KR100618768B1 - Method for fabricating semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 상세하게는, 기판에 발생된 결함(defect)을 재작업(rework)시 스크러버(scrubber)를 이용하여 효과적으로 제거할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method for manufacturing a semiconductor device capable of effectively removing a defect generated in a substrate by using a scrubber when reworking. will be.

본 발명의 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 웨이퍼 위에 증착된 절연막에 발생한 결함을 제거하는 방법에 있어서, 반도체 기판 위의 식각 대상 박막 위에 제 1감광막 패턴이 형성되는 단계; 상기 제 1감광막 패턴이 에러인지 여부가 판단되는 단계; 상기 제 1감광막 패턴이 에러인 경우에 상기 제 1감광막 패턴이 제거되는 단계; 상기 식각 대상 박막 상부가 스크러버 세정되는 단계; 및 상기 식각 대상 박막 위에 제 2감광막 패턴이 형성되는 단계;가 포함된다.According to an aspect of the inventive concept, a method of manufacturing a semiconductor device includes: forming a first photoresist pattern on an etch target thin film on a semiconductor substrate; Determining whether the first photoresist pattern is an error; Removing the first photoresist pattern when the first photoresist pattern is in error; Scrubber cleaning the upper portion of the etching target thin film; And forming a second photoresist layer pattern on the etching target thin film.

제안되는 바와 같은 반도체 소자의 제조 방법에 의해서, 절연막의 결함으로 인한 재작업 공정시 스크러버를 이용하여 결함을 효과적으로 제거할 수 있는 장점이 있다.According to the method of manufacturing a semiconductor device as proposed, there is an advantage that the defect can be effectively removed by using a scrubber during the rework process caused by the defect of the insulating film.

반도체 소자, 웨이퍼, 결함, 스핀 스크러버 Semiconductor Devices, Wafers, Defects, Spin Scrubbers

Description

반도체 소자의 제조 방법{Method for fabricating semiconductor device}Method for manufacturing a semiconductor device {Method for fabricating semiconductor device}

도 1은 일반적인 사진식각공정중에 발생되는 결함을 보여주는 도면.1 is a view showing a defect generated during a general photolithography process.

도 2는 절연막상에 발생된 결함을 보여주는 도면.2 shows a defect generated on an insulating film.

도 3은 본 발명의 사상에 따른 스핀 스크러버의 구성을 개략적으로 설명하는 사시도.3 is a perspective view schematically illustrating a configuration of a spin scrubber according to the spirit of the present invention.

도 4 및 도 5는 본 발명의 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 공정순서에 따라 설명하는 단면도.4 and 5 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor device in accordance with the spirit of the present invention in accordance with a process sequence.

도 6은 본 발명의 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법에 의해서 결함이 제거된 모습을 설명하는 도면.6 is a view illustrating a state in which defects are removed by a method for manufacturing a semiconductor device according to the spirit of the present invention.

도 7은 본 발명의 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법에 의해서 결함이 제거된 모습을 보여주는 사진.7 is a photograph showing a state in which defects are removed by a method of manufacturing a semiconductor device according to the inventive concept.

본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 상세하게는, 기판에 발생된 결함(defect)을 재작업(rework)시 스크러버(scrubber)를 이용하여 효과적으로 제거할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method for manufacturing a semiconductor device capable of effectively removing a defect generated in a substrate by using a scrubber when reworking. will be.

포토리소그래피(photolithography)는 빛에 민감한 감광제(photoresist; 이하, PR이라 한다)를 사용하여 실리콘 웨이퍼나 글래스와 같은 기판(substrate)상에 원하는 패턴을 형성하고자 하는 경우에 널리 사용되는 사진식각공정으로서, 반도체 제조시 없어서는 안도리 필수불가결한 공정중의 하나이다.Photolithography is a photolithography process that is widely used when a desired pattern is formed on a substrate such as a silicon wafer or glass using a photoresist (hereinafter referred to as PR) that is sensitive to light. It is one of the indispensable processes in semiconductor manufacturing.

사진식각공정은 PR이 도포된 웨이퍼 상에, 원하는 미세 회로패턴이 설계된 마스크(레티클)를 근접시킨 후, 그 위로 자외선을 조사(노광)하여 마스크로부터 PR이라 불리는 물질에 상기 패턴을 전사하고, 현상액으로 현상하는 방식으로 PR패턴을 형성하는 기술이다.In the photolithography process, a mask (reticle) in which a desired microcircuit pattern is designed is brought close to a wafer on which PR is applied, and then ultraviolet rays are irradiated (exposure) thereon to transfer the pattern from a mask to a material called PR, and then a developer solution. It is a technique of forming a PR pattern in a manner to develop.

그러나, PR 패터닝시 CD(Critical Dimension)나 기판에 발생된 결함(defect)로 인하여 PR패터닝이 원하는 규정에 맞지 않을 경우(에러가 발생된 경우)에는 PR패터닝 공정을 재수행하여야 하며, 이러한 공정을 재작업(rework)이라 한다.However, if the PR patterning does not meet the desired regulations due to defects in the CD or critical dimensions during PR patterning (an error occurs), the PR patterning process must be performed again. This is called rework.

도 1은 일반적인 사진식각공정중에 발생되는 결함을 보여주는 도면이고, 도 2는 절연막상에 발생된 결함을 보여주는 도면이다.1 is a view showing a defect generated during a general photolithography process, Figure 2 is a view showing a defect generated on the insulating film.

도 1 및 도 2를 참조하면, 금속배선(미도시) 또는 트랜지스터의 하부 구조가 형성되는 웨이퍼(10) 위에 P-SiH₄등을 증착하여 절연막(12)을 형성한다. 1 and 2, an insulating film 12 is formed by depositing P—SiH ′ or the like on a wafer 10 on which a metal wiring (not shown) or a lower structure of a transistor is formed.

그리고, 상기 절연막(12)은 화학적 기상 증착등의 방법으로 형성될 수 있으며, 상기 절연막(12)위에 감광막을 형성한 후 비어홀(via hole)을 형성하기 위한 마스크를 통해 노광 및 현상하여 PR(16)을 형성한다. 그리고, PR(16)을 마스크로 절연막(12)의 소정 영역을 식각하여 비어홀을 형성할 수 있다.In addition, the insulating film 12 may be formed by a method such as chemical vapor deposition, and after forming a photoresist film on the insulating film 12, through exposure and development through a mask for forming a via hole PR (16). ). The via hole may be formed by etching the predetermined region of the insulating layer 12 using the PR 16 as a mask.

한편, 사진식각공정중에는 상기 절연막(12)과 PR(16)사이에는 결함 (defect,14)이 발생되며, 상기 결함(14)이 제거되지 않은 상태로 패턴닝을 형성하게 되면 PR 현상공정(develop) 후 금속 라인이나 비어홀의 CD의 왜곡으로 인하여 반도체 소자의 전기적인 특성에 영향을 주는 문제점이 있다.On the other hand, during the photolithography process, a defect 14 occurs between the insulating layer 12 and the PR 16, and when the patterning is formed without the defect 14 being removed, a PR development process is developed. ), There is a problem that affects the electrical characteristics of the semiconductor device due to the distortion of the CD of the metal line or the via hole.

또한, 상기 결함(14)은 에피택시얼 막의 단결정 성장을 파괴할 수 있고, 전위(dislocation)형성의 원인이 될 수 있다.In addition, the defect 14 may destroy single crystal growth of the epitaxial film and may cause dislocation formation.

또한, 종래의 재작업 공정은 상기 결함(14)을 효과적으로 제거할 수 없어 반도체의 수율을 떨어뜨리는 문제점이 있다.In addition, the conventional rework process has a problem in that the defect 14 can not be effectively removed, which lowers the yield of the semiconductor.

본 발명은 상기되는 문제점을 해결하기 위하여 제안되는 것으로서, 절연막의 결함으로 인한 재작업 공정시 스크러버를 이용하여 결함을 효과적으로 제거할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법 및 그 제조 장치를 제안하는 것을 목적으로 한다.The present invention is proposed to solve the above problems, and an object of the present invention is to propose a method for manufacturing a semiconductor device and an apparatus for manufacturing the same, which can effectively remove a defect using a scrubber during a rework process caused by a defect in an insulating film. .

또한, 절연막상에 발생된 결함을 효과적으로 제거함으로써, 후속공정이 원활히 진행되도록 하고, 반도체의 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 제조 방법 및 그 제조 장치를 제안하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to propose a method for manufacturing a semiconductor device and an apparatus for producing the semiconductor device, which allow a subsequent process to proceed smoothly by effectively removing a defect generated on the insulating film, and to improve the yield of the semiconductor.

상기되는 목적을 달성하기 위한 본 발명의 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 웨이퍼 위에 증착된 절연막에 발생한 결함을 제거하는 방법에 있어서, 반도체 기판 위의 식각 대상 박막 위에 제 1감광막 패턴이 형성되는 단계; 상기 제 1감광막 패턴이 에러인지 여부가 판단되는 단계; 상기 제 1감광막 패턴이 에러인 경우에 상기 제 1감광막 패턴이 제거되는 단계; 상기 식각 대상 박막 상부가 스크러버 세정되는 단계; 및 상기 식각 대상 박막 위에 제 2감광막 패턴이 형성되는 단계;가 포함된다.In the method of manufacturing a semiconductor device according to the spirit of the present invention for achieving the above object is a method for removing a defect generated in the insulating film deposited on the wafer, the step of forming a first photoresist pattern on the etching target thin film on the semiconductor substrate ; Determining whether the first photoresist pattern is an error; Removing the first photoresist pattern when the first photoresist pattern is in error; Scrubber cleaning the upper portion of the etching target thin film; And forming a second photoresist layer pattern on the etching target thin film.

제안되는 바와 같은 반도체 소자의 제조 방법에 의해서, 절연막의 결함으로 인한 재작업 공정시 스크러버를 이용하여 결함을 효과적으로 제거할 수 있는 장점이 있다.According to the method of manufacturing a semiconductor device as proposed, there is an advantage that the defect can be effectively removed by using a scrubber during the rework process caused by the defect of the insulating film.

또한, 절연막상에 발생된 결함을 효과적으로 제거함으로써, 후속공정이 원활히 진행되도록 하고, 반도체의 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, by effectively removing the defects generated on the insulating film, there is an advantage that the subsequent process can proceed smoothly, and the yield of the semiconductor can be improved.

이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면과 함께 상세히 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명의 사상이 제시되는 실시예에 제한된다고 할 수 없으며, 또 다른 구서요소의 추가, 변경, 삭제등에 의해서, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명의 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 용이하게 제안할 수 있을 것이다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the spirit of the present invention is not limited to the embodiments presented, and other embodiments included within the scope of the spirit of the present invention and other inventions which are additionally deteriorated by the addition, modification, or deletion of other phrase elements are readily available. Will be able to offer.

첨부되는 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 그리고, 층, 막, 영역, 판등의 부분이 다른 부분"위에"있다고 할대, 이는 다른 부분 "바로 위에"있는 경우 뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. In the accompanying drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. And when a part of a layer, film, area, plate, etc. is "on" another part, this includes not only when the other part is "right over" but also when there is another part in the middle.

도 3은 본 발명의 사상에 따른 스핀 스크러버의 구성을 개략적으로 설명하는 사시도이다.3 is a perspective view schematically illustrating a configuration of a spin scrubber according to the spirit of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 스핀 스크러버(100)를 이용하여 절연막상에 발생된 결함을 제거하기 위하여 상기 스핀 스크러버(100)의 하부에 웨이퍼등이 위치된다.Referring to FIG. 3, a wafer or the like is positioned under the spin scrubber 100 to remove defects generated on the insulating layer using the spin scrubber 100 according to the present invention.

스핀 스크러버(100)에는 주축(main shaft,130)과, 상기 주축(130)의 하단에 상기 주축(130)과 수직하게 일체로 결합되어 하면에 웨이퍼가 놓이는 회전 스테이지(140)와, 상기 주축(130)이 회전 스테이지(140)에 고정되도록 하는 결합부(110)가 포함된다.The spin scrubber 100 includes a main shaft 130, a rotation stage 140 that is integrally coupled to the lower end of the main shaft 130 perpendicularly to the main shaft 130, on which a wafer is placed, and the main shaft ( Coupling portion 110 is included to allow 130 to be fixed to rotation stage 140.

그리고, 상기 회전 스테이지(140)의 하부면과 웨이퍼가 소정의 간격이 유지되도록 하기 위하여 상기 회전 스테이지(140)의 하면에 다수 개의 고정용 핀(120)이 구비될 수 있으나, 상기 핀(120)은 본 발명의 사상에 있어서 필수적인 구성요소는 아니라 하겠다.In addition, a plurality of fixing pins 120 may be provided on the bottom surface of the rotation stage 140 to maintain a predetermined distance between the lower surface of the rotation stage 140 and the wafer. Is not an essential component in the spirit of the invention.

또한, 상기 주축을 회전 구동하는 모터(미도시)가 포함되고, 탈이온화수(DoIonized Water:이하, DIW라 한다) 공급원과 연결되어 상기 주축(130)에 구비되는 공급관을 통하여 웨이퍼 저면에 DIW가 린스되도록 하는 DIW공급 펌프(미도시)가 포함된다. 그리고, 상기 웨이퍼에 DIW를 분사하는 노즐(150,151)이 구비된다.In addition, a motor (not shown) for rotationally driving the main shaft is included, and DIW is connected to a source of deionized water (hereinafter referred to as DIW) source through a supply pipe provided in the main shaft 130 to the DIW. Included is a DIW feed pump (not shown) for rinsing. In addition, nozzles 150 and 151 for injecting DIW into the wafer are provided.

상세히, 상기 스핀 스크러버(100)는 최대 3000rpm으로 회전될 수 있으며, 제트 노즐(jet nozzle)로 웨이퍼 표면에 DIW를 분사하는 방법, 초음파를 이용하는 디-소닉(D-sonic), 폴리비닐알콜(PolyVinyl Alcohol:PVA)재질의 브러쉬(brush)를 이용하는 방법 및 탈이온화수 세정(DIW rinse)등의 방법으로 웨이퍼 표면을 세정할 수 있으며, 본 발명에서의 스핀 스크러버(100)는 웨이퍼 또는 절연막에 발생된 결함을 제거하기 위하여 DIW를 분사하는 방법을 이용하는 것이 바람직하다.In detail, the spin scrubber 100 can be rotated at a maximum of 3000rpm, a method of spraying DIW on the wafer surface with a jet nozzle, D-sonic using ultrasonic waves, and polyvinyl alcohol. The surface of the wafer may be cleaned by a method of using an alcohol (PVA) brush and a deionized water rinse (DIW rinse). The spin scrubber 100 of the present invention may be formed on a wafer or an insulating film. It is desirable to use a method of spraying DIW to remove the defect.

그리고, 고속으로 회전되는 절연막의 상면에 DIW가 뿌려짐으로써, 절연막상 에 형성된 결함이 제거되는 것이다.Then, DIW is sprayed on the upper surface of the insulating film which rotates at high speed, so that the defect formed on the insulating film is removed.

도 4 및 도 5는 본 발명의 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법의 공정순서에 따라 설명하는 단면도이다.4 and 5 are cross-sectional views described in accordance with a process sequence of a method of manufacturing a semiconductor device according to the spirit of the present invention.

도 4 및 도 5를 참조하면, 트랜지스터의 하부 구조등이 형성되는 웨이퍼(200)위에 절연막(220)이 형성된다.4 and 5, an insulating film 220 is formed on the wafer 200 on which the lower structure of the transistor is formed.

그리고, 포토리소그래피 공정에서 패턴검사를 통하여 결함(14)이 발견되는 경우에는 상기 절연막(220)상에 형성되어 있던 PR은 제거되어 상기 결함(14)이 노출된다. 그리고, 상기 절연막(220)상에 발생된 결함(14)을 제거하기 위한 재작업 공정이 수행된다.When the defect 14 is found through the pattern inspection in the photolithography process, the PR formed on the insulating film 220 is removed to expose the defect 14. In addition, a rework process for removing the defect 14 generated on the insulating layer 220 is performed.

상세히, 재작업 공정은 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 스핀 스크러버(100)에 의한 상기 결함(14)을 제거하는 공정이 포함된다.In detail, the rework process includes removing the defect 14 by the spin scrubber 100, as shown in FIG.

그리고, 상기 스핀 스크러버(100)에는 고속으로 회전되는 회전 스테이지(140)와 상기 회전 스테이지(140)가 회전되도록 축의 기능을 수행하는 주축(130)이 포함된다.In addition, the spin scrubber 100 includes a rotating stage 140 that rotates at high speed and a main shaft 130 that performs a function of the shaft so that the rotating stage 140 rotates.

또한, 상기 결함(14)을 제거하기 위하여, 상기 스핀 스크러버(100)는 상기 절연막(220)과 소정의 거리를 이룬채 1000~3000rpm의 회전속도로 회전되고, 상기 스핀 스크러버(100)가 회전되는 동안에는 DIW가 분사된다. 따라서, 상기 스핀 스크러버(100)가 고속으로 회전되는 동안 분사되는 DIW에 의하여 발생되는 압력에 의하여 상기 결함이 제거되는 것이다.In addition, in order to remove the defect 14, the spin scrubber 100 is rotated at a rotational speed of 1000 ~ 3000rpm at a predetermined distance from the insulating film 220, the spin scrubber 100 is rotated While DIW is injected. Therefore, the defect is removed by the pressure generated by the DIW injected while the spin scrubber 100 rotates at a high speed.

그리고, 상기 스핀 스커러버(100)가 동작되어 상기 결함(14)을 제거하는 공 정시간은 30~120초가 바람직하며, 상기 DIW 분사 및 스핀 스크러버(100)의 동작이 중단되고 난뒤의 건조 시간(dry time)은 60~120초로 이루어짐이 바람직하다.In addition, the spin scrubber 100 is operated to remove the defect 14, the process time is preferably 30 to 120 seconds, the drying time after the operation of the DIW injection and spin scrubber 100 is stopped ( dry time) is preferably 60 to 120 seconds.

그리고, 상기 스핀 스크러버(100)의 회전에 의하여 상기 결함(14)이 제거되고 난뒤에는 상기 절연막(220)상에 PR(260)을 증착되도록 하는 PR코팅이 수행된다.After the defect 14 is removed by the rotation of the spin scrubber 100, a PR coating is performed to deposit the PR 260 on the insulating film 220.

도 6은 본 발명의 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법에 의해서 결함이 제거된 모습을 설명하는 도면이고, 도 7은 본 발명의 사상에 따른 반도체 소자의 제조 방법에 의해서 결함이 제거된 모습을 보여주는 사진이다.6 is a view illustrating a state in which defects are removed by a method of manufacturing a semiconductor device according to the spirit of the present invention, and FIG. 7 illustrates a state in which defects are removed by a method of manufacturing a semiconductor device according to the spirit of the present invention. It is a photograph.

도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 결하(14)이 제거된 흔적(300)을 통하여 확인할 수 있듯이, 상기 스핀 스크러버(100)에 의하여 상기 결함(14)은 종래와 비교하여 현저히 줄어들게 된다.6 and 7, as can be seen through the trace 300 from which the defect 14 is removed, the defect 14 is significantly reduced by the spin scrubber 100 as compared with the related art.

따라서, 상기 결함(14)이 제저된 다음에 후속공정으로서 패턴닝이 형성됨으로써, PR 현상공정후 금속 라인이나 비어홀의 CD의 왜곡으로 인하여 반도체 소자의 전기적인 특성에 영향을 주는 문제점을 해결할 수 있다.Accordingly, since the defect 14 is formed and then patterning is formed as a subsequent step, it is possible to solve the problem of affecting the electrical characteristics of the semiconductor device due to the distortion of the CD of the metal line or the via hole after the PR developing process. .

제안되는 바와 같은 반도체 소자의 제조 방법 및 그 제조 장치에 의해서, 절연막의 결함으로 인한 재작업 공정시 스크러버를 이용하여 결함을 효과적으로 제거할 수 있는 장점이 있다.The proposed method of manufacturing a semiconductor device and its manufacturing apparatus have the advantage of effectively removing defects using a scrubber during the rework process caused by the defect of the insulating film.

또한, 절연막상에 발생된 결함을 효과적으로 제거함으로써, 후속공정이 원활히 진행되도록 하고, 반도체의 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, by effectively removing the defects generated on the insulating film, there is an advantage that the subsequent process can proceed smoothly, and the yield of the semiconductor can be improved.

Claims (5)

웨이퍼 위에 증착된 절연막에 발생한 결함을 제거하는 방법에 있어서,In the method for removing defects generated in the insulating film deposited on the wafer, 반도체 기판 위의 식각 대상 박막 위에 제 1감광막 패턴이 형성되는 단계;Forming a first photoresist pattern on the etching target thin film on the semiconductor substrate; 상기 제 1감광막 패턴이 에러인지 여부가 판단되는 단계;Determining whether the first photoresist pattern is an error; 상기 제 1감광막 패턴이 에러인 경우에 상기 제 1감광막 패턴이 제거되는 단계;Removing the first photoresist pattern when the first photoresist pattern is in error; 상기 식각 대상 박막 상부가 스크러버 세정되는 단계; 및Scrubber cleaning the upper portion of the etching target thin film; And 상기 식각 대상 박막 위에 제 2감광막 패턴이 형성되는 단계;가 포함되는 반도체 소자의 제조 방법.And forming a second photoresist pattern on the etching target thin film. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 식각 대상 박막 상부가 스크러버 세정되는 단계는 소정의 스핀 스크러버가 회전되는 동안에 탈이온화수가 상기 식각 대상 박막 상부에 공급되면서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.The scrubber cleaning of the upper portion of the etching target thin film is performed while deionized water is supplied to the upper portion of the etching target thin film while a predetermined spin scrubber is rotated. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 식각 대상 박막 상부가 스크러버 세정되는 단계가 수행된 뒤에는 소정 시간동안 상기 식각 대상 박막을 건조시키는 단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.And after the scrubber cleaning of the upper portion of the etching target thin film is performed, drying the etching target thin film for a predetermined time is performed. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 식각 대상 박막 상부가 스크러버 세정되는 단계는 상기 스핀 스크러버가 1000~3000rpm의 속도로 회전되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.The scrubber cleaning of the upper portion of the etching target thin film is a method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that the spin scrubber is rotated at a speed of 1000 ~ 3000rpm. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 식각 대상 박막 상부가 스크러버 세정되는 단계는 30~120초동안 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.The scrubber cleaning of the upper portion of the etching target thin film is performed for 30 to 120 seconds.
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