KR20120060374A - Wafer track machine and method of applying photo resist using the same - Google Patents

Wafer track machine and method of applying photo resist using the same Download PDF

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KR20120060374A
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손수형
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A wafer track device and a photoresist coating method using the same are provided to prevent photoresists from being deposited on the side of a bowl by spraying cleaning solutions on the side of the bowl through a chemical slit. CONSTITUTION: A wafer(300) is mounted inside a bowl(100). A rotation motor(800) rotates a spin chuck. A photoresist supply unit(400a,400b,400c) sprays photoresists on the wafer. A cleaning solution supply unit(500a,500b,500c,500d) sprays cleaning solutions on the bowl. A control unit(900) controls the cleaning solution supply unit and the photoresist supply unit.

Description

웨이퍼 트랙 장치 및 이를 이용한 포토 레지스트 도포 방법{WAFER TRACK MACHINE AND METHOD OF APPLYING PHOTO RESIST USING THE SAME}Wafer track apparatus and photoresist coating method using the same {WAFER TRACK MACHINE AND METHOD OF APPLYING PHOTO RESIST USING THE SAME}

본 발명은 웨이퍼 트랙 장치 및 이를 이용한 포토 레지스트 도포 방법에 관한 것으로 특히, 자동 보울(Bowl) 세정 기능을 갖는 웨이퍼 트랙 장치 및 이를 이용한 포토 레지스트 도포 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer track apparatus and a photoresist coating method using the same, and more particularly, to a wafer track apparatus having an automatic bowl cleaning function and a photoresist coating method using the same.

반도체 제조공정 중 포토리소그래피(Photo lithography) 공정은 패터닝된 포토 레지스트를 이용하여 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는 공정이다. 세척 및 건조를 마친 웨이퍼의 표면에 포토 레지스트(Photo Resist; PR)를 도포한 후, 원하는 패턴 형상이 형성된 포토 마스크를 이용하여 포토 레지스트를 패터닝한다.Photolithography is a process of forming a pattern on a wafer using a patterned photoresist. After photoresist (PR) is applied to the surface of the washed and dried wafers, the photoresist is patterned using a photomask having a desired pattern shape.

패터닝된 포토 레지스트를 마스크로 이용하여 웨이퍼 상에 형성된 금속막 또는 절연막을 선택적으로 제거하여 패턴을 형성한다. 이 때, 포토 레지스트는 광학 시스템의 일부를 차지하기 때문에 정교한 두께 조절이 요구되는데, 일반적으로 스핀코팅(spin coating)법을 사용하여 포토 레지스트를 도포한다.The pattern is formed by selectively removing the metal film or the insulating film formed on the wafer using the patterned photoresist as a mask. At this time, since the photoresist occupies a part of the optical system, precise thickness control is required. Generally, the photoresist is applied by using a spin coating method.

도 1을 참조하면, 종래 웨이퍼 트랙 장치는 보울(10) 내부에 고속으로 회전하며 웨이퍼(30)가 장착되는 스핀 척(Spin Chuck)(20), 웨이퍼(30) 전면에 포토 레지스트를 분사하는 노즐(40), 그리고, 노즐(40)을 개폐하는 밸브(미도시)를 포함하여 이루어진다.Referring to FIG. 1, the conventional wafer track apparatus rotates at a high speed inside the bowl 10 and spin spins 20 on which the wafer 30 is mounted, and a nozzle for spraying photoresist on the entire surface of the wafer 30. 40, and a valve (not shown) for opening and closing the nozzle 40.

도 2와 같이, 포토 레지스트 도포 방법은 웨이퍼를 로딩(S10)하여 보울의 스핀 척에 웨이퍼를 올려 놓고, 웨이퍼 상에 포토 레지스트를 분사(S11)한다. 이때, 분사되는 포토 레지스트가 웨이퍼 표면에 일정 두께로 도포되도록 스핀 척을 회전시킨다. 웨이퍼 표면에 도포된 포토 레지스트를 건조시키기 위해 열처리(S12)를 실시한다. As shown in FIG. 2, in the photoresist coating method, the wafer is loaded (S10), the wafer is placed on the spin chuck of the bowl, and the photoresist is sprayed on the wafer (S11). At this time, the spin chuck is rotated so that the sprayed photoresist is applied to the wafer surface at a predetermined thickness. Heat treatment S12 is performed to dry the photoresist applied to the wafer surface.

포토 레지스트 상부에 원하는 패턴 형상이 형성된 포토 마스크를 정렬하고, 노광 및 현상하여 포토 레지스트 패턴을 형성하고 후속 공정을 진행하기 위해 웨이퍼를 언로딩(S13)한다. 그런데, 도 3과 같이, 노즐(40)에서 분사되는 포토 레지스트(50)는 원심력에 의해 웨이퍼(30)의 가장자리로 퍼져나가면서 웨이퍼(30) 전면에 도포되고 여분의 포토 레지스트(50a)는 보울(10) 내부에 축적된다. The photomask on which the desired pattern shape is formed on the photoresist is aligned, exposed and developed to form a photoresist pattern, and the wafer is unloaded (S13) to proceed to a subsequent process. However, as shown in FIG. 3, the photoresist 50 injected from the nozzle 40 is applied to the entire surface of the wafer 30 while spreading to the edge of the wafer 30 by centrifugal force, and the extra photoresist 50a is bowled. (10) Accumulate inside.

웨이퍼(30) 표면에 도포된 포토 레지스트(50)를 건조하기 위해 열처리를 실시할 때 보울(10) 내부에 축적된 여분의 포토 레지스트(50a)의 솔벤트(Solvent)가 휘발된다.Solvent of the excess photoresist 50a accumulated in the bowl 10 is volatilized when the heat treatment is performed to dry the photoresist 50 coated on the wafer 30.

이 때, 포토 레지스트 파우더(Powder)가 생성되어 포토 레지스트 파우더가 공정 중인 웨이퍼(30)에 흡착된다. 이로 인해 웨이퍼(30) 표면에 도포된 포토 레지스트(50)의 두께 및 균일도가 틀어져 웨이퍼(30)를 식각하는 마스크의 불량이 발생한다. 그 결과, 소자의 수율이 저하된다.At this time, photoresist powder is generated and the photoresist powder is adsorbed onto the wafer 30 in process. As a result, the thickness and uniformity of the photoresist 50 coated on the surface of the wafer 30 are changed, thereby causing a defect of the mask for etching the wafer 30. As a result, the yield of the device is lowered.

또한, 수율 저하를 방지하기 위해 보울(10) 내부에 축적된 여분의 포토 레지스트(50a)를 제거하기 위해 보울(10)을 분리하고 재조립함으로써 비가동 시간이 증가하여 작업 시간이 늘어난다.In addition, by removing and reassembling the bowl 10 to remove the excess photoresist 50a accumulated in the bowl 10 in order to prevent a decrease in yield, the downtime is increased and the working time is increased.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 보울 내부에 축적된 여분의 포토 레지스트를 자동으로 세정하여 작업 시간을 단축함과 동시에 수율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 트랙 장치 및 이를 이용한 포토 레지스트 도포 방법에 관한 것이다. The present invention has been made to solve the above problems, a wafer track device and a photoresist using the same can automatically improve the production time by reducing the excess photoresist accumulated in the bowl to reduce the work time It relates to a coating method.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼 트랙 장치는, 보울 내부에 웨이퍼 또는 더미 웨이퍼가 장착되는 스핀 척; 상기 웨이퍼 전면에 포토 레지스트를 분사하는 포토 레지스트 공급부; 상기 보울 내부에 세정액을 분사하는 세정액 공급부; 및 상기 포토 레지스트 공급부와 세정액 공급부를 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 스핀 척은 상기 웨이펑에 포토 레지스트를 분사하거나 상기 더미 웨이퍼에 세정액을 분사하는 동안 회전한다.Wafer track device of the present invention for achieving the above object, the spin chuck is mounted wafer or dummy wafer in the bowl; A photoresist supply unit for spraying a photoresist on the entire surface of the wafer; A cleaning solution supply unit for injecting a cleaning solution into the bowl; And a control unit for controlling the photoresist supply unit and the cleaning liquid supply unit, wherein the spin chuck is rotated while injecting photoresist into the Weifeng or spraying the cleaning liquid onto the dummy wafer.

상기 포토 레지스트 공급부는 포토 레지스트가 저장된 포토 레지스트 탱크; 상기 웨이퍼 전면에 레지스트를 분사하는 포토 레지스트 노즐; 및 상기 포토 레지스트 노즐의 온/오프(On/Off)를 제어하는 밸브를 포함한다.The photoresist supply unit includes a photo resist tank in which the photo resist is stored; A photoresist nozzle spraying resist onto the entire surface of the wafer; And a valve controlling on / off of the photoresist nozzle.

상기 세정액 공급부는 세정액이 저장된 세정액 탱크; 상기 웨이퍼 전면에 세정액을 분사하는 세정액 노즐; 상기 보울의 측면에서 세정액을 분사하는 케미컬 슬릿; 및 상기 세정액 노즐의 온/오프(On/Off)를 제어하는 밸브를 포함한다.The cleaning liquid supply unit includes a cleaning liquid tank in which a cleaning liquid is stored; A cleaning liquid nozzle for spraying a cleaning liquid on the entire surface of the wafer; A chemical slit for spraying a cleaning liquid on the side of the bowl; And a valve controlling on / off of the cleaning liquid nozzle.

상기 웨이퍼 전면에 포토 레지스트를 분사할 때 상기 케미컬 슬릿은 상기 보울의 측면을 따라 세정액이 흘러내리도록 상기 보울 측면에 세정액을 분사한다.When the photoresist is sprayed on the entire surface of the wafer, the chemical slit sprays the cleaning liquid on the side of the bowl so that the cleaning liquid flows along the side of the bowl.

상기 제어부는 상기 세정액 노즐에서 세정액이 분사될 때, 상기 스핀 척의 회전 속도를 제어한다.The control unit controls the rotation speed of the spin chuck when the cleaning liquid is injected from the cleaning liquid nozzle.

상기 세정액이 유기 용제이다.The cleaning liquid is an organic solvent.

또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 포토 레지스트 도포 방법은, 보울 내부로 웨이퍼를 로딩하여 스핀 척에 상기 웨이퍼를 장착하는 단계; 상기 스핀 척을 회전시키면서 상기 웨이퍼 전면에 포토 레지스트를 분사하는 단계; 상기 웨이퍼를 언로딩하는 단계; 더미 웨이퍼를 로딩하여 상기 보울의 상기 스핀 척에 상기 더미 웨이퍼를 장착하는 단계; 상기 스핀 척을 회전시키면서 상기 세정액을 분사하여 상기 포토 레지스트의 분사시 상기 보울 내부에 축적된 여분의 포토 레지스트를 제거하는 단계; 상기 더미 웨이퍼를 언로딩하는 단계; 상기 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼를 로딩하는 단계; 상기 웨이퍼를 열처리하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 언로딩하는 단계를 포함한다.In addition, the photoresist coating method of the present invention for achieving the same object comprises the steps of loading the wafer into the bowl to mount the wafer to the spin chuck; Spraying photoresist over the wafer while rotating the spin chuck; Unloading the wafer; Loading the dummy wafer to mount the dummy wafer on the spin chuck of the bowl; Spraying the cleaning liquid while rotating the spin chuck to remove excess photoresist accumulated in the bowl when the photoresist is sprayed; Unloading the dummy wafer; Loading a wafer to which the photoresist is applied; Heat treating the wafer; And unloading the wafer.

상기 세정액은 상기 보울의 상부에 형성된 세정액 노즐을 통해 상기 더미 웨이퍼 전면에 분사되고, 상기 보울의 측면에 형성된 케미컬 슬릿을 통해 분사된다.The cleaning liquid is sprayed on the front surface of the dummy wafer through the cleaning liquid nozzle formed on the top of the bowl, and is sprayed through the chemical slit formed on the side of the bowl.

상기 포토 레지스트를 분사할 때 상기 케미컬 슬릿을 이용하여 상기 보울의 측면을 따라 세정액이 흘러내리도록 상기 보울 측면에 세정액을 분사한다.When the photoresist is sprayed, the cleaning liquid is sprayed on the side of the bowl so that the cleaning liquid flows along the side of the bowl using the chemical slit.

상기 세정액은 유기 용매를 사용한다.The cleaning liquid uses an organic solvent.

상기 스핀 척의 회전 속도를 변화시키며 상기 보울의 상부, 하부 및 측면까지 골고루 세정액을 분사시킨다.The washing solution is evenly sprayed to the upper, lower and side surfaces of the bowl while varying the rotational speed of the spin chuck.

상기 스핀 척을 느리게 회전시키면서 상기 세정액을 분사하여 상기 보울 하부에 축적된 상기 여분의 포토 레지스트를 제거하고, 상기 스핀 척을 빠르게 회전시키면서 상기 세정액을 상기 보울 측면 및 상부에 축적된 상기 여분의 포토 레지스트를 제거한다.The excess photoresist accumulated on the bowl side and the top while removing the excess photoresist accumulated at the bottom of the bowl by spraying the cleaning liquid while rotating the spin chuck slowly, Remove it.

상기와 같은 본 발명의 웨이퍼 트랙 장치 및 이를 이용한 포토 레지스트 도포 방법은 다음과 같은 효과가 있다.The wafer track apparatus of the present invention as described above and the photoresist coating method using the same have the following effects.

첫째, 포토 레지스트를 분사하는 것처럼 세정액을 분사하여 보울(Bowl) 내부에 축적된 포토 레지스트를 제거함으로써 비가동 시간(Down Time)이 줄어들어 수율이 향상된다.First, as the photoresist is sprayed, the cleaning liquid is sprayed to remove the photoresist accumulated in the bowl, thereby reducing down time and improving yield.

둘째, 더미 웨이퍼가 올려진 스핀 척의 회전 속도를 변화시키면서 세정액을 분사하므로, 원심력에 의해 세정액이 보울 구석구석에 분사되어 보울 내부의 포토 레지스트를 제거할 수 있다.Second, since the cleaning liquid is injected while changing the rotational speed of the spin chuck on which the dummy wafer is placed, the cleaning liquid is injected to every corner of the bowl by centrifugal force to remove the photoresist inside the bowl.

셋째, 포토 레지스트가 웨이퍼 표면에 분사될 때, 보울 내부에 형성된 케미컬 슬릿을 통해 세정액을 보울 측면에 분사하여 포토 레지스트가 보울 측면에 증착되는 것을 미연에 방지할 수 있다.Third, when the photoresist is sprayed on the wafer surface, the cleaning liquid may be sprayed on the side of the bowl through a chemical slit formed inside the bowl to prevent the photoresist from being deposited on the side of the bowl.

도 1은 일반적인 웨이퍼 트랙 장치의 나타낸 단면도.
도 2는 일반적인 웨이퍼 트랙 장치를 이용한 포토 레지스트 도포 방법의 공정 순서도.
도 4는 본 발명의 웨이퍼 트랙 장치의 단면도.
도 5는 본 발명의 웨이퍼 트랙 장치를 이용한 포토 레지스트 도포 방법의 공정 순서도.
도 6은 도 5의 세정공정의 구체적인 공정 순서도.
도 7a는 웨이퍼 표면에 포토 레지스트를 도포하는 공정 단면도.
도 7b는 포토 레지스트를 도포한 후 보울을 세정하는 공정 단면도.1 is a cross-sectional view of a typical wafer track apparatus.
2 is a process flowchart of a photoresist coating method using a general wafer track apparatus.
4 is a cross-sectional view of the wafer track apparatus of the present invention.
5 is a process flowchart of the photoresist coating method using the wafer track apparatus of the present invention.
6 is a detailed process flowchart of the cleaning process of FIG. 5.
7A is a cross sectional view of a process of applying photoresist to a wafer surface;
7B is a cross-sectional view of a process of cleaning a bowl after applying a photoresist.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 웨이퍼 트랙 장치 및 이를 이용한 포토 레지스트 도포 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the wafer track apparatus of the present invention and a photoresist coating method using the same will be described in detail.

도 4는 본 발명의 웨이퍼 트랙 장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the wafer track apparatus of the present invention.

도 4와 같이, 본 발명의 웨이퍼 트랙 장치는, 보울(100) 내부에 웨이퍼(300)가 장착되는 스핀 척(200), 스핀 척(200)의 배면에 구성되어 스핀 척(200)을 회전 시키는 회전 모터(800), 웨이퍼(300) 전면에 포토 레지스트를 분사하는 포토 레지스트 공급부(400a, 400b, 400c), 웨이퍼(300) 전면에 세정액을 분사하여 세정 공정을 수행하는 세정액 공급부(500a, 500b, 500c, 500d) 및 포토 레지스트 공급부(400a, 400b, 400c), 세정액 공급부(500a, 500b, 500c, 500d) 및 회전 모터(800)를 제어하는 제어부(900)를 포함한다.As shown in FIG. 4, the wafer track apparatus of the present invention is configured on the back of the spin chuck 200 and the spin chuck 200 in which the wafer 300 is mounted inside the bowl 100 to rotate the spin chuck 200. Photoresist supply units 400a, 400b, and 400c for spraying photoresist onto the entire surface of the wafer 300, the wafer 300, and cleaning solution supplies 500a and 500b for spraying the cleaning solution onto the entire surface of the wafer 300 to perform a cleaning process. 500c and 500d and a photoresist supply unit 400a, 400b and 400c, a cleaning liquid supply unit 500a, 500b, 500c and 500d and a control unit 900 for controlling the rotating motor 800.

포토 레지스트 공급부(400a, 400b, 400c)는 포토 레지스트가 저장된 포토 레지스트 탱크(400a), 웨이퍼(300) 표면에 포토 레지스트를 분사하는 포토 레지스트 노즐(400c), 및 포토 레지스트 노즐(400c)의 개폐를 제어하는 포토 레지스트 밸브(400b)를 포함한다. The photoresist supply units 400a, 400b, and 400c may open and close the photoresist tank 400a in which the photoresist is stored, the photoresist nozzle 400c for injecting the photoresist onto the wafer 300, and the photoresist nozzle 400c. A photoresist valve 400b for controlling is included.

포토 레지스트 노즐(400c)은 보울(100)의 스핀 척(200)에 올려진 웨이퍼(300) 상에 포토 레지스트를 분사한다. 포토 레지스트는 포토 레지스트 탱크(400a)에 저장되어 있으며, 포토 레지스트 밸브(400b)를 이용하여 포토 레지스트가 분사되는 포토 레지스트 노즐(400c)의 온/오프(ON/OFF)를 제어한다.The photoresist nozzle 400c sprays the photoresist on the wafer 300 mounted on the spin chuck 200 of the bowl 100. The photoresist is stored in the photoresist tank 400a, and controls the on / off of the photoresist nozzle 400c through which the photoresist is injected using the photoresist valve 400b.

웨이퍼(300)에 포토 레지스트를 분사하면서 스핀 척(200)을 회전시키면, 포토 레지스트가 원심력에 의해 웨이퍼(300)의 가장자리로 퍼져나가면서 웨이퍼(300) 표면에 도포되고, 여분의 포토 레지스트는 보울(100) 내부에 축적된다. When the spin chuck 200 is rotated while spraying the photoresist on the wafer 300, the photoresist is applied to the surface of the wafer 300 while spreading to the edge of the wafer 300 by centrifugal force, and the excess photoresist is used to bowl Accumulate inside 100.

그런데, 상술한 바와 같이, 웨이퍼(300) 표면에 도포된 포토 레지스트를 건조하기 위해 열처리를 실시할 때 보울(100) 내부에 축적된 여분의 포토 레지스트의 솔벤트(Solvent)가 휘발되어 포토 레지스트 파우더(Powder)가 생성된다. 포토 레지스트 파우더는 공정 중인 웨이퍼(300)에 흡착되고 이로 인해 웨이퍼(300) 표면에 도포된 포토 레지스트의 두께 및 균일도가 틀어져 웨이퍼(300)를 식각하는 마스크의 불량이 발생한다.However, as described above, when the heat treatment is performed to dry the photoresist applied on the surface of the wafer 300, the solvent of the excess photoresist accumulated in the bowl 100 is volatilized to form a photoresist powder ( Powder is produced. The photoresist powder is adsorbed onto the wafer 300 in the process, which causes the thickness and uniformity of the photoresist applied on the surface of the wafer 300 to vary, resulting in a defect of the mask for etching the wafer 300.

그런데, 보울(100) 내부에 축적된 포토 레지스트를 제거하기 위해 웨이퍼 트랙 장치를 분해하는 것은 복잡하고 공정 시간이 길어져 수율이 저하된다. 이를 해결하기 위해 본 발명은 세정액 공급부(500a, 500b, 500c, 500d)를 구비하여 세정액 공급부(500a, 500b, 500c, 500d)가 자동으로 보울(100) 내부의 세정 공정을 수행한다. However, disassembling the wafer track apparatus to remove the photoresist accumulated in the bowl 100 is complicated and the process time is long, so that the yield is reduced. In order to solve this problem, the present invention includes the cleaning solution supply units 500a, 500b, 500c, and 500d, and the cleaning solution supply units 500a, 500b, 500c, and 500d automatically perform the cleaning process inside the bowl 100.

즉, 스핀 척(200)을 포토 레지스트를 분사하는 동안 이외에도 세정액이 보울(100) 내에 분사되는 동안에 회전시킴으로써, 세정 공정을 수행한다. 특히, 제어부(900)의 제어에 의해 웨이퍼(300)가 올려진 스핀 척(200)의 회전 속도를 변화시키면서 세정액을 분사하므로, 보울(100)의 상부, 하부 및 측면부까지 골고루 세정액이 분사되어 보울(100) 내부에 축적된 여분의 포토 레지스트를 완벽하게 세정할 수 있다.That is, the cleaning process is performed by rotating the spin chuck 200 while the cleaning liquid is sprayed into the bowl 100 in addition to the spraying of the photoresist. In particular, since the cleaning liquid is injected while changing the rotational speed of the spin chuck 200 on which the wafer 300 is placed under the control of the controller 900, the cleaning liquid is evenly sprayed to the upper, lower and side portions of the bowl 100. The excess photoresist accumulated in the (100) can be completely cleaned.

세정액 공급부(500a, 500b, 500c, 500d)는 세정액이 저장된 세정액 탱크(500a), 웨이퍼(300) 전면에 세정액을 분사하는 세정액 노즐(500c), 세정액 노즐(500c)의 개폐를 제어하는 세정액 밸브(500b) 및 보울(100) 측면에 세정액을 분사하는 케미컬 슬릿(500d)을 포함한다. The cleaning solution supply units 500a, 500b, 500c, and 500d may include a cleaning solution tank 500a in which the cleaning solution is stored, a cleaning solution nozzle 500c for injecting the cleaning solution over the wafer 300, and a cleaning solution valve for controlling opening and closing of the cleaning solution nozzle 500c ( 500b) and a chemical slit 500d for spraying a cleaning solution on the side of the bowl 100.

세정액 노즐(500c)은 보울(100)의 스핀 척(200)에 올려진 웨이퍼(300) 표면에 세정액을 분사한다. 이 때, 웨이퍼(300)는 포토 레지스트가 도포되지 않은 더미 웨이퍼이다. 세정액은 세정액 탱크(500a)에 저장되어 있으며, 세정액 밸브(500b)를 이용하여 분사되는 세정액의 온/오프를 제어한다.The cleaning liquid nozzle 500c injects the cleaning liquid onto the surface of the wafer 300 mounted on the spin chuck 200 of the bowl 100. At this time, the wafer 300 is a dummy wafer to which no photoresist is applied. The cleaning liquid is stored in the cleaning liquid tank 500a, and controls the on / off of the cleaning liquid injected using the cleaning liquid valve 500b.

한편, 보울(100) 내부에 축적된 여분의 포토 레지스트를 세정하기 위해 사용되는 세정액으로 아세톤과 같은 유기 용제를 사용한다. 세정액이 보울(100) 내부에 분사될 때도 포토 레지스트를 분사할 때와 같이 스핀 척(200)이 회전하므로 원심력을 이용하여 세정액이 보울(100) 내부에 골고루 분사된다. 특히, 스핀 척(200)의 회전 속도를 점점 빨라지거나 점점 느려지게 조절함으로써, 보울(100)의 상부, 하부 및 측면부까지 골고루 세정액이 분사되어 보울(100) 내부에 축적된 여분의 포토 레지스트를 완벽하게 세정할 수 있다.On the other hand, an organic solvent such as acetone is used as a cleaning liquid used to clean excess photoresist accumulated in the bowl 100. When the cleaning solution is sprayed into the bowl 100, the spin chuck 200 rotates as in the case of spraying the photoresist, and thus the cleaning solution is evenly sprayed into the bowl 100 using centrifugal force. In particular, by adjusting the rotational speed of the spin chuck 200 gradually or gradually, the cleaning liquid is evenly sprayed to the upper, lower, and side portions of the bowl 100 to perfectly fill the excess photoresist accumulated in the bowl 100. Can be cleaned.

구체적으로, 스핀 척(200)이 느리게 회전하면서 세정액을 분사할 때 세정액이 보울(100) 하부에 축적된 여분의 포토 레지스트를 제거한다. 스핀 척(200)의 회전 속도가 점점 빨라지면 세정액이 보울(100) 측면 및 상부의 여분의 포토 레지스트까지 제거할 수 있다. Specifically, when the spin chuck 200 is slowly rotated to spray the cleaning liquid, the cleaning liquid removes excess photoresist accumulated in the bottom of the bowl 100. If the rotational speed of the spin chuck 200 becomes faster, the cleaning liquid may remove excess photoresist on the sides and the upper portion of the bowl 100.

반대로, 스핀 척(200)이 빨리 회전하면서 세정액을 분사할 때 세정액이 보울(100) 측면 및 상부의 포토 레지스트를 제거한다. 스핀 척(200)의 회전 속도가 점점 느려지면 세정액이 보울(100) 하부에 축적된 여분의 포토 레지스트를 제거할 수 있다. 또한, 도시하지는 않았지만, 보울(100) 하부에 형성된 배수구를 통해 세정을 끝낸 세정액이 배출된다. 케미컬 슬릿(500d)은 보울(100) 측면에서 세정액을 분사하므로 보울(100) 내부를 완벽하게 세정할 수 있다.On the contrary, when the spin chuck 200 rotates rapidly and the cleaning liquid is sprayed, the cleaning liquid removes the photoresist on the side and the top of the bowl 100. When the rotational speed of the spin chuck 200 becomes slower, the cleaning liquid may remove excess photoresist accumulated in the bowl 100. In addition, although not shown, the cleaning solution that has been finished cleaning is discharged through the drain hole formed under the bowl 100. Since the chemical slit 500d sprays a cleaning solution from the bowl 100 side, the chemical slit 500d may completely clean the inside of the bowl 100.

특히, 포토 레지스트를 분사할 때, 원심력에 의해 포토 레지스트가 보울(100) 내부에 축적될 수 있으므로, 케미컬 슬릿(500d)은 포토 레지스트를 분사할 때에도 보울(100) 측면에 세정액을 분사하고, 세정액이 보울(100) 측면을 따라 흘러내려 여분의 포토 레지스트가 보울(100) 측면에 축적되는 것을 미연에 방지할 수 있다.In particular, when the photoresist is sprayed, since the photoresist may accumulate inside the bowl 100 by centrifugal force, the chemical slit 500d sprays the cleaning liquid on the side of the bowl 100 even when spraying the photoresist, and the cleaning liquid It is possible to prevent the excess photoresist from accumulating on the side of the bowl 100 by flowing along the side of the bowl 100.

제어부(900)는 포토 레지스트 밸브(400b), 세정액 밸브(500b) 및 스핀 척(200)을 회전시키는 회전 모터(800)를 제어한다. 예를 들어, 포토 레지스트가 분사될 때, 제어부(900)는 포토 레지스트 밸브(400b)를 온(ON)시키고 세정액 밸브(500b)는 오프(OFF)시켜, 포토 레지스트가 웨이퍼(300) 상에 분사되도록 한다. 이 때, 회전 모터(800)를 작동시켜 스핀 척(200)이 회전하여 포토 레지스트가 웨이퍼(300) 전면에 도포되도록 한다. The controller 900 controls the photoresist valve 400b, the cleaning liquid valve 500b, and the rotating motor 800 to rotate the spin chuck 200. For example, when the photoresist is sprayed, the control unit 900 turns on the photoresist valve 400b and the cleaning liquid valve 500b is turned off so that the photoresist is sprayed onto the wafer 300. Be sure to At this time, the rotary motor 800 is operated to rotate the spin chuck 200 so that the photoresist is applied to the entire surface of the wafer 300.

반대로 세정액을 분사할 때는, 포토 레지스트 밸브(400b)를 오프(OFF)시키고 세정액 밸브(500b)를 온(ON)시킨다. 또한, 세정액이 보울(100) 내부에 골고루 분사되도록 회전 모터(800)를 작동시킨다. On the contrary, when the cleaning liquid is injected, the photoresist valve 400b is turned off and the cleaning liquid valve 500b is turned on. In addition, the rotary motor 800 is operated to spray the cleaning liquid evenly inside the bowl 100.

여기서, 제어부(900)는 세정 프로세스가 운영 소프트웨어로 삽입되어, 작업자 필요에 따라 세정 공정의 수행 여부를 변경할 수 있다.Here, the control unit 900 may insert the cleaning process into the operating software, and change whether or not the cleaning process is performed as required by the operator.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 포토 레지스트 도포 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the photoresist coating method of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명의 웨이퍼 트랙 장치를 이용한 포토 레지스트 도포 방법의 공정 순서도, 도 6은 도 5의 세정공정의 구체적인 공정 순서도, 도 7a는 웨이퍼 표면에 포토 레지스트를 도포하는 공정 단면도이다. 그리고, 도 7b는 포토 레지스트를 도포한 후, 보울을 세정하는 공정 단면도이다.FIG. 5 is a process flowchart of the photoresist coating method using the wafer track apparatus of the present invention, FIG. 6 is a specific process flowchart of the cleaning process of FIG. 5, and FIG. 7A is a process sectional view of applying photoresist on the wafer surface. 7B is a cross-sectional view of the process of washing the bowl after applying the photoresist.

본 발명의 웨이퍼 트랙 장치를 이용한 포토 레지스트 도포 방법은 도 5와 도 6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼를 로딩(S100)하여 보울 내부에 형성된 스핀 척 위에 웨이퍼를 장착하고 스핀 척을 회전시키면서 포토 레지스트를 웨이퍼 표면에 분사(S105)한다. 그리고, 웨이퍼 표면에 포토 레지스트의 분사가 완료되면, 세정공정(S145)을 진행하는데, 이 때, 세정공정(S145)은 제어부의 제어에 의해 행해진다.The photoresist coating method using the wafer track apparatus of the present invention, as shown in Figures 5 and 6, by loading the wafer (S100) to mount the wafer on the spin chuck formed in the bowl and to rotate the spin chuck photoresist Spraying is performed on the wafer surface (S105). Then, when the injection of the photoresist onto the wafer surface is completed, the cleaning step S145 is performed. At this time, the cleaning step S145 is performed by the control of the controller.

세정공정(S145)은 웨이퍼를 스핀 척으로부터 언로딩(S110) 한 후 더미 웨이퍼를 스핀 척 위에 로딩(S115)한다. 더미 웨이퍼가 로딩된 스핀 척을 회전시키면서 세정액 공급부를 이용하여 세정액을 분사(S120)한 후 더미 웨이퍼를 언로딩(S125)한다. 그리고, 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼를 다시 로딩(S130)하여 웨이퍼에 열처리(S135)를 수행하고 웨이퍼를 언로딩(S140)한다.The cleaning process S145 unloads the wafer from the spin chuck (S110) and then loads the dummy wafer onto the spin chuck (S115). While rotating the spin chuck loaded with the dummy wafer, the cleaning liquid is sprayed using the cleaning liquid supply unit (S120), and the dummy wafer is unloaded (S125). Then, the wafer on which the photoresist is applied is loaded again (S130) to perform heat treatment (S135) on the wafer and unload the wafer (S140).

이하, 각 단계들을 구체적으로 살펴보면, 먼저, 도 7a와 같이, 웨이퍼(300a)를 로딩하여 보울(100)의 스핀 척(200)에 웨이퍼(300a)를 올려놓고, 웨이퍼(300a)에 포토 레지스트(400d)를 분사하여 코팅을 시작한다. 이 때, 분사되는 포토 레지스트(400d)가 웨이퍼(300a) 표면에 일정 두께로 도포되도록 스핀 척(200)을 회전시킨다.Hereinafter, each step will be described in detail. First, as shown in FIG. 7A, the wafer 300a is loaded, the wafer 300a is placed on the spin chuck 200 of the bowl 100, and the photoresist (300) is placed on the wafer 300a. 400d) is sprayed to start coating. At this time, the spin chuck 200 is rotated so that the sprayed photoresist 400d is applied to the surface of the wafer 300a with a predetermined thickness.

포토 레지스트(400d)는 원심력에 의해 웨이퍼(300a)의 가장자리로 퍼져나가면서 웨이퍼(300a) 전면에 균일하게 도포된다. 그러나, 여분의 포토 레지스트(400e)는 보울(100) 내부에 축적되므로 축적된 여분의 포토 레지스트(400e)를 제거하기 위해 세정 공정을 수행한다.The photoresist 400d is uniformly applied to the entire surface of the wafer 300a while spreading to the edge of the wafer 300a by centrifugal force. However, since the excess photoresist 400e is accumulated inside the bowl 100, a cleaning process is performed to remove the accumulated excess photoresist 400e.

세정공정은 세정 프로세스가 운영 소프트웨어로 삽입되어 있는 제어부(900)의 제어 하에 수행하는데, 작업자 필요에 따라 세정 공정의 수행 여부를 변경할 수 있다.The cleaning process is performed under the control of the control unit 900 in which the cleaning process is inserted into the operating software. The cleaning process may be changed according to the operator's needs.

먼저, 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(300a)를 스핀 척(200)으로부터 언로딩하고, 도 7b와 같이, 더미 웨이퍼(300b)를 웨이퍼(도 7a의 300a)가 언로딩된 스핀 척(200) 위에 로딩한다. 그리고, 보울(100)의 스핀 척(200)에 더미 웨이퍼(300b)를 로딩하고 보울(100)의 내부에 세정액을 분사한다.First, the photoresist-coated wafer 300a is unloaded from the spin chuck 200, and as shown in FIG. 7b, the dummy wafer 300b is placed on the spin chuck 200 where the wafer (300a of FIG. 7a) is unloaded. Load. Then, the dummy wafer 300b is loaded into the spin chuck 200 of the bowl 100 and the cleaning solution is sprayed into the bowl 100.

이 때, 세정액은 스핀 척(200) 위에 구성된 세정액 노즐(500c)과 보울(100) 측면에 구성된 케미컬 슬릿(500d)을 통해 분사된다. 즉, 세정액 노즐(500c)은 더미 웨이퍼(300b) 전면에 세정액을 분사하며, 케미컬 슬릿(500d)은 세정액이 보울(100) 측면을 따라 흘러내리도록 보울(100) 측면에 세정액을 분사한다. At this time, the cleaning liquid is injected through the cleaning liquid nozzle 500c formed on the spin chuck 200 and the chemical slit 500d formed on the side of the bowl 100. That is, the cleaning liquid nozzle 500c sprays the cleaning liquid on the entire surface of the dummy wafer 300b, and the chemical slit 500d sprays the cleaning liquid on the side of the bowl 100 so that the cleaning liquid flows along the side of the bowl 100.

이 때, 스핀 척(200)은 포토 레지스트를 분사할 때와 같이 회전한다. 따라서, 스핀 척(200)의 회전 속도를 변화시키며 보울(100)의 상부, 하부 및 측면까지 골고루 세정액이 분사되어 보울(100) 내부에 축적된 여분의 포토 레지스트를 완벽하게 세정할 수 있다. 케미컬 슬릿(500d)은 포토 레지스트를 분사하는 단계에서도 보울(100) 측면에 세정액을 분사하여 보울(100) 내에 포토 레지스트가 축적되는 것을 방지할 수 있다.At this time, the spin chuck 200 rotates as when spraying the photoresist. Therefore, the cleaning solution is evenly sprayed to the upper, lower and side surfaces of the bowl 100 while changing the rotational speed of the spin chuck 200 to completely clean the excess photoresist accumulated in the bowl 100. The chemical slit 500d may prevent the photoresist from accumulating in the bowl 100 by spraying a cleaning solution on the side of the bowl 100 even when the photoresist is sprayed.

구체적으로, 스핀 척(200)의 회전 속도는 점점 빨라지거나 점점 느려지도록 조절될 수 있으며, 스핀 척(200)이 느리게 회전할 때 세정액을 분사하면 세정액이 보울(100) 하부에 축적된 여분의 포토 레지스트를 제거하며, 스핀 척(200)의 회전 속도가 점점 빨라지면 세정액이 보울(100) 측면 및 상부에 축적된 여분의 포토 레지스트까지 제거할 수 있다. Specifically, the rotational speed of the spin chuck 200 may be adjusted to become faster or slower. When the spray chuck 200 is slowly rotated, the cleaning liquid is sprayed to the excess photo accumulated in the lower portion of the bowl 100. When the resist is removed, and the rotational speed of the spin chuck 200 becomes faster, the cleaning liquid may remove excess photoresist accumulated on the side and the top of the bowl 100.

스핀 척(200)의 회전 속도가 빠를 때 세정액을 분사하여 세정액이 보울 측면 및 상부의 포토 레지스트를 제거할 수 있으며, 스핀 척(200)의 회전 속도가 점점 느려지면 세정액이 보울(100) 하부에 축적된 여분의 포토 레지스트를 제거할 수 있다.When the rotation speed of the spin chuck 200 is high, the cleaning liquid may be injected to remove the photoresist on the side and the upper portion of the bowl. When the rotation speed of the spin chuck 200 is gradually lowered, the cleaning liquid is lowered to the bottom of the bowl 100. The excess photoresist accumulated can be removed.

상기와 같이 보울(100) 내부에 축적된 여분의 포토 레지스트를 제거하고 보울(100) 내부에 잔류하는 세정액을 보울(100) 하부의 배수구(미도시)를 통해 외부로 배출한 후, 더미 웨이퍼(300b)를 스핀 척(200)으로부터 언로딩한다. 도시하지는 않았지만, 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼를 다시 스핀 척(200) 위에 로딩한 후, 포토 레지스트를 건조시키기 위해 열처리를 수행한다. As described above, the excess photoresist accumulated in the bowl 100 is removed and the cleaning liquid remaining in the bowl 100 is discharged to the outside through a drain hole (not shown) at the bottom of the bowl 100, and then a dummy wafer ( 300b) is unloaded from the spin chuck 200. Although not shown, the photoresist-coated wafer is again loaded onto the spin chuck 200 and then heat-treated to dry the photoresist.

건조된 포토 레지스트 상부에 원하는 패턴 형상이 형성된 포토 마스크를 정렬한다. 포토 마스크를 이용하여 포토 레지스트에 노광 및 현상 공정을 실시하여 포토 레지스트를 선택적으로 제거하여 포토 레지스트 패턴을 형성한다. 후속 공정을 진행하기 위해 웨이퍼를 언로딩한다. 이 때, 열처리는 웨이퍼 상에 포토 레지스트를 분사하는 단계(S110)에서 웨이퍼를 언로딩하기 전에 수행될 수도 있다. The photo mask having the desired pattern shape is aligned on the dried photoresist. The photoresist is subjected to an exposure and development process using a photomask to selectively remove the photoresist to form a photoresist pattern. The wafer is unloaded for further processing. At this time, the heat treatment may be performed before unloading the wafer in the step (S110) of spraying the photo resist on the wafer.

즉, 본 발명은 세정 프로세스가 운영 소프트웨어로 삽입되어 있으며, 세정 공정의 수행 여부는 작업자 필요에 따라 미리 입력되어 있으므로 자동으로 세정 공정을 수행한다. 따라서, 웨이퍼 트랙 장치를 분해하여 보울을 세정하는 일반적인 웨이퍼 트랙 장치에 비해 비가동 시간(Down Time)이 줄어들어 수율이 향상된다. 또한, 스핀 척의 회전 속도를 변화시키면서 세정액을 분사하므로, 원심력에 의해 세정액이 보울 구석구석에 분사되므로 보울 내부에 축적된 여분의 포토 레지스트를 효율적으로 제거할 수 있다.That is, according to the present invention, the cleaning process is inserted into the operating software, and whether or not the cleaning process is performed is pre-inputted according to the needs of the operator, so that the cleaning process is automatically performed. As a result, the down time is reduced compared to the general wafer track apparatus which disassembles the wafer track apparatus and cleans the bowl, thereby improving the yield. In addition, since the cleaning liquid is injected while changing the rotational speed of the spin chuck, the cleaning liquid is injected into every corner of the bowl by centrifugal force, so that the excess photoresist accumulated in the bowl can be efficiently removed.

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Will be apparent to those of ordinary skill in the art.

100: 보울 200: 스핀 척
300: 웨이퍼 400a: 포토 레지스트 탱크
400b: 포토 레지스트 밸브 400c: 포토 레지스트 노즐
400d: 포토 레지스트 400e: 여분의 포토 레지스트
500a: 세정액 탱크 500b: 세정액 밸브
500c: 세정액 노즐 500d: 케미컬 슬릿
800: 회전 모터 900: 제어부100: bowl 200: spin chuck
300: wafer 400a: photoresist tank
400b: photoresist valve 400c: photoresist nozzle
400d: photoresist 400e: extra photoresist
500a: cleaning liquid tank 500b: cleaning liquid valve
500c: cleaning liquid nozzle 500d: chemical slit
800: rotating motor 900: control unit

Claims (12)

보울 내부에 웨이퍼 또는 더미 웨이퍼가 장착되는 스핀 척;
상기 웨이퍼 전면에 포토 레지스트를 분사하는 포토 레지스트 공급부;
상기 보울 내부에 세정액을 분사하는 세정액 공급부; 및
상기 포토 레지스트 공급부와 세정액 공급부를 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 스핀 척은 상기 웨이퍼에 포토 레지스트를 분사하거나 상기 더미 웨이퍼에 세정액을 분사하는 동안 회전하는 웨이퍼 트랙 장치.A spin chuck in which a wafer or a dummy wafer is mounted in the bowl;
A photoresist supply unit for spraying a photoresist on the entire surface of the wafer;
A cleaning solution supply unit for injecting a cleaning solution into the bowl; And
A control unit for controlling the photoresist supply unit and the cleaning liquid supply unit,
And the spin chuck rotates while spraying photoresist on the wafer or spraying a cleaning liquid on the dummy wafer. 제 1 항에 있어서, 상기 포토 레지스트 공급부는 포토 레지스트가 저장된 포토 레지스트 탱크;
상기 웨이퍼 전면에 레지스트를 분사하는 포토 레지스트 노즐; 및
상기 포토 레지스트 노즐의 온/오프(On/Off)를 제어하는 밸브를 포함하는 웨이퍼 트랙 장치.The photoresist supplying apparatus of claim 1, wherein the photoresist supply unit comprises: a photoresist tank in which the photoresist is stored;
A photoresist nozzle spraying resist onto the entire surface of the wafer; And
And a valve controlling on / off of the photoresist nozzle. 제 1 항에 있어서, 상기 세정액 공급부는 세정액이 저장된 세정액 탱크;
상기 웨이퍼 전면에 세정액을 분사하는 세정액 노즐;
상기 보울의 측면에서 세정액을 분사하는 케미컬 슬릿; 및
상기 세정액 노즐의 온/오프(On/Off)를 제어하는 밸브를 포함하는 웨이퍼 트랙 장치.The cleaning liquid supply system of claim 1, wherein the cleaning liquid supply unit comprises: a cleaning liquid tank in which a cleaning liquid is stored;
A cleaning liquid nozzle for spraying a cleaning liquid on the entire surface of the wafer;
A chemical slit for spraying a cleaning liquid on the side of the bowl; And
And a valve controlling on / off of the cleaning liquid nozzle. 제 3 항에 있어서, 상기 웨이퍼 전면에 포토 레지스트를 분사할 때 상기 케미컬 슬릿은 상기 보울의 측면을 따라 세정액이 흘러내리도록 상기 보울 측면에 세정액을 분사하는 웨이퍼 트랙 장치.The wafer track apparatus of claim 3, wherein the chemical slit sprays the cleaning liquid on the side of the bowl so that the cleaning liquid flows along the side of the bowl when the photoresist is sprayed on the entire surface of the wafer. 제 1 항에 있어서, 상기 제어부는 상기 세정액 노즐에서 세정액이 분사될 때, 상기 스핀 척의 회전 속도를 제어하는 웨이퍼 트랙 장치.The wafer track apparatus according to claim 1, wherein the controller controls the rotation speed of the spin chuck when the cleaning liquid is injected from the cleaning liquid nozzle. 제 1 항에 있어서, 상기 세정액이 유기 용제인 웨이퍼 트랙 장치.The wafer track apparatus according to claim 1, wherein the cleaning liquid is an organic solvent. 보울 내부로 웨이퍼를 로딩하여 스핀 척에 상기 웨이퍼를 장착하는 단계;
상기 스핀 척을 회전시키면서 상기 웨이퍼 전면에 포토 레지스트를 분사하는 단계;
상기 웨이퍼를 언로딩하는 단계;
더미 웨이퍼를 로딩하여 상기 보울의 상기 스핀 척에 상기 더미 웨이퍼를 장착하는 단계;
상기 스핀 척을 회전시키면서 상기 세정액을 분사하여 상기 포토 레지스트의 분사시 상기 보울 내부에 축적된 여분의 포토 레지스트를 제거하는 단계;
상기 더미 웨이퍼를 언로딩하는 단계;
상기 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼를 로딩하는 단계;
상기 웨이퍼를 열처리하는 단계; 및
상기 웨이퍼를 언로딩하는 단계를 포함하는 포토 레지스트 도포 방법.Loading the wafer into a bowl to mount the wafer to a spin chuck;
Spraying photoresist over the wafer while rotating the spin chuck;
Unloading the wafer;
Loading the dummy wafer to mount the dummy wafer on the spin chuck of the bowl;
Spraying the cleaning liquid while rotating the spin chuck to remove excess photoresist accumulated in the bowl when the photoresist is sprayed;
Unloading the dummy wafer;
Loading a wafer to which the photoresist is applied;
Heat treating the wafer; And
And unloading the wafer. 제 7 항에 있어서, 상기 세정액은 상기 보울의 상부에 형성된 세정액 노즐을 통해 상기 더미 웨이퍼 전면에 분사되고, 상기 보울의 측면에 형성된 케미컬 슬릿을 통해 분사되는 포토 레지스트 도포 방법.The method of claim 7, wherein the cleaning liquid is sprayed onto the front surface of the dummy wafer through a cleaning liquid nozzle formed on an upper portion of the bowl, and sprayed through a chemical slit formed on a side of the bowl. 제 8 항에 있어서, 상기 포토 레지스트를 분사할 때 상기 케미컬 슬릿을 이용하여 상기 보울의 측면을 따라 세정액이 흘러내리도록 상기 보울 측면에 세정액을 분사하는 포토 레지스트 도포 방법.The method of claim 8, wherein the cleaning liquid is sprayed onto the side of the bowl such that the cleaning liquid flows down the side of the bowl using the chemical slit when the photoresist is sprayed. 제 7 항에 있어서, 상기 세정액은 유기 용매를 사용하는 포토 레지스트 도포 방법.8. The method of claim 7, wherein the cleaning liquid uses an organic solvent. 제 7 항에 있어서, 상기 스핀 척의 회전 속도를 변화시키며 상기 보울의 상부, 하부 및 측면까지 골고루 세정액을 분사시키는 포토 레지스트 도포 방법.8. The method of claim 7, wherein the cleaning solution is evenly sprayed to the upper, lower and side surfaces of the bowl while varying the rotational speed of the spin chuck. 제 7 항에 있어서, 상기 스핀 척을 느리게 회전시키면서 상기 세정액을 분사하여 상기 보울 하부에 축적된 상기 여분의 포토 레지스트를 제거하고, 상기 스핀 척을 빠르게 회전시키면서 상기 세정액을 상기 보울 측면 및 상부에 축적된 상기 여분의 포토 레지스트를 제거하는 포토 레지스트 도포 방법.8. The cleaning solution of claim 7, wherein the cleaning solution is sprayed while the spin chuck is slowly rotated to remove the excess photoresist accumulated in the lower portion of the bowl, and the cleaning solution is accumulated on the side and top of the bowl while the spin chuck is rapidly rotated. A photoresist application method for removing the excess photoresist.
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KR20180122517A (en) * 2017-05-02 2018-11-13 세메스 주식회사 Method for cleaning a chamber, Method for treating a substrate, and Apparatus for treating a substrate
CN110444466A (en) * 2018-05-06 2019-11-12 长鑫存储技术有限公司 Method for cleaning wafer and device in photoresist coating process

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