KR20060079733A - 안티 퓨즈를 이용한 표면탄성파 소자의 ｉｄｔ 전극패턴의 형성 방법 및 이에 의해 제조된 표면탄성파 소자 - Google Patents

안티 퓨즈를 이용한 표면탄성파 소자의 ｉｄｔ 전극패턴의 형성 방법 및 이에 의해 제조된 표면탄성파 소자 Download PDF

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Abstract

낮은 제조 원가로 SAW 소자의 고유한 IDT 전극 패턴을 형성하는 방법과, 이에 의해 제조되는 SAW 소자에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 SAW 소자의 IDT 전극 패턴 형성 방법은, 압전 기판 상에 서로 평행하게 연장되어 있는 상부 공통바 및 하부 공통바를 형성하는 단계와; 상기 상부 공통바와 하부 공통바 사이에서 상기 압전 기판 상에 상기 공통바와 연결되어 있는 하부 전극막, 중간 절연층 및 상부 전극막이 순차 적층되어 이루어진 동일한 패턴의 IDT 전극들을 형성하는 단계와; 상기 동일한 패턴의 IDT 전극들 중에서 원하는 IDT 전극만을 선택하고 그 선택된 IDT 전극의 상부 전극막과 하부 전극막 사이에 전압을 인가하여 상기 중간 절연층을 절연 파괴함으로써 고유한 IDT 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
SAW, IDT, 전극 패턴, 안티 퓨즈

Description

안티 퓨즈를 이용한 표면탄성파 소자의 ＩＤＴ 전극 패턴의 형성 방법 및 이에 의해 제조된 표면탄성파 소자{METHOD FOR FORMING IDT ELECTRODE PATTERN OF SAW DEVICE USING ANTI-FUSE AND SAW DEVICE MANUFACTURED THEREBY}
도 1은 종래의 표면탄성파(SAW) 식별 태그의 반사기 IDT 전극 패턴을 나타내는 평면도이다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 SAW 소자의 IDT 전극 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 따라 형성된 고유한 IDT 전극 패턴을 구비하는 SAW 소자의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따라 형성된 고유한 IDT 전극 패턴을 구비하는 SAW-ID 태그의 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
21, 22: 그라운드 패드 101: 압전 기판
104: 상부 공통바 105: 하부 공통바
109a, 109b: 안티 퓨즈 전극 200: IDT 전극들
본 발명은 SAW 소자의 IDT 전극 패턴의 형성 방법 및 이에 의해 제조된 SAW 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 안티 퓨즈(Anti-fuse)를 이용하여 원하는 고유한 IDT 전극 패턴을 형성할 수 있는 IDT 전극 패턴의 형성 방법 및 이에 의해 제조된 SAW 소자에 관한 것이다.
일반적으로 표면 탄성파(Surface Acoustic Wave; SAW) 소자는 압전 기판의 특성을 이용하여, RF 대역에서 대역 선택 특성이 좋은 필터 및 듀플렉서 등의 RF 부품의 응용에 많이 사용되어 왔다. 최근에는 이러한 SAW 소자의 압전 특성을 이용하여 저전력, 고성능의 모듈 및 시스템을 구성하는 데에 적용되고 있으며, 그 대표적인 응용 분야로는 RFID 태그(RF Identification Tag) 등의 표면 탄성파 식별 태그(SAW-ID Tag), 통신용 SW 소자 및 온도, 압력, 가속도 센서 등이 있다.
RFID 태그로 사용되는 종래의 표면 탄성파 식별 태그, 또는 SAW 정합 필터(SAW matched filter)에서는, 각각의 고유한 식별 신호(ID signal) 또는 고유한 통신 신호를 만들기 위해서 압전 기판 상에 고유의 IDT(Interdigital Transducer) 전극 패턴을 형성하여야 한다. 이 때, 각각의 표면 탄성파 식별 태그 또는 SAW 정합 필터에 적용되는 각각의 SAW 칩을 제조하기 위하여, 각 웨이퍼마다 각각 다른 전극 패턴을 레이아웃하고, 각각의 전극 패턴을 위한 마스크를 제작한다. 따라서, 표면 탄성파 식별 태그 등 고유한 전극 패턴을 갖는 SAW 소자에 대한 제조 원가가 높아 지게 되고, 다양한 전극 패턴의 SAW 소자들을 위한 제조 기간도 길어진다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 마스크를 사용하지 않고서 레이저를 이용하여 SAW 소자의 고유한 전극 패턴을 형성하는 방안이 제안되었다. 그러나, 이와 같이 레이저를 이용하여 각각의 고유한 전극 패턴을 형성하는 방법에 따르면, 압전 기판이 레이저에 의해 손상 받기 쉬우며, 전극 패턴 형성시 금속막이 완전히 제거되지 않아서 금속막 잔여물이 압전 기판 표면 상에 남아 있어 소자의 동작 불량이 발생할 수 있다.
도 1은 종래의 표면 탄성파 식별 태그에 사용되는 반사기(reflector)를 이루는 고유한 IDT 전극 패턴을 나타내는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 압전 기판(11) 상에 2개의 도전성 공통바(common bar; 14)가 평행하게 배치되어 있으며, 그 사이에 반사기(reflector) 전극(16)이 깍지낀 손가락 형태로 고유한 IDT 전극 패턴을 이루고 있다. 이러한 IDT 전극 패턴을 갖는 반사기 전극(16)은 트랜스듀서(미도시)로부터 전송되는 SAW 신호를 받아 고유한 식별 신호(ID signal)로 인코딩하여 반사시킨다. 이에 따라, 고유한 식별 신호가 안테나를 통해 리더(reader)로 송신되고 이 송신 신호를 판독한 리더는 상기 SAW 식별 태그가 미리 예정된 태그에 해당되는지를 판단한다.
이러한 고유한 식별 신호를 만들어 주기 위해 반사기 전극(16)은 고유한 IDT 전극 패턴을 구비하고 있다. 이러한 고유한 IDT 전극 패턴을 형성하기 위해서는 전 술한 바와 같이 웨이퍼마다 다른 고유한 마스크를 제작하여야 하므로, 제조 원가와 공정 시간이 증가된다. 또한, 마스크 없이 레이저를 이용하여 고유한 IDT 전극 패턴을 형성한다 하더라도, 압전 기판이 손상될 위험이 있고 잔여 금속막으로 인한 소자 불량이 발생될 수 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 안티 퓨즈를 이용하여 압전 기판 상의 원하는 전극 패턴만을 선택하여 단락시킴으로써 제조 원가를 저감시킬 수 있는 SAW 소자의 IDT 전극 패턴의 형성 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 안티 퓨즈를 이용하여 형성되는 고유한 IDT 전극 패턴을 구비함으로써 제조 원가가 감소된 SAW 소자를 제공하는 것이다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 SAW 소자의 IDT 전극 패턴의 형성 방법은, 압전 기판 상에 서로 평행하게 연장되어 있는 상부 공통바 및 하부 공통바를 형성하는 단계와; 상기 상부 공통바와 하부 공통바 사이에서 상기 압전 기판 상에 상기 공통바와 연결되어 있는 하부 전극막, 중간 절연층 및 상부 전극막이 순차 적층되어 이루어진 동일한 패턴의 IDT 전극들을 형성하는 단계와; 상기 동일한 패턴의 IDT 전극들 중에서 원하는 IDT 전극만을 선택하고 그 선택된 IDT 전극의 상부 전극막과 하부 전극막 사이에 전압을 인가하여 상기 중간 절연층을 절연 파괴함으로써 고유한 IDT 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 본 발명의 IDT 전극 패턴의 형성 방법에 따르면, 상기 공통바와 연결되어 있는 그라운드 패드와 상기 상부 전극막과 연결되어 있는 안티 퓨즈 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 고유한 IDT 전극 패턴을 형성하는 단계는, 상기 그라운드 패드와 상기 안티 퓨즈 전극 사이에 전압을 인가하여 상기 중간 절연층을 절연 파괴하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 하부 전극막은 도전성 폴리실리콘으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 중간 절연층은 산화막/질화막/산화막의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 상부 전극막은 금속막으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 본 발명의 IDT 전극 패턴의 형성 방법에 따르면, 상기 동일한 패턴의 IDT 전극들을 형성하는 단계는, 압전 기판 상에 도전성 폴리실리콘막을 형성하는 단계와; 상기 도전성 폴리실리콘막 상에 산화막/질화막/산화막 구조의 절연층을 형성하는 단계와; 상기 절연층 상에 금속막을 형성하는 단계와; 사진 식각 공정에 의하여 상기 도전성 폴리실리콘막, 절연층 및 금속막으로 이루어진 동일 패턴의 IDT 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 고유한 IDT 전극 패턴을 구비한 SAW 소자는, 압전 기판과; 상기 압전 기판 상에 형성되어 서로 평행하게 연장되어 있는 상부 공통바 및 하부 공통바와; 상기 상부 공통바와 하부 공통바 사이에서 상기 압전 기판 상에 상기 공통바와 연결되어 있는 하부 전극막, 중간 절연층 및 상부 전극막이 순차 적층되어 이루어진 동일한 패턴의 IDT 전극들을 포함하며, 상기 IDT 전극들 중 일부 또는 전부의 상기 중간 절연층의 절연 파괴에 의해 상기 IDT 전극들이 고유한 전극 패턴을 이룬다.
상기 본 발명의 SAW 소자에 따르면, 상기 공통바와 연결되어 있는 그라운드 패드와; 상기 상부 전극막과 연결되어 있는 안티 퓨즈 전극을 더 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 고유한 IDT 전극 패턴을 구비한 SAW 소자는 표면 탄성파 식별 태그 또는 표면 탄성파 정합 필터에 사용될 수 있다.
본 발명에서는, 각각의 SAW 소자에 고유한 IDT 전극 패턴을 제공하면서도 제조 원가를 낮출 수 있는 방안이 제시되어 있다. 구체적으로 말해서, 안티 퓨즈를 포함하는 SAW 소자를 제조하여 동일 패턴의 SAW IDT 전극들을 형성한 후, 안티 퓨즈를 이용하여 원하는 고유한 패턴으로 IDT 전극들을 튜닝한다. 이 때, 안티 퓨즈(anti-fuse)란 오픈된 상태의 퓨즈가 외부의 물리적 전기적 영향(예컨대, 고전압 인가)에 의하여 단락되도록 한 것을 말한다.
본 발명에 따르면, 압전 기판 상에서 하부 전극막, 중간 절연층 및 상부 전극막을 구비하는 동일 패턴의 IDT 전극들을 형성한 후에 원하는 IDT 전극들만을 선택하여 중간 절연막을 절연 파괴시킨다. 이에 따라, 원하는 IDT 전극들에서만 상부 전극막과 하부 전극막이 단락되어 SAW 소자의 고유한 IDT 전극 패턴이 형성된다. 따라서, 본 발명에 따르면, 고유한 식별 신호 또는 고유한 필터링 신호를 만들어 주기 위해 웨이퍼마다 서로 다른 마스크를 제조할 필요가 없게 된다. 결국, SAW 식별 태그 또는 SAW 정합 필터를 제조하는 데에 있어서 제조 원가가 낮아진다. 또한, 다양한 IDT 전극 패턴을 형성하기 위해 서로 다른 마스크를 제조할 필요가 없기 때문에, 전체적인 공정 시간도 절약된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 SAW 소자의 IDT 전극 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
먼저, LiTaO3 또는 LiNbO3 등의 압전체로 이루어진 압전 기판(101) 상에 서로 평행하게 연장되어 버스 바(bus bar)를 이루는 상부 공통바(common bar)(도 7의 104 참조) 및 하부 공통바(도 7의 105 참조)를 형성한다. 이 때, 상기 공통바에 연 결된 도전성의 그라운드 패드(도 7의 21, 22 참조)도 함께 형성한다.
다음으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 압전 기판(101) 상에서 상기 상부 및 하부 공통바 사이에 하부 전극막(110)을 형성한다. 이 하부 전극막(110)은, 예를 들어 도전성 폴리실리콘으로 이루어진 것이 바람직하다.
그리고 나서, 도 3에 도시된 바와 같이, 도전성 폴리실리콘으로 이루어진 하부 전극막(110) 상에 중간 절연층(112)를 형성한다. 이 중간 절연층(112)은, 예를 들어 산화막(Oxide)/질화막(Nitride)/산화막(Oxide)의 ONO 적층 구조를 갖는 것이 바람직하다. 더 구체적으로 말하면, 상기 중간 절연층(112)은 실리콘 산화막/실리콘 질화막/실리콘 산화막의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 그러나, 다른 방안으로, 중간 절연층(112)은 다른 절연체 구조로 이루어질 수도 있다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 중간 절연층(112) 상에 상부 전극막(114)을 형성한다. 이 상부 전극막(114)은 예를 들어, 알루미늄 등의 금속으로 이루어진 것이 바람직하다. 이 상부 전극막(114)은 중간 절연층(112)에 의해서 하부 전극막(112)으로부터 절연된 상태에 있게 된다.
다음으로, 도 5를 참조하면, 동일 패턴의 IDT 전극들을 형성하기 위해서, 상부 전극막(114) 상에 포토레지스트막 패턴(116)을 형성한다. 이 포토레지스트막 패턴(116)은 통상의 포토 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 즉, 먼저 상부 전극막(114) 상에 포토레지스트막을 도포한 후 일정한 패턴을 갖는 포토마스크를 통해서 상기 포토레지스트막을 노광시킨다. 그 후, 현상, 베이크 등의 공정을 실시하여 도 5에 도시된 바와 같은 포토레지스트막 패턴(116)을 형성한다. 포토레지스트막 패턴 (116)을 평면도로 보면, 이 포토레지스트막 패턴(116)은 동일한 간격으로 인터디지탈하게(interdigitally) 동일한 패턴으로 연장되어 있다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 포토레지스트막 패턴(116)을 식각 마스크로 하여 상기 하부 전극막(110), 중간 절연층(112) 및 상부 전극막(114)을 선택적으로 식각함으로써 하부 전극막(110), 중간 절연층(112) 및 상부 전극막(114)으로 이루어진 IDT 전극을 형성한다. 또한, 이 때, 상부 전극막(114)과 연결되어 있는 안티 퓨즈 전극(도 7의 109a, 109b 참조)도 함께 형성한다. 또한, 상기 패터닝된 IDT 전극에서는, 하부 전극막(110)이 공통바(도 7의 104, 105 참조)와 연결되어 있다. 상기한 바와 같이 포토레지스트막 패턴(116)이 동일한 패턴으로 연장되어 있으므로, 이 포토레지스트막 패턴(116)이 전사되어 이루어진 상기 IDT 전극들도 동일한 패턴으로 연장되어 있게 된다. 따라서, IDT 전극들은 고유한 전극 패턴을 이루지 못하게 된다.
그러나, 하부 전극막(110)과 연결되어 있는 그라운드 패드와, 상부 전극막(114)과 연결되어 있는 안티 퓨즈 전극 사이에 고전압을 인가하여 중간 절연층(112)을 절연 파괴시키게 되면, 하부 전극막(110)과 상부 전극막(114)이 도통되어 신호 전달을 위한 하나의 유효한 IDT 전극을 이루게 된다. 따라서, 원하는 안티 퓨즈 전극들을 선택하여 고전압 인가에 의해 중간 절연층(112)을 절연 파괴시키면 그 선택된 안티 퓨즈 전극에 해당하는 IDT 전극과 공통바을 단락시킬 수 있게 된다. 이에 의해 사용자는 원하는 고유의 SAW IDT 전극 패턴을 형성할 수 있게 된다.
도 7은 상기한 방법에 따라 형성된 고유의 IDT 전극 패턴을 구비하는 SAW 소 자의 평면도이다. 도 7을 참조하면, 압전 기판(101) 상에 서로 평행하게 연장되어 버스 바를 이루는 상부 공통바(104) 및 하부 공통바(105)가 형성되어 있다. 이 공통바(104, 105)에는 각각 도전성의 그라운드 패드(21, 22)가 연결되어 있다. 또한, 상부 공통바(104) 및 하부 공통바(105)에는 서로 인터디지탈하게 깍지킨 손가락 모양을 이루는 IDT 전극들(200; 201~210)이 형성되어 있다. 이 IDT 전극(200)은 도 6에 도시된 바와 같이, 도전성 폴리실리콘 등으로 이루어진 하부 전극막(110), ONO 구조 등으로 된 중간 절연층(112) 및 금속 등으로 이루어진 상부 전극막(114)으로 이루어져 있다.
그러나, IDT 전극들(200) 중에서 특정한 IDT 전극들(201, 202, 204, 206, 207, 208, 210)에서만 중간 절연층(112)이 절연 파괴되어 있다. 도 7에서는, 절연 파괴된 중간 절연층(112)을 가진 IDT 전극들(201, 202, 204, 206, 207, 208, 210)에 연결된 안티 퓨즈 전극들(109a)은 그렇지 않은 안티 퓨즈 전극들(109b)과 구별시키기 위해 편의상 빗금으로 표시하였다. 이에 따라, 빗금친 안티 퓨즈 전극들(109a)에 연결된 IDT 전극들(201, 202, 204, 206, 207, 208, 210)의 상부 전극막(도 6의 114 참조)은 그 하부 전극막(도 6의 110 참조)과 도통된다. 따라서, 중간 절연층(112)의 절연 파괴에 의하여 하부 전극막(110)과 도통된 상부 전극막(114)은, 하부 전극막(110)과 연결되어 있는 공통바(104, 105)와 전기적으로 도통하게 된다.
이와 같이, 상기 IDT 전극들(201~210) 중 특정한 IDT 전극들을 선택하여 상부 전극막(114)과 하부 전극막(110)을 도통시키게 되면, 상하부 전극막(110, 114) 이 도통된 특정 IDT 전극들은 고유한 신호를 외부로 전송시킬 수 있게 된다. 결국, 상기 상부 전극막(114)과 하부 전극막(110)이 도통되어 있는 특정한 IDT 전극들은 고유한 식별 신호 등을 전송시킬 수 있는 고유한 IDT 전극 패턴(201, 202, 204, 206, 207, 208, 210)을 이루게 된다.
상기 본 발명의 일 실시형태는 고유한 식별 신호 또는 통신 신호를 전송시킬 수 있는 SAW 식별 태그 또는 SAW 정합 필터 등 다양한 분야에 적용될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따라 형성된 IDT 전극 패턴을 구비하는 SAW-ID 태그의 평면도이다. 도 8을 참조하면, 압전 기판(101) 상의 상부 공통바(104)와 하부 공통바(105) 사이에서 좌측에 트랜스듀서(300)가 배치되어 있고 우측에는 고유한 IDT 전극 패턴을 이루고 있는 반사기(200)가 배치되어 있다. 외부로부터 전송되는 무선 신호를 수신할 수 있도록 상하부 공통바(104, 105)에는 안테나(102)가 연결되어 있다. 이 반사기(200)의 고유한 IDT 전극 패턴은 특정 IDT 전극(201, 202, 204, 206, 207, 208, 210)의 중간 절연층(도 6의 112 참조)을 절연 파괴시킴으로써 구현된 것이다. 구체적으로 설명하면, 안티 퓨즈 전극들(109a, 109b) 중에서 특정 안티 퓨즈 전극(빗금친 부분; 109a)과 그라운드 패드(21, 22)에 고전압을 인가함으로써 특정 IDT 전극의 상부 전극막(도 6의 114 참조)과 공통바(104, 105)를 서로 단락시키게 된다. 이에 따라, 반사기(200)에는 고유한 IDT 전극 패턴이 형성된다.
도 8을 참조하면, 펄스 송수신기(미도시)로부터 전송된 입력 펄스 신호(30) 가 안테나(102)를 통해 수신되면, 그 전기적 입력 펄스 신호(30)는 트랜스 튜서(300)에 의해 표면 탄성파로 변환되어 반사기(200) 쪽으로 진행한다. 반사기(200)는 상기 표면 탄성파를 받아서, 반사기(200)가 갖는 고유한 IDT 전극 패턴에 의해 고유한 식별 신호를 생성한다. 이 고유한 식별 신호는 안테나(102)를 통해 출력 펄스 신호(40)로서 펄스 송수신기로 전송된다. 판독 기능을 포함하고 있는 펄스 송수신기는 상기 출력 펄스 신호(40)가 미리 정해진 펄스에 해당되는지를 판단한다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 또한, 본 발명은 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 안티 퓨즈를 이용하여 압전 기판 상의 원하는 전극 패턴만을 선택하여 단락시킴으로써 고유한 IDT 전극 패턴을 형성할 수 있게 된다. 따라서, 웨이퍼마다 서로 다른 패턴을 레이아웃해야 할 필요가 없게 되고 서로 다른 마스크를 제조할 필요도 없게 된다. 결국, 고유한 IDT 전극 을 구비하는 SAW 소자의 제조 원가가 낮아지게 되고, 다양한 IDT 전극 패턴을 갖는 SAW 소자들을 단축된 공정 시간으로 제조할 수 있게 된다.

Claims (9)

  1. 압전 기판 상에 서로 평행하게 연장되어 있는 상부 공통바 및 하부 공통바를 형성하는 단계;
    상기 상부 공통바와 하부 공통바 사이에서 상기 압전 기판 상에 상기 공통바와 연결되어 있는 하부 전극막, 중간 절연층 및 상부 전극막이 순차 적층되어 이루어진 동일한 패턴의 IDT 전극들을 형성하는 단계; 및
    상기 동일한 패턴의 IDT 전극들 중에서 원하는 IDT 전극만을 선택하고 그 선택된 IDT 전극의 상부 전극막과 하부 전극막 사이에 전압을 인가하여 상기 중간 절연층을 절연 파괴함으로써 고유한 IDT 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 소자의 IDT 전극 패턴의 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공통바와 연결되어 있는 그라운드 패드와 상기 상부 전극막과 연결되어 있는 안티 퓨즈 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 고유한 IDT 전극 패턴을 형성하는 단계는, 상기 그라운드 패드와 상기 안티 퓨즈 전극 사이에 전압을 인가하여 상기 중간 절연층을 절연 파괴하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 소자의 IDT 전극 패턴의 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 하부 전극막은 도전성 폴리실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 SAW 소자의 IDT 전극 패턴의 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 중간 절연층은 산화막/질화막/산화막의 적층 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 SAW 소자의 IDT 전극 패턴의 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 상부 전극막은 금속막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 SAW 소자의 IDT 전극 패턴의 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 동일한 패턴의 IDT 전극들을 형성하는 단계는,
    압전 기판 상에 도전성 폴리실리콘막을 형성하는 단계;
    상기 도전성 폴리실리콘막 상에 산화막/질화막/산화막 구조의 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상에 금속막을 형성하는 단계; 및
    사진 식각 공정에 의하여 상기 도전성 폴리실리콘막, 절연층 및 금속막으로 이루어진 동일 패턴의 IDT 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 소자의 IDT 전극 패턴의 형성 방법.
  7. 압전 기판;
    상기 압전 기판 상에 형성되어 서로 평행하게 연장되어 있는 상부 공통바 및 하부 공통바; 및
    상기 상부 공통바와 하부 공통바 사이에서 상기 압전 기판 상에 상기 공통바와 연결되어 있는 하부 전극막, 중간 절연층 및 상부 전극막이 순차 적층되어 이루어진 동일한 패턴의 IDT 전극들을 포함하며,
    상기 IDT 전극들 중 일부 또는 전부의 상기 중간 절연층의 절연 파괴에 의해 상기 IDT 전극들이 고유한 IDT 전극 패턴을 이루는 것을 특징으로 하는 SAW 소자
  8. 제7항에 있어서,
    상기 공통바와 연결되어 있는 그라운드 패드; 및
    상기 상부 전극막과 연결되어 있는 안티 퓨즈 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 소자.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 SAW 소자는 표면 탄성파 식별 태그 또는 표면 탄성파 정합 필터로 사용되는 것을 특징으로 하는 SAW 소자.
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