KR20060058123A - 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판 및 그의제조 방법 - Google Patents
표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판 및 그의제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060058123A KR20060058123A KR1020067003855A KR20067003855A KR20060058123A KR 20060058123 A KR20060058123 A KR 20060058123A KR 1020067003855 A KR1020067003855 A KR 1020067003855A KR 20067003855 A KR20067003855 A KR 20067003855A KR 20060058123 A KR20060058123 A KR 20060058123A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resin
- monomer mixture
- methacryl
- cell
- plate
- Prior art date
Links
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 122
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 122
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 64
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 63
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 claims description 26
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 21
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 8
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 7
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 4
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 claims description 4
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000006120 scratch resistant coating Substances 0.000 claims description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 28
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 26
- 230000006870 function Effects 0.000 description 20
- -1 acryloyloxy groups Chemical group 0.000 description 19
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 12
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 12
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 8
- 101100389216 Escherichia coli (strain K12) elbB gene Proteins 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101100126274 Escherichia coli (strain K12) iraM gene Proteins 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEJBBGNFPAFPKQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-prop-2-enoyloxyethoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOCCOC(=O)C=C LEJBBGNFPAFPKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFCMNSHQOZQILR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethoxy]ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOCCOC(=O)C(C)=C XFCMNSHQOZQILR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- INQDDHNZXOAFFD-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-prop-2-enoyloxyethoxy)ethoxy]ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOCCOCCOC(=O)C=C INQDDHNZXOAFFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC(=O)C=C KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 210000004087 cornea Anatomy 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229940059574 pentaerithrityl Drugs 0.000 description 2
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 2
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- MXFQRSUWYYSPOC-UHFFFAOYSA-N (2,2-dimethyl-3-prop-2-enoyloxypropyl) prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(C)(C)COC(=O)C=C MXFQRSUWYYSPOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVQMJJQUGGVLEP-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxy 2-ethylhexaneperoxoate Chemical compound CCCCC(CC)C(=O)OOOC(C)(C)C FVQMJJQUGGVLEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDGNCLDCOVTOCS-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxy propan-2-yl carbonate Chemical compound CC(C)OC(=O)OOC(C)(C)C KDGNCLDCOVTOCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPXVHIRIPLPOPT-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(2-hydroxyethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound OCCN1C(=O)N(CCO)C(=O)N(CCO)C1=O BPXVHIRIPLPOPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDYWHVQKENANGY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Butyleneglycol dimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C)CCOC(=O)C(C)=C VDYWHVQKENANGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKNLMAXAQYNOQZ-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O.CC(=C)C(O)=O.CC(=C)C(O)=O.CC(=C)C(O)=O.OCC(CO)(CO)CO XKNLMAXAQYNOQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)CO GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXNDIJDIPNCZQJ-UHFFFAOYSA-N 2,4,4-trimethylpent-1-ene Chemical compound CC(=C)CC(C)(C)C FXNDIJDIPNCZQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPGYCJUCJYUHTM-UHFFFAOYSA-N 2,4,4-trimethylpentan-2-yloxy 2-ethylhexaneperoxoate Chemical compound CCCCC(CC)C(=O)OOOC(C)(C)CC(C)(C)C DPGYCJUCJYUHTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVTLBBWTUPQRAY-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanobutan-2-yldiazenyl)-2-methylbutanenitrile Chemical compound CCC(C)(C#N)N=NC(C)(CC)C#N AVTLBBWTUPQRAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGYMOOZJFWIARO-UHFFFAOYSA-N 2-[(1-carboxy-1-hydroxypropyl)diazenyl]-2-hydroxybutanoic acid Chemical compound CCC(C(=O)O)(N=NC(CC)(C(=O)O)O)O PGYMOOZJFWIARO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWSSEYVMGDIFMH-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethoxy]ethoxy]ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOCCOCCOC(=O)C(C)=C HWSSEYVMGDIFMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTJWCLYPVFJWMP-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO PTJWCLYPVFJWMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKBHBVFIWWDGQX-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-3,3,4,4,5,5,5-heptafluoropent-1-ene Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(Br)=C XKBHBVFIWWDGQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- VEBFFMASUFIZKN-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylperoxy-3,3,5-trimethylhexanoic acid Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C(C(O)=O)OOC(C)(C)C VEBFFMASUFIZKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIISIZOQPWZPPS-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylperoxypropan-2-ylbenzene Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 BIISIZOQPWZPPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQMIAEWUVYWVNB-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC(C)CCOC(=O)C=C FQMIAEWUVYWVNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAMBAGZYTIDFBK-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylperoxy-2-methylpropan-1-ol Chemical compound CC(CO)COOC(C)(C)C CAMBAGZYTIDFBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,1,1-trifluorobutane Chemical compound FC(F)(F)CCCBr DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAPGBCWOQLHKKZ-UHFFFAOYSA-N 6-(2-methylprop-2-enoyloxy)hexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCOC(=O)C(C)=C SAPGBCWOQLHKKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N C[CH]O Chemical group C[CH]O GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N Lauroyl peroxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OOC(=O)CCCCCCCCCCC YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000135309 Processus Species 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical class C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULQMPOIOSDXIGC-UHFFFAOYSA-N [2,2-dimethyl-3-(2-methylprop-2-enoyloxy)propyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(C)(C)COC(=O)C(C)=C ULQMPOIOSDXIGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYIKRXIYLAGAKQ-UHFFFAOYSA-N abcn Chemical compound C1CCCCC1(C#N)N=NC1(C#N)CCCCC1 KYIKRXIYLAGAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWMFAFLIWMPZSX-UHFFFAOYSA-N bis[2-(4,5-dihydro-1h-imidazol-2-yl)propan-2-yl]diazene Chemical compound N=1CCNC=1C(C)(C)N=NC(C)(C)C1=NCCN1 LWMFAFLIWMPZSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000009749 continuous casting Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- CIKJANOSDPPCAU-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl cyclohexane-1,4-dicarboperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)C1CCC(C(=O)OOC(C)(C)C)CC1 CIKJANOSDPPCAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKCPCPKXFGQXGS-UHFFFAOYSA-N ditert-butyldiazene Chemical compound CC(C)(C)N=NC(C)(C)C GKCPCPKXFGQXGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Substances CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- QYZFTMMPKCOTAN-UHFFFAOYSA-N n-[2-(2-hydroxyethylamino)ethyl]-2-[[1-[2-(2-hydroxyethylamino)ethylamino]-2-methyl-1-oxopropan-2-yl]diazenyl]-2-methylpropanamide Chemical compound OCCNCCNC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NCCNCCO QYZFTMMPKCOTAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTJMBLSQUBVMS-UHFFFAOYSA-N n-[[2-cyanopropan-2-yl(formyl)amino]hydrazinylidene]formamide Chemical compound N#CC(C)(C)N(C=O)NN=NC=O CYTJMBLSQUBVMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000002921 oxetanes Chemical class 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920005650 polypropylene glycol diacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920005651 polypropylene glycol dimethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBCQUCJYYPMKRO-UHFFFAOYSA-N prop-2-enyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC=C FBCQUCJYYPMKRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- MWNQXXOSWHCCOZ-UHFFFAOYSA-L sodium;oxido carbonate Chemical compound [Na+].[O-]OC([O-])=O MWNQXXOSWHCCOZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- VEQHTYHLJYNSTG-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 9-tert-butylperoxy-9-oxononanoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)CCCCCCCC(=O)OC(C)(C)C VEQHTYHLJYNSTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWAXTRYEYUTSAP-UHFFFAOYSA-N tert-butyl ethaneperoxoate Chemical compound CC(=O)OOC(C)(C)C SWAXTRYEYUTSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N trimethylolethane Chemical compound OCC(C)(CO)CO QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOLUNJPVPZJLOM-UHFFFAOYSA-N trizinc;distiborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-][Sb]([O-])([O-])=O.[O-][Sb]([O-])([O-])=O SOLUNJPVPZJLOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/118—Anti-reflection coatings having sub-optical wavelength surface structures designed to provide an enhanced transmittance, e.g. moth-eye structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
- B29C39/003—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor characterised by the choice of material
- B29C39/006—Monomers or prepolymers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
- B29C39/02—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C39/026—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
- B29C39/14—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of indefinite length
- B29C39/148—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of indefinite length characterised by the shape of the surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
- B29C39/22—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C39/26—Moulds or cores
- B29C39/265—Moulds or cores comprising two large plates positioned at a small distance from each other, e.g. for making panels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/12—Reflex reflectors
- G02B5/122—Reflex reflectors cube corner, trihedral or triple reflector type
- G02B5/124—Reflex reflectors cube corner, trihedral or triple reflector type plural reflecting elements forming part of a unitary plate or sheet
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2033/00—Use of polymers of unsaturated acids or derivatives thereof as moulding material
- B29K2033/04—Polymers of esters
- B29K2033/12—Polymers of methacrylic acid esters, e.g. PMMA, i.e. polymethylmethacrylate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
본 발명은 양산성이 우수하며, 정말도가 높은 표면 미세 구조를 구비한 메타크릴계 수지 캐스트판(30)의 제조 방법을 개시한다. 원하는 표면 미세 구조에 대응하는 네가티브 패턴(14b)이 형성된 금형(14)을 제1 평판(20)에 고정한다. 제1 평판(20)과 제2 평판(22)을 대향시켜 셀(27)을 형성한다. 셀의 캐비티(26)의 한 면은 금형에 의해 구획된다. 그의 캐비티 내에 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물을 주입한다. 단량체 혼합물을 캐비티 내에서 중합 반응시켜 경화시킨다. 경화된 수지 성형체를 셀로부터 취출하여 원하는 치수로 잘라냄으로써, 캐스트판이 제조된다.
표면 미세 구조, 메타크릴계 수지 캐스트판, 네가티브 패턴, 주입 중합, 반사 방지 기능, 편광 분리 기능
Description
본 발명은 반사 방지 또는 편광 분리 등의 다양한 광학 특성을 실현하기 위한 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
종래 전자 기기의 디스플레이에는 반사 방지(AR) 기능을 갖는 광학 소자가 이용되며, 광 디스크에 대한 정보 기록 또는 광 디스크로부터의 정보 재생을 행하는 광 픽업에는 편광 분리 기능을 갖는 광학 소자가 이용된다. 이들의 광학 소자는 기체(基體) 위에 적층된 복수개의 막을 포함하는 다층막 구조를 구비하고 있다(일본 특허 공개 (평)11-312330호 공보 및 일본 특허 공개 제2000-76685호 공보 참조).
일반적으로 다층막 구조의 다층막은 서로 다른 굴절률을 가지며, 다층막의 종합적인 광학 특성에 의해 AR 기능 또는 편광 분리 기능과 같은 원하는 광학 기능이 얻어진다.
또한, AR 기능은 입사광의 반사 또는 산란을 억제하여 광학 소자의 투과율을 높이는 기능이다. 예를 들면, 휴대 전화 또는 컴퓨터의 디스플레이 표면에서 외광(입사광)이 반사 또는 산란되면, 시인성을 저하시키는 소위 투영이 발생된다. 따라서 디스플레이에서는 일반적으로 디스플레이 표면에서의 반사율을 저하시켜 입사광의 반사 또는 확산을 회피하고 있다.
또한, 편광 분리 기능은 서로 직교하는 편광면을 갖는 P 편광과 S 편광 중에서 한쪽 편광만이 광학 소자를 투과하는 것을 허용시키며, 다른 쪽을 반사시켜 P 편광과 S 편광을 분리하는 기능이다.
광학 필터 또는 위상차판 등의 다층막 구조의 광학 소자에서도 다층막의 종합적인 광학 특성을 이용하여 원하는 광학 특성을 실현시킨다.
발명의 개시
그런데, 다층막 구조를 구비한 광학 소자에서는 다층막을 구성하는 각막의 두께를 조절함으로써 원하는 광학 특성이 얻어진다. 그러나, 각막의 두께의 조절은 어려울 뿐만 아니라 성막 조건에 따라 굴절률에도 변동이 생기기 때문에 원하는 광학 특성이 얻어진다고 할 수는 없다. 또한, 다층막을 구성할 수 있는 막재의 종류가 한정되어 있으며, 광학 소자의 설계 자유도가 낮았다.
한편, 최근에는 반도체 가공 기술 또는 전자빔 가공 기술의 진보에 의해 빛의 파장 이하의 소위 서브 미크론 오더에서의 미세 가공 또는 미세 성형이 가능해지고 있다. 미세 가공에 의해 소자(기판)의 표면에 각종 광학 특성을 부여하는 각종 미세 구조 또는 미세 패턴을 형성하는 것이 가능해지고 있다. 따라서 현재는 미세 구조 또는 미세 패턴이 형성된 기판을 마스터(모형(母型))으로서 이용하며, 예를 들면 전기 주조법에 의해 금형을 제작하고, 이 금형을 이용한 사출 성형 또는 프레스 성형 등에 의해 투명 플라스틱 광학 소자를 저비용으로 양산하는 것이 검토되고 있다. 일본 특허 공개 제2001-201746호 공보는 미세 구조가 형성된 금형을 프레스기에 장착하며, 그의 금형을 투명한 플라스틱 평판에 압착시킴으로써 그의 평판에 미세 구조 또는 미세 패턴을 전사하는 방법을 제안하고 있다.
원하는 광학 특성을 얻기 위해서는 높은 종횡비의 미세 구조 또는 미세 패턴을 형성하는 것, 즉 미세 구조 또는 미세 패턴을 그의 반복 피치에 대하여 보다 깊게 형성하는 것이 필요하다. 그러나 사출 성형 또는 프레스 성형으로는 높은 종횡비를 갖는 서브 미크론 오더의 미세 구조를 형성하는 것은 기술적으로 곤란하다. 예를 들면 일본 특허 공개 제2001-201746호 공보에 기재된 방법에서는 금형에 설치된 산의 높이는 0.9 ㎛인데 비해, 평판에 전사된 산의 높이(오목부의 깊이)는 0.8 ㎛이며, 그의 전사율(전사 정밀도)은 88.9％에 지나지 않는다. 종래의 방법으로 서브 미크론 오더에서의 미세 가공을 행하면 전사율은 더욱 낮아진다. 종래의 성형 방법에서 서브 미크론 오더의 미세 구조를 전사한 경우, 전사율은 사출 성형에서 약 70 내지 80％, 프레스 성형에서 약 80 내지 90％인 것이 본원 발명자들에 의해 확인되었다.
본 발명의 목적은 양산성이 우수하며, 정밀도가 높은 표면 미세 구조를 구비한 메타크릴계 수지 캐스트판 및 그의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 한 양태는 유효 굴절률을 변화시킴으로써 원하는 광학 특성을 실현하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스 트판을 제공한다. 상기 메타크릴계 수지 캐스트판이 상기 표면 미세 구조에 대응하는 네가티브 패턴을 갖는 1개 이상의 내면을 구비한 셀 내에 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물을 주입하는 주입 중합에 의해 형성된 것이다.
한 실시 형태에서는, 상기 단량체 혼합물은 메타크릴산메틸을 주요제로 하는 단량체 혼합물이다. 바람직하게는, 상기 단량체 혼합물은 메타크릴산메틸의 단량체 50 중량％ 이상 및 상기 메타크릴산메틸과 공중합 가능한 다른 단량체를 함유하는 혼합물이다. 바람직하게는, 상기 메타크릴산메틸과 공중합 가능한 다른 단량체는 메타아크릴산 또는 그의 에스테르이다. 바람직하게는, 상기 메타크릴산메틸과 공중합 가능한 다른 단량체는 다관능 불포화단량체이다. 한 실시 형태에서는, 상기 단량체 혼합물은 라디칼 중합 개시제를 함유하고 있다. 한 실시 형태에서는, 상기 단량체 혼합물은 광 중합 개시제를 함유하고 있다. 한 실시 형태에서는, 상기 네가티브 패턴은 해당 메타크릴계 수지 캐스트판의 표면 처리용 도료 조성물이 도포된 표면을 가지며, 상기 메타크릴계 수지 캐스트판은 상기 주입 중합시에 상기 도료 조성물이 전사된 표층을 구비한다. 한 실시 형태에서는, 상기 표면 미세 구조의 네가티브 패턴에 대한 해당 메타크릴계 수지 캐스트판의 표면 미세 구조의 전사율이 94％ 이상이다. 한 실시 형태에서는, 상기 표면 미세 구조는 종횡비가 1 이상일 뿐만 아니라 피치가 150 내지 300 ㎚의 추(錐)형상의 돌기가 매트릭스상으로 설치된 반사 방지 구조이다.
본 발명의 별도의 양태는 유효 굴절률을 변화시켜 원하는 광학 특성을 실현하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판을 제조하는 방법을 제공한 다. 그 방법은 상기 표면 미세 구조에 대응하는 네가티브 패턴을 갖는 1개 이상의 내면을 구비한 셀을 준비하는 공정, 상기 셀 내에 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물을 주입하는 공정, 상기 단량체 혼합물을 상기 셀 내에서 중합 반응시키는 공정, 상기 중합 반응에 의해 고화된 수지체를 상기 셀로부터 취출하는 공정 및 상기 수지체를 원하는 치수로 잘라내는 공정을 구비한다.
본 발명의 또 다른 양태는 유효 굴절률을 변화시켜 원하는 광학 특성을 실현하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판을 제조하는 방법을 제공한다. 그 방법은 각 셀이 상기 표면 미세 구조에 대응하는 네가티브 패턴을 갖는 1개 이상의 내면을 구비하고 있는 벨트 컨베어식의 연속셀을 포함하는 주입조를 준비하는 공정, 상기 주입조 내에 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물을 주입하는 공정, 상기 단량체 혼합물을 상기 주입조 내에서 중합 반응시키는 공정 및 상기 중합 반응에 의해 고화된 수지체를 원하는 치수로 잘라내는 공정을 구비한다.
한 실시 형태에서는, 상기 단량체 혼합물은 라디칼 중합 개시제를 함유하고 있으며, 상기 중합 반응시키는 공정은 상기 단량체 혼합물의 중합 반응을 가속하기 위한 가열 처리 공정을 포함한다.
한 실시 형태에서는, 상기 단량체 혼합물은 광 중합 개시제를 함유하고 있으며, 상기 중합 반응시키는 공정은 상기 단량체 혼합물의 중합 반응을 가속하기 위한 자외선 조사 처리 공정을 포함한다.
한 실시 형태에서는, 상기 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물을 주입하는 공정에 앞서서, 상기 네가티브 패턴을 갖는 1개 이상의 내면에 상기 메타크릴계 수지 캐스트판의 표면 처리용 도료 조성물을 도포하는 공정을 추가로 구비한다.
한 실시 형태에서는, 기판의 표면에 상기 표면 미세 구조의 패턴을 갖는 마스크를 형성하는 공정, 상기 마스크를 이용하여 상기 기판을 에칭함으로써, 상기 표면 미세 구조를 갖는 마스터를 제작하는 공정 및 상기 마스터를 이용하여 상기 네가티브 패턴을 갖는 금형을 전기 주조에 의해 제작하는 공정을 추가로 구비하며, 상기 셀을 준비하는 공정은 상기 금형을 이용하여 상기 셀의 상기 1개 이상의 내면을 제공하는 것을 포함한다.
한 실시 형태에서는, 기판의 표면에 상기 표면 미세 구조의 패턴을 갖는 마스크를 형성하는 공정, 상기 마스크를 이용하여 상기 기판을 에칭함으로써, 상기 표면 미세 구조를 갖는 마스터를 제작하는 공정, 상기 마스터와 투광성 판재 간의 간극에 자외선 경화 수지를 주입하는 공정 및 상기 마스터와 상기 투광성 판재를 접촉시킨 상태에서 상기 투광성 판재를 통하여 자외선을 상기 자외선 경화성 수지에 조사하여 상기 자외선 경화 수지를 경화시킴으로써 상기 네가티브 패턴을 갖는 수지층을 형성하는 공정을 추가로 구비하며, 상기 셀을 준비하는 공정은 상기 수지층을 이용하여 상기 셀의 상기 1개 이상의 내면을 제공하는 것을 포함한다.
상기 셀을 준비하는 공정은 상기 마스터의 복수개 만큼에 상당하는 면적을 갖는 상기 금형 또는 상기 수지층을 이용하여 상기 1개 이상의 내면을 제공하는 것을 포함한다.
상기 셀을 준비하는 공정은 상기 네가티브 패턴을 갖는 1개 이상의 내면을 제공하는 부재를 상기 셀에 착탈 가능하게 부착하는 것을 포함한다.
상기 마스터를 제작하는 공정은 종횡비가 1 이상일 뿐만 아니라 피치가 150 내지 300 ㎚의 추형상의 돌기가 매트릭스상으로 배열된 표면을 형성하는 것을 포함한다.
본 발명의 별도의 양태는 광학 특성을 구비한 광학 수지판을 제공한다. 그의 수지판은 상기 광학 특성을 발휘하는 표면 미세 구조가 형성된 1개 이상의 표면을 가지며, 균일한 조성을 갖는 수지 기판을 구비한다. 상기 표면 미세 구조는 150 내지 300 ㎚의 피치로 형성된 복수개의 추형상 돌기를 포함하며, 각 추형상 돌기의 종횡비가 1 이상이다.
상기 광학 수지판은 상기 복수개의 추형상 돌기를 덮도록 상기 수지 성형체의 표면에 부여된 피막을 구비하는 것이 바람직하다. 한 실시 형태에서는, 상기 피막은 상기 복수개의 추형상 돌기를 보호하는 내찰상성 피막이다. 한 실시 형태에서는, 상기 피막이 상기 캐스트판의 대전을 방지하는 도전성 미립자를 포함하는 청구항 26 또는 27에 기재된 광학 수지판. 한 실시 형태에서는, 상기 수지 기판은 메타크릴계 수지를 포함한다. 한 실시 형태에서는, 상기 메타크릴계 수지가 메타크릴산메틸을 포함하는 중합체이다. 한 실시 형태에서는, 상기 메타크릴계 수지가 메타크릴산메틸과 다른 단량체의 공중합체를 포함한다. 한 실시 형태에서는, 상기 광학 특성이 반사 방지 특성이다.
본 발명에 따르면 중합 반응을 거쳐서 고화됨으로써, 매우 높은 전사율로 미세 구조 패턴이 전사된 표면을 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판이 얻어진다. 표면의 미세 구조에 따라 그의 캐스트판은 원하는 광학 특성을 구비한 광학 소자로서 유용하다. 또한, 본 발명으로서는 주입 중합을 채용함으로써, 그의 생산성도 자연히 향상되며, 정밀도가 매우 높은 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판을 대량 또는 염가로 제공할 수 있다.
[도 1] (a) 내지 (d)는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조에 사용되는 마스터의 제조 공정을 나타내는 개략 단면도.
[도 2] (a) 내지 (c)는 마스터의 제조 공정을 나타내는 개략 단면도. (d)는 마스터의 개략 사시도.
[도 3] 마스터를 이용한 금형의 형성 공정을 나타내는 모식도.
[도 4] 셀의 형성 공정을 나타내는 사시도.
[도 5] 셀의 형성 공정을 나타내는 사시도.
[도 6] 셀의 형성 공정을 나타내는 사시도.
[도 7] 도 6의 평면도.
[도 8] 셀의 형성 공정을 나타내는 사시도.
[도 9] 도 8의 A-A 단면에 대응하는 셀의 단면도.
[도 10] 단량체 혼합물의 주입 공정을 나타내는 사시도.
[도 11] 단량체 혼합물의 중합 공정을 나타내는 사시도.
[도 12] 셀로부터 메타크릴계 수지 캐스트판을 취출하는 공정을 나타내는 사시도.
[도 13] 본 발명의 제1 실시 형태의 메타크릴계 수지 캐스트판의 모식적 사 시도.
[도 14] 도 13의 캐스트판의 B-B 선에 따른 단면도.
[도 15] 제1 실시 형태의 메타크릴계 수지 캐스트판 및 종래의 다층 반사 방지막을 갖는 광학 소자에 대하여 반사율과 파장의 관계를 나타내는 그래프.
[도 16] 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조 방법을 나타내는 모식도.
[도 17] 제2 실시 형태의 셀의 단면도.
[도 18] 셀의 변형예를 도시하는 단면도.
[도 19] 대형 셀의 변형예를 도시하는 사시도.
[도 20] 연속 캐스트식의 주입 중합을 행하는 장치의 모식도.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
이하, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 메타크릴계 수지 캐스트판 및 그의 제조 방법을 설명한다.
제1 실시 형태에 관한 메타크릴계 수지 캐스트판은 매우 정밀도가 높은 미세 구조를 갖는 표면을 구비한다. 미세 구조에 의해 높은 AR(반사 방지 또는 무반사) 기능이 실현된다.
이하, 캐스트판의 제조 방법에 대하여 설명한다. 제1 실시 형태에 관한 캐스트판의 제조 방법은 크게는 이하의 공정 A 내지 D를 포함하며, 대향하는 2매의 평판 또는 복수매의 평판에 의해 구획되는 1개 이상의 셀로 반복 주입을 행하는 소위 회분식 캐스트법을 채용한다.
공정 A: 1개 이상의 캐비티면에 원하는 표면 미세 구조에 대응하는 네가티브(반전) 패턴이 설치된 셀(27)(도 9)을 형성한다.
공정 B: 셀(27)에 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물을 주입한다(도 10).
공정 C: 주입한 단량체 혼합물을 셀(27) 내에서 중합 반응시킨다(도 11). 중합 반응에 의해 단량체 혼합물은 고화된다.
공정 D: 고화된 수지체(캐스트판(30))를 셀(27)로부터 취출하며, 수지 캐스트판(30)을 원하는 치수로 잘라낸다(도 12 및 도 13).
우선, 공정 A에 앞서서 행해지는 네가티브 패턴을 갖는 금형을 제작하기 위한 전 처리 공정에 대하여, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다. 전 처리 공정은 이하의 공정 a1 및 b1을 포함한다.
a1: 기판의 표면에 레지스트를 도포하여 미세 구조의 패턴을 묘화 및 현상한 후, 적절한 마스크를 형성하고, 상기 마스크를 바탕으로 에칭을 행하여 상기 미세 구조를 갖는 마스터(모형)(13)를 제작한다(도 1 및 도 2).
b1: 마스터(13)를 이용하여 전기 주조에 의해 미세 구조를 부여하는 스탬퍼로서 사용되는 금형(14)을 제작한다(도 3).
공정 a1에서는 우선, 도 1(a)에 도시된 바와 같이, 예를 들면 실리콘(Si) 또는 석영 등을 포함하는 기판(10)에 레지스트(11)를 도포한다. 그리고 레지스트(11)에 전자빔 묘화 또는 2광속 간섭 노광 등에 의해 미세 구조의 패턴을 묘화하여 현상함으로써 도 1(b)에 도시된 레지스트 패턴을 형성한다.
다음으로 도 1(c)에 도시된 바와 같이, 레지스트 패턴의 표면측으로부터 크롬(Cr)의 증착을 행한다. 리프트 오프에 의해 크롬(Cr) 막(12)만을 남긴다. 계속해서 레지스트(11)를 제거함으로써 도 1(d)에 도시된 바와 같이 기판(10)의 위에 크롬(Cr) 마스크(12a)를 형성한다. 마스크(12a)의 패턴은 가시광 파장 이하의 서브 미크론 오더의 미세 패턴, 구체적으로는 250 ㎚ 내지 300 ㎚의 반복 피치(P)를 갖는 2차원의 패턴이다. 제1 실시 형태에서는 상면으로부터 본 경우, 마스크(12a)는 매트릭스상의 패턴이다.
그 후, 크롬(Cr) 마스크(12a)를 이용하여 기판(10)의 표면(10a)을 에칭한다. 제1 실시 형태에서는, 기판(10)을 반응 가스를 이용한 반응성 이온 에칭에 의해 에칭한다. 반응 가스로서는 C4F8과 CH2F2를 소정의 비율로 혼합한 혼합 가스 또는 CHF3을 사용할 수 있다. C4F8과 CH2F2의 혼합 가스를 이용한 경우의 에칭 조건은 다음과 같다.
가스 압력: 0.5 Pa
안테나 파워: 1500 W
바이어스 파워: 450 W
C4F8/CH2F2: 16/14 sc㎝
에칭 시간: 60초
안테나 파워는 플라즈마 생성을 위해 에칭 장치 내의 안테나에 인가되는 고주파 전력이다. 바이어스 파워는 기판(10)의 위에 플라즈마를 인입하기 위해 인가되는 고주파 전력이다. 반응 가스 중의 CH2F2의 혼합 비율은 10 내지 50％의 사이에서 조정할 수 있다. CH2F2의 비율이 10％보다도 낮은 경우에는 에칭으로 제거되는 오목부의 각도가 지나치게 커지며, 돌기부의 종횡비가 1.0 이하가 되어버린다. 반대로 CH2F2의 비율이 50％보다도 높은 경우에는 에칭으로 제거되는 오목부가 라운딩을 띤 U자 오목부가 되어버린다.
도 2(a) 내지 (c)는 기판(10)의 에칭을 단계적으로 나타낸다. 에칭이 진행됨에 따라 크롬(Cr) 마스크(12a)로부터 노출된 표면 뿐만 아니라, 크롬(Cr) 마스크(12a)도 서서히 에칭되어 그의 직경이 축소된다. 최종적으로는 도 2(c)에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 표면에 소정의 선단각(테이퍼각)을 갖는 추형상(원추형)의 돌기(1Ob)를 구비한 반사 방지 기능을 갖는 표면 미세 구조가 형성된다. 제1 실시 형태에서는 돌기(10b)의 높이(T1)가 300 내지 500 ㎚가 되도록, 에칭 조건(반응 가스 중의 CH2F2의 혼합 비율 등)을 정하고 있다. 돌기(10b)의 피치(P1)는 도 1(d)의 피치(P)와 대응하고 있다.
이상의 처리를 거쳐서 도 2(d)에 도시한 바와 같은 표면 미세 구조를 갖는 마스터(13)가 제작된다.
다음으로 도 3에 도시된 바와 같이, 마스터(13)를 이용하여 금형(14)을 제작한다(공정 b). 금형(14)은 예를 들면 니켈(Ni)을 이용한 전기 주조 공정에 의해 제작된다.
제1 실시 형태에서는 마스터(13)에 대하여, 스퍼터링법으로 니켈(Ni)의 박막을 수백 Å의 막 두께로 형성하며, 이것을 도전막으로 한다. 계속해서 니켈 박막을 포함하는 도전막에 직접 니켈 전기 주조를 행하여 상기 니켈을 포함하는 금속층을 적층시킨다. 적층시킨 금속층을 마스터(13)로부터 박리하여 금형(14)을 얻는다.
이러한 전기 주조 가공에 의해 금형(14)에는 마스터(13)의 미세 구조(미세 패턴)의 반전 구조(네가티브 패턴)가 거의 충실하게 전사된다. 이하의 설명에서는 네가티브 패턴을 반전 패턴이라고 부르는 경우가 있다.
이와 같이 공정 A에 앞서서, 네가티브 패턴을 갖는 금형(14)을 제작해 둠으로써 공정 A 이후의 공정을 효율적으로 실행할 수 있다.
다음으로 공정 A에 대하여 도 4 내지 도 9를 참조하여 설명한다. 덧붙여서 말하면, 공정 A는 상술한 바와 같이 네가티브 패턴이 설치된 셀(27)을 형성하는 공정이다.
제1 실시 형태에서는 2매의 평판(20), (22)에 의해 캐비티(26)가 구획된다. 그 때문에 평판(20), (22)는 후술하는 메타크릴산메틸을 주요제로 하는 단량체 혼합물이 침범하지 않는 유리 또는 금속제인 것이 바람직하다. 제1 실시 형태에서는 2매의 평판(20), (22)의 두께는 메타크릴계 수지 캐스트판의 두께에 따라 2.0 내지 5.0 ㎝ 정도이다.
도 4는 셀(27)을 구성하는 2매의 평판 중 한쪽에 금형(14)을 부착하는 공정을 나타내는 분해 사시도이다.
도 4에 도시된 바와 같이 금형(14)은 제1 평판(20)에 부착된다. 제1 평판(20)의 외형 치수는 금형(14)의 외형 치수와 대략 동등하다. 평판(20)의 각 각에는 금형(14)을 고정하기 위한 나사 구멍(20a)이 형성되어 있다. 금형(14)의 각 각에 나사 구멍(20a)에 대응하는 개공(관통 구멍)(14a)이 형성되어 있다. 네가티브 패턴(오목부(14b))이 형성되어 있는 면이 노출되도록 금형(14)을 평판(20)의 상면에 얹어 놓고, 금형(14)의 개공(14a) 및 대응하는 평판(20)의 나사 구멍(20a)에 나사(21)를 나입(螺入)함으로써, 금형(14)을 평판(20)에 고정한다. 이에 따라 네가티브 패턴을 일체로 구비하는 평판(20)이 얻어진다.
그 후, 평판(20)의 표면, 정확하게는 금형(14)의 네가티브 패턴(오목부(14b))이 형성되어 있는 면에 메타크릴계 수지 캐스트판의 표면 처리용 도료 조성물을 도포한다(도시 생략). 제1 실시 형태에서는 이 도료 조성물의 주요제(주성분)는 표면 미세 구조의 보호 기능을 가진 경화성 화합물이다. 경화성 화합물은 자외선 또는 전자선과 같은 방사선의 조사 또는 온풍, 온수 및 적외선 히터 등의 열원에 의한 가열에 의해 경화되어 내찰상성 피막을 형성한다. 대전 방지성을 실현하는 도전성 미립자 및 도료의 점도를 조정하는 용매 또는 경화 촉매 등의 첨가물을 경화성 화합물과 혼합할 수 있다.
경화성 화합물로서는 아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 카르복실기 변성 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 공중합계 아크릴레이트, 지환식 에폭시 수지, 글리시딜에테르에폭시 수지, 비닐에테르 화합물 및 옥세탄 화합물 등을 들 수 있다. 이 중에서도 피막에 높은 내찰상성을 부여하는 경화성 화합물로서는 다관능 아크릴레이트계, 다관능 우레탄아크릴레이트계 및 다관능 에폭시아크릴레이트계 등의 라디칼 중합계의 경화성 화합물 또는 알콕시실란 및 알킬알콕시실란 등의 열 중합계의 경화성 화합물을 들 수 있다. 이들의 경화성 화합물은 각각 단독으로 이용할 수도 있으며, 복수개의 화합물을 조합하여 이용할 수도 있다.
상술한 경화성 화합물 중에서도 바람직한 것은 분자 중에 3개 이상의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 화합물이다. 예를 들면:
트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올에탄트리(메트)아크릴레이트, 글리세린트리(메트)아크릴레이트, 펜타글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리 또는 테트라-(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리-, 테트라-, 펜타- 또는 헥사-(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨테트라-, 펜타-, 헥사- 또는 헵타-(메트)아크릴레이트와 같은 3가 이상의 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트;
분자 내 이소시아네이트기를 2개 이상 갖는 화합물에 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트 단량체를 이소시아네이트기에 대하여 수산기가 동일한 몰 이상이 되는 비율로 반응시켜 얻어지며, 1 분자 중의 (메트)아크릴로일옥시기의 수가 3개 이상이 된 우레탄(메트)아크릴레이트(예를 들면, 디이소시아네이트와 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트의 반응에 의해 3 내지 6관능의 우레탄(메트)아크릴레이트가 얻어진다);
트리스(2-히드록시에틸)이소시아누르산의 트리(메트)아크릴레이트.
경화성 화합물로서는 예시한 단량체를 그대로 이용할 수도 있으며, 그의 2량체 및 3량체 등의 올리고머를 이용할 수도 있고, 단량체와 올리고머를 병용할 수도 있다.
3개 이상의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 화합물은 도료 조성물의 고형분 100 중량부 당 50 중량부 이상, 또는 60 중량부 이상의 함유량으로 이용하는 것이 바람직하다. 3개 이상의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 경화성 화합물의 함유량이 50 중량부 미만이면 표면 경도가 불충분해질 우려가 있다.
또한, (메트)아크릴로일옥시기는 아크릴로일옥시기 또는 메타크릴로일옥시기를 말한다. 그 외에 본 명세서에서 (메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴산의 (메트)에 대해서도 마찬가지다.
피막에 대전 방지성을 부여하는 도전성 무기 입자로서는 예를 들면, 안티몬이 도핑된 산화 주석, 인이 도핑된 산화 주석, 산화 안티몬, 안티몬산 아연, 산화 티탄 및 ITO(인듐 주석 산화물) 등을 들 수 있다. 도전성 무기 입자의 입경은 입자의 종류에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 통상적으로 0.5 ㎛ 이하이다. 내찰상성 피막의 대전 방지성 또는 투명성의 관점에서, 평균 입경이 0.001 ㎛ 이상, 0.1 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 도전성 무기 입자의 평균 입경이 0.1 ㎛를 초과하는 경우에는, 내찰상성 피막의 헤이즈(담가(曇價))가 커져 투명성의 저하가 우려되기 때문에, 보다 바람직한 평균 입경은 0.001 ㎛ 이상, 0.05 ㎛ 이하이다. 도전성 무기 입자의 사용량은 경화성 화합물 100 중량부에 대하여 통상적으로 2 내지 50 중량부 정도, 바람직하게는 3 내지 20 중량부 정도이다. 경화성 화합물 100 중량부에 대하여 도전성 무기 입자의 사용량이 2 중량부 미만인 경우에는 대전 방지성 향상 효과가 떨어진다. 한편, 사용량이 50 중량부를 초과하는 경우에는 경화막의 투명성이 저하될 우려가 있다.
도전성 무기 입자는 예를 들면, 기상 분해법, 플라즈마 증발법, 알콕시드 분해법, 공침법 및 수열법 등에 의해 제조할 수 있다. 또한 도전성 무기 입자의 표면은 예를 들면, 비이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 실리콘계 커플링제 및 알루미늄계 커플링제 등으로 처리될 수도 있다.
도료 조성물의 점도를 조정하는 용매로서는 경화성 화합물을 용해할 수 있을 뿐만 아니라 도료 조성물을 도포 후에 휘발되는 것이 바람직하다. 용매로서는 예를 들면, 디아세톤알코올, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 및 1-메톡시-2-프로판올과 같은 알코올류, 아세톤, 메틸에틸케톤 및 메틸이소부틸케톤과 같은 케톤류, 톨루엔 및 크실렌과 같은 방향족 탄화수소류, 아세트산에틸과 같은 에스테르류, 2-에톡시에탄올 및 2-부톡시에탄올과 같은 셀로솔브류 및 물 등을 들 수 있다. 도료 조성물 중에서의 용매의 사용량은 특별히 한정되지 않으며, 경화성 화합물의 성형에 따라 조정된다.
도료 조성물에 용매를 혼합함으로써 도전성 무기 입자의 도료 조성물 내에서의 분산을 촉진시킬 수 있다. 도전성 무기 입자를 혼합할 때는 예를 들면, 용매에 도전성 무기 입자를 혼합한 후에 경화성 화합물과 혼합할 수도 있고, 경화성 화합물과 용매의 혼합물에 도전성 무기 입자를 첨가하여 혼합할 수도 있다.
도료 조성물을 자외선으로 경화시키는 경우, 해당 도료 조성물에는 광 중합 개시제가 첨가되어 있는 것이 바람직하다. 광 중합 개시제로서는 예를 들면, 벤질 및 벤조페논 또는 그의 유도체, 티오크산톤류, 벤질디메틸케탈류, α-히드록시알킬페논류, 히드록시케톤류, 아미노알킬페논류 및 아실포스핀옥시드류 등을 들 수 있다. 광 중합 개시제의 첨가량은 경화성 화합물 100 중량부에 대하여 0.1 내지 5 중량부의 범위인 것이 일반적이다. 경화성 도료가 용매를 함유하는 경우에는, 도료 조성물을 도포하여 용매를 휘발시키고, 그 후에 경화성 피막을 경화시킬 수도 있으며, 용매의 휘발과 경화성 피막의 경화를 동시에 즉 병행하여 행할 수도 있다.
이하, 제1 평판(20)과 협동하여 캐비티(26)를 구획하는 제2 평판(22)에 대하여 상술한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제2 평판(22)의 표면(22a)에는 그 외연에 따라, 3개의 판 두께 조정용의 각재(23)가 접착제 등의 고정 부재에 의해 고정되어 있다. 각 각재(23)의 두께(L)는 캐스트판(30)과 대략 동등한 두께를 갖는다. 제1 실시 형태에서는 캐스트판(30)의 두께는 약 0.2 내지 10 mm의 범위이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 3개의 각재(23)의 내측에는 실리콘 수지 등의 탄성 재료를 포함하는 튜브(24)가 각재(23)에 따라서 배치되어 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 튜브(24)는 각재(23)의 두께(L), 즉 원하는 캐스트판의 두께보다 약간 큰 외경을 갖는다.
도 8에 도시된 바와 같이, 각재(23) 및 튜브(24)가 제1 평판(20)의 네가티브 패턴을 둘러싸도록 제1 평판(20)과 제2 평판(22)을 대면시킨다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제1 평판(20)과 제2 평판(22)을 체결 부재(25)로 체결한다. 이에 따라 튜브(24)가 탄성 변형되며, 평판(20) 및 (22)가 각재(23)의 두께(L)만큼 이간되어 대향하고, 튜브(24)에 의해 밀봉된 캐비티(26)가 구획된다. 이와 같이 하여 셀(27)이 완성된다. 도 9는 셀(27)이 완성된 상태에서의, 도 8의 A-A선에 따른 단면도에 상응한다.
다음으로, 공정 B로서 도 10에 도시된 바와 같이 완성된 셀(27) 내(캐비티(26))에 메타크릴산메틸을 주요제로 하는 단량체 혼합물(M)을 주입한다. 도 10에는 체결 부재(25)는 도시되어 있지 않다.
단량체 혼합물(M)로서는 50 중량％ 이상의 메타크릴산메틸의 단량체와 상기 메타크릴산메틸과 공중합 가능한 다른 단량체를 포함하는 혼합물이 이용된다.
상기 공중합 가능한 다른 단량체로서는 예를 들면, (메트)아크릴산 또는 그의 에스테르가 있다. (메트)아크릴산에스테르로서는 예를 들면:
(메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실 및 (메트)아크릴산라우릴 등의 (메트)아크릴산과 지방족 알코올의 에스테르;
(메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, (메트)아크릴산이소보르닐 및 (메트)아크릴산시클로헥실 등의 (메트)아크릴산과 지환족 알코올의 에스테르;
(메트)아크릴산벤질 등의 (메트)아크릴산과 방향족 알코올과의 에스테르 등의 (메트)아크릴산과 알코올의 에스테르;
(메트)아크릴산 히드록시에틸, (메트)아크릴산히드록시프로필 및 (메트)아크릴산히드록시부틸 등의 (메트)아크릴산히드록시알킬에스테르 등이 있다.
(메트)아크릴산계 단량체는 원하는 특성에 따라 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. (메트)아크릴산계 단량체는 분자 내에 라디칼 중합 가능한 이중 결합을 1개 갖는 단관능 불포화 단량체이며, 메타크릴산계 단량체와 공중합할 수 있는 화합물이다.
계속해서, 공정 C로서 셀(27) 내(캐비티(26))에서 단량체 혼합물(M)을 중합 반응시킨다. 제1 실시 형태에서는 단량체 혼합물(M)은 라디칼 중합 개시제를 함유하며, 단량체 혼합물(M)을 가열하여 중합 반응을 촉진하고 있다. 단량체 혼합물(M)에 라디칼 중합 개시제를 첨가하는 시점은 중합 반응 전이면 특별히 한정되지 않는다.
도 11은 단량체 혼합물(M)이 주입된 셀(27)을 나타낸다. 실제로는, 1개 또는 복수개의 셀(27)을 도시하지 않은 중합조에 수용하여, 온풍, 온수 또는 적외선 히터 등의 도시하지 않은 열원에 의한 가열 처리를 행한다. 일반적으로 열 온도는 50 내지 130 ℃이며, 가열 시간은 수십 분 내지 수십 시간이다. 가열 처리 조건은 라디칼 중합 개시제의 종류 또는 첨가량에 따라 변경할 수 있다. 가열 처리를 통하여 단량체 혼합물(M)의 중합 반응이 가속되며, 최종적으로 단량체 혼합물(M)은 고화되어 균일한 조성을 갖는 수지 성형체(캐스트판(30))가 얻어진다.
또한, 제1 평판(20)의 표면(금형(14)의 네가티브 패턴면)에 부착하고 있던 내찰상성 피막은 이 중합(주입 중합)과정에서 수지 성형체에 흡착되며, 수지 성형체의 표층이 된다.
제1 실시 형태에서 채용 가능한 라디칼 중합 개시제로서는 예를 들면:
1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 2,2'-아조비스(2,4,4-트리메틸펜텐), 2,2'-아조비스(2-메틸프로판), 2-시아노-2-프로필아조포름아미드, 2,2'-아조비스(2-히드록시-메틸프로피오네이트), 2,2'-아조비스(2-메틸-부티로니트릴), 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판] 및 디메틸2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트) 등의 아조 화합물;
디쿠밀퍼옥시드, t-부틸쿠밀퍼옥시드, 디-t-부틸퍼옥시드, 벤조일퍼옥시드 및 라우로일퍼옥시드 등의 디알킬퍼옥시드계 개시제;
t-부틸퍼옥시-3,3,5-트리메틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시라우레이트, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, t-부틸퍼옥시아세테이트, 디-t-부틸퍼옥시헥사히드로테레프탈레이트, 디-t-부틸퍼옥시아젤레이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 및 t-아밀퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 등의 퍼옥시에스테르계 개시제;
t-부틸퍼옥시알릴카르보네이트 및 t-부틸퍼옥시이소프로필카르보네이트 등의 퍼카르보네이트계 개시제;
1,1-디-t-부틸퍼옥시시클로헥산, 1,1-디-t-부틸퍼옥시-3,3,5-트리메틸시클로헥산 및 1,1-디-t-헥실퍼옥시-3,3,5-트리메틸시클로헥산 등의 퍼옥시케탈계 개시제등이 있다.
상기한 라디칼 중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 라디칼 중합 개시제의 첨가량은 메타크릴산메틸을 주요제로 하는 불포화 단량체 혼합물의 100 중량부 당 0.01 중량부 내지 1 중량부 이하인 것이 바람직하다. 이 첨가량이 0.01 중량부보다 적은 경우에는 중합 반응에 장시간을 요한다. 한편, 1 중량부를 초과한 경우에는 중합 반응의 제어가 곤란해지는 경우가 있다.
그 후, 공정 D로서 도 12에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 평판(20), (22)의 체결을 해제하여 셀(27)을 분해하고, 단량체 혼합물(M)이 고화된 캐스트판(30)을 상기 셀(27)로부터 취출한다.
캐스트판(30)의 영역(Z)에는 금형(14)의 네가티브 패턴이 전사된 돌기(30a)가 형성되어 있다.
캐스트판(30)을 원하는 치수로 잘라냄으로써 도 13에 도시된 바와 같이 한 표면의 전체 면을 차지하도록 형성된 복수개의 돌기(30a)를 포함하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판(30)이 완성된다.
다음으로, 캐스트판(30)의 구조에 대하여 설명한다. 도 14에 도시된 바와 같이 메타크릴계 수지 캐스트판(30)의 표면에는 네가티브 패턴이 전사된 돌기(30a)가 형성되어 있다. 돌기(30a)의 피치(P2)는 250 ㎚ 내지 300 ㎚이며, 높이(T2)는 300 ㎚ 내지 500 ㎚ 이다. 도 2(c)에 도시한 마스터(13)로부터 도 3에 도시한 금형(14)을 제작할 때, 다소의 정밀도적인 열화(劣化)를 수반하지만, 금형(14)으로부터 캐스트판(30)에 대한 전사율은 거의 94％ 이상인 것이 발명자들에 의해 확인되었다. 피치(P2)와 높이(T2)가 전사율의 높이를 뒷받침하고 있다.
또한, 도 14에 도시된 바와 같이 메타크릴계 수지 캐스트판(30)은 금형(14)의 표면으로부터 전사된 내찰상성 피막(30b)을 포함하는 표층을 일체로 갖는다.
도 15는 제1 실시 형태의 캐스트판(30)과 종래의 다층막을 채용한 AR 광학 소자에 대하여 반사율과 파장 의존성의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 15에서 (TM)은 증착법을 이용하여 형성된 다층막을 채용한 AR 광학 소자(종래 기술)의 특성을 나타내고 있다. (MC)는 돌기(30a)의 피치와 종횡비가 각각 300 ㎚와 1인 미세 구조 패턴을 갖는 캐스트판(본 발명)의 특성을 나타내고 있다. 도 15에는 미세 구조 패턴의 반사율과 파장의 관계를 보다 정확하게 조사하기 위해, 내찰상성 피막(30b)이 형성되어 있지 않은 캐스트판(30)에 대하여 측정한 특성을 나타내었다.
도 15로부터 밝힌 바와 같이 다층막을 채용한 AR 광학 소자(TM)에서는 약 400 ㎚ 내지 580 ㎚의 파장 영역에서 반사율이 1％ 이하이지만, 그 밖의 파장 영역에서는 반사율을 낮게 억제할 수 없다. 이에 대하여 캐스트판(30)(MC)에서는 가시광의 거의 모든 파장 영역에서 반사율이 낮으며, 본 발명의 캐스트판(30)은 높은 반사 방지 기능을 구비하고 있다는 것을 알 수 있다. 즉, 상기한 미세 구조 패턴을 갖는 캐스트판(30)은 보다 넓은 파장 영역에서 바람직한 무반사 기능을 실현할 수 있다는 것을 알 수 있다.
제1 실시 형태에 따르면 이하의 우수한 효과가 얻어진다.
(1) AR 기능을 실현하는 표면 미세 구조의 네가티브 패턴이 배치된 셀(27) 내에 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물(M)을 주입하며, 이것을 셀(27) 내에서 중합 반응시키는, 소위 주입 중합에 의해 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판(30)이 제조된다. 미세한 네가티브 패턴의 세부까지 단량체 혼합물(M)이 널리 퍼지며, 중합 반응을 거쳐 고화되었을 때, 메타크릴계 수지 캐스트판(30)에는 AR 기능을 실현하는 표면 미세 구조 패턴이 매우 높은 전사율로 전사된다. 또한 주입 중합을 채용함으로써, 메타크릴계 수지 캐스트판(30)의 생산성이 향상된다. 이 때문에 매우 정밀도가 높은 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판(30)을 대량 또는 염가로 제공할 수 있다.
(2) 메타크릴산메틸의 단량체 50 중량％ 이상 및 상기 메타크릴산메틸과 공중합 가능한 다른 단량체를 함유하는 단량체 혼합물(M)이 이용된다. 이에 따라, 투명성, 내후성 및 경성이 높은 메타크릴계 수지 캐스트판(30)이 얻어진다.
(3) 라디칼 중합 개시제가 첨가된 단량체 혼합물(M)이 셀(27) 내에서 가열 처리된다. 이에 따라, 단량체 혼합물(M)의 중합 반응이 바람직하게 촉진된다.
(4) 셀(27)에 단량체 혼합물(M)을 주입하기에 앞서서, 경화성 화합물 또는 도전성 미립자를 포함하는 도료 조성물을 금형(14)의 네가티브 패턴 표면에 도포하였다. 주입 중합에 따라 상기 도포한 도료 조성물이 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 표층에 흡착되며, 내찰상성 피막(30b)이 캐스트판에 부여된다. 내찰상성 피막(30b)은 표면 미세 구조를 보호하는 기능(하드 코팅) 또는 대전 방지 기능을 가지며, 해당 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 신뢰성 및 실용성을 향상시킨다. 덧붙여서 말하면, 메타크릴계 수지의 성형체는 본래 표면 처리되기 어렵지만, 이와 같이 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물(M)의 중합 반응과 동시에 도료 조성물의 부착이 행해짐으로써 상기 메타크릴계 수지의 표층에 도료 조성물에 의한 적확한 표면 처리를 행할 수 있다. 제1 실시 형태에서는 셀(27)로부터 취출할 때, 이미 캐스트판(30)의 표면은 내찰상성 피막(30b)으로 덮여있다. 그 때문에 메타크릴산메틸을 주요제로서 사용하는 경우에도 상기 캐스트판(30)과 내찰상성 피막(30b)의 사이에 이물이 혼입되는 등의 결점이 억제된다.
(5) 표면 미세 구조가 매우 높은 전사율, 구체적으로는 94％ 이상의 전사율로 전사된 캐스트판(30)이 얻어지기 때문에, 금형(14)의 제작 정밀도에도 따라서도 다르지만, 종횡비가 1 이상일 뿐만 아니라 피치가 250 ㎚ 내지 300 ㎚ 정도의 표면 미세 구조(반사 방지 구조)를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판(30)을 비교적 용이하게 제조할 수 있다. 250 ㎚ 내지 300 ㎚와 같은 피치는 모든 가시광의 파장보다도 짧기 때문에, 캐스트판(30)의 반사 방지 작용은 높다. 예를 들면, 메타크릴계 수지 캐스트판(30)을 각종 전자 기기의 디스플레이에 채용하면 투영이 억제되며, 디스플레이의 시인성은 대폭 향상된다.
(6) 공정 A 내지 D를 구비하는 캐스트판(30)의 제조 방법에 의해 매우 높은 전사율로 표면 미세 구조의 패턴이 전사된 메타크릴계 수지 캐스트판을 용이할 뿐만 아니라 고능률로 제조(생산)할 수 있다.
(7) 또한, 공정 A에 앞서서, 정밀한 미세 구조를 갖는 마스터(13)를 바탕으로 그의 스탬퍼가 되는 금형(14)을 전기 주조에 의해 제작함으로써, 네가티브 패턴 자체를 높은 정밀도로 제작할 수 있다. 이 때문에 원하는 광학 특성을 구비한 캐스트판(30)을 확실하게 제조할 수 있다.
(8) 제1 실시 형태에서는 셀(27) 내에서 중합 반응을 실시하기 때문에, 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물(M)이 그 상태의 분자량으로 경화된다. 이에 따라 프레스 성형 또는 사출 성형 등에 비해 표면 경도, 강성, 내열성, 강도 및 내용제성 등의 열적, 화학적 및 기계적 특성도 높게 유지된다.
본 발명의 제2 실시 형태에 관한 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판 및 그의 제조 방법에 대하여, 제1 실시 형태와 다른 점을 중심으로 도 16 및 도 17을 참조하여 상세히 설명한다. 도 16 및 도 17에서 도 1 내지 도 15에 도시한 제1 실시 형태의 요소와 동일 또는 대응하는 요소에 대해서는 각각 동일 또는 대응하는 부호를 부여하고 있으며, 이들의 요소에 대한 중복되는 설명을 생략한다.
제2 실시 형태에 관한 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판은 그의 표면에 매우 높은 정밀도로 전사된 미세 구조 패턴에 의해, 광학적으로도 정밀도가 높은 AR(반사 방지 또는 무반사) 기능을 실현한다. 이하에 그의 제조 방법에 대하여 설명한다.
제2 실시 형태에서도 캐비티(26)를 구획하는 2매의 평판을 포함하는 셀(27a)을 1개 또는 복수개를 반복 이용하는, 소위 회분식 캐스트법을 채용하며, 제1 실시 형태의 공정 A 내지 D를 거쳐서 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판이 제조된다.
단, 제2 실시 형태에서는 금형 대신 마스크 패턴이 이용된다. 그 때문에 원하는 미세 구조에 대응하는 네가티브 패턴을 제작하기 전 처리 공정에서, 마스터를 제작하는 공정 a1 후에 투광성을 갖는 마스크 패턴을 형성하는 공정 b2가 행해진다.
마스크 패턴을 형성하는 공정 b2에 대하여 설명한다. 도 16에 도시한 바와 같이 추형상(원추형)의 돌기(10b)를 포함하는 미세 구조가 형성된 표면(미세 구조면)(10a)을 갖는 기판(10)을 마스터로서 이용한다. 기판(10)의 표면(10a)과 유리 또는 석영과 같은 투광성이 높은 재료를 포함하는 평판(120)의 사이에 자외선 경화 수지를 주입한다. 기판(10)의 표면(10a)과 평판(120)을 접촉시킨다. 평판(120)의 이면(120a) 측으로부터 자외선(UV)을 조사하며, 평판(120) 위에서 자외선 경화 수지를 경화시켜 수지층(114)을 형성한다.
이와 같이 평판(120)에 자외선을 조사함으로써 평판(120)과 일체로 설치되는 수지층(114)에는 기판(10)의 미세 구조 패턴이 거의 충실하게 반전되어 전사된다. 즉, 수지층(114)에는 기판(10)의 돌기(10b)에 대응하는 오목부(114b)를 포함하는 네가티브 패턴이 형성된다.
그 후, 제1 실시 형태와 마찬가지로 평판(120)의 표면, 정확하게는 네가티브 패턴이 형성된 수지층(114)의 상면에 도료 조성물을 도포하여 경화시킴으로써 내찰상성 피막을 형성한다(도시 생략). 이후 공정에서 내찰상성 피막은 메타크릴계 수지 캐스트판(30)의 표면에 전사된다. 또한 도료 조성물로서는 제1 실시 형태의 것과 마찬가지의 것을 사용할 수 있다.
다음으로, 제1 실시 형태의 공정 A와 같이 하여 셀(27a)을 제작한다. 즉, 평판(20) 대신에 평판(120)을 이용하여 제2 평판(22), 각재(23) 및 실리콘 수지 등의 탄성 재료를 포함하는 튜브(24)를 상술한 양태로 조립하며, 2매의 평판(120) 및 (22)를 체결 부재(25)로 체결한다. 이에 따라 2매의 평판(120) 및 (22) 사이에 구획된 캐비티(26)이 튜브(24)에 의해 밀봉되어 셀(27a)이 완성된다.
도 17에 도시된 바와 같이 셀(27a)은 기본적으로는 제1 실시 형태의 셀(27)과 마찬가지이며, 평판(120) 및 (22)는 각재(23)의 두께에 상당하는 거리만큼 이간되어 대향하고 있다. 셀(27a)의 캐비티(26)를 구획하는 한 내면에는 상술한 바와 같이 네가티브 패턴(오목부(114b))을 갖는 수지층(114)이 설치된다.
다음으로 공정 B로서 셀(27a)(캐비티(26)) 내에 메타크릴산메틸을 주요제로 하는 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물(M)을 주입한다.
그 후, 공정 C로서 이 주입된 단량체 혼합물(M)을 중합 반응시킨다. 제2 실시 형태에서는 공정 C로서 중합 반응을 가속하기 위해 자외선 조사 처리를 행하며, 이 자외선 조사 처리에 앞서서 미리 단량체 혼합물(M)에 광 중합 개시제를 첨가해둔다. 덧붙여서 말하면, 제2 실시 형태에서도 실제로는 1개 또는 복수개의 셀(27a)을 도시하지 않은 중합조에 수용하여, 도시하지 않은 광원에 의한 자외선 조사 처리가 행해진다. 자외선 조사 처리를 통하여 셀(27a)에 충전된 단량체 혼합물(M)의 중합 반응이 가속되며, 단량체 혼합물(M)은 최종적으로 고화된다.
평판(120)의 표면에 형성되어 있는 내찰상성 피막(수지층(114))은 이 광 중합 과정에서 단량체 혼합물(M)이 고화된 캐스트판(30)의 표층에 흡착된다.
제2 실시 형태에서 채용 가능한 광 중합 개시제로서는, 예를 들면 벤질, 벤조페논 또는 그의 유도체, 티오크산톤류, 벤질디메틸케탈류, α-히드록시알킬페논류, 히드록시케톤류, 아미노알킬페논류 및 아실포스핀옥시드류 등을 들 수 있다.
그 후, 제1 실시 형태와 같이 공정 D에 의해 도 14에 도시한 것과 거의 마찬가지인 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판(30)이 완성된다.
이상 설명한 바와 같이, 제2 실시 형태에 따르면 제1 실시 형태의 (1) 내지 (8)의 효과에 준하는 효과를 얻을 수 있다. 또한 제2 실시 형태에서는 평판(120) 위에 네가티브 패턴으로서 기능하는 수지층(114)을 직접 형성할 수 있기 때문에, 네가티브 패턴을 별도 배치하는 공정을 생략할 수 있으며, 작업 효율이 더욱 향상된다.
또한 본 발명에 관한 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판 및 그의 제조 방법은 각 실시 형태에 한정되는 것이 아니며, 예를 들면 다음과 같이 변경할 수도 있다.
제1 실시 형태에서는 금형(14)은 나사(21)에 의해 평판(20)에 고정되지만, 금형(14)의 고정 양태는 적절히 변경할 수 있다. 예를 들면 평판(20)에 미리 금형(14)의 외형에 맞춘 외부 프레임을 형성하며, 이 외부 프레임에 금형을 감입할 수도 있다. 또한 적절한 접착제 등을 이용하여 금형(14)과 평판(20)을 직접 고정할 수도 있다. 단, 표면의 미세 구조에 의해 유효 굴절률을 변화시켜 원하는 광학 특성을 실현하는 광학 소자로서는 통상적으로, 반사 방지 기능을 갖는 광학 소자 또는 편광 분리 기능을 갖는 광학 소자와 같은 많은 광학 소자가 있다. 따라서, 각종 광학 소자의 표면 미세 구조에 대응하는 복수종의 네가티브 패턴을 제작하는 것이 가능하다. 그렇기 때문에 금형(14)(네가티브 패턴)을 평판(20)에 착탈 가능, 즉 교환 가능하게 장착하는 기구를 채용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 네가티브 패턴의 교환이 용이하며, 다양한 다른 광학 특성을 가진 복수종의 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 생산에도 용이하게 대응할 수 있다.
각 실시 형태에서는 캐비티(26)를 구획하는 평판 중의 한쪽에 표면 미세 구조를 갖는 네가티브 패턴을 설치하였지만, 네가티브 패턴의 배치 양태는 원하는 광학 특성에 따라 적절하게 변경할 수 있다. 예를 들면 도 18에 도시한 바와 같이 대향하는 2매의 평판(20) 각각에 네가티브 패턴을 갖는 금형(14)을 장착한 셀(27b)을 이용하여 캐스트판의 제조를 행할 수도 있다. 이 경우, 양면에 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판이 생성된다. 또한, 이는 도 16 및 도 17에 예시한 자외선 경화 수지층(114)을 포함하는 네가티브 패턴을 이용하는 제2 실시 형태에서도 마찬가지다.
각 실시 형태에서는 추형상(원추형)의 돌기(10b)가 매트릭스상으로 설치된 마스터(13)(도 2(c) 참조)를 사용하였다. 돌기(10b)의 배열은 임의적이며, 예를 들면 원추 돌기(10b)의 열이 비스듬히 배열된 구조를 갖는 마스터를 사용할 수 있다. 이 배열에 의해 기판(10)의 표면(10a) 노출 면적이 한층 더 줄어들기 때문에, 더욱 양호한 반사 방지 효과를 구비한 메타크릴계 수지 캐스트판을 제조할 수 있을 것으로 기대된다.
각 실시 형태에서는 메타크릴계 수지 캐스트판에 형성되는 표면 미세 구조로서, 그의 피치가 250 ㎚ 내지 300 ㎚이며, 깊이가 300 ㎚ 내지 500 ㎚의 원추형의 돌기(30a)를 갖는 구조로 하였다. 덧붙여서 말하면, 빛의 파장(λ)이 400 ㎚ 내지 800 ㎚인 경우, 요구되는 피치는 상기한 파장 범위 중 가장 짧은 파장인 400 ㎚의 빛에 대하여, 굴절률(n)≒1.5로서, (400/1.5)=266.…㎚가 된다. 즉, 기본적으로 250 ㎚ 정도의 피치를 확보할 수 있으면 충분하다. 단, 더욱 가공 정밀도의 향상이 예상되는 경우에는 피치는 150 ㎚ 내지 300 ㎚의 범위인 것이 바람직하다.
각 실시 형태에서는, 셀(27), (27a)(캐비티(26))에 대한 단량체 혼합물(M)의 주입에 앞서서, 캐비티(26)의 네가티브 패턴면에 미리 내찰상성 또는 대전 방지성을 실현하는 도료 조성물을 도포하였다. 그러나 이러한 도료 조성물의 재료 및 첨가량 등은 원하는 특성에 따라 적절하게 변경할 수 있다. 예를 들면, 도료 조성물로서 메타크릴계 수지보다도 굴절률이 높은 재료가 이용되는 경우에는 굴절률 차이에 의해 메타크릴계 수지 캐스트판(30)의 표면 미세 구조의 종횡비가 의사적으로 높아진다.
메타크릴계 수지 캐스트판(30) 자체에서 내찰상성 또는 대전 방지성 등이 확보 가능한 경우에는 표면 처리 공정을 생략할 수도 있다.
네가티브 패턴으로서는 마스터가 되는 기판(10)의 복수개 만큼에 상당하는 면적을 갖는 패턴을 이용할 수도 있다. 즉 일반적으로, 마스터 자체는 양산성이 떨어질 뿐만 아니라 그의 기판으로서 실리콘 또는 석영 등이 이용되기 때문에, 면적도 자연히 한정되게 된다. 단, 최저 1개의 마스터가 있으면 이것을 차례대로 위치 치환 등을 행함으로써, 금형(14)으로서도 보다 면적이 큰 것을 제작할 수 있다. 예를 들면, 도 19에 도시한 바와 같이 1개의 마스터를 바탕으로 제작한 금형(14)을 평판(유리판)(220) 위에서 복수개 연결하여 보다 면적이 큰 네가티브 패턴을 제작할 수도 있다. 이러한 네가티브 패턴을 이용함으로써 보다 면적이 큰 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판을 제조하는 것이 가능해진다. 또한 이는 제2 실시 형태에 대해서도 마찬가지이며, 평판(120) 위에서 마스터를 차례대로 위치 치환 등을 행하여 자외선 경화 수지층(114)을 경화시킴으로써, 또는 1개의 마스터를 바탕으로 제작한 자외선 경화 수지층(114)의 경화된 투광성의 판재(평판)를 복수개 연결함으로써, 면적이 큰 네가티브 패턴을 제작할 수 있다.
제2 실시 형태에서는, 캐비티(26)를 구획하는 평판(120)의 상면에 직접 네가티브 패턴으로서의 자외선 경화 수지층(114)을 형성하였지만, 이 자외선 경화 수지층(114)을 투광성을 갖는 다른 판재 등에 별도 형성하여 이 판재를 평판(120)에 장착할 수도 있다. 이 경우, 평판(120)에 판재를 장착하는 공정이 추가되지만, 여기서도 각각 다른 광학 특성을 실현하는 복수종의 네가티브 패턴을 착탈 또는 교환이 자유로운 기구를 통하여 그의 장착을 행하도록 함으로써, 다양한 광학 특성에 대응하는 복수종의 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 생산에 용이하게 대응할 수 있다.
각 실시 형태에서는 금형(14)으로부터 자외선 경화 수지층(114)을 포함하는 표면 미세 구조가 전사된다. 그러나 반도체 가공 기술 또는 전자빔 가공 기술에 의해 평판(20) 및 (22)에 네가티브 패턴을 직접 형성할 수도 있다. 이 경우, 셀의 양산성은 떨어지지만, 주입 중합으로서의 매우 높은 전사율과 함께, 보다 정밀도가 높은 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 생성이 가능해진다. 요컨대 본 발명에 있어서 네가티브 패턴의 형성 방법 자체는 임의적이다.
충분한 전사율이 얻어지는 범위 내이면 단량체 혼합물(M)로서 반드시 완전한 단량체에 한정되지 않으며, 예비 중합된, 이른바 다소의 점성을 갖는 혼합물을 적절하게 사용할 수 있다.
제1 실시 형태에서는 가열 처리를 행함으로써 셀(27) 내에 충전된 단량체 혼합물(M)의 중합 반응을 가속시켰다. 그러나, 금형(14)과 대향하는 평판(22)이 유리 또는 석영 등의 투광성을 갖는 재료를 포함하는 경우에는 가열 처리 대신에 제2 실시 형태에서 채용한 자외선 조사 처리를 행할 수도 있다.
제2 실시 형태에서는 자외선 조사 처리를 행함으로써 셀(27a) 내에 충전된 단량체 혼합물(M)의 중합 반응을 가속시켰다. 그러나, 그의 조건에 따라 다르지만, 제2 실시 형태에서도 제1 실시 형태에서 채용한 가열 처리를 적용할 수도 있다.
각 실시 형태에서는 중합 반응시키는 공정으로서 가열 처리 또는 자외선 조사 처리를 채용하여 그의 중합 반응을 가속시켰다. 생산성을 고려한 경우, 확실히 이러한 가속은 유효하지만, 본 발명에서 이들의 가속 처리 및 개시제의 첨가 등은 필수가 아니며, 적절하게 변경 또는 생략할 수도 있다.
각 실시 형태에서는 회분식 캐스트법에 의한 주입 중합을 채용하였다. 그러나 본 발명은 회분식에 한정되지 않으며, 벨트 컨베어식의 연속(엔드리스) 캐비티 내에서 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물을 중합 반응시켜 고화되는 소위 연속셀 캐스트식에 의한 주입 중합을 채용할 수 있다. 여기서 이 연속 캐스트식의 주입 중합을 이용하여 메타크릴계 수지 캐스트판을 제조하는 방법에 대해 설명한다. 이 연속 캐스트식의 주입 중합은 이하의 공정 A2 내지 D2를 구비한다.
A2: 대향하는 2개의 면 중 한쪽 면 이상에 원하는 표면 미세 구조에 대응하는 네가티브 패턴을 배치한 벨트 컨베어식의 연속셀을 형성한다.
B2: 연속셀의 캐비티 내에 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물을 주입한다.
C2: 단량체 혼합물을 연속셀(주입조) 내에서 중합 반응시킨다.
D2: 중합 반응에 의해 고화된 수지를 원하는 치수로 잘라낸다.
도 20은 연속 캐스트식의 주입 중합에 사용되는 장치의 일례를 모식적으로 나타낸다. 이 장치는 연속적으로 구동되는 한 쌍의 엔드리스 벨트(ELB1) 및 (ELB2)를 구비하며, 엔드리스 벨트(ELB1) 및 (ELB2)는 서로 소정의 간격(L2)을 이격하여 배치되어 있다. 엔드리스 벨트(ELB1) 및 (ELB2)는 예를 들면, 스테인레스 합금으로 형성되어 있다. 엔드리스 벨트(ELB1) 및 (ELB2)의 사이에, 도 20에 백색 화살표로 도시한 바와 같이 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물(M)을 연속적으로 주입한다. 벨트(ELB1) 및 (ELB2)의 구동에 따라 단량체 혼합물(M)은 중합 영역, 열 처리 영역 및 냉각 영역의 순으로 이동한다. 도 20에 도시된 바와 같이 엔드리스 벨트(ELB2)의 전체 면에는 원하는 표면 미세 구조에 대응하는 네가티브 패턴을 갖는 얇은 금속박상의 금형(214)이 연속되어(엔드리스) 배치되어 있다. 금형(214)에는 기본적으로는 금형(14)과 같이, 예를 들면 피치가 250 ㎚ 내지 300 ㎚ 및 높이가 300 ㎚ 내지 500 ㎚의 돌기를 포함하는 네가티브 패턴이 형성되어 있다. 또한, 엔드리스 벨트(ELB1) 및 (ELB2)의 사이 공간의 양측은 도시하지 않은 격막에 의해 밀봉되어 있으며, 이에 의해 주입조가 형성되어 있다. 공정 B2 내지 D2는 제1 실시 형태의 공정 B 내지 D와 동등하다. 연속셀 캐스트식의 주입 중합에 따르면, 중합 반응에 의해 고화된 메타크릴계 수지의 캐스트판(30)을 취출하기 위해 셀(27), (27a)를 분해할 시간이 없기 때문에, 정밀도가 높은 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판을 보다 대량으로 또는 보다 염가로 제조할 수 있게 된다.
각 실시 형태에서는 공중합 가능한 다른 단량체로서 메타아크릴산 또는 그의 에스테르를 이용하였지만, 다관능 불포화 단량체를 이용할 수도 있다. 다관능 불포화 단량체는 분자 내에 라디칼 중합 가능한 이중 결합을 2개 이상 갖는 화합물이다. 분자 내에 라디칼 중합 가능한 이중 결합을 2개 이상 갖는 화합물로서는 예를 들면, 알릴메타크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 디비닐벤젠, 디알릴프탈레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 테트라메틸올프로판트리메타크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올프로판트리아크릴레이트 및 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트 등이 있다. 이들의 화합물은 각각 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 이러한 다관능 불포화 단량체도 메틸메타크릴레이트 또는 (메트)아크릴산계 단량체와 공중합 가능한 화합물이다.
Claims (32)
- 유효 굴절률을 변화시킴으로써 원하는 광학 특성을 실현하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판이며,상기 표면 미세 구조에 대응하는 네가티브 패턴을 갖는 1개 이상의 내면을 구비한 셀 내에 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물을 주입하는 주입 중합에 의해 형성된 메타크릴계 수지 캐스트판.
- 제1항에 있어서, 상기 단량체 혼합물이 메타크릴산메틸을 주요제로 하는 단량체 혼합물인 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판.
- 제2항에 있어서, 상기 단량체 혼합물이 메타크릴산메틸의 단량체 50 중량％ 이상 및 상기 메타크릴산메틸과 공중합 가능한 다른 단량체를 함유하는 혼합물인 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판.
- 제3항에 있어서, 상기 메타크릴산메틸과 공중합 가능한 다른 단량체가 메타아크릴산 또는 그의 에스테르인 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판.
- 제3항에 있어서, 상기 메타크릴산메틸과 공중합 가능한 다른 단량체가 다관능 불포화 단량체인 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단량체 혼합물이 라디칼 중합 개시제를 함유하고 있는 것인 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단량체 혼합물이 광 중합 개시제를 함유하고 있는 것인 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 네가티브 패턴이 해당 메타크릴계 수지 캐스트판의 표면 처리용 도료 조성물이 도포된 표면을 가지며, 상기 메타크릴계 수지 캐스트판이 상기 주입 중합시에 상기 도료 조성물이 전사된 표층을 구비하는 것인 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면 미세 구조의 네가티브 패턴에 대한 해당 메타크릴계 수지 캐스트판의 표면 미세 구조 전사율이 94％ 이상인 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면 미세 구조가 종횡비가 1 이상이며, 피치가 150 내지 300 ㎚인 추형상의 돌기가 매트릭스상으로 설치된 반사 방지 구조인 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판.
- 유효 굴절률을 변화시켜 원하는 광학 특성을 실현하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판을 제조하는 방법이며,상기 표면 미세 구조에 대응하는 네가티브 패턴을 갖는 1개 이상의 내면을 구비한 셀을 준비하는 공정,상기 셀 내에 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물을 주입하는 공정,상기 단량체 혼합물을 상기 셀 내에서 중합 반응시키는 공정,상기 중합 반응에 의해 고화된 수지체를 상기 셀로부터 취출하는 공정 및상기 수지체를 원하는 치수로 잘라내는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조 방법.
- 유효 굴절률을 변화시켜 원하는 광학 특성을 실현하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판을 제조하는 방법이며,각 셀이 상기 표면 미세 구조에 대응하는 네가티브 패턴을 갖는 1개 이상의 내면을 구비하고 있는 벨트 컨베어식의 연속셀을 포함하는 주입조를 준비하는 공정,상기 주입조 내에 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물을 주입하는 공정,상기 단량체 혼합물을 상기 주입조 내에서 중합 반응시키는 공정 및상기 중합 반응에 의해 고화된 수지체를 원하는 치수로 잘라내는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 제 조 방법.
- 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 단량체 혼합물이 메타크릴산메틸을 주요제로 하는 단량체 혼합물인 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 단량체 혼합물이 메타크릴산메틸의 단량체 50 중량％ 이상 및 상기 메타크릴산메틸과 공중합 가능한 다른 단량체가 포함되는 혼합물인 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 메타크릴산메틸과 공중합 가능한 다른 단량체가 메타아크릴산 또는 그의 에스테르인 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 메타크릴산메틸과 공중합 가능한 다른 단량체가 다관능 불포화 단량체인 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조 방법.
- 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단량체 혼합물이 라디칼 중합 개시제를 함유하고 있으며, 상기 중합 반응시키는 공정이 상기 단량체 혼합물 의 중합 반응을 가속하기 위한 가열 처리 공정을 포함하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조 방법.
- 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단량체 혼합물이 광 중합 개시제를 함유하고 있으며, 상기 중합 반응시키는 공정이 상기 단량체 혼합물의 중합 반응을 가속하기 위한 자외선 조사 처리 공정을 포함하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조 방법.
- 제11항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 메타크릴계 수지의 단량체 혼합물을 주입하는 공정에 앞서서, 상기 네가티브 패턴을 갖는 1개 이상의 내면에 상기 메타크릴계 수지 캐스트판의 표면 처리용 도료 조성물을 도포하는 공정을 추가로 구비하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조 방법.
- 제11항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,기판의 표면에 상기 표면 미세 구조의 패턴을 갖는 마스크를 형성하는 공정,상기 마스크를 이용하여 상기 기판을 에칭하여 상기 표면 미세 구조를 갖는 마스터를 제작하는 공정 및상기 마스터를 이용하여 상기 네가티브 패턴을 갖는 금형을 전기 주조에 의해 제작하는 공정을 추가로 구비하며,상기 셀을 준비하는 공정이 상기 금형을 이용하여 상기 셀의 상기 1개 이상 의 내면을 제공하는 것을 포함하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조 방법.
- 제11항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,기판의 표면에 상기 표면 미세 구조의 패턴을 갖는 마스크를 형성하는 공정,상기 마스크를 이용하여 상기 기판을 에칭하여 상기 표면 미세 구조를 갖는 마스터를 제작하는 공정,상기 마스터와 투광성 판재 간의 간극에 자외선 경화 수지를 주입하는 공정 및상기 마스터와 상기 투광성 판재를 접촉시킨 상태에서 상기 투광성 판재를 통하여 자외선을 상기 자외선 경화성 수지에 조사하고, 상기 자외선 경화 수지를 경화시켜 상기 네가티브 패턴을 갖는 수지층을 형성하는 공정을 추가로 구비하며,상기 셀을 준비하는 공정이 상기 수지층을 이용하여 상기 셀의 상기 1개 이상의 내면을 제공하는 것을 포함하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조 방법.
- 제20항 또는 제21항에 있어서, 상기 셀을 준비하는 공정이 상기 마스터의 복수개 만큼에 상당하는 면적을 갖는 상기 금형 또는 상기 수지층을 이용하여 상기 1개 이상의 내면을 제공하는 것을 포함하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조 방법.
- 제20항 또는 제22항에 있어서, 상기 셀을 준비하는 공정이 상기 네가티브 패턴을 갖는 1개 이상의 내면을 제공하는 부재를 상기 셀에 착탈 가능하게 부착하는 것을 포함하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조 방법.
- 제20항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 마스터를 제작하는 공정이 종횡비가 1 이상이며, 피치가 150 내지 300 ㎚인 추형상의 돌기가 매트릭스상으로 배열된 표면을 형성하는 것을 포함하는 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판의 제조 방법.
- 광학 특성을 구비한 광학 수지판이며,상기 광학 특성을 발휘하는 표면 미세 구조가 형성된 1개 이상의 표면을 갖는 균일한 조성을 갖는 수지 기판을 구비하고, 상기 표면 미세 구조가 150 내지 300 ㎚의 피치로 형성된 복수개의 추형상 돌기를 포함하며, 각 추형상 돌기의 종횡비가 1 이상인 광학 수지판.
- 제25항에 있어서, 상기 복수개의 추형상 돌기를 덮도록 상기 수지 성형체의 표면에 부여된 피막을 추가로 구비하는 광학 수지판.
- 제26항에 있어서, 상기 피막이 상기 복수개의 추형상 돌기를 보호하는 내찰 상성 피막인 광학 수지판.
- 제26항 또는 제27항에 있어서, 상기 피막이 상기 캐스트판의 대전을 방지하는 도전성 미립자를 포함하는 것인 광학 수지판.
- 제25항에 있어서, 상기 수지 기판이 메타크릴계 수지를 포함하는 것인 광학 수지판.
- 제29항에 있어서, 상기 메타크릴계 수지가 메타크릴산메틸을 포함하는 중합체인 광학 수지판.
- 제29항에 있어서, 상기 메타크릴계 수지가 메타크릴산메틸과 다른 단량체의 공중합체를 포함하는 것인 광학 수지판.
- 제25항에 있어서, 상기 광학 특성이 반사 방지 특성인 광학 수지판.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2003-00305054 | 2003-08-28 | ||
| JP2003305054 | 2003-08-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060058123A true KR20060058123A (ko) | 2006-05-29 |
Family
ID=34269290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020067003855A KR20060058123A (ko) | 2003-08-28 | 2004-08-19 | 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판 및 그의제조 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2005022208A1 (ko) |
| KR (1) | KR20060058123A (ko) |
| CN (1) | CN1842726A (ko) |
| WO (1) | WO2005022208A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101597210B1 (ko) * | 2015-03-23 | 2016-02-24 | 가천대학교 산학협력단 | 비 포토리소그래피 기반의 랩온어칩용 마이크로채널 형성방법 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101362637B1 (ko) | 2005-10-04 | 2014-02-12 | 가부시키가이샤 디엔피 파인 케미칼 | 특정한 표면 형상과 물성을 갖는 구조체 및 그 구조체형성용의 (메트)아크릴계 중합성 조성물 |
| JP5172239B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2013-03-27 | 三菱レイヨン株式会社 | 光学的ローパスフィルタ及びその製造方法 |
| WO2008108441A1 (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-12 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | 微細パターン形成方法、この微細パターン形成方法によって形成される型、この型を用いた転写方法および微細パターン形成方法 |
| JP4996488B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2012-08-08 | 東芝機械株式会社 | 微細パターン形成方法 |
| TWI425643B (zh) * | 2009-03-31 | 2014-02-01 | Sony Corp | 固態攝像裝置及其製造方法、攝像裝置和抗反射結構之製造方法 |
| JP5792425B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2015-10-14 | 大日本印刷株式会社 | 反射防止フィルム製造用組成物、反射防止フィルム、反射防止フィルムの製造方法、偏光板、および液晶表示装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5718251A (en) * | 1980-07-04 | 1982-01-30 | Mitsubishi Rayon Co | Acryl group resin diffusing board and its manufacture |
| JPS62268615A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-21 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光拡散性メタクリル樹脂板の製造方法 |
| JP2001261924A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Shin Dick Kako Kk | 成形材料及び成形品 |
| JP2002347045A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-04 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | アクリル樹脂積層体の製法 |
| JP2003080524A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Nitto Denko Corp | 光学フィルムの製造方法及び液晶表示装置 |
| JP2003240903A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-08-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止物品 |
-
2004
- 2004-08-19 JP JP2005513425A patent/JPWO2005022208A1/ja active Pending
- 2004-08-19 WO PCT/JP2004/011921 patent/WO2005022208A1/ja active Application Filing
- 2004-08-19 KR KR1020067003855A patent/KR20060058123A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-08-19 CN CNA2004800245179A patent/CN1842726A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101597210B1 (ko) * | 2015-03-23 | 2016-02-24 | 가천대학교 산학협력단 | 비 포토리소그래피 기반의 랩온어칩용 마이크로채널 형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2005022208A1 (ja) | 2007-11-22 |
| WO2005022208A1 (ja) | 2005-03-10 |
| CN1842726A (zh) | 2006-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20060048107A (ko) | 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 성형체 및 그 제조방법 | |
| EP0226123A2 (en) | Method for producing transparent plastic article | |
| EP3401711B1 (en) | Diffractive optical element and light irradiation apparatus | |
| EP0392868B1 (en) | Method of producing light control plate which induces scattering of light at different angles | |
| JP6116651B2 (ja) | インプリント成型用光硬化性樹脂組成物、インプリント成型硬化体及びこれらの製造方法 | |
| KR101085307B1 (ko) | 중합체 물질로 투명 광학 소자를 제조하는 방법 및 몰드 | |
| JP5792425B2 (ja) | 反射防止フィルム製造用組成物、反射防止フィルム、反射防止フィルムの製造方法、偏光板、および液晶表示装置 | |
| US5679722A (en) | Resin composition for production of a three-dimensional object by curing | |
| KR20060058123A (ko) | 표면 미세 구조를 갖는 메타크릴계 수지 캐스트판 및 그의제조 방법 | |
| JP2007240854A (ja) | 反射防止構造体 | |
| JP3731017B2 (ja) | 光学デバイス製造方法 | |
| KR101245953B1 (ko) | 성형체 및 그 제조 방법 | |
| JP2004287238A (ja) | 反射防止部材及びこれを用いた電子機器 | |
| TWI430879B (zh) | 導光板及其製作方法 | |
| JP2007030373A (ja) | 成形体の製造方法 | |
| JPH11503079A (ja) | 成形技術による二層光導通性微細構造体の製造のための方法及び装置 | |
| JPH0722985B2 (ja) | ホログラム化粧樹脂成形品の製造方法 | |
| KR20110020839A (ko) | 초소형 금형의 제작 | |
| JP4053278B2 (ja) | 樹脂シートの製造方法 | |
| JP2601832B2 (ja) | 模様入り板の製造法 | |
| JPH06305066A (ja) | 光指向性フィルム及びその製造方法 | |
| JP3504701B2 (ja) | 光学デバイスおよびその製造方法 | |
| JPH1058465A (ja) | 光硬化性樹脂を用いた樹脂シートの製造法 | |
| JP2974795B2 (ja) | プラスチックレンズの製造法 | |
| CN117940275A (zh) | 用于生产光学结构的方法及光学结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |