JP5681560B2 - Substrate drying method and substrate processing apparatus - Google Patents

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本発明は、基板乾燥方法および基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate drying method and a substrate processing apparatus.
近年、半導体ウエハ等の基板に形成されるパターンの微細化に伴い、パターンのアスペクト比(高さ/幅)が高くなってきている。アスペクト比がある値より大きくなると、基板に対して半導体形成時の液処理後に行われる乾燥処理の際にパターン倒壊(パターンを構成する凸状部の倒壊)が生じやすくなる。パターン倒壊は、乾燥時にパターンの凹部から液が抜け出すときに、パターンの柱状部が液の表面張力に起因して生じる応力に耐えられなくなるために生じる。   In recent years, the pattern aspect ratio (height / width) has been increased with the miniaturization of patterns formed on a substrate such as a semiconductor wafer. When the aspect ratio is larger than a certain value, pattern collapse (collapse of convex portions constituting the pattern) is likely to occur during the drying process performed after the liquid process during semiconductor formation on the substrate. Pattern collapse occurs because the columnar portion of the pattern cannot withstand the stress caused by the surface tension of the liquid when the liquid escapes from the concave portion of the pattern during drying.
上記の問題を解決するため、液処理後に基板表面にある液の表面張力を減ずる溶剤を液に添加すること、あるいは液をIPA(イソプロピルアルコール)で置換することなどが行われているが、アスペクト比がさらに高くなってパターンの強度がさらに低くなると、この方法では対処しきれなくなる。このため、表面張力がパターンに作用すること自体を防止する方法が提案されてきており、その一例が特許文献1に記載されている。   In order to solve the above problems, a solvent that reduces the surface tension of the liquid on the substrate surface after the liquid treatment is added to the liquid, or the liquid is replaced with IPA (isopropyl alcohol). If the ratio is further increased and the pattern intensity is further decreased, this method cannot cope with it. For this reason, a method for preventing the surface tension from acting on the pattern itself has been proposed, and an example thereof is described in Patent Document 1.
特許文献1に記載の方法においては、まず、露光されたフォトレジスト膜に現像液を供給することによって、フォトレジスト膜を溶解してパターンを形成する。基板にリンス液を供給して現像液を除去する洗浄処理すなわちリンス処理の終期に、リンス液が基板表面を覆っている状態でリンス液に可溶性のポリマーを基板に供給し、その後にポリマー溶液を乾燥させる。これによって、パターンの凹部(フォトレジスト膜からなる凸状部間の隙間)がポリマーにより充填される。しかる後、選択性のプラズマアッシングによりフォトレジスト膜またはポリマーを除去する。フォトレジスト膜を除去する場合には、ポリマーによりマスクが形成され、ポリマーを除去する場合には、フォトレジスト膜によりマスクが形成される。上記方法によれば、パターンに表面張力が作用することがなく、パターン倒壊を防止することができる。   In the method described in Patent Document 1, first, a developer is supplied to the exposed photoresist film to dissolve the photoresist film to form a pattern. At the end of the cleaning process, ie, the rinsing process, in which the rinsing liquid is supplied to the substrate to remove the developer, a polymer soluble in the rinsing liquid is supplied to the substrate with the rinsing liquid covering the substrate surface, and then the polymer solution is added. dry. As a result, the concave portions of the pattern (the gaps between the convex portions made of the photoresist film) are filled with the polymer. Thereafter, the photoresist film or polymer is removed by selective plasma ashing. When removing the photoresist film, a mask is formed from the polymer, and when removing the polymer, the mask is formed from the photoresist film. According to the above method, the surface tension does not act on the pattern, and the pattern collapse can be prevented.
しかし、特許文献1に記載の方法は、フォトレジスト膜またはポリマーを除去する際にプラズマアッシングを利用するので、灰化して除去されたフォトレジスト膜やポリマーが基板に付着するおそれがある。   However, since the method described in Patent Document 1 uses plasma ashing when removing the photoresist film or polymer, the photoresist film or polymer removed by ashing may adhere to the substrate.
特開2007−19161号公報JP 2007-19161 A
本発明は、プラズマ処理装置を必要とせず、パターン倒壊を防止することができる基板の乾燥技術を提供するものである。   The present invention provides a substrate drying technique capable of preventing pattern collapse without requiring a plasma processing apparatus.
本発明の第1の観点によれば、表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させる方法において、前記基板に昇華性物質の溶液を供給して、前記パターンの凹部内に前記溶液を充填する昇華性物質充填工程と、前記溶液中の溶媒を乾燥させて、前記パターンの凹部内を固体の状態の前記昇華性物質で満たす溶媒乾燥工程と、前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱して、前記昇華性物質を基板から除去する昇華性物質除去工程と、を備えた基板乾燥方法が提供される。   According to a first aspect of the present invention, in a method of removing a liquid on a substrate having an uneven pattern formed on a surface and drying the substrate, a solution of a sublimable substance is supplied to the substrate, and the pattern A sublimation substance filling step of filling the concave portion with the solution, a solvent drying step of drying the solvent in the solution and filling the concave portion of the pattern with the sublimation substance in a solid state, and the substrate. There is provided a substrate drying method comprising: a sublimable substance removing step of removing the sublimable substance from the substrate by heating to a temperature higher than the sublimation temperature of the sublimable substance.
本発明の第2の観点によれば、基板に液を供給する液供給手段と、前記基板に昇華性物質の溶液を供給する昇華性物質溶液供給手段と、前記基板に付着した前記昇華性物質の溶液中の溶媒を乾燥させる溶媒乾燥手段と、前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱する加熱手段とを備えた基板処理装置が提供される。   According to a second aspect of the present invention, a liquid supply means for supplying a liquid to the substrate, a sublimable substance solution supply means for supplying a solution of a sublimable substance to the substrate, and the sublimable substance attached to the substrate. There is provided a substrate processing apparatus comprising: a solvent drying means for drying the solvent in the solution; and a heating means for heating the substrate to a temperature higher than the sublimation temperature of the sublimable substance.
本発明によれば、基板上にある液体の表面張力に起因して生じうるパターンの凸状部を倒壊させようとする応力が、パターンの凸状部に作用することがなくなり、パターン倒壊を防止することができる。   According to the present invention, the stress that tries to collapse the convex portion of the pattern that can be caused by the surface tension of the liquid on the substrate does not act on the convex portion of the pattern, thereby preventing the pattern collapse. can do.
基板乾燥方法を実施するための基板処理装置の全体構成を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the whole structure of the substrate processing apparatus for enforcing a substrate drying method. 図1の基板処理装置に設けられた第1の処理ユニットとしての液処理ユニットの構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of the liquid processing unit as a 1st processing unit provided in the substrate processing apparatus of FIG. 図2の液処理ユニットの概略平面図Schematic plan view of the liquid processing unit of FIG. 図1の基板処理装置に設けられた第2の処理ユニットとしてのホットプレートユニットの構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of the hotplate unit as a 2nd processing unit provided in the substrate processing apparatus of FIG. 基板乾燥方法の一連の工程を実行しうる単一の処理ユニットの構成を説明する概略図。Schematic explaining the structure of the single processing unit which can perform a series of processes of a substrate drying method. 基板乾燥方法の工程を説明するための概略図。Schematic for demonstrating the process of a board | substrate drying method.
次に、添付図面を参照して実施の形態について説明する。まずは、液処理後の基板を乾燥させる方法(以下「基板乾燥方法」と称する)を実施するための基板処理装置について説明する。なお、基板乾燥方法は、好ましくは、前工程と組み合わされて一連のプロセスとして実施される。ここでは、前工程としての薬液洗浄工程およびリンス工程と組み合わされて一連のプロセスとして実施される基板乾燥方法について説明する。   Next, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. First, a substrate processing apparatus for carrying out a method for drying a substrate after liquid processing (hereinafter referred to as “substrate drying method”) will be described. The substrate drying method is preferably implemented as a series of processes in combination with the previous step. Here, a substrate drying method implemented as a series of processes in combination with a chemical solution cleaning process and a rinsing process as the previous process will be described.
図1に示すように、この基板処理装置は、基板搬入出部1と、液処理部2とを備えた洗浄処理装置である。基板搬入出部1は、キャリア載置部3、搬送部4および受け渡し部5を有する。キャリア載置部3に複数の基板を収容したキャリアCが載置され、搬送部4に設けられた搬送機構4aがキャリアCから基板を搬出して受け渡し部5に設けられた受け渡しユニット5aに搬送する。液処理部2は、基板に洗浄処理を施すための複数の液処理ユニット10と、基板を加熱して処理を行う複数のホットプレートユニット60と、基板搬送機構6とを有している。基板搬送機構6は、受け渡しユニット5a、液処理ユニット10およびホットプレートユニット60にアクセス可能であり、各液処理ユニット10および各ホットプレートユニット60に対して基板の搬入出を行う。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus is a cleaning processing apparatus including a substrate carry-in / out unit 1 and a liquid processing unit 2. The substrate carry-in / out unit 1 includes a carrier mounting unit 3, a transport unit 4, and a delivery unit 5. A carrier C containing a plurality of substrates is placed on the carrier placing unit 3, and a transport mechanism 4 a provided in the transport unit 4 unloads the substrate from the carrier C and transports it to a delivery unit 5 a provided in the delivery unit 5. To do. The liquid processing unit 2 includes a plurality of liquid processing units 10 for performing a cleaning process on the substrate, a plurality of hot plate units 60 for heating and processing the substrate, and a substrate transport mechanism 6. The substrate transport mechanism 6 can access the delivery unit 5 a, the liquid processing unit 10, and the hot plate unit 60, and carries in and out the substrates with respect to each liquid processing unit 10 and each hot plate unit 60.
次に、液処理ユニット10の構成について図2を参照して説明する。液処理ユニット10は、基板、本例では半導体ウエハWを概ね水平に保持して回転するスピンチャック11を有している。スピンチャック11は、ウエハWの周縁部を保持する複数の保持部材12によって基板を水平姿勢で保持する基板保持部14と、この基板保持部14を回転駆動する回転駆動部16とを有している。基板保持部14の周囲には、ウエハWから飛散した薬液、リンス液、後述の昇華性物質溶液等の各種の処理液を受け止めるカップ18が設けられている。なお、前述した基板搬送機構6と基板保持部14との間でウエハWの受け渡しができるように、基板保持部14およびカップ18は相対的に上下方向に移動できるようになっている。   Next, the configuration of the liquid processing unit 10 will be described with reference to FIG. The liquid processing unit 10 includes a spin chuck 11 that rotates while holding a substrate, in this example, a semiconductor wafer W substantially horizontally. The spin chuck 11 includes a substrate holding unit 14 that holds the substrate in a horizontal posture by a plurality of holding members 12 that hold the peripheral edge of the wafer W, and a rotation driving unit 16 that rotationally drives the substrate holding unit 14. Yes. Around the substrate holding unit 14, a cup 18 is provided for receiving various processing liquids such as a chemical liquid, a rinse liquid, and a sublimable substance solution described later. The substrate holding unit 14 and the cup 18 are relatively movable in the vertical direction so that the wafer W can be transferred between the substrate transfer mechanism 6 and the substrate holding unit 14 described above.
液処理ユニット10は、ウエハWに薬液(CHM)を供給するための薬液ノズル20と、ウエハWに純水(DIW)を供給するリンスノズル22と、ウエハWにNガスを供給するNガスノズル24とを有している。薬液ノズル20には、薬液供給源から適当な流量調整器例えば流量調整弁20aと開閉弁20bとが介設された薬液管路20cを介して薬液が供給される。リンスノズル22には、DIW供給源から、適当な流量調整器例えば流量調整弁22aと開閉弁22bとが介設されたDIW管路22cを介してDIWが供給される。Nガスノズル24には、Nガス供給源から、適当な流量調整器例えば流量調整弁24aと開閉弁24bとが介設されたNガス管路24cを介してNガスが供給される。 The liquid processing unit 10 includes a chemical nozzle 20 for supplying chemical liquid (CHM) to the wafer W, a rinse nozzle 22 for supplying pure water (DIW) to the wafer W, and N 2 for supplying N 2 gas to the wafer W. And a gas nozzle 24. The chemical liquid is supplied to the chemical liquid nozzle 20 from a chemical liquid supply source through a chemical liquid conduit 20c provided with an appropriate flow rate regulator, for example, a flow rate adjusting valve 20a and an on-off valve 20b. DIW is supplied to the rinse nozzle 22 from a DIW supply source through a DIW pipe line 22c in which an appropriate flow rate regulator, for example, a flow rate regulating valve 22a and an on-off valve 22b are interposed. The N 2 gas nozzle 24, N 2 gas is supplied through the N 2 gas supply source, a suitable flow regulator for example flow regulating valve 24a and the on-off valve 24b and is interposed by N 2 gas pipe 24c .
さらに液処理ユニット10は、ウエハWに昇華性物質の溶液を供給するための昇華性物質溶液ノズル30を有している。昇華性物質溶液ノズル30には、昇華性物質溶液供給源としてのタンク31から、適当な流量調整器例えば流量調整弁30aと開閉弁30bとが介設された昇華性物質溶液管路30cを介して昇華性物質の溶液が供給される。昇華性物質の溶液を貯留するタンク31には、ポンプ34が介設された循環管路32が接続されている。昇華性物質の溶液の飽和度は、ウエハWへの供給前に昇華性物質の析出が生じず、かつ、乾燥工程の開始後速やかに析出が生じる程度の値に設定することが好ましい。昇華性物質溶液ノズル30からウエハWに供給される昇華性物質の溶液の温度は、常温以下の温度、例えば10度〜常温の範囲内の温度とすることができる。この場合、例えば、溶液を冷却するための冷却装置を循環管路32に設けることができる。溶液の温度を低くすることにより、昇華性物質の濃度が低くても(溶解させる昇華性物質が少量でも)高い飽和度の溶液を供給することができる。また、前工程(例えば常温DIWリンス)でウエハWが冷やされている場合、昇華性物質がウエハに触れた瞬間に析出が始まること、すなわち望ましくないタイミングでの析出開始を防止することができるので、プロセスの制御が容易となる。   Further, the liquid processing unit 10 has a sublimable substance solution nozzle 30 for supplying a solution of the sublimable substance to the wafer W. The sublimation substance solution nozzle 30 is connected to a sublimation substance solution pipe 30c from a tank 31 serving as a sublimation substance solution supply source through an appropriate flow regulator, for example, a flow adjustment valve 30a and an on-off valve 30b. Then, a sublimable substance solution is supplied. A circulation pipe 32 provided with a pump 34 is connected to a tank 31 for storing a sublimable substance solution. The degree of saturation of the sublimable substance solution is preferably set to such a value that the sublimable substance does not precipitate before being supplied to the wafer W and that the precipitation occurs promptly after the start of the drying step. The temperature of the sublimable substance solution supplied from the sublimable substance solution nozzle 30 to the wafer W can be set to a temperature not higher than normal temperature, for example, in the range of 10 degrees to normal temperature. In this case, for example, a cooling device for cooling the solution can be provided in the circulation line 32. By lowering the temperature of the solution, a highly saturated solution can be supplied even if the concentration of the sublimable substance is low (even if the sublimable substance to be dissolved is small). In addition, when the wafer W is cooled in the previous process (for example, room temperature DIW rinse), it is possible to prevent the deposition from starting at the moment when the sublimable material touches the wafer, that is, the deposition start at an undesired timing. Process control becomes easy.
しかしながら、高濃度の昇華性物質の溶液を供給することが望まれる場合には、循環管路32にヒーターを設け、昇華性物質の溶液を比較的高温に維持してもよい。なお、この場合、供給前の昇華性物質の析出を防止するために、昇華性物質溶液管路30cにテープヒーター等のヒーターまたは断熱材を設けることが好ましい。   However, if it is desired to supply a solution of a sublimable substance having a high concentration, a heater may be provided in the circulation line 32 to maintain the solution of the sublimable substance at a relatively high temperature. In this case, it is preferable to provide a heater such as a tape heater or a heat insulating material in the sublimable substance solution conduit 30c in order to prevent precipitation of the sublimable substance before supply.
本実施形態においては、昇華性物質の溶液は、昇華性物質(溶質)としてのケイフッ化アンモニウム((NHSiF)を、溶媒としての純水(DIW)に溶解させてなる。なお、溶媒をDIWとIPA(イソプロピルアルコール)との混合液体とすることもできる。 In the present embodiment, the sublimable substance solution is obtained by dissolving ammonium silicofluoride ((NH 4 ) 2 SiF 6 ) as a sublimable substance (solute) in pure water (DIW) as a solvent. The solvent can be a mixed liquid of DIW and IPA (isopropyl alcohol).
また、昇華性物質の溶液は、昇華性物質(溶質)としてのショウノウまたはナフタレンを、溶媒としてアルコール類例えばIPAに溶解させたものとすることもできる。   Further, the solution of the sublimable substance may be obtained by dissolving camphor or naphthalene as the sublimable substance (solute) in alcohols such as IPA as a solvent.
図3に示すように、薬液ノズル20、リンスノズル22、Nガスノズル24および昇華性物質溶液ノズル30は、ノズル移動機構50により駆動される。ノズル移動機構50は、ガイドレール51と、ガイドレール51に沿って移動可能な駆動機構内蔵型の移動体52と、その基端が移動体52に取り付けられるとともにその先端に上記のノズル20、22、24、30を保持するノズルアーム53とを有している。ノズル移動機構50は、上記のノズル20、22、24、30を、基板保持部14に保持されたウエハWの中心の真上の位置とウエハWの周縁の真上の位置との間で移動させることができ、さらには、平面視でカップ18の外側にある待機位置まで移動させることもできる。 As shown in FIG. 3, the chemical nozzle 20, the rinse nozzle 22, the N 2 gas nozzle 24 and the sublimable substance solution nozzle 30 are driven by a nozzle moving mechanism 50. The nozzle moving mechanism 50 includes a guide rail 51, a moving body 52 with a built-in driving mechanism that can move along the guide rail 51, and a base end of the nozzle moving mechanism 50 attached to the moving body 52. , 24, 30 and a nozzle arm 53 for holding. The nozzle moving mechanism 50 moves the nozzles 20, 22, 24, and 30 between a position just above the center of the wafer W held by the substrate holder 14 and a position just above the periphery of the wafer W. Furthermore, it can be moved to a standby position outside the cup 18 in plan view.
なお、図示されたスピンチャック11の基板保持部14は、可動の保持部材12によってウエハWの周縁部を把持するいわゆるメカニカルチャックタイプのものであったが、これに限定されるものではなく、ウエハWの裏面中央部を真空吸着するいわゆるバキュームチャックタイプのものであってもよい。また、図示されたノズル移動機構50は、ノズルを並進運動させるいわゆるリニアモーションタイプのものであったが、鉛直軸線周りに回動するアームの先端にノズルが保持されているいわゆるスイングアームタイプのものであってもよい。また、図示例では、4つのノズル20、22、24、30が共通のアームにより保持されていたが、それぞれ別々のアームに保持されて独立して移動できるようになっていてもよい。   The illustrated substrate holding portion 14 of the spin chuck 11 is of a so-called mechanical chuck type in which the peripheral portion of the wafer W is held by the movable holding member 12, but is not limited to this. A so-called vacuum chuck type that vacuum-sucks the center of the back surface of W may be used. The illustrated nozzle moving mechanism 50 is a so-called linear motion type that translates the nozzle, but is a so-called swing arm type in which the nozzle is held at the tip of an arm that rotates about a vertical axis. It may be. In the illustrated example, the four nozzles 20, 22, 24, and 30 are held by a common arm. However, they may be held by separate arms and moved independently.
次にホットプレートユニット60について図4を参照して説明する。ホットプレートユニット60は、抵抗加熱ヒーター62が内蔵された熱板61と、熱板61上面から突出する複数の保持ピン63を有している。保持ピン63はウエハWの下面周縁部を支持し、ウエハWの下面と熱板61の上面との間に小さな隙間が形成される。熱板61の上方に、昇降移動可能な排気用フード(覆い)64が設けられる。排気用フード64の中心に設けられた開口部に、昇華性物質回収装置66およびポンプ67が介設された排気管65が接続されている。昇華性物質回収装置66より上流側の排気管65および排気用フード64に昇華性物質が付着することを防止するために、排気管65および排気用フード64の表面を昇華性物質の昇華温度より高温に維持するヒーターを設けることが好ましい。昇華性物質回収装置66としては、排気が通流するチャンバ内に設けた冷却板上に昇華性物質を析出させる形式のものや、排気が通流するチャンバ内で昇華性物質のガスに冷却流体を接触させる形式のもの等、さまざまな公知の昇華性物質回収装置を用いることができる。   Next, the hot plate unit 60 will be described with reference to FIG. The hot plate unit 60 includes a hot plate 61 in which a resistance heater 62 is incorporated, and a plurality of holding pins 63 protruding from the upper surface of the hot plate 61. The holding pins 63 support the peripheral edge of the lower surface of the wafer W, and a small gap is formed between the lower surface of the wafer W and the upper surface of the hot plate 61. An exhaust hood (cover) 64 that can be moved up and down is provided above the hot plate 61. An exhaust pipe 65 in which a sublimable substance recovery device 66 and a pump 67 are interposed is connected to an opening provided at the center of the exhaust hood 64. In order to prevent the sublimation substance from adhering to the exhaust pipe 65 and the exhaust hood 64 on the upstream side of the sublimation substance recovery device 66, the surfaces of the exhaust pipe 65 and the exhaust hood 64 are separated from the sublimation temperature of the sublimation substance. It is preferable to provide a heater that maintains a high temperature. As the sublimation substance recovery device 66, a sublimation substance is deposited on a cooling plate provided in a chamber through which exhaust flows, or a sublimation substance gas is cooled in the chamber through which exhaust flows. Various known sublimable substance recovery devices, such as those that come into contact with each other, can be used.
次に、上述の液処理ユニット10およびホットプレートユニット60を備えた基板処理装置により実行される液処理工程(ここでは薬液洗浄工程およびリンス工程)と、これに続いて実行される基板乾燥方法の各工程とからなる一連の処理工程について説明する。   Next, a liquid processing step (here, a chemical solution cleaning step and a rinsing step) executed by the substrate processing apparatus including the liquid processing unit 10 and the hot plate unit 60 described above, and a substrate drying method executed subsequently thereto A series of processing steps including each step will be described.
半導体装置を形成する膜、例えばSiN膜にパターンを付与するためにドライエッチングを施したウエハWが、基板搬送機構6により液処理ユニット10に搬入され、スピンチャック11により水平に保持される。   A wafer W subjected to dry etching to give a pattern to a film forming a semiconductor device, for example, a SiN film, is carried into the liquid processing unit 10 by the substrate transport mechanism 6 and held horizontally by the spin chuck 11.
ウエハWが所定速度で回転され、ウエハWの中心の上方に薬液ノズル20を位置させて、薬液ノズル20から薬液がウエハWに吐出されて、薬液によりエッチング残渣やパーティクルなどを基板表面から除去する薬液洗浄処理が実施される(薬液洗浄工程)。この薬液洗浄工程では、DHF、BHF、SC−1、SC−2、APM、HPM、SPM等を薬液として使用することができる。   The wafer W is rotated at a predetermined speed, the chemical nozzle 20 is positioned above the center of the wafer W, the chemical liquid is discharged from the chemical nozzle 20 onto the wafer W, and etching residues and particles are removed from the substrate surface by the chemical liquid. A chemical cleaning process is performed (chemical cleaning process). In this chemical solution cleaning step, DHF, BHF, SC-1, SC-2, APM, HPM, SPM and the like can be used as the chemical solution.
次に、引き続きウエハWを回転させたまま、ウエハWの中心の上方にリンスノズル22を位置させて、リンスノズル22からDIWがウエハWに吐出されて、ウエハW上の薬液およびエッチング残渣やパーティクルが除去される(リンス工程)。この状態が、図6(a)に示されている。このまま続けてスピン乾燥等の乾燥処理を行うと、背景技術の項で説明したようにパターン倒れ(パターンの凸状部101の倒壊)が生じるおそれがある。このリンス工程の後に、基板乾燥方法の一連の工程が実行される。   Next, while the wafer W is continuously rotated, the rinse nozzle 22 is positioned above the center of the wafer W, DIW is discharged from the rinse nozzle 22 to the wafer W, and chemicals and etching residues and particles on the wafer W are discharged. Is removed (rinse step). This state is shown in FIG. If a drying process such as spin drying is performed as it is, the pattern collapse (collapse of the convex portion 101 of the pattern) may occur as described in the background section. After this rinsing step, a series of steps of the substrate drying method is performed.
そこで、次に、引き続きウエハWを回転させたまま、ウエハWの中心の上方に昇華性物質溶液ノズル30を位置させて、昇華性物質溶液ノズル30から昇華性物質の溶液がウエハWに吐出されて、ウエハW上にあるDIWを昇華性物質の溶液(SL)で置換し、パターン間に昇華性物質の溶液を充填する(昇華性物質充填工程)。この状態が、図6(b)に示されている。DIWが昇華性物質の溶液で置換されてパターン間に昇華性物質の溶液が充填されたら、ウエハWの回転を調整することにより、昇華性物質の溶液の膜厚を調整する。後述する溶媒乾燥工程において、昇華性物質の溶液から溶媒を乾燥させることから、得られる昇華性物質の膜(固体の膜)の膜厚は、昇華性物質の溶液の膜厚よりも薄くなる。その点を考慮して、最終的に所望の膜厚の昇華性物質の膜(固体の膜)が得られるように、昇華性物質の溶液の膜厚を調整する。なお、リンス工程から昇華性物質充填工程への移行の際に、パターンの凸状部101の上端が十分にDIWに浸っていないと、凸状部101にDIWの表面張力が作用し、凸状部分101が倒れるおそれがある。従って、(a)リンス工程の終期にDIWの吐出量を増す、(b)リンス工程の終期および昇華性物質充填工程の初期にウエハWの回転数を低下させるか、ウエハWの回転を停止する、(c)リンス工程の終期と昇華性物質充填工程の初期とをオーバーラップさせる(昇華性物質充填工程の初期までDIWを吐出し続ける)、等の操作を行うことが好ましい。リンス工程の終期と昇華性物質充填工程の初期とをオーバーラップさせる場合は、リンスノズル22からリンス液を吐出させたままノズルアーム53を移動させ、昇華性物質溶液ノズル30をウエハWの中心の上方に位置させる。そして、昇華性物質の溶液がウエハWに吐出され始めた後に、リンス液の吐出を停止する。   Therefore, the sublimable substance solution nozzle 30 is positioned above the center of the wafer W while the wafer W is continuously rotated, and the sublimable substance solution is discharged from the sublimable substance solution nozzle 30 onto the wafer W. Then, the DIW on the wafer W is replaced with a sublimation substance solution (SL), and the sublimation substance solution is filled between patterns (sublimation substance filling step). This state is shown in FIG. After the DIW is replaced with the sublimation substance solution and the sublimation substance solution is filled between the patterns, the film thickness of the sublimation substance solution is adjusted by adjusting the rotation of the wafer W. Since the solvent is dried from the solution of the sublimable substance in the solvent drying step described later, the film thickness of the sublimable substance film (solid film) obtained is thinner than the film thickness of the sublimable substance solution. Considering this point, the film thickness of the sublimable substance solution is adjusted so that a sublimable substance film (solid film) having a desired film thickness is finally obtained. If the upper end of the convex portion 101 of the pattern is not sufficiently immersed in DIW during the transition from the rinsing step to the sublimation substance filling step, the surface tension of DIW acts on the convex portion 101 and the convex shape The part 101 may fall down. Therefore, (a) the DIW discharge amount is increased at the end of the rinsing process, (b) the rotation speed of the wafer W is reduced or stopped at the end of the rinsing process and the initial stage of the sublimation substance filling process. It is preferable to perform operations such as (c) overlapping the final stage of the rinsing process and the initial stage of the sublimation substance filling process (continuing to discharge DIW until the initial stage of the sublimation substance filling process). When the final stage of the rinsing process and the initial stage of the sublimation substance filling process are overlapped, the nozzle arm 53 is moved while discharging the rinse liquid from the rinse nozzle 22, and the sublimation substance solution nozzle 30 is moved to the center of the wafer W. Position it above. Then, after the sublimable substance solution starts to be discharged onto the wafer W, the discharge of the rinse liquid is stopped.
昇華性物質充填工程の次に、昇華性物質の溶媒を乾燥させて、昇華性物質を析出させ、固体の昇華性物質からなる膜を形成する(溶媒乾燥工程)。溶媒乾燥工程の終了時の状態が図6(c)に示されており、凹部102に固体状態の昇華性物質(SS)が充填されている。昇華性物質からなる膜の膜厚「t」は、パターンの凸状部101を十分に覆う限りにおいて、なるべく薄くすることが好ましい。溶媒が乾燥する際にもパターンの凸状部101には表面張力が働くため、その表面張力によってパターンが倒れない程度に、固体の昇華性物質からなる膜がパターン間に形成されていればよい。また、形成される昇華性物質からなる膜の膜厚「t」は、均一であることが好ましい。溶媒乾燥工程は、様々な方法で実行することができるが、図示された液処理ユニット10を用いる場合には、ウエハWを回転させながら(遠心力による振り切り)、NガスノズルからNガスをウエハWに吹き付けることにより行うことができる。ウエハWの回転を制御することにより、ウエハW上に吐出された昇華性物質の溶液の外周に向かう流れを制御することができ、昇華性物質の溶液の膜厚および昇華性物質からなる膜の膜厚を容易に調整することができる。また、均一な膜厚の昇華性物質からなる膜を形成することができる。なお、ウエハWにホットNガスのような加熱された気体を吹き付けて、溶媒の乾燥を促進させてもよく、かかる場合には、ウエハWの温度すなわち昇華性物質の温度が、昇華性物質の昇華温度未満、具体的には昇華性物質の溶液の溶媒は乾燥するが昇華性物質は昇華しない温度に維持されるような条件で行う。 Next to the sublimation substance filling step, the solvent of the sublimation substance is dried to precipitate the sublimation substance, thereby forming a film made of a solid sublimation substance (solvent drying step). The state at the end of the solvent drying step is shown in FIG. 6C, and the recess 102 is filled with a solid state sublimable substance (SS). The film thickness “t” of the film made of a sublimable substance is preferably as thin as possible as long as it sufficiently covers the convex portion 101 of the pattern. Since the surface tension acts on the convex portions 101 of the pattern even when the solvent dries, it is sufficient that a film made of a solid sublimable substance is formed between the patterns to such an extent that the pattern does not collapse due to the surface tension. . In addition, the film thickness “t” of the film made of the sublimable substance to be formed is preferably uniform. The solvent drying step can be performed by various methods. When the illustrated liquid processing unit 10 is used, N 2 gas is supplied from the N 2 gas nozzle while rotating the wafer W (shaking off by centrifugal force). This can be done by spraying on the wafer W. By controlling the rotation of the wafer W, the flow toward the outer periphery of the solution of the sublimable substance discharged onto the wafer W can be controlled, and the film thickness of the sublimable substance solution and the film of the sublimable substance can be controlled. The film thickness can be easily adjusted. In addition, a film made of a sublimable substance having a uniform thickness can be formed. It should be noted that a heated gas such as hot N 2 gas may be sprayed onto the wafer W to promote the drying of the solvent. In such a case, the temperature of the wafer W, that is, the temperature of the sublimable substance, The temperature is lower than the sublimation temperature, specifically, the solvent is maintained at a temperature at which the solvent of the sublimable substance is dried but the sublimable substance is not sublimated.
溶媒乾燥工程は、上述したNガスだけでなく例えば清浄空気やCDA(クリーンドライエア)のような他の乾燥促進流体を吹き付けることにより実行または促進することができる。また、溶媒乾燥工程は、スピンチャックの基板保持部の円板部分に内蔵された抵抗加熱ヒーター等の加熱手段によって、あるいはトッププレートに設けられたLEDランプヒーター等の加熱手段によって(詳細は図5を参照して後述する)、ウエハWを昇華性物質の昇華温度未満の温度、具体的には昇華性物質の溶液の溶媒は乾燥するが昇華性物質は昇華しない温度に加熱することにより実行ないし促進することができる。 The solvent drying step can be performed or accelerated by spraying not only the above-described N 2 gas but also other drying promoting fluid such as clean air or CDA (clean dry air). Further, the solvent drying step is performed by a heating means such as a resistance heater built in the disk portion of the substrate holding portion of the spin chuck, or by a heating means such as an LED lamp heater provided on the top plate (see FIG. 5 for details). And the wafer W is heated to a temperature lower than the sublimation temperature of the sublimable substance, specifically, a temperature at which the solvent of the sublimable substance solution is dried but the sublimable substance is not sublimated. Can be promoted.
溶媒乾燥工程が終了したら、基板搬送機構6により、液処理ユニット10からウエハWを搬出し、図4に示すホットプレートユニット60に搬入する。排気用フード64が下降して熱板61との間に処理空間を形成する。排気用フード64に接続された排気管65に介設されたポンプ66によりウエハWの上方空間を吸引しながら、昇温された熱板61により昇華性物質の昇華温度よりも高い温度にウエハWが加熱される。具体的には、ウエハWを100〜300度程度に加熱する。このとき、排気管65および排気用フード64の表面も昇華性物質の昇華温度より高温に加熱しておくのが好ましい。これにより、ウエハW上の昇華性物質は昇華して、ウエハWから除去される(昇華性物質除去工程)。昇華性物質除去工程の終了時の状態が図6(d)に示されており、凹部102に充填されていた昇華性物質が除去されており、所望のパターンが得られている。なお、昇華して気体となった昇華性物質は、昇華性物質回収装置66により回収され、再利用される。そして、基板乾燥方法を終えたウエハWは、基板搬送機構6により、ホットプレートユニット60から搬出され、受け渡し部を介してキャリアCに搬送される。   When the solvent drying process is completed, the substrate transport mechanism 6 unloads the wafer W from the liquid processing unit 10 and loads it into the hot plate unit 60 shown in FIG. The exhaust hood 64 descends to form a processing space with the hot plate 61. The wafer W is heated to a temperature higher than the sublimation temperature of the sublimable substance by the heated plate 61 while the upper space of the wafer W is sucked by the pump 66 interposed in the exhaust pipe 65 connected to the exhaust hood 64. Is heated. Specifically, the wafer W is heated to about 100 to 300 degrees. At this time, the surfaces of the exhaust pipe 65 and the exhaust hood 64 are also preferably heated to a temperature higher than the sublimation temperature of the sublimable substance. Thereby, the sublimable substance on the wafer W is sublimated and removed from the wafer W (sublimable substance removing step). The state at the end of the sublimation substance removing step is shown in FIG. 6D, and the sublimation substance filled in the recesses 102 is removed, and a desired pattern is obtained. Note that the sublimable substance that has been sublimated into gas is recovered by the sublimable substance recovery device 66 and reused. Then, the wafer W after the substrate drying method is unloaded from the hot plate unit 60 by the substrate transfer mechanism 6 and transferred to the carrier C via the transfer unit.
上記の実施形態によれば、リンス工程の後にパターン100の凹部102に入り込んだリンス液を昇華性物質の溶液で置換して昇華性物質の溶液で充填し、この溶液の溶媒を乾燥させることにより析出させた固体の昇華性物質で凹部を満たし、その後に昇華性物質を昇華させて凹部内から除去するようにしているため、パターン100の凸状部101にリンス液の高い表面張力に起因する応力が作用することがない。このため、凸状部101の倒れすなわちパターン倒壊を防止することができる。しかも、プラズマ処理装置を必要とせず、昇華性物質溶液供給手段および加熱手段を従来装置に追加するだけで、上記の基板乾燥方法を実行することができる。   According to the above embodiment, the rinsing liquid that has entered the recesses 102 of the pattern 100 after the rinsing step is replaced with a sublimable substance solution, filled with the sublimable substance solution, and the solvent of the solution is dried. Since the recessed portion is filled with the deposited solid sublimable substance, and then the sublimable substance is sublimated to be removed from the recessed portion, the convex portion 101 of the pattern 100 is caused by the high surface tension of the rinse liquid. No stress is applied. For this reason, it is possible to prevent the convex portion 101 from falling, that is, pattern collapse. In addition, the above substrate drying method can be executed by adding a sublimable substance solution supply means and a heating means to the conventional apparatus without requiring a plasma processing apparatus.
また、ウエハWを回転させながら溶媒乾燥工程を実施して、固体の昇華性物質からなる膜の膜厚をパターンの凸状部101を十分に覆う限りで薄くするので、次の昇華性物質除去工程を短時間で終了することができ、処理時間を短くすることができる。さらに、昇華性物質からなる膜の膜厚を均一にすることで、昇華性物質除去工程に要する時間を最小限にすることができる。   Further, the solvent drying step is performed while rotating the wafer W, and the film thickness of the solid sublimable material is reduced as long as the convex portion 101 of the pattern is sufficiently covered. The process can be completed in a short time, and the processing time can be shortened. Furthermore, the time required for the sublimation substance removing step can be minimized by making the film of the sublimation substance uniform.
上記実施形態においては、リンス工程から溶媒乾燥工程までの各工程を同じ一つの処理部(液処理ユニット10)で行い、昇華性物質除去工程のみを別の一つの処理部(ホットプレートユニット60)により行っている。しかしながら、リンス工程から溶媒乾燥工程までに加えて、昇華性物質除去工程をも一つの処理部(ユニット)で行うことも可能である。この場合、図2に示す液処理ユニット10に構成要素を追加して図5に示すように構成すればよい。すなわち、図5に示すように、基板保持部14の円板部分に、抵抗加熱ヒーター15のような加熱手段が設けられる。また、基板保持部14により保持されたウエハWの上方を覆い、昇降可能なトッププレート70が設けられる。トッププレート70には、LEDランプヒーター71のような加熱手段が設けられる。トッププレート70の中央部には排気穴72が設けられており、この排気穴72には、昇華性物質回収装置66およびポンプ67が介設された排気管65が接続されている(図4に示したものと同じでよい)。さらに、ウエハWに、薬液、リンス液、昇華性物質の溶液、および乾燥促進流体を吐出するノズル20,22,24,30を備え、これらのノズルはウエハWの中心の上方とカップ18の外側にある待機位置の間を移動することができる。   In the above embodiment, each process from the rinsing process to the solvent drying process is performed in the same processing unit (liquid processing unit 10), and only the sublimation substance removing process is performed in another single processing unit (hot plate unit 60). It is done by. However, in addition to the rinsing step and the solvent drying step, the sublimable substance removing step can also be performed by one processing unit (unit). In this case, what is necessary is just to comprise as shown in FIG. 5, adding a component to the liquid processing unit 10 shown in FIG. That is, as shown in FIG. 5, a heating means such as a resistance heater 15 is provided on the disk portion of the substrate holding portion 14. In addition, a top plate 70 that covers the upper portion of the wafer W held by the substrate holding unit 14 and can be moved up and down is provided. The top plate 70 is provided with heating means such as an LED lamp heater 71. An exhaust hole 72 is provided in the central portion of the top plate 70, and an exhaust pipe 65 in which a sublimable substance recovery device 66 and a pump 67 are interposed is connected to the exhaust hole 72 (see FIG. 4). Same as shown). Further, the wafer W is provided with nozzles 20, 22, 24, and 30 for discharging a chemical solution, a rinsing solution, a sublimation substance solution, and a drying accelerating fluid. These nozzles are located above the center of the wafer W and outside the cup 18. It is possible to move between the standby positions at
このような構成の処理ユニットにおいては、まず、トッププレート70が上昇した状態で基板が処理ユニットに搬入され、保持部材12によってウエハWが保持される。保持されたウエハWの上方にノズルが移動し、各ノズル20、22、24、30からそれぞれ流体が吐出される。そして、溶媒乾燥工程まで終えると、ノズルをカップ18の外側にある待機位置に移動させる。ノズルがカップ18の外側に出た後、トッププレート70が下降して基板保持部14との間に処理空間を形成する。その後、加熱手段によりウエハWが昇華性物質の昇華温度よりも高い温度に加熱され、パターン100の凹部102に充填されていた昇華性物質が除去される。このとき、排気管65およびトッププレート70の表面も昇華性物質の昇華温度よりも高い温度に加熱される。昇華性物質が除去されて基板乾燥方法が終了したら。トッププレート70を上昇させ、ウエハWを処理ユニットから搬出する。   In the processing unit having such a configuration, first, the substrate is carried into the processing unit with the top plate 70 raised, and the wafer W is held by the holding member 12. The nozzle moves above the held wafer W, and fluid is discharged from the nozzles 20, 22, 24, and 30, respectively. When the solvent drying process is completed, the nozzle is moved to a standby position outside the cup 18. After the nozzle comes out of the cup 18, the top plate 70 is lowered to form a processing space with the substrate holder 14. Thereafter, the heating means heats the wafer W to a temperature higher than the sublimation temperature of the sublimable substance, and the sublimable substance filled in the recesses 102 of the pattern 100 is removed. At this time, the surfaces of the exhaust pipe 65 and the top plate 70 are also heated to a temperature higher than the sublimation temperature of the sublimable substance. When the sublimation material is removed and the substrate drying method is completed. The top plate 70 is raised and the wafer W is unloaded from the processing unit.
図5に示す実施形態において、加熱手段は昇華性物質除去工程を実施する際にウエハWを加熱するために用いているが、このような加熱手段は、溶媒乾燥工程を実行ないし促進するために用いることもできる。具体的には、溶媒乾燥工程時にNガスノズル24からNガスを吹き付けると共に、あるいは、吹き付けるのに代えて、昇華性物質の溶液の溶媒は乾燥するが昇華性物質は昇華しない温度までウエハWを加熱するためにも用いることができる。そして、溶媒乾燥工程が終了した後、昇華性物質の昇華温度よりも高い温度までウエハWをさらに加熱して、昇華性物質除去工程を行う。 In the embodiment shown in FIG. 5, the heating means is used to heat the wafer W when performing the sublimation substance removing step. Such a heating means is used to execute or accelerate the solvent drying step. It can also be used. More specifically, the blowing N 2 gas N 2 gas nozzle 24 at a solvent drying step, or, instead of spraying, the wafer W to a temperature but not sublimable material sublimates the solvent of a solution of sublimable material is dried It can also be used for heating. And after a solvent drying process is complete | finished, the wafer W is further heated to the temperature higher than the sublimation temperature of a sublimable substance, and a sublimable substance removal process is performed.
また、図5に示す実施形態では、加熱手段として抵抗加熱ヒーターやLEDランプヒーターを使用しているが、ウエハWを昇華性物質の昇華温度よりも高い温度まで加熱することができる手段であれば、これに限られない。例えば、ウエハW上方より、加熱した気体、例えば空気やNガスなどを供給するものでもよい。また、処理ユニットを減圧することで昇華性物質の昇華温度を低下させ、その昇華温度より高い温度まで前述の加熱手段によってウエハWを加熱するようにしてもよい。 In the embodiment shown in FIG. 5, a resistance heater or an LED lamp heater is used as the heating means, but any means capable of heating the wafer W to a temperature higher than the sublimation temperature of the sublimable substance. Not limited to this. For example, a heated gas such as air or N 2 gas may be supplied from above the wafer W. Alternatively, the sublimation temperature of the sublimable substance may be lowered by reducing the pressure of the processing unit, and the wafer W may be heated by the above-described heating means to a temperature higher than the sublimation temperature.
加熱手段は、基板保持部14およびトッププレート70のうちの少なくともいずれか一方に設ければ十分である。トッププレート70は、図4に示したフード60に置換することもできる。また、溶媒乾燥工程においては基板保持部14およびトッププレート70に備えられた加熱手段のうち一方のみを使用し、昇華性物質除去工程において、残る他方の加熱手段も使用することによって、昇華性物質の昇華温度よりも高い温度までウエハWを加熱することもできる。また、昇華性物質回収装置66より上流側の排気管65およびトッププレート70に昇華性物質が付着することを防止するために、トッププレート70に設けられた加熱手段を使用してトッププレート70の表面を昇華性物質の昇華温度より高温に維持することが、より好ましい。   It is sufficient if the heating means is provided on at least one of the substrate holding part 14 and the top plate 70. The top plate 70 can be replaced with the hood 60 shown in FIG. Further, by using only one of the heating means provided in the substrate holding part 14 and the top plate 70 in the solvent drying process and using the other heating means remaining in the sublimation substance removing process, the sublimable substance is used. The wafer W can be heated to a temperature higher than the sublimation temperature. Further, in order to prevent the sublimation substance from adhering to the exhaust pipe 65 and the top plate 70 on the upstream side of the sublimation substance recovery device 66, the heating means provided on the top plate 70 is used to It is more preferable to maintain the surface at a temperature higher than the sublimation temperature of the sublimable substance.
上記実施形態においては、基板乾燥方法の各工程が薬液洗浄工程と組み合わせられていたが、これに限定されるものではなく、基板乾燥方法の各工程を現像工程と組み合わせることもできる。例えば、露光装置により露光され、かつ所定の露光後処理、例えば露光後加熱(PEB)処理が施されたフォトレジスト膜に、所定のパターンを形成するために現像工程が実施されるが、この現像工程の後のリンス工程の後に、上述した基板乾燥方法の各工程を行うことができる。現像工程において形成されたパターンのアスペクト比が高い場合においても、DIW等の高表面張力液によるリンス工程後の乾燥工程時においてパターン倒れが生じる場合があり得るので、上述した基板乾燥方法は有益である。この方法を実行するための現像処理ユニットは、図1に示した液処理ユニット10の薬液供給系(液供給源、ノズル、配管、弁等)を現像液の供給系に置換することにより構築することができる。   In the above embodiment, each step of the substrate drying method is combined with the chemical solution cleaning step, but the present invention is not limited to this, and each step of the substrate drying method can be combined with the development step. For example, a development process is performed to form a predetermined pattern on a photoresist film exposed by an exposure apparatus and subjected to a predetermined post-exposure process such as a post-exposure heating (PEB) process. After the rinsing step after the step, each step of the substrate drying method described above can be performed. Even when the aspect ratio of the pattern formed in the development process is high, the pattern collapse may occur in the drying process after the rinsing process with a high surface tension liquid such as DIW. is there. The development processing unit for executing this method is constructed by replacing the chemical solution supply system (liquid supply source, nozzle, pipe, valve, etc.) of the liquid processing unit 10 shown in FIG. 1 with a developer supply system. be able to.
W 基板(半導体ウエハ)
11 スピンチャック
22,22a,22b,22c リンス液供給手段
24,24a,24b,24c Nガス供給手段
30,30a、30b、30c、31,32,34 昇華性物質溶液供給手段
15,62,71 加熱手段
100 パターン
101 パターンの凸状部
102 パターンの凹部
W substrate (semiconductor wafer)
11 Spin chuck 22, 22a, 22b, 22c Rinse solution supply means 24, 24a, 24b, 24c N 2 gas supply means 30, 30a, 30b, 30c, 31, 32, 34 Sublimable substance solution supply means 15, 62, 71 Heating means 100 Pattern 101 Pattern convex portion 102 Pattern concave portion

Claims (9)

  1. 表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させる基板乾燥方法において、
    第1の処理ユニットにおいて、前記基板に昇華性物質の溶液を供給して、前記パターンの凹部内に前記溶液を充填する昇華性物質充填工程と、
    前記第1の処理ユニットにおいて、前記溶液中の溶媒を乾燥させて、前記パターンの凹部内を固体の状態の前記昇華性物質で満たす溶媒乾燥工程と、
    前記第1の処理ユニットから前記基板を搬出し、第2の処理ユニットへ前記基板を搬入する基板搬送工程と、
    前記第2の処理ユニットにおいて、前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱して、前記昇華性物質を前記基板から除去する昇華性物質除去工程と、
    を備え
    前記溶媒乾燥工程は、前記基板を前記昇華性物質の昇華温度よりも低い温度に加熱することによって行われ、前記基板搬送工程は、前記溶媒乾燥工程の加熱によって前記溶媒の乾燥が終了したら前記第1の処理ユニットから前記基板を搬出し、前記第2の処理ユニットへ前記基板を搬入する、基板乾燥方法。
    In the substrate drying method of removing the liquid on the substrate having a concavo-convex pattern formed on the surface and drying the substrate,
    In the first processing unit, a sublimable substance filling step of supplying a solution of a sublimable substance to the substrate and filling the concave portion of the pattern with the solution;
    In the first processing unit, a solvent drying step of drying the solvent in the solution and filling the concave portion of the pattern with the sublimable substance in a solid state;
    A substrate transfer step of unloading the substrate from the first processing unit and loading the substrate into a second processing unit;
    In the second processing unit, the sublimable substance removing step of removing the sublimable substance from the substrate by heating the substrate to a temperature higher than the sublimation temperature of the sublimable substance;
    Equipped with a,
    The solvent drying step is performed by heating the substrate to a temperature lower than the sublimation temperature of the sublimable substance, and the substrate transporting step is performed when the drying of the solvent is completed by heating in the solvent drying step. A substrate drying method , comprising unloading the substrate from one processing unit and loading the substrate into the second processing unit .
  2. 前記溶媒乾燥工程において前記基板を加熱することに加えて、前記基板を回転させること、前記基板に乾燥促進流体を供給すること、のうち少なくともいずれか一つが行われる、請求項に記載の基板乾燥方法。 In the solvent drying process, in addition to heating the substrate, rotating the substrate, supplying a drying accelerator fluid to the substrate, dividing at least any one row of the, according to claim 1 Substrate drying method.
  3. 前記溶媒乾燥工程は、固体の状態の前記昇華性物質が前記パターンを覆うようにする、請求項1または2に記載の基板乾燥方法。 The solvent drying step, the sublimable material solid state to cover the pattern, the substrate drying method according to claim 1 or 2.
  4. 前記溶媒乾燥工程は、固体の状態の前記昇華性物質が、表面に形成される凹凸のパターンの位置によらず前記基板上に均一な膜厚で形成されるようにする、請求項1からのうちのいずれか一項に記載の基板乾燥方法。 The solvent drying step, the sublimable material solid state, to be formed in a uniform thickness on the substrate regardless of the position of the pattern of irregularities formed on the surface, claims 1 to 3 The substrate drying method according to any one of the above.
  5. 前記昇華性物質は、ケイフッ化アンモニウム、ショウノウまたはナフタレンである、請求項1からのうちのいずれか一項に記載の基板乾燥方法。 The sublimable substance is ammonium silicofluoride, a camphor or naphthalene, a substrate drying method according to any one of claims 1 4.
  6. 前記溶液の溶媒は、水、アルコールまたはこれらの混合物である、請求項1からのうちのいずれか一項に記載の基板乾燥方法。 The substrate drying method according to any one of claims 1 to 5 , wherein a solvent of the solution is water, alcohol, or a mixture thereof.
  7. 前記昇華性物質充填工程の前に前記基板にリンス液を供給するリンス工程が行われ、前記昇華性物質充填工程により前記基板上のリンス液が前記昇華性物質の溶液で置換される、請求項1からのうちのいずれか一項に記載の基板乾燥方法。 The rinsing step of supplying a rinsing liquid to the substrate before the sublimable substance filling step is performed, and the rinsing liquid on the substrate is replaced with a solution of the sublimable substance by the sublimable substance filling step. The substrate drying method according to any one of 1 to 6 .
  8. 基板に液を供給する液供給手段と前記基板に昇華性物質の溶液を供給する昇華性物質溶液供給手段と前記基板に付着した前記昇華性物質の溶液中の溶媒を乾燥させる溶媒乾燥手段と、を有する第1の処理ユニットと、
    前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱する加熱手段を有する第2の処理ユニットと、
    前記第1の処理ユニットから前記基板を搬出し、前記第2の処理ユニットへ前記基板を搬入する基板搬送機構と、
    を備え、
    前記溶媒乾燥手段は、前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より低い温度に加熱し、前記基板搬送機構は、前記溶媒乾燥手段の加熱によって前記溶媒の乾燥が終了したら前記第1の処理ユニットから前記基板を搬出し、前記第2の処理ユニットへ前記基板を搬入する、基板処理装置。
    Liquid supply means for supplying a liquid to the substrate, sublimation substance solution supply means for supplying a solution of the sublimable substance to the substrate, and solvent drying means for drying the solvent in the solution of the sublimation substance attached to the substrate. A first processing unit comprising:
    A second processing unit having heating means for heating the substrate to a temperature higher than the sublimation temperature of the sublimable substance ;
    A substrate transport mechanism for unloading the substrate from the first processing unit and loading the substrate into the second processing unit;
    With
    The solvent drying means heats the substrate to a temperature lower than the sublimation temperature of the sublimable substance, and the substrate transport mechanism starts from the first processing unit when the drying of the solvent is completed by heating of the solvent drying means. A substrate processing apparatus for unloading the substrate and loading the substrate into the second processing unit .
  9. 前記第2の処理ユニットは、昇華した前記昇華性物質を排出する排気手段をさらに有する請求項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 8 , wherein the second processing unit further includes an exhaust unit that discharges the sublimated material that has been sublimated.
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