KR20060077097A - 시모스 이미지센서 및 그 구동방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 시모스 이미지센서에 각 단위화소에 구비되는 모스트랜지스터가 앤모스트랜지스터로 구비된다고 하더라도 앤모스트랜지스터의 문턱전압만큼 동작범위가 줄어들지 않는 시모스이미지센서를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 입사된 빛에 대응하여 축적된 데이터신호를 전달하기 위한 포토다이오드와, 상기 포토다이오드에서 전달된 데이터신호를 센싱노도로 전달하기 위한 전달 트랜지스터와, 전원전압 공급단에 일측이 접속되어 상기 센싱노드에 전달된 데이터신호를 게이트로 입력받아 타측을 드라이빙하기 위한 드라이빙 트랜지스터를 구비하는 단위화소; 및 상기 전달 트랜지스터의 게이트로 상기 전원전압 공급단에서 공급되는 전원전압보다 높을 레벨의 고전압을 제공하기 위한 고전압공급회로를 구비하는 시모스 이미지센서를 제공한다.

시모스 이미지센서, 발진기, 고전압, 리셋트랜지스터, 전달트랜지스터.

Description

시모스 이미지센서 및 그 구동방법{CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD FOR OPERATING THE SAME}

도1은 시모스 이미지센서에서의 한 단위화소를 나타내는 회로도.

도2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시모스 이미지센서를 나타내는 도면.

도3은 도2에 도시된 기준전압 생성부를 나타내는 회로도.

도4는 도2의 레귤레이터를 나타내는 회로도.

도5와 도6은 도2에 도시된 시모스 이미지센서의 동작을 나타내는 파형도.

* 도면의 주요부분에 대한부호의 설명 *

Tx : 전달 트랜지스터 Dx : 드라이빙 트랜지스터

Rx : 리셋 트랜지스터 Sx : 셀렉터 트랜지스터

10 : 포토다이오드

MP1 ~ MP5 : 피모스트랜지스터

본 발명은 시모스 이미지센서에 관한 것으로, 특히 시모스 이미지센서의 단위화소에 제공되는 전압 발생기에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 장치중 이미지센서는 광학 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 장치로서, 대표적인 이미지센서 소자로는 전하결합소자(Charge Coupled Device; CCD)와 시모스 이미지센서를 들 수 있다.

그 중에서 전하결합소자는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 시모스 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 시모스 기술을 이용하여 각 화소(pixel)수에 대응하는 모스 트랜지스터(통상적으로 4개의 모스트랜지스터)를 만들고 이것을 이용하여 순차적으로 출력하는 소자이다.

도1은 시모스 이미지센서에서의 한 단위화소를 나타내는 회로도이다.

도1을 참조하여 살펴보면, 한 단위화소(100) 내에는 1개의 포토다이오드(10)와 4개의 앤모스트랜지스터(11,12,13,14)로 구성되어 있다. 4개의 앤모스트랜지스터(11,12,13,14)는 포토다이오드(10)에서 생성된 광전하를 전하감지노드(N)로 운송하기 위한 전달 모스트랜지스터(11)와, 다음 신호검출을 위해 전하감지노드(11)에 저장되어 있는 전하를 배출하기 위한 리셋 모스트랜지스터(12)와, 소스 팔로워(Source Follower) 역할을 하는 드라이브 모스트랜지스터(13) 및 스위칭 (Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 모스트랜지스터(14)로 구성된다.

이렇게 4개의 모스트랜지스터(11,12,13,14)와 하나의 포토다이오드(10)가 하나의 단위화소를 이루며, 시모스 이미지센서에 구비되는 단위화소의 수에 따라 시모스 이미지센서의 픽셀어레이에 구비되는 포토다이오드(10)와 그에 대응하는 단위화소용 모스트랜지스터의 수가 정해지는 것이다.

이미지센서는 광학렌즈를 통해 빛을 받아 칼라에 해당되는 전기적인 디지털 코드를 내보낸다.

해상도에 따라 구비되는 단위화소의 수가 정해지고, 각 단위화소는 도1에 도시된 바와 같이 하나의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터를 구비하여 동작하게 된다.

포토다이오드는 입사된 빛에 대응하는 전자를 축척하고, 축척된 전자는 스위치역할을 하는 전달트랜지스터(11)를 통해 센싱노드(FD)로 전달된다.

소스팔로우(source follower)역할을 하는 드라이빙 트랜지스터(13)는 센싱노드(FD)에 인가된 전자에 따라 소스단을 드라이빙하게 된다. 이어서 셀렉터 트랜지스터가 턴온되면 드라이빙 트랜지스터(13)에 의해 드라이빙된 신호가 CDS회로로 출력된다.

이 때 CDS 회로로 출력되는 신호는 센싱노드에 전달된 순수한 데이터 신호뿐만 아니라 센싱노드에 있는 노이즈성분도 포함하고 있다.

따라서 이를 제거하는 동작이 필요한데, 시모스 이미지센서는 먼저 리셋트랜 지스터를 터온시켜 센싱노드에 있는 리셋신호를 입력받고, 이어서 리셋신호가 포함된 데이터신호를 CDS 회로에서 입력받아 두 값의 차이값을 구하여 실제 데이터신호로 사용하고 있다.

리셋신호를 출력하기 위해서는 리셋 트랜지스터를 턴온시키게 되는데, 이 경우에 센싱노드(FD)에는 리셋 트랜지스터(12)의 문턱전압 만큰 다운된 전압이 전달되고, 드라이빙 트랜지스터(13)의 소스단에는 센싱노드(FD)의 전압레벨에서 다시 드라이빙 트랜지스터의 문턱전압 만큼 다운된 전압이 전달된다. 따라서 리셋트랜지스터의 문턱전압만큼 다이나믹 레인지(Dynamic Range)가 줄어들게 된다.

또한 포토다이오드에 의해 전달되는 신호도 결국 전달 트랜지스터(11)와 드라이빙 트랜지스터(13)의 문턱전압 만큼 신호가 감소한 상태로 전달될 수 밖에 없다.

이는 시모스 이미지센서의 단위화소에 배치된 트랜지스터가 모두 앤모스트랜지스터이기 때문에 문턱전압보다 낮은 신호는 전달시키기 못하기 때문이다.

특히 저조도에서는 포토다이오드에 저장된 차지가 센시노드(FD)로 모두 전달되지 못하게 되어 구현된 이미지가 전체적으로 어두운 현상이 발생하게 되어 전체적인 이미지의 퀄러티가 떨어지게 된다.

본 발명은 시모스 이미지센서에 각 단위화소에 구비되는 모스트랜지스터가 앤모스트랜지스터로 구비된다고 하더라도 앤모스트랜지스터의 문턱전압만큼 동작범 위가 줄어들지 않는 시모스이미지센서를 제공함을 목적으로 한다.

본 발명은 입사된 빛에 대응하여 축적된 데이터신호를 전달하기 위한 포토다이오드와, 상기 포토다이오드에서 전달된 데이터신호를 센싱노도로 전달하기 위한 전달 트랜지스터와, 전원전압 공급단에 일측이 접속되어 상기 센싱노드에 전달된 데이터신호를 게이트로 입력받아 타측을 드라이빙하기 위한 드라이빙 트랜지스터를 구비하는 단위화소; 및 상기 전달 트랜지스터의 게이트로 상기 전원전압 공급단에서 공급되는 전원전압보다 높을 레벨의 고전압을 제공하기 위한 고전압공급회로를 구비하는 시모스 이미지센서를 제공한다.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

도2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시모스 이미지센서를 나타내는 도면이다.

도2를 참조하여 살펴보면, 입사된 빛에 대응하여 축적된 데이터신호를 전달하기 위한 포토다이오드와, 포토다이오드에서 전달된 데이터신호를 센싱노도(FD)로 전달하기 위한 전달 트랜지스터(11)와, 전원전압 공급단에 일측이 접속되어 센싱노드(FD)에 전달된 데이터신호를 게이트로 입력받아 타측을 드라이빙하기 위한 드라 이빙 트랜지스터(13)를 구비하는 단위화소(100)와, 전달 트랜지스터(11)의 게이트로 전원전압 공급단(VDDA)에서 공급되는 전원전압보다 높을 레벨의 고전압(VPX)을 게이트 인가전압(VTX)으로 제공하기 위한 고전압공급회로(200,300)를 구비한다.

또한, 전원전압 공급단(VDDA)과 센싱노드(FD)에 접속된 리셋 트랜지스터(12)를 더 구비하고, 리셋 트랜지스터(12)의 게이트로는 고전압(VPX)을 게이트 인가전압(VRX)으로 인가 받는 것을 특징으로 한다.

본 발명에서 가장 특징은 시모스 이미지센서의 단위화소의 전달 트랜지스터(11)와 리셋 트랜지스트(12)의 게이트 인가전압으로 전원전압보다 높은 고전압을 생성하여 인가하는 것이 가장 큰 특징이다.

이때 전달 트랜지스터(11)를 위한 고전압과 리셋 트랜지스트(12)을 위한 고전압을 각각 생성하여 공급할 수도 있는데, 본 실시예에서는 하나의 고전압(VPX)을 생성하여 전달 트랜지스터(11)와 리셋 트랜지스트(12)의 게이트 인가전압으로 공급한다.

전달 트랜지스터(11)를 위한 고전압과 리셋 트랜지스트(12)을 위한 고전압을 각각 생성하여 공급하게 되면 각각의 동작특성에 맞는 최적의 고전압을 생성하여 공급할 수 있는 장점이 있지만, 이를 위해서는 각각의 고전압을 생성하기 위한 회로를 별로로 구비해야 한다.

이하에서는 하나의 고전압을 생성하여 각각 전달트랜지스터와 리셋트랜지스터의 게이트단에 인가하는 것으로 가정하고 설명한다.

고전압공급회로(200,300)는 고전압(VPX)보다 더 높은 레벨의 기준 고전압 (VPP)을 생성하기 위한 고전압발생부(200)와, 기준 고전압(VPP)을 고전압(VPX)으로 다운시켜 출력하되, 출력되는 고전압(VPX)의 레벨이 기준 고전압의 변동에 관계없이 안정적으로 출력하기 위한 고전압 출력부(300)를 구비한다.

고전압발생부(200)는 고전압 출력부(300)로 입력되는 기준 고전압(VPP)의 레벨을 감지하기 위한 감지부(210)와, 감지부(210)에서 감지한 결과에 대응하여 발진된 클럭을 출력하는 발진기(220)와, 발진기(220)에 출력되는 클럭에 응답하여 출력단에 전하를 펌핑함으로서 고전압 출력부(300)로 기준고전압(VPP)이 공급되도록 하는 차지펌프(300)를 구비한다.

또한, 고전압 발생부(200)는 감지부(210)에서 감지하는 전압의 레벨을 조정하기 위해 셋팅된 값을 감지부(210)로 전달하기 위한 디코더(240)를 더 구비한다.

고전압출력부(300)는 전원전압(VDDA)을 소정레벨로 디바이딩한 기준전압(VPX_REF)을 출력하는 기준전압 생성부(310)와, 기준전압(VPX_REF)에 응답하여 기준 고전압(VPP)을 고전압(VPX)으로 감압하여 출력하는 전압레귤레이터(320)를 구비한다.

고전압출력부(300)는 기준전압 생성부(310)에서 출력되는 기준전압의 레벨을 조정하기 위해 셋팅된 값을 상기 기준전압 생성부(310)로 공급하는 디코더(330)를 더 구비한다.

도3은 도2에 도시된 기준전압 생성부를 나타내는 회로도이다.

도3을 참조하여 살펴보면, 기준전압 생성부(310)는 전원전압 공급단(VDDA)에서 제공되는 전원전압을 분배한 분배전압(VDD/2)을 출력하기 위한 전압 분배부 (311)와, 분배전압(VDD/2)에 셋팅된 값에 의해 일정한 레벨의 전압값(RI)을 합한 기준전압(VPX_REF)을 공급하기 위한 기준전압 공급부(312)를 구비한다.

전압 분배부(311)는 일측이 전원전압 공급단(VDDA)에 접속되고, 게이트가 타측단에 접속된 제1 피모스트랜지스터(MP1)와, 제1 피모스트랜지스터(MP1)의 타측단과 접지전압 공급단 사이에 접속되고, 게이트가 접지전압 공급단에 접속된 제2 피모스트랜지스터(MP2)를 구비한다.

여기서는 전압 분배부(311)를 피모스트랜지스터로 구현하였으나, 앤모스트랜지스터를 다이오드 접속시켜 이용해서 구현할 수 있다.

기준전압 공급부(312)는 셋팅된 값에 의해 전류량을 조절하여 공급하며 전원전압 공급단(VDDA)에 접속된 제1 전류원(Is1)과, 접지전압 공급단에 접속된 제2 전류원(Is2)과, 제1 전류원(Is1)과 제2 전류원(Is2)의 사이에 제공되는 저항(R)을 구비하며, 저항의 일측단으로 분배전압(VX=VDD/2)을 입력받는 것을 특징으로 한다.

도4는 도2의 레귤레이터를 나타내는 회로도이다.

도4를 참조하여 살펴보면, 전압레귤레이터(320)는 기준 고전압(VPP)과 접지전압을 구동전압으로 입력받고, 피드백 전압(VPX_COMP)을 정입력단(+)에 기준전압(VPX_REF)을 부입력단에 입력받는 연산증폭기(A)와, 게이트로 연산증폭기(A)의 출력을 입력받으며, 기준 고전압(VPP)을 일측으로 입력받아 타측으로 고전압(VPX)을 출력하는 제1 피모스트랜지스터(MP3)와, 일측과 벌크단자가 제1 모스트랜지스터(MP3)의 일측단에 접속되며, 게이트단은 타측에 접속되며, 타측단으로 피드백전압(VPX_COMP)을 제공하는 제2 피모스트랜지스터(MP4)와, 일측과 벌크단자가 제2 피모 스트랜지스터(MP4)의 타측단에 접속되며, 게이트단과 타측단이 접지전압 공급단사이에 접속된 제3 피모스트랜지스터(MP5)를 구비한다.

도5와 도6은 도2에 도시된 시모스 이미지센서의 동작을 나타내는 파형도로서, 특히 도5는 기준 고전압이 흔들리더라도 고전압(VPX=VRX,VTX)은 흔들리지 않고 일정한 레벨로 출력되는 것을 나타내는 파형도이며, 도6은 디코더에서 출력되는 값에 따라 고전압(VPX=VRX,VTX)의 레벨을 다르게 출력할 수 있음을 보여주는 파형도이다.

이하에서는 도2 내지 도6을 참고하여 본 실시예에 따른 시모스 이미지센서의 동작을 살펴본다.

먼저, 기준 고전압(VPP)을 생성하여 출력하는 고전압 발생부(200)의 동작을 살펴본다.

감지부(210)에서는 고전압 출력부(300)으로 전달되는 기준고전압(VPP)의 레벨을 감지하고, 그 레벨이 정해진 레벨보다 낮을 때 발진기를 활성화시키는 신호(V_LD)를 출력한다.

발진기(220)는 감지부(210)에서 전달되는 신호(V_LD)에 따라 클럭을 발진시켜 출력한다. 차지펌프(230)는 발진기에서 클럭이 입력되면 출력단으로 전하를 펌핑한다. 전하가 펌핑되면 기준 고전압(VPP)이 원래의 레벨을 유지하면서 고전압 발생부(200)로 전달된다. 이 때 디코더는 감지부(210)에서 감지하는 전압의 크기를 셋팅하여 주기 위한 것이다.

계속해서 고전압 출력부(200)의 동작을 살펴보면, 먼저 고전압 출력부(300)의 기준전압 생성부(310)는 전압분배부(311)에서 전원전압 레벨을 1/2로 분배한 전압(VX=VDD/2)을 제공하고, 기준전압 공급부(310)는 분배전압에 일정한 값이 더해진 기준전압(VPX_REF)를 출력한다.

기준전압 공급부(310)의 저항에 흐르는 전류를 I라고 가정하면 출력되는 기준전압(VPX_REF)은 VX + RI가 되는 것이다. 이 때 전류원(Is1,Is2)을 통해 흐르는 전류를 조절하면 기준전압(VPX_REF)의레벨을 조정할 수 있게 되고, 디코더(330)를 통해 셋팅된 값을 조절하면 되는 것이다.

레귤레이터(320)의 연산증폭기(A)는 기준전압(VPX_REF)와 피드백전압(VPX_COMP)를 비교하여 두 입력값이 같아지도록 하는데, 피드백전압(VPX_COMP)이 기준전압(VPX_REF)과 같아지면 최종적으로 출력되는 값이 고전압(VPX)이 되고, 이 때 고전압(VPX)과 기준전압의 관계는 VPX = 2VPX_REF의 관계를 가진다.

이렇게 생성된 고전압(VPX)은 시모스 이미지센서의 단위화소를 이루는 전달트랜지스터 또는 리셋트랜지스터의 게이트로 제공하거나, 전달트랜지스터와 리셋트랜지스터의 게이트 모두에게 제공하게 된다.

전달 트랜지스터의 게이트에 고전압(VPX)가 제공되면, 전술한 바와 같이 전달트랜지스터의 문턱전압으로 인해 포토다이오드에서 센싱노드(FD)로 전자가 전달될 때에 감소되는 양만큼을 더 전달할 수 있다.

따라서 포토다이오드에서 보다 많은 전자를 전달할 수 있기 때문에 단위화소의 다이나믹 레인지 증가와 저조도상에서 이미지를 개선시킬 수 있어 좋은 화질을 유지할 수 있다.

또한 리셋 트랜지스터의 게이트에 고전압(VPX)가 제공되면, 리셋트랜지스터가 턴온되기 위한 문턱전압 만큼 센싱노드에 있는 전자를 더 많이 제거할 수 있게 된다.

여기서 고전압발생부에서 생성한 기준고전압(VPP)를 바로 단위화소에 공급하지 않는 이유는 기준 고전압(VPP)는 차지를 충전함으로서 레벨이 형성되는 전압이기 때문에 전압레벨이 계속 변동이 된다. 이 때 변동되는 양은 약 100 ~ 200mV정도가 되는데, 이렇게 변동되는 기준 고전압을 바로 단위화소에 전달하게 되면 단위화소의 리셋전압이 약 10 ~ 20mV 정도 변하게 되고, 이로 인해 A/D 변환기에서의 레졸루션(Resolution)이 떨어져 이미지센서의 화질이 많이 나빠지게 된다.

이를 해결하기 위해 기준고전압은 고전압(VPX)보다 약 0.3 ~ 0.5V정도 높은 타겟으로 형성하고, 이를 감압한 고전압을 최종적으로 사용하게 되는 것이다. 이 때 레귤레이터(300)를 통해 출력되는 고전압(VPP)은 동작전압 변동, 온도변화 및 공정조건의 변화등에 둔감한 특성을 가진다.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

특히 시모스 이미지센서의 단위화소를 이루는 트랜지스터의 수는 경우에 따라 달라지는데, 3개의 모스트랜지스터로 구현하는 경우 전달트랜지스터를 생략하기 도 한다. 이 경우에도 리셋트랜지스터의 게이트로 전술한 고전압(VPX)을 제공하게 되면 리셋 트랜지스터의 문턱전압에 의한 손실을 제거할 수 있다.

본 발명에 의해서 시모스 이미지센서의 단위화소를 이루는 트랜지스터중 리셋트랜지스터 또는 전달 트랜지스터의 게이트에 전원전압보다 높은 레벨의 고전압 을 제공함으로써, 리셋트랜지스터의 문턱전압에 의한 전압손실을 제거하고, 전달트랜지스터의 문턱전압에 의한 전달 손실분을 보상할 수 있어, 단위화소의 다이나믹 레이지의 증가와 저조도상에서 이미지를 개선하여 좋은 화질을 유지할 수 있다.

Claims (13)

1. 입사된 빛에 대응하여 축적된 데이터신호를 전달하기 위한 포토다이오드와, 상기 포토다이오드에서 전달된 데이터신호를 센싱노도로 전달하기 위한 전달 트랜지스터와, 전원전압 공급단에 일측이 접속되어 상기 센싱노드에 전달된 데이터신호를 게이트로 입력받아 타측을 드라이빙하기 위한 드라이빙 트랜지스터를 구비하는 단위화소; 및

   상기 전달 트랜지스터의 게이트로 상기 전원전압 공급단에서 공급되는 전원전압보다 높을 레벨의 고전압을 제공하기 위한 고전압공급회로

   를 구비하는 시모스 이미지센서.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 전원전압 공급단과 상기 센싱노드에 접속된 리셋 트랜지스터를 더 구비하고, 상기 리셋 트랜지스터의 게이트로는 상기 고전압을 인가받는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 고전압공급회로는

   상기 고전압 보다 더 높은 레벨의 기준 고전압을 생성하기 위한 고전압발생부; 및

   상기 기준 고전압을 상기 고전압으로 다운시켜 출력하되, 출력되는 고전압의 레벨이 상기 기준 고전압의 변동에 관계없이 안정적으로 출력하기 위한 고전압 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 고전압발생부는

   상기 고전압 출력부로 입력되는 기준 고전압의 레벨을 감지하기 위한 감지부;

   상기 감지부에서 감지한 결과에 대응하여 발진된 클럭을 출력하는 발진기; 및

   상기 발진기에 출력되는 클럭에 응답하여 출력단에 전하를 펌핑함으로서 상기 고전압 출력부로 상기 기준고전압이 공급되도록 하는 차지펌프를 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 고전압 발생부는 상기 감지부에서 감지하는 전압의 레벨을 조정하기 위 해 셋팅된 값을 상기 감지부로 전달하기 위한 디코더를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
6. 제 3 항에 있어서,

   상기 고전압출력부는

   상기 전원전압을 소정레벨로 디바이딩한 기준전압을 출력하는 기준전압 생성부; 및

   상기 기준전압에 응답하여 상기 기준 고전압을 상기 고전압으로 감압하여 출력하는 전압레귤레이터를 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 고전압출력부는

   상기 기준전압 생성부에서 출력되는 기준전압의 레벨을 조정하기 위해 셋팅된 값을 상기 기준전압 생성부로 공급하는 디코더를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
8. 제 6 항에 있어서,

   상기 기준전압 생성부는

   상기 전원전압 공급단에서 제공되는 전원전압을 분배한 분배전압을 출력하기 위한 전압 분배부; 및

   상기 분배전압에 셋팅된 값에 의해 일정한 레벨의 전압값을 합한 상기 기준전압을 공급하기 위한 기준전압 공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 전압 분배부는

   일측이 상기 전원전압 공급단에 접속되고, 게이트가 타측단에 접속된 제1 피모스트랜지스터; 및

   상기 제1 피모스트랜지스터의 타측단과 접지전압 공급단 사이에 접속되고, 게이트가 상기 접지전압 공급단에 접속된 제2 피모스트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
10. 제 8 항에 있어서,

    상기 전압 분배부는

    일측이 상기 전원전압 공급단에 접속되고, 게이트가 상기 일측단에 접속된 제1 앤모스트랜지스터; 및

    상기 제1 앤모스트랜지스터의 타측단과 접지전압 공급단 사이에 접속되고, 게이트가 상기 제1 앤모스트랜지스터의 타측단에 접속된 제2 앤모스트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,

    상기 기준전압 공급부는

    셋팅된 값에 의해 전류량을 조절하여 공급하며 상기 전원전압 공급단에 접속된 제1 전류원

    상기 접지전압 공급단에 접속된 제2 전류원; 및

    상기 제1 전류원과 제2 전류원의 사이에 제공되는 저항을 구비하며, 상기 저항의 일측단으로 상기 분배전압을 입력받고, 타측으로 상기 기준전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
12. 제 6 항에 있어서,

    상기 전압레귤레이터는

    상기 기준 고전압과 접지전압을 구동전압으로 입력받고, 피드백전압을 정입력단에 상기 기준전압을 부입력단에 입력받는 연산증폭기; 및

    게이트로 상기 연산증폭기의 출력을 입력받으며, 상기 기준 고전압을 일측으로 입력받아 타측으로 상기 고전압을 출력하는 제1 피모스트랜지스터;

    일측과 벌크단자가 상기 제1 모스트랜지스터의 일측단에 접속되며, 게이트단은 타측에 접속되며, 타측단으로 상기 피드백전압을 제공하는 제2 피모스트랜지스터; 및

    일측과 벌크단자가 상기 제2 피모스트랜지스터의 타측단에 접속되며, 게이트단과 타측단이 접지전압 공급단사이에 접속된 제3 피모스트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
13. 제 12 항에 있어서

    상기 고전압은 상기 기준전압의 2배 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.

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