KR100441710B1 - Method For Manufacturing Semiconductor Devices - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 감광막을 코팅시키고, 상기 감광막을 포토 마스크를 거쳐 노광시키고, 상기 반도체 기판을 회전시키면서 상기 감광막에 현상액을 제 1 분사시키고, 상기 반도체 기판을 회전시키지 않고 정지시킨 상태에서 일정 시간동안 진동시키면서 상기 감광막을 제 1 습식현상시키고, 상기 반도체 기판의 회전 정지 및 진동 정지 상태를 유지하면서 상기 감광막을 제 2 습식현상시키고, 상기 반도체 기판을 회전시키면서 상기 감광막에 상기 현상액을 제 2 분사시키고, 상기 반도체 기판을 탈이온수로 세정시킨다.The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device. According to the present invention, a photosensitive film is coated on a semiconductor substrate, the photosensitive film is exposed through a photo mask, and a first spray of a developing solution is applied to the photosensitive film while the semiconductor substrate is rotated, and the film is stopped without rotating the semiconductor substrate. The first wet development of the photosensitive film while vibrating for a time, the second wet development of the photosensitive film while maintaining the rotation stop and vibration stop state of the semiconductor substrate, and the second injection of the developer to the photosensitive film while rotating the semiconductor substrate The semiconductor substrate is washed with deionized water.
따라서, 본 발명은 상기 노광된 감광막에 상기 현상액을 빠르게 침투시키고 충분하게 용해시키며, 반응 부산물의 부착, 경화를 방지시킨다. 그 결과, 감광막의 패턴이 균일하게 형성되고 나아가 반도체소자의 특성이 향상될 수 있다.Accordingly, the present invention rapidly penetrates and sufficiently dissolves the developer in the exposed photosensitive film, and prevents adhesion and curing of reaction byproducts. As a result, the pattern of the photosensitive film is uniformly formed, and further, the characteristics of the semiconductor device can be improved.
Description
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 기판 상의 노광된 감광막을 상기 반도체 기판의 회전 정지 상태에서 현상액으로 습식 현상(Wetting)할 때에 상기 웨이퍼를 진동시켜줌으로써 상기 감광막의 패턴을 균일화시키도록 한 반도체소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to pattern the photosensitive film by vibrating the wafer when the exposed photosensitive film on the semiconductor substrate is wet-wetted with a developing solution in a state in which rotation of the semiconductor substrate is stopped. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device in which the uniformity is achieved.
일반적으로, 반도체소자의 제조공정에 있어서, 사진식각기술은 설계된 레이아웃 패턴을 축소시킨 포토 마스크의 패턴을 노광장치에 의해 웨이퍼 상의 감광막에 전사시키는 일련의 공정을 의미한다. 상기 사진식각기술은 크게 감광막의 코팅공정, 감광막의 노광공정 및 감광막의 현상공정으로 구분된다.In general, in the manufacturing process of a semiconductor device, a photolithography technique means a series of processes of transferring a pattern of a photo mask in which a designed layout pattern is reduced to an photosensitive film on a wafer by an exposure apparatus. The photolithography technique is roughly divided into a coating process of the photoresist film, an exposure process of the photoresist film, and a developing process of the photoresist film.
상기 코팅공정에서는 임의의 막이 적층된 웨이퍼 상에 감광막을 스핀장치에의해 균일한 두께로 코팅시킨다. 상기 감광막은 주로 레진(Resin), 광활성 컴파운드(Photo Active Compound: PAC) 또는 광활성 제너레이터(Photo Active Generator: PAG) 및 희석제로 구성된다. 이후, 상기 감광막을 중화시키며 상기 감광막의 희석제를 제거하기 위해 상기 감광막을 소프트 베이킹시킨다. 이때, 상기 감광막의 레진과 PAC가 가교 결합(Cross-linking)함으로써 상기 감광막이 경화된다.In the coating step, the photosensitive film is coated on the wafer on which an arbitrary film is laminated to a uniform thickness by a spin apparatus. The photoresist film is mainly composed of a resin, a photo active compound (PAC) or a photo active generator (PAG), and a diluent. Thereafter, the photoresist film is soft baked to neutralize the photoresist film and remove the diluent of the photoresist film. At this time, the photoresist film is cured by cross-linking the resin and the PAC of the photoresist film.
상기 노광공정에서는 특정 파장의 광 에너지를 갖는 광을 노광장치에 의해 상기 포토 마스크를 거쳐 상기 웨이퍼 상의 감광막에 노광시킨다. 따라서, 상기 감광막에 상기 포토 마스크의 패턴이 전사된다. 이때, 상기 감광막의 노광 부분이 상기 광 에너지에 의해 광 화학반응을 일으키므로 상기 PAC가 파괴되어 카르복실 산으로 된다. 상기 감광막의 비노광 부분이 상기 레진과 PAC의 가교 결합을 유지한다. 이후, 상기 감광막의 경화를 위해 상기 감광막을 하드 베이킹시킨다.In the exposure step, light having light energy of a specific wavelength is exposed to the photosensitive film on the wafer by the exposure apparatus via the photo mask. Thus, the pattern of the photomask is transferred to the photosensitive film. At this time, since the exposed portion of the photosensitive film causes a photochemical reaction by the light energy, the PAC is destroyed to become a carboxylic acid. The non-exposed portion of the photosensitive film maintains crosslinking of the resin and PAC. Thereafter, the photoresist film is hard baked to cure the photoresist film.
상기 현상공정에서는 상기 감광막을 알칼리성 수용액, 예를 들어 수산화칼륨(KOH) 또는 테트라 메틸 암모니움 하이드록사이드(Tetra Methyl Ammonium Hydroxides: TMAH) 수용액과 같은 현상액으로 현상시키면, 상기 감광막의 노광 부분과 비노광 부분간의 화학반응의 차이에 의한 상기 현상액의 용해도 차이 때문에 상기 포토 마스크의 패턴에 해당하는 상기 감광막의 패턴이 상기 현상액에 의해 형성된다. 즉, 상기 노광 부분의 감광막은 상기 현상액에 의해 용해됨으로써 제거되고, 상기 비노광 부분의 감광막은 상기 현상액에 의해 용해되지 않고 계속 남게 된다. 상기 남은 감광막의 패턴은 후속의 식각공정 또는 이온주입공정을 실시할 때에 마스크층으로서 역할을 담당한다.In the developing step, when the photosensitive film is developed with a developing solution such as an alkaline aqueous solution, for example, potassium hydroxide (KOH) or tetra methyl ammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution, the exposed portion of the photosensitive film and the unexposed The pattern of the photosensitive film corresponding to the pattern of the photomask is formed by the developer because of the difference in solubility of the developer due to the difference in chemical reaction between the parts. That is, the photosensitive film of the exposed portion is removed by dissolving by the developer, and the photosensitive film of the non-exposed portion remains without being dissolved by the developer. The remaining photoresist pattern serves as a mask layer in the subsequent etching or ion implantation process.
상기 식각공정이나 이온주입공정에서 상기 감광막의 패턴이 본연의 역할을 완료하고 나면, 상기 감광막의 패턴이 감광막 스트립(Strip) 공정에 의해 제거된다.After the pattern of the photoresist film has completed its original role in the etching process or the ion implantation process, the pattern of the photoresist film is removed by a photoresist strip process.
한편, 상기 감광막의 제거 방식은 습식(Wetting) 방식과 건식(Dry) 방식으로 구분된다. 상기 습식 방식에 의한 현상 방식은 스프레이(Spray), 스트림(Stream), 딥(Dip) 및 퍼들(Puddle) 방식으로 구분된다. 상기 퍼들 방식은 현상액의 표면 장력을 이용한 것으로, 반도체 기판을 회전시키면서 상기 반도체 기판 상에 현상액을 분사시키고 상기 반도체 기판을 정지시킨 후 상기 반도체 기판의 감광막을 현상시키는 방식이다. 상기 퍼들 방식은 현상액의 낭비가 적고 감광막의 잔존의 저감에 유효하기 때문에 최근에 들어 범용 포지티브(Positive) 감광막의 현상에 주로 사용되고 있다. 그러나, 가공법의 미세화, 반도체 기판의 대구경화에 따라 양산용 현상장치에서는 기존의 현상방법의 개선이 요구되고 있다. 즉, 6인치 웨이퍼에 주류를 이루었던 스프레이-퍼들 방식은 분사된 현상액이 감광막의 표면을 충돌함에 따라 발생하는 물리적 충격과, 현상액의 분출시 발생하는 버블(Bubble) 이 문제로 되고 있다. 상기 버블은 현상액을 분출시키는 노즐의 현상액 공급관을 막아버리기도 한다.On the other hand, the removal method of the photosensitive film is divided into a wet (Wetting) method and a dry (Dry) method. The developing method by the wet method is classified into a spray, a stream, a dip, and a puddle. The puddle method utilizes the surface tension of the developer, and injects the developer onto the semiconductor substrate while rotating the semiconductor substrate, stops the semiconductor substrate, and then develops the photosensitive film of the semiconductor substrate. The puddle method has been mainly used for developing a general positive photosensitive film in recent years because it is less wasteful of the developing solution and effective for reducing the remaining of the photosensitive film. However, in accordance with the miniaturization of the processing method and the large diameter of the semiconductor substrate, there is a demand for improvement of the existing developing method in the mass production developing apparatus. That is, in the spray-puddle method that has been mainstream on 6-inch wafers, physical shocks generated when the injected developer collides with the surface of the photoresist film and bubbles generated when the developer is ejected are problematic. The bubble also blocks the developer supply pipe of the nozzle for ejecting the developer.
종래에는 도 1에 도시된 바와 같이, 단계(S1)에서 스핀장치(도시 안됨)를 이용하여 반도체 기판(도시 안됨), 예를 들어 웨이퍼를 고속 회전시키면서 상기 반도체 기판 상에 예를 들어 포지티브 감광막을 분사시킴으로써 상기 반도체 기판 상에 감광막을 균일한 두께로 코팅시킨다.In the related art, as shown in FIG. 1, for example, a positive photoresist film is deposited on a semiconductor substrate (not shown) using a spin apparatus (not shown), for example, a wafer, at a high speed, in step S1. By spraying, a photosensitive film is coated on the semiconductor substrate with a uniform thickness.
상기 감광막의 코팅이 완료되고 나면, 단계(S3)에서 노광장치를 이용하여 특정 파장의 광 에너지를 갖는 광을 상기 포토 마스크를 거쳐 상기 웨이퍼 상의 감광막에 노광시킨다. 따라서, 상기 감광막에 상기 포토 마스크의 패턴이 전사된다. 물론, 상기 포토 마스크에는 미리 설계된 레이아웃 패턴을 축소시킨 패턴이 패터닝되어 있다.After the coating of the photoresist film is completed, in step S3, light having a specific wavelength of light energy is exposed to the photoresist film on the wafer via the photo mask using an exposure apparatus. Thus, the pattern of the photomask is transferred to the photosensitive film. Of course, a pattern in which a predesigned layout pattern is reduced is patterned on the photo mask.
상기 감광막의 노광이 완료되고 나면, 단계(S5)에서 상기 스핀장치를 이용하여 상기 반도체 기판을 고속 회전시키면서 상기 감광막에 현상액을 분사시킨다.After the exposure of the photosensitive film is completed, the developer is injected into the photosensitive film while rotating the semiconductor substrate at high speed using the spin apparatus in step S5.
상기 현상액의 분사가 완료되고 나면, 단계(S7)에서 상기 반도체 기판의 회전을 정지시킨 후 습식 현상공정을 이용하여 상기 현상액이 상기 감광막의 노광 부분을 충분히 용해시킬 수 있도록 하기 위해 50∼60초의 시간동안 상기 반도체 기판의 정지상태를 그대로 유지시킨다.After the injection of the developer is completed, the rotation of the semiconductor substrate is stopped in step S7, and then a time of 50 to 60 seconds to allow the developer to sufficiently dissolve the exposed portion of the photosensitive film using a wet developing process. While the still state of the semiconductor substrate is maintained.
상기 습식 현상공정이 완료되고 나면, 단계(S9)에서 상기 반도체 기판에 탈이온수를 50∼60초의 시간동안 분사시킨다. 따라서, 상기 반도체 기판 상의 용해된 감광막이 제거되므로 상기 반도체 기판이 세정된다. 이후, 고온의 질소 가스를 상기 반도체 기판에 분사시킴으로써 상기 반도체 기판의 건조가 이루어진다.After the wet developing process is completed, deionized water is sprayed on the semiconductor substrate in a step S9 for a time of 50 to 60 seconds. Thus, since the dissolved photoresist on the semiconductor substrate is removed, the semiconductor substrate is cleaned. Thereafter, drying of the semiconductor substrate is performed by blowing hot nitrogen gas onto the semiconductor substrate.
그런데, 종래에는 상기 현상액을 상기 고속 회전되는 반도체 기판에 분사시키고 나면, 상기 습식 현상공정에서 상기 반도체 기판을 일정 시간동안 정지시켜 놓아둔다. 이는 상기 현상액이 상기 감광막의 노광 부분을 충분히 용해시킬 수 있도록 하기 위함이다. 그런 다음, 상기 현상액에 의해 용해된 반응 부산물을 상기 탈이온수의 분사에 의해 제거시킨다.However, conventionally, after the developer is injected onto the semiconductor substrate to be rotated at a high speed, the semiconductor substrate is stopped for a predetermined time in the wet development step. This is to allow the developer to sufficiently dissolve the exposed portion of the photosensitive film. Then, the reaction by-product dissolved by the developer is removed by spraying the deionized water.
그러나, 상기 습식 현상공정에서 상기 반도체 기판의 회전이 일정 시간동안 정지되므로 상기 현상액에 의해 용해된 반응 부산물이 상기 반도체 기판에 부착하고 경화하는 가능성이 높다. 이는 최종적으로 형성된 감광막의 패턴 불균일과 같은 불량을 일으키는 원인으로 작용한다.However, since the rotation of the semiconductor substrate is stopped for a predetermined time in the wet developing process, there is a high possibility that the reaction by-product dissolved by the developer adheres to the semiconductor substrate and cures. This acts as a cause of defects such as pattern unevenness of the finally formed photosensitive film.
따라서, 본 발명의 목적은 현상액에 의해 용해된 반응 부산물이 상기 반도체 기판에 부착되는 것을 방지시킴으로써 감광막의 패턴 불량을 방지하도록 한 반도체소자의 제조방법을 제공하는데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device, which prevents a pattern defect of a photosensitive film by preventing the reaction by-products dissolved by a developer from adhering to the semiconductor substrate.
도 1은 종래 기술에 의한 반도체소자의 제조방법을 나타낸 플로우차트.1 is a flowchart showing a method of manufacturing a semiconductor device according to the prior art.
도 2는 본 발명에 의한 반도체소자의 제조방법을 나타낸 플로우차트.2 is a flowchart showing a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체소자의 제조방법은The semiconductor device manufacturing method according to the present invention for achieving the above object is
반도체 기판 상에 감광막을 코팅시킨 후 상기 감광막을 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크를 거쳐 노광시키는 단계;Coating the photoresist on a semiconductor substrate and then exposing the photoresist through a photo mask having a predetermined pattern;
상기 반도체 기판을 회전시키면서 상기 감광막에 2~5초의 시간동안 현상액을 제 1 분사시키는 단계;First spraying the developer onto the photosensitive film while rotating the semiconductor substrate for 2 to 5 seconds;
상기 감광막에 상기 현상액을 신속히 침투시키기 위해 상기 반도체 기판의 회전을 정지시키고 아울러 상기 반도체 기판에 1~10초의 시간동안 진동을 가하면서 상기 감광막을 제 1 습식현상시키는 단계;Stopping the rotation of the semiconductor substrate so as to quickly penetrate the developer into the photosensitive film, and first wet developing the photosensitive film while applying vibration to the semiconductor substrate for 1 to 10 seconds;
상기 반도체 기판의 회전을 정지시키고 아울러 상기 반도체 기판을 진동시키지 않고 안정된 상태로 두면서 상기 감광막을 50~60초의 시간동안 상기 현상액에 의해 제 2 습식현상시키는 단계;Stopping the rotation of the semiconductor substrate and leaving the semiconductor substrate in a stable state without vibrating the second substrate by a second wet development by the developer for a period of 50 to 60 seconds;
상기 감광막에 상기 현상액을 2~5초의 시간동안 제 2 분사시키는 단계; 및상기 반도체 기판을 탈이온수로 세정시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Second spraying the developer onto the photosensitive film for a time of 2 to 5 seconds; And cleaning the semiconductor substrate with deionized water.
이하, 본 발명에 의한 반도체소자의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 종래의 부분과 동일 구성 및 동일 작용의 부분에는 동일 부호를 부여한다.Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same code | symbol is attached | subjected to the part of the same structure and the same action as the conventional part.
도 2를 참조하면, 먼저, 단계(S1)에서 스핀장치(도시 안됨)를 이용하여 반도체 기판(도시 안됨), 예를 들어 웨이퍼를 고속 회전시키면서 상기 반도체 기판 상에 예를 들어 포지티브 감광막을 분사시킴으로써 상기 반도체 기판 상에 감광막을균일한 두께로 코팅시킨다.Referring to FIG. 2, first, in step S1, for example, by spraying, for example, a positive photoresist film on a semiconductor substrate (not shown) using a spin apparatus (not shown), for example, while rotating the wafer at a high speed. The photosensitive film is coated on the semiconductor substrate in a uniform thickness.
상기 감광막의 코팅이 완료되고 나면, 단계(S3)에서 노광장치를 이용하여 특정 파장의 광 에너지를 갖는 광을 상기 포토 마스크를 거쳐 상기 웨이퍼 상의 감광막에 노광시킨다. 따라서, 상기 감광막에 상기 포토 마스크의 패턴이 전사된다. 물론, 상기 포토 마스크에는 미리 설계된 레이아웃 패턴을 축소시킨 패턴이 패터닝되어 있다.After the coating of the photoresist film is completed, in step S3, light having a specific wavelength of light energy is exposed to the photoresist film on the wafer via the photo mask using an exposure apparatus. Thus, the pattern of the photomask is transferred to the photosensitive film. Of course, a pattern in which a predesigned layout pattern is reduced is patterned on the photo mask.
상기 감광막의 노광이 완료되고 나면, 단계(S21)에서 상기 스핀장치를 이용하여 상기 반도체 기판을 고속 회전시키면서 상기 감광막에 현상액을 2∼5초의 시간동안 제 1 분사시킨다.After the exposure of the photoresist film is completed, the developer is first sprayed onto the photoresist for a time of 2 to 5 seconds while rotating the semiconductor substrate at high speed using the spin apparatus in step S21.
상기 현상액의 제 1 분사가 완료되고 나면, 단계(S23)에서 상기 반도체 기판의 회전을 정지시킨 후 제 1 습식 현상공정을 이용하여 상기 현상액이 상기 감광막의 노광 부분을 신속히 침투하고 충분히 용해시킬 수 있도록 하기 위해 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 기판을 1∼10초의 시간 동안 상기 반도체 기판을 상, 하 방향으로 진동시켜준다.After the first injection of the developer is completed, in step S23, the rotation of the semiconductor substrate is stopped and the developer is able to quickly penetrate and sufficiently dissolve the exposed portion of the photosensitive film using a first wet development process. To this end, as shown in FIG. 3, the semiconductor substrate is vibrated up and down for 1 to 10 seconds.
상기 제 1 습식 현상공정이 완료되고 나면, 단계(S25)에서 상기 반도체 기판의 회전을 계속 정지시키면서 제 2 습식 현상공정을 이용하여 상기 현상액이 상기 감광막의 노광 부분을 충분히 용해시킬 수 있도록 하기 위해 50∼60초의 시간 동안 상기 반도체 기판을 진동시키지 않고 안정된 상태로 유지시킨다.After the first wet development process is completed, the developer may sufficiently dissolve the exposed portion of the photosensitive film by using the second wet development process while continuing to stop the rotation of the semiconductor substrate in step S25. The semiconductor substrate is kept in a stable state without vibration for a period of ˜60 seconds.
상기 제 1 습식 현상공정이 완료되고 나면, 단계(S27)에서 상기 반도체 기판을 회전시키면서 상기 현상된 감광막에 상기 현상액을 2∼5초의 시간동안 제 2 분사시킨다. 이는 상기 감광막의 반응 부산물이 다시 상기 반도체 기판에 부착되어서 경화되는 것을 방지하여 주기 위함이다.After the first wet development process is completed, the developer is second sprayed onto the developed photosensitive film for 2 to 5 seconds while rotating the semiconductor substrate in step S27. This is to prevent the reaction by-products of the photoresist film from being attached to the semiconductor substrate and cured.
상기 현상액의 제 2 분사가 완료되고 나면, 단계(S29)에서 상기 반도체 기판에 탈이온수를 50∼60초의 시간동안 분사시킨다. 따라서, 상기 반도체 기판 상의 용해된 감광막이 제거되므로 상기 반도체 기판이 세정된다. 이후, 고온의 질소 가스를 상기 반도체 기판에 분사시킴으로써 상기 반도체 기판의 건조가 이루어진다.After the second injection of the developer is completed, in step S29, deionized water is injected into the semiconductor substrate for a time of 50 to 60 seconds. Thus, since the dissolved photoresist on the semiconductor substrate is removed, the semiconductor substrate is cleaned. Thereafter, drying of the semiconductor substrate is performed by blowing hot nitrogen gas onto the semiconductor substrate.
따라서, 본 발명은 상기 반도체 기판의 감광막의 노광부분에 상기 현상액을 빠르게 침투시키고 상기 감광막을 충분하게 용해시키며, 반응 부산물의 신속한 제거에 의해 상기 반응 부산물의 경화를 방지할 수가 있다. 따라서, 본 발명은 상기 감광막의 패턴을 균일하게 형성시킬 수 있고 나아가 반도체소자의 특성을 향상시킬 수가 있다.Accordingly, the present invention can quickly infiltrate the developer into the exposed portion of the photosensitive film of the semiconductor substrate, sufficiently dissolve the photosensitive film, and prevent the hardening of the reaction byproduct by the rapid removal of the reaction byproduct. Therefore, the present invention can uniformly form the pattern of the photosensitive film and can further improve the characteristics of the semiconductor device.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체소자의 제조방법은 반도체 기판 상에 감광막을 코팅시키고, 상기 감광막을 포토 마스크를 거쳐 노광시키고, 상기 반도체 기판을 회전시키면서 상기 감광막에 현상액을 제 1 분사시키고, 상기 반도체 기판을 회전시키지 않고 정지시킨 상태에서 일정 시간동안 진동시키면서 상기 감광막을 제 1 습식현상시키고, 상기 반도체 기판의 회전 정지 및 진동 정지 상태를 유지하면서 상기 감광막을 제 2 습식현상시키고, 상기 반도체 기판을 회전시키면서 상기 감광막에 상기 현상액을 제 2 분사시키고, 상기 반도체 기판을 탈이온수로 세정시킨다.As described above, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a photosensitive film is coated on a semiconductor substrate, the photosensitive film is exposed through a photomask, and a developer is first sprayed onto the photosensitive film while rotating the semiconductor substrate. And first wet developing the photoresist film while vibrating for a predetermined time while the semiconductor substrate is stopped without rotating the second substrate, and second wet development of the photoresist film while maintaining the rotation stop and vibration stop state of the semiconductor substrate. The developer is second sprayed onto the photosensitive film while the substrate is rotated, and the semiconductor substrate is washed with deionized water.
따라서, 본 발명은 상기 노광된 감광막에 상기 현상액을 빠르게 침투시키고 충분하게 용해시키며, 반응 부산물의 부착, 경화를 방지시킨다. 그 결과, 감광막의 패턴이 균일하게 형성되고 나아가 반도체소자의 특성이 향상될 수 있다.Accordingly, the present invention rapidly penetrates and sufficiently dissolves the developer in the exposed photosensitive film, and prevents adhesion and curing of reaction byproducts. As a result, the pattern of the photosensitive film is uniformly formed, and further, the characteristics of the semiconductor device can be improved.
한편, 본 발명은 도시된 도면과 상세한 설명에 기술된 내용에 한정하지 않으며 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다양한 형태의 변형도 가능함은 이 분야에 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이다.On the other hand, the present invention is not limited to the contents described in the drawings and the detailed description, it is obvious to those skilled in the art that various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. .
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2001
- 2001-12-22 KR KR10-2001-0083537A patent/KR100441710B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030053358A (en) | 2003-06-28 |
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