KR20060040850A - Developing apparatus for manufacturing semiconductor and method thereof - Google Patents

Developing apparatus for manufacturing semiconductor and method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20060040850A
KR20060040850A KR1020040089690A KR20040089690A KR20060040850A KR 20060040850 A KR20060040850 A KR 20060040850A KR 1020040089690 A KR1020040089690 A KR 1020040089690A KR 20040089690 A KR20040089690 A KR 20040089690A KR 20060040850 A KR20060040850 A KR 20060040850A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
developer
ultrapure water
wafer
nozzle
nozzle body
Prior art date
Application number
KR1020040089690A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
신일성
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040089690A priority Critical patent/KR20060040850A/en
Publication of KR20060040850A publication Critical patent/KR20060040850A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3057—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the processing units other than the developing unit, e.g. washing units
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체의 현상 장치 및 방법에 관한 것으로서, 즉 본 발명은 공정 수행을 위해 스핀척(10)의 상부로 안착시킨 웨이퍼(W)의 표면으로 현상액 및 초순수를 분사하여 감광막 현상을 수행하는 반도체의 현상 장치에 있어서, 상기 스핀척(10)에 안착되어 공정 위치에 구비되는 상기 웨이퍼(W)의 상부에는 저면에 복수의 현상액 공급 노즐(21)과 초순수 공급 노즐(22)을 형성한 노즐 바디(20)가 승강 및 수평 이동이 가능하게 구비되도록 하고, 상기 노즐 바디(20)의 현상액 공급 노즐(21)과 초순수 공급 노즐(22)에는 각각 현상액과 초순수를 공급하는 공급관(23)이 연결되도록 하는 구성으로 이루어지도록 하여 노즐 바디(20)를 이동시키면서 초순수를 우선 분사한 후 현상액을 분사되도록 하여 현상액의 흡수 효율을 향상시켜 현상 효율 및 제품의 품질이 대폭적으로 향상될 수 있도록 한다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a developing apparatus and a method of a semiconductor, that is, the present invention relates to a semiconductor for performing a photoresist film by spraying a developer and ultrapure water onto a surface of a wafer W seated on an upper portion of a spin chuck 10 for performing a process. In the developing apparatus of the present invention, a nozzle body having a plurality of developer supply nozzles 21 and ultrapure water supply nozzles 22 formed on a bottom surface of the wafer W seated on the spin chuck 10 and provided at a process position. 20 is provided to enable the lifting and horizontal movement, and the supply pipe 23 for supplying the developer and the ultrapure water is connected to the developer supply nozzle 21 and the ultrapure water supply nozzle 22 of the nozzle body 20, respectively. While the nozzle body 20 is moved, the ultrapure water is first sprayed and then the developer is sprayed to improve the absorption efficiency of the developer, thereby greatly improving the development efficiency and product quality. To improve.

반도체 공정, 현상, 세정, 노즐Semiconductor Process, Development, Cleaning, Nozzle

Description

반도체의 현상 장치 및 방법{Developing apparatus for manufacturing semiconductor and method thereof} Developing apparatus for manufacturing semiconductor and method             

도 1은 종래의 반도체의 현상 장치를 개략적으로 도시한 측단면도,1 is a side cross-sectional view schematically showing a developing apparatus of a conventional semiconductor;

도 2는 본 발명에 따른 반도체의 현상 장치를 개략작으로 도시한 측단면도,2 is a side sectional view schematically showing a developing device for a semiconductor according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 현상 방법을 도시한 공정 흐름도.3 is a process flowchart showing a developing method according to the present invention;

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 스핀척10: spin chuck

20 : 노즐 바디20: nozzle body

21 : 현상액 공급 노즐21: developer supply nozzle

22 : 초순수 공급 노즐22: ultrapure water supply nozzle

23 : 공급관23: supply pipe

W : 웨이퍼
W: Wafer

본 발명은 반도체의 현상 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 현상액을 분사하는 현상액 분사 노즐과 초순수를 분사하는 초순수 분사 노즐을 승강 및 수평 이동이 가능하게 구비되는 하나의 노즐 바디에 구비되도록 하여 구조의 간소화를 웨이퍼에 현상액을 분사하기 전에 우선 초순수를 분사한 후 건조시킨 다음 현상액이 도포되게 함으로써 현상액의 흡수율이 증대되도록 하는 동시에 초순수의 분사와 현상액 분사가 하나의 위치에서 수행되게 함으로써 안정되고 신속한 공정 수행이 될 수 있도록 하는 반도체의 현상 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a developing apparatus and a method of a semiconductor, and more particularly, to include a developer spray nozzle for spraying a developer and an ultrapure water spray nozzle for spraying ultrapure water on a single nozzle body capable of lifting and horizontal movement. To simplify the structure, before spraying the developer onto the wafer, the ultrapure water is first sprayed and then dried, and then the developer is applied to increase the absorption of the developer, while the ultrapure water and the developer jet are carried out in one position. The present invention relates to a semiconductor development apparatus and a method for performing a process.

일반적으로 반도체 소자의 집적도가 증가할수록 반도체 기판 상에 미세 크기의 패턴을 형성하는 사진 식각(photo-lithography) 공정의 중요성은 더욱 커지고 있다. 사진 식각 공정은 반도체 기판 상에 피식각층(식각 공정에 의해 패턴이 형성될 층)을 형성하는 단계와, 이 피식각층 상에 포토레지스트와 같은 감광막을 도포하는 단계와, 이 감광막을 빛에 부분적으로 노광시키는 단계와, 부분적으로 노광된 감광막을 현상함으로써 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 이 감광막 패턴을 마스크로 하여 피식각층을 식각함으로써 최종적인 패턴을 형성하는 단계에 의해서 진행된다.In general, as the degree of integration of semiconductor devices increases, the importance of a photo-lithography process for forming a pattern having a fine size on a semiconductor substrate is increasing. The photolithography process includes forming an etched layer (a layer on which a pattern is to be formed by an etching process) on a semiconductor substrate, applying a photoresist such as a photoresist onto the etched layer, and partially applying the photoresist to light. Exposing, forming a photoresist pattern by developing the partially exposed photoresist film, and forming a final pattern by etching the etched layer using the photoresist pattern as a mask.

이러한 사진 식각에서 노광에 의해 부분적으로 노광된 감광막으로부터 원하는 패턴을 얻기 위해서 현상액이 도포되도록 하고 있다.In such photolithography, a developer is applied to obtain a desired pattern from the photosensitive film partially exposed by exposure.

한편 현재의 현상 장비에서는 통상 현상액을 분사하는 노즐과 초순수(DI water)를 분사하는 노즐이 각기 구비되도록 하여 현상 공정으로 웨이퍼가 로딩되어 오면 바로 현상액을 분사하여 현상을 한 후 초순수에 의해 세정이 수행되도록 하고 있다.On the other hand, in the current developing equipment, a nozzle for injecting a developer and a nozzle for injecting ultrapure water (DI water) are each provided, and when the wafer is loaded in a developing process, the developer is sprayed and developed immediately, followed by cleaning by ultrapure water. I am trying to.

도 1에서와 같이 스핀척(1)에 안착시킨 웨이퍼(W)의 상부로 승강 및 수평 이동이 가능하게 현상액 분사 노즐(2)이 구비되고, 웨이퍼(W)의 에지부와 센터측에는 각각 초순수를 분사하는 초순수 분사 노즐(3)(4)이 구비되도록 하고 있다.As shown in FIG. 1, a developer spray nozzle 2 is provided to move upward and horizontally on the wafer W seated on the spin chuck 1, and ultrapure water is applied to the edge portion and the center side of the wafer W, respectively. The ultrapure water jet nozzles 3 and 4 for jetting are provided.

하지만 종전에 비해 최근의 반도체에서는 디자인 룰이 대단히 미세해지고 정교하게 이루어지고 있어 현상 공정에서 바로 현상을 수행하다보면 현상 불량이 발생되어 패턴 손상 즉 웨이퍼 손상이 초래되는 문제가 있다.However, in recent semiconductors, design rules are very fine and precisely made. Therefore, when developing directly in the developing process, developing defects may occur, resulting in pattern damage, that is, wafer damage.

또한 현상액과 초순수를 분사하는 노즐(2)(3)(4)이 여러 위치에 위치되어 있으므로 이들 각 노즐(2)(3)(4)로 현상액 및 초순수가 공급되도록 하기 위하여 공급관을 복잡하게 연결시켜야만 하므로 레이 아웃에 불리하고, 현상액 분사 노즐(2)의 이동 간섭이 초래되기도 하는 문제가 있다.
In addition, since the nozzles 2, 3, and 4 that spray the developer and the ultrapure water are located at various positions, the supply pipes are complicatedly connected to supply the developer and the ultrapure water to the nozzles 2, 3, and 4 respectively. There is a problem that it is disadvantageous for the layout because it must be made, and the movement interference of the developer injection nozzle 2 is caused.

따라서 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 본 발명의 주된 목적은 웨이퍼가 로딩되어 오면 우선 초순수를 분사한 후 현상액이 분사되도록 하여 웨이퍼에서의 현상액 흡수율을 증대시켜 공정 효율성 및 제품성이 보다 향상되도록 하는 반도체의 현상 방법을 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been invented to solve the above-mentioned problems of the prior art, the main object of the present invention is to spray the developer after the injection of the ultra-pure water first when the wafer is loaded to increase the developer absorption rate in the wafer to increase the process efficiency And it provides a semiconductor development method to further improve the productability.

또한 본 발명은 현상액과 초순수를 분사하는 노즐이 한 곳에 위치되도록 하여 공정 수행 중 분사 위치의 변경없이 보다 빠르고 안정된 공정이 수행될 수 있도록 하는 반도체의 현상 장치를 제공하는데 다른 목적이 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a developing apparatus for a semiconductor, which allows a nozzle for injecting the developer and the ultrapure water to be located in one place so that a faster and more stable process can be performed without changing the injection position during the process.

이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 공정 수행을 위해 스핀척의 상부로 안착시킨 웨이퍼의 표면으로 현상액 및 초순수를 분사하여 감광막 현상을 수행하는 반도체의 현상 장치에 있어서, 상기 스핀척에 안착되어 공정 위치에 구비되는 상기 웨이퍼의 상부에는 저면에 복수의 현상액 공급 노즐과 초순수 공급 노즐을 형성한 노즐 바디가 승강 및 수평 이동이 가능하게 구비되도록 하고, 상기 노즐 바디의 현상액 공급 노즐과 초순수 공급 노즐에는 각각 현상액과 초순수를 공급하는 공급관이 연결되도록 하는 것이다.In order to achieve the above object, the present invention is a semiconductor development apparatus for performing a photosensitive film development by spraying a developer and ultrapure water onto the surface of a wafer seated on top of a spin chuck to perform a process, the process position is seated on the spin chuck A nozzle body having a plurality of developer supply nozzles and ultrapure water supply nozzles formed on the bottom of the wafer provided at the bottom thereof is provided to be capable of lifting and horizontal movement, and the developer for the developer supply nozzle and the ultrapure water supply nozzle of the nozzle body, respectively. And the supply pipe for supplying ultrapure water is connected.

이때 노즐 바디에는 저면의 일측에는 복수의 현상액 공급 노즐이 구비되도록 하고, 타측에는 복수의 초순수 공급 노즐이 구비되도록 한다. At this time, the nozzle body is provided with a plurality of developer supply nozzles on one side of the bottom, and a plurality of ultrapure water supply nozzles on the other side.

이와 같은 현상 장치를 통하여 웨이퍼를 스핀척에 안착시키는 웨이퍼 로딩 단계와; 상기 스핀척을 회전시키는 단계와; 상기 웨이퍼의 상부에 위치되어 있는 노즐 바디를 수평 이동시키면서 초순수 분사 노즐을 통해 초순수를 분사하는 단계와; 상기 웨이퍼를 건조시키는 단계와; 상기 노즐 바디를 수평 이동시키면서 현상액 분사 노즐을 통해 현상액을 분사하는 단계와; 상기 노즐 바디를 수평 이동시키면서 초순수 분사 노즐을 통해 초순수를 분사하여 웨이퍼를 세정하는 단계 및 건조와 웨이퍼를 스핀척으로부터 언로딩시키는 단계로서 수행되도록 하는 것이다.A wafer loading step of seating the wafer on the spin chuck through such a developing apparatus; Rotating the spin chuck; Spraying ultrapure water through an ultrapure water spray nozzle while horizontally moving a nozzle body positioned on the top of the wafer; Drying the wafer; Spraying the developer through a developer spray nozzle while horizontally moving the nozzle body; Ultrapure water is sprayed through the ultrapure water jet nozzle while the nozzle body is horizontally moved to clean the wafer and to dry and unload the wafer from the spin chuck.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 반도체의 현상 장치를 개략적으로 도시한 측단면도로 서, 도면 부호 10은 스핀척이고, 이 스핀척(10)에는 웨이퍼(W)가 진공압에 의해서 긴밀하게 밀착 고정되도록 한다.2 is a side cross-sectional view schematically showing a developing apparatus of a semiconductor according to the present invention, wherein a reference numeral 10 denotes a spin chuck, and the spin chuck 10 is tightly fixed by vacuum pressure to the spin chuck 10. do.

상기한 구성은 이미 종전과 동일하게 구비되어 있는 바 본 발명은 이러한 구성에서 현상액 및 세정액으로 사용되는 초순수를 분사하는 구성을 더욱 간소하게 개선하는데 특징이 있는 것이다.The above-described configuration is already provided in the same manner as before, and the present invention is characterized in further improving the configuration of spraying ultrapure water used as a developing solution and a cleaning solution in this configuration.

즉 스핀척(10)에 웨이퍼(W)가 안착되면 그 상부에서 공정 위치에 노즐 바디(20)가 구비되는데 이 노즐 바디(20)에는 저면으로 복수의 현상액 분사 노즐(21)과 초순수 분사 노즐(22)이 각각 구비되고, 상부로부터는 각 현상액 분사 노즐(21)과 초순수 분사 노즐(22)에 현상액과 세정액을 각각 공급하게 되는 공급관(23)이 연결되도록 한다.That is, when the wafer W is seated on the spin chuck 10, a nozzle body 20 is provided at a process position at an upper portion thereof. The nozzle body 20 has a plurality of developer spray nozzles 21 and ultrapure water spray nozzles ( 22 is provided, respectively, and the supply pipe 23 through which the developer and the cleaning solution are respectively supplied to the developer spray nozzle 21 and the ultrapure water spray nozzle 22 is connected from the top.

이때 각 현상액 분사 노즐(21)과 초순수 분사 노즐(22)은 소정의 분사각으로 현상액 및 세정액을 분사할 수 있도록 형성하되 분사각을 서로 겹쳐지게 형성하더라도 무방하며, 각 노즐(21)(22)의 형성 위치는 서로 구분되도록 내측과 외측 또는 우측과 좌측으로 구분시켜 형성되도록 하는 것이 보다 바람직하다.At this time, the developer spray nozzle 21 and the ultrapure water spray nozzle 22 may be formed to spray the developer and the cleaning liquid at a predetermined spray angle, but the spray angles may be formed to overlap each other. It is more preferable that the forming positions of the formed to be divided into the inner and outer or right and left to be separated from each other.

이와 같은 노즐(21)(22)의 형성 위치는 저면에서 일측으로 복수로 현상액 분사 노즐(21)이 구비되도록 하고, 타측으로는 복수의 초순수 분사 노즐(22)이 구비되도록 하는 것이 가장 바람직하다.The formation position of the nozzles 21 and 22 is most preferably such that the developer spray nozzles 21 are provided in plural from one side of the bottom, and the plurality of ultrapure water spray nozzles 22 are provided in the other side.

한편 노즐 바디(20)는 종전의 현상액 공급용 암을 승강 및 수평 이동시키도록 구비시키는 구동 수단(미도시)과 브라켓트를 사용하여 연결함으로써 이 구동 수단에 의해서 종전과 같이 승강 및 수평 이동이 가능하도록 한다. On the other hand, the nozzle body 20 is connected by using a bracket and a drive means (not shown) provided to raise and horizontally move the conventional developer supplying arm so that the drive means can be raised and lowered as before. do.                     

도면 중 미설명부호 30은 바울(bowl)이다.In the drawings, reference numeral 30 denotes a bowl.

이와 같이 구성된 본 발명에 의한 현상 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.The developing method according to the present invention configured as described above is as follows.

본 발명은 전술한 바와 같이 하나의 노즐 바디(20)를 통해 현상액과 세정액이 분사되게 함으로써 공정을 수행하도록 한다.As described above, the present invention allows the developer and the cleaning solution to be sprayed through one nozzle body 20 to perform the process.

우선 공정을 수행하기에 앞서 준비 단계로서 도 3에서와 같이 전기한 현상 장치를 통하여 웨이퍼(W)를 스핀척(10)에 안착시키도록 한다.(제1단계)First, prior to performing the process, the wafer W is seated on the spin chuck 10 through the developing apparatus described above as shown in FIG. 3 (first step).

스핀척(10)에 웨이퍼(W)가 안착되어 견고하게 고정되면 스핀척(10)을 회전시키고(제2단계), 웨이퍼(W)의 상부에 위치되는 노즐 바디(20)를 구동 수단에 의해서 공정 수행 위치에 정위치하도록 한다.When the wafer W is seated and firmly fixed to the spin chuck 10, the spin chuck 10 is rotated (second step), and the nozzle body 20 positioned on the upper portion of the wafer W is driven by a driving means. Make sure that it is in position for the process run.

노즐 바디(20)가 정위치되면 우선 노즐 바디(20)에는 초순수가 공급되도록 하여 노즐 바디(20)를 수평 이동시키면서 초순수 분사 노즐(22)을 통해 초순수가 웨이퍼(W) 표면에 분사되도록 한다.(제3단계)When the nozzle body 20 is in position, the ultra pure water is first supplied to the nozzle body 20 so that the ultra pure water is sprayed on the surface of the wafer W through the ultra pure water spray nozzle 22 while horizontally moving the nozzle body 20. (Step 3)

이때 공급되는 초순수는 단순한 세정 작용을 위한 것이 아니라 웨이퍼 표면에의 현상액 흡수를 촉진시키기 위해 분사하게 되는 것이다.At this time, the ultrapure water supplied is not sprayed for promoting the absorption of the developer onto the wafer surface, but for a simple cleaning action.

초순수를 웨이퍼(W)에 분사한 다음에는 웨이퍼(W)를 잠시 건조시키고(제4단계), 건조시킨 웨이퍼(W)의 표면으로는 다시 노즐 바디(20)를 수평 이동시키면서 현상액 분사 노즐(21)을 통해 현상액이 분사되도록 한다.(제5단계)After spraying ultrapure water onto the wafer W, the wafer W is temporarily dried (fourth step), and the developer jet nozzle 21 is horizontally moved to the surface of the dried wafer W while the nozzle body 20 is horizontally moved. The developer is sprayed through (Step 5).

현상액이 도포되면서 웨이퍼(W)의 표면에서 현상이 수행되어 패턴이 형성되도록 한 다음 다시 웨이퍼(W) 상부의 노즐 바디(20)를 수평 이동시키면서 초순수 분사 노즐(22)을 통해 초순수를 분사하여 웨이퍼(W)를 세정하도록 한다.(제6단계) As the developer is applied, the development is performed on the surface of the wafer W to form a pattern, and then the ultrapure water is sprayed through the ultrapure water spray nozzle 22 while horizontally moving the nozzle body 20 on the wafer W. (W) to be cleaned (step 6).                     

마지막으로 웨이퍼(W)로부터 현상액 및 현상시킨 직후 제거시킨 웨이퍼(W) 표면에 잔존하는 감광제들을 초순수를 사용하여 세정시킨 다음 다시 웨이퍼(W)를 건조시키고, 건조된 웨이퍼(W)는 후속 공정으로의 이동을 위해 언로딩되도록 한다.(제7단계)Finally, the developer and the photoresist remaining on the surface of the wafer W removed immediately after the development are cleaned from the wafer W using ultrapure water, and then the wafer W is dried again. Unloaded to move (Step 7)

이와 같은 일련의 단계를 순차적으로 거치면서 공정을 수행하게 되면 종전에 비해 더욱 공정 시간을 단축시킬 수가 있다.If the process is performed sequentially through such a series of steps, it is possible to further shorten the process time.

즉 본 발명에서는 현상액을 분사하기 전에 종전과는 달리 우선 초순수를 분사한 후 건조시켜 현상액이 웨이퍼(W)에 보다 잘 흡수될 수 있는 조건을 만들어주도록 하고 있다.In other words, in the present invention, before spraying the developer, first, ultrapure water is sprayed and then dried to create a condition in which the developer can be better absorbed into the wafer (W).

초순수의 분사 및 건조를 수행한 다음 현상액을 분사하게 되면 보다 짧은 시간 동안 현상액을 분사하게 되더라도 원하는 정도의 현상 효율을 기대할 수가 있으므로 종전에 비해 현상 시간과 함께 보다 적은 양 및 시간으로도 필요한 현상을 수행할 수가 있으므로 현상액을 더욱 절약할 수가 있게 된다.After spraying and drying the ultrapure water, the developer can be sprayed for a shorter period of time, so that the desired development efficiency can be expected. As a result, the developer can be further saved.

이렇게 현상액 분사 전에 초순수를 먼저 분사하여 웨이퍼(W)에서의 현상액 흡수율을 더욱 증대시키게 되면 웨이퍼 현상 효율이 더욱 향상됨으로서 최근 웨이퍼에서의 대단히 미세해지는 동시에 정교해지고 있는 디자인 룰에 적절히 대응하여 패턴에 손상을 주지 않으면서 공정을 수행할 수가 있게 되므로 그만큼 제품의 품질을 높일 수가 있게 된다.If the ultrapure water is first sprayed before the developer is sprayed to further increase the developer absorption rate at the wafer W, the wafer development efficiency is further improved, thereby damaging the pattern by appropriately responding to the extremely fine and sophisticated design rules of the wafer. The process can be carried out without giving, thus improving the quality of the product.

이와 같은 방법적인 이점 외에도 본 발명은 현상액을 분사하는 현상액 분사 노즐(21)과 초순수를 분사하는 초순수 분사 노즐(22)을 하나의 노즐 바디(20)에 형 성되도록 하면서 이 노즐 바디(20)의 수평 이동에 의해서 웨이퍼(W)에 현상액과 초순수가 균일하게 분사될 수 있도록 하므로 더욱 구성의 간소화와 안정된 작동성이 제공될 수가 있도록 한다.In addition to such method advantages, the present invention allows the developer spray nozzle 21 for spraying the developer and the ultrapure water spray nozzle 22 for spraying the ultrapure water to be formed in one nozzle body 20. Since the developer and the ultrapure water can be uniformly sprayed on the wafer W by the horizontal movement, the configuration can be further simplified and stable operability can be provided.

한편 상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다는 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. On the other hand, while many matters have been described in detail in the above description, they should be construed as illustrative of preferred embodiments rather than to limit the scope of the invention.

따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
Therefore, the scope of the present invention should not be defined by the described embodiments, but should be determined by the technical spirit described in the claims.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 현상액을 분사하는 노즐과 초순수를 분사하는 노즐을 하나의 노즐 바디(20)에 구비되도록 하면서 이 노즐 바디(20)를 승강 및 수평 이동이 자유자재로 이루어지게 하고, 또한 웨이퍼(W)의 상부를 이동하면서 현상액과 초순수가 선택적 및 순차적으로 분사되게 함으로써 현상액을 분사하기 전에 우선 초순수가 분사되도록 하여 현상액의 흡수 효율이 더욱 향상되도록 하는 것이다.As described above, according to the present invention, the nozzle body 20 is provided with one nozzle body 20 for spraying the developer and the nozzle for spraying ultrapure water, and the lifting and horizontal movement of the nozzle body 20 can be made freely. In addition, the developer and the ultrapure water are selectively and sequentially sprayed while moving the upper portion of the wafer W so that the ultrapure water is first sprayed before the developer is sprayed to further improve the absorption efficiency of the developer.

이러한 현상액의 흡수 효율 향상은 더욱 미세 및 정교해지는 반도체 패턴에 전혀 손상을 주지 않으면서 필요로 하는 패턴을 안정적으로 구현할 수 있도록 하여 웨이퍼에의 현상 효율 및 제품의 품질이 대폭적으로 향상되도록 하기도 한다.The improvement of the absorption efficiency of the developer enables to realize the required pattern stably without damaging the finer and finer semiconductor patterns at all, thereby significantly improving the development efficiency and product quality on the wafer.

특히 현상액 분사 노즐(21)과 초순수 분사 노즐(22)을 하나의 노즐 바디(20) 에 구비되게 함으로써 구조의 대폭적인 간소화가 이루어지게 하여 장비의 제작 및 조작이 편리해지도록 하는 이점을 제공하게 된다.In particular, the developer spray nozzle 21 and the ultrapure water spray nozzle 22 are provided in one nozzle body 20, thereby greatly simplifying the structure, thereby providing an advantage of convenience in manufacturing and operating the equipment.

Claims (4)

공정 수행을 위해 스핀척의 상부로 안착시킨 웨이퍼의 표면으로 현상액 및 초순수를 분사하여 감광막 현상을 수행하는 반도체의 현상 장치에 있어서, A semiconductor developing apparatus for performing a photosensitive film development by spraying a developer and ultrapure water onto a surface of a wafer seated on top of a spin chuck for performing a process, 상기 스핀척에 안착되어 공정 위치에 구비되는 상기 웨이퍼의 상부에는 저면에 복수의 현상액 공급 노즐과 초순수 공급 노즐을 형성한 노즐 바디가 승강 및 수평 이동이 가능하게 구비되도록 하고, 상기 노즐 바디의 현상액 공급 노즐과 초순수 공급 노즐에는 각각 현상액과 초순수를 공급하는 공급관이 연결되도록 하는 반도체의 현상 장치.The nozzle body having a plurality of developer supply nozzles and ultrapure water supply nozzles formed on the bottom of the wafer mounted on the spin chuck at a process position is provided to be capable of lifting and horizontal movement, thereby supplying the developer of the nozzle body. A developing device for semiconductors, wherein a nozzle and an ultrapure water supply nozzle are connected to a supply pipe for supplying a developer and ultrapure water, respectively. 제 1 항에 있어서, 상기 노즐 바디에는 저면에 일측에는 복수의 현상액 공급 노즐이 구비되고, 타측에는 복수의 초순수 공급 노즐이 구비되도록 하는 반도체의 현상 장치.The semiconductor development apparatus according to claim 1, wherein the nozzle body includes a plurality of developer supply nozzles on one side thereof and a plurality of ultrapure water supply nozzles on the other side thereof. 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노즐 바디는 구동 수단에 브라켓트에 의해 연결 고정되어 상기 구동 수단에 의해서 승강 및 수평 이동되도록 하는 반도체의 현상 장치.The developing device according to any one of claims 1 to 2, wherein the nozzle body is connected to and fixed to the driving means by a bracket so that the nozzle body is moved up and down by the driving means. 웨이퍼를 스핀척에 안착시키는 웨이퍼 로딩 단계와; A wafer loading step of seating the wafer on the spin chuck; 상기 스핀척을 회전시키는 단계와; Rotating the spin chuck; 상기 웨이퍼의 상부에 위치되어 있는 노즐 바디를 수평 이동시키면서 초순수 분사 노즐을 통해 초순수를 분사하는 단계와; Spraying ultrapure water through an ultrapure water spray nozzle while horizontally moving a nozzle body positioned on the top of the wafer; 초순수의 분사가 완료된 상기 웨이퍼의 표면을 건조시키는 단계와; Drying the surface of the wafer on which injection of ultrapure water is completed; 상기 노즐 바디를 수평 이동시키면서 현상액 분사 노즐을 통해 현상액을 상기 웨이퍼 표면으로 분사하는 단계와; Spraying a developer onto the wafer surface through a developer spray nozzle while horizontally moving the nozzle body; 상기 노즐 바디를 수평 이동시키면서 초순수 분사 노즐을 통해 초순수를 분사하여 웨이퍼를 세정하는 단계; 및 Cleaning the wafer by spraying ultrapure water through an ultrapure water jet nozzle while horizontally moving the nozzle body; And 세정시킨 웨이퍼를 건조하고, 상기 웨이퍼를 스핀척으로부터 언로딩시키는 단계;Drying the cleaned wafer and unloading the wafer from the spin chuck; 로서 수행되는 반도체의 현상 방법.The development method of the semiconductor performed as.
KR1020040089690A 2004-11-05 2004-11-05 Developing apparatus for manufacturing semiconductor and method thereof KR20060040850A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040089690A KR20060040850A (en) 2004-11-05 2004-11-05 Developing apparatus for manufacturing semiconductor and method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040089690A KR20060040850A (en) 2004-11-05 2004-11-05 Developing apparatus for manufacturing semiconductor and method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060040850A true KR20060040850A (en) 2006-05-11

Family

ID=37147636

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040089690A KR20060040850A (en) 2004-11-05 2004-11-05 Developing apparatus for manufacturing semiconductor and method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060040850A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100895319B1 (en) * 2007-11-15 2009-05-07 세메스 주식회사 Apparatus for processing wafers
KR101455411B1 (en) * 2008-06-17 2014-10-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Developing processing method and developing processing apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100895319B1 (en) * 2007-11-15 2009-05-07 세메스 주식회사 Apparatus for processing wafers
KR101455411B1 (en) * 2008-06-17 2014-10-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Developing processing method and developing processing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5681560B2 (en) Substrate drying method and substrate processing apparatus
JP6325067B2 (en) Substrate drying method and substrate processing apparatus
US20170343899A1 (en) Developing method
KR20050035318A (en) Method and apparatus for wafer cleaning dry
JP2007095888A (en) Rinse treating method, development processing method and developing device
JP2017050575A (en) Substrate drying method and substrate processing apparatus
US7166183B2 (en) Apparatus and method for treating edge of substrate
JP2018139331A (en) Substrate drying method and substrate processing apparatus
JP2006245381A (en) Device and method for washing and drying substrate
KR100766343B1 (en) Method for cleaning and drying wafers
JP2002075821A (en) Development processing equipment and method therefor
KR20060040850A (en) Developing apparatus for manufacturing semiconductor and method thereof
KR101399561B1 (en) A cleaning nozzle for advanced lithography process
KR102075685B1 (en) Apparatus and method for washing mask
CN109991820B (en) Device and method for removing residual water drops after immersion exposure
US6513996B1 (en) Integrated equipment to drain water-hexane developer for pattern collapse
JP2019165254A (en) Development method
KR102615758B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20140058839A (en) Wafer drying equipment
KR100826095B1 (en) Developement apparatus for fabricating semiconductor device
KR100591156B1 (en) Spin coater and method of manufacturing semiconductor device using the same
KR100848249B1 (en) Apparatus and method of develop in photolithography
JP3923057B2 (en) Development processing method
KR100545217B1 (en) Apparatus and Method for developing wafer
TW202306648A (en) Developing device and developing method

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination