JP2006518484A - パターン発生方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、少なくとも一つのレーザー光ビームを、該レーザー光ビームの波長で感光性である、大面積被処理物の基板に集束させることによって高精度パターンを露光するための方法に関する。この方法は、パターンの幾何学的要素を記述する少なくとも一つのデータベースを用意する段階と、可動キャリッジに搭載した光学ヘッドによって、前記少なくとも一つのレーザー光ビームを前記被処理物の表面上で第1方向(y)で偏向させ且つ収束させる段階と、前記少なくとも一つのレーザー光ビームの光強度を少なくとも一つのデータベースのデータにしたがって変調する段階と、前記可動キャリッジを含む案内レールを前記被処理物に対して第1方向(y)で段階的に動かす段階と、前記光学ヘッドを含む前記キャリッジを前記被処理物に対して前記第1方向(y)に対して実質的に直角をなす第2方向(x)で連続的に動かす段階と、前記高精度パターンを露光する間、前記被処理物を固定位置に維持する段階とを含む。また、本発明は、大面積被処理物をパターン化するための装置に関する。

Description

本発明は、基板を露光するための方法と装置に係わり、具体的には、プリント回路基板、芸術作品、LCD(液晶ディスプレイ)用、PDP(プラズマ・ディスプレイ・パネル)用、または、TFT(薄膜トランジスタ)ディスプレイ用マスク等の大きな基板上にレーザー・リソグラフィによってパターンを作るための方法と装置に関するものである。
マスクを作る時には、例えば石英である透明基板上の、例えばクロムの不透明膜上のフォトレジストにパターンを露光する。現像およびエッチング工程で、露光された領域のレジストを除去し、保護のなくなったクロムをクロム腐食液によって溶解する。その結果、不透明クロムのパターンが付いたガラス板ができ、それを、例えばLCD、PDPまたはTFTディスプレイのガラス板上に導体パターンを作るためのオプチカルコンタクト(光学接触)または投影マスクとして使う。これらのガラス板は、フォトレジストまたは乳剤が塗布されており、前記光学クロムマスクを通して露光される。この様にして、非常に複雑なパターンをマスク上に書込むことができ、かつ、これらのガラス板を、許容できる生産コストで大量に複製することができる。
大面積またはフラットパネルLCD、PDPまたはTFTディスプレイには、普通とは異なる二つの特徴がある。すなわち、大サイズに対する要求の増大(現在は1900×1200mmであるが、将来はそれよりも大きくなる)と、高寸法精度の必要性である。各画像素子に能動トランジスタがある所謂能動マトリックスディスプレイに対しては、複雑さおよび要求精度が非常に高い。600nmまでの小さいサイズの素子を書込まなければならず、また最大許容幾何学的誤差は0.03ppmのオーダ(すなわち、1900×1200mmの板の小方向で約40nm)である。
本発明の別の用途は、直接露光用、すなわちマスクを作る中間工程なしに、ディスプレイに使うガラス板上に直接露光することである。
大きなディスプレイを作るための典型的露光器具は、固定または可動式書込みヘッドの下をx方向および/またはy方向に動くステージを有する(米国特許第4445485号および米国特許第5496279号)。しかしながら、この機械は、高価な床面積の粒子のない環境で動作しなければならないので、機械のサイズは、製作および輸送中のみならず、特に運転中に重要な経済的パラメータである。大容積を有するパターン発生器の別の問題は、書込み室の温度を制御して安定化させることである。書込み室内の温度勾配がプリントされたパターンの品質および限界寸法制御に影響を与える可能性がある。
したがって、この技術で必要なものは、大面積の基板をプリントするための、従来の機械よりも小さな床面積しか必要としない改良された方法と装置である。
したがって、本発明の目的は、前記問題を解消または少なくとも軽減する方法を提供することである。
この目的は、本発明の第1の観点により、とりわけ、請求項1、2、5、および請求項13、14、17で特定された高精度パターンを露光するための方法と装置によって達成可能である。
本発明は、それぞれ、請求項3、4、6および15、16、18に指定するような大面積被処理物にパターン付与するための方法および装置も対象とする。
本発明のその他の特徴と利点は、以下に示す本発明の好適実施例の詳細な説明および添付図1〜図4から明らかになるだろう。ただし、これらは、単なる説明用であり、本発明を限定する意図はない。
以下の詳細な説明は、図面を見ながら行う。好適例は、本発明を説明するためのものであり、特許請求の範囲で定義される範囲を限定するためのものではない。当業者は、以下の説明について多様な均等物に気づくだろう。
さらに、好適例の幾つかは、アナログSLMを参考にして説明する。当業者にとっては、アナログ以外のSLM、例えばテキサス・インスツルメンツ社製ディジタル・マイクロミラー装置(DMD)のようなディジタルSLMが同等に適用可能な場合のあることが明らかだろう。また、SLMは、反射性または透過性のピクセルから成ってもよい。さらにまた、エキシマレーザー源を参考にして好適例の説明を行なう。当業者にとって、エキシマレーザー以外のパルス化された電磁放射線源、例えば、Nd−YAGレーザー、イオンレーザー、Tiサファイアレーザー、自由電子レーザー、または、その他のパルス化された基本振動数レーザー、フラッシュランプ、レーザープラズマ源、シンクロトロン光源等を使ってもよいことが明らかだろう。
図1は、本発明の具体例を示す。この例では、支持構造体13が被処理物10を担持している。被処理物10上に目的のピクセルを生じさせるための光学系2と最終レンズ3を含む書込みヘッドが事実上x方向15に沿う案内レール16に沿って滑動するキャリッジ14(担持体)上に配置されている。キャリッジ14と共に動く部品は、図1でハッチングを付で示される。案内レール16は、事実上y方向9に沿って動く。一例では、前記案内レールが段階的に動き、前記キャリッジ14が連続的に動き、そこで段階的運動は、遅い方向に相当し、連続運動は、速い運動に相当する。別の例では、案内レール16が連続的に動き、キャリッジ14が段階的に動く。さらに別の例では、案内レール16が連続的に動き、キャリッジ14も連続的に動く。説明例において、被処理物10に対するパターン投与の間、被処理物10は固定位置に保持される。支持構造体13は、振動減衰構造体18上に配置してもよい。前記振動減衰構造体は、高密度材料で作るのが好ましく、また、振動を減衰するためにエアクッションによってこれを支持してもよい。
図1では、視認性を良くするために、案内レールの遠い側の端部の脚を省略している。光学系2は、走査線を発生する、すなわち、この案内レールに沿う各x位置に対して典型的には数百のピクセルをy方向に書込む。多数の走査線がストリップを形成する。完全なパターンは、選択した書込み戦略に依って、互いに部分的に重複しまたは互いに重複しない多数のストリップを含む。前記光学系は、一例として、図2に示すように、変調器90と偏向器95を含む。変調器90は、照明時間の周期および/または線源17からの電磁放射線の強度を変えるために用いる。前記変調器は、例えば、従来の音響光学変調器または事実上同じ機能のその他の変調器でもよい。この偏向器は、前記ストリップを創るために放射ビームを偏向するために使う。この偏向器は、音響光学偏向器でもよい。偏向器に接続可能なピクセルクロックは、50MHzの周波数を使ってもよい。走査線の長さ、すなわち、ストリップの幅は、200μmでもよい。走査線は、約800のピクセルを含むことができる。
別の例では、前記光学ヘッドだけが前記偏向器95を含む。前記例では、変調器90がレーザー源17から固定位置に配置されている。
さらに別の例では、図3に示すように、前記光学系2が空間光変調器80、ビームスプリッター81、複合チューブレンズ82、および、空間フィルタ85を含む。図3に示すような光学装置で、前記空間光変調器は、アナログモードで作動してもよい。複合チューブレンズ82および空間フィルタ85は、一緒に一般的にフーリエフィルタと呼ばれるものを形成する。複合チューブレンズ82は、空間フィルタ85上に回折したパターンを投影する。最終レンズ3は、複合最終レンズでもよく、被処理物10上に空中像を作る。
空間フィルタ85は、一例として、板に設けた穴である。前記穴は、1次および高複数次回折に回折するあらゆる回折次数を事実上遮断するようなサイズおよび位置になされ、穴は、複合チューブレンズ82からの焦点距離にあってもよい。反射した放射線は、前記チューブレンズ82によって焦点面に集め、それは同時にこの最終レンズ装置の瞳面として作用する。穴は、例えば、前記SLM80のマイクロミラーの、アドレス指定されたピクセルからの1次および高複数次回折を切取り、一方非アドレス指定ミラー面からの放射線は、穴を通過できる。その結果、従来のリソグラフィのように、被処理物10上に強度変調した空中像ができる。最適暗像域のためには、この回折パターンが0次回折の放射線を何も含まず、1次および高複数次回折の放射線のみを含むべきである。
パターンは、前記SLMを用い、スタンプを互いに重ね合せるかまたは重ね合せずに、一体に連携させて作り上げる。スタンプとは、前記被処理物を配置する画像平面での前記SLMの像と定義する。このパターンは、一つまたは複数の露光を使って作り上げてもよい。多重露光を使うことによって、第1露光のスタンプは、第2露光のスタンプとの関係で少なくとも一方向に並進可能である。
一例において、前記光学系2は、複数のSLMチップを含んでもよい。前記SLMは、互いに隣り合せに配置してもよい。一つのSLMのピクセル数が他のSLMのピクセル数と違ってもよく、異なるピクセル形態のSLMを互いに隣り合せに配置して使うことも可能である。
この放射線は、案内レールに固定して取付けるかまたは前記案内レールから分離したレーザー源17によって発生してもよい。この放射線は、案内レール16と平行方向で、光学系19によって拡張され、平行化され、均質化され、かつ、発射されて、レールに沿うキャリッジ14の移動中、横位置、角度および断面を変えずに、キャリッジ14上のピックアップ光学素子21に当る。
このレーザー源は、前記光学系2が図2に示すように変調器および偏向器を含む時は連続レーザー源であり、前記光学系2が図3に示すように空間光変調器を含む時はパルス化したエキシマレーザーであってもよい。レーザーの波長は、SLMを使う時、例えば、UV、DUV(または、EUVであってもよい)の波長であってよい。EUVの場合、EUV放射線を屈折する既知の材料がないので、全ての光学素子は屈折性でなく反射性でなければならない。
案内レール16と被処理物の整合は、干渉計を使って当業者が知る従来の方法で行うことができ、詳しく説明する必要がない。被処理物10は、適当な方法、例えば、支持構造体13の少なくとも一端に配置した圧電アクチュエータで並進移動させるのが好ましい。
図4は、動く案内レール16および動くキャリッジ14に向かってビームを発射する前におけるビームの拡張を説明している。良品質のレーザービーム20は、ガウスくびれ68を有し、その部分でビーム直径が最小である。くびれ68位置で、ビーム波面60は平坦であるが、くびれ68から離れると、波面60が湾曲していることが分る。これは、「くびれ」および「くびれ」から離れた有限距離において、見かけの線源距離が無限大であることに等しい。この見かけの線源距離は、集束レンズ3の後の焦点の真の位置に影響する。光学系2および最終レンズ3を取付けたキャリッジ14がレール16に沿って滑動する時、この波面の曲率が変り、したがって真の焦点は、レーザー源17から遠く離れると被処理物10の下にあり、レーザー源17の近くでは被処理物10の上にある。レーザーが、上の例で想定したように、案内レールに固定されていない時は、レーザー源から案内レールおよびキャリッジまでの距離を考慮に入れなければならない。この曲率変動は、波長、および、くびれ68部分の直径によって決り、非拡張レーザービームでは、多分、キャリッジおよび/または案内レールの機械的行程よりも利用可能範囲69が小さいだろう。ビーム拡張器19の後に作った広い「くびれ68」では、どこでも、波面がより平担であり、焦点ずれが小さく、利用可能範囲が、案内レールおよびキャリッジを一体にした機械的行程よりも大きい。
図1に示す例では、被処理物10が事実上x−y平面と平行に配置されている。このx−y平面は、水平面または鉛直面でもよい。x−y平面が鉛直面と平行である時、被処理物は、直立基板であると呼ばれる。直立基板の装置は、クリーンルーム面積、設置面積が水平基板を有する機械よりも事実上小さいことを要するが、両例は、従来使った機械よりも小さいクリーンルーム面積しか要しない。直立基板10で、基板は、降下粒子に対する露出面積が水平面と平行な基板に比べて劇的に減少するので、汚染に敏感でない。別の例では、基板が水平面から0〜90°の間の任意の角度で傾斜せしめられる。
直立基板の別の特徴は、所謂たるみである。それは、水平面と平行な基板を有する時、多少なりとも避けられないが、鉛直面と事実上平行な基板では多かれ少なかれ除去できる。たるみは、被処理物の重量による変形として定義される。たるみのパターンは、基板の支持構造体の種類、支持構造体の数、基板それ自体のサイズ、および、形状に依る。
ステッピングモーターまたはリニアモーターによって、案内レールを動かすことができる。案内レールは、エアベアリング(空気支承体)上を滑動してもよい。案内レール16の各脚の下に一つのエアベアリングがあってもよい。別の例では、案内レールの脚どうしが互いに結合され、それによって、その上をキャリッジがx方向に動く上部とy方向に沿うエアベアリングを含む下部を含むフレーム構造体を作る。前記下部は、前記振動減衰構造体18の下にあり、すなわち、前記被処理物の上の上部と前記被処理物の下の下部を有する前記フレーム構造体の中空部がこの被処理物の上を動くだろう。
微細位置決め装置が案内レールまたは支持構造体13の上にあってもよい。微細位置決め装置は、機械的および電気的サーボの形をしていてもよい。一例では、y方向の運動を行うために案内レールの上を作動する二つのリニアモーターがある。リニアモーターは、この案内レールを回転するような方法でそれらを作動することによって微細位置決めを行ってもよい。この回転は、y方向の運動のために案内レールに取付けたエアベアリングによって制限してもよい。
支持構造体13の末端支持体に、支持構造体13をy方向で動かす圧電アクチュエータが取付けてあってもよい。アクチュエータは、干渉計および干渉測定によって案内レール16の位置に対する支持構造体の位置を検知するフィードバック回路を含む制御システムからのアナログ電圧によって駆動してもよい。同時にこれらのアクチュエータがステッピングモーターの限られた分解能および案内レール16の非直線運動を補正してもよい。
支持構造体13に取付けたアクチュエータによって案内レールの非直線運動を補償する代りに、ステッピングモーターまたはリニアモーターの限られた分解能を補正できるように、案内レールそれ自体を調整してもよい。同様な方法で、アクチュエータを案内レールに取付け、干渉測定によってこの案内レールに対する支持構造体の位置を絶えずモニターしてもよい。
図1に示すように、これらの実施例では、キャリッジ14が案内レール16に沿ってエアベアリング22上を滑動する。キャリッジ14をリニア電気モーター23によって駆動してもよく、電気ケーブルおよび給気管を除いてレール16とキャリッジ14の間に物理的接触はない。キャリッジ14に作用する力は、無接触モーター23による力と慣性力のみである。
案内レール16の真直度に関する誤差を補償するために較正が可能である。この機械の組立後、テスト板を書込み、書込み誤差を測定しなければならない。これらの誤差を較正ファイルに記憶し、後の書込み中に補正値として制御システムへ送る。
前記最終レンズ3の直ぐ上に取付けた前記光学系2の前記音響光学偏向器が走査線を形成してもよい。ピクセルは、300×300nmでもよく、各走査線は、幅200μmでもよい。このレンズは、焦点距離4mmでNA=0.14のフラットフィールド補正レンズでもよい。
x方向の微細位置決めは、最終レンズ3がその正しい位置にある時走査開始パルスのタイミングに基づいてもよい。y方向には、上に説明した機械的サーボをデータ遅延機能によって補完してもよく、それは、DE4022732A1に記載してあるようにデータを音響光学的走査に沿って動かす。これは、位置制御の帯域幅を100Hzよりも上にあげる慣性のないフィードフォワード制御システムに相当する。
前記キャリッジの行程毎の許容角偏差は10μrad未満であり、前記行程に沿う焦点シフトは何もあってはならない。これは、多数の方法によって解決されるかも知れない。第1に、キャリッジ14は、予荷重を加えて高剛性にしたエアベアリング(空気支承体)の上を動き、それで案内レール16に対するキャリッジ14の位置がはっきりと決り、外部空気圧および温度と無関係である。不完全な案内レールは、走査線に沿った書込み誤差を生じるかも知れない。しかし、この誤差は、較正中に測定し、補正曲線として記憶し、かつ、書込み中に補償するために位置フィードバックシステムへ供給できる。焦点整合は、コリメータおよびビーム成形光学素子19によってレーザービームを操作することによって一定に保つことができる。
図2に示すような光学系を使う時、前記レーザービームは、前記光学系の中のビームスプリッタ(図示せず)によって複数のビームに分けられるかも知れない。
本発明による好適例は、1900×1200mmまでのパターンのためのライター(書き込み器)である。本発明による別の好適例では、このライターが2100×1500mmまでのパターン用である。この振動減衰構造体は、花崗岩ブロックによって作ってもよく且つ書込むべきパターンのサイズよりも幾らか大きい寸法である。
以上で詳細を述べた好適例および実施例により本発明の説明を行なったが、これらの例は、限定的意味ではなく例示的な意味で示したものである。当業者にとって、変形および組合せは、容易に想到できるであろうし、また、それらの変形および組合せは、本発明の精神、および、特許請求の範囲で規定される範囲内にあるだろう。
本発明装置の一例。 光学系の第1例。 光学系の第2例。 ガウス型レーザービームの「くびれ」および波面を示す。

Claims (24)

  1. 少なくとも一つのレーザー光ビームを、該レーザー光ビームの波長で感光性である大面積被処理物上に集束させることによって高精度パターンを露光するための方法において、
    パターンの幾何学的要素を記述する少なくとも一つのデータベースを用意する段階と、
    可動キャリッジに搭載した光学ヘッドによって、前記少なくとも一つのレーザー光ビームを前記被処理物の表面上で第1方向(y)で偏向させ且つ収束させる段階と、
    前記少なくとも一つのレーザー光ビームの光強度を少なくとも一つのデータベースのデータにしたがって変調する段階と、
    前記可動キャリッジを含む案内レールを、第1方向(y)で前記被処理物に対して段階的に動かす段階と、
    前記光学ヘッドを含む前記キャリッジを、前記第1方向(y)と実質的に直角をなす第2方向(x)で前記被処理物に対して連続的に動かす段階と、
    前記高精度パターンを露光する間、前記被処理物を固定位置に維持する段階とを含む、高精度パターンを露光するための方法。
  2. 少なくとも一つのレーザー光ビームを、該レーザー光ビームの波長で感光性である大面積被処理物上に集束させることによって高精度パターンを露光するための方法において、
    パターンの幾何学的要素を記述する少なくとも一つのデータベースを用意する段階と、
    可動キャリッジに搭載した光学ヘッドによって、前記少なくとも一つのレーザー光ビームを前記被処理物の表面上で第1方向(y)で偏向させ且つ収束させる段階と、
    前記少なくとも一つのレーザー光ビームの光強度を少なくとも一つのデータベースのデータにしたがって変調する段階と、
    前記可動キャリッジを含む案内レールを、第1方向(y)で前記被処理物に対して連続的に動かす段階と、
    前記光学ヘッドを含む前記キャリッジを、前記第1方向(y)と実質的に直角をなす第2方向(x)で前記被処理物に対して動かす段階と、
    前記高精度パターンを露光する間、前記被処理物を固定位置に維持する段階とを含む、高精度パターンを露光するための方法。
  3. 対象物平面に配置され且つ電磁放射線に感応する大面積被処理物にパターンを投与する方法において、
    対象物平面上に電磁放射線を放出する線源を用意する段階と、
    多数の対象物ピクセルを含み、前記対象物平面で前記電磁放射線を受け且つ前記電磁放射線を前記被処理物に向けて中継するようになっている少なくとも一つの空間光変調器を用意する段階と、
    前記空間光変調器を含む可動キャリッジを、前記被処理物に対して、第1方向(x)で連続的に動かす段階と、
    前記可動キャリッジを含む案内レールを、前記第1方向(x)に対して実質的に直角をなす第2方向(y)で、前記被処理物に対して段階的に動かす段階と、
    前記高精度パターンを露光する間、前記被処理物を固定位置に維持する段階とを含む、大面積被処理物にパターンを投与する方法。
  4. 対象物平面に配置され且つ電磁放射線に感応する大面積被処理物にパターンを投与する方法において、
    対象物平面上に電磁放射線を放出する線源を用意する段階と、
    多数の対象物ピクセルを含み、前記対象物平面で前記電磁放射線を受け且つ前記電磁放射線を前記被処理物に向けて中継するようになっている少なくとも一つの空間光変調器を用意する段階と、
    前記空間光変調器を含む可動キャリッジを、前記被処理物に対して、第1方向(x)で段階的に動かす段階と、
    前記可動キャリッジを含む案内レールを、前記第1方向(x)に対して実質的に直角をなす第2方向(y)で、前記被処理物に対して連続的に動かす段階と、
    前記高精度パターンを露光する間、前記被処理物を固定位置に維持する段階とを含む、大面積被処理物にパターンを投与する方法。
  5. 少なくとも一つのレーザー光ビームを、該レーザー光ビームの波長で感光性である大面積被処理物上に集束させることによって高精度パターンを露光するための方法において、
    パターンの幾何学的要素を記述する少なくとも一つのデータベースを用意する段階と、
    可動キャリッジに搭載した光学ヘッドによって、前記少なくとも一つのレーザー光ビームを前記被処理物の表面上で第1方向(y)で偏向させ且つ収束させる段階と、
    前記少なくとも一つのレーザー光ビームの光強度を少なくとも一つのデータベースのデータにしたがって変調する段階と、
    前記可動キャリッジを含む案内レールを、第1方向(y)で前記被処理物に対して連続的に動かす段階と、
    前記光学ヘッドを含む前記キャリッジを、前記第1方向(y)と実質的に直角をなす第2方向(x)で前記被処理物に対して連続的に動かす段階と、
    前記高精度パターンを露光する間、前記被処理物を固定位置に維持する段階とを含む、高精度パターンを露光するための方法。
  6. 対象物平面に配置され且つ電磁放射線に感応する大面積被処理物にパターンを投与する方法において、
    対象物平面上に電磁放射線を放出する線源を用意する段階と、
    多数の対象物ピクセルを含み、前記対象物平面で前記電磁放射線を受け且つ前記電磁放射線を前記被処理物に向けて中継するようになっている少なくとも一つの空間光変調器を用意する段階と、
    前記空間光変調器を含む可動キャリッジを、前記被処理物に対して、第1方向(x)で連続的に動かす段階と、
    前記可動キャリッジを含む案内レールを、前記第1方向(x)に対して実質的に直角をなす第2方向(y)で、前記被処理物に対して連続的に動かす段階と、
    前記高精度パターンを露光する間、前記被処理物を固定位置に維持する段階とを含む、大面積被処理物にパターンを投与する方法。
  7. 前記被処理物が、露光中、事実上水平方向で固定されている請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載された方法。
  8. 前記被処理物が、露光中、事実上鉛直方向で固定されている請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載された方法。
  9. 前記レーザーが、前記案内レールに固定されている請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載された方法。
  10. 前記レーザーが、前記案内レールから離れている請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載された方法。
  11. 前記キャリッジが、前記光強度を変調するための変調器を含む請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載された方法。
  12. 前記光強度を変調するための変調器が、前記少なくとも一つのレーザービームを放出するレーザー源までの固定距離に配設されている請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載された方法。
  13. 少なくとも一つのレーザー光ビームを、該レーザー光ビームの波長で感光性である大面積被処理物上に集束させることによって高精度パターンを露光するための装置において、
    パターンの幾何学的要素を記述する少なくとも一つのデータベースと、
    可動キャリッジに搭載した光学ヘッドによって、前記少なくとも一つのレーザー光ビームを前記被処理物の表面上で第1方向(y)で偏向させ且つ収束させるための偏光器と、
    前記少なくとも一つのレーザー光ビームの光強度を少なくとも一つのデータベースのデータにしたがって変調する変調器と、
    前記可動キャリッジを含む案内レールであり、第1方向(y)で前記被処理物に対して段階的に動くことのできる前記案内レールとを含み、
    前記光学ヘッドを含む前記キャリッジが、前記第1方向(y)と実質的に直角をなす第2方向(x)で前記被処理物に対して連続的に動き、
    前記高精度パターンを露光する間、前記被処理物が固定位置に維持されるようになっている、高精度パターンを露光するための装置。
  14. 少なくとも一つのレーザー光ビームを、該レーザー光ビームの波長で感光性である大面積被処理物の基板に集束させることによって高精度パターンを露光するための装置において、
    パターンの幾何学的要素を記述する少なくとも一つのデータベースと、
    可動キャリッジに搭載した光学ヘッドによって、前記少なくとも一つのレーザー光ビームを前記被処理物の表面上で第1方向(y)で偏向させ且つ収束させるための偏光器と、
    前記少なくとも一つのレーザー光ビームの光強度を少なくとも一つのデータベースのデータにしたがって変調する変調器と、
    前記可動キャリッジを含み、第1方向(y)で前記被処理物に対して連続的に動くことのできる案内レールとを含み、
    前記光学ヘッドを含む前記キャリッジが、前記第1方向(y)と実質的に直角をなす第2方向(x)で前記被処理物に対して段階的に動くことができ、
    前記高精度パターンを露光する間、前記被処理物が固定位置に維持されるようになっている、高精度パターンを露光するための装置。
  15. 対象物平面に配置され且つ電磁放射線に感応する大面積被処理物にパターンを投与するための装置において、
    対象物平面上に電磁放射線を放出する線源と、
    多数の対象物ピクセルを含み、前記対象物平面で前記電磁放射線を受け且つ前記電磁放射線を前記被処理物に向けて中継するようになっている少なくとも一つの空間光変調器と、
    前記被処理物に対して、第1方向(x)で連続的に動くことができ、前記空間光変調器を含む可動キャリッジとを含み、
    前記可動キャリッジを含む案内レールが、前記第1方向(x)に対して実質的に直角をなす第2方向(y)で、前記被処理物に対して段階的に動くことができ、
    前記高精度パターンを露光する間、前記被処理物が固定位置に維持される、大面積被処理物にパターンを投与するための装置。
  16. 対象物平面に配置され且つ電磁放射線に感応する大面積被処理物にパターンを投与するための装置において、
    対象物平面上に電磁放射線を放出する線源と、
    多数の対象物ピクセルを含み、前記対象物平面で前記電磁放射線を受け且つ前記電磁放射線を前記被処理物に向けて中継するようになっている少なくとも一つの空間光変調器と、
    前記被処理物に対して、第1方向(x)で段階的に動くことができ、前記空間光変調器を含む可動キャリッジとを含み、
    前記可動キャリッジを含む案内レールが、前記第1方向(x)に対して実質的に直角をなす第2方向(y)で、前記被処理物に対して連続的に動くことができ、
    前記高精度パターンを露光する間、前記被処理物が固定位置に維持される、大面積被処理物にパターンを投与するための装置。
  17. 少なくとも一つのレーザー光ビームを、該レーザー光ビームの波長で感光性である大面積被処理物上に集束させることによって高精度パターンを露光するための装置において、
    パターンの幾何学的要素を記述する少なくとも一つのデータベースと、
    可動キャリッジに搭載した光学ヘッドによって、前記少なくとも一つのレーザー光ビームを前記被処理物の表面上で第1方向(y)で偏向させ且つ収束させるための偏光器と、
    前記少なくとも一つのレーザー光ビームの光強度を少なくとも一つのデータベースのデータにしたがって変調する変調器と、
    前記可動キャリッジを含む案内レールであり、第1方向(y)で前記被処理物に対して連続的に動くことのできる前記案内レールとを含み、
    前記光学ヘッドを含む前記キャリッジが、前記第1方向(y)と実質的に直角をなす第2方向(x)で前記被処理物に対して連続的に動き、
    前記高精度パターンを露光する間、前記被処理物が固定位置に維持されるようになっている、高精度パターンを露光するための装置。
  18. 対象物平面に配置され且つ電磁放射線に感応する大面積被処理物にパターンを投与するための装置において、
    対象物平面上に電磁放射線を放出する線源と、
    多数の対象物ピクセルを含み、前記対象物平面で前記電磁放射線を受け且つ前記電磁放射線を前記被処理物に向けて中継するようになっている少なくとも一つの空間光変調器と、
    前記被処理物に対して、第1方向(x)で連続的に動くことができ、前記空間光変調器を含む可動キャリッジと、
    前記可動キャリッジを含む案内レールが、前記第1方向(x)に対して実質的に直角をなす第2方向(y)で、前記被処理物に対して連続的に動くことができ、
    前記高精度パターンを露光する間、前記被処理物が固定位置に維持される、大面積被処理物にパターンを投与するための装置。
  19. 前記被処理物が、露光中、事実上水平方向で固定されている請求項13から請求項18までのいずれか1項に記載された装置。
  20. 前記被処理物が、露光中、事実上鉛直方向で固定されている請求項13から請求項18までのいずれか1項に記載された装置。
  21. 前記レーザーが、前記案内レールに固定されている請求項13から請求項18までのいずれか1項に記載された装置。
  22. 前記レーザーが、前記案内レールから離れている請求項13から請求項18までのいずれか1項に記載された装置。
  23. 前記キャリッジが、前記光強度を変調するための前記変調器を含む請求項13から請求項16までのいずれか1項に記載された方法。
  24. 前記光強度を変調するための前記変調器が、前記少なくとも一つのレーザービームを放出するレーザー源までの固定距離に配設されている請求項13から請求項16までのいずれか1項に記載された方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015518183A (ja) * 2012-05-30 2015-06-25 ロリク アーゲーRolic Ag 個別にパターン化された異方性を有する素子の高速な製造

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE0300453D0 (sv) 2003-02-20 2003-02-20 Micronic Laser Systems Ab Pattern generation method
US7501601B2 (en) * 2003-09-03 2009-03-10 Xenetech U.S.A., Inc. Automated laser engraver
US7388663B2 (en) * 2004-10-28 2008-06-17 Asml Netherlands B.V. Optical position assessment apparatus and method
DE102006008075A1 (de) * 2005-04-19 2006-10-26 Kleo Halbleitertechnik Gmbh & Co Kg Belichtungsanlage
DE102006008080A1 (de) * 2006-02-22 2007-08-30 Kleo Maschinenbau Ag Belichtungsanlage
JP5154178B2 (ja) * 2007-09-14 2013-02-27 ヤマザキマザック株式会社 複合加工旋盤
KR20100110996A (ko) * 2009-04-06 2010-10-14 주식회사 프로텍 그리드 이미지와 스테이지의 이동 각도 조절에 의한 레이저빔 간 피치조절 방법
DE102010010071A1 (de) * 2010-02-26 2011-09-01 Bundesdruckerei Gmbh Markierungsvorrichtung und Verfahren zum Markieren von Wert- oder Sicherheitsdokumenten unter Verwendung von Lichtleitfasern
TW201224678A (en) * 2010-11-04 2012-06-16 Orc Mfg Co Ltd Exposure device
CN102841507B (zh) * 2011-06-23 2014-06-25 虎尾科技大学 激光直写式纳米周期性结构图案制造设备
US9145332B2 (en) 2012-08-16 2015-09-29 Infineon Technologies Ag Etching apparatus and method
FR3006068B1 (fr) * 2013-05-24 2015-04-24 Saint Gobain Procede d'obtention d'un substrat
CN104459858B (zh) * 2014-12-30 2017-02-22 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种双气浮导轨式光栅刻划刀架驱动装置
US9718291B2 (en) * 2015-10-16 2017-08-01 Oce-Technologies B.V. Printer carriage support structure
CN105290664B (zh) * 2015-12-09 2017-04-19 重庆镭宝激光智能机器人制造有限公司 一种焊接机器人高精度移动装置
CN109270803B (zh) * 2018-10-22 2020-08-11 上海理工大学 一种多版并列光刻的排版系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4063103A (en) * 1975-04-11 1977-12-13 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Electron beam exposure apparatus
US4445485A (en) 1981-11-27 1984-05-01 Chamness Jr Addison B Engine fuel system
DE4022732A1 (de) 1990-07-17 1992-02-20 Micronic Laser Systems Ab Auf einem lichtempfindlich beschichteten substrat durch fokussierte laserstrahlung hergestellte struktur sowie verfahren und vorrichtung zu ihrer herstellung
DE69226511T2 (de) * 1992-03-05 1999-01-28 Micronic Laser Systems Ab Verfahren und Vorrichtung zur Belichtung von Substraten
US5623853A (en) * 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
US6134981A (en) * 1999-12-03 2000-10-24 Nikon Research Corporation Of America Precision scanning apparatus and method with fixed and movable guide members
JPH11237744A (ja) * 1997-12-18 1999-08-31 Sanee Giken Kk 露光装置および露光方法
US6816302B2 (en) * 1998-03-02 2004-11-09 Micronic Laser Systems Ab Pattern generator
US6816602B2 (en) * 2001-03-01 2004-11-09 Lockheed Martin Corporation System and method of deferred postal address processing
JP4320694B2 (ja) * 2001-08-08 2009-08-26 株式会社オーク製作所 多重露光描画装置および多重露光式描画方法
US7001481B2 (en) * 2001-11-30 2006-02-21 Micron Technology, Inc. Method and system providing high flux of point of use activated reactive species for semiconductor processing
SE0300453D0 (sv) 2003-02-20 2003-02-20 Micronic Laser Systems Ab Pattern generation method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015518183A (ja) * 2012-05-30 2015-06-25 ロリク アーゲーRolic Ag 個別にパターン化された異方性を有する素子の高速な製造
US9869935B2 (en) 2012-05-30 2018-01-16 Rolic Ag Fast generation of elements with individually patterned anisotropy

Also Published As

Publication number Publication date
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US7488957B2 (en) 2009-02-10
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