KR100611417B1 - Develop method of develop device with linear drive nozzle in photolithography process - Google Patents

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Abstract

본 발명은 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상공정에서 현상액이 웨이퍼상에 시간차를 두고 도포됨으로써 패턴의 임계치수 균일도가 저하되는 것을 극복하고자 현상방법을 개선함으로써 고집적장치에서 요구되는 임계치수 균일도를 달성하는 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법에 관한 것이다.The present invention achieves the critical uniformity required in the high density device by improving the developing method to overcome the degradation of the critical dimension uniformity of the pattern by applying the developer on the wafer with a time difference in the developing process of the developing equipment equipped with the LD nozzle. The present invention relates to a developing method of a developing apparatus equipped with an LD nozzle in a photolithography process.

이를 실현하기 위한 본 발명은, 반도체소자를 제조하기 위한 포토리소그라피공정 중 LD(linear drive) 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법에 있어서, 현상액 사전도포 및 제거단계와 탈이온수 분사 및 제거단계와 웨이퍼 역전단계와 현상액 최종도포 및 제거단계와 세정단계 및 건조단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법을 제공하여 현상액이 시간차를 두고 분사되는 것을 보상하는 현상방법에 의하여 고집적장치에서 요구되는 임계치수의 균일도를 달성할 수 있는 발명임.The present invention for realizing this, in the developing method of the developing equipment equipped with a linear drive (LD) nozzle during the photolithography process for manufacturing a semiconductor device, the developer pre-application and removal step, deionized water injection and removal step and wafer In the photolithography process comprising the reversal step, the final application and removal step of the developer, the cleaning step and the drying step, it provides a developing method of the developing equipment equipped with the LD nozzle to compensate the developer is sprayed at a time difference It is an invention that can achieve the uniformity of critical dimension required in a high integration device by developing method.

포토리소그라피공정, 현상공정, 웨이퍼, 스핀척, 현상액Photolithography Process, Developing Process, Wafer, Spin Chuck, Developer

Description

포토리소그라피공정에서 ＬＤ 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법{Develop method of develop device with linear drive nozzle in photolithography process} Development method of developing device with linear drive nozzle in photolithography process             

도 1은 종래기술에 LD 노즐이 구비된 현상장비를 나타낸 도면,1 is a view showing a developing device equipped with an LD nozzle in the prior art,

도 2는 종래기술에 의한 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법을 나타낸 순서도,2 is a flowchart showing a developing method of a developing apparatus equipped with an LD nozzle in a photolithography process according to the prior art;

도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법을 나타낸 순서도,3 is a flowchart showing a developing method of a developing apparatus equipped with an LD nozzle in a photolithography process according to an embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비를 나타낸 도면이다.4 is a view showing a developing apparatus equipped with an LD nozzle in the photolithography process according to an embodiment of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10 : LD 노즐 11 : 분사노즐10: LD nozzle 11: injection nozzle

12 : 노즐암 20 : 스핀척12: nozzle arm 20: spin chuck

21 : 회전축 W : 웨이퍼21: axis of rotation W: wafer

본 발명은 포토리소그라피공정에서 노광공정이 수행된 웨이퍼의 현상방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상공정에서 현상액이 웨이퍼상에 시간차를 두고 도포됨으로써 패턴의 임계치수 균일도가 저하되는 것을 극복하고자 현상방법을 개선함으로써 고집적장치에서 요구되는 임계치수 균일도를 달성하는 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법에 관한 것이다.The present invention relates to a developing method of a wafer subjected to an exposure process in a photolithography process, and more particularly, in the developing process of a developing apparatus equipped with an LD nozzle, the developer is applied to the wafer with a time difference on the uniformity of the critical dimension of the pattern. The present invention relates to a developing method of a developing apparatus equipped with an LD nozzle in a photolithography process which achieves the critical dimension uniformity required by a high integration device by improving the developing method to overcome the degradation.

반도체 소자를 제조하는 포토리소그라피 공정은 크게 반도체 웨이퍼 상에 포토레지스트 막을 형성하는 공정, 상기 포토레지스트 막의 소정 영역에 빛을 조사시키는 노광(exposure)공정 및 상기 노광공정이 수행된 포토레지스트 막에 현상액을 도포하여 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분을 현상(developing)하는 공정순으로 이루어진다.The photolithography process of manufacturing a semiconductor device is largely a process of forming a photoresist film on a semiconductor wafer, an exposure process of irradiating light to a predetermined region of the photoresist film, and a developer solution on the photoresist film on which the exposure process is performed. The process is performed by applying and developing the exposed or unexposed portions.

또한, 포토리소그라피 공정은 웨이퍼에 미세패턴을 형성하는 공정으로 반도체소자의 집적도가 증가될수록 그 중요도가 더욱 커져가고 있다.In addition, the photolithography process is a process of forming a fine pattern on the wafer, and as the degree of integration of semiconductor devices increases, the importance thereof increases.

일례로 포토리소그라피 공정 중 현상공정은 상기 노광공정을 거친 웨이퍼 포토레지스트 막의 소정 영역에 현상액을 도포하여 화학반응시킴으로써 반응생성물을 형성하고, 반응생성물이 용해되어 상기 노광 반응된 포토레지스트 막의 소정영역을 제거하는 것이다.For example, in the photolithography process, a developing process is performed by applying a developer to a predetermined area of the wafer photoresist film subjected to the exposure process and chemically reacting to form a reaction product, and the reaction product is dissolved to remove the predetermined area of the exposed photoresist film. It is.

상기와 같은 현상공정을 수행하기 위한 일반적인 현상장치는 도 1에서 도시된 바와같이 노광공정이 수행된 웨이퍼(W)가 장착되고 회전수단(도면에 표현되지 않음)에 의해 회전되는 회전축(21)이 저면에 결합되는 스핀척(20), 스핀척(20)의 상면에 장착된 웨이퍼(W)의 포토레지스트 막이 현상액에 의하여 반응되도록 현상액을 분사하는 LD 노즐(10; linear drive)로 이루어진다.As a general developing apparatus for performing the above developing process, as shown in FIG. 1, the rotating shaft 21 is mounted on which the wafer W subjected to the exposure process is mounted and rotated by a rotating means (not shown). The spin chuck 20 coupled to the bottom surface and the photoresist film of the wafer W mounted on the upper surface of the spin chuck 20 are composed of an LD nozzle 10 for injecting the developer to react with the developer.

이러한 LD 노즐(10)은 웨이퍼(W)의 상면 일측부에서 타측부으로 진행되면서 웨이퍼(W)에 현상액을 분사하도록 이동수단(도면에 표현되지 않음)에 의하여 이동되는 노즐암(12), 노즐암(12)의 저면에 형성되어 현상액을 분사하는 분사노즐(11)로 구성된다.The LD nozzle 10 moves from one side of the upper surface of the wafer W to the other side while being moved by moving means (not shown in the drawing) to spray the developer onto the wafer W, the nozzle. It is composed of a spray nozzle 11 formed on the bottom of the arm 12 for spraying the developer.

한편 상기와 같은 현상장치에 의한 현상방법은 도 2에서 도시된 바와같이 스핀척(20)에 노광공정에서 노광된 포토레지스트 막이 형성된 웨이퍼(W)가 장착되면, 스핀척(20)의 회전없이 LD 노즐(10)이 웨이퍼 상면 일측에서 타측으로 진행되면서 웨이퍼(W) 상에 통상 3~6초 정도 현상액을 도포하여 퍼들(puddle)을 형성하고 10~40초 동안 방치함으로써 포토레지스트 막에 현상액이 충분히 스며들게 하는 현상액 도포단계를 수행한다.On the other hand, in the developing method using the developing apparatus as described above, as shown in FIG. 2, when the wafer W having the photoresist film exposed in the exposure process is mounted on the spin chuck 20, the LD does not rotate without rotating the spin chuck 20. As the nozzle 10 proceeds from one side of the upper surface of the wafer to the other side, a developer is formed on the wafer W by applying a developer for about 3 to 6 seconds to form a puddle and left for 10 to 40 seconds to sufficiently develop the developer in the photoresist film. A soaking developer application step is performed.

다음, 스핀척(20)을 통상 500~3000rpm 정도의 속도로 회전시키면서 린스(rinse)용액을 분사하여 현상액을 제거하는 세정단계를 수행한다.Next, the spin chuck 20 is rotated at a speed of about 500 to 3000 rpm, and a rinse solution is sprayed to remove the developer.

이때 린스용액을 분사하기 위한 노즐은 상기한 LD 노즐(10)외에 별도의 노즐(도면에 표현되지 않음)을 이용할 수도 있고, LD 노즐(10)을 이용할 수도 있다.In this case, the nozzle for spraying the rinse solution may use a separate nozzle (not shown) in addition to the above-described LD nozzle 10, or may use the LD nozzle 10.

다음, 스핀척(20)을 상기 세정단계의 회전속도 보다 빠른 속도 통상 2000~4000rpm 정도의 속도로 회전시키면서 웨이퍼(W)를 건조하는 건조단계를 수행하는 것으로 현상공정을 마무리 하게된다.Next, the developing process is completed by performing a drying step of drying the wafer W while rotating the spin chuck 20 at a speed of about 2000 to 4000 rpm, which is faster than the rotation speed of the cleaning step.

그러나 상기와 같은 현상방법은 LD 노즐이 일측에서 타측으로 진행되면서 현상액이 도포되므로 웨이퍼(W)의 최초 현상액이 도포되는 부분과 최종적으로 현상액이 도포되는 구간에 현상액 도포시간의 차이가 발생된다.However, in the developing method as described above, since the developing solution is applied while the LD nozzle is progressed from one side to the other side, a difference in developer application time occurs between a portion where the first developer of the wafer W is applied and a section where the developer is finally applied.

즉, 현상액이 시간상으로 불균일하게 도포됨으로써 먼저 현상액이 도포된 부분과 나중에 현상액이 도포된 부분은 현상시간의 차이가 발생되고 이러한 차이에 의해 웨이퍼 패턴의 불균일도가 증대되어 고집적장치에서 요구되어지는 임계치수의 균일도를 만족시키지 못한다는 문제점이 있다.In other words, the developer is unevenly applied in time, so that a difference in developing time occurs between a portion where the developer is first applied and a part where the developer is applied later, and the non-uniformity of the wafer pattern is increased by such a difference, thereby requiring a threshold value of a high integration device. There is a problem that the uniformity of the number is not satisfied.

따라서 본 발명은, 반도체소자를 제조하기 위한 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비에서 현상액이 시간차를 두고 도포되어 발생되는 웨이퍼 패턴의 불균일도가 억제되도록 현상방법을 개선하여 임계치수의 균일도를 향상시키는 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법을 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
Accordingly, the present invention improves the development of the uniformity of the critical dimension by improving the development method so that the unevenness of the wafer pattern generated by applying the developer at a time difference in the developing apparatus equipped with the LD nozzle in the photolithography process for manufacturing a semiconductor device is suppressed. It is an object of the present invention to provide a developing method of a developing apparatus equipped with an LD nozzle in a photolithography process to improve.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반도체소자를 제조하기 위한 포토리소그라피공정 중 LD(linear drive) 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법에 있어서, 노광공정을 거쳐 스핀척에 장착된 웨이퍼에 상기 LD 노즐이 웨이상 상면을 수평방향으로 진행하면서 현상액을 분사하여 퍼들(puddle)을 형성하고 소정시간 방치 후 상기 스핀척을 고속회전시켜 현상액을 제거하는 현상액 사전도포 및 제거단계, 상기 스핀척을 저속회전하면서 탈이온수를 소정시간 분사한 후 상기 스핀척을 고속회전시켜 웨이퍼상의 탈이온수를 제거하는 탈이온수 분사 및 제거단계, 상기 스핀척의 회전을 중지하고 웨이퍼를 평탄면 기준으로 현상액이 최초로 도포될시 장착위치에서 180°회전시켜 장착하는 웨이퍼 역전단계, 상기 회전장착된 웨이퍼상에 현상액을 상기 현상액사전 도포 및 제거단계에서의 분사시간 이하로 분사하여 퍼들을 형성하고 소정시간 방치 후 스핀척을 고속회전시켜 현상액을 제거하는 현상액 최종도포 및 제거단계, 상기 스핀척을 회전하면서 일정시간 린스액을 분사하여 상기 웨이퍼상에 도포된 현상액을 제거하는 세정단계, 상기 린스액 분사를 완료하고 상기 스핀척을 고속회전하여 세정된 웨이퍼를 건조하는 건조단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In accordance with another aspect of the present invention, there is provided a method of developing a development apparatus having a linear drive (LD) nozzle during a photolithography process for manufacturing a semiconductor device, the wafer being mounted on a spin chuck through an exposure process. A developer pre-apply and remove the developer to remove the developer by rotating the spin chuck at high speed after forming a puddle by injecting a developer while advancing the upper surface of the way phase in a horizontal direction, and then rotating the spin chuck at low speed. Deionized water injection and removal step of spraying deionized water for a predetermined time while rotating to remove the deionized water on the wafer by rotating the spin chuck at high speed, and stopping the rotation of the spin chuck and applying the developer on the flat surface for the first time. Wafer reversal step of mounting by rotating 180 ° from the mounting position, the developer solution on the rotating wafer The final application and removal of the developer to remove the developer by rotating the spin chuck at high speed after forming a puddle by spraying the spraying time under the spraying time and removing the developer, and spraying the rinse liquid for a predetermined time while rotating the spin chuck. And a drying step of removing the developer applied onto the wafer, and drying the cleaned wafer by completing the rinse solution injection and rotating the spin chuck at a high speed.

이하 본 발명의 바람직한 일실시예에 의한 구성 및 작용효과를 예시도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and the effect according to the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비 된 현상장비의 현상방법을 나타낸 순서도이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비를 나타낸 도면이다.3 is a flowchart illustrating a developing method of a developing apparatus equipped with an LD nozzle in a photolithography process according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is provided with an LD nozzle in a photolithography process according to an embodiment of the present invention. It is a figure which shows the developing equipment.

본 발명의 일실시예에 따른 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법에 사용되는 현상장비는 도 4에 도시된 바와같이 노광공정이 수행된 웨이퍼(W)가 장착되고 회전수단(도면에 표현되지 않음)에 의해 회전되는 회전축(21)이 저면에 결합되는 스핀척(20), 스핀척(20)의 상면에 장착된 웨이퍼(W)의 포토레지스트 막이 현상액에 의하여 반응되도록 현상액을 분사하는 LD 노즐(10; linear drive)로 이루어진다.In the photolithography process according to an embodiment of the present invention, the developing apparatus used in the developing method of the developing apparatus equipped with the LD nozzle is equipped with a wafer W on which an exposure process is performed, as shown in FIG. The developer is applied such that the spin chuck 20 rotated by the rotary shaft 21 rotated by the bottom surface and the photoresist film of the wafer W mounted on the top surface of the spin chuck 20 react with the developer. It consists of a linear nozzle (LD nozzle) 10 which injects.

이러한 LD 노즐(10)은 웨이퍼(W)의 상면 일측부에서 타측부으로 진행되면서 웨이퍼(W)에 현상액을 분사하도록 이동수단(도면에 표현되지 않음)에 의하여 이동되는 노즐암(12), 노즐암(12)의 저면에 형성되어 현상액을 분사하는 분사노즐(11)로 구성된다.The LD nozzle 10 moves from one side of the upper surface of the wafer W to the other side while being moved by moving means (not shown in the drawing) to spray the developer onto the wafer W, the nozzle. It is composed of a spray nozzle 11 formed on the bottom of the arm 12 for spraying the developer.

이처럼 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법은 최초 노광공정이 수행되어 스핀척(20)에 장착된 웨이퍼(W)에 LD 노즐(10)이 웨이퍼(W) 상면을 수평방향으로 진행하면서 현상액을 분사하여 퍼들(puddle)을 형성하고 소정시간 방치 후 상기 스핀척(20)을 고속회전시켜 현상액을 제거하는 현상액 사전도포 및 제거단계(S101)를 수행한다.As described above, in the photolithography process, the developing method of the developing apparatus equipped with the LD nozzle has an initial exposure process and the LD nozzle 10 is placed on the wafer W mounted on the spin chuck 20 in the horizontal direction. While developing, a developer is sprayed to form a puddle, and after a predetermined time, the spin chuck 20 is rotated at a high speed to carry out a developer pre-application and removal step (S101) to remove the developer.

이 때 스핀척(20)의 회전이 없는 상태에서 현상액은 약 3 ~ 5 초간 분사되어 퍼들(puddle)을 형성하고 현상액이 웨이퍼(W)의 포토레지스티 막에 스며들도록 10 초 이내로 방치하는 것이 바람직하다.At this time, in a state where the spin chuck 20 is not rotated, the developer is sprayed for about 3 to 5 seconds to form a puddle and left within 10 seconds so that the developer penetrates into the photoresist film of the wafer (W). Do.

이후 스핀척(20)은 웨이퍼(W)상의 현상액이 제거되도록 최저 1500rpm 이상의 속도로 고속회전시키는 것이 바람직하다.Thereafter, the spin chuck 20 is preferably rotated at a high speed at a speed of at least 1500 rpm so that the developer on the wafer W is removed.

다음 스핀척(20)을 저속회전하면서 탈이온수(DI water)를 소정시간 분사한 후 스핀척(20)을 고속회전시켜 웨이퍼(W) 상의 탈이온수를 제거하는 탈이온수 분사 및 제거단계(S102)를 수행한다.Next, spin the spin chuck 20 at a low speed while deionized water (DI water) is sprayed for a predetermined time, and then spin spin 20 is rotated at a high speed to remove the deionized water on the wafer (W). Perform

이 때 스핀척(20)이 저속회전하는 상태에서 탈이온수(DI water)가 약 5 ~ 10초간 분사되고 그 후 1500rpm 이상 고속회전하여 웨이퍼(W)상에 존재하는 탈이온수를 제거한다.At this time, deionized water (DI water) is injected for about 5 to 10 seconds while the spin chuck 20 rotates at a low speed, and thereafter, deionized water existing on the wafer W is removed by rotating at a high speed of 1500 rpm or more.

또한, 탈이온수를 분사하기 위한 노즐은 LD 노즐(10)외에 별도의 노즐(도면에 표현되지 않음)을 이용할 수도 있고, LD 노즐(10)을 이용할 수도 있다.In addition, the nozzle for spraying deionized water may use a separate nozzle (not shown) in addition to the LD nozzle 10, or may use the LD nozzle 10.

이는 후술할 현상액 최종도포 및 제거단계(S104)에서 현상액이 2차로 도포될시에 탈이온수에 의해 버퍼역활을 하는 박막을 형성하기 위함이다.This is to form a thin film that serves as a buffer by deionized water when the developer is applied in the final application and removal step (S104), which will be described later.

다음 스핀척(20)의 회전을 중지하고 웨이퍼(W)를 평탄면 기준으로 현상액이 최초로 도포될시 장착위치에서 180°회전시켜 장착하는 웨이퍼 역전단계(S103)를 수행한다.Next, the rotation of the spin chuck 20 is stopped and a wafer reversal step S103 is performed in which the wafer W is rotated by 180 ° from the mounting position when the developer is first applied based on the flat surface.

일례로 웨이퍼(W)는 도 4에 도시된 바와같이 노치부를 기준으로 최초 현상액이 분사될시 장착된 위치에서 180°회전장착되는 것이다.For example, as shown in FIG. 4, the wafer W is rotated by 180 ° from the mounted position when the initial developer is injected based on the notch.

이는 후술할 현상액 최종도포 및 제거단계(S104)에 의해 현상액이 2차로 도포될시에 전술한 현상액 사전도포 및 제거단계(S101)에서 현상액이 시간차에 의해 불균일하게 도포되는 것을 상쇄시키기 위함이다.This is to offset the uneven application of the developer by the time difference in the above-described developer pre-application and removal step (S101) when the developer is secondarily applied by the developer final application and removal step (S104).

다음 회전장착된 웨이퍼(W)상에 현상액을 현상액사전 도포 및 제거단계(S101)에서의 분사시간 이하로 분사하여 퍼들을 형성하고 소정시간 방치 후 스핀척을 고속회전시켜 현상액을 제거하는 현상액 최종도포 및 제거단계(S104)를 수행한다.Next, the developer is sprayed on the wafer (W) to be mounted below the ejection time in the developer pre-application and removal step (S101) to form a puddle, and after the predetermined time, the spin chuck is rotated at high speed to remove the developer. And removing step S104.

이때 스핀척(20)의 회전없이 2차로 분사된 현상액이 웨이퍼(W)상의 포토레지스트 막에 충분히 스며들도록 30초 이상 방치하는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable to leave for 30 seconds or more so that the developer injected secondly without rotation of the spin chuck 20 sufficiently penetrates the photoresist film on the wafer W.

다음, 스핀척(20)을 회전하면서 일정시간 린스(rinse)액을 분사하여 웨이퍼(W)상에 도포된 현상액을 제거하는 세정단계(S105)를 수행한다.Next, a rinse liquid is sprayed for a predetermined time while the spin chuck 20 is rotated to perform a cleaning step (S105) of removing the developer applied on the wafer (W).

이는 린스액을 이용하여 현상액을 제거시키기 위한 것으로 이때 스핀척(20)의 회전속도는 통상 500 ~ 3000rpm 정도가 된다.This is to remove the developer by using a rinse liquid, and the rotation speed of the spin chuck 20 is usually about 500 to 3000 rpm.

다음, 린스액 분사를 완료한 후 스핀척(20)을 고속회전하여 세정된 웨이퍼(W)를 건조하는 건조단계(S106)을 수행한다.Next, after completion of the rinse liquid injection, the spin chuck 20 is rotated at a high speed to perform a drying step (S106) of drying the cleaned wafer (W).

이때, 스핀척(20)의 회전속도는 통상 2000 ~ 4000 rpm 정도가 된다.At this time, the rotation speed of the spin chuck 20 is usually about 2000 ~ 4000 rpm.

또한, 린스용액을 분사하기 위한 노즐은 LD 노즐(10)외에 별도의 노즐(도면에 표현되지 않음)을 이용할 수도 있고, LD 노즐(10)을 이용할 수도 있다.In addition, the nozzle for spraying the rinse solution may use a separate nozzle (not shown) in addition to the LD nozzle 10, or may use the LD nozzle 10.

상기와 같은 과정을 거쳐 현상공정이 완료되면 스핀척의 회전을 중지하고 웨이퍼를 다음공정으로 이송시키기 위해 탈착시키게 된다.When the developing process is completed through the above process, the rotation of the spin chuck is stopped and the wafer is detached to transfer to the next process.

따라서 본 발명은, LD 노즐이 구비된 현상장비를 이용한 현상공정에서 웨이퍼상에 현상액이 시간차를 두고 분사됨으로써 현상시간의 차에 의한 임계치수의 불균일도를 상기와 같은 현상시간의 차를 보상하는 현상방법에 의하여 고집적장치에서 요구되는 임계치수의 균일도를 달성한다는 장점이 있다.Therefore, the present invention is a phenomenon that compensates the difference in the development time as described above to the nonuniformity of the critical dimension caused by the difference in the development time by spraying the developer on the wafer with a time difference in the developing process using the developing equipment equipped with LD nozzle The method has the advantage of achieving the uniformity of the critical dimension required in the high integration device.

Claims (4)

반도체소자를 제조하기 위한 포토리소그라피공정 중 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법에 있어서,In the developing method of the developing equipment equipped with an LD nozzle during the photolithography process for manufacturing a semiconductor device, 노광공정을 거쳐 스핀척에 장착된 웨이퍼에 상기 LD 노즐이 웨이퍼 상면을 수평방향으로 진행하면서 현상액을 분사하여 퍼들을 형성하고 소정시간 방치 후 상기 스핀척을 고속회전시켜 현상액을 제거하는 현상액 사전도포 및 제거단계;A developer pre-coating to remove the developer by rotating the spin chuck at high speed after the LD nozzle is sprayed with a developing solution to the wafer mounted on the spin chuck through the exposure process in a horizontal direction to form a puddle, and left for a predetermined time; Removing step; 상기 스핀척을 저속회전하면서 탈이온수를 소정시간 분사한 후 상기 스핀척을 고속회전시켜 웨이퍼상의 탈이온수를 제거하는 탈이온수 분사 및 제거단계;Deionized water injection and removal step of spraying deionized water for a predetermined time while rotating the spin chuck at a low speed, and then removing the deionized water on the wafer by rotating the spin chuck at high speed; 상기 스핀척의 회전을 중지하고 웨이퍼를 평탄면 기준으로 현상액이 최초로 도포될시 장착위치에서 180°회전시켜 장착하는 웨이퍼 역전단계;A wafer reversal step of stopping the rotation of the spin chuck and mounting the wafer by rotating the wafer 180 ° from the mounting position when the developer is first applied on a flat surface; 상기 회전장착된 웨이퍼상에 현상액을 상기 현상액사전 도포 및 제거단계에서의 분사시간 이하로 분사하여 퍼들을 형성하고 소정시간 방치 후 스핀척을 고속회전시켜 현상액을 제거하는 현상액 최종도포 및 제거단계;A final application and removal step of removing the developer by spraying the developer onto the wafer, wherein the developer is sprayed at or below the injection time in the developer pre-application and removal step to form a puddle and rotating the spin chuck at high speed after a predetermined time; 상기 스핀척을 회전하면서 일정시간 린스액을 분사하여 상기 웨이퍼상에 도포된 현상액을 제거하는 세정단계;A cleaning step of spraying the rinse solution for a predetermined time while rotating the spin chuck to remove the developer applied on the wafer; 상기 린스액 분사를 완료하고 상기 스핀척을 고속회전하여 세정된 웨이퍼를 건조하는 건조단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법.A drying step of completing the rinse liquid injection and drying the cleaned wafer by rotating the spin chuck at high speed; A developing method of a developing apparatus equipped with an LD nozzle in a photolithography process comprising a. 제 1항에 있어서, 상기 현상액 사전도포단계는 웨이퍼상에 3~5초간 현상액을 분사한 후 10초 이내로 방치하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법.The developing method according to claim 1, wherein the developer pre-application step is performed such that the developer is sprayed on the wafer for 3 to 5 seconds and then left within 10 seconds. 제 1항에 있어서, 상기 탈이온수 분사 및 제거단계는 탈이온수가 5~10초 이내로 분사되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법.The developing method according to claim 1, wherein the deionized water spraying and removing step is performed such that deionized water is sprayed within 5 to 10 seconds. 제 1항에 있어서, 상기 현상액 최종도포 및 제거단계는 웨이퍼상에 도포된 현상액을 30초 이상 방치하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 포토리소그라피공정에서 LD 노즐이 구비된 현상장비의 현상방법.The developing method according to claim 1, wherein the final application and removal of the developer is performed such that the developer applied on the wafer is left for 30 seconds or more.
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