KR20060081698A - 트리페닐 포스핀 단위를 포함한 소중합체 및 중합체 - Google Patents

트리페닐 포스핀 단위를 포함한 소중합체 및 중합체 Download PDF

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메르크 올레트 마테리알스 게엠베하
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Abstract

동일하거나 상이할 수 있는 제 1 반복 단위 및 제 2 반복 단위를 포함한 소중합체 또는 중합체로서, 제 1 반복 단위는 하기 화학식 (I) 을 갖는 것인 소중합체 또는 중합체:
Figure 112006011491938-PCT00018
[식 중, 각각의 E 는 독립적으로 임의 치환 질소 또는 임의 치환 인을 나타내는데, 단, 하나 이상의 E 는 임의 치환 인이고; 각각의 Ar1, Ar2 및 Ar3 은 동일하거나 상이하고 독립적으로 임의 치환 아릴 또는 헤테로아릴을 나타내며; n 은 0 내지 3 이고; 비치환 질소 및 인의 경우에 제 2 반복 단위는 제 1 반복 단위에 직접 공역된다].

Description

트리페닐 포스핀 단위를 포함한 소중합체 및 중합체 {OLIGOMER AND POLYMER COMPRISING TRIPHENYL PHOSPHINE UNITS}
본 발명은 반도성 소중합체 및 중합체, 이들의 합성 및 광학 장치에서의 용도에 관한 것이다.
광-전기 장치의 일 부류는 유기 물질을 발광용으로 사용하는 것 (유기 발광 장치 또는 "OLED") 또는 광전지나 광검출기 ("광발전" 장치) 의 활성 성분으로서 사용하는 것이다. 이들 장치의 기본 구조는 음전하 담체 (전자) 를 유기층으로 주입시키거나 수용시키기 위한 캐소드 (cathode) 와 양전하 담체 (정공) 를 유기층으로 주입시키거나 수용시키기 위한 애노드 (anode) 사이에 반도성 유기층이 끼워져 있는 것이다.
유기 전계발광 장치에서, 전자 및 정공은 전계발광 반도성 물질의 층에 주입되는데, 여기서 이들은 결합하여, 방사성 붕괴되는 여기자 (exciton) 를 생성한다. 정공은 애노드로부터 전계발광 물질의 최상위 점유 분자 궤도함수 (HOMO) 로 주입되고; 전자는 캐소드로부터 전계발광 물질의 최하위 점유 분자 궤도함수 (LUMO) 로 주입된다. 유기 정공 주입 물질은 통상 애노드로부터 전계발광 층으로의 전하 주입을 원조하기 위해 제공된다. WO 90/13148 에서, 유기 발광 물질은 공역형 중합체, 즉 폴리(p-페닐렌비닐렌) ("PPV") 이다. 당업계에 공지된 다른 발광 중합체에는 폴리플루오렌 및 폴리페닐렌이 포함된다. US 4,539,507 에서, 유기 발광 물질은 소형 분자 물질, 예컨대 (8-히드록시퀴놀린)알루미늄 ("Alq3") 으로서 공지된 부류의 것이다. 폴리플루오렌 및 폴리페닐렌과 같은 발광 중합체가 용액 처리성이기 때문에 유리하다. 구체적으로는, 용액 처리성 발광 중합체를 EP 0880303 에 기재된 바와 같이 잉크젯 인쇄함으로써 하이 인포메이션 컨텐트 디스플레이 (high information content display), 특히 풀 컬러 디스플레이 (full colour display) 를 제조할 수 있다.
효과적인 OLED 를 위한 필수 요구사항은 정공 및 전자의 OLED 의 전계발광 층으로의 효율적인 주입이다. 그러므로, OLED 분야에서의 초점은 전계발광 물질과 조합하여 사용되는 정공 및/또는 전자 전송 물질의 개발이다. 효과적인 정공 전송 물질은 애노드 (또는 유기 정공 주입 물질) 의 일함수와 전계발광 물질의 HOMO 수준 사이에 놓인 HOMO 수준을 가진다.
OLED 분야에서의 또 다른 초점은 풀 컬러 OLED, 즉 적색, 녹색 및 청색 전계발광 물질을 포함한 OLED 의 개발이다. 많은 청색 유기 전계발광 물질의 결함은 그들의 방출이, 불충분하게 큰 HOMO-LUMO 밴드갭 (bandgap) 에 기인하여, 1931 CIE 좌표계에 의해 정의된 바와 같은 표준 청색에 비해 상대적으로 엷은 청색이라는 점이다.
WO 99/48160 은 정공 전송 공중합체 "TFB" 및 "PFB" 를 개시한다:
Figure 112006011491938-PCT00001
.
이들 물질은 정공 전송 물질 및/또는 청색 전계발광 물질로 사용될 수 있다. 그러나, 상기 공중합체는 결함을 가진다. 구체적으로, 이들 물질의 HOMO 수준은 전형적인 애노드 및/또는 유기 정공 주입 물질의 일함수와 이상적으로 일치하지 않으며, 이는 그들의 정공 전송 성질에 부정적인 영향을 준다. 더구나, 이들 물질로부터의 청색 방출은 상대적으로 엷은 청색이다.
그러므로, 양호한 정공 전송 성질 및 보다 진한 청색을 갖는 중합체에 대한 요구가 존재한다. 포스핀-함유 중합체가 공지되어 있다. 예를 들면, EP 0339424 는 포스핀 반복 단위를 갖는 폴리티오아릴렌을 개시한다. 상기 중합체 내의 반복 단위는 서로 공역되지 않고 황 원자에 의해 분리된다. 이들 중합체는 그들의 불활성, 열가소성의 이점을 이용하는 분야에서의 사용을 위해 기재되었으므로, 상기 문서의 교시 그 자체는 본 발명의 유기 반도체 분야에 관한 것이 아니다.
문헌 [J. Organomet. Chem. 653, 167-176, 2002] 은 디페닐알킬포스핀 반복 단위를 포함한 단일중합체를 개시한다.
WO 99/32537 은 그 각각이 주로 단위 Ar3Y [식 중, Y 는 N, P 등일 수 있다] 로 이루어진 반복 단위를 포함한 중합체를 개시한다. 단위 Ar3Y 와 다른 반복 단위와의 공중합체는 언급되어 있지 않다. 상기 출원의 바람직한 구현예에서, Y 는 질소를 나타내고; Y 가 인이거나 또는 예시된 아민을 능가하는 포스핀의 이점의 임의 표시인 구현예는 존재하지 않는다. 더구나, 이러한 반복 단위를 포함한 중합체를 어떻게 합성할 수 있는가에 대한 개시는 존재하지 않는다.
발명의 개요
본 발명자는 놀랍게도 종래 기술에서의 트리아릴아민 대신 트리아릴포스핀을 사용하면, 물질의 정공 전송 성질 및 보다 진한 청색 방출이 유의적으로 개선됨을 발견하였다.
따라서, 본 발명의 첫 번째 측면은 동일하거나 상이할 수 있는 제 1 반복 단위 및 제 2 반복 단위를 포함한 소중합체 또는 중합체를 제공하는 것으로서, 제 1 반복 단위는 하기 화학식 (I) 을 가진다:
Figure 112006011491938-PCT00002
[식 중, 각각의 E 는 독립적으로 임의 치환 질소 또는 임의 치환 인을 나타 내는데, 단, 하나 이상의 E 는 임의 치환 인이고; 각각의 Ar1, Ar2 및 Ar3 은 동일하거나 상이하고 독립적으로 임의 치환 C3 내지 C30 아릴 또는 헤테로아릴을 나타내며; n 은 0 내지 3 이고; 비치환 질소 및 인의 경우에 제 2 반복 단위는 제 1 반복 단위에 직접 공역된다].
본 발명에 따른 트리아릴포스핀은 종래 기술에 기재된 디페닐알킬포스핀보다 안정한데, 이는 인의 고립 전자쌍이 공여될 여분의 π-시스템을 갖기 때문이다. 반면에, 종래 기술 디페닐알킬포스핀의 알킬기는 인 원자에 전자 밀도를 공여한다.
바람직한 일 구현예에서, Ar1, Ar2 및 Ar3 각각은 임의 치환 페닐이다.
바람직한 또 다른 구현예에서, Ar2 는 임의 치환 비페닐이다. 보다 바람직하게는, 본 구현예에 따른 Ar1 및 Ar3 은 임의 치환 페닐이다.
바람직한 추가의 구현예에서, Ar3 은 임의 치환 헤테로아릴이다.
바람직한 일 구현예에서, 각각의 E 는 인이다. 바람직한 또 다른 구현예에서, n 은 0 이고 E 는 인이다. 바람직한 또 다른 구현예에서, n 은 1 내지 3 이고, 하나 이상의 E 는 질소이다.
본 발명에 따른 소중합체 또는 중합체의 전자적 또는 물리적 성질 (예컨대, 각각 전자 친화도 또는 용해도) 은 적절한 치환기에 의해서 변형될 수 있다. 그러므로, 하나 이상의 Ar3 은 임의 치환된 분지형, 환형 또는 선형 C1 -20 알킬 또는 C1 -20 알콕시; C1 -20 플루오로알킬, 불소, 임의 치환 디아릴아민 및 임의 치환 디아릴포스핀으로 이루어진 군에서 선택된 치환기에 의해 치환되는 것이 바람직하다.
E 기가 인일 때, 이것은 3 가 또는 5 가 인일 수 있다. 바람직하게는, E 는 비치환 질소, 비치환 인 또는 산화 인으로 이루어진 군에서 선택된다.
바람직하게는, 제 2 반복 단위는 제 1 반복 단위와 상이하다. 보다 바람직하게는, 제 2 반복 단위는 임의 치환 페닐, 불소, 스피로비플루오렌, 인데노플루오렌, 헤테로아릴, 디히드로페난트렌 또는 트리아릴아민 중에서 선택된다.
두 번째 측면에서, 본 발명은 가변성 산화 상태의 금속 촉매 존재 하에 하기 화학식 (II) 의 단량체를 소중합 또는 중합시키는 단계를 포함하는, 임의의 상기 청구항에 따른 소중합체 또는 중합체의 형성 방법을 제공한다:
Figure 112006011491938-PCT00003
[식 중, Ar1, Ar2 및 Ar3, E 및 n 은 본 발명의 첫 번째 측면에 대해서 기재한 바와 같고, 각각의 LG 는 동일하거나 상이하고 가변성 산화 상태의 금속에 의해 중개된 중축합에 관여할 수 있는 이탈기를 나타낸다].
바람직하게는, 중축합은 니켈 또는 팔라듐 착물 촉매에 의한 금속 삽입 단계를 포함한다.
바람직하게는, 각각의 LG 는 동일하거나 상이하고 독립적으로 할로겐; 붕소 산 기, 붕소산 에스테르 기 및 보란 기 중에서 선택된 반응성 붕소 기; 또는 화학식 -0-S02-Z [식 중, Z 는 임의 치환 알킬 및 아릴로 이루어진 군에서 선택된다] 의 잔기 중에서 선택된다.
대안적인 LG 기에는 화학식 -(DZ)m-B-Hal3 -M+ [식 중, DZ 는 디아조늄 기를 나타내고, 각각의 Hal 은 독립적으로 할로겐을 나타내며, M+ 는 금속 양이온을 나타낸다] 의 기; 및 화학식 O-SiR7 3 [식 중, 각각의 R7 은 독립적으로 임의 치환 알킬 또는 아릴을 나타낸다] 의 기가 포함된다.
바람직하게는, Hal 은 불소이다. 바람직하게는 M+ 는 알칼리 금속이고, 보다 바람직하게는 나트륨 또는 칼륨이다. 바람직하게는 R7 은 알킬이고, 보다 바람직하게는 메틸이다.
두 번째 측면의 바람직한 첫 번째 구현예에서, 각각의 LG 는 독립적으로 할로겐 또는 화학식 -O-SO2-Z 의 잔기이고, 화학식 (II) 의 단량체는 니켈 착물 촉매 존재 하에 소중합 또는 중합된다.
두 번째 측면의 바람직한 두 번째 구현예에서, 화학식 (II) 의 단량체는 팔라듐 착물 촉매 및 염기 존재 하에 제 2 의 방향족 단량체와 소중합 또는 중합되고,
a. 각각의 LG 는 동일하거나 상이하고 반응성 붕소 기를 포함하고, 제 2 의 단량체는 할로겐 및 화학식 -O-SO2-Z 의 잔기 중에서 독립적으로 선택된 2 개의 반응성 기를 포함하거나,
b. 각각의 LG 는 독립적으로 할로겐 또는 화학식 -O-SO2-Z 의 잔기를 포함하고, 제 2 의 단량체는 동일하거나 상이한 2 개의 반응성 붕소 기를 포함한다.
두 번째 측면의 바람직한 세 번째 구현예에서, 하나의 LG 는 반응성 붕소 기이고; 다른 하나의 LG 는 할로겐 또는 화학식 -O-SO2-Z 의 잔기이며; 화학식 (II) 의 단량체는 팔라듐 착물 촉매 및 염기 존재 하에 소중합 또는 중합된다.
세 번째 측면에서, 본 발명은 하기 화학식 (III) 의 반복 단위를 포함한 단량체를 제공한다:
Figure 112006011491938-PCT00004
[식 중, Ar1, Ar2 및 Ar3, E, LG 및 n 은 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에서 정의된 바와 같고; 각각의 R1 은 독립적으로 할로겐 또는 임의 치환된 분지형, 환형 또는 선형 C1 -20 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴을 나타내며; 동일한 붕소 원자와 연결된 2 개의 OR1 기는 결합하여 고리를 형성할 수 있다].
바람직하게는, LG 는 화학식 -B(OR1)2 를 가진다.
바람직하게는, 하나 이상의 R1 은 선형, 분지형 또는 환형 C1 -20 알킬을 나타낸다.
바람직하게는, 하나 이상의 -B(OR1)2 기는 하기 화학식 (IV) 의 임의 치환 잔기를 나타낸다:
Figure 112006011491938-PCT00005
.
바람직하게는, 상기 화학식 (IV) 의 잔기의 탄소 원자 중 하나 이상은 치환된다. 보다 바람직하게는, 탄소 원자 둘 다 치환된다. 바람직한 치환기는 선형, 분지형 또는 환형 C1 -20 알킬이다. 가장 바람직하게는, 각각의 탄소는 2 개의 메틸기를 수반한다 (피나콜 에스테르).
네 번째 측면에서, 본 발명은 본 발명의 첫 번째 측면에 따른 소중합체 또는 중합체를 포함한 광학 장치를 제공한다.
바람직하게는, 소중합체 또는 중합체는 정공 주입용 제 1 전극과 전자 주입용 제 2 전극 사이의 층에 위치한다.
바람직하게는, 광학 장치는 전계발광 장치, 즉 순방향 바이어스가 전극을 가로질러 적용될 때 소중합체 또는 중합체로부터 전계발광을 생성시키는 장치이다. 대안적으로, 장치는 광발전 장치이다.
다섯 번째 측면에서, 본 발명은 본 발명의 첫 번째 측면에 따른 소중합체 또 는 중합체를 포함한 스위칭 장치를 제공한다.
바람직하게는, 스위칭 장치는 제 1 면과 제 2 면을 갖는 절연체; 절연체의 제 1 면에 위치한 게이트 (gate) 전극; 절연체의 제 2 면에 위치한 본 발명의 첫 번째 측면에 따른 소중합체 또는 중합체; 및 소중합체 또는 중합체 상에 위치한 드레인 (drain) 전극과 소스 (source) 전극을 포함한 전계 효과 트랜지스터이다.
여섯 번째 측면에서, 본 발명은 본 발명의 다섯 번째 측면에 따른 전계 효과 트랜지스터를 포함한 집적 회로를 제공한다.
본 발명을 이하에서 중합체 및 중합을 참조로 기재하지만, 이러한 기재는 상응하는 소중합체 및 소중합에도 동등하게 적용됨이 인지될 것이다.
본 발명에 따른 중합체는 임의의 전술한 광학 장치, 특히 전계발광 장치 및 광발전 장치 (즉, 광검출기 또는 광전지), 또는 전계 효과 트랜지스터와 같은 스위칭 장치 내 활성 물질로 사용될 수 있다.
OLED 내에서 사용될 때, 본 발명에 따른 중합체는 유기 발광 장치 내의 용액 처리성인, 전자 전송, 정공 전송 및/또는 방출 물질로 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 반복 단위의 예에는 하기가 포함된다:
Figure 112006011491938-PCT00006
Figure 112006011491938-PCT00007
본 발명에 있어서, 포스핀-함유 반복 단위를 포함한 중합체는 N-원자가 P-원자로 대체된 트리아릴아민 반복 단위와 유사한 것이며, 그 자체를 종래 기술의 트리아릴아민과 유사한 방식으로 사용할 수 있음이 인지될 것이다. 구체적으로, 본 발명에 따른 반복 단위를 포함한 중합체는 정공 전송 또는 청색 방출 물질로 사용될 수 있다.
반복 단위는 상기 반복 단위 e, g, h, i, j 및 l 에서와 같이 N-원자를 대체한 복수 개의 P-원자를 포함할 수 있다. 대안적으로는, 상기 단위 f 또는 k 에 따른 바와 같이 단지 하나 또는 일부의 N-원자가 P-원자 또는 P-원자들로 대체될 수 있다. 각 반복 단위의 아릴기는 임의로 치환될 수 있거나 (단위 a, c, 및 e 내지 j) 치환되지 않을 수 있다 (단위 b, d, k 및 l). 각 반복 단위 내 인의 원자가는 3 가 (단위 a 내지 c, e 내지 h, j 내지 l), 5 가 (단위 d) 또는 이들 둘의 혼합 (단위 i) 일 수 있다.
상기 반복 단위는 본 발명 상의 반복 단위에 대한 단지 일부의 가능한 치환기 및 치환 패턴을 나타낸다. 각각의 상기 반복 단위는 또한 치환되지 않거나 트리아릴아민에 대해 이하에 기재된 것과 유사한 방식으로 하나 이상의 치환기 X 에 의해 치환될 수 있다.
치환기 X 의 예에는 C1 -20 알킬, 퍼플루오로알킬 또는 알콕시와 같은 가용성 기; 불소, 니트로 또는 시아노와 같은 전자 끄는 기; 및 예를 들면 tert-부틸 또는 임의 치환 C3 내지 C30 아릴 또는 헤테로아릴기인, 벌키 기와 같은 중합체의 유리 전이 온도 (Tg) 를 증가시키는 치환기가 포함된다. 또한 상기한 것들의 조합을 나타내는 치환기, 예컨대 C6 내지 C30 알킬아릴 또는 아릴알킬기도 가능하다. 중합체는, 예를 들면 WO 00/53656 또는 WO 03/048225 에 기재된 바와 같은 스즈키 중합 (Suzuki polymerisation) 및 예를 들면 문헌 [T. Yamamoto, "Electrically Conducting And Thermally Stable π-Conjugated Polyarylenes Prepared by Organometallic Processes", Progress in Polymer Science 1993, 17, 1153-1205] 또는 WO 04/022626 에 기재된 바와 같은 야마모토 중합 (Yamamoto polymerisation) 에 의해서 제조될 수 있다. 예를 들어, 야마모토 중합에 의한 선형 중합체의 합성에서는, 2 개의 반응성 할라이드 기를 갖는 단량체를 사용한다. 이와 유사하게, 스즈키 중합법에 따르면, 하나 이상의 반응성 기는 반응성 붕소 기이다.
스즈키 중합은 Pd (0) 착물 또는 Pd (II) 염을 사용한다. 바람직한 Pd (0) 착물은 Pd(Ph3P)4 와 같이 하나 이상의 포스핀 리간드를 지닌 것이다. 바람직한 또 다른 포스핀 리간드는 트리스(오르토-톨릴)포스핀, 즉 Pd(o-Tol)3 이다. Pd : 포스핀 리간드의 통상적인 비율은 1 : 1 내지 1 : 10 범위이다. 그러나, 본 경우에는 화학식 (III) 에 따른 포스핀 단량체도 Pd 에 대한 리간드로서 작용할 수 있다. 이러한 관점에서, 화학식 (III) 의 포스핀계 단량체의 존재에 기인하여 Pd : 포스핀 비율이 훨씬 커졌음에도 불구하고, 본 발명의 중합체를 제조하는 데 있어서 스즈키 중합이 매우 양호하게 작동하는 것은 놀라운 일이다. 바람직한 Pd (II) 염에는 팔라듐 아세테이트, 즉 Pd(OAc)2 가 포함된다. 스즈키 중합은 염기, 예를 들면 탄산 나트륨, 인산 칼륨 또는 유기 염기, 예컨대 탄산 테트라에틸암모늄 존재 하에 수행된다.
야마모토 중합은 Ni (0) 착물, 예를 들면 비스(1,5-시클로옥타디에닐)니켈 (0) 을 사용한다.
스즈키 중합은 2 개의 이탈기 LG 를 갖는 방향족 단량체로부터 부분규칙 (regioregular), 블록 및 불규칙 공중합체를 제조하는 데 사용할 수 있다. 블록 구조의 중합체를 어떻게 합성할 수 있는가에 대한 기재는, 예를 들면 DE 10337077.3 에 상세히 나와 있다. 구체적으로, 단일중합체 또는 불규칙 공중합체는 하나의 이탈기 LG 는 할로겐이고 다른 하나의 이탈기 LG 는 반응성 붕소 기일 때 제조할 수 있다. 대안적으로, 블록 또는 부분규칙, 특히 AB 공중합체는 제 1 단량체의 두 이탈기는 붕소이고 제 2 단량체의 두 이탈기는 할라이드일 때 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 단량체를 단독으로 중합하여 단일중합체를 형성시키거나 하나 이상의 공단량체 존재 하에 공중합체를 형성시킬 수도 있다. 상기 공단량체로부터 유도될 수 있는 공-반복 단위를 이하에 개요시키는데; 이들 각각의 공-반복 단위는 할로겐 (바람직하게는 염소, 브롬 또는 요오드, 보다 바람직하게는 브롬), 붕소산 기, 붕소산 에스테르 기 및 보란 기에서 독립적으로 선택된 2 개의 중합성 기를 포함한 공단량체로부터 유도될 수 있음이 인지될 것이다.
전술한 바와 같은 할로겐에 대한 대안으로는, 화학식 -O-SO2Z 의 이탈기를 사용할 수 있는데, 식 중 Z 는 앞서 정의된 바와 같다. 이러한 이탈기의 특정한 예는 토실레이트, 메실레이트 및 트리플레이트이다.
스즈키 중합에 사용되는 2 개의 단량체에 대한 이탈기 LG 의 다수의 다른 조합은 당업자에게는 명백한 것이다. 이들에는 하기가 포함된다:
트리알킬실록시기와 보론산 또는 에스테르;
디아조늄 테트라플루오로보레이트와 보론산 또는 에스테르 (Tetrahedron Letters, 1997, Vol 38, No 25, pp 4393-4396);
금속 트리플루오로보레이트와 디아조늄 테트라플루오로보레이트 (Tetrahedron Letters, 1997, Vol 38, No 25, pp 4393-4396); 및
리간드 없는 팔라듐 (예를 들면, 팔라듐 아세테이트) 을 사용하는 아릴 할라이드와 금속 트리플루오로보레이트 (Organic Letters, 2002, Vol 4, No 11, pp 1867-1870).
본 발명에 따른 중합체가 공중합체인 경우, 이것은 하나 이상의 상이한 공-반복 단위와 함께 본 발명의 반복 단위를 보유할 수 있다. 공중합체에서, 본 발명의 반복 단위는 바람직하게는 중합체 내에 1 내지 50 몰%, 보다 바람직하게는 5 내지 30 몰% 로 존재한다. 공-반복 단위의 일 부류는 아릴렌 반복 단위, 구체적으로는 문헌 [J. Appl. Phys. 1996, 79, 934] 에 개시된 바와 같은 1,4-페닐렌 반복 단위; EP 0842208 에 개시된 바와 같은 플루오렌 반복 단위, 예를 들면 문헌 [Macromolecules 2000, 33 (6), 2016-2020] 에 개시된 바와 같은 트랜스-인데노플루오렌 반복 단위; EP 03014042.0 에 기재된 바와 같은 시스-인데노플루오렌 반복 단위; 예를 들면 EP 0707020 에 개시된 바와 같은 스피로비플루오렌 반복 단위; DE 10337346.2 에 개시된 바와 같은 디히드로페난트렌 반복 단위 및 WO 03/020790 에 개시된 바와 같은 스틸벤 반복 단위 (통상 "OPV" 반복 단위로 공지됨) 이다. 각각의 이들 반복 단위는 임의 치환된다. 치환기의 예에는 C1 -20 알킬 또는 알콕시와 같은 가용성 기; 불소, 니트로 또는 시아노와 같은 전자 끄는 기; 및 예를 들면 tert-부틸 또는 임의 치환 C3 내지 C30 아릴기인, 벌키 기와 같은 중합체의 유리 전이 온도 (Tg) 를 증가시키는 치환기가 포함된다.
바람직한 공-반복 단위의 추가적인 부류는 반복 단위 골격 내에 1 또는 2 개의 아미노기를 포함한 반복 단위, 예컨대 트리아릴아민 기를 포함한 공-반복 단위, 구체적으로는 하기 화학식 1 내지 3 의 반복 단위이다:
Figure 112006011491938-PCT00008
[식 중, 각각의 X 는 독립적으로 수소 또는 치환기이고 m 은 1 내지 3 이다]. 바람직하게는 하나 이상의 X 는 독립적으로 C1 내지 C20 알킬, 아릴, 퍼플루오로알킬, 티오알킬, 시아노, 알콕시, 헤테로아릴, 알킬아릴 및 아릴알킬기로 이루어진 군에서 선택된다. 특히 바람직한 X 기는 C1 내지 C10 n-알킬 (구체적으로는 n-부틸), 분지형 C1 내지 C10 알킬 (구체적으로는 s-부틸 및 t-부틸), C1 내지 C10 n-알콕시 또는 트리플루오로알킬 (구체적으로는 트리플루오로메틸) 기인데, 이는 이들이 HOMO 수준을 선택하는 것을 돕고/거나 중합체의 용해도를 향상시키는 데 적합하기 때문이다. 바람직하게는 m 은 1 또는 2 이고, 보다 바람직하게는 1 이다. 바람직하게는, X 가 치환기일 때 이것은 메타- 또는 파라-위치, 가장 바람직하게는 파라-위치를 차지한다.
상기 유형의 반복 단위 내 트리플루오로메틸기의 용도는 WO 01/66618 에 개시되어 있다.
공-반복 단위의 보다 추가적인 부류에는 헤테로아릴 반복 단위, 예컨대 임의 치환 2,5-티에닐, 피리딜, 디아진, 트리아진, 아졸, 디아졸, 트리아졸, 옥사졸 또는 옥사디아졸; 또는 하기 화학식 4 내지 10 의 임의 치환 단위가 포함된다:
Figure 112006011491938-PCT00009
[식 중, 각 Y 는 황 또는 산소, 바람직하게는 황을 나타내고; R5 및 R6 은 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 수소 또는 치환기이다]. 바람직하게는, R5 또는 R6 중 하나 이상은 수소, C1 내지 C20 알킬, 아릴, 퍼플루오로알킬, 티오알킬, 시아노, 알콕시, 헤테로아릴, 알킬아릴 또는 아릴알킬 중에서 선택될 수 있다. 가장 바람직하게는, R5 및 R6 은 독립적으로 수소, C1 내지 C10 알킬 또는 페닐이다. 바람직하게는, 실용적인 이유로, R5 및 R6 은 둘 다 치환기일 때 동일하다.
OLED 에서 사용될 때, 본 발명에 따른 중합체는 정공 전송, 전자 전송 및 방출 성질 중 하나 이상을 보유한다. 중합체가 이들 성질을 하나 넘게 가지는 경우에는, 블록 공중합체의 상이한 단량체 반복 단위 또는 세그먼트, 구체적으로는 WO 00/55927 에 기재된 바와 같은 중합체 골격의 세그먼트 또는 WO 02/26859 에 기재된 바와 같은 펜던트 기에 의해서 상이한 성질이 제공될 수 있다. 대안적으로, 본 발명의 중합체가 정공 전송, 전자 전송 및 방출의 성질 중 단지 1 또는 2 개만을 가진다면, 이것을 WO 99/48160 에 기재된 바와 같은 나머지 필수 성질 또는 성질들을 갖는 하나 이상의 추가 중합체와 배합할 수 있다.
광학 장치는 습기 및 산소에 민감한 경향이 있다. 따라서, 장치의 기판은 바람직하게는 습기 및 산소가 장치 내로 침입하는 것을 방지하기 위한 양호한 장벽 성질을 가진다. 기판은 통상 유리이지만, 특히 장치의 유연성이 요구되는 경우에는, 대안적인 기판을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 기판에는 플라스틱과 장벽 층이 교차하는 기판을 개시한 US 6268695 에서와 같은 플라스틱 또는 EP 0949850 에 개시된 바와 같은 얇은 유리와 플라스틱의 라미네이트가 포함될 수 있다.
필수적인 것은 아니지만, 애노드 위에 유기 정공 주입 물질의 층이 존재하면 이것이 애노드로부터 반도성 중합체의 층 또는 층들로의 정공 주입을 원조하기 때문에 바람직하다. 유기 정공 주입 물질의 예에는 EP 0901176 및 EP 0947123 에 개시된 바와 같은 PEDT/PSS, 또는 US 5723873 및 US 5798170 에 개시된 바와 같은 폴리아닐린이 포함된다.
캐소드는 전자를 장치에 효율적으로 주입시키기 위해서 선택되는데, 그 자체가 알루미늄의 층과 같은 단일 전도성 물질을 포함할 수도 있다. 대안적으로, 이것은 복수 개의 금속, 예를 들면 WO 98/10621 에 개시된 바와 같은 칼슘과 알루미늄의 이중 층, 또는 예를 들면 WO 00/48258 에 개시된 바와 같은 전자 주입을 원조하는 불소화 리튬과 같은 유전체 물질의 얇은 층을 포함할 수 있다.
장치는 바람직하게는 캡슐화 재료에 의해 캡슐화됨으로써 습기 및 산소의 침입을 방지한다. 적절한 캡슐화 재료에는 유리의 시트, 적절한 장벽 성질을 갖는 필름, 예를 들면, WO 01/81649 에 개시된 바와 같은 중합체와 유전체의 교차 스택, 또는 예를 들면, WO 01/19142 에 개시된 바와 같은 밀폐 용기가 포함된다.
실제의 광전자 장치에서, 전극 중 하나 이상은 빛을 흡수하거나 (광반응성 장치의 경우) 방출할 (PLED 의 경우) 수 있게 하기 위해서 반투명하다. 애노드가 투명한 경우에, 이것은 전형적으로 인듐 주석 산화물을 포함한다. 투명 캐소드의 예는, 예를 들면, GB 2348316 에 개시되어 있다. 본 발명의 중합체가 전계 효과 트랜지스터와 같은 스위칭 장치에 사용되는 경우에는, 모든 전극이 불투명할 수도 있음이 인지될 것이다.
PLED 는 정지 영상 장치, 즉 오직 단일 영상만을 표시하는 장치일 수 있다. 가장 단순한 경우에, 장치는 애노드, 캐소드 및 전계발광 중합체를 포함하는데, 이들 각각에는 패턴이 형성되어 있지 않다. 이러한 장치는 조명 용도 또는 고정된 영상의 전광판에 적합할 수 있다. 대안적으로, 장치는 가변 영상 장치, 즉 상이한 영역의 전계발광 층이 독립적으로 처리될 수 있는 장치일 수도 있다. 이러한 장치는 분할된 수동방식 또는 능동방식 장치일 수 있다.
중합체는 스핀-코팅 (spin-coating), 딥-코팅 (dip-coating), EP 0880303 에 개시된 바와 같은 잉크젯 인쇄, EP 0851714 에 기재된 바와 같은 레이저 전사, 플렉소 인쇄 (flexographic printing), 스크린 인쇄 및 닥터 블레이드 코팅 (doctor blade coating) 과 같은 범위의 기술 중 임의의 하나에 의해서 침착시킬 수 있다. 상기 기술이 용액으로부터의 중합체 침착을 요구하는 경우에는, 예를 들면, 알킬-방향족 화합물, 구체적으로는 톨루엔, 크실렌 및 듀렌과 같은 모노- 또는 폴리-알킬벤젠을 포함하는 범위의 유기 용매 또는 유기 용매 혼합물 중 임의의 하나를 사용할 수 있다.
본 발명자들은 종래 기술의 아민-함유 중합체와 비교할 때의 본 발명에 따른 중합체의 다수의 이점을 하기와 같이 밝혀냈다:
본 발명에 따른 중합체는 화학식 (I) 에 따른 반복 단위를 함유하지 않은 비교용 중합체보다 유의적으로 큰 HOMO-LUMO 밴드갭 (Eg) 을 가진다 (하기 표 1 에서 비교). 또한, 본 발명에 따른 중합체는 광발광 (PL) 및 전계발광 (EL) 둘 다에 대해서 보다 진한 청색인 1931 PAL CIE 좌표를 가진다 (하기 표 2 에서 비교).
추가적으로, 본 발명자들은 몇몇 아민-함유 중합체의 전계발광 스펙트럼에서 작은 적색 피크가 관찰됨을 발견하였다. 반면에, 본 발명에 따른 중합체의 전계발광 스펙트럼에는 이러한 피크가 존재하지 않는다.
종래 기술의 아민을 능가하는 본 발명에 따른 포스핀의 다른 이점은 본 발명에 따른 중합체에 대해서 보다 높은 외부 양자 효율 및 약 2.5 배 높은 전류이다.
본 발명을 특정하게 예시된 구현예에 의해서 기재하였지만, 하기 청구항에서 설명되는 바와 같은 본 발명의 취지 및 범위에서 벗어나지 않는 한, 본원에 개시된 특성의 다양한 변형, 변경 및/또는 조합이 당업자에게는 명백할 것임이 인지될 것이다.
단량체 1: P,P- 비스(4-브로모-3,6-디메틸페닐)페닐포스핀
Figure 112006011491938-PCT00010
-78 ℃ 에서, n-부틸리튬 (151.5 mmol, 61 ml, 헥산 중 2.5 M 용액) 을 건조 테트라히드로푸란 (500 ml) 중 2,5-디브로모-p-크실렌 (40 g, 151.5 mmol, 1 당량) 의 용액에 첨가하였다. 첨가 종료 후에, 반응물을 30 분 동안 교반하였다. 그 다음, P,P-디클로로-페닐포스핀 (10.3 ml, 75.8 mmol, 0.5 당량) 을 서서히 조심스럽게 첨가하여 온도를 -78 ℃ 이하로 유지시켰다. 포스핀 첨가 시 진한 적색이 관찰되었다. 첨가 완료 후에, 하룻밤 동안 반응물이 실온까지 데워지도록 하였다. 그 다음, 감압 하에 THF 를 제거하고, 생성된 고체를 건조 톨루엔에 녹였다. 그 다음, 상기 생성물/염 혼합물을 실리카 플러그 (톨루엔 용리액, 1 l) 를 통해 여과하고 환원하여 백색 고체 (GC-MS 순도 약 98 %) 를 수득하였다. 미정제 고체를 에틸아세테이트/메탄올 또는 헥산으로부터 결정화하여 상기 생성물 (30.5 g, 수율 85 %) 을 수득하였다. GC-MS 99.8 %, M+ 476 (예상 M+ 476); 31P-NMR (CDCl3) δ (ppm) 198.
단량체 2: P,P- 비스(4-브로모-3,6-디메틸페닐)페닐포스핀 옥시드
Figure 112006011491938-PCT00011
단량체 1 (30 g, 63.0 mmol, 1 당량) 을 실온에서 메틸렌 클로라이드 (200 ml) 에 용해시켰다. 그 다음, m-클로로페록시벤조산 (MCPBA, 50 wt%, 약 22 g, 63.0 mmol, 1 당량) 을 일부분씩 첨가하였다. 약한 발열이 관찰되었다. 일단 첨가가 완료되면, 박막 크로마토그래피에서는 약 5 분 후에 완전한 전환이 나타났다. 미정제 생성물을 수성 수산화 나트륨 (2 M) 으로 추출하고 감압 하에 유기층을 증발시켜, 미정제 생성물을 백색 고체로서 수득하였다. 에탄올로부터 결정화하여 표제 화합물 (19 g, 63 %) 을 수득하였다. GC-MS 99.6 %, M+ 491 (예상 M+ 491); 31P-NMR (CDCl3) δ (ppm) 34.
중합체 합성
중합체 1
85 % T8IF : 15 % 포스핀 비율의, 6,6,12,12-테트라(n-옥틸)트랜스-인데노플 루오렌-2,8-디일 (T8IF) 과 단량체 1 로부터 유도된 반복 단위의 공중합체 (중합체 1) 를, 단량체 1 (15 mol%), 6,6,12,12-테트라(n-옥틸)인데노플루오렌-2,8-디붕소산의 에틸렌 글리콜 에스테르 (T8IF-B, 50 mol%) 및 2,8-디브로모-6,6,12,12-테트라(n-옥틸)인데노플루오렌 (T8-IF-Br, 35 mol%) 을 사용하여, WO 00/53656 에 설명된 방법에 따라 스즈키 중합에 의해 형성하였다.
Figure 112006011491938-PCT00012
중합체 2
중합체 2 는 단량체 1 대신 단량체 2 를 사용한 것을 제외하고는 상기 중합체 1 에 대한 절차에 따라 형성하였다.
장치 실시예
전계발광 장치 1 및 2 는 각각 중합체 1 및 2 를 사용하여 제조하였다. 인듐 주석 산화물의 애노드를 담은 유리 기판을 제공하고, 여기에 (a) H. C. Starck 으로부터 Baytron P 로서 입수가능한 폴리(에틸렌 디옥시티오펜)/폴리(스티렌 술포네이트)의 층을 스핀-코팅에 의해 침착시키고; (b) 본 발명에 따른 중합체의 층을 크실렌 용액으로부터 스핀-코팅에 의해 침착시킨 다음; (c) 칼슘의 제 1 층 및 알루미늄의 제 2 캡핑 층을 포함한 캐소드를 진공 증발에 의해 침착시킴으로써 장치를 형성하였다. 장치를 Saes Getters SpA 로부터 입수가능한 밀폐 용기를 사용하여 밀봉하였다.
본 발명에 따른 물질의 HOMO 및 LUMO 수준은 순환 전류전압법에 의해서 측정하였다. 비교의 목적으로, 단량체 1 대신 단량체 C1 (하기) 을 사용한 것을 제외하고는 중합체 P1 에 대해 앞서 기재한 방법에 따라 중합체 C1 을 제조하였다.
Figure 112006011491938-PCT00013
단량체 C1
하기 표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 중합체는 비교용 중합체 C1 보다 유의적으로 큰 HOMO-LUMO 밴드갭 (Eg) 을 가진다. 또한, 표 2 는 본 발명에 따른 중합체가 광발광 (PL) 및 전계발광 (EL) 둘 다에 대해서 보다 진한 청색인 1931 PAL CIE 좌표를 가짐을 보여준다.
추가적으로, 본 발명자들은 중합체 C1 과 같은 아민-함유 중합체의 전계발광 스펙트럼에서 작은 적색 피크가 관찰됨을 발견하였다. 반면에, 중합체 1 및 2 둘 다의 전계발광 스펙트럼에는 이러한 피크가 존재하지 않는다.
중합체 HOMO LUMO Eg
1 5.538 2.288 3.25 (전기적)
2 5.587 2.299 3.288 (전기적)
C1 4.991 2.299 2.692 (전기적)
중합체 EL CIE x, y PL CIE x, y
1 0.161, 0.079 0.149, 0.173
C1 0.165, 0.124 0.150, 0.180
종래 기술의 아민을 능가하는 본 발명에 따른 포스핀의 다른 이점은, 중합체 1 과 중합체 C1 사이에서 관찰되는 바와 같이, 중합체 1 에 대해서 보다 높은 외부 양자 효율 (2.06 % 대 1.34 %) 및 약 2.5 배 높은 전류이다.
본 발명을 특정하게 예시된 구현예에 의해서 기재하였지만, 하기 청구항에서 설명되는 바와 같은 본 발명의 취지 및 범위에서 벗어나지 않는 한, 본원에 개시된 특성의 다양한 변형, 변경 및/또는 조합이 당업자에게는 명백할 것임이 인지될 것이다.

Claims (23)

  1. 동일하거나 상이할 수 있는 제 1 반복 단위 및 제 2 반복 단위를 포함한 소중합체 또는 중합체로서, 제 1 반복 단위는 하기 화학식 (I) 을 갖는 것인 소중합체 또는 중합체:
    Figure 112006011491938-PCT00014
    [식 중, 각각의 E 는 독립적으로 임의 치환 질소 또는 임의 치환 인을 나타내는데, 단, 하나 이상의 E 는 임의 치환 인이고; 각각의 Ar1, Ar2 및 Ar3 은 동일하거나 상이하고 독립적으로 임의 치환 아릴 또는 헤테로아릴을 나타내며; n 은 0 내지 3 이고; 비치환 질소 및 인의 경우에 제 2 반복 단위는 제 1 반복 단위에 직접 공역된다].
  2. 제 1 항에 있어서, 각각의 Ar1, Ar2 및 Ar3 이 임의 치환 페닐인 소중합체 또는 중합체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 하나 이상의 Ar3 이 임의 치환된 분지형, 환형 또는 선형 C1 -20 알킬 또는 C1 -20 알콕시; C1 -20 플루오로알킬, 불소, 임의 치환 디아릴아민 및 임의 치환 디아릴포스핀으로 이루어진 군에서 선택된 치환기에 의해 치환되는 소중합체 또는 중합체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, E 가 질소, 비치환 인 또는 산화 인으로 이루어진 군에서 선택되는 소중합체 또는 중합체.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 제 2 반복 단위가 제 1 반복 단위와 상이한 소중합체 또는 중합체.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 3 개 이상의 상이한 반복 단위를 포함한 소중합체 또는 중합체.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 제 2 반복 단위 및 임의 추가 반복 단위가 임의 치환 페닐, 플루오렌, 스피로비플루오렌, 인데노플루오렌, 헤테로아릴, 디히드로페난트렌 및/또는 트리아릴아민 중에서 선택되는 소중합체 또는 중합체.
  8. 가변성 산화 상태의 금속 촉매 존재 하에 하기 화학식 (II) 의 단량체를 소중합 또는 중합시키는 단계를 포함하는, 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 소중합체 또는 중합체의 형성 방법:
    Figure 112006011491938-PCT00015
    [식 중, Ar1, Ar2 및 Ar3, E 및 n 은 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에서 정의된 바와 같고, 각각의 LG 는 동일하거나 상이하고 가변성 산화 상태의 금속에 의해 중개된 중축합에 관여할 수 있는 이탈기를 나타낸다].
  9. 제 8 항에 있어서, 각각의 LG 는 동일하거나 상이하고 독립적으로 할로겐; 붕소산 기, 붕소산 에스테르 기 및 보란 기 중에서 선택된 반응성 붕소 기; 또는 화학식 -0-S02-Z [식 중, Z 는 임의 치환 알킬 및 아릴로 이루어진 군에서 선택된다] 의 잔기 중에서 선택되는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 각각의 LG 는 독립적으로 할로겐 또는 화학식 -O-SO2-Z 의 잔기이고, 화학식 (II) 의 단량체는 니켈 착물 촉매 존재 하에 소중합 또는 중합되는 방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 화학식 (II) 의 단량체는 팔라듐 착물 촉매 및 염기 존재 하에 제 2 의 방향족 단량체와 소중합 또는 중합되고,
    a. 각각의 LG 는 동일하거나 상이하고 반응성 붕소 기를 포함하고, 제 2 의 단량체는 할로겐 및 화학식 -O-SO2-Z 의 잔기 중에서 독립적으로 선택된 2 개의 반 응성 기를 포함하거나,
    b. 각각의 LG 는 독립적으로 할로겐 또는 화학식 -O-SO2-Z 의 잔기를 포함하고, 제 2 의 단량체는 동일하거나 상이한 2 개의 반응성 붕소 기를 포함하는 방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 하나의 LG 는 반응성 붕소 기이고; 다른 하나의 LG 는 할로겐 또는 화학식 -O-SO2-Z 의 잔기이며; 화학식 (II) 의 단량체는 팔라듐 착물 촉매 및 염기 존재 하에 소중합 또는 중합되는 방법.
  13. 하기 화학식 (III) 의 반복 단위를 포함한 단량체:
    Figure 112006011491938-PCT00016
    [식 중, Ar1, Ar2 및 Ar3, E, LG 및 n 은 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에서 정의된 바와 같고; 각각의 R1 은 독립적으로 할로겐 또는 임의 치환된 분지형, 환형 또는 선형 C1 -20 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴을 나타내며; 동일한 붕소 원자와 연결된 2 개의 R1 기는 결합하여 고리를 형성할 수 있다].
  14. 제 13 항에 있어서, LG 가 화학식 -B(OR1)2 를 가지는 단량체.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 하나 이상의 R1 은 선형, 분지형 또는 환형 C1 -20 알킬을 나타내는 단량체.
  16. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 -B(OR1)2 기는 하기 화학식 (IV) 의 임의 치환 잔기를 나타내는 단량체:
    Figure 112006011491938-PCT00017
    .
  17. 제 16 항에 있어서, 화학식 (IV) 의 잔기의 탄소 원자 중 하나 이상이 치환된 단량체.
  18. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 소중합체 또는 중합체를 포함한 광학 장치.
  19. 제 18 항에 있어서, 소중합체 또는 중합체가 정공 주입용 제 1 전극과 전자 주입용 제 2 전극 사이의 층에 위치하는 광학 장치.
  20. 제 19 항에 있어서, 전계발광 장치인 광학 장치.
  21. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 소중합체 또는 중합체를 포함한 스위칭 장치.
  22. 제 1 면과 제 2 면을 갖는 절연체; 절연체의 제 1 면에 위치한 게이트 (gate) 전극; 절연체의 제 2 면에 위치한 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 소중합체 또는 중합체; 및 소중합체 또는 중합체 상에 위치한 드레인 (drain) 전극과 소스 (source) 전극을 포함한 전계 효과 트랜지스터.
  23. 제 22 항에 따른 전계 효과 트랜지스터를 포함한 집적 회로.
KR1020067003233A 2003-08-19 2004-08-18 트리페닐 포스핀 단위를 포함한 소중합체 및 중합체 KR20060081698A (ko)

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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7906224B2 (en) 2003-08-21 2011-03-15 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent device, display, and illuminating device
CN100558791C (zh) * 2003-12-13 2009-11-11 默克专利有限公司 低聚物和聚合物
DE102004020299A1 (de) 2004-04-26 2005-12-01 Covion Organic Semiconductors Gmbh Konjugierte Polymere, deren Darstellung und Verwendung
JP4358884B2 (ja) 2005-03-18 2009-11-04 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
GB0507684D0 (en) * 2005-04-15 2005-05-25 Cambridge Display Tech Ltd Pulsed driven displays
US8206839B2 (en) * 2005-10-04 2012-06-26 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent element
WO2007064034A1 (ja) * 2005-12-02 2007-06-07 Sumitomo Chemical Company, Limited 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
GB2448459B (en) * 2006-01-16 2010-12-15 Sumitomo Chemical Co Polymer compound and polymer light emitting device using the same
JP2007224282A (ja) * 2006-01-16 2007-09-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
DE112007000699T5 (de) * 2006-05-12 2009-06-04 Merck Patent Gmbh Auf Indenofluorenpolymeren basierende organische Halbleitermaterialien
EP2203945B1 (de) 2007-10-24 2014-04-16 Merck Patent GmbH Optoelektronische vorrichtung
DE102008045662A1 (de) 2008-09-03 2010-03-04 Merck Patent Gmbh Optoelektronische Vorrichtung
DE102008045664A1 (de) 2008-09-03 2010-03-04 Merck Patent Gmbh Optoelektronische Vorrichtung
DE102008045663A1 (de) 2008-09-03 2010-03-04 Merck Patent Gmbh Fluorverbrückte Assoziate für optoelektronische Anwendungen
EP2192636A1 (en) 2008-11-26 2010-06-02 Rijksuniversiteit Groningen Modulatable light-emitting diode
US20110077373A1 (en) * 2009-09-29 2011-03-31 General Electric Company Polymer and optoelectronic device comprising the same
WO2019023463A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-31 Biolegend CONJUGATED POLYMERS AND METHODS OF USE
WO2022033714A1 (en) 2020-08-12 2022-02-17 Cryostar Sas Simplified cryogenic refrigeration system

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6343124A (ja) * 1986-08-11 1988-02-24 Nissan Motor Co Ltd 色調可変ミラ−
JP3016896B2 (ja) * 1991-04-08 2000-03-06 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5413886A (en) * 1992-06-25 1995-05-09 Xerox Corporation Transport layers containing two or more charge transporting molecules
US5728801A (en) * 1996-08-13 1998-03-17 The Dow Chemical Company Poly (arylamines) and films thereof
US6309763B1 (en) * 1997-05-21 2001-10-30 The Dow Chemical Company Fluorene-containing polymers and electroluminescent devices therefrom
GB9726810D0 (en) * 1997-12-19 1998-02-18 Zeneca Ltd Compounds composition & use
KR100697861B1 (ko) * 1998-03-13 2007-03-22 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 전장 발광 디바이스들
JP3310658B1 (ja) * 1999-03-05 2002-08-05 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 高分子の合成方法
US6493208B1 (en) * 1999-07-27 2002-12-10 Eikos, Inc. Triphenyl phosphine oxide polymer capacitors
EP1397416B1 (en) * 2001-06-22 2009-10-14 Cambridge Display Technology Limited Polymer containing substituted triphenylamine units
DE60229850D1 (de) * 2001-07-10 2008-12-24 Dow Global Technologies Inc Elektroaktive polymere und daraus hergestellte vorrichtungen
GB0117377D0 (en) * 2001-07-17 2001-09-05 Opsys Ltd "Tertiary diamines containing heterocyclic groups and their use in organic electroluminescent devices"
GB0125621D0 (en) 2001-10-25 2001-12-19 Cambridge Display Technology Polymer preparation
US6617609B2 (en) * 2001-11-05 2003-09-09 3M Innovative Properties Company Organic thin film transistor with siloxane polymer interface
TWI249542B (en) * 2001-11-09 2006-02-21 Sumitomo Chemical Co Polymer compound and polymer light-emitting device using the same
DE10159946A1 (de) * 2001-12-06 2003-06-18 Covion Organic Semiconductors Prozess zur Herstellung von Aryl-Aryl gekoppelten Verbindungen
SE0301939D0 (sv) 2003-07-01 2003-07-01 Dometic Appliances Ab Absorption refrigerator
WO2005005927A1 (ja) 2003-07-10 2005-01-20 Apricot Co., Ltd. 道案内システムおよび道案内方法

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Publication number Publication date
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