TWI540591B - A connection method, a method of manufacturing a connector, and a linker - Google Patents

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Description

連接方法、連接體之製造方法、連接體
本發明係關於一種使用光硬化型接著劑之連接方法、藉由光硬化型接著劑連接之連接體之製造方法、以及藉由光硬化型接著劑製造之連接體。
本申請案係基於在日本於2011年6月6日申請之日本專利申請編號特願2011-126642而主張優先權者，以參照之形式將此申請引用於本申請案中。
先前，作為將基板與IC晶片或可撓性扁平電纜等電子零件連接之接著劑，使用有紫外線硬化型接著劑。紫外線硬化型接著劑係塗佈於基板與電子零件之間並藉由照射紫外線而硬化，藉此謀求基板與電子零件之連接者。由於該紫外線硬化型接著劑與熱硬化型接著劑不同，無對基板或電子零件進行加熱按壓之步驟，故而無因基板之加熱所引起之翹曲之發生，適合於近年來之薄型化基板之連接。又，紫外線硬化型接著劑亦無對基板或電子零件之由熱所引起之損傷。
另一方面，使用紫外線硬化型接著劑連接之連接體有連接可靠性變差之情形。例如於長期暴露於高溫高濕環境中之情形等時，基板與電子零件之連接電阻上升。
[專利文獻1]日本特開2000-597378號公報
因此，本發明之目的在於提供一種使用光硬化型接著 劑並可確保連接可靠性之連接方法、連接體之製造方法、以及藉由該連接方法製造之連接體。
為解決上述課題，本發明之連接方法具有下述連接步驟：將連接對象物與被連接對象物經由光硬化型接著劑貼合，藉由對上述接著劑照射光使上述接著劑硬化，而將上述連接對象物與上述被連接對象物連接；其中，使上述光之照度連續或階段性地上升。
又，本發明之連接體之製造方法具有下述連接步驟：將連接對象物與被連接對象物經由光硬化型接著劑貼合，藉由對上述接著劑照射光使上述接著劑硬化，而將上述連接對象物與上述被連接對象物連接；且使上述光之照度連續或階段性地上升。
又，本發明之連接體係以下述方式連接而成：具有下述連接步驟：將連接對象物與被連接對象物經由光硬化型接著劑貼合，藉由對上述接著劑照射光使上述接著劑硬化，而將上述連接對象物與上述被連接對象物連接；且使上述光之照度連續或階段性地上升。
根據本發明，藉由使光之照射量逐漸上升，而於光照射之初期使黏合劑樹脂之硬化反應之進行緩慢，於光照射之後期使黏合劑樹脂之硬化反應急速進行。其原因在於：若自光照射之初期便設為較強之照度，則黏合劑樹脂之反應起始點變得過多而成為分子鏈較短且耐熱性較差之硬化物。於本發明中，光照射之初期係以相對較弱之照度進行照射，並於後期加強照度，因此可形成耐熱性優異之硬化 物，且可提高連接可靠性。
以下，一面參照圖式一面對應用本發明之連接方法、連接體之製造方法及連接體詳細地進行說明。再者，本發明並不僅限定於以下之實施形態，當然可在不脫離本發明之主旨之範圍內進行各種變更。
以下，作為連接對象物及被連接對象物，以連接電子零件之情形為例進行說明，但本技術亦可應用於電子零件之連接以外之情形。例如，進行將液晶驅動用IC晶片構裝於液晶顯示面板之玻璃基板之所謂COG(chip on glass)構裝。如圖1所示，該液晶顯示面板10係對向配置有由玻璃基板等構成之兩片透明基板11、12，且該等透明基板11、12藉由框狀之密封圈13而相互貼合。而且，液晶顯示面板10係藉由在由透明基板11、12所包圍之空間內封入液晶14而形成有面板顯示部15。
透明基板11、12係於相互對向之兩內側表面，以相互交叉之方式形成有由ITO(氧化銦錫)等構成之條狀之一對透明電極16、17。
而且，兩透明電極16、17係藉由該等兩透明電極16、17之該交叉部位而構成作為液晶顯示之最小單位之像素。
兩透明基板11、12中之一透明基板12形成為平面尺寸較另一透明基板11大，於該較大地形成之透明基板12之緣部12a，設置有構裝液晶驅動用IC等電子零件18之COG構裝部20，且於COG構裝部20之外側附近，設置有構裝 形成有液晶驅動電路之可撓性基板21之FOG構裝部22。
再者，液晶驅動用IC或液晶驅動電路可藉由對像素選擇性地施加液晶驅動電壓，使液晶之取向局部地發生變化而進行特定之液晶顯示。
於各構裝部20、22，形成有透明電極17之端子部17a。於端子部17a上，使用異向性導電膜1作為導電性接著劑而連接液晶驅動用IC等電子零件18或可撓性基板21。異向性導電膜1含有導電性粒子4，且將電子零件18或可撓性基板21之電極與形成於透明基板12之緣部12a之透明電極17的端子部17a經由導電性粒子4而電連接。該異向性導電膜1為紫外線硬化型及熱硬化型接著劑，且藉由利用下述加熱按壓頭30進行熱壓接並且利用紫外線照射器31照射紫外線，而於導電性粒子4在端子部17a與電子零件或可撓性基板21之各電極之間被壓扁之狀態下硬化，從而使透明基板12與電子零件18或可撓性基板21連接。
又，於兩透明電極16、17上，形成有經實施特定摩擦處理之取向膜24，藉由該取向膜24而調整液晶分子之初期取向。進而，於兩透明基板11、12之外側配設有一對偏光板25、26，藉由該等兩偏光板25、26而調整來自背光等光源(未圖示)之透射光之振動方向。
[異向性導電膜]
如圖2所示，異向性導電膜1通常係於成為基材之剝離膜2上形成有導電性粒子含有層3。如圖1所示，異向性導電膜1係用於：藉由使導電性粒子含有層3介於形成在 液晶顯示面板10之透明基板12之透明電極17與電子零件18或可撓性基板21之間，而將液晶顯示面板10與電子零件18或可撓性基板21連接並使其導通。
作為剝離膜2，可使用一般於異向性導電膜(ACF)中所使用之例如聚對苯二甲酸乙二酯膜等基材。
導電性粒子含有層3係使導電性粒子4分散於黏合劑中而成者。黏合劑係含有膜形成樹脂、硬化性樹脂、硬化劑、矽烷偶合劑等者，且與通常之異向性導電膜中所使用之黏合劑相同。
膜形成樹脂較佳為平均分子量為10000~80000左右之樹脂。膜形成樹脂可列舉苯氧樹脂、環氧樹脂、變形環氧樹脂、胺酯樹脂(urethane resin)等各種樹脂。其中，就膜形成狀態、連接可靠性等觀點而言特佳為苯氧樹脂。
作為硬化性樹脂，並無特別限定，可列舉環氧樹脂、丙烯酸樹脂等。
作為環氧樹脂，並無特別限制，可根據目的適當選擇。作為具體例，例如可列舉萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂、苯酚芳烷基型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯甲烷型環氧樹脂等。該等可為單獨，亦可為2種以上之組合。
作為丙烯酸樹脂，並無特別限制，可根據目的適當選擇，作為具體例，例如可列舉丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、環氧丙烯酸酯、乙二醇二 丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷三丙烯酸酯、1,4-丁二醇四丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二丙烯醯氧基丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基甲氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基乙氧基)苯基]丙烷、丙烯酸二環戊烯酯、丙烯酸三環癸酯、三(丙烯醯氧基乙基)異氰尿酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯、環氧丙烯酸酯等。該等可為單獨，亦可為2種以上之組合。
作為硬化劑，並無特別限制，可根據目的適當選擇，於硬化性樹脂為環氧樹脂之情形時較佳為陽離子系硬化劑，於硬化性樹脂為丙烯酸樹脂之情形時較佳為自由基系硬化劑。
作為陽離子系硬化劑，並無特別限制，可根據目的適當選擇，例如可列舉鋶鹽、鎓鹽等，該等中較佳為芳香族鋶鹽。作為自由基系硬化劑，並無特別限制，可根據目的適當選擇，例如可列舉有機過氧化物。
作為矽烷偶合劑，可列舉環氧系、胺基系、巰基-硫醚系、脲基系等。藉由添加矽烷偶合劑，可提高有機材料與無機材料之界面之接著性。
作為導電性粒子4，可列舉於異向性導電膜中所使用之公知之任一種導電性粒子。作為導電性粒子4，例如可列舉：鎳、鐵、銅、鋁、錫、鉛、鉻、鈷、銀、金等各種金屬或金屬合金之粒子，於金屬氧化物、碳、石墨、玻璃、陶瓷、塑膠等粒子之表面塗佈有金屬者，或者於該等粒子之表面進而塗佈有絕緣薄膜者等。於為在樹脂粒子之表面 塗佈有金屬者之情形時，作為樹脂粒子，例如可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、丙烯酸樹脂、丙烯腈-苯乙烯(AS)樹脂、苯代三聚氰胺樹脂、二乙烯苯系樹脂、苯乙烯系樹脂等粒子。
[連接方法]
其次，對經由異向性導電膜1而將電子零件18或可撓性基板21連接於透明基板12之透明電極17上之步驟進行說明。首先，將異向性導電膜1暫時壓接於透明電極17上。暫時壓接異向性導電膜1之方法係於液晶顯示面板10之透明基板12之透明電極17上，以使導電性粒子含有層3成為透明電極17側之方式配置異向性導電膜1。
繼而，於將導電性粒子含有層3配置於透明電極17上後，自剝離膜2側藉由例如加熱按壓頭30對導電性粒子含有層3進行加熱及加壓，其後使加熱按壓頭30自剝離膜2離開，且將剝離膜2自透明電極17上之導電性粒子含有層3剝離，藉此僅導電性粒子含有層3暫時壓接於透明電極17上。利用加熱按壓頭30之暫時壓接係一面以少許之壓力(例如0.1MPa~2MPa左右)將剝離膜2之上面朝透明電極17側按壓一面進行加熱。其中，將加熱溫度設為異向性導電膜1中之環氧樹脂或丙烯酸樹脂等熱硬化性樹脂不會硬化之程度之溫度(例如70~100℃左右)。
其次，以使透明基板12之透明電極17與電子零件18之電極端子隔著導電性粒子含有層3而相對向之方式配置電子零件18。
其次，藉由升溫至特定之加熱溫度之加熱按壓頭30於特定溫度及特定壓力下對電子零件18之上面進行熱加壓。利用加熱按壓頭30之熱加壓溫度係設定為相對於表現出硬化開始前導電性粒子含有層3熔融時之黏度(最低熔融黏度)之特定溫度±10~20℃之溫度(例如120℃左右)。藉此，將透明基板12之翹曲抑制為最小，且不會對電子零件18造成由熱所引起之損傷。
於加熱按壓頭30按壓電子零件18後，藉由設置於透明基板12之背面側之紫外線照射器31對異向性導電膜1照射紫外線。自紫外線照射器31發光之紫外線係穿透支持透明基板12之玻璃等透明之支持台及由該支持台支持之透明基板12而朝導電性粒子含有層3照射。作為該紫外線照射器31，可使用水銀燈、金屬鹵化物燈、LED燈等。
藉由該加熱按壓頭30之發熱及紫外線照射器31之紫外線，使異向性導電膜1發生硬化反應，藉此，經由異向性導電膜1而將電子零件18正式壓接於端子部17a上。藉由加熱按壓頭30之熱加壓及藉由紫外線照射器31之紫外線照射係同時或者相繼結束。
於本技術中，藉由加熱按壓頭30按壓電子零件18，並且藉由紫外線照射器31照射紫外線。此時，紫外線照射器31係階段性地使照射量上升。又，本技術較佳為於藉由加熱按壓頭30按壓電子零件18後，經過特定時間後開始照射紫外線。
藉由利用紫外線照射器31階段性地使照射量上升，而 於紫外線照射之初期使黏合劑樹脂之硬化反應之緩慢進行，並於紫外線照射之後期使黏合劑樹脂之硬化反應急速地進行。其原因在於：若自紫外線照射之初期便選定較強之照度，則黏合劑樹脂之反應起始點變得過多而成為分子鏈較短且耐熱性較差之硬化物。於本技術中，於紫外線照射之初期以相對較弱之照度進行照射，且於後期增強照度，因此可形成耐熱性優異之硬化物，且可一面謀求構裝溫度低溫化，一面提高連接可靠性。再者，紫外線之照度係分為複數個階段提高，階段數可根據紫外線之總照射量及照射時間等適當設定，較佳為設定為2~10個階段。
藉由使加熱按壓頭30之熱加壓先於紫外線照射，可使異向性導電膜1之導電性粒子含有層3流動化，使黏合劑樹脂自透明基板12之透明電極17與電子零件18之電極端子之間流出而夾持導電性粒子4。於藉由熱加壓而使黏合劑樹脂流動化之狀態下，進而繼續進行熱加壓並照射紫外線，藉此可使導電性粒子含有層3於透明基板12之透明電極17與電子零件18之電極端子夾持有導電性粒子4之狀態下硬化。
再者，藉由加熱按壓頭30對電子零件進行加熱按壓後，經過特定時間、較佳為1~10秒左右之後照射紫外線。又，於照射紫外線之期間，亦可連續或者間斷地進行加熱按壓頭30之按壓。
紫外線照射器31之照射時間、或照射階段及照射量、總照射量係根據黏合劑樹脂之組成、或加熱按壓頭30之熱 加壓溫度、壓力及時間，設定為最高效率地進行黏合劑之硬化反應之條件。
例如，照射量之較佳範圍為500~3000mJ/sec，照射階段之較佳範圍係設定為2~10個階段。又，較佳為將[最終階段之照射量]/[第1階段之照射量]設為4~10。
將電子零件18連接於透明基板12之透明電極17上之後，以同樣之方式進行將可撓性基板21構裝於透明基板12之透明電極17上之所謂FOG(Film On Glass)構裝。此時，紫外線照射器31亦於藉由加熱按壓頭30按壓可撓性基板21，且經過特定時間(例如1~10秒左右)之後開始照射紫外線。又，於照射紫外線之期間，亦可連續或者間斷地進行加熱按壓頭30之按壓。又，紫外線照射器31係階段性地使照射量上升。
藉此，可製造經由異向性導電膜1而使透明基板12與電子零件18或可撓性基板21連接之連接體。再者，該等COG構裝與FOG構裝亦可藉由一次熱加壓及紫外線照射而總括地進行。
以上，以將液晶驅動用IC直接構裝於液晶顯示面板之玻璃基板上之COG構裝、及將可撓性基板直接構裝於液晶顯示面板之基板上之FOG構裝為例進行了說明，但本技術可用於除COG構裝、FOG構裝以外之其他各種連接。
尤其於將基板與IC晶片或可撓性扁平電纜等電子零件連接之情形時，為確保連接可靠性，先前亦有併用紫外線硬化及熱硬化之連接方法，但於此情形時，亦必需防止由 熱加壓所引起之基板之翹曲或電子零件之損傷。
例如，於將IC晶片COG構裝於LCD面板中所使用之玻璃基板之情形時，因玻璃基板外周部之構裝區域之狹小化及玻璃基板之薄型化，易發生由熱加壓所引起之玻璃基板之翹曲。若玻璃基板發生翹曲，則COG構裝區域周邊之液晶畫面出現色斑。該玻璃基板之翹曲係起因於IC晶片與玻璃基板之熱膨脹率之差，因此要求構裝溫度低溫化，但亦必需防止連接可靠性降低。
根據本技術，藉由使光之照射量單調上升，而於光照射之初期使黏合劑樹脂之硬化反應緩慢進行，並於光照射之後期使黏合劑樹脂之硬化反應急速進行，藉此可製成耐熱性優異之硬化物。即，根據本技術，無需熱硬化所需之高溫加熱，僅藉由異向性導電膜之熔融所需之最低限度之加熱便可謀求構裝溫度低溫化，藉此可防止基板之翹曲，且可確保連接可靠性。
[其他]
又，本技術除使用上述紫外線硬化型之導電性接著劑以外，亦可使用例如藉由紅外光等其他波長之光線進行硬化之光硬化型導電性接著劑。
於上述中，作為導電性之接著劑，對具有膜形狀之異向性導電膜1進行了說明，但亦可為膏狀。於本申請案中，將含有導電性粒子4之異向性導電膜1等膜狀之導電性接著膜或膏狀之導電性接著膏定義為「接著劑」。
又，於上述中係使用在常溫下為固相且藉由加熱而熔 融之導電性接著劑，但亦可使用在常溫下具有流動性之導電性接著劑。於此情形時，加熱並非必要條件，而是藉由在COG構裝部20或FOG構裝部塗佈導電性接著劑，並配置電子零件18或可撓性基板21後，一面於適當特定之壓力下加壓一面照射紫外線而謀求連接。
又，於上述中係多個階段地改變紫外線之照射量而增加紫外線之照射量，但亦可使紫外線照射器31之紫外線照射量線性上升。於此情形時，亦考慮總照射量而設定每一照射時間之照度，使其線性上升。藉由使用LED燈作為紫外線照射器31，可容易地使照射時間及照度多個階段或者線性地上升。
[實施例]
其次，對本技術之實施例進行說明。本實施例係測定使紫外線之照射條件不同而製造之各樣本之黏合劑樹脂之硬化反應率(%)、初期導通電阻值(Ω)、高溫高濕試驗(85℃/85%RH 500hr)後之導通電阻值(Ω)、及基板之翹曲量(μm)。
導電性粒子含有層係將
苯氧樹脂(YP-50：新日鐵化學股份有限公司製造)：45質量份
環氧樹脂(EP-828：三菱化學股份有限公司製造)：50質量份
矽烷偶合劑(KBM-403：信越化學工業股份有限公司製造)：1質量份
硬化劑(SI-60L：三新化學工業股份有限公司製造)：4質量份
導電性粒子(AUL704：積水化學工業股份有限公司製造)：50000個/mm2
分散、混合，製備樹脂組合物，並製成厚度為20μm之陽離子硬化系電極接著用片材。
作為評價元件，使用
外形：1.8mm×20mm
凸塊高度：15μm
之評價用IC。
作為連接評價用IC之評價基材，使用玻璃厚度為0.5mm之ITO鍍膜玻璃。
形成藉由熱加壓及適當紫外線照射而將評價用IC經由導電性粒子含有層連接於該ITO鍍膜玻璃之連接體樣本。作為紫外線照射器，使用UV照射器ZUV-C30H(OMRON股份有限公司製造)。又，於進行紫外線照射之各連接體樣本中，將總照射量設為900mJ，且照射時間為3秒之連接體樣本係於利用加熱按壓頭30對評價用IC進行熱加壓開始後1秒後開始紫外線照射，照射時間為4秒之連接體樣本係與利用加熱按壓頭30對評價用IC進行熱加壓之開始地同時開始紫外線照射。又，除比較例1以外，加熱按壓頭之加熱溫度係設定為相對於表現出硬化開始前導電性粒子含有層熔融時之黏度(最低熔融黏度)的溫度(120℃)而±~40℃之範圍。
於實施例1中，將加熱按壓頭之加熱溫度設為120℃，壓力設為60MPa，熱加壓時間設為4秒。又，將紫外線照射分為2個階段並進行3秒，於第1階段中設為於UV照度100mJ下進行2秒，於第2階段中設為於UV照度700mJ下進行1秒。
於實施例2中，將加熱按壓頭之加熱條件設為與實施例1相同。又，將紫外線照射分為2個階段並進行3秒，於第1階段中設為於UV照度50mJ下進行2秒，於第2階段中設為於UV照度800mJ下進行1秒。
於實施例3中，將加熱按壓頭之加熱條件設為與實施例1相同。又，將紫外線照射分為2個階段並進行3秒，於第1階段中設為於UV照度100mJ下進行1秒，於第2階段中設為於UV照度400mJ下進行2秒。
於實施例4中，將加熱按壓頭之加熱條件設為與實施例1相同。又，將紫外線照射分為3個階段並進行3秒，於第1階段中設為於UV照度100mJ下進行1秒，於第2階段中設為於UV照度300mJ下進行1秒，於第3階段中設為於UV照度500mJ下進行1秒。
於實施例5中，將加熱按壓頭之加熱條件設為與實施例1相同。又，將紫外線照射分為2個階段並進行3秒，於第1階段中設為於UV照度50mJ下進行1秒，於第2階段中設為於UV照度425mJ下進行2秒。
於實施例6中，將加熱按壓頭之加熱條件設為與實施例1相同。又，將紫外線照射分為3個階段並進行3秒， 於第1階段中設為於UV照度50mJ下進行1秒，於第2階段中設為於UV照度300mJ下進行1秒，於第3階段中設為於UV照度550mJ下進行1秒。
於實施例7中，將加熱按壓頭之加熱條件設為與實施例1相同。又，將紫外線照射分為3個階段並進行4秒，於第1階段中設為於UV照度50mJ下進行1秒，於第2階段中設為於UV照度200mJ下進行2秒，於第3階段中設為於UV照度450mJ下進行1秒。
於實施例8中，將加熱按壓頭之加熱條件設為與實施例1相同。又，將紫外線照射分為3個階段並進行3秒，於第1階段中設為於UV照度100mJ下進行1秒，於第2階段中設為於UV照度200mJ下進行1秒，於第3階段中設為於UV照度600mJ下進行1秒。
於實施例9中，將加熱按壓頭之加熱條件設定為自表現出黏合劑樹脂之最低熔融黏度之溫度(120℃)減去40℃之80℃，其他條件設為與實施例8相同。
於實施例10中，將加熱按壓頭之加熱條件設定為自表現出黏合劑樹脂之最低熔融黏度之溫度(120℃)減去30℃之90℃，其他條件係設為與實施例8相同。
於實施例11中，將加熱按壓頭之加熱條件設定為自表現出黏合劑樹脂之最低熔融黏度之溫度(120℃)起加上20℃之140℃，其他條件係設為與實施例8相同。
於實施例12中，將加熱按壓頭之加熱條件設定為自表現出黏合劑樹脂之最低熔融黏度之溫度(120℃)起加上30 ℃之150℃，其他條件係設為與實施例8相同。
於比較例1中，將加熱按壓頭之加熱溫度設為170℃，壓力設為60MPa，熱加壓時間設為4秒。又，未進行紫外線照射。
於比較例2中，將加熱按壓頭之加熱條件設為與實施例1相同。又，未進行紫外線照射。
於比較例3中，將加熱按壓頭之加熱條件設為與實施例1相同。又，作為紫外線照射條件，設為於UV照度300mJ下進行3秒。
於比較例4中，將加熱按壓頭之加熱條件設為與實施例1相同。又，將紫外線照射分為2個階段並進行3秒，於第1階段中設為於UV照度200mJ下進行2秒，於第2階段中設為於UV照度500mJ下進行1秒。
於比較例5中，將加熱按壓頭之加熱條件設為與實施例1相同。又，將紫外線照射分為2個階段並進行3秒，於第1階段中設為於UV照度150mJ下進行2秒，於第2階段中設為於UV照度600mJ下進行1秒。
於比較例6中，將加熱按壓頭之加熱條件設為與實施例1相同。又，將紫外線照射分為2個階段並進行3秒，於第1階段中設為於UV照度200mJ下進行1秒，於第2階段中設為於UV照度350mJ下進行2秒。
於比較例7中，將加熱按壓頭之加熱條件設為與實施例1相同。又，將紫外線照射分為2個階段並進行3秒，於第1階段中設為於UV照度150mJ下進行1秒，於第2 階段中設為於UV照度375mJ下進行2秒。
對於以上之實施例及比較例之各連接體樣本，測定導電性粒子含有層中之環氧環之減少，藉此測定導電性粒子含有層之反應率(%)。又，對於各連接體樣本，使用數位萬用表藉由4端子法測定流通2mA電流時之連接電阻。又，對於各連接體樣本，使用觸針式表面粗糙度計(SE-3H：小阪研究所股份有限公司製造)自評價基材之ITO鍍膜玻璃下面起進行掃描，測定評價用IC之連接後之ITO鍍膜玻璃之玻璃基板面之翹曲量(μm)。將測定結果示於表1、表2。
如表1、表2所示，除比較例2以外，於所有連接體樣本中反應率均成為95%以上。其原因在於：於實施例1~12、及比較例3~7中，以反應率成為90%以上之方式設定熱加壓條件(80℃~150℃、60MPa、4秒)及紫外線照射條件(900mJ、3秒或4秒)，且於比較例1中，以僅藉由熱加壓而使反應率成為90%以上之方式設定熱加壓條件(170℃、60MPa、4秒)。
另一方面，於比較例2中，雖然與以併用紫外線照射為前提而設定之實施例1~8為相同之熱加壓條件，但由於不進行紫外線照射，故而反應率降低為41%。因此，於比較例2中，初期導通電阻值較高為1.8(Ω)，且高溫高濕試驗後之導通電阻值超過100(Ω)。
若將實施例1~12與比較例1相比，任一者中導電性粒子含有層均表現出91%以上之反應率，且初期導通電阻值較低為0.2(Ω)，高溫高濕試驗後之導通電阻值較低為9.6(Ω)以下。另一方面，於實施例1~12中，藉由併用紫外線照射，可將加熱按壓頭之熱加壓溫度抑制為低至80℃~150℃，且可將玻璃基板之翹曲抑制在12.4(μm)以下。於比較例1中，為了在不併用紫外線照射之情況下表現出導電性粒子含有層之高反應率(%)，將加熱按壓頭之熱加壓溫度較高地設定為170℃，因此玻璃基板之翹曲變大為16.2(μm)。
若將實施例1~12與比較例3相比，於比較例3中，未階段性地進行紫外線照射，而持續於總照射時間(3秒)內以高照度(300mJ/sec)進行紫外線照射。
於該比較例3中，高溫高濕試驗後之導通電阻值上升為20.2(Ω)，連接可靠性較差。另一方面，由於實施例1~12係以UV照度階段性地上升之方式進行紫外線照射，故而高溫高濕試驗後之導通電阻值亦為9.6(Ω)以下。由此可知，於比較例3中成為耐熱性較差之硬化物。認為其原因在於：由於自紫外線照射之初期便於較強之UV照度下進行照射，故而黏合劑樹脂之反應起始點變得過多而成為分子鏈較短且耐熱性較差之硬化物。
若將實施例1~12與比較例4~比較例7相比，則可知於比較例4~比較例7中，亦由於自紫外線照射之初期便以強UV照度(200mJ/sec、150mJ/sec)進行照射，故而成 為分子鏈較短且耐熱性較差之硬化物，高溫高濕試驗後之導通電阻值上升為13.5(Ω)，與實施例1~12相比連接可靠性較差。
另一方面，實施例1~12亦可將高溫高濕試驗後之導通電阻值抑制為9.6(Ω)以下。認為其原因在於：由於在紫外線照射之初期便以低於150mJ/sec之UV照度進行照射，故而成為耐熱性優異之導電性粒子含有層之硬化物。
由此可知，就UV照射之最初階段中之UV照度而言，較佳為於特定之紫外線照射條件(於本實施例中為900mJ、3秒或4秒)下以未達總照射量(900mJ)之約17%(未達約150mJ/sec)之照度進行照射。
又，可知就UV照射之最初階段中之UV照度之照射時間而言，較佳為於特定之紫外線照射條件(於本實施例中為900mJ、3秒或4秒)下設為總照射時間(3秒或4秒)之約20~40%左右(約1秒~2秒)。
關於加熱按壓頭之加熱條件，與實施例8~實施例12相比，於實施例9中由於加熱溫度比於黏合劑樹脂表現出最低熔融黏度之溫度(120℃)低40℃，故而與其他實施例相比樹脂之流動性較差，黏合劑樹脂無法自端子間充分排除，因此高溫高濕試驗後之導通電阻值相對變高為9.6(Ω)。
又，由實施例11、實施例12可知，若使加熱溫度相對於黏合劑樹脂表現出最低熔融黏度之溫度(120℃)變高，則與其他實施例相比基板之翹曲變大。
由以上可知，作為加熱按壓頭之加熱條件，可在相對 於黏合劑樹脂表現出最低熔融黏度之溫度(120℃)為-40℃~+30℃之範圍(80℃~150℃)內使用，較佳為在相對於黏合劑樹脂表現出最低熔融黏度之溫度(120℃)為-30℃左右為止之範圍(90℃~120℃附近)內使用。
1‧‧‧異向性導電膜
2‧‧‧剝離膜
3‧‧‧導電性粒子含有層
4‧‧‧導電性粒子
10‧‧‧液晶顯示面板
11‧‧‧透明基板
12‧‧‧透明基板
12a‧‧‧緣部
13‧‧‧密封圈
14‧‧‧液晶
15‧‧‧面板顯示部
16‧‧‧透明電極
17‧‧‧透明電極
17a‧‧‧端子部
18‧‧‧電子零件
20‧‧‧COG構裝部
21‧‧‧可撓性基板
22‧‧‧FOG構裝部
23‧‧‧異向性導電膜
24‧‧‧取向膜
25‧‧‧偏光板
26‧‧‧偏光板
30‧‧‧加熱按壓頭
31‧‧‧紫外線照射器
圖1係表示藉由應用本發明之連接方法之構裝裝置，將IC晶片及可撓性基板構裝於玻璃基板之步驟之剖面圖。
圖2係表示異向性導電膜之剖面圖。
1‧‧‧異向性導電膜
10‧‧‧液晶顯示面板
11‧‧‧透明基板
12‧‧‧透明基板
12a‧‧‧緣部
13‧‧‧密封圈
14‧‧‧液晶
15‧‧‧面板顯示部
16‧‧‧透明電極
17‧‧‧透明電極
17a‧‧‧端子部
18‧‧‧電子零件
20‧‧‧COG構裝部
21‧‧‧可撓性基板
22‧‧‧FOG構裝部
24‧‧‧取向膜
25‧‧‧偏光板
26‧‧‧偏光板
30‧‧‧加熱按壓頭
31‧‧‧紫外線照射器

Claims (9)

  1. 一種連接方法，其具有下述連接步驟：將連接對象物與被連接對象物經由光硬化型接著劑貼合，藉由對該接著劑照射光使該接著劑硬化，而將該連接對象物與該被連接對象物連接；其中，藉由使光之照度連續或階段性地上升，而使該光之照射量逐漸上升。
  2. 如申請專利範圍第1項之連接方法，其中，藉由加熱按壓頭以特定溫度及特定壓力對該連接對象物進行熱加壓，該特定溫度與該接著劑表現出最低熔融黏度之溫度的差為40℃以內。
  3. 如申請專利範圍第2項之連接方法，其中，於利用該加熱按壓頭之熱加壓開始後，照射該光。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之連接方法，其中，分3個階段進行該光之照射，於最初之階段中，照射未達該光之總照射量之17%的照射量。
  5. 如申請專利範圍第4項之連接方法，其中，最初階段之照射時間為該光之總照射時間之20~40%。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之連接方法，其中，分多個階段進行該光之照射，將[最終階段之照射量]/[第1階段之照射量]設為4~ 10。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之連接方法，其中，該接著劑為含有導電性粒子，且將分別設置於該連接對象物及該被連接對象物之電極彼此電連接的異向性導電接著劑，該光為紫外線。
  8. 一種連接體之製造方法，其具有下述連接步驟：將連接對象物與被連接對象物經由光硬化型接著劑貼合，藉由對該接著劑照射光使該接著劑硬化，而將該連接對象物與該被連接對象物連接；其中，藉由使光之照度連續或階段性地上升，而使該光之照射量逐漸上升。
  9. 一種連接體，其係以下述方式連接而成，即，具有下述步驟：將連接對象物與被連接對象物經由光硬化型接著劑貼合，藉由對該接著劑照射光使該接著劑硬化，而將該連接對象物與該被連接對象物連接；其中，藉由使光之照度連續或階段性地上升，而使該光之照射量逐漸上升。
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