KR20050099609A - 패턴 생성 방법 - Google Patents

패턴 생성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20050099609A
KR20050099609A KR1020057012247A KR20057012247A KR20050099609A KR 20050099609 A KR20050099609 A KR 20050099609A KR 1020057012247 A KR1020057012247 A KR 1020057012247A KR 20057012247 A KR20057012247 A KR 20057012247A KR 20050099609 A KR20050099609 A KR 20050099609A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
workpiece
high precision
electromagnetic radiation
movable carriage
respect
Prior art date
Application number
KR1020057012247A
Other languages
English (en)
Inventor
피터 에크베르크
존-오스카 라르손
Original Assignee
마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 filed Critical 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비
Publication of KR20050099609A publication Critical patent/KR20050099609A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Dynamo-Electric Clutches, Dynamo-Electric Brakes (AREA)

Abstract

본 발명은 하나이상의 레이저 광선을 큰 면적의 소재 위로 포커싱함으로써 고정밀 패턴을 노출시키는 방법에 관한 것으로, 이때 상기 소재는 상기 레이저 광선의 파장에서 감광성이다. 상기 방법은 패턴에서 기하학적 요소(geometrical elements)를 설명하는 하나이상의 데이터베이스를 제공하고, 이동가능한 캐리지에 장착된 광학 헤드에 의하여 상기 하나이상의 광선을 상기 소재 위 표면에서 제 1 방향(y)으로 편향 및 포커싱하며, 상기 하나이상의 레이저 광선의 광학 파워를 하나이상의 데이터베이스 내의 데이터에 따라 변조하고, 상기 소재에 대하여 제 1 방향(y)으로 단계적으로 상기 이동가능한 캐리지를 포함하는 가이딩 레일을 이동시키며, 상기 제 1 방향(y)에 수직한 제 2 방향(x)으로 상기 소재에 대하여 상기 광학 헤드를 포함하는 캐리지를 연속적으로 이동시키고, 그리고 상기 소재를 고정된 위치에 유지하면서 상기 고정밀 패턴을 노출시키는 단계들을 포함한다. 본 발명은 또한 큰 면적의 소재를 패턴처리하는 장치에 관한 것이다.

Description

패턴 생성 방법{PATTERN GENERATION METHOD}
본 발명은 기판을 노출시키는 방법 및 장치에 관한 것으로, 특히 인쇄회로기판, 아트워크, LCD, PDP, 또는 TFT-디스플레이용 마스크 등과 같은 큰 기판에 레이저 리소그래피에 의하여 패턴을 형성하는 것과 관련된다.
마스크를 제작할 때, 패턴은 수정과 같은 투명 기판 위에 가령, 크롬의 불투명한 필름 상의 포토레지스트에 노출된다. 성장 및 에치 공정에서, 노출된 영역에 있는 레지스트는 제거되고 그리고 보호되지 않은 크롬은 크롬 에천트(etchant)에 의해 용해된다. 그 결과는 불투명한 크롬에 패턴을 갖는 유리판이 되고, 이는 LCD, PDP 또는 TFT 디스플레이의 유리판에 가령, 도체 패턴을 생성하도록 광학 접촉 또는 프로젝션 마스크로 사용된다. 상기 유리판은 포토레지스트 또는 에멀션으로 코팅되고 광학 크롬 마스크를 통해 노출된다. 이러한 방식으로, 매우 복잡한 패턴이 상기 마스크 위에 라이팅(writing)될 수 있고 적절한 생산 비용으로 큰 부피의 유리판으로 재생될 수 있다.
큰 면적 또는 평판 LCD, PDP 또는 TFT-디스플레이는 두 개의 특성을 갖는다: 큰 사이즈에 대한 수요가 지속적으로 증가하고 있고(현재 1900×1200mm) 향후 더 큰 사이즈에 대한 수요가 있으며, 고정밀 치수가 필요하다. 각각의 이미지 소자에서 활성 트랜지스터를 갖는 이른바 활성 매트릭스 디스플레이에서, 복잡도 및 필요한 정확도가 매우 높다. 600nm의 사이즈까지의 소자들이 라이팅되어야 하며, 최대 가능한 구조적 오차는 0.03ppm, 즉 1900×1200mm 판의 작은 방향에서 대략 40nm 정도가 된다.
본 발명의 추가 응용예는 직접 노출에 대한 것으로, 즉 마스크를 제작하는 중간 단계가 없이 상기 디스플레이에서 사용되는 유리판 위에 직접 노출하는 것에 관련된다.
대형 디스플레이를 제작하기 위한 일반적인 노출 도구(tools)는 고정된 라이팅 헤드 또는 이동하는 라이팅 헤드 아래에서 x 및/또는 y 방향으로 이동하는 단계를 갖는다(미국 특허 4,445,485 및 미국 특허 5,495,279). 그러나, 상기 머신의 사이즈는 제작 및 운송 과정에서뿐만 아니라 동작과정에서도 중요한 경제적 변수인데, 그 이유는 플로어 공간(floor space)이 비싼 입자 자유 환경에서 동작되어야 하기 때문이다. 큰 부피를 갖는 패턴 생성기에서의 또 다른 문제는 라이팅 챔버(writing chamber)의 온도를 제어하고 안정화하는 것이다. 라이팅 챔버에서의 온도 변화는 인쇄된 패턴의 품질 및 중요 치수 제어에 영향을 줄 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 장치의 한 실시예를 보여준다.
도 2는 광학 시스템의 제 1 실시예를 보여준다.
도 3은 광학 시스템의 제 2 실시예를 보여준다.
도 4는 가우시안 레이저 빔의 허리(waist) 및 파면(wave fronts)을 보여준다.
따라서, 본 발명의 목적은 앞서 설명된 문제를 없애거나 최소한 줄이는 방법을 제공하는 것이다.
이 목적은 본 발명의 제 1 태양에 따르는 것으로, 청구항 제 1, 2, 5, 13, 14, 17 항에서 각각 설명된 고정밀도 패턴을 노출하는 방법 및 장치에 의해 구현될 수 있다.
본 발명은 또한 청구항 제 3, 4, 6, 15, 16, 18 항에 각각 설명되는 큰 면적의 소재를 패턴처리하기 위한 방법 및 장치에 관련된다.
일부 선호되는 실시예는 아날로그 SLM(spatial light modulator)에 대하여 설명된다. 아날로그 SLM 이외에 다른 SLM이 동일하게 적용될 경우가 있는데, 가령 텍사스 인스트루먼트사에서 제작된 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD)와 같은 디지털 SLM이 있을 수 있다. 추가적으로, 반사형 또는 투과성 픽셀로 구성될 수 있다. 또한, 선호되는 실시예는 엑시머(excimer) 레이저 소스에 대하여 설명된다. 엑시머 레이저 이외에 펄스형 전자기 방사선 소스(가령, Nd-YAG 레이저, 이온 레이저, Ti 사파이어 레이저, 자유 전자 레이저 또는 다른 펄스형 기본 주파수 레이저, 플래시 램프, 레이저 플라즈마 소스, 싱크로트론 라이트(synchrotron light) 소스 등)가 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예를 보여준다. 이 실시예에서, 지지용 구조물(13)은 소재(10)를 운반한다. 상기 소재(10) 위에 대상 픽셀을 생성하기 위한 광학 시스템(2) 및 최종 렌즈(3)를 포함하는 라이팅 헤드(writing head)는 캐리지(carriage)(14) 위에 배치됨으로써 가이딩 레일(16)을 따라 x 방향(15)으로 미끄러진다. 상기 캐리지(14)와 함께 움직이는 부품은 도 1에 도시되어 있다. 상기 가이딩 레일(16)은 y 방향(9)으로 이동한다. 한 실시예에서, 상기 가이딩 레일은 단계적으로 이동되고 그리고 상기 캐리지(14)는 연속적으로 이동하며, 이때 단계적인 이동은 느린 이동에 상응하고 그리고 연속적인 이동은 빠른 이동에 상응한다. 또 다른 실시예에서, 상기 가이딩 레일(16)은 연속적으로 이동되고, 상기 캐리지(14)는 단계적으로 이동한다. 역시 또 다른 실시예에서 상기 가이딩 레일(16)은 연속적으로 이동되고, 상기 캐리지(14)도 연속적으로 이동한다. 설명된 실시예에서, 상기 소재(10)는 고정된 위치에 유지되면서 동일한 것을 패턴처리한다. 상기 지지용 구조물(13)은 진동 댐핑(damping) 구조물(18) 위에 배치된다. 상기 진동 댐핑 구조물은 고밀도의 물질로 만들어지는 것이 선호되고 그리고 진동의 추가 댐핑을 위해 공기 쿠션에 의하여 지지될 수도 있다.
도 1에서, 상기 가이딩 레일의 먼 쪽의 단부 레그는 생략되어 있다. 상기 광학 시스템(2)은 주사선을 생성하는데, 다시 말해서 일반적으로 수백 개의 픽셀이 상기 가이딩 레일을 따르는 x 위치에서 y 방향으로 라이팅된다. 수많은 주사선은 스트립(strip)을 형성할 것이다. 완전한 패턴은 선택되는 라이팅 방법에 따라 부분적으로 서로 중첩되거나 혹은 부분적으로 서로 중첩되지 않는 수많은 스트립을 포함한다. 상기 광학 시스템은 한 실시예에서 도 2와 같이 변조기(90) 및 편향기(95)를 포함한다. 상기 변조기(90)는 조명 시간을 변화시키고 그리고/또는 상기 소스(17)로부터 전자기 방사선의 세기를 변화시키는데 사용된다. 상기 변조기는 가령, 종래의 음향 광학 변조기이거나 또는 동일한 기능을 갖는 다른 변조기일 수 있다. 상기 편향기는 상기 스트립을 생성하기 위하여 방사선을 편향시키는데 사용된다. 상기 편향기는 음향 광학 편향기일 수 있다. 상기 변조기에 연결될 수 있는 픽셀 클럭은 50MHz 주파수를 사용할 수 있다. 주사선의 길이는 즉 스트립의 폭은 200㎛일 수 있다. 상기 주사선은 대략 800개의 픽셀을 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 상기 광학 헤드는 상기 편향기(95)만을 포함한다. 상기 실시예에서 변조기(90)는 상기 레이저 소스(17)로부터 고정된 위치에 배치된다.
또 다른 실시예에서는, 도 3과 같이 광학 시스템(2)이 SLM(80), 빔 분할기(81), 복합 튜브 렌즈(82), 및 공간 필터(85)를 포함한다. 도 3과 같은 광학적 구성에서, 상기 SLM은 아날로그 모드에서 작동될 수 있다. 상기 복합 튜브 렌즈(82) 및 공간 필터(85)는 함께 소위 푸리에 필터를 형성한다. 상기 복합 튜브 렌즈(82)는 상기 공간 필터(85) 위로 회절된 패턴을 투영한다. 상기 최종 렌즈(3)는 복합 최종 렌즈가 될 수 있으며 상기 소재(10) 위에 공간 이미지를 형성한다.
상기 공간 필터(85)는 한 실시예에서 판 내부의 개구부가 된다. 상기 개구부는 제 1 순서 및 높은 회절 차수로 회절되는 모든 회절 순서를 차단하도록 크기 및 위치가 정해지고, 이때 상기 개구부는 상기 복합 튜브 렌즈(82)로부터 초점거리에 있을 수 있다. 반사된 방사선은 상기 튜브 렌즈(82)에 의해 초평면에 모아지고, 이때 상기 초평면은 동시에 상기 최종 렌즈 배열의 동공면(pupil plane)으로 작용한다. 상기 개구부는 가령, 상기 SLM(80) 내의 마이크로미러와 같이 어드레싱된 픽셀로부터 상기 제 1 및 높은 회절 차수로부터 상기 방사선을 제거하지만, 반면에 어드레싱되지 않은(non-addressing) 미러 표면으로부터의 방사선은 상기 개구부를 통과할 수 있다. 그 결과 종래의 리소그래피와 같이 상기 소재(10) 위에는 변조된 세기의 공간 이미지가 존재한다. 최적의 어두운 이미지 영역에서, 회절 패턴은 영차(zero order)에서의 방사선이 없이 상기 제 1 및 높은 회절 차수에서의 방사선만을 포함해야 한다.
상기 SLM을 이용하여, 서로 중첩되거나 중첩되지 않은 스티칭된(stitched) 스탬프의 패턴이 형성된다. 스탬프(stamp)는 상기 소재가 배열되는 이미지 평면에서 상기 SLM의 이미지로 정의된다. 상기 패턴은 하나 또는 다수의 노출을 이용하여 형성될 수 있다. 다수의 노출을 이용하면, 제 1 노출에서의 스탬프는 제 2 노출에서의 스탬프에 대하여 적어도 하나의 방향으로 병진이동될 수 있다.
한 실시예에서, 상기 광학 시스템(2)은 다수의 SLM 칩을 포함할 수 있다. 상기 SLM은 서로 이웃하여 배열될 수 있다. 한 SLM에 있는 픽셀의 수는 또 다른 SLM에 있는 픽셀의 수와 다를 수 있어서, 다른 픽셀 구조를 갖는 SLM들을 서로 이웃하여 배열하는 것이 가능하다.
상기 방사선은 상기 가이딩 레일에 고정 장착되거나 혹은 상기 가이딩 레일로부터 분리되어 있는 레이저 소스(17)에 의해 생성될 수 있다. 상기 방사선은 상기 가이딩 레일(16)에 평행한 방향으로 광학 시스템(19)에 의해 확대되고, 조준되고, 균질화되고(homogenized) 그리고 발사됨으로써, 상기 가이딩 레일을 따라 이동하는 동안 측면 위치, 각도 및 단면적에 변화가 없이 상기 캐리지(14) 상의 픽업 광학계(pick up optics)(21)를 때리게 된다.
상기 레이저 소스는 도 2에서와 같이 상기 광학 시스템(2)이 변조기 및 편향기를 포함할 때 연속적인 레이저 소스가 될 수 있고 그리고 도 3에서와 같이 상기 광학 시스템(2)이 SLM을 포함할 때 펄스형 엑시머 레이저가 될 수 있다. 상기 레이저의 파장은 상기 SLM을 이용하면 UV, DUV 또는 EUV가 될 수 있다. EUV의 경우, 모든 광학계는 어떠한 물질도 EUV 방사선을 굴절시킬 수 없기 때문에 굴절성 보다는 반사성이 되어야 한다.
상기 소재와 함께 상기 가이딩 레일(16)은 당업자에게 알려진 종래의 방식으로 간섭계를 사용하여 배열될 수 있어서, 추가로 설명될 필요가 없다. 상기 소재(10)는 적절한 방식으로 가령 압전 구동기가 상기 지지용 구조물(13)의 적어도 한 단부 위에 배열되는 방식으로 병진이동된다.
도 4는 빔을 상기 이동하는 가이딩 레일(16) 및 상기 이동하는 캐리지(14) 방향으로 발사하기 전에 상기 빔의 확대를 설명하고 있다. 양질의 레이저 빔(20)은 가우시안 허리(68)를 가지며, 이때 상기 가우시안 허리(68)에서 빔의 직경은 최소에 있다. 상기 허리(68)에서 상기 빔의 파면(67)은 평평하지만, 상기 허리(68)로부터 멀어질수록 파면(60)은 굽어진다. 이는 상기 허리 및 상기 허리로부터 유한한 거리에서 무한대의 소스 거리에 상응한다. 상기 소스 거리는 포커싱 렌즈(3) 이후의 초점 위치에 영향을 준다. 상기 광학 시스템(2) 및 상기 최종 렌즈(3)를 장착한 상기 캐리지(14)는 상기 레일(16)을 따라 미끄러질 때, 상기 파면의 곡률은 변화되고, 따라서 초점은 상기 레이저 소스(17)로부터 멀리 떨어져 상기 소재(10) 아래에 있고 또한 상기 레이저 소스(17)에 가까이 상기 소재(10) 위에 있다. 레이저가 상기 가이딩 레일에 고정되지 않을 때는 앞선 실시예와 같이, 상기 레이저 소스로부터 상기 가이딩 레일까지의 거리 및 상기 캐리지를 고려해야 한다. 곡률 변화는 파장 및 상기 허리(68)에서의 직경에 의해 결정되고, 레이저 빔이 확대되지 않는 경우 유용한 범위(69)는 상기 캐리지 및/또는 상기 가이딩 레일의 기계적 스트로크(stroke)보다 작을 것이다. 빔 확대기(19) 이후에 상기 허리(68)가 확대되는 경우, 파면은 모든 곳에서 플래터링(flattering)하고, 초점 이동은 보다 작아지며 상기 유용한 범위는 상기 가이딩 레일과 상기 캐리지의 합쳐진 기계적 스트로크보다 크다.
도 1에서, 상기 소재(10)는 x-y 평면과 평행하게 배열된다. 상기 x-y 평면은 수평면 또는 수직면이 될 수 있다. 상기 x-y 평면이 수직면과 평행할 때, 상기 소재는 스탠딩(standing) 기판으로 일컬어진다. 스탠딩 기판을 가진 장치는 수평 기판을 갖는 기계보다 작은 청정실 면적, 풋프린트(footprint)를 필요로 하지만 두 실시예 모두 종래의 기계보다 작은 청정실 면적을 필요로 한다. 스탠딩 기판(10) 일 때, 상기 기판은 오염에 적게 민감한데, 그 이유는 낙하하는 입자에 대하여 노출되는 면적이 수평면과 평행한 기판에 비해 상당히 감소되기 때문이다. 또 다른 실시예에서, 상기 기판은 상기 수평면으로부터 0-90°사이의 각도로 기울어진다.
스탠딩 기판에 따른 또 다른 특징은 소위 새그(sag)로서, 수평면과 평행한 기판을 가질 때 필연적이며, 수직면과 평행한 기판을 가질 때는 다소 제거될 수 있는 것이다. 새그는 무게로 인한 상기 소재의 변형으로 정의된다. 새그의 형태는 기판에 대한 지지용 구조물의 형태, 지지용 구조물의 수, 및 상기 기판 자체의 크기 및 구조에 따른다.
스테핑(stepping) 모터 또는 선형 모터는 상기 가이딩 레일을 이동시킬 수 있다. 상기 가이딩 레일(16)의 각 레그 아래에는 하나의 에어 베어링(air bearing)이 있을 수 있다. 또 다른 실시예에서, 상기 가이딩 레일의 상기 레그는 서로 연결되어 프레임 구조물을 형성하는데, 이 프레임 구조물은 상기 캐리지가 x 방향으로 이동되는 상부 부분 및 y 방향을 따르는 상기 에어 베어링이 포함된 하부 부분을 갖는다다. 상기 하부 부분은 상기 진동 댐핑 구조물(18) 아래에 있어서, 상기 프레임 구조물의 비어있는(hollow) 부분은 상기 소재 위의 상부 부분과 상기 소재 아래의 하부 부분을 갖는 상기 소재 위로 이동할 것이다.
상기 가이딩 레일 또는 상기 지지용 구조물(13)에는 미세한 위치설정이 존재할 수 있다. 상기 미세한 위치설정은 기계적 및 전자적 서보(servos) 형태가 될 수 있다. 한 실시예에서는, 상기 이동을 y 방향으로 실시하도록 상기 가이딩 레일 위에서 동작하는 두 개의 선형 모터가 있다. 상기 선형 모터는 상기 가이딩 레일을 회전시키도록 상기 미세한 위치설정을 실시할 수 있다. 상기 회전은 y 방향의 이동을 위해 상기 가이딩 레일에 부착된 상기 에어 베어링에 의해 제한될 수 있다.
상기 지지용 구조물(13)의 단부에는 상기 지지용 구조물(13)을 y 방향으로 옮기는 압전 구동기가 부착될 수 있다. 상기 구동기는 간섭계 및 피드백 회로(간섭계에 의하여 상기 가이딩 레일(16)의 위치에 대한 상기 지지용 구조물의 위치를 감지함)를 포함하는 제어 시스템으로부터 아날로그 전압에 의해 구동될 수 있다. 또한 상기 구동기는 상기 스테핑 모터에서 제한된 분해능(resolution)을 보정하고 그리고 상기 가이딩 레일의 비직선(non-straight) 이동을 보정한다. 각각의 구동기는 100㎛의 이동 범위를 가질 수 있다.
상기 가이딩 레일의 상기 비직선 이동을 상기 지지용 구조물(13)에 부착된 구동기에 의하여 보상하는 대신에, 상기 스테핑 모터나 선형 모터의 제한된 분해능이 보상되도록 상기 가이딩 레일 자체를 조정할 수 있다. 유사한 방식으로 구동기는 상기 가이딩 레일에 부착될 수 있고 그리고 간섭계에 의하여 상기 가이딩 레일에 대한 상기 지지용 구조물의 위치는 지속적으로 모니터될 수 있다.
도 1에서 상기 캐리지(14)는 에어 베어링(22) 위에서 상기 가이딩 레일(16)을 따라 미끄러진다. 상기 캐리지(14)는 선형 전기 모터(23)에 의해 구동될 수 있으며 전기 케이블 및 에어 공급 튜브가 없다면 상기 레일(16)과 상기 캐리지(14) 사이에는 어떠한 물리적 접촉도 없다. 상기 캐리지에 작용하는 유일한 힘은 비접촉식 모터(23) 및 관성으로부터 나온다.
상기 가이딩 레일(16)의 직선도(straightness)에 관한 오차를 보상하기 위해서, 캘리브레이션이 가능하다. 상기 기계를 조립한 이후에 시험판에 라이팅하고 그리고 라이팅 오차를 측정해야 한다. 상기 오차는 캘리브레이션 파일에 저장되고 후속 라이팅 동안 보상으로서 상기 제어 시스템에 공급된다.
상기 최종 렌즈(3) 바로 위에 장착된 상기 광학 시스템(2) 내부의 상기 음향 광학 편향기는 주사선을 형성할 수 있다. 픽셀은 300×300nm일 수 있고 각 주사선은 200㎛ 폭일 수 있다. 상기 렌즈는 초점길이가 4mm이고 NA=0.14인 플랫-필드(flat-field) 보정된 렌즈가 될 수 있다.
x 방향에서의 미세한 위치설정은 상기 최종 렌즈(3)가 올바른 위치에 있을 때 스캔 시작점(start-of-scan) 펄스의 타이밍을 바탕으로 할 수 있다. y 방향에서는 앞서 설명된 기계적 서보가 데이터-릴레이 특징부에 의해 보충될 수 있고, 상기 데이터-중계 특징부는 DE 40 22 732 A1에 설명된 음향 광학 스캔을 따라서 데이터를 이동시킨다. 이는 위치 제어의 대역폭을 100Hz 이상으로 증가시키는 관성없는 피드 포워드(feed forward) 제어 시스템에 상응한다.
상기 캐리지의 스트로크에서 허용가능한 각도는 10마이크로 라디안(radians)보다 작고, 상기 스트로크를 따라서 어떠한 초점 이동도 있어서는 안 된다. 이것은 수많은 방법으로 해결될 수 있다. 첫째, 상기 캐리지(14)는 고강도로 프리로딩된(preloaded) 에어 베어링 상에서 이동되고, 따라서 상기 가이딩 레일(16)에 대한 상기 캐리지(14)의 위치는 외부 공기 압력 및 온도와 무관하게 정의된다. 불완전한 가이딩 레일은 상기 주사선을 따라서 라이팅 오차를 제공할 수 있다. 그러나, 이러한 오차는 캘리브레이션 동안 측정될 수 있고, 라이팅 동안 보상을 위해 보정 곡선으로 저장되어 위치 피드백 시스템으로 공급된다. 초점은 광학계(19)를 조준하고 빔 형성하여 상기 레이저 빔을 조작하여 일정하게 유지된다.
도 2에 표시된 바와 같이 광학 시스템을 이용하면, 상기 레이저 빔은 상기 광학 시스템 내의 빔 분할기(도시되지 않음)에 의하여 다수의 빔으로 분할될 수 있다.
본 발명에 따른 선호되는 실시예는 1900×1200mm까지의 패턴에 대한 라이터이다. 본 발명에 따른 또 다른 선호되는 실시예에서, 라이터는 2100×1500mm까지의 패턴에 대한 것이다. 상기 진동 댐핑 구조물은 화강암 블록에 의해 형성될 수 있고 라이팅될 패턴의 사이즈보다 다소 큰 치수를 갖는다.

Claims (24)

  1. 하나이상의 레이저 광선을 큰 면적의 소재 위로 포커싱함으로써 고정밀 패턴을 노출시키는 방법에 있어서, 이때 상기 소재는 상기 레이저 광선의 파장에서 감광성이고, 그리고 상기 방법은
    - 패턴에서 기하학적 요소를 설명하는 하나이상의 데이터베이스를 제공하고,
    - 이동가능한 캐리지에 장착된 광학 헤드에 의하여, 상기 하나이상의 광선을 상기 소재 위 표면에서 제 1 방향(y)으로 편향 및 포커싱하며,
    - 상기 하나이상의 레이저 광선의 광학 파워를 하나이상의 데이터베이스 내의 데이터에 따라 변조하고,
    - 상기 소재에 대하여 제 1 방향(y)으로 단계적으로 상기 이동가능한 캐리지를 포함하는 가이딩 레일을 이동시키며,
    - 상기 소재에 대하여 상기 광학 헤드를 포함하는 캐리지를 제 2 방향(x)으로 상기 제 1 방향(y)에 대하여 수직으로 연속적으로 이동시키고, 그리고
    - 상기 소재를 고정된 위치에 유지하면서 상기 고정밀 패턴을 노출시키는
    단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 고정밀 패턴 노출 방법.
  2. 하나이상의 레이저 광선을 큰 면적의 소재 위로 포커싱함으로써 고정밀 패턴을 노출시키는 방법에 있어서, 이때 상기 소재는 상기 레이저 광선의 파장에서 감광성이고, 그리고 상기 방법은
    - 패턴에서 기하학적 요소를 설명하는 하나이상의 데이터베이스를 제공하고,
    - 이동가능한 캐리지에 장착된 광학 헤드에 의하여, 상기 하나이상의 광선을 상기 소재 위 표면에서 제 1 방향(y)으로 편향 및 포커싱하며,
    - 상기 하나이상의 레이저 광선의 광학 파워를 하나이상의 데이터베이스 내의 데이터에 따라 변조하고,
    - 상기 소재에 대하여 제 1 방향(y)으로 단계적으로 상기 이동가능한 캐리지를 포함하는 가이딩 레일을 연속적으로 이동시키며,
    - 상기 소재에 대하여 상기 광학 헤드를 포함하는 캐리지를 제 2 방향(x)으로 상기 제 1 방향(y)에 대하여 수직으로 이동시키고, 그리고
    - 상기 소재를 고정된 위치에 유지하면서 상기 고정밀 패턴을 노출시키는
    단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 고정밀 패턴 노출 방법.
  3. 이미지 평면에 배열되고 전자기 방사선에 민감한 큰 면적의 소재를 패턴처리하는 방법에 있어서, 상기 방법은
    - 전자기 방사선을 방출하는 소스를 대상면에 제공하고,
    - 다수의 대상 픽셀을 포함하는 하나이상의 SLM을 제공하고, 이때 상기 SLM은 상기 대상면에서 상기 전자기 방사선을 수신하고 그리고 상기 전자기 방사선을 상기 소재를 향해 중계하며,
    - 상기 소재에 대하여 상기 SLM을 포함하는 이동가능한 캐리지를 제 1 방향(x)으로 연속적으로 이동시키고,
    - 상기 이동가능한 캐리지를 포함하는 가이딩 레일을 상기 소재에 대하여 제 2 방향(y)으로 상기 제 1 방향(x)에 대하여 수직으로 단계적으로 이동시키고, 그리고
    - 상기 소재를 고정된 위치에 유지하면서 상기 고정밀 패턴을 노출시키는
    단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 큰 면적의 소재를 패턴처리하는 방법.
  4. 이미지 평면에 배열되고 전자기 방사선에 민감한 큰 면적의 소재를 패턴처리하는 방법에 있어서, 상기 방법은
    - 전자기 방사선을 방출하는 소스를 대상면에 제공하고,
    - 다수의 대상 픽셀을 포함하는 하나이상의 SLM을 제공하고, 이때 상기 SLM은 상기 대상면에서 상기 전자기 방사선을 수신하고 그리고 상기 전자기 방사선을 상기 소재를 향해 중계하며,
    - 상기 SLM을 포함하는 이동가능한 캐리지를 상기 소재에 대하여 제 1 방향(x)으로 단계적으로 이동시키고,
    - 상기 이동가능한 캐리지를 포함하는 가이딩 레일을 상기 소재에 대하여 제 2 방향(y)으로 상기 제 1 방향(x)에 대하여 수직으로 단계적으로 이동시키고, 그리고
    - 상기 소재를 고정된 위치에 유지하면서 상기 고정밀 패턴을 노출시키는
    단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 큰 면적의 소재를 패턴처리하는 방법.
  5. 하나이상의 레이저 광선을 큰 면적의 소재 위로 포커싱함으로써 고정밀 패턴을 노출시키는 방법에 있어서, 이때 상기 소재는 상기 레이저 광선의 파장에서 감광성이고, 그리고 상기 방법은
    - 패턴에서 기하학적 요소를 설명하는 하나이상의 데이터베이스를 제공하고,
    - 이동가능한 캐리지에 장착된 광학 헤드에 의하여, 상기 하나이상의 광선을 상기 소재의 표면에서 제 1 방향(y)으로 편향 및 포커싱하며,
    - 상기 하나이상의 레이저 광선의 광학 파워를 하나이상의 데이터베이스 내의 데이터에 따라 변조하고,
    - 상기 소재에 대하여 제 1 방향(y)으로 연속적으로 상기 이동가능한 캐리지를 포함하는 가이딩 레일을 이동시키며,
    - 상기 소재에 대하여 상기 광학 헤드를 포함하는 캐리지를 제 2 방향(x)으로 상기 제 1 방향(y)에 대하여 수직으로 연속적으로 이동시키고, 그리고
    - 상기 소재를 고정된 위치에 유지하면서 상기 고정밀 패턴을 노출시키는
    단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 고정밀 패턴 노출 방법.
  6. 이미지 평면에 배열되고 전자기 방사선에 민감한 큰 면적의 소재를 패턴처리하는 방법에 있어서, 상기 방법은
    - 전자기 방사선을 방출하는 소스를 대상면에 제공하고,
    - 다수의 대상 픽셀을 포함하는 하나이상의 SLM을 제공하고, 이때 상기 SLM은 상기 대상면에서 상기 전자기 방사선을 수신하고 그리고 상기 전자기 방사선을 상기 소재를 향해 중계하며,
    - 상기 소재에 대하여 상기 SLM을 포함하는 이동가능한 캐리지를 제 1 방향(x)으로 연속적으로 이동시키고,
    - 상기 이동가능한 캐리지를 포함하는 가이딩 레일을 상기 소재에 대하여 제 2 방향(y)으로 상기 제 1 방향(x)에 대하여 수직으로 연속적으로 이동시키고, 그리고
    - 상기 소재를 고정된 위치에 유지하면서 상기 고정밀 패턴을 노출시키는
    단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 큰 면적의 소재를 패턴처리하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 이때 상기 소재는 노출 동안 수평 방향으로 고정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 이때 상기 소재는 노출 동안 수직 방향으로 고정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 이때 상기 레이저는 상기 가이딩 레일에 고정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 이때 상기 레이저는 상기 가이딩 레일로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 이때 상기 캐리지는 상기 광학 파워를 변조시키기 위한 변조기를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 이때 상기 광학 파워를 변조시키기 위한 변조기는 상기 하나이상의 레이저 빔을 방출하는 레이저 소스에 고정된 거리에서 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 하나이상의 레이저 광선을 큰 면적의 소재 위로 포커싱함으로써 고정밀 패턴을 노출시키는 장치에 있어서, 이때 상기 소재는 상기 레이저 광선의 파장에서 감광성이고, 그리고 상기 장치는
    - 패턴에서 기하학적 요소를 설명하는 하나이상의 데이터베이스,
    - 이동가능한 캐리지에 장착된 광학 헤드에 의하여, 상기 하나이상의 광선을 상기 소재 위 표면에서 제 1 방향(y)으로 편향 및 포커싱하는 편향기,
    - 상기 하나이상의 레이저 광선의 광학 파워를 하나이상의 데이터베이스 내의 데이터에 따라 변조하는 변조기,
    - 상기 소재에 대하여 제 1 방향(y)으로 단계적으로 이동할 수 있는 상기 이동가능한 캐리지를 포함하는 가이딩 레일로서, 이때 상기 광학 헤드를 포함하는 상기 캐리지는 상기 소재에 대하여 제 1 방향(y)에 수직한 제 2 방향(x)으로 연속적으로 이동하고, 그리고 이때 상기 소재는 고정된 위치에 유지되면서 상기 고정밀 패턴을 노출시키는 상기 가이딩 레일
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 고정밀 패턴 노출 장치.
  14. 하나이상의 레이저 광선을 큰 면적의 소재 위로 포커싱함으로써 고정밀 패턴을 노출시키는 장치에 있어서, 이때 상기 소재는 상기 레이저 광선의 파장에서 감광성이고, 그리고 상기 장치는
    - 패턴에서 기하학적 요소를 설명하는 하나이상의 데이터베이스,
    - 이동가능한 캐리지에 장착된 광학 헤드에 의하여, 상기 하나이상의 광선을 상기 소재 위 표면에서 제 1 방향(y)으로 편향 및 포커싱하는 편향기,
    - 상기 하나이상의 레이저 광선의 광학 파워를 하나이상의 데이터베이스 내의 데이터에 따라 변조하는 변조기,
    - 상기 소재에 대하여 제 1 방향(y)으로 연속적으로 이동할 수 있는 상기 이동가능한 캐리지를 포함하는 가이딩 레일로서, 이때 상기 광학 헤드를 포함하는 상기 캐리지는 상기 소재에 대하여 제 1 방향(y)에 수직한 제 2 방향(x)으로 단계적으로 이동하고, 그리고 이때 상기 소재는 고정된 위치에 유지되면서 상기 고정밀 패턴을 노출시키는 상기 가이딩 레일
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 고정밀 패턴 노출 장치.
  15. 이미지 평면에 배열되고 전자기 방사선에 민감한 큰 면적의 소재를 패턴처리하는 장치에 있어서, 상기 장치는
    - 전자기 방사선을 대상면 위로 방출하는 소스,
    - 다수의 대상 픽셀을 포함하는 하나이상의 SLM으로서, 이때 상기 SLM은 상기 대상면에서 상기 전자기 방사선을 수신하고 그리고 상기 전자기 방사선을 상기 소재를 향해 중계하는 상기 SLM,
    - 상기 소재에 대하여 제 1 방향(x)으로 연속적으로 이동할 수 있는 상기 SLM을 포함하는 이동가능한 캐리지로서, 이때 상기 이동가능한 캐리지를 포함하는 가이딩 레일은 상기 소재에 대하여 제 2 방향(y)으로 상기 제 1 방향(x)에 수직으로 단계적으로 이동할 수 있고, 그리고 이때 상기 소재는 고정된 위치에 유지되면서 상기 고정밀 패턴을 노출시키는 상기 이동가능한 캐리지
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 큰 면적의 소재를 패턴처리하는 장치.
  16. 이미지 평면에 배열되고 전자기 방사선에 민감한 큰 면적의 소재를 패턴처리하는 장치에 있어서, 상기 장치는
    - 전자기 방사선을 대상면 위로 방출하는 소스,
    - 다수의 대상 픽셀을 포함하는 하나이상의 SLM으로서, 이때 상기 SLM은 상기 대상면에서 상기 전자기 방사선을 수신하고 그리고 상기 전자기 방사선을 상기 소재를 향해 중계하는 상기 SLM,
    - 상기 소재에 대하여 제 1 방향(x)으로 단계적으로 이동할 수 있는 상기 SLM을 포함하는 이동가능한 캐리지로서, 이때 상기 이동가능한 캐리지를 포함하는 가이딩 레일은 상기 소재에 대하여 제 2 방향(y)으로 상기 제 1 방향(x)에 수직으로 연속적으로 이동할 수 있고, 그리고 이때 상기 소재는 고정된 위치에 유지되면서 상기 고정밀 패턴을 노출시키는 상기 이동가능한 캐리지
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 큰 면적의 소재를 패턴처리하는 장치.
  17. 하나이상의 레이저 광선을 큰 면적의 소재 위로 포커싱함으로써 고정밀 패턴을 노출시키는 장치에 있어서, 이때 상기 소재는 상기 레이저 광선의 파장에서 감광성이고, 그리고 상기 장치는
    - 기하학적 요소를 패턴 내에 설명하는 하나이상의 데이터베이스,
    - 이동가능한 캐리지에 장착된 광학 헤드에 의하여, 상기 하나이상의 광선을 상기 소재 위 표면에서 제 1 방향(y)으로 편향 및 포커싱하는 편향기,
    - 상기 하나이상의 레이저 광선의 광학 파워를 하나이상의 데이터베이스 내의 데이터에 따라 변조하는 변조기,
    - 상기 소재에 대하여 제 1 방향(y)으로 연속적으로 이동할 수 있는 상기 이동가능한 캐리지를 포함하는 가이딩 레일로서, 이때 상기 광학 헤드를 포함하는 상기 캐리지는 제 1 방향(y)에 수직한 제 2 방향(x)으로 상기 소재에 대하여 연속적으로 이동하고, 그리고 이때 상기 소재는 고정된 위치에 유지되면서 상기 고정밀 패턴을 노출시키는 상기 가이딩 레일
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 고정밀 패턴 노출 장치.
  18. 이미지 평면에 배열되고 전자기 방사선에 민감한 큰 면적의 소재를 패턴처리하는 장치에 있어서, 상기 장치는
    - 전자기 방사선을 대상면 위로 방출하는 소스,
    - 다수의 대상 픽셀을 포함하는 하나이상의 SLM으로서, 이때 상기 SLM은 상기 대상면에서 상기 전자기 방사선을 수신하고 그리고 상기 전자기 방사선을 상기 소재를 향해 중계하는 상기 SLM,
    - 상기 소재에 대하여 제 1 방향(x)으로 연속적으로 이동할 수 있는 상기 SLM을 포함하는 이동가능한 캐리지로서, 이때 상기 이동가능한 캐리지를 포함하는 가이딩 레일은 상기 소재에 대하여 제 2 방향(y)으로 상기 제 1 방향(x)에 수직으로 연속적으로 이동할 수 있고, 그리고 이때 상기 소재는 고정된 위치에 유지되면서 상기 고정밀 패턴을 노출시키는 상기 이동가능한 캐리지
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 큰 면적의 소재를 패턴처리하는 장치.
  19. 제 13 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서, 이때 상기 소재는 노출 동안 수평 방향으로 고정되는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제 13 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서, 이때 상기 소재는 노출 동안 수직 방향으로 고정되는 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 제 13 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서, 이때 상기 레이저는 상기 가이딩 레일에 고정되는 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 제 13 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서, 이때 상기 레이저는 상기 가이딩 레일로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 장치.
  23. 제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 이때 상기 캐리지는 상기 광학 파워를 변조시키기 위한 변조기를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  24. 제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 이때 상기 광학 파워를 변조시키기 위한 변조기는 상기 하나이상의 레이저 빔을 방출하는 레이저 소스에 고정된 거리에서 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
KR1020057012247A 2003-02-20 2004-02-20 패턴 생성 방법 KR20050099609A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0300453-8 2003-02-20
SE0300453A SE0300453D0 (sv) 2003-02-20 2003-02-20 Pattern generation method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050099609A true KR20050099609A (ko) 2005-10-14

Family

ID=20290453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057012247A KR20050099609A (ko) 2003-02-20 2004-02-20 패턴 생성 방법

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7488957B2 (ko)
EP (1) EP1595184A1 (ko)
JP (1) JP2006518484A (ko)
KR (1) KR20050099609A (ko)
CN (1) CN1751273A (ko)
SE (1) SE0300453D0 (ko)
WO (1) WO2004074940A1 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE0300453D0 (sv) 2003-02-20 2003-02-20 Micronic Laser Systems Ab Pattern generation method
US7501601B2 (en) * 2003-09-03 2009-03-10 Xenetech U.S.A., Inc. Automated laser engraver
US7388663B2 (en) * 2004-10-28 2008-06-17 Asml Netherlands B.V. Optical position assessment apparatus and method
DE102006008075A1 (de) 2005-04-19 2006-10-26 Kleo Halbleitertechnik Gmbh & Co Kg Belichtungsanlage
DE102006008080A1 (de) * 2006-02-22 2007-08-30 Kleo Maschinenbau Ag Belichtungsanlage
JP5154178B2 (ja) * 2007-09-14 2013-02-27 ヤマザキマザック株式会社 複合加工旋盤
KR20100110996A (ko) * 2009-04-06 2010-10-14 주식회사 프로텍 그리드 이미지와 스테이지의 이동 각도 조절에 의한 레이저빔 간 피치조절 방법
DE102010010071A1 (de) * 2010-02-26 2011-09-01 Bundesdruckerei Gmbh Markierungsvorrichtung und Verfahren zum Markieren von Wert- oder Sicherheitsdokumenten unter Verwendung von Lichtleitfasern
TW201224678A (en) * 2010-11-04 2012-06-16 Orc Mfg Co Ltd Exposure device
CN102841507B (zh) * 2011-06-23 2014-06-25 虎尾科技大学 激光直写式纳米周期性结构图案制造设备
CN104364682B (zh) * 2012-05-30 2018-06-01 罗利克有限公司 具有单独构图的各向异性的元件的快速生成
US9145332B2 (en) * 2012-08-16 2015-09-29 Infineon Technologies Ag Etching apparatus and method
FR3006068B1 (fr) * 2013-05-24 2015-04-24 Saint Gobain Procede d'obtention d'un substrat
CN104459858B (zh) * 2014-12-30 2017-02-22 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种双气浮导轨式光栅刻划刀架驱动装置
US9718291B2 (en) * 2015-10-16 2017-08-01 Oce-Technologies B.V. Printer carriage support structure
CN105290664B (zh) * 2015-12-09 2017-04-19 重庆镭宝激光智能机器人制造有限公司 一种焊接机器人高精度移动装置
CN109270803B (zh) * 2018-10-22 2020-08-11 上海理工大学 一种多版并列光刻的排版系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4063103A (en) * 1975-04-11 1977-12-13 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Electron beam exposure apparatus
US4445485A (en) * 1981-11-27 1984-05-01 Chamness Jr Addison B Engine fuel system
DE4022732A1 (de) 1990-07-17 1992-02-20 Micronic Laser Systems Ab Auf einem lichtempfindlich beschichteten substrat durch fokussierte laserstrahlung hergestellte struktur sowie verfahren und vorrichtung zu ihrer herstellung
DE69226511T2 (de) * 1992-03-05 1999-01-28 Micronic Laser Systems Ab Verfahren und Vorrichtung zur Belichtung von Substraten
US6134981A (en) * 1999-12-03 2000-10-24 Nikon Research Corporation Of America Precision scanning apparatus and method with fixed and movable guide members
US5623853A (en) * 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH11237744A (ja) * 1997-12-18 1999-08-31 Sanee Giken Kk 露光装置および露光方法
US6816302B2 (en) * 1998-03-02 2004-11-09 Micronic Laser Systems Ab Pattern generator
US6816602B2 (en) * 2001-03-01 2004-11-09 Lockheed Martin Corporation System and method of deferred postal address processing
JP4320694B2 (ja) * 2001-08-08 2009-08-26 株式会社オーク製作所 多重露光描画装置および多重露光式描画方法
US7001481B2 (en) * 2001-11-30 2006-02-21 Micron Technology, Inc. Method and system providing high flux of point of use activated reactive species for semiconductor processing
SE0300453D0 (sv) 2003-02-20 2003-02-20 Micronic Laser Systems Ab Pattern generation method

Also Published As

Publication number Publication date
CN1751273A (zh) 2006-03-22
JP2006518484A (ja) 2006-08-10
US7488957B2 (en) 2009-02-10
WO2004074940A1 (en) 2004-09-02
US20080078960A1 (en) 2008-04-03
US20060027538A1 (en) 2006-02-09
EP1595184A1 (en) 2005-11-16
SE0300453D0 (sv) 2003-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7488957B2 (en) Pattern generation methods and apparatuses
JP3574156B2 (ja) 基板の露光の方法と装置
US9645502B2 (en) Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method
JP4854765B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4782820B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5037714B2 (ja) リソグラフィ装置
KR100756504B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
KR100898848B1 (ko) 다중 노출 광선 리소그래피 툴 방법
JP4389937B2 (ja) 複数の露光ビームに対する画像の品質向上
JPH05502141A (ja) 照明装置
KR100747783B1 (ko) 리소그래피 투영장치 및 디바이스 제조방법
US20070013889A1 (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby having an increase in depth of focus
JP5198381B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5336036B2 (ja) 描画システム
KR100666741B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP4376227B2 (ja) リソグラフィ装置用投影装置
JP4237727B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR20080005420A (ko) 이미지 개선 기술

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid