JPH04251285A - 液晶表示装置およびそれを用いた投写型表示装置 - Google Patents

液晶表示装置およびそれを用いた投写型表示装置

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JPH04251285A
JPH04251285A JP3001133A JP113391A JPH04251285A JP H04251285 A JPH04251285 A JP H04251285A JP 3001133 A JP3001133 A JP 3001133A JP 113391 A JP113391 A JP 113391A JP H04251285 A JPH04251285 A JP H04251285A
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博司 高原
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は主として小型の液晶パネ
ルに表示された画像をスクリーン上に拡大投映する投写
型テレビ(以後、液晶投写型テレビと呼ぶ)および前記
液晶投写型テレビに用いる液晶表示装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は軽量、薄型など数多くの
特徴を有するため、研究開発が盛んである。しかし、大
画面化が困難であるなどの問題点も多い。そこで近年、
小型の液晶パネルの表示画像を投写レンズなどにより拡
大投映し大画面の表示画像を得る液晶投写型テレビがに
わかに注目をあつめてきている。現在、商品化されてい
る液晶投写型テレビには液晶の施光特性を利用したツイ
ストネマステック(以後、TNと呼ぶ)液晶表示装置が
用いられている。
【0003】まず、一般的な液晶表示装置について説明
する。(図9)は液晶表示装置の平面図である。(図9
)において、93はスイッチング素子としての薄膜トラ
ンジスタ(以後、TFTと呼ぶ)などが形成されたガラ
ス基板(以後、アレイ基板と呼ぶ)、94はITOなど
からなる透明電極が形成された基板(以後、対向基板と
呼ぶ)、91はアレイ基板93上のゲート信号線に接続
されたTFTのオンオフを制御する信号を印加するドラ
イブIC(以後、ゲートドライブICと呼ぶ)、92は
アレイ基板93上のソース信号線にデータ信号を印加す
るためのドライブIC(以後、ソースドライブICと呼
ぶ)、95は偏光板フィルム、96は封止樹脂である。 また、(図10)は液晶パネルを構成するアレイ基板9
3の画像表示部の等価回路図である。(図10)におい
て、101はゲートドライブ回路、102はソースドラ
イブ回路、G1〜Gmはゲート信号線、S1〜Snはソ
ース信号線、103はTFT、104は付加容量、10
5は表示素子としての液晶である。
【0004】液晶パネルの動作としては、ゲートドライ
ブ回路101はゲート信号線G1〜Gmに対し順次オン
電圧を印加する。それと同期してソースドライブ回路1
02はソース信号線S1〜Snにそれぞれの画素に印加
する電圧を出力する。各表示素子105には液晶を所定
の透過量にする電圧が印加され保持される。前記電圧は
次の周期で各TFTが再びオン状態になるまで保持され
る。 前述の動作が繰り返されることにより光は変調され、画
像が表示される。
【0005】以下、従来の液晶表示装置について説明す
る。(図11)は従来の液晶表示装置の表示領域の平面
図である。(図11)において、111a,111bは
ソース信号線、112a,112bはゲート信号線、1
13は画素電極、114はTFT形成位置である。また
、(図12(a))は(図11)のA−A’線での断面
図であり、(図12(b))はB−B’線での断面図で
ある。(図12)において、125はITOからなる対
向電極、124はTN液晶、122はTFTおよび信号
線などが形成されたアレイ基板、121は対向基板、1
23はブラックマトリックス(以後、BMと呼ぶ)、1
26はTFTである。(図11)および(図12)で明
らかなように、従来の液晶パネルは画素ごとに画素電極
113に印加する信号を制御するためTFTが形成され
ており、対向基板121にはTFTおよび信号線上の液
晶が表示とは関係がない動きを行う現象(以後、光もれ
と呼ぶ)をみえなくするためにBM123が形成されて
いる。また、対向基板121とアレイ基板122間は通
常4〜6μmの間隔で配置され、液晶パネルの周辺部は
封止樹脂96で封止され、前記間隔にTN液晶が注入さ
れた構造となっている。また、画素電極113はゲート
信号線112a,112bおよびソース信号線111a
,111bとは所定間隔あけて形成されている。この間
隔は、アレイ基板の作製時のマスクあわせ精度のため生
じる。なお(図13)は(図11)の等価回路図である
【0006】(図14)にTN液晶表示装置の動作説明
図を示す。(図14)において141,142は偏光板
、143は偏光方向、144は透明電極(以後、ITO
と呼ぶ)、145は液晶分子、146は信号源、147
はスイッチである。(図14)に示すように、オフ状態
では入射偏光が90度回転し、オン状態では回転せずに
透過する。したがって2枚の偏光板141,142の偏
光方向が直交していれば、オフ状態では光が透過、オン
状態では遮断される。ただし、偏光方向が互いに平行で
あればこの逆になる。以上のようにTN液晶パネルは光
を変調し画像を表示する。
【0007】以下、従来の液晶投写型テレビについて図
面を参照しながら説明する。(図15)は従来の液晶投
写型テレビの構成図である。(図15)において、15
1は集光光学系、152は赤外線を透過させる赤外線カ
ットミラー、153aは青色光反射ダイクロイックミラ
ー(以後、BDMと呼ぶ)、153bは緑色光反射ダイ
クロイックミラー(以後、GDMと呼ぶ)、153cは
赤色光反射ダイクロイックミラー(以後、RDMと呼ぶ
)、154a,154b,154c,156a,156
b,156cは偏光板、155a,155b,155c
は透過型のTN液晶表示装置、157a,157b,1
57cは投写レンズ系である。なお、投写レンズ系は差
しさわりがない時は総称して投写レンズと呼ぶ。また、
説明に不要な構成物、たとえばフィールドレンズなどは
図面から省略している。
【0008】以下、従来の液晶投写型テレビの動作につ
いて(図15)を参照しながら説明する。まず集光光学
系151から出射された白色光はBDM153aにより
青色光(以後、B光と呼ぶ)が反射され、前記B光は偏
光板154aに入射される。同様にBDM153aを透
過した光はGDM153bにより緑色光(以後、G光と
呼ぶ)が反射され偏光板154bに、また、RDM15
3cにより赤色光(以後、R光と呼ぶ)が反射され偏光
板154cに入射される。偏光板では各色光の縦波成分
または横波成分の一方の光のみを透過させ、光の偏光方
向をそろえて各液晶表示装置に照射させる。この際、5
0%以上の光は前記偏光板で吸収され、透過光の明るさ
は最大でも半分以下となってしまう。
【0009】各液晶表示装置は映像信号により前記透過
光を変調する。変調された光はその変調度合のより各偏
光板156a,156b,156cを透過し、各投写レ
ンズ系157a,157b,157cに入射して、前記
レンズによりスクリーン(図示せず)に拡大投映される
【0010】
【発明が解決しようとする課題】前述の説明でも明らか
なように、TN液晶を用いた液晶表示装置では、前述液
晶へは直線偏光にして光を入射させる必要がある。した
がって液晶表示装置の前後には偏光板を配置する必要が
ある。前述偏光板は理論的に50%以上の光を吸収して
しまう。したがって、第1の課題としてスクリーンに拡
大投映した際、低い画面輝度しか得られないという課題
がある。一方、液晶分子は対向電極125と画素電極1
13間に印加された電界により配向または施光状態とな
る。(図12(a))のア,イは電気力線の軌跡を示し
ている。アの軌跡は画素電極113と対向電極125に
垂直となっているため、前記電気力線に強弱に従って液
晶分子は施光あるいは配向し、またその割合は印加され
る映像信号に応じて変化する。このことは、液晶により
正常に光変調が行なわれることを示す。
【0011】一方軌跡イは斜め方向をむいている。これ
は、TFT126およびソース信号線111a,111
bには表示画像に起与しない信号が印加されTFT12
6,信号上の液晶は表示とは関係ない施光あるいは配向
状態(以下、異常配向と呼ぶ)となることを示している
。したがって、表示画像とは全く関係なく光を変調し、
画素周辺部の光もれが生じ画質を劣化させる。以後、こ
の現象を画像表示を劣化させることから、表示ノイズと
呼ぶ。この表示ノイズに対処するため、BM123を形
成し、液晶の異常配向状態を視覚的にみえなくしている
。しかし、BMは液晶パネルの開口率を大幅に低下させ
ることにつながる。一例として、画素サイズが80μm
角の場合、アレイ単体では画素電極113の面積は一画
素の面積の70%であるが、BMを取り付けると画素電
極113の周辺部がかくされ約40%の開口率となって
しまう。
【0012】以上の2つの課題を解決するため、本発明
の液晶表示装置および液晶投写型テレビでは高分子分散
液晶を用いている。高分子分散液晶には、液晶と高分子
の分散状態によって、大きく2つのタイプに分けられる
。1つは、水滴状の液晶が高分子中に分散しているタイ
プである。液晶は、高分子中に不連続な状態で存在する
。以後、このような液晶をPDLCと呼び、また、前記
液晶を用いた液晶パネルをPD液晶表示装置と呼ぶ。
【0013】もう1つは、液晶層に高分子のネットワー
クを張り巡らせたような構造を採るタイプである。ちょ
うどスポンジに液晶を含ませたような格好になる。液晶
は、水滴状とならず連続に存在する。以後、このような
液晶をPNLCと呼び、また、前記液晶を用いた液晶表
示装置をPN液晶表示装置と呼ぶ。前記2種類の液晶表
示装置で画像を表示するためには光の散乱・透過を制御
することにより行なう。PDLCは、液晶が配向してい
る方向で屈折率が異なる性質を利用する。電圧を印加し
ていない状態では、それぞれの水滴状液晶は不規則な方
向に配向している。この状態では、高分子と液晶に屈折
率の差が生じ、入射光は散乱する。ここで電圧を印加す
ると液晶の配向方向がそろう。液晶が一定方向に配向し
たときの屈折率をあらかじめ高分子の屈折率と合わせて
おくと、入射光は散乱せずに透過する。
【0014】これに対して、PNLCは液晶分子の配向
の不規則さそのものを使う。不規則な配向状態、つまり
電圧を印加していない状態では入射した光は散乱する。 一方、電圧を印加し配列状態を規則的にすると光は透過
する。なお、前述のPDLCおよびPNLCの液晶の動
きの説明はあくまでもモデル的な考え方である。本発明
においてはPD液晶表示装置とPN液晶表示装のうち一
方に限定するものではないが、説明を容易にするためP
D液晶表示装置を例にあげて説明する。また、PDLC
およびPNLCを総称して高分子分散液晶と呼び、PD
液晶表示装置およびPN液晶表示装置を総称して高分子
分散液晶表示装置と呼ぶ。また、高分子分散液晶表示装
置に注入する液晶を含有する液体を総称して液晶溶液ま
たは樹脂と呼び、前記液晶溶液の樹脂成分が重合硬化し
た状態をポリマーと呼ぶ。
【0015】まず、高分子分散液晶の動作について(図
16(a)(b))を用いて簡単に述べる。(図16(
a)(b))は高分子分散液晶表示装置の動作の説明図
である。(図16(a)(b))において、161はア
レイ基板、162は画素電極、163は対向電極、16
4は水滴状液晶、165はポリマー、166は対向基板
である。画素電極162にはTFT等が接続され、TF
Tのオン・オフにより画素電極に電圧が印加されて、画
素電極上の液晶配向方向を可変させて光を変調する。 (図16(a))に示すように電圧を印加していない状
態では、それぞれの水滴状液晶164は不規則な方向に
配向している。この状態ではポリマー165と液晶とに
屈折率差が生じ入射光は散乱する。ここで(図16(b
))に示すように画素電極に電圧を印加すると液晶の方
向がそろう。液晶が一定方向に配向したときの屈折率を
あらかじめポリマーの屈折率と合わせておくと、入射光
は散乱せずにアレイ基板161より出射する。
【0016】以上のように、高分子分散液晶表示装置は
偏光板を用いないため、光利用効率が高く、非常に高輝
度の表示画像が得られる。しかし、液晶表示装置として
用いようとすると以下の課題がある。水滴状液晶は液晶
溶液に紫外線を照射し、樹脂成分を重合させてポリマー
化し、液晶とポリマーとの相分離を行なわせて作製する
。そのため、従来のTN液晶表示装置のようにBMが対
向基板に形成されていると、重合させる際、紫外線がB
Mにより遮光され、BMの下層の液晶溶液が重合反応し
ない。そのため、高分子分散液晶表示装置はBMを形成
することが困難であり、また形成しても極力小面積にす
べきである。しかし、従来の液晶パネルの項でも説明し
たように、TFTおよび特にソース信号線上とその近傍
の液晶が表示とは関係なく配向・非配向の動作を行い光
を変調する。BMは前記変調光を視覚的に見えなくする
重要な役割がある。したがって、BMがないとソース信
号線にはたえず信号が印加されているから、先にも述べ
たように前記信号線の近傍、つまり画素電極とソース信
号線間のギャップ間に光もれが発生する。前記光もれは
、コントラストを大幅に低下させ、また、表示画像の品
位を劣化させる。
【0017】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め、第1の本発明の液晶表示装置は、アレイ基板上のT
FTソース信号線と画素電極およびその近傍に有機絶縁
物などを用いて絶縁層を形成し、一方、対向基板上にも
前記絶縁層の上層の相対する位置に絶縁層を形成したも
のである。また第2の本発明の液晶表示装置は、第1の
本発明の液晶表示装置に加えて、一画素に2つのTFT
を形成し、ソース信号線と画素電極間の寄生容量が隣接
したソース信号線間で等しくなるようにし、かつ、点欠
陥などを防止する対策をほどこしたものである。なお、
隣接したソース信号線間には互いに逆極性の信号を印加
する。
【0018】本発明の液晶投写型テレビは、第1または
第2の本発明の液晶表示装置を用いて構成したものであ
り、また、緑光変調用の液晶表示装置に印加する映像信
号の極性を赤および青光変調用の液晶表示装置に印加す
る映像信号の極性と逆極性で駆動する。また、投写光学
系としては、シュリーレン光学系を用い、散乱光を遮光
し、平行光をスクリーンに投写することにより、高輝度
・高コントラストの画像表示を実現できるものである。
【0019】
【作用】所望表示画像と関係なく異常配向する液晶をな
くするためには、TFTソース信号線と画像電極の上層
つまり対向基板間に絶縁物からなる突起上の柱をたて、
液晶がTFTソース信号線上とその近傍つまり画素周辺
部にないようにすればよい。しかし、高分子分散液晶表
示装置の液晶膜厚は光の拡散特性を良好にするため10
〜15μm程度必要である。前記液晶膜厚に相当する1
0〜15μmの突起状の柱を形成することはプロセス上
かなり困難である。そこで、対向基板とアレイ基板の双
方に1〜5μm程度の突起状の柱を感光性ポリイミドで
形成する。
【0020】以上の構造によれば光もれを生じる画素周
辺部分の液晶がない構造を容易に作製することができる
。また、たとえ液晶が存在してもほとんど前記液晶には
電界が印加しない。したがって、高分子分散液晶は印加
電界で弱い場合光を散乱させるから、たとえ光がパネル
から出射されても前記光は所定値以上の入射角度でレン
ズに入射し、シュリーレン光学系で遮光され投映されな
い。ゆえに光もれがみえない。
【0021】
【実施例】以下、図面を参照しながら、第1の本発明の
液晶表示装置について説明する。(図1)は本発明の第
1の液晶表示装置の一画素の平面図である。また、(図
2(a))は(図1)のA−A’線での断面図、(図2
(b))は(図1)のB−B’線での断面図である。な
お、各図面は理解を容易にするため、モデル的に描いて
おり、また、説明に不要な箇所は省略している。以上の
ことは、以下の図面に対しても同様である。なお、(図
3)は(図1)の等価回路図である。(図1),(図2
)および(図3)において、11a,11bはソース信
号線、12a,12bはゲート信号線、13はTFT形
成部、14はITOからなる画素電極、15a絶縁層で
あり、前記絶縁層は特にTFTソース信号線と画素電極
14間のすきまとその近傍上を重点として形成される。
【0022】材料としてはポリイミド等の有機絶縁物、
SiO2,SiNxまたはTaOxなどの無機絶縁物が
該当し、形成の容易性から感光性のポリイミドなどが最
も好ましい。また、15bは対向基板24上に形成され
た絶縁層であり、材料としては絶縁層15aと同様であ
る。 形成位置は対向電極24上の、TFT・ソース信号線と
画素電極14間の上層に位置する箇所を重点として形成
される。なお、絶縁層15a,15bの膜厚は高分子分
散液晶の膜厚の1/10から1/2の膜厚に形成される
。つまり、高分子分散液晶の膜厚が10μmのとき少な
くとも1μm以上に形成され、光もれを表示画像に支障
がない程度に防止するためには3μm以上に形成するこ
とが好ましい。最も理想的には、液晶膜厚の1/2の5
μm程度に形成し絶縁層15aと15bで液晶膜厚を所
定値に保持できるようにすれば、保持用のビーズなどを
用いる必要がなくなり、効果は増大する。また絶縁層は
ソース信号線と画素電極14間の横電界を完全に除去す
るため、画素の焼きつきおよび液晶の劣化を防止する効
果もある。なお、(図3)に示す22a,22bは画素
電極14とソース信号線間の寄生容量を示している。 これは絶縁層として用いたポリイミドの誘電率の高いと
きに生じる。
【0023】本発明の液晶表示装置を用いる基板の形成
方法としては、ガラス基板上にソース信号線、ゲート信
号線等の信号線およびTFTを形成する。つぎに、前記
基板上に絶縁層15aとなる絶縁膜を形成する。絶縁膜
の物質としては好ましくは有機化合物、とくに感光性有
機材料が製造方法上最も好ましい。その一例として感光
性ポリイミドがあげられる。この際の成膜の方法として
は塗布方式が簡便である。例えば、スピンナー、塗布、
ディップ塗布、ロール塗布、キャスト塗布等が掲げられ
るがここでは規定するものではない。
【0024】なお、感光性有機材料とは光の照射により
以下のような光化学反応が起こる物質であり以下の2種
類に大別される。
【0025】(1)光照射により重合あるいは架橋反応
が起こり分子量が増大する。 (2)光照射により分解反応が起こり分子量が減少する
【0026】このうち(1)のものをネガ型、(2)の
ものをポジ型と以下では呼ぶことにする。ネガ型の材料
としてはメチルメタクリレート、トリメチロールプロパ
ントリメタクリレート、本発明の液晶溶液の樹脂材料と
して用いることのできるアクリル系樹脂、ビニルピロリ
ドン、不飽和ポリエステル、1,2−ポリブタジエン等
が掲げられる。ネガ型の材料を用いる場合の製造方法と
しては、該ネガ型材料を前記の手法により全面に成膜し
必要箇所つまりTFT,ソース信号線とその近傍のみに
光照射を行い硬化させ、他の部分は洗い流し除去する。 一方ポジ型の材料としては例えば、ノボラック+o−ナ
フトキノンジアジド系、ジアゾ樹脂+ポリアクリル酸ア
ミド、p−ジアゾフェニルアミン類とパラホルムアルデ
ヒド縮合物等が掲げられる。このようなポジ型材料を用
いる場合の製造方法としては該ポジ型材料を前記手法に
より全面に成膜し、更に必要箇所に光遮断層を成膜し、
不要箇所上の遮断層を取り除いた後に光照射して更に不
要箇所上の絶縁層をアルカリ水溶液等により除去する。 また、不要箇所をO2アッシャーなどの手法により除去
する方法もある。同様に対向基板21上にも同様の材料
および同様の方法で絶縁層15bを形成する。
【0027】次に、前述のように形成されたアレイ基板
をおよび対向基板を用いて液晶パネルに組み立てる方法
について説明する。液晶パネルの組立方法としては、前
に説明したアレイ基板22の周辺部にファイバーが含有
された封止樹脂を液晶の注入口を残して塗布し、一方、
対向基板21には所定の液晶層の膜厚を得るためのビー
ズを散布する。ビーズ径として5μm〜20μmが好ま
しく、中でも10μm〜15μmが最も好ましい。前に
述べたファイバー径は前記ビーズ径に適合する径のもの
が用いられる。なお、先にものべたように絶縁層15a
と15bで所定の液晶膜層を保持できる場合は、ビース
は不要であることは言うまでもない。つぎに対向基板2
1にアレイ基板22を位置決めしはりあわせる。その後
、加熱して封止樹脂を硬化させる。次に前記はりあわせ
たパネルを真空室にいれ、基板21と22間を真空状態
にする。その後、注入口を液晶溶液に浸したのち、真空
室の真空をやぶる。すると液晶溶液は注入口より前記基
板内に注入される。液晶溶液の液晶材料としてはネマチ
ック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶が好
ましく、単一もしくは2種類以上の液晶性化合物や液晶
性化合物以外の物質も含んだ混合物であっても良い。
【0028】なお、先に述べた液晶材料のうちシアンビ
フェニル系のネマスチック液晶が最も好ましい。樹脂材
料としては透明なポリマーが好ましく、熱可塑性樹脂、
熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂のいずれであっても良いが
、先に述べたように製造工程の容易さ、液晶相との分離
等の点より紫外線硬化タイプの樹脂を用いるのが好まし
い。具体的な例として紫外線硬化性アクリル系樹脂が例
示され、特に紫外線照射によって重合硬化するアクリル
モノマー、アクリルオリゴマーを含有するものが好まし
い。また、紫外線を照射することによって樹脂のみ重合
反応を起こしてポリマーとなり、液晶のみ相分離する。 この際、樹脂分と比較して液晶の量が少ない場合には独
立した粒子状の水滴状液晶が形成されるし、一方、液晶
の量が多い場合は、樹脂マトリクスが液晶材料中に粒子
状、または、ネットワーク状に存在し、液晶が連続層を
成すように形成される。
【0029】この際に水滴状液晶の粒子径、もしくはポ
リマーネットワークの孔径がある程度均一で、かつ大き
さとしては0.1μm〜数μmの範囲でなければ入射光
の分散性能力が悪く、コントラストが上がらない。なお
、好ましくは大きさは0.5μm〜1.5μmの範囲が
よい。この為にも紫外線硬化樹脂のように短時間で硬化
が終了しうる材料でなければならない。また、液晶材料
と樹脂材料の配合比は9:1〜1:9であり、中でも2
:1〜1:2の範囲が好ましい。
【0030】次に前述のように作製された本発明の液晶
表示装置の液晶パネルの駆動回路および駆動方法につい
て述べる。(図17)は駆動回路の説明図である。(図
17)において、171は入力されたビデオ信号を液晶
パネルの電気光学的特性範囲に適合するように増幅する
アンプであり、通常、高分子分散液晶パネルは立ちあが
り電圧が  1.5〜2.0Vであり、最大透過率にな
る電圧はほぼ6.0〜7.0Vであるから前記範囲に適
合するように映像信号のペデスタルレベルおよび信号振
幅となるように増幅される。
【0031】次に利得調整されたビデオ信号は位相分割
回路172にはいる。前記位相分割回路172は入力さ
れたビデオ信号の正極性と負極性の2つのビデオ信号を
出力する。次に位相分割回路172から出力される2つ
の正負のビデオ信号は出力切り換え回路173に入力さ
れる。出力切り換え回路173はフィールドごとに極性
を反転させたビデオ信号を出力し、前記ビデオ信号をソ
ースドライブIC175に出力する。以上のようにフィ
ールドごとに極性を反転させるのは、液晶に交流電圧が
印加されるようにし、液晶の劣化を防止するためである
。ソースドライブIC175はドライブ制御回路177
からの制御信号により、ビデオ信号のレベルシフト・A
/D変換などを行ない、ゲートドライブIC176と同
期をとって液晶パネル174に印加する。
【0032】つぎに、駆動方法について説明する。先に
も述べたように、液晶パネル174にはフィールドごと
に極性を反転させた信号を印加する。それに加えて隣接
したソース信号線には互いに逆極性の信号を印加する。 この逆極性とはある時刻に第1のソース信号線に正極性
の信号が印加されておれば、第1のソース信号線に隣接
した第2のソース信号線には負極性の信号が印加されて
いることを意味する。当然のことながら、第1と第2の
ソース信号線に印加される信号は極性が異なるだけでな
く、表示画像によって映像信号の振幅値は異なる。その
時の状態を(図18(a)(b))に示す。(図18(
a)(b))において、1つの四角形は1画素を意味し
、+表示は正極性の電圧を保持していることを、また−
表示は負極性の電圧を保持していることを示している。 (図18(a))の状態をある時刻つまりあるフィール
ドでの駆動状態とすると、1フィールド後の駆動状態は
(図18(b))のごとくなる。
【0033】以上のように隣接したソース信号線に互い
に逆極性の信号を印加するのは以下の理由による。(図
2)に示すように画素電極14とソース信号線には寄生
容量21a,21bが発生する。(図2)に示すように
、ソース信号線11aに+極性の信号が、ソース信号線
11bに−極性の信号が印加されているとする。今、信
号の極性が異なるだけで、ソース信号線11aと11b
に印加される信号の振幅値がほぼ同一とし、また寄生容
量32aと32bの容量がほぼ等しいとする。すると画
素電極14には寄生容量32a,32bが打ち消しあい
、電位の変動は発生しない。したがって、画素電極14
とソース信号線を重ねたことにより発生した寄生容量が
全く存在しないと見なしうる。
【0034】以上のように、本発明の高分子分散液晶表
示装置では、画素電極14とソース信号線間を埋めるよ
うに絶縁層15aなどを形成しているため画素電極14
の周辺の光もれが発生せず、また絶縁層15a,15b
を形成したことにより液晶の異常配向状態による表示ノ
イズは発生しない。
【0035】以下、図面を参照しながら、第2の本発明
の液晶表示装置について説明する。(図4)は第2の本
発明の液晶表示装置の一画素の平面図である。(図4)
において、13a,13bはTFT形成位置である。な
お、TFTを一画素に2つ形成した他は第1の本発明の
液晶表示装置と同様であるので省略する。(図4)から
明らかなように、第2の本発明の液晶表示装置は一画素
に2個のTFTを形成している。その等価回路図を(図
5)に示す。(図5)において、51a,51bはTF
T、52a,52bはTFTのドレイン・ソース間に発
生する寄生容量である。また、TFT51aと51bは
異なるゲートおよびソース信号線に接続されている。駆
動回路および駆動方法については第1の本発明の液晶表
示装置と同一であるので説明を省略する。
【0036】第2の本発明の液晶表示装置は(図1)で
わかるとおり一画素の対角位置に2個のTFTを形成し
ている。そのため、一画素の左右で画素電極とソース信
号線と平行に配置される距離が等しい。したがって、寄
生容量22aと22bは容量は完全に等しくなる。第1
の本発明の液晶表示装置のTFT21にはドレイン・ソ
ース間の寄生容量がある。したがって、第1の本発明の
液晶表示装置では、ソース信号線11aと画素電極14
との寄生容量はTFT21のドレイン・ソース間の寄生
容量と寄生容量32aを加えた容量であり、一方、ソー
ス信号線11bと画素電極14との寄生容量は寄生容量
32bのみである。ゆえに寄生容量のアンバランスが生
じる。このことよりソース信号線に印加された電圧によ
り画素電極14の電位は多少動く。
【0037】しかし、(図5)から明らかなように、第
2の本発明の液晶表示装置では、ソース信号線11a,
11bと画素電極14間の容量は等しくなる。したがっ
て、第1の本発明の液晶表示装置で説明した駆動方法を
用いれば、ソース信号線に印加された電圧により、画素
電極14の電位は全く左右されなる。ゆえに、第1の本
発明と比較して高コントラストの表示を行なえる。また
、画素欠陥の発生に対しても、TFT51aと51bの
一方が正常であれば欠陥とならないため、不良発生率は
大幅に向上する。
【0038】以下、図面を参照しながら本発明の液晶投
写型テレビについて説明する。(図6)は本発明の液晶
投写型テレビの構成図である。ただし、説明に不要な構
成要素は省略している。(図6)において、61は集光
光学系であり、内部に凹面鏡および光発生手段としての
メタルハライドランプの250Wを有している。また凹
面鏡は有視光のみを反射させるように構成されている。 さらに集光光学系61の出射端には紫外線カットフィル
タが配置されている。62は赤外線を透過させ有視光の
みを反射させる赤外線カットミラーである。ただし、前
記赤外線カットミラー62は集光光学系62の内部に配
置してもよいことは言うまでもない。また、62aはB
DM、62bはGDM、62cはRDMである。なお、
前記BDM63aからRDM63cの配置は前記の順序
に限定するものではなく、また、最後のRDM63cは
全反射ミラーにおきかえてもよいことは言うまでもない
。64a,64bおよび64cは第1または第2の本発
明の高分子分散液晶パネルである。なお、前記液晶パネ
ルは光のハレーション・反射を防止するため、少なくと
も光入射面には反射防止膜を形成している。65a,6
5bおよび65cはレンズ、67a,67bおよび67
cは投写レンズ、66a,66bおよび66cはしぼり
としてのアパーチャである。なお、65,66および6
7でシュリーレン光学系を構成している。また、特に支
障のないかぎり前記65,66および67の組を投写レ
ンズ系と呼ぶ。また、アパーチャはレンズ65のFNo
.が大きいとき必要がないことは明らかである。
【0039】投写レンズ系の配置等は、以下のとおりで
ある。まず、高分子分散液晶パネルとレンズ65との距
離Lと、レンズ65とアパーチャ66までの距離はほぼ
等しくなるように配置される。また、レンズ85は集光
角θが約6度以下になるものが選ばれる。また、アパー
チャ66の開口径Dは前述の距離Lが10cmとすると
1cm程度に設定される。以上のような投写レンズ系は
各液晶パネルを透過した平行光線を透過させ、各液晶パ
ネルで散乱した光を透過させる役割を果たす。その結果
、スクリーン上に高コントラストのフルカラー表示が実
現できる。アパーチャの開口径Dを小さくすればコント
ラストは向上する。しかし、スクリーン上の画像輝度は
低下する。
【0040】本発明の液晶パネルの液晶層の膜厚が、1
0〜15μmの時、少なくともレンズの集光角θは8度
以下にする必要があった。中でも6度前後が最適であり
、その時、コントラストは画面中心部で200:1であ
り、リア方式で40インチスクリーンに投写した際、C
RT投写型テレビと比較して、それ以上の画面輝度を得
ることができた。なお、その時のアパーチャの開口径は
10mm、距離Lは100mm前後であった。より具体
的には(図8)の構成図は(図7)に示す斜視図で示さ
れる。(図7)において71,72はレンズ、73はミ
ラー、74a,74bおよび74cは投写レンズまたは
投写レンズ系である。
【0041】以下、本発明の液晶投写型テレビの動作に
ついて説明する。なお、R,G,B光のそれぞれの変調
系については、ほぼ同一動作であるのでB光の変調系に
ついて例にあげ説明する。まず、集光光学系61から白
色光が照射され、前記白色光のB光成分はBDM63a
により反射される。前記B光は高分子分散液晶パネル6
4aに入射する。前記高分子分散液晶パネルは(図16
)に示すように画素電極に印加された信号により入射し
た光の散乱と透過を制御し、光を変調する。散乱した光
はアパーチャ66aで遮光され、逆に平行光または所定
角度内の光はアパーチャ66aを通過する。変調された
光は投写レンズ67aによりスクリーン(図示せず)に
拡大投映される。以上のようにして、スクリーンには画
像のB光成分が表示される。同様に高分子分散液晶パネ
ル64bはG光成分の光を変調し、また、高分子分散液
晶パネル64cはR光成分の光を変調して、スクリーン
上にはカラー画像が表示される。
【0042】以下、本発明の液晶投写型テレビの駆動回
路および駆動方法について説明する。(図19)は本発
明の液晶投写型テレビの駆動回路の説明図である。(図
19)において、64cはR光を変調する液晶パネル、
64bはG光を変調する液晶パネル、64aはB光を変
調する液晶パネル、また、R1とR2およびトランジス
タQでベースに入力されたビデオ信号の正極性と負極性
のビデオ信号を作る位相分割回路であり、(図17)の
172が既当する。191a,191bおよび191c
はフィールドごとに極性を反転させた交流ビデオ信号を
液晶パネルに出力する出力切り換え回路である。ビデオ
信号は所定値に利得調整されたのち、R,G,B光に対
応する信号に分割される。このビデオ信号をそれぞれビ
デオ信号(R),ビデオ信号(G),ビデオ信号(B)
とする。それぞれのビデオ信号(R,G,B)は位相分
割回路にはいり、この回路により正極性と負極性の2つ
のビデオ信号が作られる。
【0043】次に前記2つのビデオ信号はそれぞれの出
力切り換え回路191a,191b,191cにはいり
、前記回路はフィールドごとに極性を反転させたビデオ
信号を出力する。このようにフィールドごとに極性を反
転させるのは、先にも述べたように液晶に交流電圧が印
加されるようにして液晶の劣化を防止するためである。 次にそれぞれの出力切り換えを回路からのビデオ信号は
ソースドライブIC175にはいる。制御回路177は
ソースドライブIC175とゲートドライブIC176
との同期をとり、液晶パネルに画像を表示させる。
【0044】次に人間の眼の視感度について説明する。 人間の眼は波長555nm付近が最高感度となっている
。光の3原色では緑が一番高く、つぎが赤で、青がもっ
とも鈍感である。この感度に比例した輝度信号を得るた
めには、赤色を30%、緑色を60%、青色を10%加
えればよい。したがってテレビ映像で白色を得るために
はR:B:G=3:6:1の比率で加えればよい。また
、先にも述べたように液晶は交流駆動を行なう必要があ
る。前記交流駆動は液晶パネルの対向電極に印加する電
圧(以後、コモン電圧と呼ぶ)に対して正極性と負極性
の信号が交互に印加されることにより行なわれる。本実
施例では液晶パネルに正極性の信号が印加し視感度nの
強さの光を変調している状態を+n、負極性の信号が印
加し視感度nの強さの光を変調している状態を−nとあ
らわす。
【0045】たとえばR:G:B=3:6:1の光が液
晶パネルに照射されており、RとB用の液晶パネルに正
極性の信号が印加され、G用の液晶パネルに負極性の信
号が印加されておれば+3・−6・+1とあらわすもの
とする。なお、R:G:B=3:6:1はNTSCのテ
レビ映像の場合であって、液晶投写型テレビでは光源の
ランプ・ダイクロイックミラーの特性などにより上記比
率は異なってくる。(図19)では+3・−6・+1と
示されているとおり、R:G:B=3:6:1の光が照
射され、RとB用の液晶パネルには正極の信号がG用の
液晶パネルには負極性の信号が印加されているところを
示している。1フィールド後は−3・+6・−1と表現
される信号印加状態となる。
【0046】(図20)に各液晶パネルへの印加信号波
形を示す。(図20(a))はR光を変調する液晶表示
装置64cの信号波形、(図20(b))はG光を変調
する液晶表示装置64bの信号波形、(図20(c))
はB光を変調する液晶表示装置の信号波形である。(図
20(a)(b)(c))から明らかなように、G光変
調用の信号波形をR,B光変調用の信号波形と逆極性に
している。通常、液晶表示装置には同一信号が印加され
ていても偶数フィールドと奇数フィールドでわずかに画
素に保持される電圧に差が生じる。これは、TFTのオ
ン電流およびオフ電流が映像信号の極性により異なる、
あるいは配向膜などの正電界と負電界での保持特性の違
いにより生じる。前記違いによりフリッカという現象が
あらわれる。しかし、本発明の液晶投写型テレビでは(
図18)に示すように、隣接したソース信号線間の信号
の極性をかえ、また(図20)に示すようにG光変調用
の信号をR,B光変調用の信号と逆極性にすることによ
り、フリッカが視覚的に見えることを防止できる。なお
、G光変調用の信号を他と逆極性にしたのは、光の強度
がR:G:B=3:6:1であり、信号の極性および人
間の視覚を考慮したとき(R+B):G=(3+1):
6=4:6となり、ほぼ4:6でつりあうようにするた
めである。
【0047】なお、本実施例の液晶表示装置においては
透過型液晶パネルのように表現したが、これに、限定す
るものではなく、反射型の構造を取ってもよいことは明
らかである。その際は画素電極は金属物質で形成すれば
よい。また、画素電極14とソース信号線のみを重ねて
形成するように表現したが、これに限定するものではな
く、ゲート信号線と画素電極14をも重ねて形成するよ
うにしてもよい。また、(図6)において投写レンズ系
をシュリーレン光学系としたがこれに限定するものでは
なく、たとえば(図8)に示すように平行光を遮光体8
1で遮光し、散乱光をスクリーンに投映する中心遮へい
型の光学系を用いてもよいことは言うまでもない。
【0048】また、本発明の液晶表示装置の構成はTF
Tに限定するものではなく、ダイオードなどの2端子素
子をスイッチング素子として用いる液晶表示装置でも有
効である。
【0049】また、(図6)においては光はアレイ基板
側から入射させるとしたが、これに限定するものではな
く、対向基板から入射させても同様の効果が得られるこ
とは明らかである。したがって、本発明の液晶装置およ
び液晶投写型テレビは光の入射方向に左右されるもので
はない。
【0050】また、基板22はガラス基板としたが、こ
れに限定するものではなく、たとえばシリコンなどの半
導体基板であってもよいことは明らかである。また、本
実施例の液晶表示装置においてBMを形成しないように
表現したいが、これに限定するものではなく(図21)
に示すようにBM211を形成してもよいことは明らか
である。ただし、BM下の液晶溶液は前記BMにより紫
外線が遮光され重合しにくいため、BM下以外の部分を
紫外線で重合させた後、パネルを加熱してBM下の液晶
溶液を完全に重合させる必要がある。
【0051】また、本実施例においては、TFTおよび
ソース信号線上に絶縁層15aを形成するとしたが、重
要なのは、画素電極周辺部の光ぬけを防止することであ
ることから、その意味から、プロセスで形成可能な場合
は、画素周辺部のみに絶縁層を形成してもよく、一方、
絶縁層15aと15bを両方形成する必要もないことも
明らかであり、プロセスで形成可能な場合は、(図22
)に示すように絶縁層15aのみを十分な膜厚で形成し
てもよい。
【0052】また、TFTとソース信号線およびその近
傍のみに絶縁層を形成するように表現したがこれに限定
するものではなく、必要なときは、(図23)に示すよ
うにゲート信号線とその近傍にも形成することを除外す
るものではない。対向基板21上の絶縁層15bについ
ても同様である。
【0053】また、本発明の液晶投写型テレビの実施例
においてはリアタイプ液晶投写型TVのように表現した
が、これに限定するものではなく反射型スクリーンに画
像を投映するフロントタイプ液晶投写型TVでもよいこ
とは言うまでもない。さらに、本実施例の液晶投写型テ
レビにおいては、ダイクロイックミラーにより色分離を
行なうとしたがこれに限定するものではなく、たとえば
吸収型色フィルタを用いて、色分離を行なってもよい。
【0054】また、本実施例の液晶投写型テレビにおい
ては、R,GおよびB光の変調系において投写レンズ系
をそれぞれ1つずつ設けているが、これに限定するもの
ではなく、たとえばミラーなどを用いて液晶パネルによ
り変調された表示画像を1つにまとめてから1つの投写
レンズ系に入射させてもよいことは言うまでもない。
【0055】
【発明の効果】以上のように、本発明の液晶表示装置は
絶縁層を形成したことにより、画素電極とソース信号線
間などに液晶が存在せず、したがって当然液晶には横電
界が印加されないため従来から液晶表示装置の特有の課
題となっていた画像の焼きつきおよび液晶に直流電圧が
かかることによる液晶の分解などの発生を除去すること
ができる。また、画素電極の周辺部とその近傍の上層に
絶縁層が形成されているため、前記箇所に液晶が存在し
ない。したがって、斜めの電界にそって液晶が配向し、
光を変調して表示ノイズあるいは光もれの発生すること
を防止することができ、コントラストが向上し、また画
像品位を大幅に向上できる。このことは、画素サイズが
小さくなるほど効果は大きくなり、100μm角以下の
画素サイズでかなり著顕となり、60μm角以下のとき
、その効果は著しい。
【0056】さらに、対向基板とアレイ基板の両方に絶
縁層を形成するため、作製できる絶縁層の膜厚が現状で
は厚くできなくとも大きな効果が期待できる。つまり、
従来のプロセスで10μm以上の突起柱形状の絶縁層を
作製することはかなり困難であったが、本発明の液晶表
示装置ではアレイ基板と対向基板の両方に5μmの突起
柱形状の絶縁層を形成すればよいから、作製はいたって
容易である。また、従来では液晶の膜厚を一定値に保持
するため、アレイ基板と対向基板間にビーズをはさんで
いたが、本発明の液晶表示装置内に形成する絶縁層を所
定の膜厚とすることにより、ビーズを用いずとも一定値
の液晶膜厚が得られ、工数の低減を行なえる。つまり、
絶縁層は15a,15bを加えた膜厚をビーズの直径に
等しい膜厚に形成しておけばよい。その上、絶縁層を形
成することによりBMを不要あるいはBM幅を大幅に小
さくすることが可能で、開口率の増大を行うことができ
、高輝度が可能である。
【0057】また、第2の本発明の液晶表示装置は、画
素電極の左右の辺とソース信号線とが平行に形成された
長さを等しくしており、また、画素電極の対向位置にそ
れぞれTFTを形成している。したがって、一つの画素
電極の右に位置するソース信号線と画素電極間の寄生容
量と、左に位置するソース信号線と画素電極間の寄生容
量が等しい。ゆえに、実施例で説明した駆動方法を用い
ることにより、ソース信号線に印加されている映像信号
に画素電極の電位が左右されず、高品位の画像を表示で
き,また、画素欠陥に対しても2つのTFTのうち一方
が正常な動作を行なえばよいから、製造歩どまりも大幅
に向上する。
【0058】液晶投写型テレビは、画像輝度およびコン
トラストが画像品位に与える映像として大きい。本発明
の液晶表示装置は高分子分散液晶を用いることにより、
従来のTN液晶に比較して2倍以上の画像の高輝度化が
可能であり、また絶縁層15a,15bを形成したこと
により画素電極周辺部の光ぬけを大幅に低減しているた
め、コントラストも高い。したがって、本発明の液晶表
示装置を用いた本発明の液晶投写型テレビは従来のTN
液晶表示装置を用いた液晶投写型テレビと比較して、大
幅な高輝度化、高コントラスト化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の本発明の一実施例における液晶表示装置
の一画素の平面図である。
【図2】図1のA−A´およびB−B´線での断面図で
ある。
【図3】図1の等価回路図である。
【図4】第2の本発明の一実施例における液晶表示装置
の一画素の平面図である。
【図5】図4の等価回路図である。
【図6】本発明の液晶投写型テレビの一実施例における
構成図である。
【図7】本発明の液晶投写型テレビの一実施例の斜視図
である。
【図8】中心遮光型投写レンズ系の説明図である。
【図9】従来の液晶パネルの平面図である。
【図10】従来の液晶パネルの等価回路図である。
【図11】従来の液晶パネルの一画素部の平面図である
【図12】図11のB−B´線での断面図である。
【図13】図11の等価回路図である。
【図14】TN液晶パネルの動作の説明図である。
【図15】従来の液晶投写型テレビの構成図である。
【図16】高分子分散液晶表示装置の説明図である。
【図17】本発明の液晶表示装置の一実施例に係る駆動
回路の説明図である。
【図18】本発明の液晶表示装置の駆動方法の説明図で
ある。
【図19】本発明の液晶投写型テレビの一実施例に係る
駆動回路の説明図である。
【図20】本発明の液晶投写型テレビの駆動方法の説明
図である。
【図21】本発明の一実施例における液晶表示装置の一
画素の断面図である。
【図22】本発明の一実施例における液晶表示装置の一
画素の断面図である。
【図23】本発明の他の実施例における液晶表示装置の
一画素の平面図である。
【符号の説明】
11,G1〜Gm  ソース信号線 12,S1〜Sn  ゲート信号線 14  画素電極 31,51  TFT 32,52  寄生容量 21  対向基板 22  アレイ基板 15  絶縁層 25  高分子分散液晶層 24  対向電極 13,41  TFT形成位置 61  集光光学系 62  紫外線カットミラー 63,153  ダイクロイックミラー64  高分子
分散液晶パネル 65,71,72,81  レンズ 66  アバーチャ 67,157  投写レンズ 73  ミラー 74  投写レンズ系 82  遮光体 83  投写レンズ

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  スイッチング素子が形成された第1の
    基板上の信号線とスイッチング素子のうち少なくとも一
    方と画素電極間に絶縁体物質からなる第1の絶縁層が形
    成され、かつ、対向電極が形成された第2の基板上の、
    前記第1の基板上に形成された前記第1の絶縁層の上方
    に位置する箇所に第2の絶縁層が形成されていることを
    特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】  一画素に少なくとも第1と第2のスイ
    ッチング素子が形成された第1の基板上の信号線とスイ
    ッチング素子のうち少なくとも一方と画素電極間に絶縁
    物質からなる第1の絶縁層が形成され、かつ、対向電極
    が形成された第2の基板上の、前記第1の基板上に形成
    された前記第1の絶縁層の上方に位置する箇所に第2の
    絶縁層が形成され、前記第1と第2のスイッチング素子
    の一端子が少なくとも異なる信号線に接続されているこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
  3. 【請求項3】  信号線は映像信号を供給するソース信
    号線であることを特徴とする請求項1または請求項2記
    載の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】  第1または第2の絶縁層は液晶層の膜
    厚の10%以上の膜厚を有することを特徴とする請求項
    1または請求項2記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項5】  液晶表示装置は高分子分散液晶を用い
    た液晶表示装置であることを特徴とする請求項1または
    請求項2記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項6】  隣接した信号線は互いに逆極性の信号
    が印加されることを特徴とする請求項1または請求項2
    記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項7】  絶縁層は有機材料で形成されているこ
    とを特徴とする請求項1または請求項2記載の液晶表示
    装置。
  8. 【請求項8】  請求項1または請求項2記載の液晶表
    示装置と、光発生手段と、前記光発生手段が発生した光
    を前記液晶表示装置に導く第1の光学要素部品と、前記
    液晶表示装置で変調された光を投映する第2の光学要素
    部品を具備することを特徴とする液晶投写型テレビ。
  9. 【請求項9】  光発生手段が発生する光は色フィルタ
    で青色光,緑色光および赤色光の3つの所定範囲の波長
    の光に分離され、かつ、前記3つの所定範囲の波長の光
    に対して少なくとも1つの液晶パネルが配置されている
    ことを特徴とする請求項8記載の液晶投写型テレビ。
  10. 【請求項10】  色フィルタはダイクロイックミラー
    であることを特徴とする請求項9記載の液晶投写型テレ
    ビ。
  11. 【請求項11】  青色光を変調する液晶パネルの光学
    像と、緑色光を変調する液晶パネルの光学像と、赤色光
    を変調する液晶パネルの光学像とが光学要素部品により
    、スクリーンの同一位置に投映されることを特徴とする
    請求項9記載の液晶投写型テレビ。
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Cited By (7)

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