KR20060081471A - 열전도시트, 이의 제조방법 그리고 이를 사용한액정표시장치의 제조방법 - Google Patents

열전도시트, 이의 제조방법 그리고 이를 사용한액정표시장치의 제조방법 Download PDF

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KR20060081471A
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Abstract

본발명은 열전도시트, 이의 제조방법 그리고 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다. 본발명에 따른 열전도시트는 유리섬유와, 상기 유리섬유를 둘러싸며 실리콘, 테프론 수지 및 금속이 혼합되어 있는 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 내구성 및 열전도도가 우수한 열전도시트가 제공된다.

Description

열전도시트, 이의 제조방법 그리고 이를 사용한 액정표시장치의 제조방법{THERMAL CONDUCTING SHEET, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND MANUFACTURING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY USING THE SAME}
도 1은 본발명의 제1실시예에 따른 열전도시트의 단면도이고,
도 2는 본발명의 제2실시예에 따른 열전도시트의 단면도이고,
도 3은 본발명의 제1실시예에 따른 액정표시장치의 구성을 개략적으로 표시한 배치도이고,
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ을 따른 단면도이고,
도 5는 도 3의 Ⅴ-Ⅴ을 따른 단면도이고,
도 6a 내지 도 6c는 본발명의 제1실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 *
21 : 게이트 패드 22 : 데이터 패드
40 : COF 41 : 필름
42 : 구동회로 43 : 입력 리드
44 : 출력 리드 51, 53 : 회로 기판
60 : 도전성 필름 61 : 수지층
62 : 도전입자
본 발명은, 열전도시트, 이의 제조방법 그리고 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
액정표시장치는 박막트랜지스터 기판과 컬러필터 기판 사이에 액정이 주입되어 있는 액정표시패널을 포함한다. 액정표시장치는 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판의 후면에는 빛을 공급하기 위한 백라이트 유닛이 위치한다. 백라이트에서 조사된 빛은 액정의 배열상태에 따라 투과량이 조절된다.
액정표시장치는 이외에 게이트선과 데이터선에 구동신호를 인가하기 위한 게이트 구동회로, 데이터 구동회로 그리고 회로기판(PCB) 등을 더 포함한다. 회로기판에는 타이밍 컨트롤러(timing controller)와 구동전압 발생부 등이 형성되어 있다.
이 중 게이트 구동회로와 데이터 구동회로는 액정패널 상에, 구체적으로는 박막트랜지스터 기판 상에 형성되어 있는 게이트 패드와 데이터 패드에 전기적으로 연결된다. 구동회로는 통상 필름 상에 장착된 형태, 즉 TAB-IC 방식으로 패드와 연결된다. TAB-IC의 구체적인 형태로는 고분자 필름 상에 구동회로가 부착되어 있는 TCP(tape carrier package), 연성인쇄 회로기판 상에 구동회로가 실장되어 있는 COF(chip on film) 등이 있다.
TAB IC를 사용할 경우 구동회로와 연결된 리드와 박막트랜지스터 기판의 패드가 이방성 도전성 필름을 이용한 본딩을 통해 서로 연결된다.
리드와 패드를 본딩하는 방법은 다음과 같다. 먼저 박막트랜지스터 기판의 패드 위에 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film)을 위치시킨다. 이후 패드에 대응하도록 구동회로의 리드(lead)를 위치시킨다. 이 때 이방성 도전 필름은 패드와 리드 사이에 위치하게 된다. 이후 패드와 리드를 상호 가압하면 이방성 도전 필름 내의 도전입자가 압착되어, 리드와 패드를 전기적으로 연결시킨다. 접착 과정에서 이방성 도전 필름은 가열되는데 이를 위해 히팅 툴(heating tool)을 사용한다. 이 과정에서 완충시트로서 히팅 툴과 TAB-IC 사이에 테프론 시트를 사용한다.
그런데 테프론 시트는 열전도성이 불량하여 히팅 툴의 온도를 높게 하여야 하며 내구성이 불량하여 재사용이 힘든 문제가 있다. 또한 열에 의해 움이나 접힘, 처짐 등이 발생하여 패드와 리드 간의 오정렬(misalign)을 유발하기도 한다.
따라서 본발명의 목적은 내구성과 열전도성이 우수한 열전도시트를 제공하는 것이다.
본발명의 다른 목적은 내구성과 열전도성이 우수한 열전도시트의 제조방법을 제공하는 것이다.
본발명의 또 다른 목적은 내구성과 열전도성이 우수한 열전도시트를 이용하여 액정표시장치를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본발명에 따른 열전도시트는 유리섬유와, 상기 유리섬유를 둘러싸며 실리콘, 테프론 수지 및 금속이 혼합되어 있는 코팅층을 포함한다.
상기 금속의 일 실시예로 상기 금속은 알루미늄(Al)일 수 있다.
상기 코팅층의 일 실시예로 상기 코팅층에는 상기 실리콘(Si) 100중량부에 대하여 상기 테프론 수지가 80 내지 120 중량부, 상기 금속이 80 내지 120 중량부 가 포함될 수 있다.
상기 코팅층을 이루는 입자는 상기 유리섬유 내부로 침투되어 있을 수 있으며 침투된 입자는 유리섬유 표면에서부터 중심부로 갈수록 적어질 수 있다. 또한 유리섬유 내부로 침투되어 있는 입자는 상기 테프론 수지, 상기 실리콘 또는/및 금속일 수 있다.
상기 유리섬유의 일 실시예로, 상기 유리섬유의 두께는 0.05 내지 0.15mm일 수 있다.
본발명의 일 실시예에 따른 열전도시트는 두께는 0.15 내지 0.25mm, 인장강도는 300kgf/㎠이상, 신장율은 10%이하, 표면전기저항은 1010Ω㎠이하일 수 있다.
상기 테프론 수지의 일실시예로 상기 테프론 수지는 연속상일 수 있다.
본발명에 따른 열전도시트의 제조방법은 실리콘, 테프론 수지, 금속을 포함하는 코팅 조성물을 마련하는 단계와, 유리섬유와 상기 코팅 조성물을 열간 압착하는 단계를 포함한다.
상기 열간 압착의 온도의 일 실시예로, 열간 압착 온도는 400 내지 600℃일 수 있다.
본발명에 따른 액정표시장치의 유리섬유와, 상기 유리섬유의 내부 및 외부에 위치하며 실리콘, 테프론, 금속이 분산되어 있는 코팅층을 포함하는 열전도시트를 준비하는 단계와, 액정표시패널의 패드 상에 도전성 필름, 구동회로와 연결된 리드, 상기 열전도시트를 순차적으로 배치하는 단계와, 상기 열전도시트와 접촉하는 히팅 툴을 이용하여 상기 패드와 상기 리드를 상호 가압하는 단계를 포함한다.
상기 상호 가압 시 상기 히팅 툴 설정온도의 일 실시예로서, 상기 설정온도는 370 내지 390℃일 수 있다.
상기 상호 가압 시 상기 열전도시트 온도의 일 실시예로서, 상기 온도는 250 내지 300℃일 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본발명을 더욱 상세히 설명하겠다.
도 1은 본발명의 제1실시예에 따른 열전도시트(1)의 단면도이다.
열전도시트(1)는 유리섬유(2)와, 유리섬유(2)를 둘러싸고 있으며 테프론 수지(3), 알루미늄 입자(4), 실리콘(5)을 포함하는 코팅층(6)으로 이루어져 있다. 또한 코팅층(6)의 입자는 유리섬유(2)의 내부에도 침투되어 있다.
유리섬유(2)는 용융한 유리를 섬유 모양으로 만든 광물섬유이다. 유리섬유(2)는 열에 강하고 불에 타지 않는다. 또한 화학적 내구성이 있어 부식하지 않는다. 물리적으로는 인장강도가 강하고 신장률이 작으며 전기적으로는 절연성이 크다. 유리섬유(2)의 지름은 가늘수록 여러 가지 점에서 우수한데, 예를 들어 인장강도는 지름이 가늘수록 강해진다. 인장강도가 큰 유리섬유(2)로 인해 열전도시트(1)의 내구성이 향상된다. 또한 유리섬유(2)는 열에 강하고 신장률이 적어 본딩 과정에서 열전도시트(1)에 움, 처짐, 접힘 등이 발생하지 않도록 한다. 이에 따라 열전도시트(1)는 여러 번 사용할 수 있어 원가가 절감되며 열전도시트(1)를 교체하는 시간도 절약된다. 또한 리드와 범프 간의 본딩도 안정적으로 수행된다. 유리섬유(2)의 두께(d2)는 0.05 내지 0.15mm정도이다.
코팅층(6)에 포함된 테프론 수지(3)는 열전도시트(1)가 이방성 도전 필름 또는 TAB-IC와 잘 분리되도록 한다. 즉 열전도시트(1)의 이형성을 향상시킨다. 이형성 향상을 위해 테프론 수지(3)는 열전도시트(1)의 바깥쪽에 많이 위치하고 있는 것이 바람직하다. 테프론은 미국 듀퐁사의 불소탄수화물계의 상품명으로 PTFE(Poly Tetra Fluoro Ethylene), FEP(Fluorinated Ethylene Propylene), PFA(Poly Fluoro Alkoxy)의 3가지 형태가 기본으로, 그 외 특수 유기 화합물이 포함될 수 있다. 제1실시예에서는 테프론 수지(3)가 연속상으로서 알루미늄 입자(4)와 실리콘(5)이 분산되어 있는 것으로 표현하였으나, 각 성분의 함량 또는 다른 성분의 첨가에 따라 코팅층(6)의 형상은 달라질 수 있다. 즉 알루미늄은 알루미늄 입자(4)가 아닌 연속상으로 존재할 수 있으며, 실리콘(5)도 마찬가지이다. 또한 테프론 수지(3)가 입자로 존재할 수도 있다.
알루미늄 입자(4)는 열전도시트(1)의 열전도성을 향상시킨다. 열전도시트(1)의 열전도도가 좋으면 본딩과정에서 히팅 툴의 온도를 낮출 수 있어 전력소비를 절감할 수 있으며 열전도시트(1)의 사용환경도 완화시킬 수 있다.
실리콘(5)은 열전도시트(1)의 형상보정성 특성을 향상시킨다. 본딩 과정의 가압 시 열전도시트(1)는 패드 주변의 단차에 의해 영향을 받는다. 이 때 열전도시트(1)가 적절히 변형되지 않으면 이방성 도전 필름의 도전 입자가 원활히 압착되지 않는다. 실리콘(5)은 가압 과정에서 열전도시트(1)가 패드 주변의 단차에 따라 적절히 변형될 수 있도록 하여 이방성 도전 필름과 패드가 밀착되도록 한다.
코팅층(6)의 조성은 이에 한정되지는 않으나 실리콘(5) 100중량부에 대하여 테프론 수지(3)가 80 내지 120 중량부, 알루미늄 입자(4)가 80 내지 120 중량부 포함되어 있는 것이 바람직하다.
적절한 내구성을 가지기 위하여 ASTM D638에 따른 열전도시트(1)의 인장강도는 300kgf/㎠이상인 것이 바람직하다. 또한 본딩 과정에서 변형이 일어나지 않도록 ASTM D638에 의한 열전도시트(1)의 신장률은 10%이하인 것이 바람직하다. 적절한 열전도도를 유지하기 위하여 열전도시트(1)의 표면전기저항은 1010Ω㎠이하인 것이 바람직하다.
전체 열전도시트(1)의 두께(d1)는 0.15 내지 0.25mm인 것이 바람직하다. 두께가 0.15mm 이하이면 유리섬유(2) 또는 코팅층(6)이 얇아져 내구성, 이형성, 형상보정성이 불량해질 우려가 있다. 두께가 0.25mm 이상이면 열전도성이 불량해질 우려가 있다.
이와 같은 제1실시예에 따른 열전도시트(1)와 종래의 테프론 시트와의 물성은 다음 표 1과 같다. 종래의 테프론 시트는 PTFE이다.
표 1
Figure 112005001037606-PAT00001

경도는 ASTM D785를 따라 측정하였다. 인장강도와 신장율은 ASTM D638에 의해 측정하였으며, 사용한 시험기는 미국 인스트론(INSTRON) 사의 5800 시리즈였다.
본발명에 따른 열전도시트 1과 열전도시트 2와 종래의 테프론 시트의 경도는 각각 55, 55, 56Hs(쇼어 경도)로서 유사하였다.
그러나 인장강도에서는 열전도시트1과 열전도시트 2는 모두 416.2kgf/㎠로서 종래의 테프론 시트의 140kgf/㎠보다 크게 높은 값을 나타내었다. 인장강도가 높다는 것은 내구성이 뛰어난 것을 의미한다. 실제 TAB-IC 본딩에 적용한 결과 종래 테프론 시트는 1회 사용만이 가능하였으나, 열전도시트 1과 열전도시트 2는 10회 이상 사용이 가능하였다. 열전도시트1과 열전도시트 2의 인장강도가 높은 것은 유리섬유(2)를 포함하고 있기 때문이다.
신장율을 보면 열전도시트1과 열전도시트 2는 모두 5%로서 종래의 테프론 시트의 400%보다 매우 낮은 값을 나타내었다. 신장율이 낮다는 것은 본딩과정에서 변형이 적다는 것을 의미한다. 종래의 테프론 시트는 열과 압력에 의해 변형이 일 어나 본딩 불량을 유발하였다. 반면 본발명에 따른 열전도시트 1과 열전도시트 2를 사용하면 움, 처짐, 접힘 등이 발생하지 않기 때문에 본딩 품질이 향상된다. 열전도시트1과 열전도시트 2의 인장강도가 높은 것은 유리섬유(2)를 포함하고 있기 때문이다.
표면전기저항을 보면 열전도시트 1과 열전도시트 2는 109Ω㎠로서 테프론 시트의 1017Ω㎠보다 매우 낮은 값을 나타낸다. 표면전기저항은 열전도도와 밀접한 관계를 가지므로 열전도시트 1과 열전도시트 2는 테프론 시트에 비하여 열전도도가 높은 것을 알 수 있다. 히팅툴의 온도를 일정하게 한TAB-IC본딩에 있어, 열전도시트 1 또는 열전도시트 2를 사용하면 테프론 시트를 사용한 경우에 비해 이방성 도전 필름의 실제온도가 10℃ 높게 나타난다. 이에 따라 히팅 툴의 설정온도를 30℃ 정도 낮출 수 있게 된다. 열전도시트 1과 열전도시트 2가 낮은 표면전기저항 값을 가지는 것은 열전도도가 우수한 알루미늄 입자(4)를 포함하기 때문이다.
도 2는 본발명의 제2실시예에 따른 열전도시트(1)의 단면도이다.
제 1실시예와 달리 유리섬유(2)의 중간 부분(A)에 코팅층(6)의 밀도가 많이 감소되어 있다. 이는 열전도시트(1)의 제조시의 온도와 압력에 따른 것이다. 열전도시트(1)의 제조 과정은 후술한다.
이상의 열전도시트(1)는 다양한 변형이 가능하다. 예를 들어 알루미늄 입자(4)는 다른 금속 입자와 병행하여 사용되거나 다른 금속 입자로 대체될 수 있다. 또한 코팅층(6) 내의 테프론 수지(3), 알루미늄 입자(4), 실리콘(5)의 분포는 위치에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
본발명에 따른 열전도시트(1)를 제조하는 방법은 다음과 같다.
먼저 유리섬유(2)와 코팅 조성물을 마련한다. 코팅 조성물은 테프론 수지(3), 금속 입자(4), 실리콘(5)을 포함하며 페이스트 상 또는 분말 상일 수 있다.
유리섬유(2)와 코팅 조성물을 상호 열간 압착하여 유리섬유(2)과 코팅 조성물을 결합시킨다. 열간 압착의 온도는 400 내지 600℃인 것이 바람직하다. 이 과정에서 코팅 조성물은 상호 혼합되어 일체가 되어 코팅층(6)이 된다. 코팅층(6)은 유리섬유(2)의 바깥부분 뿐 아니라 유리섬유(2)의 내부까지 위치하게 된다. 열간 압착의 조건에 따라 유리섬유(2)의 안쪽에 위치하는 코팅층(6)의 양이 달라진다.
이와 같이 형성된 열전도시트(1)는 유리섬유(2)와 코팅층(6)이 일체를 이루고 있어 유리섬유(2)의 물리적 특성을 그대로 가지게 된다. 또한 코팅층(6) 내의 테프론 수지(3), 금속 입자(4), 실리콘(5)도 일체로 되어 본딩 과정에서 분리되지 않는다.
이하 본발명의 제1실시예에 따른 액정표시장치를 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한다.
도 3은 본발명의 제1실시예에 따른 액정표시장치의 구성을 개략적으로 표시한 배치도, 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ을 따른 단면도, 도 5는 도 3의 Ⅴ-Ⅴ을 따른 단면도이다. 제1실시예에서 TAB-IC로 COF(40)를 사용하였다.
액정표시장치는 박막트랜지스터 기판(20)과 컬러필터 기판(30)을 포함하는 액정패널(10), 박막트랜지스터 기판(20)의 외곽에 부착되어 있는 COF(40) 및 COF(40)에 연결되어 있는 회로기판(51, 53)을 포함한다. 이 밖에 박막트랜지스터 기판(20)과 컬러필터 기판(30)의 사이에 위치하는 액정층(71)을 포함하며, 경우에 따라 박막트랜지스터 기판(20)의 배면에 백라이트 유닛(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다.
박막트랜지스터 기판(20)의 기판 소재(23) 상부에는 게이트선에서 연장되어 있는 게이트 패드(21)와 데이터선에서 연장되어 있는 데이터 패드(22)가 마련되어 있다.
이하 게이트 패드(22)와 연결되어 있는 게이트선을 구동하기 위한 구성을 중심으로 설명하며, 이는 데이터 패드(22)와 연결되어 있는 데이터선을 구동하기 위한 구성에도 적용될 수 있다.
박막트랜지스터 기판(20)에는 복수의 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있다. 박막트랜지스터(T)는 게이트선과 데이터선이 교차되는 부근에 마련된다. 도시한 박막트랜지스터(T)는 마스크를 5매 사용하여 제조된 형태이다. 박막트랜지스터(T)는 비표시영역의 게이트 패드(21)를 통해 COF(40)로부터 구동신호를 전달받는다. 게이트 패드(21)는 게이트선의 연장이며, 게이트선에 비하여 폭이 넓게 형성되어 있다. 구동신호에 따라 박막트랜지스터(T)가 온되면, 이에 연결되어 있는 화소전극(24)에 전압이 가해진다. 화소전극(24)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어진다.
컬러필터 기판(30)을 살펴보면 다음과 같다. 기판소재(31) 위에 블랙매트릭 스(32)와 컬러필터층(33)이 형성되어 있다. 블랙매트릭스(32)는 일반적으로 적색, 녹색, 청색 화소 사이를 구분하며, 박막트랜지스터(T)로의 직접적인 광조사를 차단하는 역할을 한다. 블랙매트릭스(32)는 검은색 안료가 첨가된 감광성 유기물질로 이루어져 있을 수 있다. 상기 검은색 안료로는 카본블랙이나 티타늄 옥사이드 등을 사용한다.
컬러필터층(33)은 블랙매트릭스(32)를 경계로 하여 적색필터, 녹색필터, 청색필터가 반복되어 형성된다. 컬러필터층(33)은 백라이트 유닛(도시하지 않음)으로부터의 조사되어 액정층(71)을 통과한 빛에 색상을 부여하는 역할을 한다. 컬러필터층(33)은 통상 감광성 유기물질로 이루어져 있다.
컬러필터층(33)과, 컬러필터층(33)이 덮고 있지 않은 블랙매트릭스(32)의 상부에는 오버코트막(34)이 형성되어 있다. 오버코트막(34)은 컬러필터층(33)을 보호하는 역할을 하며 통상 아크릴계 에폭시 재료가 많이 사용된다.
오버코트막(34)의 상부에는 공통전극층(35)이 형성되어 있다. 공통전극층(35)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어진다. 공통전극층(35)은 박막트랜지스터 기판(20)의 화소전극층(24)과 함께 액정층(71)에 직접 전압을 인가한다.
이 밖에 박막트랜지스터 기판(20)과 컬러필터 기판(30)의 외부면에는 각각 편광판(25, 36)이 부착되어 있다. 액정(71)은 양 기판(20, 30)과, 양 기판(20, 30)의 테두리를 따라 형성되어 있으며 양 기판(20, 30)을 상호 접착하는 실런트(81)로 둘러싸인 공간 내에 존재하면서, COF(40)의 구동신호에 따라 그 정렬상태가 변화한 다.
이하에서는 COF(40)와 액정패널(10) 및 회로기판(51)과의 연결에 대하여 설명하겠다.
COF(40)는 입력 리드(43)와 출력 리드(44) 등의 배선층과, 구동회로(구동회로, 42) 그리고 이들을 실장하고 있는 필름(41)을 포함한다. 구동회로(42)는 입력 리드(43)와 출력 리드(44)에 모두 연결되어 있다. 입력 리드(43)는 회로기판(51)의 신호 패드(52)와 연결되어 있으며 출력 리드(44)는 게이트 패드(21)와 연결되어 있다. 각 리드(43, 44)와 각 패드(52, 21)는 도전성 필름(60)을 통해 전기적으로 연결되어 있다. 도전성 필름(60)은 수지층(61)과 여기에 분산되어 있는 도전입자(62)로 이루어지는데, 도전입자(62)가 각 리드(43, 44)와 각 패드(52, 22)를 전기적으로 연결하고 있다. 게이트 패드(21)의 중앙부분에는 보호막(26)이 제거되어 있으며 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)로 이루어진 접촉부재(27)가 덮고 있다. 게이트 패드(21)와 출력 리드(44)는 도전입자(62)와 접촉부재(27)를 통해 연결되어 있는 것이다.
이하 본발명의 제1실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 설명한다.
먼저 도 6a와 같이 게이트 패드(21)의 상부에 이방성 도전 필름(60)을 위치시킨다.
이때 게이트 패드(21)의 상부는 절연막(26)이 제거되어 있으며, 상부에는 접촉부재(27)가 형성되어 있다. 이와 같이 게이트 패드(21) 주변에는 단차가 형성 되어 있다. 여기서 게이트 패드(21)의 상부에는 절연막(26) 외에 보호막 등이 더 제거되어 있을 수 있으며 접촉부재(33)는 형성되어 있지 않을 수 있다.
이후 도 6b와 같이 이방성 도전 필름(60)의 상부에 COF(40)와 본발명에 따른 열전도시트(1)를 위치시킨다. 이 과정에서 COF(40)의 출력 리드(44)와 게이트 패드(21)가 대응되도록 정렬한다. 열전도시트(1)를 이방성 도전 필름(60) 상에 위치시키기 전에 COF(40)의 출력리드(44)와 게이트 패드(21)는 가본딩되어 있을 수 있다. 가본딩 시 이방성 도전 필름(60)의 온도는 약 80℃이며, 별도의 완충 시트는 사용하지 않는다.
이후 도 6c와 같이 열전도시트(1)를 히팅툴로 가압하여 출력리드(44)와 게이트 패드(21)를 상호 가압한다. 이 때 히팅툴의 설정온도는 370 내지 390℃로서 종래에 비해 낮게 된다. 이는 열전도시트(1)가 알루미늄 입자(4)를 포함하고 있어 열전도성이 우수하기 때문이다. 히팅툴의 가압에 의해 열전도시트(1)의 온도는 250 내지 300℃로 상승하며 이방성 도전 필름(60)의 온도는 약 190℃가 된다. 가압으로 인하여 게이트 패드(21)와 출력리드(44)는 도전입자(62)에 의해 상호 전기적으로 연결되며, 가온으로 인하여 이방성 도전 필름(60)의 수지층(61)이 경화되며 본딩이 완성된다.
이와 같은 본딩 과정에서 열전도시트(1)는 변형이 잘 되지 않아 안정적인 본딩이 가능하다. 또한 실리콘(5)의 작용으로 본딩 면을 따라 변형되기 때문에 게이트 패드(21)와 출력 리드(44)가 더욱 밀접하게 결합된다.
본딩에 사용된 열전도시트(1)는 내구성이 우수하기 때문에 재사용될 수 있 다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 내구성과 열전도성이 우수한 열전도시트가 제공된다. 또한 이를 사용하여 리드와 패드 간의 본딩을 안정적으로 형성하는 액정표시장치의 제조방법이 제공된다.

Claims (18)

  1. 유리섬유와,
    상기 유리섬유를 둘러싸며 실리콘, 테프론 수지 및 금속이 혼합되어 있는 코팅층을 포함하는 열전도시트.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 열전도시트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 코팅층에는 상기 실리콘 100중량부에 대하여 상기 테프론 수지가 80 내지 120 중량부, 상기 금속이 80 내지 120 중량부 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 열전도시트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 코팅층을 이루는 입자는 상기 유리섬유 내부에 침투되어 있는 것을 특징으로 하는 열전도시트.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 유리섬유에 침투된 입자는 상기 유리섬유 표면에서부터 중심부로 갈수 록 적어지는 것을 특징으로 하는 열전도시트.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 유리섬유에 침투된 입자는 상기 테프론 수지, 상기 실리콘 또는/및 상기 금속인 것을 특징으로 하는 열전도시트.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 유리섬유의 두께는 0.05 내지 0.15mm인 것을 특징으로 하는 열전도시트.
  8. 제1항에 있어서,
    열전도시트의 두께가 0.15 내지 0.25mm인 것을 특징으로 하는 열전도시트.
  9. 제1항에 있어서,
    열전도시트의 인장강도가 300kgf/㎠이상인 것을 특징으로 하는 열전도시트.
  10. 제1항에 있어서,
    열전도시트의 신장율이 10%이하인 것을 특징으로 하는 열전도시트.
  11. 제1항에 있어서,
    열전도시트의 표면전기저항이 1010Ω㎠이하인 것을 특징으로 하는 열전도시트.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 테프론 수지는 연속상을 이루고 있는 것을 특징으로 하는 열전도시트.
  13. 실리콘, 테프론 수지, 금속을 포함하는 코팅 조성물을 마련하는 단계와;
    유리섬유와 상기 코팅 조성물을 열간 압착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전도시트의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 열간 압착의 온도는 400 내지 600℃인 것을 특징으로 하는 열전도시트의 제조방법.
  15. 유리섬유와, 상기 유리섬유의 내부 및 외부에 위치하며 실리콘, 테프론, 금속이 분산되어 있는 코팅층을 포함하는 열전도시트를 준비하는 단계와;
    액정표시패널의 패드 상에 도전성 필름, 구동회로와 연결된 리드, 상기 열전도시트를 순차적으로 배치하는 단계와;
    상기 열전도시트와 접촉하는 히팅 툴을 이용하여 상기 패드와 상기 리드를 상호 가압하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 금속은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 상호 가압 시 상기 히팅 툴의 설정온도는 370 내지 390℃인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조장치.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 상호 가압 시 상기 열전도시트의 온도는 250 내지 300℃인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조장치.
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