KR20050106562A - Spin coater and method of manufacturing semiconductor device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 목적은 웨이퍼 배면에 대한 세정을 가능케 하여 고집적화에 대응하는 미세 패턴을 용이하게 형성하고 제조 수율을 향상시키는 것이다.An object of the present invention is to enable the cleaning of the wafer back surface to easily form a fine pattern corresponding to high integration and to improve the production yield.

본 발명의 목적은 상부에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼척; 웨이퍼척을 지지하면서 웨이퍼척 하부에 설치된 스핀들; 스핀들을 회전하도록 스핀들 하부에 설치된 모터; 웨이퍼척 일측에 배치되어 웨이퍼 전면으로 감광액 또는 현상액을 분사하는 제 1 분사노즐; 및 웨이퍼척의 일측 또는 다른 측에 배치되어 웨이퍼 배면으로 세정물질을 분사하는 제 2 분사노즐을 포함하는 스핀 코터에 의해 달성될 수 있다. 제 2 분사노즐은 웨이퍼의 배면 가장자리에서 중심으로 왕복하면서 세정물질을 분사한다.An object of the present invention is a wafer chuck on which the wafer is seated; A spindle installed below the wafer chuck while supporting the wafer chuck; A motor installed under the spindle to rotate the spindle; A first injection nozzle disposed at one side of the wafer chuck to inject a photosensitive solution or a developing solution onto the entire surface of the wafer; And a second spray nozzle disposed on one side or the other side of the wafer chuck to spray the cleaning material onto the back surface of the wafer. The second spray nozzle sprays the cleaning material while reciprocating from the back edge of the wafer to the center.

Description

스핀 코터 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법{Spin coater and method of manufacturing semiconductor device using the same}Spin coater and method of manufacturing semiconductor device using same

본 발명은 반도체 소자 제조 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 스핀 코터 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus and method, and more particularly to a spin coater and a method for manufacturing a semiconductor device using the same.

반도체 소자의 제조공정은 크게 웨이퍼 상에 반도체 제품의 핵심 부품인 반도체 칩(chip)을 제조하는 공정과, 외부환경으로부터 칩을 보호하고 외부기기와의 전기적 신호입출력을 가능케 하는 패키징(packaging) 공정으로 이루어진다.The semiconductor device manufacturing process is mainly a process of manufacturing a semiconductor chip, which is a key component of a semiconductor product, on a wafer, and a packaging process of protecting a chip from an external environment and enabling electrical signal input / output with an external device. Is done.

반도체 칩을 제조하는 공정에서, 웨이퍼 상에 패턴을 선택적으로 형성하기 위해서는 막증착 공정, 포토리소그라피 공정 및 식각공정이 요구되며, 특히 포토리소그라피 공정은 웨이퍼 상에 감광막을 도포하고, 노광 및 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 과정으로 이루어진다.In the process of manufacturing a semiconductor chip, in order to selectively form a pattern on the wafer, a film deposition process, a photolithography process and an etching process are required. In particular, the photolithography process is performed by applying a photoresist film on the wafer, exposing and developing the photoresist film. It consists of the process of forming a pattern.

감광막의 도포 및 현상은 트랙장치(track system) 내에 구비된 스핀 코터 (spin coater)에 의해 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼 상에 감광액 또는 현상액을 분사하는 과정으로 이루어지고, 노광공정은 트랙장치와 연계되는 투영노광장치에 의해 포토마스크 또는 레티클의 패턴 이미지를 웨이퍼에 전사하는 과정으로 이루어진다.Application and development of the photoresist film is performed by spraying a photoresist or developer onto the wafer while rotating the wafer by a spin coater provided in a track system, and the exposure process is a projection associated with the track apparatus. It transfers the pattern image of a photomask or a reticle to a wafer by an exposure apparatus.

여기서, 스핀 코터(10)는 도 1에 나타낸 바와 같이, 보울(bowl; 11) 내부 중앙에는 상부에 웨이퍼(W1)가 안착되는 웨이퍼척(12)이 설치되어 있고, 웨이퍼척 (12) 하부에는 이를 지지하면서 보울(11) 외부까지 연장되어 스핀들(13)이 설치되어 있다. 스핀들(13) 하부에는 스핀들(13)을 회전시키는 모터(14)가 설치되어 있고, 보울(11)0 일측에는 웨이퍼(W1) 전면으로 감광액 또는 현상액을 분사하는 분사노즐(15)과 분사노즐(15)로 감광액 또는 현상액을 공급해주는 공급장치(16)가 설치되어 있다.Here, as shown in FIG. 1, the spin coater 10 has a wafer chuck 12 in which a wafer W1 is seated at an upper portion of the bowl 11, and a lower portion of the wafer chuck 12. The spindle 13 is installed while extending to the outside of the bowl 11 while supporting it. A motor 14 for rotating the spindle 13 is installed below the spindle 13, and one side of the bowl 11 has an injection nozzle 15 and an injection nozzle for injecting a photosensitive solution or a developing solution toward the entire surface of the wafer W1. 15, there is provided a supply device 16 for supplying a photosensitive solution or developer.

한편, 반도체 소자의 제조 공정은 아주 미세하기 때문에 파티클(particle) 등이 발생하게 되면 제조 수율에 큰 영향을 미치므로, 파티클 제거를 위한 상당한 노력이 이루어지고 있다.On the other hand, since the manufacturing process of the semiconductor device is very fine, when particles (particles) and the like are generated has a great effect on the production yield, considerable efforts have been made to remove the particles.

그런데, 대부분의 반도체 제조 공정에서는 웨이퍼의 배면에 대한 세정이 제대로 이루어지지 않고 있어, 공정 수행 시 파티클로 인해 여러 가지 문제가 발생하게 된다.However, in most semiconductor manufacturing processes, the back surface of the wafer is not properly cleaned, and various problems occur due to particles during the process.

특히, 노광 공정에서 웨이퍼 배면에 파티클이 존재하게 되면, 웨이퍼의 모든 영역에서 동일한 포커스를 얻을 수 없으므로, 고집적화에 대응하는 미세 패턴을 형성하기가 어렵다.In particular, when particles are present on the back surface of the wafer in the exposure process, the same focus cannot be obtained in all regions of the wafer, and thus it is difficult to form a fine pattern corresponding to high integration.

즉, 도 2에 나타낸 바와 같이, 투영노광장치(20)의 광원(21)으로부터 입사되는 광(L)이 조명렌즈계(22), 석영기판(23a)에 크롬의 미세패턴(23b)이 형성된 레티클(22), 및 투영렌즈계(23)를 통과하여 웨이퍼 스테이지(24)에 안착된 웨이퍼(W1)에 투영배율로 미세패턴(23b)을 결상시킬 때, 웨이퍼(W1) 배면에 파티클(100)이 존재하게 되면, 파티클(100)이 존재하는 부분과 존재하지 않는 부분 사이에 단차(H)가 발생되어, 동일 웨이퍼(W1) 상에서 최적의 포커스 이미지(I1)과 디포커스 (defocus) 이미지(I2)가 동시에 형성되어 패턴 불량을 일으키기 때문이다.That is, as shown in Fig. 2, the light L incident from the light source 21 of the projection exposure apparatus 20 is a reticle in which the fine pattern 23b of chromium is formed in the illumination lens system 22 and the quartz substrate 23a. When the fine pattern 23b is formed at the projection magnification on the wafer W1 that has passed through the projection lens system 23 and the projection lens system 23, the particle 100 is formed on the back surface of the wafer W1. When present, a step H is generated between the portion where the particle 100 is present and the portion that does not exist, so that the optimum focus image I1 and defocus image I2 are on the same wafer W1. Is formed at the same time to cause a pattern defect.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼 배면에 대한 세정을 가능케 하여 고집적화에 대응하는 미세 패턴을 용이하게 형성하고 제조 수율을 향상시키는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, and has an object to facilitate cleaning of the back surface of a wafer to easily form fine patterns corresponding to high integration and to improve production yield.

상기한 바와 같은 본 발명의 목적은 상부에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼척; 웨이퍼척을 지지하면서 웨이퍼척 하부에 설치된 스핀들; 스핀들을 회전하도록 스핀들 하부에 설치된 모터; 웨이퍼척 일측에 배치되어 웨이퍼 전면으로 감광액 또는 현상액을 분사하는 제 1 분사노즐; 및 웨이퍼척의 일측 또는 다른 측에 배치되어 웨이퍼 배면으로 세정물질을 분사하는 제 2 분사노즐을 포함하는 스핀 코터에 의해 달성될 수 있다. An object of the present invention as described above is a wafer chuck seated on the wafer; A spindle installed below the wafer chuck while supporting the wafer chuck; A motor installed under the spindle to rotate the spindle; A first injection nozzle disposed at one side of the wafer chuck to inject a photosensitive solution or a developing solution onto the entire surface of the wafer; And a second spray nozzle disposed on one side or the other side of the wafer chuck to spray the cleaning material onto the back surface of the wafer.

여기서, 제 2 분사노즐은 웨이퍼의 배면 가장자리에서 중심으로 왕복하면서 세정물질을 분사한다.Here, the second spray nozzle sprays the cleaning material while reciprocating from the back edge of the wafer to the center.

또한, 본 발명의 목적은 상부에 물질막이 형성된 반도체 기판 상에 상술한 스핀 코터에 의해 감광막을 도포하는 단계; 감광막을 경화시키는 단계; 스핀 코터에 의해 기판의 배면 세정을 수행하는 단계; 감광막을 노광하는 단계; 및 노광된 감광막을 스핀 코터에 의해 현상하여 물질막을 일부 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법에 의해 달성될 수 있다.In addition, an object of the present invention is the step of applying a photosensitive film by the above-described spin coater on a semiconductor substrate having a material film formed thereon; Curing the photosensitive film; Performing a back cleaning of the substrate by a spin coater; Exposing the photoresist film; And developing the exposed photoresist with a spin coater to form a photoresist pattern that partially exposes the material film.

여기서, 배면 세정은 감광막의 도포 및 경화 전에 선택적으로 더 수행할 수 있다.Here, back cleaning may optionally be further performed before application and curing of the photosensitive film.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 3을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 트랙장치의 스핀 코터(30)에 대하여 설명한다.First, the spin coater 30 of the track device for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.

도 3에 나타낸 바와 같이, 보울(31) 내부 중앙에는 상부에 웨이퍼(W2)가 안착되는 웨이퍼척(32)이 설치되어 있고, 웨이퍼척(32) 하부에는 이를 지지하면서 보울(31) 외부까지 연장되어 스핀들(33)이 설치되어 있다. 스핀들(33) 하부에는 스핀들(33)을 회전시키는 모터(34)가 설치되어 있다.As shown in FIG. 3, a wafer chuck 32 in which the wafer W2 is seated is installed at the upper center of the bowl 31, and extends to the outside of the bowl 31 while supporting the lower portion of the wafer chuck 32. The spindle 33 is provided. The lower part of the spindle 33 is provided with a motor 34 for rotating the spindle 33.

보울(31) 일측 상단에는 웨이퍼(W2) 전면으로 감광액 또는 현상액을 분사하는 제 1 분사노즐(35)과, 제 1 분사노즐(35)로 감광액 또는 현상액을 공급해주는 제 1 공급장치(36)가 설치되어 있다.At the upper end of one side of the bowl 31, a first injection nozzle 35 for injecting a photoresist or developer to the entire surface of the wafer W2 and a first supply device 36 for supplying the photoresist or developer to the first injection nozzle 35 are provided. It is installed.

보울(31) 일측 하단에는 웨이퍼(W2)의 배면으로 세정물질을 분사하여 웨이퍼 (W2) 배면을 세정하는 제 2 분사노즐(37)과, 제 2 분사노즐(37)로 세정물질을 공급해주는 제 2 공급장치(38)가 설치되어 있다. At the bottom of one side of the bowl 31, a second injection nozzle 37 for cleaning the back surface of the wafer W2 by spraying a cleaning material onto the rear surface of the wafer W2, and a second supply nozzle for supplying the cleaning material to the second injection nozzle 37. 2 supply apparatus 38 is provided.

여기서, 제 2 분사노즐(37)은 웨이퍼(W2) 배면의 가장자리에서 중심으로 왕복하면서 세정물질을 분사할 수 있다.Here, the second injection nozzle 37 may spray the cleaning material while reciprocating from the edge of the back surface of the wafer W2 to the center.

또한, 세정물질로는 파티클 성분에 따라 초순수, 압축공기, 질소가스 또는 그 외 세정이 가능한 물질 등을 사용할 수 있다.In addition, as the cleaning material, ultrapure water, compressed air, nitrogen gas, or other material which can be cleaned may be used depending on the particle component.

또한, 제 2 분사노즐(37) 및 제 2 공급장치(38)는 보울(31)의 일측 하단 대신 보울(31)의 다른 측 하단 또는 상단에 설치할 수 있다.In addition, the second injection nozzle 37 and the second supply device 38 may be installed at the bottom or top of the other side of the bowl 31 instead of the bottom of one side of the bowl 31.

즉, 스핀 코터(30)의 웨이퍼척(32)은 웨이퍼(W2)에 비해 그 크기가 매우 작으므로, 웨이퍼(W2) 배면으로 분사가 가능한 제 2 분사노즐(37)을 설치하여 세정물질을 분사하면 웨이퍼(W2)의 배면을 세정할 수 있다.That is, since the wafer chuck 32 of the spin coater 30 has a very small size compared to the wafer W2, a second injection nozzle 37 capable of spraying onto the back surface of the wafer W2 is provided to spray the cleaning material. The bottom surface of the wafer W2 can be cleaned.

다음으로, 도 4a 내지 도 4d를 참조하여, 스핀 코터(30)를 이용한 반도체 소자의 제조방법에 대하여 설명한다.Next, with reference to FIGS. 4A-4D, the manufacturing method of the semiconductor element using the spin coater 30 is demonstrated.

도 4a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(10)의 전면 상에 절연막 또는 도전막 등의 식각이 이루어질 물질막(41)을 증착한다.As shown in FIG. 4A, a material film 41 to be etched such as an insulating film or a conductive film is deposited on the entire surface of the semiconductor substrate 10.

그 다음, 물질막(41) 상부에 스핀 코터(30)에 의해 감광막(42)을 도포하고 열처리를 수행하여 감광막(42)을 경화시킨다. Next, the photoresist film 42 is coated on the material film 41 by the spin coater 30, and heat treatment is performed to cure the photoresist film 42.

감광막(42)의 도포는 물질막(41)이 형성된 기판(40), 즉 웨이퍼를 스핀 코터(30)의 웨이퍼척(32)에 안착시킨 후, 모터(34)를 구동하여 스핀들(33)을 회전시키면서 제 1 분사노즐(35)로 웨이퍼 전면에 감광액을 분사하는 과정으로 이루어진다.The application of the photosensitive film 42 rests the substrate 40 on which the material film 41 is formed, that is, the wafer on the wafer chuck 32 of the spin coater 30, and then drives the motor 34 to drive the spindle 33. Rotating the photosensitive liquid onto the entire surface of the wafer with the first injection nozzle 35.

도 4b에 도시된 바와 같이, 감광막(42)의 경화가 완료된 기판(40)의 배면에 대하여 스핀 코터(30)에 의해 세정(43)을 수행하여 배면에 발생된 파티클 등을 제거한다.As shown in FIG. 4B, the cleaning 43 is performed by the spin coater 30 on the back surface of the substrate 40 on which the photoresist film 42 has been cured to remove particles and the like generated on the back surface.

세정(43)은 경화된 감광막(42)이 형성된 기판(40), 즉 웨이퍼를 스핀 코터(30)의 웨이퍼척(32)에 안착시킨 후, 모터(34)를 구동하여 스핀들(33)를 회전시키면서, 제 2 분사노즐(37)로 웨이퍼 배면에 세정물질을 분사하여 웨이퍼 배면을 세정한 후, 스핀들(33)만 회전시켜 웨이퍼 배면을 건조하는 과정으로 이루어진다.The cleaning 43 mounts the substrate 40 on which the cured photoresist film 42 is formed, that is, the wafer on the wafer chuck 32 of the spin coater 30, and then drives the motor 34 to rotate the spindle 33. While cleaning the back surface of the wafer by spraying a cleaning material on the back surface of the wafer with the second injection nozzle 37, only the spindle 33 is rotated to dry the back surface of the wafer.

이때, 제 2 분사노즐(37)이 웨이퍼의 배면 가장자리에서 중심으로 왕복하도록 하여 세정물질을 분사할 수 있으며, 세정물질로는 파티클 성분에 따라 초순수, 압축공기, 질소가스 또는 그 외 세정이 가능한 물질 등을 사용할 수 있다.At this time, the second injection nozzle 37 may spray the cleaning material by reciprocating from the back edge of the wafer to the center, and the cleaning material may be ultrapure water, compressed air, nitrogen gas, or other cleaning material depending on the particle component. Etc. can be used.

또한, 스핀들(33)의 회전수는 세정 시에는 분당 150 내지 250, 바람직하게 200회 정도로 조정하고, 건조 시에는 분당 2500 내지 3500, 바람직하게 3000회 정도로 조정한다.In addition, the rotation speed of the spindle 33 is adjusted to about 150 to 250, preferably about 200 times per minute when washing, and about 2500 to 3500 per minute, preferably about 3000 times when drying.

도 4c에 도시된 바와 같이, 투영노광장치(20; 도 2 참조)에 의해 미세 패턴이 형성된 레티클을 이용하여 감광막(42)을 노광한다. As shown in FIG. 4C, the photosensitive film 42 is exposed using a reticle having a fine pattern formed by the projection exposure apparatus 20 (see FIG. 2).

이때, 기판(40) 배면에 파티클 등이 제거되어 배면 표면에 단차 등이 존재하지 않으므로, 웨이퍼 전체에 걸쳐 최적의 포커스 이미지로 미세 패턴이 결상될 수 있어서 이후 패턴 불량을 방지할 수 있다.In this case, since particles and the like are removed from the back surface of the substrate 40, there are no steps and the like on the back surface, so that fine patterns may be formed with an optimal focus image over the entire wafer, thereby preventing pattern defects thereafter.

그 후, 노광이 완료된 감광막(42)을 스핀 코터(30)에 의해 현상하여 물질막 (41)을 일부 노출시키는 감광막 패턴(42a)을 형성한다.Thereafter, the exposed photosensitive film 42 is developed by the spin coater 30 to form a photosensitive film pattern 42a that partially exposes the material film 41.

감광막(42)의 현상은 노광이 완료된 기판(40), 즉 웨이퍼를 스핀 코터(30)의 웨이퍼척(32)에 안착시킨 후, 모터(34)를 구동하여 스핀들(33)을 회전시키면서 제 1 분사노즐(35)로 웨이퍼 전면에 현상액을 분사하여 노광이 이루어진 영역 또는 노광이 이루어지지 않은 영역의 감광막(42)을 선택적으로 제거한 다음, 스핀들(33)만 회전시켜 웨이퍼 전면을 건조하는 과정으로 이루어진다.The development of the photosensitive film 42 involves first placing the substrate 40, that is, the wafer, on the wafer chuck 32 of the spin coater 30, and then driving the motor 34 to rotate the spindle 33. A process of spraying a developer onto the entire surface of the wafer with the injection nozzle 35 to selectively remove the photosensitive film 42 in the exposed or unexposed areas and then drying the entire wafer by rotating only the spindle 33. .

그 다음, 감광막 패턴(42a)을 이용하여 물질막(41a)을 식각하여 물질막 패턴(41a)을 형성한다.Next, the material film 41a is etched using the photosensitive film pattern 42a to form the material film pattern 41a.

그 후, 도 4d에 도시된 바와 같이, 공지된 방법에 의해 감광막 패턴(42a)을 제거한다.Thereafter, as shown in Fig. 4D, the photosensitive film pattern 42a is removed by a known method.

한편, 상술한 실시예에서는 웨이퍼의 배면에 대한 세정(43)을 감광막의 노광 전에만 수행하였지만, 감광막(42)의 도포 및 경화 전에도 선택적으로 더 수행할 수도 있다.On the other hand, in the above-described embodiment, the cleaning 43 for the back surface of the wafer is performed only before the exposure of the photosensitive film, but may be optionally further performed before the application and curing of the photosensitive film 42.

또한, 상술한 실시예에서는 스핀코터(30)를 감광막 패턴 형성 공정에 적용한 경우에 대해 설명하였지만, 산화막 형성 공정에도 적용이 가능하다.In the above-described embodiment, the case in which the spin coater 30 is applied to the photosensitive film pattern forming process has been described. However, the spin coater 30 may be applied to the oxide film forming process.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 트랙장치의 스핀 코터에 웨이퍼 배면으로 분사가 가능한 별도의 노즐을 더 설치하고 이를 통해 세정물질을 분사하여 웨이퍼 배면을 세정할 수 있으므로 웨이퍼 배면의 파티클을 완전히 제거할 수 있다.As described above, in the present invention, a separate nozzle that can be sprayed onto the wafer backside is further installed on the spin coater of the track apparatus, and the backside of the wafer can be cleaned by spraying a cleaning material, thereby completely removing particles on the backside of the wafer. have.

또한, 감광막의 노광 전에 웨이퍼 배면의 파티클을 완전히 제거함에 따라, 노광 시 파티클로 인한 디포커스 이미지 형성을 방지하고 웨이퍼 전체에 걸쳐 최적의 포커스 이미지를 형성할 수 있으므로, 패턴 불량을 방지할 수 있다.In addition, since the particles on the back surface of the wafer are completely removed before the photoresist film is exposed, defocus image formation due to particles during exposure can be prevented and an optimal focus image can be formed over the entire wafer, thereby preventing pattern defects.

이에 따라, 고집적화에 대응하는 미세 패턴 형성이 용이해질 뿐만 아니라 제조 수율을 향상시킬 수 있다.As a result, not only the formation of a fine pattern corresponding to high integration can be facilitated but also the production yield can be improved.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those who have knowledge.

도 1은 종래 반도체 소자 제조용 트랙장치의 스핀 코터를 나타낸 도면.1 is a view showing a spin coater of a conventional track device for manufacturing semiconductor devices.

도 2는 웨이퍼 배면에 파티클이 존재하는 경우, 노광 시 발생되는 문제를 설명하기 위한 도면.2 is a view for explaining a problem occurring during exposure when particles are present on the back surface of the wafer;

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 트랙장치의 스핀 코터를 나타낸 도면.3 is a view showing a spin coater of the track device for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 4a 내지 도 4d는 도 3의 스핀 코터를 이용한 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 위한 순차적 공정 단면도.4A through 4D are cross-sectional views sequentially illustrating the method of manufacturing a semiconductor device using the spin coater of FIG. 3.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of code for main part of drawing

30 : 스핀 코터 31 : 보울30: spin coater 31: bowl

32 : 웨이퍼척 33 : 스핀들32: wafer chuck 33: spindle

34 : 모터 35 : 제 1 분사노즐34: motor 35: first injection nozzle

36 : 제 1 공급장치 37 : 제 2 분사노즐36: first supply device 37: second injection nozzle

38 : 제 2 공급장치 40 : 반도체 기판38: second supply device 40: semiconductor substrate

41 : 물질막 41a : 물질막 패턴41: material film 41a: material film pattern

42 : 감광막 42a : 감광막 패턴42: photosensitive film 42a: photosensitive film pattern

43 : 배면 세정43: back washing

Claims (10)

상부에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼척;A wafer chuck on which the wafer is seated; 상기 웨이퍼척을 지지하면서 상기 웨이퍼척 하부에 설치된 스핀들;A spindle installed below the wafer chuck while supporting the wafer chuck; 상기 스핀들을 회전하도록 상기 스핀들 하부에 설치된 모터;A motor installed under the spindle to rotate the spindle; 상기 웨이퍼척 일측에 배치되어 상기 웨이퍼 전면으로 감광액 또는 현상액을 분사하는 제 1 분사노즐; 및 A first injection nozzle disposed at one side of the wafer chuck to inject a photosensitive solution or a developing solution onto the entire surface of the wafer; And 상기 웨이퍼척의 일측 또는 다른 측에 배치되어 상기 웨이퍼 배면으로 세정물질을 분사하는 제 2 분사노즐을 포함하는 스핀 코터.And a second spray nozzle disposed on one side or the other side of the wafer chuck to spray cleaning material onto the back surface of the wafer. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 분사노즐은 상기 웨이퍼의 배면 가장자리에서 중심으로 왕복하면서 상기 세정물질을 분사하는 것을 특징으로 하는 스핀 코터.And the second spray nozzle sprays the cleaning material while reciprocating from the back edge of the wafer to the center. 상부에 물질막이 형성된 반도체 기판 상에 스핀 코터에 의해 감광막을 도포하는 단계;Applying a photosensitive film to the semiconductor substrate having a material film formed thereon by a spin coater; 상기 감광막을 경화시키는 단계; Curing the photosensitive film; 상기 스핀 코터에 의해 상기 기판의 배면에 대하여 세정을 수행하는 단계;Performing a cleaning on the back side of the substrate by the spin coater; 상기 감광막을 노광하는 단계; 및 Exposing the photosensitive film; And 상기 노광된 감광막을 상기 스핀 코터에 의해 현상하여 상기 물질막을 일부 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법.And developing the exposed photoresist by the spin coater to form a photoresist pattern partially exposing the material layer. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 스핀 코터는 The spin coater 상부에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼척;A wafer chuck on which the wafer is seated; 상기 웨이퍼척을 지지하면서 상기 웨이퍼척 하부에 설치된 스핀들;A spindle installed below the wafer chuck while supporting the wafer chuck; 상기 스핀들을 회전하도록 상기 스핀들 하부에 설치된 모터;A motor installed under the spindle to rotate the spindle; 상기 웨이퍼척 일측에 배치되어 상기 웨이퍼 전면으로 상기 감광액 또는 현상액을 분사하는 제 1 분사노즐; 및 A first injection nozzle disposed at one side of the wafer chuck to inject the photoresist or developer to the entire surface of the wafer; And 상기 웨이퍼척의 일측 또는 다른 측에 배치되어 상기 웨이퍼 배면으로 세정물질을 분사하는 제 2 분사노즐을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.And a second spray nozzle disposed on one side or the other side of the wafer chuck to spray a cleaning material onto the back surface of the wafer. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 세정은 상기 감광막의 도포 및 경화 전에 선택적으로 더 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.The cleaning is optionally carried out before the coating and curing of the photosensitive film manufacturing method of a semiconductor device. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, The method according to claim 4 or 5, 상기 세정은 The cleaning is 상기 기판을 상기 웨이퍼척에 안착시키는 단계;Mounting the substrate on the wafer chuck; 상기 모터를 구동하여 상기 스핀들을 회전시키면서 상기 제 2 분사노즐로 상기 기판 배면에 세정물질을 분사하는 단계; 및 Driving the motor to spray the cleaning material onto the rear surface of the substrate with the second injection nozzle while rotating the spindle; And 상기 스핀들만 회전시켜 상기 기판 배면을 건조하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.And rotating only the spindle to dry the back surface of the substrate. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제 2 분사노즐은 상기 웨이퍼의 배면 가장자리에서 중심으로 왕복하면서 상기 세정물질을 분사하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.And the second spray nozzle sprays the cleaning material while reciprocating from the rear edge of the wafer to the center. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 세정물질은 초순수, 압축공기, 질소가스 등을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.The cleaning material is a method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that the ultra-pure water, compressed air, nitrogen gas and the like. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 세정물질을 분사하는 단계에서, In the step of spraying the cleaning material, 상기 스핀들의 회전수는 분당 150 내지 250 정도로 조정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.Method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that for adjusting the rotational speed of the spindle about 150 to 250 per minute. 제 9 항에 있어서, The method of claim 9, 상기 기판 배면을 건조하는 단계에서, In the step of drying the back of the substrate, 상기 스핀들의 회전수는 분당 2500 내지 3500 정도로 조정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.Method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that for adjusting the rotational speed of the spindle about 2500 to 3500 per minute.
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