KR100826095B1 - Developement apparatus for fabricating semiconductor device - Google Patents

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Abstract

밀폐된 공간에서 현상 공정을 진행함으로써 온도 및 습도와 배기 조절이 용이하며, 장치 크기를 축소할 수 있는 반도체 제조용 현상장치에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 현상장치는, 밀폐 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되며, 웨이퍼를 회전 가능하게 지지하는 웨이퍼 척; 상기 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼의 표면에 현상액을 분사하는 현상액 분사부; 및 상기 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼의 표면에 세정액을 분사하는 세정액 분사부;를 포함한다. 상기 현상액 분사부는 복수의 현상액 분사공들을 구비하는 판상 부재를 구비하고, 상기 현상액 분사부의 현상액 분사 영역은 웨이퍼 구경의 1/3 내지 2/3의 크기로 형성되며, 현상액 분사부의 판상 부재는 챔버 내부에서 상하 방향으로 이동이 가능하다. 그리고, 세정액 분사부는 세정액 공급부로부터 공급받은 세정액을 웨이퍼 표면에 분사하는 세정액 분사 노즐은 웨이퍼에 대해 40 내지 50°, 바람직하게는 45°의 경사 각도로 설치된 상태에서 웨이퍼 회전 방향과 역방향으로 세정액을 분사한다.It relates to a developing device for semiconductor manufacturing that can easily control temperature, humidity, and exhaust by reducing the size of the device by carrying out the developing process in an enclosed space, and the developing device according to the embodiment of the present invention provides a method for forming a closed space. chamber; A wafer chuck installed in the chamber and rotatably supporting a wafer; A developer spraying unit for spraying a developer onto a surface of the wafer fixed to the wafer chuck; And a cleaning solution spraying unit spraying the cleaning solution onto the surface of the wafer fixed to the wafer chuck. The developer jetting part includes a plate member having a plurality of developer jetting holes, and the developer jetting area of the developer jetting part is formed to have a size of 1/3 to 2/3 of a wafer diameter, and the plate jetting member of the developer jetting part is inside the chamber. It is possible to move up and down at. The cleaning liquid spraying unit sprays the cleaning liquid in a direction opposite to the rotational direction of the wafer in a state in which the cleaning liquid spraying nozzle spraying the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply unit to the wafer surface is installed at an inclination angle of 40 to 50 °, preferably 45 ° to the wafer. do.

현상액, 노즐, 디스펜스, 세정, 트랙,Developer, nozzle, dispense, rinse, track,

Description

반도체 제조용 현상장치{DEVELOPEMENT APPARATUS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE}DEVELOPEMENT APPARATUS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조용 현상장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이고,1 is a view showing a schematic configuration of a developing apparatus for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention,

도 2는 도 1의 세정액 분사 노즐의 설치 상태를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows the installation state of the washing | cleaning liquid injection nozzle of FIG.

본 발명은 반도체 제조용 현상장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 밀폐된 공간에서 현상 공정을 진행함으로써 온도 및 습도와 배기 조절이 용이하며, 장치 크기를 축소할 수 있는 반도체 제조용 현상장치에 관한 것이다.The present invention relates to a developing device for semiconductor manufacturing, and more particularly, to a developing device for semiconductor manufacturing which can easily control temperature, humidity and exhaust gas by performing a developing process in an enclosed space, and can reduce the size of the device.

일반적으로, 반도체 제품을 생산하기 위해서는 매우 정밀한 반도체 제조 공정은 물론, 반도체 제조 공정을 수행하는 반도체 제조 설비를 필요로 한다.In general, the production of semiconductor products requires a highly precise semiconductor manufacturing process, as well as a semiconductor manufacturing equipment that performs the semiconductor manufacturing process.

상기 반도체 제조 설비는 크게 선행 반도체 제조 설비와 후속 반도체 제조 설비로 구분할 수 있는 바, 선행 반도체 제조 설비는 순수 실리콘 웨이퍼에 반도체 박막 패턴을 형성하기 위한 선행 공정인 포토레지스트 도포 공정-노광 공정-현상 공정을 복합적으로 수행하고, 후속 반도체 제조 설비는 웨이퍼에 패터닝된 포토레 지스트 박막을 매개로 웨이퍼에 소정의 특성을 갖는 불순물을 주입하는 이온 주입 공정, 이미 형성된 반도체 박막을 식각하여 패터닝하는 식각 공정, 웨이퍼에 소정 박막을 부가하는 증착 공정, 미세 박막 회로 패턴을 연결하는 메탈 공정 등을 수행한다.The semiconductor manufacturing equipment can be largely classified into a preceding semiconductor manufacturing equipment and a subsequent semiconductor manufacturing equipment. The preceding semiconductor manufacturing equipment is a photoresist coating process, an exposure process, and a development process, which is a preceding process for forming a semiconductor thin film pattern on a pure silicon wafer. And a subsequent semiconductor manufacturing facility is an ion implantation process for injecting impurities having predetermined characteristics into the wafer through a photoresist thin film patterned on the wafer, an etching process for etching and patterning a previously formed semiconductor thin film, and a wafer A deposition process of adding a predetermined thin film to a metal process, a metal process of connecting a fine thin film circuit pattern, and the like are performed.

이 중에서, 선행 반도체 제조 설비의 사진(photolithography) 공정은 세척 및 건조를 마친 웨이퍼의 표면에 PR(Photoresist)을 균일하게 도포하고, 그 위에 소정의 레이아웃으로 형성된 레티클상의 특정 패턴에 따라 노광 공정을 수행하며, 이렇게 노광된 PR층의 불필요한 부위를 현상액으로 제거하고, 잔류하는 현상액을 세정하는 공정을 포함한다.Among these, the photolithography process of the prior semiconductor manufacturing equipment uniformly applies PR (Photoresist) to the surface of the wafer after cleaning and drying, and performs the exposure process according to a specific pattern on the reticle formed in a predetermined layout thereon And removing unnecessary portions of the PR layer thus exposed with a developer, and washing the remaining developer.

이러한 사진 공정중 현상 공정을 수행하는 종래의 현상장치는 일반적으로 컵의 내측에 설치되어 웨이퍼를 안착하는 진공척을 포함한다.The conventional developing apparatus which performs the developing process during such a photographic process generally includes a vacuum chuck installed inside the cup to seat the wafer.

진공척의 상측으로 소정 거리 이격된 위치에는 웨이퍼의 불필요한 PR층을 선택적으로 제거하기 위한 현상액을 웨이퍼의 상면에 분사하는 현상액 분사 노즐과, 잔류하는 현상액을 세정하기 위한 세정액(순수 등)을 웨이퍼의 상면에 분사하는 세정액 분사 노즐이 설치된다.At a position spaced a predetermined distance above the vacuum chuck, a developer spray nozzle for spraying a developing solution for selectively removing an unnecessary PR layer of the wafer onto the upper surface of the wafer, and a cleaning solution (pure or the like) for cleaning the remaining developer, are placed on the upper surface of the wafer. The washing | cleaning liquid injection nozzle which injects into this is provided.

이러한 구성의 현상장치는 다음과 같이 작동된다.The developing apparatus of such a configuration is operated as follows.

포토마스킹 공정을 거친 웨이퍼가 진공척의 상면에 안착된 후 진공 펌프와 연결된 흡입구를 통해 진공척의 상면에 흡착 고정되면, 웨이퍼가 고정된 진공척은 공정이 끝날 때까지 고속 회전을 하게 되며, 이때 현상액 분사 노즐이 수평 방향으로 움직이며 소정 시간동안 현상액을 분사하게 된다. When the wafer subjected to the photomasking process is seated on the upper surface of the vacuum chuck and then sucked and fixed on the upper surface of the vacuum chuck through the suction port connected to the vacuum pump, the vacuum chuck on which the wafer is fixed is rotated at a high speed until the end of the process. The nozzle moves in the horizontal direction to spray the developer for a predetermined time.                         

분사를 마친 후 소정 시간이 경과되면 세정액 분사 노즐을 통해서 세정액이 분사되며, 분해된 PR층의 불필요한 부위와 현상액의 잔량은 상기 분사된 세정액으로 인해 제거된다.After a predetermined time elapses after the spraying, the washing liquid is sprayed through the washing liquid spray nozzle, and unnecessary portions of the decomposed PR layer and the residual amount of the developing solution are removed by the sprayed washing liquid.

그런데, 상기한 종래의 현상장치에 의하면, 상기한 현상 공정이 개방된 공간에서 진행되므로, 온도 및 습도 조절이 용이하지 않으며, 현상액 분사가 웨이퍼의 고속 회전하에서 이루어지고 있으므로, 현상액 미스트(mist)가 공기 흐름의 영향으로 인해 웨이퍼 위에 낙하하여 결함으로 작용한다.By the way, according to the above-mentioned conventional developing apparatus, since the above developing process is performed in the open space, temperature and humidity control are not easy, and the developer mist is developed under high speed rotation of the wafer. Due to the influence of air flow, they fall on the wafer and act as defects.

따라서, 웨이퍼간 임계치수 변화가 크게 발생하여 수율이 저하하는 문제점이 있다.Therefore, there is a problem in that the change in the critical dimension between wafers is greatly generated and the yield is lowered.

또한, 상기한 현상장치는 현상액 분사 노즐과 세정액 분사 노즐이 회전 또는 스캔 방식으로 구동되므로, 장치 크기를 축소하는데 한계가 있다.In addition, the developing apparatus described above has a limitation in reducing the size of the apparatus because the developer injection nozzle and the cleaning solution injection nozzle are driven in a rotational or scanning manner.

이에 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 밀폐 공간에서 현상 공정을 진행함으로써 온도 및 습도와 배기 조절이 용이하며, 장치 크기를 축소할 수 있는 반도체 제조용 현상장치를 제공함에 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above problems, the present invention is to provide a developing device for semiconductor manufacturing that can easily control the temperature and humidity and exhaust by the development process in a closed space, and can reduce the size of the device. have.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,The present invention to achieve the above object,

밀폐 공간을 형성하는 챔버;A chamber forming a closed space;

상기 챔버 내부에 설치되며, 웨이퍼를 회전 가능하게 지지하는 웨이퍼 척;A wafer chuck installed in the chamber and rotatably supporting a wafer;

상기 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼의 표면에 현상액을 분사하는 현상액 분사 부; 및A developer injection unit for injecting a developer onto a surface of the wafer fixed to the wafer chuck; And

상기 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼의 표면에 세정액을 분사하는 세정액 분사부;A cleaning liquid spraying unit spraying the cleaning liquid onto the surface of the wafer fixed to the wafer chuck;

를 포함하며, 상기 현상액 분사부는 복수의 현상액 분사공들을 구비하는 판상 부재를 구비하는 반도체 제조용 현상장치를 제공한다.It includes, The developer injection portion provides a developing device for semiconductor manufacturing having a plate-like member having a plurality of developer injection holes.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 현상액 분사부의 현상액 분사 영역은 웨이퍼 구경의 1/3 내지 2/3의 영역에 해당하며, 현상액 분사부의 판상 부재는 챔버 내부에서 상하 방향으로 이동이 가능하다.According to a preferred embodiment of the present invention, the developer jetting region of the developer jetting part corresponds to a region of 1/3 to 2/3 of the wafer diameter, and the plate-like member of the developer jetting part is movable up and down in the chamber.

그리고, 세정액 분사부는 세정액 공급부로부터 공급받은 세정액을 웨이퍼 표면에 분사하는 세정액 분사 노즐을 구비하며, 상기 세정액 분사 노즐은 웨이퍼에 대해 40 내지 50°, 바람직하게는 45°의 경사 각도로 설치된 상태에서 웨이퍼 회전 방향과 역방향으로 세정액을 분사한다.The cleaning liquid spraying unit includes a cleaning liquid spraying nozzle for spraying the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supplying unit onto the wafer surface, wherein the cleaning liquid spraying nozzle is disposed at an inclination angle of 40 to 50 °, preferably 45 ° with respect to the wafer. The cleaning liquid is sprayed in the direction opposite to the rotation direction.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조용 현상장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면을 도시한 것이고, 도 2는 도 1의 세정액 분사 노즐의 설치 상태를 나타내는 도면을 도시한 것이다.1 is a view showing a schematic configuration of a developing apparatus for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view showing the installation state of the cleaning liquid jet nozzle of FIG.

도시한 바와 같이, 본 실시예의 현상장치(10)는 밀폐 공간을 형성하는 챔버(12)를 구비한다.As shown in the drawing, the developing apparatus 10 of this embodiment includes a chamber 12 forming a sealed space.

챔버(12)의 내측으로는 웨이퍼(W)를 회전 가능하게 지지하는 웨이퍼 척(14) 이 설치된다. 상기 웨이퍼 척(14)은 도시하지 않는 진공 수단에 의해 형성된 진공압에 의해 웨이퍼(W)를 진공 흡착할 수 있는 진공척으로 구성할 수 있으며, 이 척(14)은 하측에 설치된 구동 모터(미도시함)에 의해 회전 구동된다.Inside the chamber 12, a wafer chuck 14 for rotatably supporting the wafer W is provided. The wafer chuck 14 may be constituted by a vacuum chuck capable of vacuum suction of the wafer W by a vacuum pressure formed by a vacuum means (not shown). Rotationally driven).

웨이퍼 척(14)의 상측으로는 웨이퍼(W)에 현상액을 분사하기 위한 현상액 분사부(16)가 설치된다.On the upper side of the wafer chuck 14, a developer injection unit 16 for injecting a developer onto the wafer W is provided.

상기 현상액 분사부(16)는 챔버(12)의 상측 공간에 설치되는 판상 부재(16a)를 구비하는데, 이 판상 부재(16a)는 내부에 중공부(16b)를 구비하며, 하측 판에는 현상액을 분사하는 현상액 분사공들(16c)이 복수개 구비된다.The developer injection part 16 includes a plate member 16a installed in an upper space of the chamber 12. The plate member 16a includes a hollow part 16b therein, and a developer plate on the lower plate. A plurality of developer injection holes 16c are injected.

이때, 상기 판상 부재(16a)는 현상액 분사 영역(A1)이 웨이퍼 구경(A2)의 1/3 내지 2/3 정도, 특히 1/2 정도가 되도록 형성하는 것이 바람직하며, 또한, 웨이퍼(W)의 중심부(C)를 포함한다.At this time, the plate member 16a is preferably formed such that the developer injection region A1 is about 1/3 to 2/3 of the wafer aperture A2, in particular about 1/2, and the wafer W It includes the central portion (C) of.

그리고, 상기 판상 부재(16)는 화살표 방향을 따라 상하 이동이 가능하게 설치할 수 있다.The plate member 16 may be installed to move upward and downward in the direction of the arrow.

한편, 상기 챔버(12)의 상측 벽면에는 현상액에 의해 고분자화되지 않은 불필요한 부위를 제거함과 아울러 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 세정액을 웨이퍼(W)를 향해 분사하는 세정액 분사 노즐(18)이 설치되는데, 이때, 상기 분사 노즐(18)은 웨이퍼(W) 상면에 대해 40 내지 50°, 특히 45°의 경사 각도(θ)로 설치되며, 웨이퍼 회전 방향과 반대방향으로 세정액을 분사하도록 설치된다. 이러한 구성의 세정액 분사 노즐(18)에 의하면, 세정 효과를 향상시킬 수 있다.On the other hand, a cleaning liquid spray nozzle 18 is installed on the upper wall surface of the chamber 12 to remove unnecessary portions not polymerized by the developing solution and to spray the cleaning liquid for cleaning the wafer W toward the wafer W. In this case, the spray nozzle 18 is installed at an inclination angle θ of 40 to 50 °, especially 45 ° with respect to the upper surface of the wafer W, and is installed to spray the cleaning liquid in a direction opposite to the wafer rotation direction. According to the cleaning liquid injection nozzle 18 of such a structure, a cleaning effect can be improved.

이와 같이 구성된 본 실시예에 따른 현상장치의 작동을 설명하면 다음과 같 다.The operation of the developing apparatus according to the present embodiment configured as described above is as follows.

감광제가 도포되어 감광된 상태의 웨이퍼(W)가 웨이퍼 척(14)에 안착되어 진공 작용에 의해 흡착 고정되면, 현상액 분사공(16c)을 통해 현상액이 웨이퍼(W)의 상면에 분사되어 현상 작업이 실시된다. 이때, 상기 웨이퍼(W)는 구동 모터에 의해 일정한 속도로 회전되며, 판상 부재(16a)는 상하 방향으로 이송되면서 현상액을 분사하게 된다. 따라서, 현상액 분사 영역(A1)이 웨이퍼 구경(A2)의 1/3 내지 2/3에 해당하더라도 상기 웨이퍼의 전체 표면에 현상액이 골고루 퍼지게 된다.When the photosensitive agent is applied and photosensitized, the wafer W is seated on the wafer chuck 14 and is sucked and fixed by vacuum action, and the developer is sprayed onto the upper surface of the wafer W through the developer injection hole 16c to develop the work. This is carried out. At this time, the wafer W is rotated at a constant speed by the drive motor, the plate member 16a is injected in the vertical direction to inject the developer. Therefore, even if the developer injection region A1 corresponds to 1/3 to 2/3 of the wafer aperture A2, the developer is evenly spread over the entire surface of the wafer.

일정 시간의 현상 작업이 완료되면 세정액 분사 노즐(18)로부터 웨이퍼(W) 상면으로 세정액이 분사되는데, 이 때 상기 세정액은 웨이퍼(W) 회전 방향과 반대 방향으로 분사되며, 이 때에도 상기 웨이퍼(W)는 일정한 속도로 회전된다.When the development work for a predetermined time is completed, the cleaning liquid is injected from the cleaning liquid spray nozzle 18 to the upper surface of the wafer W. At this time, the cleaning liquid is sprayed in a direction opposite to the rotation direction of the wafer W. In this case, the wafer W ) Rotates at a constant speed.

이후, 웨이퍼(W) 표면의 세정액(순수)은 상기 웨이퍼 척(14)의 회전에 따라 건조되며, 건조 공정이 끝난 웨이퍼(W)는 후속 공정을 진행하기 위해 이송된다.Thereafter, the cleaning liquid (pure) on the surface of the wafer W is dried in accordance with the rotation of the wafer chuck 14, and the wafer W after the drying process is transferred to proceed to the subsequent process.

이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다. As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail through the specific Example, this invention is not limited to this, It is clear that the deformation | transformation and improvement are possible by the person of ordinary skill in the art within the technical idea of this invention.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 실시예에 의하면, 현상 공정이 챔버에 의해 밀폐된 공간에서 진행되므로, 온도 및 습도 조절과 배기 조절이 용이하며, 현상액 미스트(mist)가 공기 흐름의 영향으로 인해 웨이퍼 위에 낙하하여 결함으로 작용하는 것을 방지할 수 있다. According to the embodiment of the present invention as described above, the development process is carried out in a closed space by the chamber, it is easy to control the temperature and humidity and the exhaust control, the developer mist (mist) due to the influence of the air flow wafer It can be prevented from falling down and acting as a defect.                     

따라서, 웨이퍼간 임계치수 변화를 억제하여 수율 향상이 가능하다.Therefore, the yield can be improved by suppressing the change in the critical dimension between wafers.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 현상장치는 현상액 분사 노즐과 세정액 분사 노즐이 고정된 상태에서 웨이퍼만 회전 구동하므로, 장치 크기를 축소할 수 있다.In addition, in the developing apparatus according to the embodiment of the present invention, since only the wafer is rotated while the developer injection nozzle and the cleaning solution injection nozzle are fixed, the device size can be reduced.

Claims (7)

밀폐 공간을 형성하는 챔버;A chamber forming a closed space; 상기 챔버 내부에 설치되며, 웨이퍼를 회전 가능하게 지지하는 웨이퍼 척;A wafer chuck installed in the chamber and rotatably supporting a wafer; 상기 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼의 표면에 현상액을 분사하는 현상액 분사부; 및A developer spraying unit for spraying a developer onto a surface of the wafer fixed to the wafer chuck; And 상기 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼의 표면에 세정액을 분사하는 세정액 분사부;A cleaning liquid spraying unit spraying the cleaning liquid onto the surface of the wafer fixed to the wafer chuck; 를 포함하며, 상기 현상액 분사부는 복수의 현상액 분사공들을 구비하는 판상 부재를 구비하는 반도체 제조용 현상장치.Includes, wherein the developer injection portion comprises a plate-like member having a plurality of developer injection holes. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 현상액 분사부의 판상 부재는 챔버 내부에서 상하 방향으로 이동이 가능하게 설치되는 반도체 제조용 현상장치.The plate-like member of the developer jetting portion is a semiconductor manufacturing apparatus is installed to be movable in the vertical direction inside the chamber. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 현상액 분사부의 현상액 분사 영역은 웨이퍼 구경의 1/3 내지 2/3의 크기로 형성되는 반도체 제조용 현상장치.The developer injection region of the developer injection unit is formed in a size of 1/3 to 2/3 of the wafer diameter. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 현상액 분사 영역은 웨이퍼의 중심부를 포함하는 반도체 제조용 현상장치.The developer injection region includes a central portion of a wafer. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 현상액 분사부의 현상액 분사 영역은 웨이퍼의 중심부를 포함하며, 웨이퍼 구경의 1/2의 크기로 형성되는 반도체 제조용 현상장치.The developer injection region of the developer injection unit includes a central portion of the wafer and is formed to a size 1/2 of a wafer diameter. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 세정액 분사부는 세정액 공급부로부터 공급받은 세정액을 웨이퍼 표면에 분사하는 세정액 분사 노즐을 구비하는 반도체 제조용 현상장치.And the cleaning liquid spraying unit comprises a cleaning liquid spraying nozzle for spraying the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supplying unit onto the wafer surface. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 세정액 분사 노즐은 웨이퍼에 대해 40 내지 50°의 경사 각도로 설치된 상태에서 웨이퍼 회전 방향과 역방향으로 세정액을 분사하는 반도체 제조용 현상장치.And the cleaning liquid jet nozzle is configured to spray the cleaning liquid in a direction opposite to the direction of wafer rotation in a state where the cleaning liquid jet nozzle is installed at an inclination angle of 40 to 50 ° with respect to the wafer.
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JP2002246292A (en) 2001-02-19 2002-08-30 Tokyo Electron Ltd Method of treating with liquid and equipment therefor
KR20040052363A (en) * 2002-12-16 2004-06-23 동부전자 주식회사 Develop system in photolithography

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200187122Y1 (en) 2000-02-07 2000-06-15 삼성전자주식회사 Chemical vapor deposition chamber for depositing an aluminum film
JP2002246292A (en) 2001-02-19 2002-08-30 Tokyo Electron Ltd Method of treating with liquid and equipment therefor
KR20040052363A (en) * 2002-12-16 2004-06-23 동부전자 주식회사 Develop system in photolithography

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