소 화합물을 포함한다. 적당하게는, 도판트는 퀴나크리돈(예컨대 L7), 페릴렌(예컨대 L2), 쿠마린(예컨대 L30), 비스(아진일)메테인 또는 아민 붕소 착체(예컨대 L50, L51 및 L52), 아미노스티릴 유도체(예컨대 L47)를 포함한다. 간단하게는, 도판트는 청색 또는 청녹색 도판트, 예컨대 L2 및 L50, 및 L47, 또는 녹색 도판트, 예컨대 퀴나크리돈 L7을 포함한다.
본 발명의 호스트는 청녹색 도판트와 조합되어 백색 소자 구조에서 유용하다.
본 발명의 호스트는 특정 용도에서의 안정도를 개선시키기 위해 다른 청색 또는 녹색 코-호스트와 조합되어 사용될 수 있다. 코-호스트는 소 분자 또는 중합체성 물질일 수 있다. 유용한 코-호스트는 폴리플루오렌, 폴리비닐아릴렌, 8-하이드록시퀴놀린의 금속 착체, 벤자졸 유도체, 다이스티릴아릴렌, 카바졸을 포함하지만, 이에 한정되지는 않는다. 적당하게는, 코-호스트는 트리스(8-퀴놀린올레이토)알루미늄(III)(Alq)이다.
본 발명의 호스트에는 황 및 아민이 없는 것이 장점이다. 이런 물질의 제조 및 정제 공정은 단순하고, 효율적이고, 환경친화적이므로, 이런 화합물의 제조를 간편하게 한다.
일반적 소자 구조
본 발명은 대부분의 OLED 소자 구조에 사용될 수 있다. 이들은 단일 애노드 및 캐소드를 포함하는 매우 단순한 구조로부터 보다 복잡한 소자, 예컨대 애노드 및 캐소드의 직각 어레이로 이루어져 픽셀을 형성하는 수동(passive) 매트릭스 디스플레이, 및 각 픽셀이 예컨대 박막 트랜지스터(TFT) 내에서 독립적으로 제어되는 능동 매트릭스 디스플레이를 포함한다.
본 발명이 성공적으로 실시될 수 있는 유기 층의 많은 구조가 있다. OLED의 필수적 필요조건은 애노드, 캐소드 및 애노드와 캐소드 사이에 위치되는 유기 발광 층이다. 이후에서 보다 완전하게 기술되는 부가 층이 사용될 수 있다.
애노드
목적하는 전기발광성 발광(EL)이 애노드를 통해 시인되는 경우, 그 애노드는 특정의 발광에 대해 투명하거나 또는 실질적으로 투명해야 한다. 본 발명에 사용되는 일반적인 투명 애노드 물질은 인듐-주석 산화물(ITO), 인듐-아연 산화물(IZO) 및 주석 옥사이드지만, 알루미늄- 또는 인듐-도핑된 아연 옥사이드, 마그네슘-인듐 옥사이드 및 니켈-텅스텐 옥사이드를 포함하지만, 이에 한정되지는 않는 다른 금속 산화물이 작용할 수 있다. 이들 산화물 외에, 금속 질화물(예컨대 갈륨 나이트라이드), 금속 셀레나이드(예컨대 아연 셀레나이드) 및 금속 황화물(예컨대 아연 설파이드)이 애노드로서 사용될 수 있다. EL 발광이 캐소드를 통해서만 시인되는 용도에서, 애노드의 투과성은 중요하지 않고, 투명성, 불투명성 또는 반사성의 임의의 전도성 물질이 사용될 수 있다. 이런 용도에서의 예시적 도체는 금, 이리듐, 몰리브렌, 팔라듐 및 백금을 포함하지만, 이에 한정되지는 않는다. 전형적인 애노드 물질(투과성이거나 아니거나)은 4.1 eV 이상의 일 함수를 갖는다. 바람직한 애노드 물질은 임의의 적당한 기법, 예컨대 증착(evaporation), 스퍼터링, 화학 증착(chemical vapor deposition), 또는 전기화학적 기법에 의해 통상적으로 침착된다. 애노드는 공지의 포토리소그래피 공정을 이용하여 패턴화될 수 있다. 임의적으로, 애노드는 다른 층의 적용 이전에 단락(short)을 최소화시키거나 반사율을 증진시키기 위해 폴리싱(polishing)되어 표면 조도(roughness)를 감소시킬 수 있다.
캐소드
발광이 유일하게 애노드를 통해서 시인되는 경우, 본 발명에서 사용되는 캐소드는 거의 임의의 전도성 물질로 이루어질 수 있다. 바람직한 물질은 하부 유기 층과의 우수한 접촉을 보장하고, 저전압에서도 전자 주입을 촉진하고, 우수한 안정도를 갖기 위해 우수한 필름-형성 특성을 갖는다. 유용한 캐소드 물질은 종종 낮은 일 함수 금속(<4.0 eV) 또는 금속 합금을 함유한다. 하나의 유용한 캐소드 물질은 미국 특허 제 4,885,221 호에 기술된 바와 같이 은의 분율이 1 내지 20%인 Mg:Ag 합금으로 이루어진다. 다른 적당한 부류의 캐소드 물질은 전도성 금속의 두꺼운 층으로 캐핑된 유기 층(예, 전자 수송 층(ETL))과 접촉하는 얇은 전자-주입 층(EIL) 및 캐소드를 포함하는 이중층을 포함한다. 본원에서, EIL은 바람직하게는 낮은 일 함수의 금속 또는 금속 염을 포함하고, 이런 경우, 보다 두꺼운 캐핑 층은 낮은 일 함수를 가질 필요는 없다. 이런 캐소드의 하나는 미국 특허 제 5,677,572 호에 기술된 바와 같이 얇은 LiF 층 이후에 보다 두꺼운 Al 층으로 이루어진다. 다른 유용한 캐소드 물질 세트는 미국 특허 제 5,059,861 호, 제 5,059,862 호 및 제 6,140,763 호에 개시된 것들이다.
발광이 캐소드를 통해 시인되는 경우, 캐소드는 투명하거나 또는 거의 투명해야 한다. 이런 용도에서, 금속은 얇아야 하거나, 또는 투명 전도성 산화물 또는 또는 이런 물질들의 조합을 사용해야 한다. 광학적으로 투명한 캐소드는 US 4,885,211, US 5,247,190, JP 3,234,963, US 5,703,436, US 5,608,287, US 5,837,391, US 5,677,572, US 5,776,622, US 5,776,623, US 5,714,838, US 5,969,474, US 5,739,545, US 5,981,306, US 6,137,223, US 6,140,763, US 6,172,459, EP 1 076 368, US 6,278,236, 및 US 6,284,3936에 보다 상세하게 기술되어 있다. 캐소드 물질은 임의의 적당한 기법, 예컨대 증착, 스퍼터링 또는 화학 증착에 의해 전형적으로 침착된다. 필요한 경우, 패턴화는 스루-마스크(through-mask) 침착, 일체형 새도우 마스킹(integral shadow masking)(US 5,276,380 및 EP 0 732 868에 기술됨), 레이저 용발(ablation) 및 선택적 화학 증착을 통해 성취될 수 있다.
발광 층(LEL)
본 발명은 주로 발광 층(LEL)에 관한 것이다. 미국 특허 제 4,769,292 호 및 제 5,935,721 호에 더욱 충분하게 기술된 바와 같이, 유기 EL 요소의 발광층(LEL)은 그 영역에서 전자-정공 쌍 재조합의 결과로서 전기발광이 생성되는 발광, 형광 또는 인광 물질을 포함한다. 발광층은 단일 물질로 구성될 수 있으나, 더욱 통상적으로는 2개 이상의 성분, 예컨대 발광 게스트 화합물로 도핑되거나 또는 발광 물질로부터 주로 발광되어 임의의 색으로 될 수 있는 물질로 도핑된 호스트 물질로 구성된다. 발광층에서의 호스트 물질은 전자 수송 물질(하기 정의되는 바와 같음), 정공 수송 물질(상기 정의된 바와 같음), 또는 정공-전자 재조합을 지지하는 또다른 물질일 수 있다. 도판트는 통상적으로 고도의 형광 염료 및 인광 화합물, 예컨대 WO 98/55561 호, WO 00/18851 호, WO 00/57676 호, 및 WO 00/70655 호에 기술된 전이금속 착체이다. 발광 물질은 전형적으로 0.01 내지 10 중량%로서 호스트 물질내로 코팅된다.
호스트 및 발광 물질은 작은 비-중합체성 분자 또는 중합체성 물질, 예컨대 폴리플루오렌 및 폴리비닐아릴렌(예, 폴리(p-페닐렌비닐렌), PPV)일 수 있다. 중합체의 경우, 소 분자 발광 물질은 중합체성 호스트로 분자적으로 분산될 수 있거나, 또는 발광 물질은 소량의 성분들을 호스트 중합체로 공중합시킴에 의해 첨가될 수 있다.
발광 물질을 선택하는데 중요한 관련성은 분자의 가장 높은 채워진 분자 오비탈과 가장 낮은 안채워진 분자 오비탈 사이의 에너지 차이로 정의되는 밴드갭 포텐셜(bandgap potential)을 비교하는 데 있다. 호스트로부터 도판트 분자로의 효율적인 에너지 전달을 위한 필수적인 조건은 도판트의 밴드갭을 호스트 물질의 것보다 작게 하는 것이다. 인광 이미터에서, 또한 호스트의 호스트 삼중선(triplet) 에너지 수준이 호스트로부터 발광 물질로의 에너지 이동을 가능케 하는데 충분히 높아야 한다는 것이 중요하다.
사용되는 것으로 공지된 호스트 및 방출 분자는, 미국 특허 제 4,768,292 호, 미국 특허 제 5,141,671 호, 미국 특허 제 5,150,006 호, 미국 특허 제 5,151,629 호, 미국 특허 제 5,405,709 호, 미국 특허 제 5,484,922 호, 미국 특허 제 5,593,788 호, 미국 특허 제 5,645,948 호, 미국 특허 제 5,683,823 호, 미국 특허 제 5,755,999호, 미국 특허 제 5,928,802 호, 미국 특허 제 5,935,720 호, 미국 특허 제 5,935,721 호 및 미국 특허 제 6,020,078 호에 개시된 것들을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
8-하이드록시퀴놀린 및 유사한 유도체(화학식 E)의 금속 착체는 전기발광을 지지할 수 있는 유용한 호스트 화합물의 한 종류로 구성되며, 500 ㎚보다 긴 파장, 예컨대 녹색, 황색, 주황색 및 적색 발광에 특히 적합하다:
Figure 112006027629118-PCT00008
상기 식에서,
M은 금속이고;
n은 1 내지 4의 정수이고;
Z는 각각의 경우 독립적으로 2개 이상의 융합 방향족 고리를 갖는 핵을 완성하는 원자이다.
앞서 언급한 것으로부터, 금속이 1가, 2가 또는 3가일 수 있는 것은 명백하다. 상기 금속은 예컨대 알칼리 금속(예: 리튬, 나트륨 또는 칼륨); 알칼리 토금속(예: 마그네슘 또는 칼슘); 토금속(예: 알루미늄 또는 갈륨); 또는 전이 금속(예: 아연 또는 지르코늄)일 수 있다. 일반적으로, 유용한 킬레이트 금속으로 공지된 임의의 1가, 2가 또는 3가 금속이 사용될 수 있다.
Z는, 2개 이상의 융합 방향족 고리를 함유하는(이들 중 적어도 1개는 아졸 또는 아진 고리이다) 헤테로환 핵을 완성시킨다. 지방족 및 방향족 고리 모두를 포함하는 추가의 고리들은, 필요하다면, 2개의 필수 고리와 융합될 수 있다. 기능을 향상시키지 않으면서 분자량이 커지는 것을 피하기 위해서, 고리 원자의 수는 통상적으로 18개 이하로 유지된다.
유용한 킬레이트 옥시노이드 화합물의 예는 아래와 같다:
CO-1: 알루미늄 트리스옥신[가칭, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)]
CO-2: 마그네슘 비스옥신[가칭, 비스(8-퀴놀리놀레이토)마그네슘(II)]
CO-3: 비스[벤조{f}-8-퀴놀리놀레이토]아연(II)
CO-4: 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)-μ-옥소-비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)
CO-5: 인듐 트리스옥신[가칭, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)인듐]
CO-6: 알루미늄 트리스(5-메틸옥신)[가칭, 트리스(5-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)]
CO-7: 리튬 옥신[가칭, (8-퀴놀리놀레이토)리튬(I)]
CO-8: 갈륨 옥신[가칭, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)갈륨(III)]
CO-9: 지르코늄 옥신[가칭, 테트라(8-퀴놀리놀레이토)지르코늄(IV)]
9,10-다이-(2-나프틸)안트라센의 유도체(화학식 F)는 전기발광을 지지할 수 있는 유용한 호스트들의 한 종류이고, 400 ㎚보다 긴 파장, 예컨대 청색, 녹색, 황색, 주황색 또는 적색 발광에 특히 적합하다:
Figure 112006027629118-PCT00009
상기 식에서,
R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 각각의 고리상에서 각 치환기가 하기 군으로부터 개별적으로 선택된 1개 이상의 치환기이다:
1 군: 수소, 또는 탄소수 1 내지 24의 알킬;
2 군: 탄소수 5 내지 20의 아릴 또는 치환된 아릴;
3 군: 안트라센일, 피레닐 또는 페릴레닐의 융합 방향족 고리를 완성시키는데 필요한 4 내지 24개의 탄소원자를 갖는 기;
4 군: 푸릴, 티에닐, 피리딜, 퀴놀리닐 또는 다른 헤테로환계의 융합 헤테로방향족 고리를 완성시키는데 필요한 탄소수 5 내지 24의 헤테로아릴 또는 치환된 헤테로아릴;
5 군: 탄소수 1 내지 24의 알콕실아미노, 알킬아미노 또는 아릴아미노; 및
6 군: 불소, 염소, 브롬 또는 사이아노.
예시적 예는 9,10-다이-(2-나프틸)안트라센 및 2-t-부틸-9,10-다이-(2-나프틸)안트라센을 포함한다. 9,10-비스[4-(2,2-다이페닐에텐일)페닐]안트라센의 유도 체를 포함하는 다른 안트라센 유도체는 LEL에서의 호스트로서 유용할 수 있다.
벤자졸 유도체(화학식 G)는 전기발광을 지지할 수 있는 유용한 호스트의 또다른 부류이고, 400 ㎚ 보다 긴 파장, 예컨대 청색, 녹색, 황색, 주황색 또는 적색 발광에 특히 적합하다:
Figure 112006027629118-PCT00010
상기 식에서,
n은 3 내지 8의 정수이고;
Z는 O, NR 또는 S이고; 및
R 및 R'는 개별적으로 수소; 탄소수 1 내지 24의 알킬, 예컨대 프로필, t-부틸, 헵틸 등; 탄소수 5 내지 20의 아릴 또는 헤테로원자-치환된 아릴, 예컨대 페닐 및 나프틸, 푸릴, 티에닐, 피리딜, 퀴놀리닐 및 다른 헤테로환계; 또는 할로, 예컨대 클로로, 플루오로; 또는 융합 방향족 고리를 완성시키는데 필요한 원자이고;
L은 알킬, 아릴, 치환된 아킬, 또는 치환된 아릴로 이루어진 연결 단위로, 다수 벤자졸과 함께 공액 또는 비공액 결합된다. 유용한 벤자졸의 예로는 2,2',2"-(1,3,5-페닐렌)트리스[1-페닐-1H-벤즈이미다졸]이 있다.
또한 미국 특허 제 5,121,029 호에 기술된 다이스티릴아릴렌 유도체가 유용한 호스트이다. 카바졸 유도체는 인광 이미터에 특히 유용한 호스트이다.
유용한 형광 발광 물질은 안트라센, 테트라센, 잔텐, 페릴렌, 루브렌, 쿠마린, 로다민, 퀴나크리돈, 다이사이아노메틸렌피란 화합물, 티오피란 화합물, 폴리메틴 화합물, 피릴륨 및 티아피릴륨 화합물 및 플루오렌 유도체, 페리플란텐 유도체, 인데노페릴렌 유도체, 비스(아진일)아민 붕소 화합물 및 비스(아진일)메테인 화합물 및 카보스티릴 화합물을 포함한다. 유용한 물질의 예는 다음을 포함하지만 이에 한정되지 않는다:
Figure 112006027629118-PCT00011
Figure 112006027629118-PCT00012
Figure 112006027629118-PCT00013
Figure 112006027629118-PCT00014
소자
특히 소 분자 소자에 특히 유용한 전형적인 구조가 도 1에 도시되어 있고, 이는 기판(101), 애노드(103), 정공-주입 층(105), 정공-수송 층(107), 정공-수송 층(107), 발광 층(109), 전자-수송 층(111) 및 캐소드(113)로 이루어진다. 이들 층들은 후술된다. 기판은 다르게는 캐소드에 인접하게 위치될 수 있거나, 또는 기판은 애노드 또는 캐소드를 실제로 구성할 수 있다. 애노드와 캐소드 사이의 유기 층은 유기 EL 요소로서 간단하게 언급된다. 또한, 유기 층들의 조합된 총 두께는 바람직하게는 500 nm 미만이다.
OLED의 애노드 및 캐소드는 전기 도체(260)를 통해 전압/전류원(250)에 연결된다. OLED는 애노드가 캐소드보다 양의 전위가 되게 애노드와 캐소드 사이에 전위를 인가함에 의해 작동된다. 정공은 애노드로부터 유기 EL 요소로 주입되고, 전자는 애노드에서 유기 EL 요소로 주입된다. 사이클 중에서 전위 바이어스가 역전 되고 전류가 흐르지 않는 일부 시간 동안 AC 방식으로 OLED가 작동될 때에, 때때로 증진된 소자 안정도가 성취될 수 있다. AC 구동 OLED의 예는 미국 특허 제 5,552,678 호에 기술되어 있다.
기판
본 발명의 OLED 소자는 캐소드 또는 애노드가 기판에 접촉될 수 있는 지지 기판(101) 위에 전형적으로 제공된다. 기판과 접촉되는 전극을 간편하게 하부 전극으로 부른다. 통상적으로, 하부 전극은 애노드이지만, 본 발명은 이런 구조에 한정되지 않는다. 기판은 발광의 의도된 방향에 따라 광 투과성 또는 불투명일 수 있다. 광 투과성은 기판을 통한 EL 발광을 시인하는데 바람직하다. 투명 유리 또는 플라스틱이 보통 이런 경우에 사용된다. 기판은 물질들의 다중 층을 포함하는 복합 구조일 수 있다. 전형적으로 이는 TFT가 OLED 층 아래에 제공되는 능동 매트릭스 기판에 대한 경우이다. 적어도 발광 이상(emissive pixilated) 영역에서 기판은 여전히 예컨대 유리 또는 중합체와 같은 넓은 투명 물질로 이루어질 필요가 있다. EL 발광이 상부 전극을 통해 시인되는 용도에서, 하부 지지체의 투과성은 중요하지 않으므로, 광 투과성, 광 흡수 또는 광 반사성일 수 있다. 이런 경우에 사용되는 기판은 유리, 플라스틱, 반도체 물질, 규소, 세라믹 및 회로 보드 물질을 포함하지만, 이에 한정되지는 않는다. 또한, 기판은 능동 매트릭스 TFT 설계에서 발견되는 물질의 다중 층을 포함하는 복합 구조일 수 있다. 당연히, 광-투명 상부 전극을 이런 소자 구조에 제공하는 것이 필요하다.
정공-주입 층(HIL)
항상 필수적인 것은 아니지만, 정공 주입층(105)이 애노드(103)와 정공-수송 층(107) 사이에 제공되는 것이 종종 유용하다. 정공 주입 물질은 후속의 유기층의 필름 형성 속성을 개선시키고 정공-수송 층내로 정공의 주입을 촉진시키는데 기여할 수 있다. 정공 주입 층에 사용하는데 적합한 물질로는, 미국 특허 제 4,720,432 호에 기술된 바의 포르피린성 화합물 및 미국 특허 제 6,208,075 호에 기술된 바의 플라즈마-침착된 탄화불소 중합체, 및 일부 방향족 아민, 예컨대 m-MTDATA(4,4',4"-트리스[(3-메틸페닐)페닐아미노]트라이페닐아민)이 있지만, 이에 한정되지 않는다. 유기 EL 소자에 유용한 것으로 보고된 다른 정공 주입 물질은 EP 0 891 121 A1 및 EP 1,029,909 A1에 기술되어 있다.
정공 수송 층(HTL)
유기 EL 소자의 정공-수송 층(107)은 방향족 3급 아민과 같은 하나 이상의 정공-수송 화합물을 포함하되, 방향족 3급 아민은 오직 탄소원자에만 결합하는 1개 이상의 3가 질소원자를 함유하는 화합물, 이들중 1개 이상은 방향족 고리의 구성원인 것으로 이해된다. 한 형태에서, 방향족 3급 아민은 모노아릴아민, 다이아릴아민, 트라이아릴아민 또는 중합체 아릴아민과 같은 아릴아민일 수 있다. 단량체 트라이아릴아민의 예는 미국 특허 제 3,180,730 호에 클루펠(Klupfel) 등에 의해 예시되어 있다. 1개 이상의 비닐 라디칼로 치환되고/치환되거나 1개 이상의 활성 수소 함유기를 포함하는 다른 적합한 트라이아릴아민은, 브랜틀레이(Brantley) 등에 의한 미국 특허 제 3,567,450 호 및 제 3,658,520 호에 개시되어 있다.
방향족 3급 아민의 더욱 바람직한 종류는 미국 특허 제 4,720,432 호 및 제 5,061,569 호에 기술된 바와 같은 2개 이상의 방향족 3급 아민 잔기를 포함하는 것들이다. 이러한 화합물은 하기 화학식 A의 화합물을 포함한다.
Figure 112006027629118-PCT00015
상기 식에서,
Q1 및 Q2는 독립적으로 선택된 방향족 3급 아민 잔기이고,
G는 연결기이며, 그 예로는 아릴렌, 사이클로알킬렌, 또는 탄소-탄소 결합의 알킬렌기가 있다. 한 실시양태에서, 1개 이상의 Q1 또는 Q2는 다환 융합 고리 구조, 예컨대 나프탈렌을 함유한다. G가 아릴기일 경우, 이는 편의상 페닐렌, 바이페닐렌, 또는 나프탈렌 잔기이다.
화학식 A를 만족시키고 2개의 트라이아릴아민 잔기를 함유하는 유용한 종류의 트라이아릴아민은 화학식 B이다:
Figure 112006027629118-PCT00016
상기 식에서,
R1 및 R2가 각각 독립적으로 수소 원자, 아릴기 또는 알킬기이거나, 함께 사이클로알킬기를 완성시키는 원자들이고,
R3 및 R4가 각각 독립적으로 아릴기이며, 이는 이후에 화학식 C의 다이아릴 치환된 아미노기로 치환된다:
Figure 112006027629118-PCT00017
상기 식에서,
R5 및 R6은 독립적으로 선택된 아릴기이다.
한 실시양태에서, R5 또는 R6 중 하나 이상은 다환 융합 고리 구조, 예컨대 나프탈렌을 함유한다.
또다른 종류의 방향족 3급 아민으로는 테트라아릴다이아민이 있다. 바람직한 테트라아릴다이아민은 화학식 C에 의해 지시된 바와 같이 아릴렌기를 통해 연결된 2개의 다이아릴아미노기를 포함한다. 유용한 테트라아릴다이아민은 화학식 D의 화합물을 포함한다:
Figure 112006027629118-PCT00018
상기 식에서,
각각의 Are는 독립적으로 선택된 아릴렌기, 예컨대 페닐렌 또는 안트라센 잔기이고,
n은 1 내지 4의 정수이고,
Ar, R7, R8 및 R9는 독립적으로 선택된 아릴기이다.
통상의 실시양태에서, Ar, R7, R8 및 R9 중 하나 이상은 다환 융합 고리 구조, 예컨대 나프탈렌이다.
상기 화학식 A, B, C, D의 다양한 알킬, 알킬렌, 아릴 및 아릴렌 잔기는 각각 차례로 치환될 수 있다. 전형적인 치환기는 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기 및 할로겐(예: 플루오라이드, 클로라이드 및 브로마이드)을 포함한다. 다양한 알킬 및 알킬렌 잔기는 약 1 내지 6개의 탄소원자를 함유한다. 사이클로알킬 잔기는 3 내지 약 10개의 탄소원자를 함유할 수 있으나, 통상적으로 5, 6 또는 7개의 고리 탄소원자를 함유하며, 그 예로는 사이클로펜틸, 사이클로헥실 및 사이클로헵틸 고리 구조가 있다. 아릴 및 아릴렌 잔기는 통상적으로 페닐 또는 페닐렌 잔기이다.
정공-수송 층은 방향족 3급 아민 화합물 단독으로 또는 그의 혼합물로 형성될 수 있다. 특히, 트라이아릴아민, 예컨대 화학식 B를 만족시키는 트라이아릴아민이 화학식 D에 의해 지적된 바와 같은 테트라아릴다이아민과 조합하여 사용할 수 있다. 트라이아릴아민이 테트라아릴다이아민과 조합하여 사용될 때, 후자는 트라이아릴아민과 전자 주입층 및 수송층 사이에 삽입된 층으로서 위치한다. 유용한 방향족 3급 아민의 예는 하기와 같다:
1,1-비스(4-다이-p-톨릴아미노페닐)사이클로헥세인
1,1-비스(4-다이-p-톨릴아미노페닐)-4-페닐사이클로헥세인
4,4'-비스(다이페닐아미노)쿼드리페닐
비스(4-다이메틸아미노-2-메틸페닐)-페닐메탄
N,N,N-트라이(p-톨릴)아민
4-(다이-p-톨릴아미노)-4'-[4(다이-p-톨릴아미노)-스티릴]스틸벤
N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4-4'-다이아미노바이페닐
N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-다이아미노바이페닐
N,N,N',N'-테트라-1-나프틸-4-4'-다이아미노바이페닐
N,N,N',N'-테트라-2-나프틸-4-4'-다이아미노바이페닐
N-페닐카바졸
4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]바이페닐
4,4"-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-터페닐
4,4'-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4'-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]바이페닐
1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌
4,4'-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4"-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-터페닐
4,4'-비스[N-(2-펜안트릴)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4'-비스[N-(8-플루오르안테닐)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4'-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4'-비스[N-(2-나프타세닐)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4'-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4'-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]바이페닐
2,6-비스(다이-p-톨릴아미노)나프탈렌
2,6-비스[다이-(1-나프틸)아미노]나프탈렌
2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌
N,N,N',N'-테트라(2-나프틸)-4,4"-다이아미노-p-터페닐
4,4-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)-페닐]아미노}바이페닐
4,4'-비스[N-페닐-N-(2-피레닐)아미노]바이페닐
2,6-비스[N,N-다이(2-나프틸)아민]플루오렌
1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌
4,4',4"-트리스[(3-메틸페닐)페닐아미노]트라이페닐아민
또다른 종류의 유용한 정공 수송 물질로는 EP 1 009 041에 기술된 바와 같은 다환 방향족 화합물을 포함한다. 2개 이상의 아민기를 갖는 3급 방향족 아민(올리고머성 물질 포함)이 사용될 수 있다. 또한, 중합체 정공 수송 물질은, 예컨대 폴리(N-비닐카바졸)(PVK), 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린 및 공중합체, 예컨대 PEDOP/PSS로 지칭되는 폴리(3,4-에틸렌다이옥시티오펜)/폴리(4-스티렌설포네이트)가 사용될 수 있다.
전자 수송 층(ETL)
본 발명의 유기 EL 소자의 전자-수송 층(111)을 형성하는 데에 사용되는 바람직한 박막 형성 물질은, 옥신 자체의 킬레이트(또한 통상적으로 8-퀴놀리놀 또는 8-하이드록시퀴놀린으로 지칭됨)를 포함하는, 금속-킬레이트화된 옥시노이드 화합물이다. 이러한 화합물들은 전자를 주입 및 수송하는 것을 돕고, 모두 높은 수준의 성능을 나타내며, 박막의 형태로 쉽게 제작된다. 고려되는 옥시노이드 화합물의 예는 전술된 구조 화학식 E를 충족시키는 것들이다.
다른 전자 수송 물질은 미국 특허 제 4,356,429 호에 개시된 다양한 부타디엔 유도체, 및 미국 특허 제 4,539,507 호에 기술된 다양한 헤테로환 광학 광택제(brightner)를 포함한다. 또한, 트라이아민은 유용한 전자 수송 물질이다.
다른 유용한 유기 층 및 소자 구조
일부 경우에서, 층(109) 및 (111)은 발광 및 전자 수송 모두를 지지하는 기능을 수행하는 단일 층으로 임의적으로 함몰될 수 있다. 또한, 호스트로서 작용할 수 있는 발광 물질이 정공-수송 층에 포함될 수 있다는 것이 공지되어 있다. 백색 발광 OLED를 생성하기 위해 여러 물질이 예컨대 청색- 및 황색-발광 물질, 사이언- 및 적색-발광 물질, 또는 적색-, 녹색- 및 청색-발광 물질을 조합시킴에 의해 하나 이상의 층에 첨가될 수 있다. 백색 발광 장치는 예컨대 EP 1 187 235, US 20020025419, EP 1 182 244, US 5,683,823, US 5,503,910, US 5,405,709 및 US 5,283,182에 기술되어 있고, 적당한 필터 배열로 구비되어 컬러 발광을 생성한다.
부가적 층, 예컨대 당업계에 교시된 전자 또는 정공-차단 층이 본 발명의 소자에 사용될 수 있다. 정공-차단 층은 예컨대 US 20020015859에 개시된 바와 같이 인광 이미터 소자의 효율을 개선하기 위해 보통 사용된다.
본 발명은 예컨대 미국 특허 제 5,703,436 호 및 제 6,337,492 호에 교시된 소위 적층된 소자 구조에서 사용될 수 있다.
유기 층의 침착
상기에 언급된 유기 물질은 승화를 통해서 간단하게 침착되지만, 필름 형성을 개선시키기 위해 다른 방식, 예컨대 임의적인 결합제와 함께 용매로부터 침착될 수 있다. 물질이 중합체인 경우, 용매 침착이 일반적으로 바람직하다. 승화에 의해 침착되는 물질은, 예를 들어 미국 특허 제 6,237,529 호에 기술된 바와 같은 탄탈 물질로 종종 구성된 승화기 "보트(boat)"로부터 증기화되거나, 먼저 도너 시이트상에 코팅되고, 이어서 기판에 매우 근접한 부위에서 승화될 수 있다. 물질의 혼합물을 갖는 층은 각각의 승화기 보트를 사용하거나, 상기 물질이 예비 혼합되어 단일 보트 또는 도너 시이트로부터 코팅될 수 있다. 패턴화된 침착은 섀도우 마스크, 일체형 섀도우 마스크(미국 특허 제 5,294,870 호), 도너 시이트로부터의 공간적으로 한정된 열 염료 전달(미국 특허 제 5,688,511 호, 미국 특허 제 5,851,709 호 및 미국 특허 제 6,066,357 호) 및 잉크젯 방법(미국 특허 제 6,066,357 호)을 사용함으로써 달성될 수 있다.
캡슐화
대부분의 유기 OLED 소자는 습도 또는 산소, 또는 둘 모두에 민감하므로 질소 또는 아르곤과 같은 비활성 분위기에서 건조제(알루미나, 보크사이트, 황산칼슘, 점토, 실리카 겔, 제올라이트, 알칼리 금속 산화물, 알칼리 토금속 산화물, 설 페이트 또는 금속 할라이드 및 퍼클로레이트 등)와 함께 통상적으로 밀봉된다. 캡슐화 및 건조를 위한 방법으로는 미국 특허 제 6,226,890 호에 기술된 방법을 들 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 또한, SiOx, 테플론 및 교대로 존재하는 무기/중합체 층과 같은 장벽 층이 당해 기술분야에서 캡슐화에 대해 공지되어 있다.
광학적 최적화
본 발명의 OLED 소자는 필요한 경우 이것의 성질을 증진시키기 위해 다양한 공지의 광학적 효과를 이용할 수 있다. 이는 층 두께를 최적화시켜 최대 광 투과를 수득하는 것, 유전성 미러 구조체를 제공하는 것, 반사 전극을 흡광 전극으로 대체시키는 것, 글래어(glare) 방지 또는 반사-방지 코팅을 디스플레이 위에 제공하는 것, 디스플레이 위에 편광 매질을 제공하는 것, 또는 디스플레이 위에 착색된 중성 밀도 필터 또는 색상 전환 필터를 제공하는 것을 포함한다. 필터, 편광기 및 글래어 방지 또는 반사 방지 코팅은 커버 위에 또는 커버의 일부로서 특정하게 제공될 수 있다.
본 명세서에 기술된 특허 및 기타 문헌의 전체 내용은 본원에서 참고로 인용된다.
본 발명 및 이것의 장점이 다음의 특정 실시예에 의해 추가로 예시된다. 또한, 본 발명의 실시양태는 열 안정성을 보일 수 있다.
실시예 1- Inv -1의 제조
a) 9-(4-바이페닐)안트라센의 제조.
9-브로모안트라센(19.5g, 75.8mmol, 1당량) 및 (1,1'-바이페닐-4-일)붕소산(15.0g, 75.8mmol, 1당량)을 100ml의 톨루엔 중에서 조합시키고, 약 15분 동안 초음파처리에 의해 생성 혼합물을 탈기시켰다. 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0.650g, 0.568mmol, 0.75%)을 첨가하고, 150ml의 2M Na2CO3를 첨가하면서 생성 혼합물을 질소 하에 완전히 교반시키고, 가열 맨틀(heating mentle)을 통해 그 혼합물을 가열 환류시켰다. 밤새 반응을 환류시켰고, 이 동안에 고체가 침전되어 나왔다. 그 고체를 여과에 의해 단리시키고, 유기 상을 세척물이 중성이 될 때까지 물로 세척하였다. 단리된 고체를 뜨거운 톨루엔에서 용해시키고, 유리 섬유 여과지를 통해 여과시켜 팔라듐 염을 제거시켰다. 톨루엔 상을 재조합시키고, 약 100mL 잔류물로 농축시키고, 이를 밤새 재결정시켰다. 재결정된 생성물을 여과에 의해 단리하고, 모액(mother liquor)이 실질적 양의 생성물을 함유했기 때문에, 제 2 크롭(crop)을 수득하였다. 두 크롭은 TLC에 의한 비슷한 순도를 가졌고, 조합되어 총 21.0g의 생성물(84%)을 수득하였다.
b) 9-브로모,10-(4-바이페닐)안트라센의 제조.
500ml 환저 플라스크에서 9-(4-바이페닐)안트라센(18g, 54.5mmol, 1당량) 및 N-브로모석신이미드(10.2g, 57.2mmol, 1.05당량)을 140ml CH2Cl2와 조합시켰다. 반응을 개시시키기 위해 100W 조명으로 질소 하에 실온에서 15분 동안 진한 혼합물을 교반하였다. 반응 혼합물이 매우 진한 것으로 보였기 때문에, 약 80mL의 추가 CH2Cl2을 반응 혼합물에 첨가하였다. 어느 순간에서도 혼합물은 투명하지 않았다. TLC(P950:CH2Cl2=9:1)은 20분 후에 반응이 완결되었음을 지시하였다. 이종(heterogenous) 혼합물을 밤새 냉각시키고, 고체 생성물을 여과에 의해 단리시켜 17.2g의 투명한 생성물을 수득하였다. 여과액을 농축시키고, 냉각시켜, 단리된 제 1 물질과 유사한 순도의 제 2 고체 크롭을 수득하였다. 조합된 크롭은 97%(21.5g)의 순수 생성물을 수득하였다.
c) 9-(4-바이페닐),10-(2-바이페닐)안트라센의 제조.
250mL의 환저 플라스크에서 9-브로모,10-(4-바이페닐)안트라센(3.0g, 7.33mmol, 1당량), 2-바이페닐붕소산(1.52g, 7.70mmol, 1.05당량)을 (PPh3)2PdCl2(0.16g, 0.7당량%)과 함께 50mL의 톨루엔 중에서 조합하고, 생성 현탁액을 N2 하에 30분간 초음파처리하였다. 2M의 Na2CO3 용액을 첨가하고, 생성된 이종 혼합물을 신속하게 환류시켰다. 혼합물을 밤새 환류시키고, 이 동안 혼합물은 촉매가 여전히 활성이 있음을 표시하는 밝은 황색으로 있었다. 그 혼합물을 유리 섬유 여과지를 통해 뜨거운 상태로 여과하여 팔라듐 염을 제거하였다. 유기 상을 단리시키고, 세척물이 중성이 될 때까지 물로 세척하였다. 본래의 수성 상을 염수로 포화시키고, 염화 메틸렌으로 추출하였다. 유기 층을 조합시키고, 그 용액을 약 40mL로 농축시키고, 냉장고에 보관하였다. 고체가 침전되지 않아서, 10mL의 헵테인을 첨가하고, 그 용액을 냉장고에 넣었다. 2시간 후, 녹색의 고체가 결정화되었다(2.7g). 모액을 농축시키고, 추가의 헵테인을 첨가하여, 제 1 크롭과 동일한 순도의 또 다른 결정성 고체 크롭을 수득하였다. 조합된 생성물의 총 중량은 3.2g(90%)였다. 소자 제조 이전에 생성물을 승화시켰다(200 내지 210℃).
실시예 2, 3-본 발명의 EL 소자
본 발명의 필요조건을 만족시키는 EL 소자를 다음 방식으로 제조하였다:
애노드로서 42nm 층의 인듐-주석 산화물(ITO)로 코팅된 유기 기판을 시판되는 세제(detergent)에서 연속적으로 초음파처리하고, 탈이온수에서 린스(rinse)하고, 톨루엔 증기에서 탈지시키고(degrease), 약 1분 동안 산소 플라즈마에 노출시켰다.
a) ITO 위에 CHF3의 플라즈마-보조 침착에 의해 1nm의 탄화불소 정공-주입 층을 침착시켰다.
b) 그 후, 75nm의 두께를 갖는 N,N'-다이-1-나프탈렌일-N,N'-다이페닐-4,4'-다이아미노바이페닐(NPB)의 정공-수송 층이 탄탈 보트로부터 증착되었다(evaporated).
c) 그 후, 사용되는 도판트에 좌우되어 다양한 양의 도판트로 도핑된 Inv-1의 20-40nm 발광 층을 정공-수송 층에 침착시켰다. 이들 물질이 탄탈 보트로부터 동시-증착되었다. 여기서, 도핑 백분율은 체적/체적 비를 기준으로 기재된다. 이런 특정 도판트, 백분율 및 호스트 두께는 표 1 및 2에 기재된다.
d) 이후 트리스(8-퀴놀린올레이토)알루미늄(III)(Alq)의 30nm 전자-수송 층을 발광 층에 침착시켰다. 또한, 이 물질도 탄탈 보트로부터 증착되었다.
e) Alq 층의 상부에 10:1 체적비의 Mg 및 Ag로 형성된 220nm 캐소드를 침착시켰다.
상기 순서에 의해 EL 소자의 침착이 완결된다. 이후 소자는 주변 환경에 대한 보호를 위해 건조 글로브 박스에서 밀봉 포장되었다.
실시예 4, 5, 6, 7, 8-비교 EL 소자
Inv-1 대신 본 발명의 일부가 아닌 다음의 다른 안트라센 유도체를 호스트로서 사용한 것을 제외하고는, EL 소자의 비교예를 실시예 2와 동일한 방식으로 제조하였다:
Figure 112006027629118-PCT00019
Figure 112006027629118-PCT00020
20mA/cm2에서 측정된 휘도 수율(cd/A)의 형태로 효율에 대해 실시예 2 내지 8에서 이와 같이 형성된 전지를 시험하였다. CIE 색상 x 및 y 좌표를 측정하였다. 청색 소자에 대해 약 2.2cd/A 이상, 바람직하게는 약 3cd/A의 휘도 수율을 갖는 것이 바람직하다. 70℃에서 20mA/cm2의 정전류 밀도 또는 실온에서 40mA/cm2의 정전류 밀도로 각 개별적 전지/실시예에 특정된 다양한 시간에 대해 전지를 처리함에 의해 휘도 손실을 측정하였다. 외삽(extrapolated) 값은 70℃에서 20mA/cm2의 정전류 밀도 또는 실온에서 40mA/cm2의 정전류 밀도에서의 실제 데이터를 기준으로 산정된다. 디스플레이 소자로서 사용하기에 유용한 안정도는 이런 심화된(accelerated) 시효 조건에서 300시간 후에 약 40% 손실보다 작은 것이 바람직하다. 이런 모든 시험 데이터는 표 1b 및 표 2b에 기재된다.
Figure 112006027629118-PCT00021
Figure 112006027629118-PCT00022
화합물 Inv-1은 대조군 비교-1에 대해 안정도에서 장점을 제공한다. 표 1b의 소자들은 보다 심화된 시험 방법인 70℃, 20mA/cm2에서 흐려졌다.
Figure 112006027629118-PCT00023
Figure 112006027629118-PCT00024
실시예 7은 소자에서의 비교-4의 실패를 보여준다. 9V 배터리 하에 소자가 1분 내에 붕괴되었기 때문에 작동 안정도는 측정될 수 없었다. 물질은 기상 증착되었고, 소자는 2회 제작되어 동일한 결과를 수득하였다. 벌크 상태의 고체의 높은 결정도는 소자에서 매우 낮은 유리 형성 경향을 갖도록 하는 것으로 생각된다. 소자가 외형에서 매우 거친 입자를 보이는 사실에 의해 동일한 가설이 지지될 수 있다.
실시예 2 내지 8에서의 데이터는 L2를 갖는 비대칭 모노안트라센의 안정도에서의 상당한 개선을 보여준다. 표 1b 및 표 2b에서의 데이터를 비교하면, 소자에서의 구조 속성(대칭/비대칭)과 성능 사이의 명확한 상호관계가 있다.
본 발명은 특정한 바람직한 실시양태를 참고하여 상세히 기술되었지만, 변이 몇 변형이 본 발명의 정신 및 범위 내에서 가해질 수 있다는 것을 이해할 것이다.

Claims (26)

  1. 애노드, 캐소드 및 이들 사이에 위치된 발광 층을 갖는 OLED 소자로서,
    상기 발광층은 발광 도판트 및 화학식 I의 모노안트라센 유도체를 포함하는 호스트를 함유하는 OLED 소자:
    화학식 I
    Figure 112006027629118-PCT00025
    상기 식에서,
    R1 내지 R8이 H이고;
    R9가 R10과 동일하지 않고;
    R9가 지방족 탄소 고리 일원과의 융합 고리를 갖지 않는 바이페닐기이고,
    R10이 불소, 하이드록시, 사이아노, 알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아릴, 카복시, 트라이메틸실릴 및 헤테로환 옥시 기로부터 선택되는 치환기로 오르토-치환된 또는 메타 일치환된 페닐기이되,
    단, R9 및 R10은 아민 및 황 화합물이 없다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    R9가 비치환된 바이페닐기인 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    바이페닐의 페닐 고리 중 하나 이상이 이에 융합된 고리를 갖는 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    바이페닐이 융합된 고리 없이 두 개의 페닐 고리 기를 함유하는 소자.
  5. 제 3 항에 있어서,
    바이페닐이 2-바이페닐인 소자.
  6. 제 3 항에 있어서,
    바이페닐이 3-바이페닐인 소자.
  7. 제 3 항에 있어서,
    바이페닐이 4-바이페닐인 소자.
  8. 제 3 항에 있어서,
    모든 페닐 고리가 비치환된 소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    바이페닐이 불소, 하이드록시, 사이아노, 알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아릴, 카복시, 트라이메틸실릴 및 헤테로환 옥시 기로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 치환되는 소자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    R10이 오르토-치환되는 소자.
  11. 제 10 항에 있어서,
    R10 오르토 치환기가 불소, 알킬 및 아릴 기로부터 선택되는 소자.
  12. 제 10 항에 있어서,
    R10 오르토 치환기가 페닐기인 소자.
  13. 제 1 항에 있어서,
    R10이 메타 일치환되는 소자.
  14. 제 13 항에 있어서,
    치환기가 불소, 알킬 및 아릴 기로부터 선택되는 소자.
  15. 제 13 항에 있어서,
    R10 메타 치환기가 페닐기인 소자.
  16. 제 13 항에 있어서,
    R10 메타 치환기가 나프틸기인 소자.
  17. 제 13 항에 있어서,
    R10 메타 치환기가 바이페닐기인 소자.
  18. 제 1 항에 있어서,
    발광 도판트가 청색 광을 방출하는 소자.
  19. 제 1 항에 있어서,
    발광 도판트가 녹색 광을 방출하는 소자.
  20. 제 1 항에 있어서,
    소자가 백색 광을 방출하는데 충분한 화합물을 하나 이상의 발광 층에 포함하는 소자.
  21. 제 1 항에 있어서,
    코-호스트를 포함하는 소자.
  22. 제 21 항에 있어서,
    중합체성 코-호스트를 포함하는 소자.
  23. 제 21 항에 있어서,
    옥시노이드 화합물 코-호스트를 포함하는 소자.
  24. 제 23 항에 있어서,
    옥시노이드가 Alq인 소자.
  25. 제 1 항의 소자를 통합시킨 디스플레이.
  26. 제 1 항의 소자를 통합시킨 지역 발광 시스템.
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Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040126617A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Eastman Kodak Company Efficient electroluminescent device
US8568902B2 (en) 2003-12-01 2013-10-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Asymmetric monoanthracene derivative, material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device utilizing the same
US20060269782A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 Eastman Kodak Company OLED electron-transporting layer
KR100786292B1 (ko) * 2005-07-15 2007-12-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
WO2007026587A1 (en) * 2005-08-29 2007-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anthracene derivative and hole transporting material, light emitting element, and electronic appliance using the same
WO2007058503A1 (en) 2005-11-18 2007-05-24 Lg Chem. Ltd. Emitting material and organic light emitting diode using the same
US9666826B2 (en) * 2005-11-30 2017-05-30 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device including an anthracene derivative
US20070252515A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent device including an anthracene derivative
US20070252517A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent device including an anthracene derivative
TWI312531B (en) * 2006-06-30 2009-07-21 Nat Taiwan Universit Photoelectric device and fabrication method thereof
JP5121848B2 (ja) * 2006-12-08 2013-01-16 エージェンシー フォー サイエンス， テクノロジー アンド リサーチ アリールアミン化合物および電子素子
WO2008105472A1 (ja) * 2007-02-28 2008-09-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機ｅｌ材料含有溶液、有機ｅｌ薄膜形成方法、有機ｅｌ薄膜を含む有機ｅｌ素子および有機ｅｌディスプレイパネル製造方法
JPWO2008105294A1 (ja) * 2007-02-28 2010-06-03 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
EP2163550B1 (en) 2007-05-21 2015-09-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Anthracene derivative and organic electroluminescent device using the same
WO2008156052A1 (ja) * 2007-06-20 2008-12-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 多環系環集合化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JPWO2009008357A1 (ja) * 2007-07-07 2010-09-09 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
CN101835873B (zh) * 2007-11-02 2015-04-08 东丽株式会社 发光元件材料及发光元件
KR101443424B1 (ko) 2008-03-19 2014-09-24 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 안트라센 유도체, 발광 재료 및 유기 전기발광 소자
TWI385235B (zh) * 2008-07-22 2013-02-11 Ind Tech Res Inst 有機化合物及包含其之有機電激發光裝置
US8632893B2 (en) 2008-07-22 2014-01-21 Industrial Technology Research Institute Organic compound and organic electroluminescence device employing the same
US9153790B2 (en) * 2009-05-22 2015-10-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
TWI503314B (zh) * 2010-02-12 2015-10-11 Ind Tech Res Inst 有機化合物及包含其之有機電激發光裝置
JP5644196B2 (ja) * 2010-06-14 2014-12-24 三菱化学株式会社 化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明
WO2012017680A1 (ja) 2010-08-05 2012-02-09 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5799637B2 (ja) * 2010-08-26 2015-10-28 Jnc株式会社 アントラセン誘導体およびこれを用いた有機電界発光素子
JP5786578B2 (ja) * 2010-10-15 2015-09-30 Jnc株式会社 発光層用材料およびこれを用いた有機電界発光素子
CN103066215B (zh) * 2012-12-28 2016-04-20 昆山维信诺显示技术有限公司 一种oled器件
CN106033801B (zh) * 2015-03-09 2018-04-06 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 有机电致发光器件
CN106033798B (zh) * 2015-03-09 2017-11-14 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 有机电致发光器件
US20160293855A1 (en) * 2015-04-06 2016-10-06 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent Materials and Devices
US11818949B2 (en) 2015-04-06 2023-11-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN110785867B (zh) 2017-04-26 2023-05-02 Oti照明公司 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置
WO2019082024A1 (en) * 2017-10-27 2019-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND LIGHTING DEVICE
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
EP3556753B1 (en) * 2018-04-18 2023-10-11 Novaled GmbH Compound and organic semiconducting layer, organic electronic device, display device and lighting device comprising the same
JP7325731B2 (ja) 2018-08-23 2023-08-15 国立大学法人九州大学 有機エレクトロルミネッセンス素子
US11834459B2 (en) 2018-12-12 2023-12-05 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US11730012B2 (en) 2019-03-07 2023-08-15 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
US11739081B2 (en) * 2019-03-11 2023-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP2023553379A (ja) 2020-12-07 2023-12-21 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド 核形成抑制被膜及び下地金属被膜を用いた導電性堆積層のパターニング

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US323323A (en) * 1885-07-28 Apparatus foe receiving and conveying away ooee drawn
US59535A (en) * 1866-11-13 Improvement in machines for drawing spikes
US18587A (en) * 1857-11-10 Improvement in cultivators
JP3069139B2 (ja) * 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
US6582837B1 (en) * 1997-07-14 2003-06-24 Nec Corporation Organic electroluminescence device
JP3769933B2 (ja) 1998-05-20 2006-04-26 凸版印刷株式会社 発光材料及び有機薄膜ｅｌ素子
US6361886B2 (en) * 1998-12-09 2002-03-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved hole transport layer
US6465115B2 (en) 1998-12-09 2002-10-15 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with anthracene derivatives hole transport layer
JP4429438B2 (ja) 1999-01-19 2010-03-10 出光興産株式会社 アミノ化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001019947A (ja) * 1999-07-06 2001-01-23 Fuji Photo Film Co Ltd 新規重合体、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
JP2001097897A (ja) 1999-09-30 2001-04-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4094203B2 (ja) * 2000-03-30 2008-06-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体
WO2002014244A1 (fr) * 2000-08-10 2002-02-21 Mitsui Chemicals, Inc. Compose d'hydrocarbure, materiau pour element organique electroluminescent et element organique electroluminescent
US6485884B2 (en) * 2001-04-27 2002-11-26 3M Innovative Properties Company Method for patterning oriented materials for organic electronic displays and devices
JP2003261472A (ja) 2002-03-07 2003-09-16 Mitsui Chemicals Inc 有機電界発光素子および新規炭化水素化合物
JP4170655B2 (ja) * 2002-04-17 2008-10-22 出光興産株式会社 新規芳香族化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4025136B2 (ja) 2002-07-31 2007-12-19 出光興産株式会社 アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100924462B1 (ko) 2002-08-23 2009-11-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자 및 안트라센 유도체
US20040058193A1 (en) * 2002-09-16 2004-03-25 Eastman Kodak Company White organic light-emitting devices with improved performance

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