KR20060035568A - 금속 나노결정 및 그것의 합성 방법 - Google Patents
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- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 76
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 title description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 claims abstract description 17
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- -1 ruthetium Chemical compound 0.000 claims description 11
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 claims description 10
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 claims description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000001095 phosphatidyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 6
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 claims description 6
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 6
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000007970 thio esters Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical group O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 claims description 3
- 125000003396 thiol group Chemical class [H]S* 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052781 Neptunium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LFNLGNPSGWYGGD-UHFFFAOYSA-N neptunium atom Chemical compound [Np] LFNLGNPSGWYGGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N plutonium atom Chemical compound [Pu] OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N polonium atom Chemical compound [Po] HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N technetium atom Chemical compound [Tc] GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 43
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 12
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 8
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 7
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 3
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- MPTQRFCYZCXJFQ-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride dihydrate Chemical compound O.O.[Cl-].[Cl-].[Cu+2] MPTQRFCYZCXJFQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N hexadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCS ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 2
- SNIIOCNLFXWELR-UHFFFAOYSA-N sodium;sulfanyl propane-1-sulfonate Chemical compound [Na].CCCS(=O)(=O)OS SNIIOCNLFXWELR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 2
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 description 1
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical class C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001356 alkyl thiols Chemical group 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- ZUCGEJGNMAZFSC-UHFFFAOYSA-L copper azane sulfite Chemical compound S(=O)([O-])[O-].[Cu+2].N ZUCGEJGNMAZFSC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000502 dialysis Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000004992 fission Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 description 1
- ZLQBNKOPBDZKDP-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);diperchlorate Chemical compound [Ni+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O ZLQBNKOPBDZKDP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical group 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012857 radioactive material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- BTURAGWYSMTVOW-UHFFFAOYSA-M sodium dodecanoate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCC([O-])=O BTURAGWYSMTVOW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940082004 sodium laurate Drugs 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003335 steric effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 1
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 150000005621 tetraalkylammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은, 금속 이온과 유기 리간드를 용매 중에서 착화하는 단계; 및 환원제를 도입하여, 복수 개의 상기 금속 이온을 환원시킴으로써, 상기 유기 리간드에 결합된 금속 나노결정을 생성하는 단계를 포함하는 금속 나노결정의 생성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노결정은 선택적으로 도핑되거나, 또는 다른 금속과 합금된다.
금속, 나노결정, 착체, 환원, 유기 리간드, 용매
Description
본 발명은 금속 나노결정 및 그것의 합성 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 가용성 금속 나노결정 및 대량 생산이 가능한 그 합성 방법에 관한 것이다.
금속 나노결정은 촉매로서 널리 이용되며, 최근에는 단일 전자 소자, 자기 조립 단분자막(self-assembled monolayer), 및 박막 전구체로서 이용하기 위한 연구가 진행중이다. 그러나, 상기 금속 나노결정을 산업 스케일로 적용하기 위한 종래의 합성 방법이 비실용적이기 때문에, 상기 금속 나노결정을 적용하는 데에는 한계가 있다. 이를테면, 진공 상태에서 수행되는 클러스터 증착법의 경우, 처리량이 낮으며, 나노결정의 접합(coalescence) 시에 나노결정을 안정화하는 것이 어렵고, 합성 시스템이 복잡하다는 문제점이 있다(P. Jensen, Reviews of Modern Physics, 71(5), (1999)1695-1734). 한편, 금속 나노결정을 콜로이드 합성 방법으로 합성하는 경우에는 수행성이 양호한 편이지만, 부피 당 수율이 낮고, 금속 나노결정을 합성한 다음에는 콜로이드 안정화제를 제거해야 한다는 문제점이 있다. 종래의 콜로이드 금속의 제조 방법은 검 아라비쿰(gum arabicum)의 존재 하에 하이드라진 수화물의 희석액(1:2000)을 암모니아 구리 설파이트 용액(1:1000)과 조합하는 단계를 포함한다. 그리고, 가열 단계를 수행하여 하이드로졸을 얻은 후에, 증류수에 대해 4일간 투석함으로써, 적색에서 광을 반사하고 청색에서 광을 투과하는 성질을 갖는 하이드로졸을 얻는다(A. Gutbeir, G. Hoffmeyer, Z. Anorg . Allgem . Chem ., 44, (1905) 277). 이 외에도 다양한 콜로이드 합성 방법이 개발되었으나, 생성물의 농도가 낮고, 폴리머계 안정제 또는 계면활성제를 이용해야한다는 문제점이 있다(H.H. Huang et al., Langmuir, 13(1997)172-175; I. Lisiecki and M.P. Pileni, J. Phys. Chem., 99(14)(1995)5077-5082; 및 Nanoparticles and Nanostructured Films, J.H. Fendler, Wiley-VCH, 1998, Chapter 4). 또한, 셔틀 분자(shuttle molecule)를 이용하여, 금속 이온을 유기상(organic phase)으로 이동시킨 다음, 가용화한 부동태화제의 존재 하에 환원시키는 단계를 포함하는 방법을 들 수 있다. 전술한 방법은 다른 산성 용액으로부터 금속 이온을 생성하는 방법으로서 주목받고 있으나, 테트라알킬 암모늄염과 같은 셔틀 분자의 가격이 높다는 문제가 있다(Brust et al., J. Chem . Soc. Commun .(1994)801). 또 다른 금속 나노결정 합성 방법으로서, 환원될 금속 이온을 착화하기 위한 리간드로서 유기 환원제를 이용하는 단계를 포함하는 방법이 있다. 이러한 방법은 금속 나노결정의 수율은 양호하지만, 입자의 회합(agglomeration)이 문제가 된다(N. Arul Dhas et al., Chem. Mater. 10(1998)1446-1452).
신규한 촉매 및 재료 시스템을 개발하기 위해서는 주어진 용매에 가용성이 있는 다량의 금속 나노결정을 저비용으로 합성할 수 있어야 한다. 따라서, 가용성 금속 나노결정을 그램 및 킬로그램 단위로 쉽게 생산할 수 있는, 금속 나노결정의 합성 방법이 필요한 실정이다.
본 발명은, 제1 용매 중에서 금속 이온 및 유기 리간드를 착화하는 단계, 및 환원제를 도입하여 상기 복수 개의 금속 이온을 환원시킴으로써, 상기 유기 리간드에 결합된 금속 나노결정을 생성하는 단계를 포함하는, 금속 나노결정의 생성 방법을 제공한다. 상기 유기 리간드는 하기 일반식으로 표시된다:
(상기 각각의 일반식에서,
L은 C1 내지 C30의 알킬, C5 내지 C30의 사이클로알킬, C2 내지 C30의 알케닐, C6 내지 C30의 사이클로알케닐, C6 내지 C40의 방향족기이고;
Q는 금속 이온과 배위 결합이 가능한 모이어티(moiety)를 포함하는 헤테로원자이며, 상기 헤테로원자는 산소, 질소 또는 황이되, 알코올, 카르보닐, 카르복실, 포스파티딜, 설포닐, 설피닐, 니트로실, 아미노, 이미도, 아지드, 티올(thiol), 에스테르, 에테르, 2차 아미노, 티오에스테르, 티오에테르, 실란올, 또는 실록실로서 존재하고;
A는 가용성 부여 모이어티(solubility imparting moiety)로서, 수소, 알코올, 설포닐, 설피드릴(sulfhydryl), 아미노, 2차 아미노, 포스파티딜, 카르복실, 페닐, 니트로-, 에스테르, 에테르, 티오에스테르 및 티오에테르를 포함하며;
n은 1 내지 4의 정수임).
또한, 본 발명은, 용매 중에서 구리 이온과 유기 리간드간의 착체를 형성하는 단계, 및 수소 가스, 하이드라이드 및 하이드라진과 같은 환원제를 도입하여 상기 구리 이온을 환원시킴으로써, 상기 유기 리간드에 결합된 구리 나노결정을 생성하는 단계를 포함하는, 구리 함유 결정의 생성 방법을 제공한다. 상기 리간드로서는, 반응 용매와는 상용 불가능한(immiscible) 제2 용매 중에서 상기 리간드에 결합된 구리 나노결정에 가용성을 부여하는 것을 이용하며, 상기 반응 용매는 상기 구리 나노결정을 상기 제2 용매로 전달하여, 반응 부산물이 상기 반응 용매 중에 남아있도록 한다. 용액은, 평균 도메인 사이즈가 1 내지 50 ㎛인 복수 개의 구리 나노결정으로서, 각각 몰중량이 400 원자 단위(atomic unit) 미만인 유기 리간드로 부동태화된 표면을 갖는 복수 개의 구리 나노결정; 및 상기 구리 나노결정 표면으로부터 뻗어 나온 상기 리간드 부분과 상용성이 있는 용매를 포함한다.
아울러, 본 발명은, 금속 이온 착체에 대해, 금속 나노결정의 회합 반응을 억제하고, 금속 나노결정에 가용성을 부여하기 위한 반응을 수행하는 단계를 포함하는 금속 이온 착체의 환원 합성 방법을 제공한다. 상기 방법에 따라 얻은 금속 나노결정은 현탁액보다 역학적으로 안정한, 바람직한 용액을 형성한다.
본 명세서에서 사용한 "나노결정(nanocrystal)"이란, 적어도 1축에 따른 치수가 1 ㎚ 내지 100 ㎚인 결정질 도메인으로서 정의된다.
또한, 본 명세서에 사용한 "가용성(solubility)"이란, 액체에 분산된 성분의 특성으로서, 상기 성분이 0.2 ㎛의 필터를 통과할 수 있으며, 7,000 rpm에서 10분간 원심 분리한 후, 24시간 동안 액체에 존재할 수 있는 성질로 정의된다.
본 발명에 따른 금속 나노결정의 생성 방법은, 용매 중에서 금속 이온과 유기 리간드간의 착체를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 금속 이온의 전체 배위권(coordination sphere)이 유기 리간드로 충전되어야만 하는 것은 아니고, 구경꾼 이온(spectator ion), 용매 분자 및 용매 이온 역시 상기 금속 이온과 배위 결합을 형성할 수 있다고 여겨진다. 전술한 바와 같이 금속 리간드 착체를 형성한 다음에는 상기 금속 리간드 착체에 환원제를 도입한다. 상기 환원제로서는, 상기 금속 이온을 양전위 산화 상태(positive oxidation state)에서 영전위(zero) 산화 상태의 금속 원자로 환원시키는데 충분한 전기화학 전위, 또는 영전위 산화 상태의 금속으로, 교대로 환원되는 금속 하이드라이드를 생성하는 데 충분한 전기화학 전위를 갖는 것을 이용할 수 있다. 본 발명에서는 이 같은 유기 리간드-금속 이온의 착체에 존재하는 금속 이온을 환원시킴으로써, 상기 유기 리간드에 결합된 금속 나노결정이 생성된다. 그리고, 상기 유기 리간드와 상기 금속 나노결정이 결합함으로써, 상기 나노결정의 성장이 억제되고, 나노결정의 회합이 제한되며, 상기 유기 리간드로서는 상기 나노결정에 가용성을 부여하는 것을 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 금속 나노결정은 베릴륨, 마그네슘, 알루미늄, 스칸듐, 티타늄, 바나듐, 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈, 구리, 아연, 갈륨, 게르마늄, 이트륨, 지르코늄, 니오븀, 몰리브덴, 테크네튬, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 카드뮴, 인듐, 주석, 안티몬, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 프로메튬, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스프로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨, 이테르븀, 루테튬, 하프늄, 탄탈, 텅스텐, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금, 탈륨, 납, 비스무트, 폴로늄, 토륨, 프로트악티늄, 우라늄, 넵투늄 및 플루토늄을 포함하는 금속 원소로 형성된다. 또한, 상기 금속 이온을 환원시켜 나노결정을 생성하기 위해, 통상적으로는 상기 금속 이온의 소스(source)로서 유기 금속염을 이용한다. 상기 금속 이온의 카운터 음이온(counter anion)은 대개 상기 용매에서의 용해도 및 상기 용매와의 상용성에 따라 선택하여 이용할 수 있다. 본 발명에 이용되는 상기 금속 이온의 카운터 음이온을 예시하면, 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드 및 아이오다이드(iodide)와 같은 할라이드; 나이트레이트; 포스페이트; 퍼클로레이트(perchlorate); 포르메이트; 아세테이트; 보레이트; 하이드록사이드; 실리케이트; 카르보네이트; 설파이트; 설페이트; 나이트라이트; 포스파이트; 이들의 수화물; 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
또한, 서로 다른 복수 개의 금속 이온을 동시에 환원시켜, 금속 합금 또는 금속 이온으로 도핑된 금속 나노결정을 생성할 수 있으며, 이 경우, 원자 비율(%)이 우세한 금속 이온 시약이 금속 이온-리간드 착체로서 존재한다. 일반적으로, 도펀트 금속 이온은 상기 원자 비율이 우세한 금속 이온-리간드 착체와 함께 배위 결합하지 않고, 환원된다. 통상, 상기 도펀트 금속은 상기 나노결정 중 전체 금속 함량에 대해 0.05 내지 49 원자%의 양으로 존재한다. 바람직하게는 상기 도펀트 금속이 상기 전체 금속 함량에 대해 0.5 내지 5 원자%의 양으로 존재한다.
상기 전체 금속 이온 함량은 통상 0.01 내지 1 몰농도이다. 또한, 상기 금속 이온의 농도는 예를 들면, 용매 중에서의 금속 이온-카운터 이온의 용해도 및 원하는 나노결정의 크기와 같은 인자들에 의해 좌우된다.
상기 금속 이온-리간드 착체를 생성하는 데 이용되는 용매는 이용되는 시약의 용해도 외에도, 상기 용매 중에서의 영전위 산화 상태 금속 나노결정의 안정성을 고려하여 선택한다. 전술한 점을 감안하면, 수분, 및 수분 함유 유기 용매가 대부분의 금속 나노결정을 합성하는 데 바람직하며, 안정한 하이드록사이드 또는 옥사이드를 쉽게 형성하 금속 나노결정의 합성 시에는 메탄올, 이소프로판올, 고가 알코올, 에테르 등과 같은 무수 유기 용매를 이용하는 것이 더욱 바람직하다. 아울러, 금속 나노결정의 합성 시에, 상기 용매를 탈기하여, 질소, 아르곤 및 헬륨과 같은 비활성 분위기 하에서 반응을 수행함으로써, 산소를 이용하지 않을 수 있다.
본 발명에 사용되는 리간드로서는 제공된 금속 이온과 배위 공유 결합을 형성할 수 있는 유기 종(organic species)이 바람직하다. 상기 금속 이온과의 착체를 형성하는데 적절한 리간드를 구체적으로 예시하면, Chemistry of the Elements, 2nd Ed., 1997 by N.N. Greenwood and A. Earnshaw, Butterwerth-Heinemann, Oxford, UK; Principles and Applications of Organotransition Metal Chemistry, 1987 by J. Collman et al., University Science Books, Mill Valley, CA; 및 Organic Sequestering Agents, S. Chaberek and B.E. Martell, 1959, Wiley, NY에 공지된 것을 들 수 있다. 또한, 본 발명에 적절한 리간드는 일반식 A-L-(Q)n으로 표시되며, 상기 일반식에서, L은 C1 내지 C30의 알킬, C5 내지 C30의 사이클로알킬, C2 내지 C30의 알케닐, C6 내지 C30의 사이클로알케닐, C6 내지 C40의 방향족이고; Q는 금속 이온과 배위 결합할 수 있는 모이어티를 함유하는 헤테로원자로서, 상기 헤테로원자는 산소, 질소 또는 황이되, 알코올, 카르보닐, 카르복실, 포스파티딜, 설포닐, 설피닐, 니트로실, 아미노, 이미도, 아지드, 티올, 에스테르, 에테르, 2차 아미노, 티오에스테르, 티오에테르, 실란올, 또는 실록실로서 존재하며; A는 가용성 부여 모이어티로서, 수소, 알코올, 설포닐, 설피드릴, 아미노, 2차 아미노, 포스파티딜, 카르복실, 페닐, 니트로-, 에스테르, 에테르, 티오에스테르 및 티오에테르를 포함하며; n은 1 내지 4의 정수로서, n값에 따라 모노덴테이트 내지 테트라덴테이트 리간드가 된다. 본 발명의 바람직한 일 구현예로서, L이 알킬이다. 상기 리간드가 폴리덴테이트 리간드인 경우, 각각의 Q는 산소, 질소 및 황을 포함하는 헤테로원자로부터 독립적으로 선택된다. 바람직한 구현예로서, 상기 폴리덴테이트 리간드는 서로 다른 2개 이상의 헤테로원자 Q를 갖는다. 예를 들면, 제1 Q는 아민의 질소로서 존재하고, 제2 Q는 알코올의 산소로서 존재하며, 환원 시에 1개의 헤테로원자와 금속 이온간의 결합을 우선적으로 형성한다. 배위기 Q를 포함하는 헤테로원자와 가용성 부여 모이어티 A는 어떤 경우에는 서로 동일할 수 있으나, 한편으로는, A는 입체 효과(steric effect)로 인해 금속 이온과 배위 결합할 수 없다는 점에서 Q와는 구별된다. 또한, 상기 리간드는 Q기를 포함하는 헤테로원자를 통합시킨 환형의 로 표시될 수 있으며, 상기 A, L, Q 및 n은 위에서와 동일하게 정의된다. 상기 환형 리간드를 예시하면, 테트라하이드로퓨란, 티오펜, 피리딘, 피페라진, 락톤, 디아졸, 트리아졸, 티아졸 및 당(sugar)을 들 수 있다. 상기 환형 리간드의 경우, 형성된 착체가 영전위 산화 상태의 금속 원자로 환원될 수 있는 상태를 유지한다. 상기 리간드의 분자량은 400 원자 단위 미만인 것이 바람직하다. 리간드-금속 이온 착체를 성공적으로 형성하기 위해서는, 이용되는 금속 이온 및 영전위 산화 상태의 금속 원자에 대한 Q의 결합 특성을 고려하여, Q를 선택하여 이용한다. 상기 금속 이온-리간드 착체는, 상기 환원제가 상기 금속 이온에 대해 환원 작용을 하기에 충분한 정도로 약한, 금속 이온-Q 결합을 가질 수 있으며, Q는 나노결정 표면 상에 존재하는 영전위 산화 상태의 금속 원자와 상용성이 있다. Q와 금속 이온, 또는 이온 환원 반응 이후에 형성된 영전위 산화 상태의 금속 원자와 Q의 결합 강도는 처음부터 GAUSSIAN® 프로그램을 이용하여 계산하여, 주어진 리간드-금속 이온 시스템에 대한 결합 강도를 구할 수 있고, 또는 열화학 데이터로부터 유도된 결합 해리 에너지값 또는 평균 결합 에너지값을 이용하여 예측할 수 있다(CRC Handbook of Chemistry and Physics, 76th Ed. (1995)9-15∼9-63).
또한, 본 발명에서는 금속 이온과 선택적으로 결합하는 제1 리간드; 및 환원 반응 이후, 상기 나노결정의 표면에 배열된 영전위 산화 상태의 금속 원자와 우선적으로 결합하는 제2 리간드를 포함하는 다중 리간드 시스템을 이용할 수 있다. 예를 들면, 복수 개의 우세한 금속 이온군은 황 또는 산소에 의해서, 영전위 산화 상태의 금속으로서 더욱 안정화된 적절한 아민 착체를 형성한다. 특히, Q가 1차 아민인 경우, Cu2+ 착체는 Q가 알킬 티올 또는 알킬 티오에스테르인 제2 리간드를 포함한다. 이러한 황 함유 리간드는 구리 나노결정을 안정화할 때 아민을 떼어낸다. 아울러, 상기 다중 리간드 시스템에서는 모든 리간드가 동일 용매에 대해서 가용성을 가질 필요는 없고, 우선적으로 제1 금속 이온 리간드를 떼어 내고, 최종적으로 얻은 나노결정을 부동태화하는 제2 리간드를 함유하는 제2 용매층으로, 나노결정을 전달하도록, 금속 이온과 안정한 착체를 형성하고, 나노결정과는 일시적으로 안정한 결합을 형성하면서, 금속 이온 착화 리간드를 형성할 수 있다.
상기 리간드 분자에 대한 상기 금속 이온의 비율은 예를 들면, 원하는 나노결정의 크기, n값, 리간드의 입체적 벌크 수준, 및 이후의 금속 이온 환원에서 금속-리간드 결합이 남을 가능성과 같은 인자에 따라 좌우된다. 배위기 Q를 포함하는 헤테로원자에 대한 금속 이온의 원자비는 1:0.10 내지 1:6이다. 크기가 작은 나노결정을 합성하는 경우에는 상기 금속 이온에 대한 리간드 비율이 높은 것이 바람직하다. 모노덴테이트 리간드의 경우에는 상기 리간드에 대한 금속의 비율이 1:0.5 내지 1:4인 것이 바람직하다.
경우에 따라서는 금속 이온 용액에 리간드를 도입할 때, 그 착체가 비가용성을 띄며, 첨전물로 생성될 수 있다. 이러한 착체 침전물은 가용성 금속 이온-리간드 착체에서와 마찬가지로 침전물이 용매 중에 현탁 가능한 것이 바람직하다.
그리고, 상기 금속 이온을 영전위 산화 상태로 환원시키기 위해, 상기 금속 이온-리간드 착체 용액 또는 현탁액에 환원제를 첨가한다. 환원제를 첨가하여, 리간드에 결합된 복수 개의 영전위 산화 상태의 금속 이온을 합함으로써, 본 발명의 금속 나노결정을 얻을 수 있다. 본 발명에 적절한 환원제를 예시하면, H- 전달 시약(transfer reagent), 또는 환원될 금속 이온의 환원 전위보다 전기화학 전위가 큰 시약을 들 수 있다(CRC Handbook of Chemistry and Physics, 76th Ed. (1995)8-26∼8-31, CRC Press, Boca Raton, FL). 통상적으로, 하이드라진, 소듐 보로하이드라이드 및 리튬 알루미늄 하이드라이드와 같은, 수용성 및 알코올 가용성 환원제를 이용하여, 우세한 금속 이온군을 환원시킬 수 있다. 아울러, 본 발명에서는 금속 이온-리간드 착체의 현탁액 또는 용액을 통해 기상 환원제를 발포시키는 반응, 또는 무수 상태에서 반응성 금속을 첨가하는 반응을 통해 환원시킬 수 있다. 상기 반응성 금속 환원제를 이용함으로써, 전기화학 서열(electrochemical series)에 있어서 금속 이온을 환원시키는 데 필요한, 보다 높은 전기화학 전위를 얻을 수 있다. 본 발명에 바람직한 다른 환원제로서는 금속 이온 환원 반응을 수행하는 데 필요한 전기화학 전위를 갖는 것을 이용할 수 있고, 예를 들면, 하이드라진 용액 또는 소듐 보로하이드라이드 용액이 바람직하다. 또한, 본 발명에 바람직한 환원제로서 산성 용액과 상용성을 갖지 않는 것을 이용할 수 있으며, 예를 들면, 수소를 들 수 있다. 더욱 바람직하게는 0가(zero valent) 금속에, 상기 금속 이온이 완전히 환원될 수 있도록 과량으로 환원제를 첨가한다.
전술한 바와 같이 생성된 금속 나노결정의 크기는 1 ㎚ 내지 100 ㎚일 수 있으며, 바람직하게는 상기 나노결정의 도메인 크기가 1 ㎚ 내지 8 ㎚이며, 금속 나노결정의 부피에 대한 상기 나노결정 입자 표면적의 비값이 높을 수록 유리하다. 이처럼, 본 발명에 따라 생성된 금속 나노결정은 촉매, 박막용 전구체, 단일 전자 소자, 센서, 생의학 표지(biomedical marker)로서, 또한 방사능 재료, 높은 수준의 방사능 플럭스 분열 소스(radiative flux fission source)로서 적용하는 데 유용하다.
바람직한 구현예로서, 제2 용매, 즉, 상기 금속 이온 용액과 상용성이 없는 용매를 첨가할 수 있다. 상기 제2 용매로서는, 상기 금속 나노결정에 리간드 분자가 결합되어 있을 때, 상기 금속 나노결정 말단의 리간드가 상기 제2 용매에 대해 인력을 갖는 것을 이용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 금속 나노결정 표면에 결합된 헤테로 원자로부터 뻗은 알킬 체인은 알칸, 에테르 또는 톨루엔과 같은 친유성(lipophilic) 용매를 끌어당김으로써, 부동태화된 금속 나노결정이 가용성을 가질 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해 설명하나, 본 발명은 하기 실시예에 의해 제한되지 않는다.
실시예 1
0.0837 g의 염화구리 이수화물을 5.4 ㎖의 물에 용해하였다. 그런 다음, 0.0315 g의 도데실아민을 첨가하여, 청색 용액 및 청색 괴상체(flocculus)를 얻었다. 그런 다음, 상기 수성 괴상체 및 용액에 3 ㎖의 헥산을 첨가한 결과, 시간이 경과함에 따라 부분적으로 회합하여 탁한 청색의 혼합물이 얻어졌으며, 상기 헥산상(hexane phase)은 괴상의 청색 물질을 약간 포함하였다. 이어서, 0.64 몰의 소듐 보로하이드라이드 수용액 8.4 ㎖를 교반과 함께 적하 첨가하여, 청징한 무색의 수용액 및 적갈색(reddish-brown)의 헥산상을 얻었다. 상기 헥산상은 7,000 rpm에서 원심 분리하였을 때에 침전이 일어나지 않았으며, 0.2 ㎛의 필터를 통과할 수 있는 물질을 포함하였다. 상기 물질은 평균 입자 크기가 3 ㎚인 구리 나노결정에 해당하였다. 상기 구리 나노결정을 비활성 분위기 하에 건조시켰을 때, 헥산에 쉽게 재용해되었다.
실시예 2
0.1 몰의 구리 나이트레이트 수용액 50 ㎖를 헥산 50 ㎖와 중첩(overlaying)시켰다. 그런 다음, 20 ㎖의 에탄올 중에서 0.57 g의 소듐 보로하이드라이드 및 0.43 g의 헥사데실티올을 적하 첨가하였다. 그 결과, 물과 헥산 사이의 메니스커스(meniscus)에 흑색 침전물이 형성되었다. 상기 흑색 침전물은 이론 수율 124%의 구리에 해당하는 것이다. X선 파우더 회절법을 통해, 상기 흑색 침전물이 Debye-Scherer 라인 확장법(line-broadening)으로 결정되는 평균 도메인 크기가 12 ㎚인 구리 나노결정이라는 것을 확인하였다.
실시예 3
0.1 몰의 구리 나이트레이트 수용액 50 ㎖를 디에틸에테르 50 ㎖와 중첩시켰다. 그런 다음, 상기 에테르 상에 0.507 g의 헥사데실 티올을 용해하였다. 0.59 g의 소듐 보로하이드라이드 및 20 ㎖의 물을 적하 첨가한 결과, Debye-Scherer 라인 확장법(line-broadening)으로 결정된 평균 도메인 크기가 6.2 ㎚인 구리 나노결정이 형성되었다. 상기 에테르상은 구리 나노결정 입자를 함유하는 흑색의 불투명한 현탁액이었다.
실시예 4
에탄올 중에 0.5 몰의 염화구리 20 ㎖를 1.27 g의 벤조티아졸과 결합시켜, 청징한 청색 용액을 얻었다. 그런 다음, 4 ㎖의 물 중에서 0.2 g의 소듐 보로하이드라이드를 첨가하여, 평균 도메인 크기가 3 ㎚인 가용성 구리 나노결정을 함유하는 적갈색(red-brown) 용액이 형성되었다.
실시예 5
0.46 g의 소듐 메르캅토 프로필 설포네이트를 0.1 몰의 구리 나이트레이트 25 ㎖에 첨가하여, 황색 용액을 얻었다. 그런 다음, 0.226 g의 소듐 보로하이드라이드 및 10 ㎖의 몰을 적하 첨가하여, 수용성의 재용해 가능한 구리 나노결정을 함유하는 적갈색 용액을 얻었다. 이렇게 얻어진 용액을 실리카겔 칼럼에 통과시켜, 상기 반응 부산물로부터 수용성 구리 나노결정을 분리하였다.
실시예 6
0.002 몰의 은 나이트레이트를 30 ㎖의 물에 용해한 다음, 0.2 g의 도데실 아민을 첨가하였다. 그런 다음, 20 ㎖의 헥산을 첨가하고, 10 ㎖의 물에서 0.135 g의 소듐 보로하이드라이드를 적하 첨가한 결과, 흑색의 헥산층 및 청징하고 무색의 수층이 형성되었다. 상기 헥산층은 가용성 은 나노결정을 포함하였다.
실시예 7
0.3 g의 염화코발트를 20 ㎖의 물에 용해한 다음, 0.1 g의 소듐 메르캅토 프로필 설포네이트를 첨가하였다. 60 메쉬의 금속 마그네슘 0.2 g을 환원제로서 첨가하였다. 그 결과, 상기 용액의 색상이 2시간에 걸쳐 장미색에서 어두운 적색, 이어서, 흑색으로, 어두운 색상으로 변화하였다. 상기 용액은 평균 도메인 크기가 4 ㎚인 코발트 나노결정을 함유하였다.
실시예 8
0.075 g의 소듐 라우레이트를 이용하여, 실시예 7의 방법에 따라 수행하였다. 환원 시에 형성된 나노결정은 헥산에 가용성이 있었다.
실시예 9
0.05 g의 은 나이트레이트를 0.13 g의 헥사데실 아민을 함유하는 0.1 몰의 구리 나이트레이트 25 ㎖에 첨가하였다. 그런 다음, 상기 수용액에 15 ㎖의 헥산을 중첩시켰다. 상기 헥산은 0.08 g의 도데실 티올을 함유하는 것이다. 1.25 몰의 소듐 보로하이드라이드 6 ㎖가량을 적하 첨가하여, 약 1시간 동안 교반한 다음, 청징하고 무색인 수상(aqueous phase) 중에서 헥산 가용성 나노결정이 관찰되었다. 상기 나노결정은 은 이온에 대한 구리 이온의 반응 비율과 일치하는 원자비로, 은을 벌키한 구리상에 통합시켰다.
실시예 10
0.4 g의 니켈 퍼클로레이트를 0.1 g의 도데실 아민을 함유하는 물 25 ㎖에 용해하였다. 상기 수용액을 15 ㎖의 헥산에 첨가한 다음, 60 메쉬의 금속 마그네슘 0.2 g을 적하 첨가하였다. 이렇게 하여 환원 반응을 수행한 결과, 상기 헥산상에 니켈 나노결정이 포함되어 있으며, 청징하고 무색의 수상이 존재한다는 것이 관찰되었다.
본 명세서에 인용된 모든 문헌은 참조 문헌으로서 그 전문이 본 명세서에 포 함된다.
또한, 전술한 발명의 상세한 설명을 통해, 동 기술분야의 당업자들이라면 본 발명의 다양한 변형을 이해할 수 있다. 아울러, 이러한 변형은 본 발명의 범위 내에 포함된다.
Claims (7)
- 제1 용매 중에서 금속 이온과 유기 리간드간의 착체를 형성하는 단계; 및환원제를 도입하여, 상기 복수 개의 금속 이온을 환원시킴으로써, 상기 유기 리간드에 결합된 금속 나노결정을 생성하는 단계를 포함하는, 구리 나노결정의 생성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 금속 이온이 베릴륨, 마그네슘, 알루미늄, 스칸듐, 티타늄, 바나듐, 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈, 구리, 아연, 갈륨, 게르마늄, 이트륨, 지르코늄, 니오븀, 몰리브덴, 테크네튬, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 카드뮴, 인듐, 주석, 안티몬, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 프로메튬, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스프로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨, 이테르븀, 루테튬, 하프늄, 탄탈, 텅스텐, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금, 탈륨, 납, 비스무트, 폴로늄, 토륨, 프로트악티늄, 우라늄, 넵투늄 및 플루토늄으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 유기 리간드가 하기 일반식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 방법:(상기 각각의 일반식에서,L은 C1 내지 C30의 알킬, C5 내지 C30의 사이클로알킬, C2 내지 C30의 알케닐, C6 내지 C30의 사이클로알케닐, C6 내지 C40의 방향족기이고;Q는 금속 이온과 배위 결합이 가능한 모이어티(moiety)를 포함하는 헤테로원자이며, 상기 헤테로원자는 산소, 질소 또는 황이되, 알코올, 카르보닐, 카르복실, 포스파티딜, 설포닐, 설피닐, 니트로실, 아미노, 이미도, 아지드, 티올(thiol), 에스테르, 에테르, 2차 아미노, 티오에스테르, 티오에테르, 실란올, 또는 실록실로서 존재하고;A는 가용성 부여 모이어티로서, 수소, 알코올, 설포닐, 설피드릴(sulfhydryl), 아미노, 2차 아미노, 포스파티딜, 카르복실, 페닐, 니트로-, 에스테르, 에테르, 티오에스테르 및 티오에테르를 포함하며;n은 1 내지 4의 정수임).
- 제1항에 있어서,상기 금속 이온과 상기 유기 리간드의 몰 비가 1:0.10 내지 1:6인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 환원제가 수소 가스, 금속 나트륨, 금속 아연, 금속 마그네슘, 금속 알루미늄, 리튬 알루미늄 하이드라이드, 소듐 보로하이드라이드 및 하이드라진으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 금속 나노결정의 도메인(domain) 크기가 1 ㎚ 내지 8 ㎚인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,제2 용매를 이용하여, 상기 금속 나노결정을 상기 제1 용매로부터 추출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/895,942 US6645444B2 (en) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | Metal nanocrystals and synthesis thereof |
PCT/US2002/026378 WO2004016376A1 (en) | 2001-06-29 | 2002-08-19 | Metal nanocrystals and synthesis thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060035568A true KR20060035568A (ko) | 2006-04-26 |
Family
ID=32473877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020057002719A KR20060035568A (ko) | 2001-06-29 | 2002-08-19 | 금속 나노결정 및 그것의 합성 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6645444B2 (ko) |
JP (1) | JP2005536634A (ko) |
KR (1) | KR20060035568A (ko) |
AU (1) | AU2002335650A1 (ko) |
WO (1) | WO2004016376A1 (ko) |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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