KR20060056873A - 액정 전기광학장치 - Google Patents

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KR20060056873A
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Abstract

본 발명은 응답시간이 짧고, 전압 유지율이 저하하지 않는 액정 전기광학장치를 제공한다. 본 발명의 일실시형태는, 제1기판과, 제1기판 위의 제1전극, 제1전극을 덮는 제1배향막 및, 제1기판에 대향하고, 제2전극과 제2전극을 덮는 제2배향막 및 제1기판과 제2기판 사이에 액정층을 가지는 제2기판을 구비하여 구성되고, 액정층은 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정과의 혼합체로 형성되며, 혼합체에 있어서의 스멕틱상을 가지는 액정의 비율은 20중량% 이하이고, 복수의 액정분자의 상승 응답시간과 하강 응답시간의 상가평균이 8msec 이하이다.
액정, 스멕틱상, 응답시간, 상가평균, 광학장치

Description

액정 전기광학장치{LIQUID CRYSTAL ELECTRO-OPTICAL DEVICE}
도 1은 TN모드 액정 전기광학장치의 개략도,
도 2는 실시형태2에 있어서의 등방상으로부터의 상전이온도의 변화를 도시한 도면,
도 3은 실시형태2에 있어서의 응답시간의 변화를 도시한 도면,
도 4는 실시형태2에 있어서의 전압 유지율의 변화를 도시한 도면,
도 5는 실시형태3에 있어서의 등방상으로부터의 상전이온도의 변화를 도시한 도면,
도 6은 실시형태3에 있어서의 응답시간의 변화를 도시한 도면,
도 7은 실시형태3에 있어서의 전압 유지율의 변화를 도시한 도면,
도 8은 실시형태4에 있어서의 등방상으로부터의 상전이온도의 변화를 도시한 도면,
도 9는 실시형태4에 있어서의 응답시간의 변화를 도시한 도면,
도 10은 실시형태4에 있어서의 전압 유지율의 변화를 도시한 도면,
도 11은 실시형태4에 있어서의 오슬로스코프로 출력된 파형도,
도 12는 실시형태5에 있어서의 등방상으로부터의 상전이온도의 변화를 도시 한 도면,
도 13은 실시형태5에 있어서의 응답시간의 변화를 도시한 도면,
도 14는 실시형태5에 있어서의 전압 유지율의 변화를 도시한 도면,
도 15는 실시형태5에 있어서의 오슬로스코프로 출력된 파형도,
도 16은 실시예1에 있어서의 액정 전기광학장치를 도시한 도면,
도 17은 실시예2에 있어서의 휴대전화기를 도시한 도면,
도 18(a) 및 (b)는 실시예3에 있어서의 텔레비전 수상기를 도시한 도면,
도 19(a) 및 (b)는 실시예4에 있어서의 배면투영형 표시장치를 도시한 도면,
도 20은 실시예4에 있어서의 전면투영형 표시장치를 도시한 도면,
도 21은 실시예4에 있어서의 투영형 표시장치의 프로젝터 유닛의 구성을 도시한 도면,
도 22는 실시예4에 있어서의 투영형 표시장치의 프로젝터 유닛의 구성을 도시한 도면,
도 23(a) 및 (c)는 실시예4에 있어서의 투영형 표시장치의 프로젝터 유닛의 구성을 도시한 도면이다.
본 발명은 네마틱 액정재료와 스멕틱상을 가지는 액정재료의 혼합체로 구성 되는 액정층을 가지는, 예를 들면 트위스티드 네마틱 모드(twisted nematic mode)에서 동작시키는 액정 전기광학장치에 관한 것이다.
현재, 액정 전기광학장치는 시계나 전자계산기는 물론, 워드프로세서나 노트 북 등의 OA기기, 액정 텔레비전이나 PDA, 휴대전화 등 폭넓은 분야에서 사용하고 있다.
이 액정 전기광학장치에서 일반적으로 사용되어 있는 모드가, 상하 기판에 형성된 배향막에 러빙(rubbing) 처리를 실시하고, 상하 기판의 러빙 방향을 서로 90° 편이(shift)한 트위스티드 네마틱 모드(이하, 본 명세서에서는 TN모드라고 한다)이다. TN모드는, 한 쌍의 전극으로부터 액정에 전계를 인가하면, 전계와 유전율이방성의 상호작용에 의해 액정분자의 장축이 기판과 직각으로 배향한다. 그리고, 액정에 전압을 인가하지 않을 때의 액정분자의 상태(twist)와, 인가했을 때의 상태를 편광판을 이용하여 식별하고 있다.
액정 전기광학장치용으로서 널리 사용되고 있는 네마틱 액정을 사용하고, TN모드를 이용한 액정 전기광학장치에서는, 예를 들면 특허문헌1(일본국 공개특허공보 특개평6-281963호 공보)에 기재되어 있는 응답시간(상승 응답시간 및 하강 응답시간의 합)은 20msec 이상이다. 그러나, 동영상을 표시할 경우나, 필드 시퀀셜 방식을 채용할 경우에는, 이 응답시간으로는 불충분해서, 다른 고속응답이 가능한 액정재료의 필요가 생기고 있었다.
액정 텔레비전 등에서 동영상 표시를 행할 경우나, 동작 모드에서 필드 시퀀셜 방식을 채용할 경우, 네마틱 액정재료를 사용하여, TN모드에서 액정을 구동시킬 때, 액정의 응답시간이 20msec 이상이면, 액정의 응답이 미치지 못해서 잔상이 발생하거나, 콘트라스트가 저하하는 등, 표시 품위에 영향을 미친다고 하는 문제가 있었다. 또한, 셀 갭(cell gap)을 좁게 함으로써, 액정의 응답시간을 짧게 하는 것이 가능하지만, 셀 갭을 좁히는 것에는 한계가 있다. 용어 "셀 갭"은 두 기판 사이에 유지되는 액정층의 두께 또는 두 기판 사이의 거리를 의미한다.
본 발명은, 응답시간이 짧고, 전압 유지율이 저하하지 않는 액정 전기광학장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일실시형태는, 한 쌍의 기판 각각에 전극 및 배향막이 형성되고, 전극 및 배향막이 형성된 한 쌍의 기판간에 액정층을 가지며, 셀 갭이 설정된 사이즈를 갖는 액정 전기광학장치로서, 액정층에 사용하는 액정재료를 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정을 소정의 비율에서 혼합한 혼합체를 사용하고, 혼합체에 있어서 스멕틱상을 가지는 액정의 비율은 20중량% 미만인 액정 전기광학장치이다. 이에 따라, 액정의 응답시간을 종래의 응답시간 및 상승 응답시간과 하강 응답시간의 상가평균 보다 8msec 미만으로 단축할 수 있어, 상기 문제가 해결된다.
본 발명을 사용함으로써, TN모드에서 액정을 구동시켰을 경우의 응답시간을 단축할 수 있고, 디스플레이에서의 잔상의 저감, 콘트라스트의 향상을 달성할 수 있기 때문에, 본 발명은 동영상 표시나 필드 시퀀셜 방식에 알맞다.
네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정의 혼합체를 사용해도, 전압 유지율의 저하가 거의 보이지 않기 때문에, 디스플레이에서의 화면의 어른거리기 등을 걱정할 필요가 없다.
네마틱 액정의 등방상으로부터 네마틱상으로 상전이 하는 온도(이하, 본 명세서에서는 I-N전이온도라고 한다)보다도, 등방상으로부터의 상전이온도가 높은 스멕틱상을 가지는 액정을 혼합함으로써, 혼합체에 있어서의 등방상으로부터의 상전이온도가 높아지게 된다. 이 때문에, 사용 온도범위를 넓게 할 수 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명을 상세히 설명한다.
(실시형태1)
이하에, 도 1에 개략도를 나타내는 액정 전기광학장치의 제작 방법을 설명한다.
글래스 기판, 플라스틱 기판, 필름상 기판 등의 투광성의 기판을 2장 준비하고, 이들 기판(101, 111) 각각의 위로 전극을 스퍼터링법 또는 증착법으로 성막한다. 성막하는 전극에는, ITO(Indium Tin Oxide), 산화 주석, 산화 아연, 산화 규소를 포함하는 ITO, IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명도전막을 사용할 수 있다.
다음에, 포트리소그래피 공정에 의해, 성막 후의 투명도전막위에 레지스트 패턴을, 예를 들면 다음과 같은 방법으로 형성한다. 투명도전막위에, 스핀 코트법으로 레지스트 수지(자외선감광성 수지)의 도포를 행한다. 그 후, 베이크(bake)를 행하고, 전극형성용의 마스크를 사용해서 프록시미티방식 노광기, 렌즈 프로젝션 방식노광기 또는 미러 프로젝션 방식노광기에서 노광을 행한다. 그 후에, 알칼리 현상액을 사용하여 현상을 행한다. 알칼리 현상액으로서는, 트리메틸암모늄하이도라이드나 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 등의 유기 알칼리나 탄산나트륨을 사용할 수 있다. 마지막으로, 흐르는 물로 세정해서 알칼리 현상액을 제거한다.
다음에, 에천트에 의해 전술의 투명도전막의 레지스트 패턴에 덮여져 있지 않은 부분에 대하여 에칭을 행한다. 상기 에천트로서는, 예를 들면 염산수용액, 염산과 초산의 수용액, 염화제2철과 염산의 수용액을 사용할 수 있다. 에칭에 있어서는, 필요에 따라서 가열하여, 반응성을 높여도 좋다. 또한, 가스 플라즈마를 사용하는 케미컬 드라이에칭 방식을 이용하여도 좋다.
에칭 후, 강 알칼리 이온을 사용한 박리액으로 레지스트를 박리한다. 그 후, 투명도전막의 투과율을 상승시키고, 저항률을 하강시키기 위해서, 오븐으로 소성을 행하면 좋다. 이렇게 하여, 투명도전막이 되는 전극(102, 112)의 소정의 패턴이 형성된다. 전극(102, 112)의 설정된 패턴은, 레지스트 패턴을 형성하거나 에칭하지 않고, 투명도전막의 일부를 이루는 재료를 포함하는 액체나 페이스트를 사용하여, 스크린 인쇄 방법 등의 인쇄 방법으로 직접 형성할 수 있다. 전극(102, 112)은, 인쇄된 패턴을 200℃ 내지 300℃에서 소성 함으로써, 형성된다.
다음에, 전극(102)이 형성된 기판(101) 및 전극(112)이 형성된 기판(111)을 세정 후, 전극(102)을 덮도록 기판(101)위에 배향막(103)을, 전극(112)을 덮도록 기판(111)위에 배향막(113)을 형성한다. 배향막은, 예를 들면 N-메틸-2-피롤리돈 (pyrrolidone) 등과 셀루솔브 아세테이트 등을 섞은 용매에 폴리아믹산을 용해시킨 폴리이미드 수지 또는, 폴리아믹산을 이미드화시켜서 용매에 용해시킨 폴리이미드 수지(닛산화학공업주식회사제 SE7792)를, 예를 들면 40nm 이상 50nm 이하의 두께로 오프세트 인쇄 또는 스피너로 스핀 도포하고, 그 후 크린 오븐에서 소성을 행함으로써 형성한다. 이렇게 하여 형성된 배향막(103, 113)의 표면을, 펠트나 목면 등의 러빙 천으로 문지르는 러빙법으로 소정 방향으로 배향 처리를 행하고, 세정을 행한다.
배향막의 재료를 선택할 때, 일반적인 러빙법에 의해, 액정분자에 1° 이상 9° 이하, 예를 들면 6° 이상 7° 이하의 프리틸트각이 발현하도록 재료를 선택한다.
다음에, 원기둥 상 또는 구상의 갭(gap)유지재를 소정의 비율로, 예를 들면 1.5중량% 혼합한 씰재(105)를 사용하고, 기판(101, 111)의 한쪽에, 디스펜서 또는 스크린 인쇄로 그 한편의 기판에 형성되어 있는 전극(102 또는 112)보다도 외측에 씰 패턴을 형성한다. 갭(gap)유지재로서는 SiO2를 주성분으로 하는 것이 바람직하고, 예를 들면 그 지름이 2.2㎛의 것을 사용할 수 있다. 또한, 씰재로서, 에폭시 수지, 페놀수지, 아크릴수지와 같은 열경화성 또는 자외선경화성의 수지를 사용할 수 있다.
다음에, 알콜을 주성분으로 하는 용매, 예를 들면 이소프로필 알콜에, 상기 갭(gap)유지재보다도 지름이 작은, 예를 들면 지름 2㎛의 간격재(104:스페이서)를 혼합하여, 초음파를 인가함으로써 분산되게 한다. 용매는, 물과 알콜을 주성분으 로 하는 혼합 용매이어도 좋다. 이 간격재(스페이서)를 분산되게 한 용매를 사용하고, 상기 씰 패턴을 형성하지 않는 다른 쪽의 기판위로 스피너(spinner)를 사용해서 간격재(104:스페이서)를 살포한다. 간격재(104:스페이서)는, 구상 타입이면 SiO2를 주성분으로 하는 스페이서(글래스 스페이서)이어도 수지제 스페이서(플라스틱 비드 스페이서)이어도 좋다. 또한, 살포는 상기 웨트식 살포에 한하지 않고, 드라이 에어나 압착 드라이 질소 등의 기류로 분체상의 스페이서를 기판위로 살포하는 드라이식 살포이어도 개의치 않는다.
다음에, 씰 패턴을 형성한 기판(101, 111)의 한쪽과 스페이서를 살포한 다른 쪽의 기판을 서로 접합한다. 예를 들면, 배향막(103, 113) 각각에 대해 행한 러빙의 방향이 서로 90°편이하도록 접합을 행하고, 액정 패널 씰 소성도구로 압력을 가하면서, 크린 오븐에서 열 프레스를 행한다. 한편, 핫플레이트상에서 압력을 가하면서 열 프레스를 행한다. 열 프레스 후의 기판을, 스크라이버로 전극을 꺼낼 수 있도록 소정 사이즈의 패널로 분단한다.
다음에, 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정을, 전자저울로 스멕틱상을 가지는 액정의 비율이 20중량%을 넘지 않는 범위로 각각 칭량(稱量)하고, 그것들을 혼합한다. 스멕틱상을 가지는 액정의 비율이 20중량%를 넘으면, 강유전성전기광학효과가 강해져 버린다.
스멕틱상을 가지는 액정으로서, 단안정성강유전성액정 또는 쌍안정성강유전성액정을 사용할 수 있고, 또 등방상, 스멕틱C상, 결정이 순차적으로 상전이 하는 것 또는, 등방상, 네마틱상, 스멕틱A상, 스멕틱C상, 결정이 순차적으로 상전이 하 는 것을 사용할 수 있다.
네마틱 액정으로서, 유전율이방성 △ε가 정의 값을 나타내는 것, 특히 20℃에 있어서 △ε이 5 이상 10 미만을 나타내는 것을 사용할 수 있고, 또 시안기를 가지는 시안계 액정 또는 탄소-불소 결합을 가지는 불소계 액정을 사용할 수 있다. 또, 키랄제가 첨가되어 있는 것을 사용할 수 있다. 유전율이방성 △ε의 값은, 상승 응답시간에 영향을 준다. 키랄제를 네마틱 액정에 첨가함으로써, 디스클리네이션(disclination)을 억제할 수 있다.
혼합한 액정을 데이터 플레이트상에서, 예를 들면 100℃로 가열하면서, 교반기에서 소정의 시간, 예를 들면 1시간 교반한다. 교반 시의 온도는, 네마틱 액정의 I-N전이온도와 스멕틱상을 가지는 액정의 등방상으로부터의 상전이온도의, 어느쪽인가 높은 쪽의 상전이온도 이상이면 좋다. 상기 상전이온도 이상으로 교반함으로써, 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정이 서로 섞이고, 교반 후의 상태를 보면 분리하고 있는 상황은 보이지 않는다.
상기의 패널에, 상기 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정의 혼합체를 소정의 온도, 예를 들면 100℃의 핫플레이트상에서 모세관현상을 이용해서 주입한다. 주입은 진공주입법을 이용하여도 좋다. 주입 후의 배향상태를 백라이트상에서 편광판 사이에 끼워서 확인한바, 분리하고 있는 상은 확인할 수 없다. 상기 혼합체를 사용한 액정층(106)을 도 1에 나타낸다.
상기의 배향 처리(러빙)가 종료한 기판(101, 111)의 한쪽에, 간격재(104:스페이서)를 살포하고, 씰재(105)에 의한 씰 패턴을 형성한 후, 씰 패턴에 둘러싸여 진 영역에 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정의 혼합체를 적하하고, 그 한편의 기판(101 또는 111)과 다른 쪽의 기판을 서로 접합하는 방법을 이용하여도 좋다. 또한, 구상의 간격재(104:스페이서)를 전술한 바와 같이 살포하는 대신에, 한쪽의 기판위로 절연재료로 되는 주상의 패턴을 형성함으로써, 주상의 간격재(스페이서)를 만들어도 좋다.
이상과 같이 해서 제작된 액정 전기광학장치의 셀 갭을 측정한 바, 2.O㎛ 이상 2.5㎛ 이하의 범위 내이었다.
제작된 액정 전기광학장치는, 스멕틱상을 가지는 액정의 비율이 20중량% 이하의, 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정의 혼합체를 사용했을 때, 상승 응답시간, 상승 응답시간과 하강 응답시간의 상가평균을, 같이 짧게 할 수 있다. 특정한 네마틱 액정, 즉 셀 갭과 그 네마틱 액정의 굴절율이방성 △n과의 곱이 0.27㎛ 이상 0.34㎛ 이하의 범위가 되는 것을 사용함으로써 스멕틱상을 가지는 액정의 비율이 20중량% 이하의 혼합체를 사용했을 때, 상승 응답시간, 상승 응답시간과 하강 응답시간의 상가평균을 같이 짧게 할 수 있고, 액정 전기광학장치 상에서의 높은 콘트라스트의 영상이 얻어진다.
용어 "상승 응답시간"은, 복수의 액정분자의 장축이, 2장의 기판간에서 연속적으로 비틀어진 상태로부터, 기판 표면에 대하여 수직방향으로 배열함으로써, 명암이 바뀌는 시간을 의미한다. 한편, "하강 응답시간"은, 복수의 액정분자의 장축이, 기판 표면에 대하여 수직방향으로 배열한 상태로부터, 2장의 기판간에서 연속적으로 비틀어진 상태로 돌아감으로써, 명암이 바뀌는 시간을 의미한다.
또한, 네마틱 액정에, 그 I-N전이온도보다도 높은 등방상으로부터의 상전이온도를 나타내는 스멕틱상을 가지는 액정을 혼합함으로써, 혼합체의 등방상으로부터의 상전이온도를 그 네마틱 액정의 I-N전이온도보다도 높게 할 수 있다.
(실시형태2)
실시형태1에 의해 제작된 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정의 혼합체를 사용한 액정 전기광학장치에 대해서, 상승 응답시간 및 하강 응답시간을 측정하고, 또한 전압 유지율을 요구했다. 또한, 상기 혼합체에 대해서, 가열해서 등방상의 상태를 얻은 뒤 냉각할 때에 등방상으로부터 상전이 하는 온도를 측정했다.
응답시간의 측정 방법을 나타낸다. 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정의 혼합체로 채워진 패널에, 리드선을 접속한다. 편광현미경을 이용하여, 2장의 편광판을 서로 크로스 니콜(crossed nicols)로 해서, 그것들의 사이에 상기 패널을 배치한다. 상기 리드선에 전압을 인가하고, 액정의 응답시간을 오실로스코프를 이용하여 관찰한다. 파형발생기(전원)에서, 0V~10V의 구형파로 1Hz의 주파수의 전압을 인가한다. 오슬로스코프에 출력된 파형(펄스)은 액정층을 투과한 광의 시간에 대한 변화를 나타낸다. 파형(펄스) 폭이 클수록, 액정 전기광학장치 상에 표시된 영상의 콘트라스크는 높게 된다.
전압 유지율을 구하는 방법을 나타낸다. 전계 효과형 트랜지스터를 이용하여, 64㎲ec, 10V의 펄스를 30msec 마다, 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정의 혼합체로 채워진 패널에 인가하고, 그때의 액정 전기광학장치의 전위의 저하율을 실효값으로부터 요구하고, 전압 유지율로 한다. 전압 유지율을 측정하는 목적은, 네마틱 액정에 스멕틱상을 가지는 액정을 혼합함에 의하는 액정의 열화를 조사하는 것에 있다.
네마틱 액정으로서 메르크사제 TL215을, 스멕틱상을 가지는 액정으로서 클라리안사제 R2401을 사용했을 경우에 대해서, 등방상으로부터의 상전이온도를 측정한 결과를 도 2에, 상승 응답시간(Tr) 및 하강 응답시간(Td)을 측정하는 동시에 그것들의 상가평균(AVG)을 요구한 결과를 도 3에, 전압 유지율을 요구한 결과를 도 4에 나타낸다.
메르크사제 TL215은 불소계 액정이며, 20℃에 있어서 네마틱상이며, I-N전이온도를 초과하는 온도에 있어서 등방상이다. 또한, 유전율이방성 △ε는 20℃에 있어서 8.5이며, 굴절율이방성 △n은 589nm의 광을 사용했을 경우 20℃에 있어서 0.2042이며, 점도는 20℃에 있어서 44mm2s-1이다. 클라리안사제 R2401은 단안정성강유전성액정이며, 등방상, 스멕틱C상, 결정의 순서로 상전이 하고, 20℃에 있어서 스멕틱C상이다.
스멕틱상을 가지는 액정 R2401의 비율이 20중량% 이하의 범위에 있어서, 혼합체내의 스멕틱상을 가지는 액정 R2401의 비율이 증가하면, 등방상으로부터의 상전이온도는 네마틱 액정 TL215만을 사용했을 경우보다도 상승하는 것이 확인되었다. 네마틱 액정 TL215의 I-N전이온도는 82℃이며, 스멕틱상을 가지는 액정 R2401의 등방상으로부터 스멕틱C상으로의 전이온도는 87.2℃가 됨에 따라, 등방상으로부터의 상전이온도가 높은 쪽의 액정에 영향을 주기 때문이다.
또한, 스멕틱상을 가지는 액정 R2401의 비율이 각각 20중량% 이하인 15중량 %와 20중량%의 혼합체를 사용했을 경우, 상승 응답시간은 13msec 보다 짧은 12.3msec로 되고, 상가평균도 7msec 보다 짧은 대략 6.9msec로 되는 경향이 확인되었다. 하강 응답시간은, 2msec를 넘는 일은 없었다.
또한, 스멕틱상을 가지는 액정 R2401의 비율이 20중량% 이하의 혼합체를 사용했을 경우, 네마틱 액정 TL215만을 사용했을 경우의 전압 유지율이 99%인 것에 대해, 상기 혼합체내의 스멕틱상을 가지는 액정 R2401의 비율이 증가해도, 전압 유지율은 98~99%로 특별히 변화는 보이지 않는 것이 확인되었다.
(실시형태3)
네마틱 액정으로서 실시형태2와 같은 메르크사제 TL215을, 스멕틱상을 가지는 액정으로서 실시형태2와는 다른 클라리안사제 M4851/100을 사용했을 경우에 대해서, 등방상으로부터의 상전이온도를 측정한 결과를 도 5에, 상승 응답시간(Tr) 및 하강 응답시간(Td)을 측정하는 동시에 그것들의 상가평균(AVG)을 요구한 결과를 도 6에, 전압 유지율을 요구한 결과를 도 7에 나타낸다.
클라리안사제 M4851/100은, 쌍안정성강유전성액정이며, 등방상, 네마틱상, 스멕틱A상, 스멕틱C상, 결정의 순서로 상전이 하고, 20℃에 있어서 스멕틱C상이다.
스멕틱상을 가지는 액정 M4851/100의 비율이 각각 20중량% 이하인 5중량%, 10중량%, 15중량%의 범위에 있어서, 혼합체내의 스멕틱상을 가지는 액정 M4851/100의 비율이 증가하면, 네마틱 액정 TL215만을 사용했을 경우보다도 등방상으로부터의 상전이온도는 하강하는 것이 확인되었다. 네마틱 액정 TL215의 I-N전이온도는 82℃이며, 스멕틱상을 가지는 액정 M4851/100의 I-N전이온도는 64.8℃로 되기 때문에, I-N전이온도가 낮은 쪽의 액정에 영향을 주기 때문이다. 그러나, 스멕틱상을 가지는 액정 M4851/100의 비율이 5중량%, 10중량%, 15중량%의 범위에 있어서, 등방상으로부터의 상전이온도는 80℃±0.5℃의 범위이며, 82℃로부터의 하강은 2℃ 정도에 머물렀다.
또한, 스멕틱상을 가지는 액정 M4851/100의 비율이 각각 20중량% 이하인 10중량%와 15중량%의 혼합체를 사용했을 경우, 네마틱 액정 TL215만을 사용했을 경우보다도, 상승 응답시간은 13msec 보다 짧은 최대 2.5msec로 짧아지고, 상승 응답시간과 하강 응답시간의 상가평균도 5.8msec 이상, 6.2msec 이하로 짧아지는 경향이 확인되었다. 하강 응답시간은, 2msec를 넘을 일은 없었다.
또한, 스멕틱상을 가지는 액정 M4851/100의 비율이 각각 20중량% 이하인 5중량%, 10중량%, 15중량%의 혼합체를 사용했을 경우, 네마틱 액정 TL215만을 사용했을 경우의 전압 유지율이 99%인 것에 대해, 상기 혼합체내의 스멕틱상을 가지는 액정 M4851/100의 비율이 증가해도, 전압 유지율은 98~99%로 특별히 변화는 보이지 않는 것이 확인되었다.
(실시형태4)
네마틱 액정으로서 실시형태2와 다른 메르크사제 MJ961083을, 스멕틱상을 가지는 액정으로서 실시형태2와 같은 클라리안사제 R2401을 사용했을 경우에 대해서, 등방상으로부터의 상전이온도를 측정한 결과를 도 8에, 상승 응답시간(Tr) 및 하강 응답시간(Td)을 측정하는 동시에 그것들의 상가평균(AVG)을 요구한 결과를 도 9에, 전압 유지율을 요구한 결과를 도 10에, 액정층을 통한 투과광의 시간에 대한 강도 변화를 나타내는 오슬로스코프에 출력된 파형을 도 11에 나타낸다.
메르크사제 MJ961083은, 불소계 액정이며, 20℃에 있어서 네마틱상이며, I-N전이온도를 넘는 온도에 있어서 등방상이다. 또한, 유전율이방성 △ε는 20℃에 있어서 10이며, 굴절율이방성 △n은 파장589nm의 광을 사용했을 경우 20℃에 있어서 0.1355이며, 점도는 20℃에 있어서 26mm2s-1이다.
스멕틱상을 가지는 액정 R2401의 비율이 15중량% 이하의 범위에 있어서, 혼합체내의 스멕틱상을 가지는 액정 R2401의 비율이 증가해도, 네마틱 액정 MJ961083만을 사용했을 경우와 비교하여, 등방상으로부터의 상전이온도가 거의 변화하지 않는 것이 확인되었다. 네마틱 액정 MJ961083의 I-N전이온도는 101.4℃이며, 스멕틱상을 가지는 액정 R2401의 등방상으로부터의 상전이온도는 전술의 대로 87.2℃가 된다.
또한, 스멕틱상을 가지는 액정 R2401의 비율이 각각 20중량% 이하인 5중량%와 15중량%의 혼합체를 사용했을 경우, 네마틱 액정 MJ961083만을 사용했을 경우보다도, 상승 응답시간은 16msec 보다 짧은 최대 4msec로 짧아지고, 상승 응답시간과 하강 응답시간의 상가평균도 8.4msec 이하인 최대 2msec가 되는 경향이 확인되었다. 하강 응답시간은, 2msec를 넘을 일은 없었다. 본 실시형태에 있어서, 셀 갭과 네마틱 액정의 굴절율이방성 △n과의 곱은, 0.27㎛ 이상 0.34㎛ 이하의 범위다.
또한, 스멕틱상을 가지는 액정 R2401의 비율이 각각 20중량% 이하인 5중량%, 15중량%의 혼합체를 사용했을 경우, 네마틱 액정 MJ961083만을 사용했을 경우 의 전압 유지율이 98%인 것에 대해, 상기 혼합체내의 스멕틱상을 가지는 액정 R2401의 비율이 증가해도, 전압 유지율은 96~97%로 특별한 변화는 보이지 않는 것이 확인되었다.
또한, 도 11로부터, 네마틱 액정 MJ961083만을 사용하는 경우와 비교해서, 스멕틱상을 갖는 액정 R2401의 비율이 5중량%(레전드에서 5wt%라 함)를 갖는 혼합체와 스멕틱상을 갖는 액정 R2401의 비율이 15중량%(레전드에서 15wt%라 함)를 갖는 혼합체를 사용하는 경우 높은 콘트라스트가 얻어지는 것으로 판정될 수 있다. 도 11에 있어서는, 수직축의 값이 0에 접근함에 따라서, 액정층을 통한 투과광의 강도는 보다 작게 되고, 표시는 보다 어둡게 되고("블랙 레벨"이 높아졌다고 표현한다), 수직축의 절대값이 증가함에 따라서, 액정층을 통한 투과광의 강도는 보다 크게 되고 표시는 보다 밝게 된다("화이트 레벨"이 높아졌다고 표현한다). 도 11에 도시하지 않았지만, 네마틱 액정 MJ961083만 사용하는 경우와 비교해서, 스멕틱상을 갖는 액정 R2401의 비율이 10중량%인 혼합체를 사용하는 경우, 화이트 레벨은 높아지고, 높은 콘트라스트가 얻어진다.
(실시형태5)
네마틱 액정으로서 실시형태4와 같은 메르크사제 MJ961083을, 스멕틱상을 가지는 액정으로서 실시형태3과 같은 클라리안사제 M4851/100을 사용했을 경우에 대해서, 등방상으로부터의 상전이온도를 측정한 결과를 도 12에, 상승 응답시간(Tr) 및 하강 응답시간(Td)을 측정하는 동시에 그것들의 상가평균(AVG)을 요구한 결과를 도 13에, 전압 유지율을 요구한 결과를 도 14에, 액정층을 통한 투과광의 시간에 대한 강도 변화를 나타내는 오슬로스코프에 출력된 파형을 도 15에 나타낸다.
스멕틱상을 가지는 액정 M4851/100의 비율이 각각 20중량% 이하인 5중량%와 15중량%의 범위에 있어서, 혼합체내의 스멕틱상을 가지는 액정 M4851/100의 비율이 증가하면, 네마틱 액정 MJ961083만을 사용했을 경우보다도 등방상으로부터의 상전이온도는 하강하는 것이 확인되었다. 네마틱 액정 MJ961083의 I-N전이온도는 101.4℃이며, 스멕틱상을 가지는 액정 M4851/100의 I-N전이온도는 64.8℃가 됨에 따라, I-N전이온도가 낮은 쪽의 액정에 영향을 주기 때문이다.
또한, 스멕틱상을 가지는 액정 M4851/100의 비율이 각각 20중량% 이하인 5중량%와 15중량%의 혼합체를 사용했을 경우, 네마틱 액정 MJ961083만을 사용했을 경우보다도, 상승 응답시간은 16msec보다 짧은 최대 2.7msec로 짧아지고, 상승 응답시간과 하강 응답시간의 상가평균도 최대 1.3msec로 짧고 8.4msec 보다 짧은 8msec 이하가 되는 경향이 확인되었다. 하강 응답시간은, 2msec를 넘을 일은 없었다. 본 실시형태에 있어서, 셀 갭과 네마틱 액정의 굴절율이방성 △n과의 곱은 0.27㎛ 이상 0.34㎛ 이하의 범위다.
또한, 스멕틱상을 가지는 액정 MJ961083의 비율이 각각 20중량% 이하인 5중량%와 15중량% 이하의 혼합체를 사용했을 경우, 네마틱 액정 MJ961083만을 사용했을 경우의 전압 유지율이 98%인 것에 대해, 상기 혼합체내의 스멕틱상을 가지는 액정 M4851/100의 비율이 증가해도, 전압 유지율은 97~98%로 특별히 변화는 보이지 않는 것이 확인되었다.
또한, 도 15로부터, 네마틱 액정 MJ961083만을 사용하는 경우와 비교해서, 스멕틱상을 갖는 액정 R4851/100이 5중량%(레전드에서 5wt%라 함)인 혼합체와 스멕틱상을 갖는 액정 R4851/100의 비율이 15중량%(레전드에서 15wt%라 함)인 혼합체를 사용하는 경우 높은 콘트라스트가 얻어지는 것으로 판정될 수 있다. 도 15에 있어서는, 수직축의 값이 0에 접근함에 따라서, 액정층을 통한 투과광의 강도는 보다 작게 되고, 표시는 보다 어둡게 되고("블랙 레벨"이 증가했다고 표현한다), 수직축의 절대값이 증가함에 따라서, 액정층을 통한 투과광의 강도는 보다 크게 되고 표시는 보다 밝게 된다("화이트 레벨"이 증가했다고 표현한다). 따라서, 도 15는 네마틱 액정 MJ961083만 사용하는 경우와 비교해서, 스멕틱상을 갖는 액정 M4851/100의 비율이 5중량% 및 15중량%인 혼합체를 사용함으로써, 화이트 레벨이 강화되는 것을 보여준다. 도 15에 도시하지 않았지만, 네마틱 액정 MJ961083만 사용하는 경우와 비교해서, 스멕틱상을 갖는 액정 M4851/100이 10중량%인 혼합체를 사용하는 경우, 화이트 레벨은 강화되고, 높은 콘트라스트가 얻어진다.
이상의 결과는, 단순 매트릭스형, 액티브 매트릭스형의 어느 액정 전기광학장치에도 적용가능하고, 투과형, 반사형의 어느 액정 전기광학장치에도 적용가능하다.
[실시예1]
본 명세서에 개시하는 발명이 적용되는 액정 전기광학장치의 일례를 도 16에 나타낸다.
제1기판(1401)과 제2기판(1402)의 사이에 액정층(1404)을 가지고, 이들의 기판끼리는 씰재(1400)에 의해 접착된다. 액정층(1404)에는, 네마틱 액정과 스멕틱 상을 가지는 액정의 혼합체이며, 소정의 비율로 키랄제가 첨가되고, 또한 스멕틱상을 가지는 액정의 비율이 20중량%을 넘지 않는 범위에서 실시형태1, 2, 3, 4 또는 5에 나타내는 비율의 것을 사용한다. 또한, 셀 갭은 실시형태1과 같이, 2.O㎛ 이상 2.5㎛ 이하로 한다.
제1기판(1401)에는 화소부(1403)가 형성되고, 제2기판에는 착색층(1405)이 형성된다. 착색층(1405)은 컬러 표시를 행할 때에 필요하고, RGB 방식의 경우, 적색, 녹색, 청색의 각 색에 대응한 착색층이, 각 화소에 대응해서 설치된다. 착색층(1405)위로는 대향 전극 및 배향막이 형성된다. 제1기판(1401) 및 제2기판(1402)의 외측에는, 각각 편광판(1406, 1407)이 설치된다. 또한, 편광판(1407)의 표면에는, 보호막(1416)이 형성되고 있어, 외부로부터의 충격을 완화한다.
화소부(1403)에는, 화소전극 및 그것과 전기적으로 접속된 하나 또는 복수의 박막트랜지스터가, 각 화소에 대응해서 설치된다. 화소부(1403)위로는 배향막이 형성된다.
제1기판(1401)에 설치된 접속단자(1408)에는, FPC(1409)를 거쳐서 배선 기판(1410)이 접속된다. FPC(1409) 또는 접속 배선에는 IC칩에 의해 형성된 구동회로(1411)가 설치되고, 배선 기판(1410)에는, 컨트롤 회로나 전원회로 등의 외부회로(1412)가 설치된다.
냉음극선관(1413), 반사판(1414) 및 광학 필름(1415)은 백라이트 유닛이며, 이들이 광원이 된다. 제1기판(1401), 제2기판(1402), 상기 광원, 배선 기판(1410) 및, FPC(1409)는 베젤(1417)로 유지 및 보호된다.
본 실시형태에 나타낸 액정 전기광학장치는, 예를 들면 휴대전화기, 텔레비전 수상기, 디지털 카메라, 노트형 등의 PC, 액정 프로젝터 등의 전자기기에 탑재된다.
[실시예2]
도 17은 본 명세서에 개시하는 발명이 적용되는 액정 전기광학장치, 예를 들면 실시예1에 나타내는 액정 전기광학장치가 탑재되는 휴대전화기의 일례를 보이고 있다.
액정 전기광학장치(1501)는 하우징(1530)에 탈착이 자유롭게 조립된다. 하우징(1530)은 액정 전기광학장치(1501)의 사이즈에 맞춰서, 형상이나 치수를 적당하게 변경할 수 있다. 액정 전기광학장치(1501)를 고정한 하우징(1530)은 인쇄 기판(1531)에 맞춰져서, 모듈로서 조립할 수 있다.
액정 전기광학장치(1501)는 FPC(1502)를 거쳐서 인쇄 기판(1531)에 접속된다. 인쇄 기판(1531)에는, 스피커(1532), 마이크로폰(1533), 송수신회로(1534), CPU 및 콘트롤러 등을 포함하는 신호처리회로(1535)가 형성된다. 이러한 모듈과, 입력 수단(1536), 배터리(1537)를 조합하고, 케이싱(1539)에 수납한다. 액정 전기광학장치(1501)의 화소부는 케이싱(1539)에 형성된 통로창으로부터 시인할 수 있도록 배치한다.
본 실시형태의 휴대전화기에 있어서, 본 명세서에 개시하는 발명의 특징이 있는 소정의 비율로 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정을 혼합한 혼합체를 액정층에 사용한 액정 전기광학장치를 탑재함으로써, 잔상의 저감 및 콘트라스트의 향상을 달성할 수 있고, 화면의 어른거리기(flicker) 등을 걱정할 필요가 없고, 정지화뿐만아니라 동영상의 표시에도 알맞다고 하는 효과를 나타낸다. 또한, 네마틱 액정의 I-N전이 온도보다도, 등방상으로부터의 상전이온도가 높은 스멕틱상을 가지는 액정을 혼합한 혼합체를 사용함으로써 등방상으로부터의 상전이온도가 높아지기 때문에, 사용 온도범위를 넓힐 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 실시형태에 관련되는 휴대전화기는, 그 기능이나 용도에 따라 다양한 태양으로 변용할 수 있다. 예를 들면, 액정 전기광학장치를 복수 구비하거나, 케이싱을 적당하게 복수로 분할해서 경첩에 의해 개폐식으로 한 구성으로서도, 상기 효과를 나타낼 수 있다.
[실시예3]
도 18(a)는 텔레비전 수상기(액정 텔레비전)에 탑재되는 표시 패널(1601)과 회로기판(1602)을 조합한 액정 전기광학장치를 보이고 있다. 회로기판(1602)에는, 예를 들면 컨트롤 회로(1603)나 신호분할 회로(1604) 등이 형성된다. 도 18(a)는, 신호선구동회로(1605) 및 주사선구동회로(1606)는, 화소부(1607)와 동일한 기판위에 형성되는 예를 나타내고 있지만, 신호선구동회로(1605)와 주사선구동회로(1606)의 한쪽만을 화소부(1607)와 동일 기판위에 형성해도 되고, 신호선구동회로(1605)와 주사선구동회로(1606)의 한쪽 또는 양쪽의 구성요소의 일부만을 화소부(1607)와 동일 기판위에 형성해도 좋다.
이 표시 패널(1601)의 액정층에는, 본 명세서에 개시하는 발명의 특징인 소정의 비율로 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정을 혼합한 혼합체를 사용할 수 있다.
도 18(a)에 나타내는 액정 전기광학장치를 케이싱(1611)에 조립하고, 도 18(b)에 일례를 나타내는 텔레비전 수상기를 완성되게 할 수 있다. 액정 전기광학장치에 의해, 표시 화면(1612)이 형성된다. 또한, 스피커(1613), 조작 스위치(1614) 등이 적당하게 구비된다.
본 실시형태의 텔레비전 수상기(액정 텔레비전)에 있어서, 본 명세서에 개시하는 발명의 특징은 소정의 비율로 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정을 혼합한 혼합체를 액정층에 사용한 액정 전기광학장치를 탑재함으로써, 잔상의 저감 및 콘트라스트의 향상을 달성할 수 있고, 화면의 어른거리기 등을 걱정할 필요가 없고, 동영상을 표시하는데도 알맞다고 하는 효과를 나타낸다. 또한, 네마틱 액정의 I-N전이온도보다도, 등방상으로부터의 상전이온도가 높은 스멕틱상을 가지는 액정을 혼합한 혼합체를 사용함으로써 등방상으로부터의 상전이온도가 높아지기 때문에, 사용 온도범위를 넓힐 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
[실시예4]
본 명세서에 개시하는 발명이 적용되는 액정 전기광학장치가 탑재되는 투영형 표시장치(액정 프로젝터)의 일례를 나타낸다.
도 19(a) 및 도 19(b)에 나타내는 배면투영형 표시장치(1701)는, 프로젝터 유닛(1702), 미러(1703), 스크린(1704)을 구비하고 있다. 그 밖에 스피커(1705), 조작 스위치(1706)를 구비하고 있을 경우도 있다. 이 프로젝터 유닛(1702)은, 배면투영형 표시장치(1701)의 케이싱(1707)의 하부에 설치되어, 영상신호에 의거하여 영상을 비추는 투사광을 미러(1703)를 향해서 투사한다. 배면투영형 표시장치(1701)는 스크린(1704)의 배면으로부터 투영되는 영상을 표시하는 구성으로 되어 있다.
한편, 도 20은 전면투영형 표시장치(1801)를 보이고 있다. 전면투영형 표시장치(1801)는 프로젝터 유닛(1802)과 투사광학계(1803)를 구비하고 있다. 이 전면투영형 표시장치(1801)는 그 전면에 설치하는 스크린 등에 영상을 투영하는 구성으로 된다.
도 19(a) 및 도 19(b)에 나타내는 배면투영형 표시장치(1701), 도 20에 나타내는 전면투영형 표시장치(1801)에 적용되는 프로젝터 유닛(1702, 1802)의 구성을 각각 이하에 설명한다.
도 21은 프로젝터 유닛의 일례를 보이고 있다. 이 프로젝터 유닛(1901)은, 광원 유닛(1902) 및 변조 유닛(1903)을 구비하고 있다. 광원 유닛(1902)은, 렌즈류로 구성된 광원광학계(1904)와, 광원 램프(1905)를 구비하고 있다. 광원 램프(1905)는 미광이 확산하지 않도록 케이싱내에 수납된다. 광원 램프(1905)로서는, 큰 광량의 광을 방사 가능한, 예를 들면 고압수은램프나 크세논 램프 등을 사용할 수 있다. 광원광학계(1904)는, 광학 렌즈, 편광기능을 가지는 필름, 위상차를 조절하기 위한 필름, IR필름 등을 적당하게 설치하여 구성된다. 그리고, 광원 유닛(1902)은, 방사 광이 변조 유닛(1903)에 입사하도록 설치된다. 변조 유닛(1903)은, 복수의 액정 전기광학장치(1906), 위상차판(1907), 다이클로익 미러(1908), 전반사 미러(1909), 프리즘(1910), 투사광학계(1911)를 구비하고 있다. 광원 유닛 (1902)으로부터 방사된 광은, 다이클로익 미러(1908)로 복수의 광로로 분리된다.
각 광로에는, 소정의 파장 혹은 파장대의 광을 투과하는 컬러 필터를 따르는 액정 전기광학장치(1906)가 구비된다. 투과형인 액정 전기광학장치(1906)는 영상신호에 의거하여 투과광을 변조한다. 액정 전기광학장치(1906)를 투과한 각 색의 광은, 프리즘(1910)에 입사해 투사광학계(1911)를 통과하여, 스크린 위로 영상을 표시한다. 프로젝터 유닛(1901)에 의해 투사되어, 필요에 따라서 미러로 반사된 투영 광은, 프레넬 스크린(Fresnel screen)에 의해 대략 평행광으로 변환되어, 스크린에 투영된다.
도 22에서 나타내는 프로젝터 유닛(2001)은, 반사형 액정 전기광학장치(2002)를 복수 구비한 구성을 보이고 있다. 반사형 액정 전기광학장치(2002)는, 실시예1의 액정 전기광학장치에 있어서, 화소부에 있어서의 화소전극이 알루미늄, 티탄과 같은 금속 또는 이들의 합금에 의해 형성되어, 한 쌍의 기판 중 적어도 한쪽이 투광성을 가지면 좋다.
이 프로젝터 유닛(2001)은, 광원 유닛(2003)과 변조 유닛(2004)을 구비하고 있다. 광원 유닛(2003)은, 도 21과 동일한 구성이다. 광원 유닛(2003)으로부터 방사된 광은, 다이클로익 미러(2005)로 적색 파장영역의 광만을 투과하고, 녹색 및 청색 파장영역의 광을 반사한다. 또한, 다이클로익 미러(2006)에서는, 녹색의 파장영역의 광만이 반사된다. 다이클로익 미러(2005)를 투과한 적색 파장영역의 광은, 전반사 미러(2007)로 반사되어, 편광 빔 스플리터(2008)에 입사하거나, 녹색의 파장영역의 광은 편광 빔 스플리터(2009)에 입사하고, 청색의 파장영역의 광은 편 광 빔 스플리터(2010)에 입사한다. 편광 빔 스플리터(2008, 2009, 2010)는, 입사광을 P편광과 S편광으로 분리하는 기능을 가지고, 또한 P편광을 투과시키는 기능을 가진다. 편광 빔 스플리터(2008, 2009, 2010)는 복수의 반사형 액정 전기광학장치(2002) 각각에 대응하도록 배치된다. 반사형 액정 전기광학장치(2002)로 반사해 편광 빔 스플리터를 투과한 각 색의 광은, 프리즘(2011)에 입사하고, 투사광학계(2012)를 통과시켜서 스크린에 투사된다.
도 22에 나타내는 프로젝터 유닛은, 도 19(a) 및 도 19(b)에 나타내는 배면투영형 표시장치, 및 도 20에 나타내는 전면투영형 표시장치에 적용할 수 있다.
도 23(a) 내지 도 23(c)에 나타내는 프로젝터 유닛은 단판식의 구성을 보이고 있다. 도 23(a)에 나타낸 프로젝터 유닛은, 광원 유닛(2101), 액정 전기광학장치(2102), 위상차판(2103), 투사광학계(2104)를 구비하고 있다. 투사광학계(2104)는 하나 또는 복수의 렌즈에 의해 구성된다. 액정 전기광학장치(2102)에는 컬러 필터가 설치된다.
도 23(b)는 필드 시퀀셜 방식에서 동작하는 프로젝터 유닛의 구성을 보이고 있다. 필드 시퀀셜 방식은, 적색, 녹색, 청색 등의 각 색의 광을 타임 래그를 갖고 순차적으로 액정 패널에 입사하고, 컬러 필터 없이 컬러 표시를 행하는 방식이다. 특히, 고속응답성의 액정 전기광학장치와 조합하면 고정밀한 영상을 표시할 수 있다. 도 23(b)에 나타내는 프로젝터 유닛은, 광원 유닛(2111)과 액정 전기광학장치(2112)의 사이에, 적색, 녹색, 청색 등의 복수의 컬러 필터를 구비할 수 있었던 회전식의 컬러 필터판(2113)을 구비하고, 또한 투사광학계(2114)를 구비하고 있다.
도 23(c)에 나타내는 프로젝터 유닛은, 컬러 표시의 방식으로서, 마이크로렌즈를 사용한 색분리 방식의 구성을 보이고 있다. 이 방식은, 마이크로렌즈 어레이(2123)를 액정 전기광학장치(2122)의 광입사측에 구비하고, 각 색의 광을 각각의 방향으로부터 조명함으로써 컬러 표시를 실현하는 방식이다. 이 방식을 채용하는 프로젝터 유닛은, 컬러 필터에 의한 광의 손실이 없으므로, 광원 유닛(2121)으로부터의 광을 유효하게 이용할 수 있다는 특징이 있다. 도 23(c)에 나타내는 프로젝터 유닛은, 액정 전기광학장치(2122)에 대하여 각 색의 광을 각각의 방향으로부터 조명하도록, 다이클로익 미러(2125, 2126, 2127)를 구비하고, 또한 투사광학계(2124)를 구비하고 있다.
본 실시형태의 투영형 표시장치(액정 프로젝터)에 있어서, 본 명세서에 개시하는 발명의 특징인 소정의 비율로 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정을 혼합한 혼합체를 액정층에 사용한 액정 전기광학장치를 탑재함으로써, 잔상의 저감 및 콘트라스트의 향상을 달성할 수 있고, 화면의 어른거리기 등을 걱정할 필요가 없고, 동영상을 표시하는데도 알맞다고 하는 효과를 나타낸다. 특히, 필드 시퀀셜 방식에서 동작하는 프로젝터 유닛에 사용하는 액정 전기광학장치로서, 본 명세서에 개시하는 발명을 적용한 액정 전기광학장치는 적합하다. 또한, 네마틱 액정의 I-N전이온도보다도, 등방상으로부터의 상전이온도가 높은 스멕틱상을 가지는 액정을 혼합한 혼합체를 사용함으로써 등방상으로부터의 상전이온도가 높아지기 때문에, 사용 온도범위를 넓힐 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 명세서에 개시하는 발명은, 상기 실시예2, 실시예3 및 실시예4에 나타내는 전자기기에 한정하지 않고, 액정 전기광학장치가 탑재되는 그 밖의 전자기기에도 적용가능하다.
본 발명에 따른 실시형태는 도면을 참조로 상세히 설명되었다. 그런데, 당업자에 있어서는, 본 발명은 본 발명의 목적 및 범위를 벗어남이 없이 다양한 변형 및 변경이 실시될 수 있는 것으로 이해된다. 그러므로, 실시형태의 상세한 설명은 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
본 발명은, 2004년 11월 22일 출원되며, 그 내용이 본 명세서에 참조로 통합된 일본국 특허출원 제2004-227397호를 기초로 하고 있다.

Claims (40)

  1. 제1기판과,
    제1기판 위의 제1전극,
    제1전극을 덮는 제1배향막 및,
    제1기판에 대향하고, 제2전극과 제2전극을 덮는 제2배향막 및 제1기판과 제2기판 사이에 액정층을 가지는 제2기판을 구비하여 구성되고,
    액정층은 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정과의 혼합체로 형성되며,
    혼합체에 있어서의 스멕틱상을 가지는 액정의 비율은 20중량% 이하이고,
    복수의 액정분자의 상승 응답시간과 하강 응답시간의 상가평균이 8msec 이하인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  2. 제1기판과,
    제1기판 위의 제1전극,
    제1전극을 덮는 제1배향막 및,
    제1기판에 대향하고, 제2전극과 제2전극을 덮는 제2배향막 및 제1기판과 제2기판 사이에 액정층을 가지는 제2기판을 구비하여 구성되고,
    액정층은 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정과의 혼합체로 형성되며,
    스멕틱상을 가지는 액정의 등방상으로부터의 상전이온도가 네마틱 액정의 등 방상으로부터의 상전이온도 보다도 높고,
    혼합체에 있어서의 스멕틱상을 가지는 액정의 비율은 20중량% 이하이고,
    복수의 액정분자의 상승 응답시간과 하강 응답시간의 상가평균이 8msec 이하인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  3. 제1기판과,
    제1기판 위의 제1전극,
    제1전극을 덮는 제1배향막 및,
    제1기판에 대향하고, 제2전극과 제2전극을 덮는 제2배향막 및 제1기판과 제2기판 사이에 액정층을 가지는 제2기판을 구비하여 구성되고,
    액정층은 네마틱 액정과 스멕틱상을 가지는 액정과의 혼합체로 형성되며,
    혼합체에 있어서의 스멕틱상을 가지는 액정의 비율은 20중량% 이하이고,
    복수의 액정분자의 상승 응답시간과 하강 응답시간의 상가평균이 8msec 이하이며,
    셀 갭과 네마틱 액정의 굴절율이방성 △n과의 곱이 0.27㎛ 이상 0.34㎛ 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  4. 제1항에 있어서,
    스멕틱상을 가지는 액정이 단안정성강유전성액정인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  5. 제2항에 있어서,
    스멕틱상을 가지는 액정이 단안정성강유전성액정인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  6. 제3항에 있어서,
    스멕틱상을 가지는 액정이 단안정성강유전성액정인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  7. 제1항에 있어서,
    스멕틱상을 가지는 액정이 쌍안정성강유전성액정인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  8. 제3항에 있어서,
    스멕틱상을 가지는 액정이 쌍안정성강유전성액정인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  9. 제1항에 있어서,
    스멕틱상을 가지는 액정이 단안정성강유전성액정이고, 혼합체에 있어서의 복수의 액정분자의 상승 응답시간은 스멕틱상을 가지는 액정을 갖지 않는 네마틱 액정 보다 최대 4msec 짧은 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  10. 제3항에 있어서,
    스멕틱상을 가지는 액정이 단안정성강유전성액정이고, 혼합체에 있어서의 복수의 액정분자의 상승 응답시간은 스멕틱상을 가지는 액정을 갖지 않는 네마틱 액정 보다 최대 4msec 짧은 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  11. 제1항에 있어서,
    네마틱 액정에 키랄제가 첨가되는 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  12. 제2항에 있어서,
    네마틱 액정에 키랄제가 첨가되는 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  13. 제3항에 있어서,
    네마틱 액정에 키랄제가 첨가되는 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  14. 제1항에 있어서,
    네마틱 액정의 유전율이방성 △ε이 정의 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  15. 제2항에 있어서,
    네마틱 액정의 유전율이방성 △ε이 정의 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  16. 제3항에 있어서,
    네마틱 액정의 유전율이방성 △ε이 정의 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  17. 제1항에 있어서,
    네마틱 액정이 불소계 액정인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  18. 제2항에 있어서,
    네마틱 액정이 불소계 액정인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  19. 제3항에 있어서,
    네마틱 액정이 불소계 액정인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  20. 제1항에 있어서,
    네마틱 액정의 유전율이방성 △ε이 20℃에서 5 이상 10 미만인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  21. 제2항에 있어서,
    네마틱 액정의 유전율이방성 △ε이 20℃에서 5 이상 10 미만인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  22. 제3항에 있어서,
    네마틱 액정의 유전율이방성 △ε이 20℃에서 5 이상 10 미만인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  23. 제1항에 있어서,
    셀 갭이 제1기판과 제2기판 사이에 유지되는 액정층의 두께를 갖고, 셀 갭이 2.0㎛ 이상 2.5㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  24. 제2항에 있어서,
    셀 갭이 제1기판과 제2기판 사이에 유지되는 액정층의 두께를 갖고, 셀 갭이 2.0㎛ 이상 2.5㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  25. 제3항에 있어서,
    셀 갭이 제1기판과 제2기판 사이에 유지되는 액정층의 두께를 갖고, 셀 갭이 2.0㎛ 이상 2.5㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  26. 제1항에 있어서,
    TN모드가 사용되는 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  27. 제2항에 있어서,
    TN모드가 사용되는 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  28. 제3항에 있어서,
    TN모드가 사용되는 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  29. 제1항에 개시된 액정 전기광학장치를 갖는 것을 특징으로 하는 전자기기.
  30. 제2항에 개시된 액정 전기광학장치를 갖는 것을 특징으로 하는 전자기기.
  31. 제3항에 개시된 액정 전기광학장치를 갖는 것을 특징으로 하는 전자기기.
  32. 제1항에 개시된 액정 전기광학장치를 갖는 것을 특징으로 하는 휴대전화기.
  33. 제2항에 개시된 액정 전기광학장치를 갖는 것을 특징으로 하는 휴대전화기.
  34. 제3항에 개시된 액정 전기광학장치를 갖는 것을 특징으로 하는 휴대전화기.
  35. 제1항에 개시된 액정 전기광학장치를 갖는 것을 특징으로 하는 텔레비전 수상기.
  36. 제2항에 개시된 액정 전기광학장치를 갖는 것을 특징으로 하는 텔레비전 수상기.
  37. 제3항에 개시된 액정 전기광학장치를 갖는 것을 특징으로 하는 텔레비전 수상기.
  38. 프로젝터 유닛에 제1항에 개시된 액정 전기광학장치를 갖는 것을 특징으로 하는 투영형 표시장치.
  39. 프로젝터 유닛에 제2항에 개시된 액정 전기광학장치를 갖는 것을 특징으로 하는 투영형 표시장치.
  40. 프로젝터 유닛에 제3항에 개시된 액정 전기광학장치를 갖는 것을 특징으로 하는 투영형 표시장치.
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