KR20050097068A - 감열식 공기유량센서 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 정방향 뿐 만 아니라 역방향으로 흐르는 공기의 유량을 측정할 수 있는 공기 유량 센서에 관한 것이다.

실리콘기판 상측면에 제작된 다이어프램은 마이크로히터 및 한쌍의 측온저항을 둘러싸는 지지막과 보호막으로 구성되어 있으며, 실리콘기판 하측면으로부터 관통하는 식각홀에 의해 형성된다.

센서부는 피계측유체흐름의 방향으로 나란히 배치된 마이크로히터와 측온저항으로 구성되며, 측온저항은 마이크로히터 양측에 위치하고, 단열부는 다이어프램의 센서부 상하에 위치하도록 제작한다.

Description

감열식 공기유량센서 및 그 제조방법{Thermal air flow sensor and fabricating method of the same}

본 발명은, 마이크로히터를 구비하고, 마이크로히터 또는 마이크로히터에 의해 가열된 부분에서부터, 유체로의 열전달 현상에 따라, 유체의 유속 또는 유량을 계측하는 유량검출소자 및 유량센서와 그 제조방법에 관한 것이다.

(종래의 기술)

예를 들면, 도1a는 일본국 특허 공고 평5-7659호 공보에 명시된 종래의 브리지 타입의 감열식 유량센서를 나타내는 단면도이며, 도 1b는 도 1a의 보호막을 제거하고 나타내는 평면도이다. 이들 도면을 참고하여 설명하면, 실리콘기판(1)위에는 질화막 실리콘으로 이루어지는 절연성의 지지막(2)이 형성되어 있다. 지지막(2)위에는 각각 감열 저항체인 퍼멀로이(Permalloy)로 이루어지는 발열저항(3), 측온저항(4,5) 및 비교저항(6)이 형성되어 있다. 발열저항(3)은 측온저항(4,5)의 사이에 배치되며, 비교저항(6)은 측온저항(4)에서 소정의 간격을 두고 배치되어 있다.

지지막(2)및 각 저항(4-6)위에는, 질화막 실리콘으로 이루어지는 절연성의 보호막(7)이 형성되어 있다. 또한, 발열저항(3)및 측온저항(4,5)이 형성되어 있는 부분의 실리콘기판(1)에는 공기 스페이스(9)가 설치되어 있으며, 이것에 의해 브릿지부(8)가 형성되고 실리콘기판(1)과 비접촉 상태에 있다. 또한, 공기 스페이스(9)는 질화막 실리콘을 상처 내지 않는 식각용액을 사용하며, 개구부(11)에서 실리콘기판(1)의 일부를 제거하는 것에 의해 마련되어 있다.

이와 같은 종래의 유량센서는, 비교저항(6)에서 검출되는 실리콘기판(1)의 온도보다도 200℃높은 온도가 되도록 발열저항(3)에 연통하는 가열 전류가 제어 회로(도시 생략)에 의해 제어되고 있다. 이때, 발열저항(3)의 하부에는 공기 스페이스(9)가 마련되어 있기 때문에 발열저항(3)에서 발생된 열은 비교저항(6)까지 거의 전도되지 않고, 비교저항(6)의 온도는 공기 온도와 거의 동등하게 된다.

발열저항(3)에서 발생된 열은, 지지막(2) 및 보호막(3) 등을 통해 측온저항(4,5)에 전달된다. 이때, 발열저항(3)및 측온저항(4,5)은 대칭의 형상을 가지고 있기 때문에 공기의 흐름이 없는 경우에는 측온저항(4,5)의 저항치에 차는 발생되지 않는다. 이것에 대하여 공기의 흐름이 있는 경우에는, 상류 측의 측온저항은 공기에 의해 냉각되지만, 하류 측의 측온저항은 발열저항(3)에서 공기를 통해 열이 전달되기 때문에 상류 측의 측온저항 만큼은 냉각되지 않는다.

예를 들면, 도 1b의 화살표 A방향으로의 기류가 발생한 경우, 측온저항(4)의 온도는 측온저항(5)의 온도보다도 낮게 되며, 양자의 저항치의 차는 유속이 클수록 확대된다. 따라서, 측온저항(4,5)의 저항치의 차를 검출하는 것에 의해 유속이 측정된다. 또한 측온저항(4,5)의 어느 쪽의 온도가 낮은가에 의해 유체의 흐르는 방향도 검출된다.

또한 도 2a은 종래의 다이어프램 타입의 감열식 유량 센서를 나타내는 단면도이며, 도 2b는 도 2a의 보호막을 제거하고 나타내는 평면도이다. 이 다이어프램 타입의 감열식 유량검출소자에 있어서는 센서부(12)가 형성된 면과 반대의 면에서 실리콘기판(1)의 일부를 식각 등에 의해 제거하며 오목부(13)를 형성하고 있다. 그래서, 센서부(12)는 그 외주부가 전 둘레에 걸쳐서 실리콘기판(1)에 유지되어서 다이어프램을 구성하고, 실리콘기판(1)과 비접촉 상태로 되어 있다.

이 다이어프램 타입의 감열식 유랑검출소자는 실리콘기판(1)에 전둘레에 지지되고 있으므로 브릿지 타입의 감열식 유랑검출소자에 비해서 높은 강도가 얻어지는 반면 열응답성에 대한 특성은 저하된다. 내연기관의 연료제어에 사용되는 흡입공기 유량센서로 이런 유량검출소자를 사용한 경우 아래와 같은 문제가 생기기 때문에 높은 강성을 요구하게 된다.

보통 자동차의 내연기관은 40~50G의 진동을 발생하고, 또 흡입 공기의 유속은 경우에 따라서는 200m/sec이상이 된다. 또, 백파이어가 발생한 경우에는 2기압에 가까운 압력이 유량검출소자에 가해지는 경우도 있다. 유량검출소자가 이런 기계적인 스트레스를 받는 경우, 종래의 유량검출소자로는 파손의 위험에 노출되게 된다.

또한 종래의 감열식 유량검출소자는 계측유체의 유량이나 유속이 변화된 경우, 발열저항(3)이나 측온저항(4,5)의 온도는 지지막(2), 보호막(7) 및 각 측온저항(4,5,6)의 열전도율과 열용량으로 결정되는 지연을 발생하게 된다. 그리고 비교저항(6)은 온도 제어되고 있지만 발열저항(3)의 양측에 있는 측온저항(4,5)은 온도 제어되고 있지 않으므로 그 온도 변화가 계측유체의 정확한 유량이나 유속을 검출할 수 있는 소정의 온도로 되기까지 시간을 요하게 된다. 따라서, 계측유체의 유량이나 유속이 항상 변화를 계속하는 경우에는 측온저항(4,5)에서 측정되는 온도는 순간의 유량이나 유속을 정확하게 나타낼 수가 없게 된다. 또, 계측유체의 속도의 시간당의 변화가 클 경우에도 정확한 순간적인 시간에서의 유량이나 유속을 검출하는 것이 곤란해진다. 즉, 유량검출소자로서 유량에 대한 응답성이 나쁘게 된다.

유량에 대한 응답성을 향상시키기 위하여 지지막(2)이나 보호막(7) 또는 각 측온 저항(4,5,6)의 두께를 얇게 하여 열용량을 줄이면 되지만, 브릿지 구조 또는 다이어프램 구조의 센서부(12) 강도가 두드러지게 저하되고, 유량 검출소자로서의 신뢰성이 저하된다는 문제가 생긴다.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 이루어 진 것으로서, 강도를 저하시키지 않으면서 응답성을 향상할 수 있는 유량검출소자 및 이를 사용하는 유량 센서를 제작하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에 사용되는 기판으로는 단결정, 다결정 및 비정질 평판형 기판을 이용할 수 있을 것이다. 상기 기판에 따라 제조 공정에 다소 차이가 있을 수 있다. 예를 들면, 식각 방법 또는 박막의 적층 방법에 차이가 있을 수 있으나, 본 발명은 이들 식각 방법이나 적층 방법보다는 제조된 센서의 형태에 보다 특징을 가지는 것이고, 이들 식각 및 적층 방법은 대체로 이미 당 분야에 알려진 공지의 방법을 주로 이용하게 될 것이다.

그러나, 본 발명의 실시예는 실리콘 기판을 사용하여 제작하는 방법을 통하여 센서의 제조 공정에 대하여 설명할 것이다. 상기한 바와 같이, 본 발명에서서 사용될 수 있는 기판은 다양할 수 있고, 본 발명의 실시예로 제시되어 설명되는 실리콘 박막은 단지 여러 가지 기판 중에 선택할 수 있는 한가지에 지나지 않는다. 따라서, 당 분야의 통상의 지식을 가진 사람이라면, 본 발명에서 설명하는 방법에 따라 얼마든지 기판을 달리 선택할 수 있을 것이고, 그에 따른 제조 공정은 이미 공지된 방법을 사용할 수 있을 것이다.

따라서, 본 발명에서는 실리콘 기판을 이용한, 특히 <100> 방향의 실리콘 기판을 이용하여 센서를 제작하는 방법 및 장치에 대하여 설명할 것이다.

본 발명의 유량검출소자는 하측면을 개구로 하는 식각홀이 마련된 실리콘기판과, 마이크로히터와 상기 마이크로히터의 양측에 배치된 한 쌍의 측온저항이 절연성의 지지막과 절연성의 보호막에 의해서 상하로 싸여서 구성되며, 상기 식각홀 위에 위치되도록 적어도 그 지지막의 일단이 상기 실리콘기판에 유지되어서 다이어프램을 형성하고, 상기 다이어프램의 대부분이 실리콘기판과 비접촉 상태로 비치되는 센서부를 구비하는 것이다.

또, 상기 다이어프램은, 상기 다이어프램의 장변이 피계측유체의 흐름방향에 직교하는 방향으로 배치되고, 상기 다이어프램의 단변이 피계측유체의 흐름방향에 평행한 방향으로는 배치된다.

또, 상기 다이어프램의 단변에 다이어프램의 일부를 관통하여 제거하거나 다이어프램의 일부분을 제거하는 단열부를 구성할 수 있다. 이 때, 상기 다이어프램의 장변의 길이가 단변의 길이의 두배 이상으로 형성된다.

또, 상기 다이어프램의 두께가 1㎛이하이다.

또, 상기 측온저항의 패턴은 피계측유체의 흐름방향에 직교한 방향으로 일렬로 배치된다.

본 발명의 유량 센서는, 통 형상을 이루며 그 축방향을 피계측유체의 흐름방향에 개략 일치시켜서 그 계측용 관로와, 하측면을 개구로 하는 식각홀이 설치된 실리콘기판과, 마이크로히터와 이 마이크로히터의 양측에 배치된 한쌍의 측온저항이 절연성의 지지막과 절연성의 보호막에 의해 상하로 싸여서 구성되며, 상기 측온저항의 패턴은 피계측유체의 흐름방향에 직교한 방향으로 일렬로 배치되고, 상기 식각홀 위에 위치되도록 적어도 그 지지막의 일단이 상기 실리콘기판에 유지되어서 다이어프램을 형성되고, 상기 다이어프램의 대부분이 상기 실리콘기판과 비접촉 상태로 비치되는 센서부를 구비하고, 상기 다이어프램은, 그 장변이 피계측유체의 흐름(의 )방향에 직교하도록 배치되고, 두께가 1㎛ 이하로 형성되고, 상기 다이어프램의 단변의 일부를 관통하여 제거하거나 다이어프램의 일부분을 제거하는 단열부를 구성할 수 있으며 이 때 상기 다이어프램의 장변의 길이가 단변의 길이의 두배 이상으로 형성되고, 상기 마이크로히터와 상기 한쌍의 측온저항과의 배열 방향을 상기 계측용 관로의 축방향에 개략 일치시켜서 상기 계측용 관로내에 설치된 유량검출소자와 상기 마이크로히터에 공급되는 전력을 제어해서 그 마이크로히터의 온도를 소정의 온도로 유지하는 제어부와, 상기 한쌍의 측온저항의 온도를 계측하는 온도 계측부를 구비한 것이다.

이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참고하여 설명한다.

제1 실시예,

도 3a는 본 발명의 제1 실시예에 관한 감열식 유량센서에 사용되는 유량검출소자를 표시하는 평면도, 도3b는 도 3a의 다이어프램의 확대 평면도, 도3c는 도 3a의 B-B 화살표방향 단면도이다.

도 3a, 도3b 및 도3c에서, 본 발명의 센서가 제작되는 기판으로는 단결정 또는 다결정 기판을 사용할 수 있으며, 본 발명에서 제작된 센서와 전기적인 회로 및 기타 프로세서 등의 반도체 회로를 단일체로 형성하기 위해서 반도체 기판을 사용할 수도 있을 것이다.

본 발명의 실시예에서는 가장 보편적인 반도체 기판인 실리콘기판(10)을 본 발명의 센서 기판으로 사용하였으며, 상기 실리콘 기판의 두께는 0.2~0.5mm의 실리콘기판을 사용하였다.

상기 실리콘 기판상에 실리콘 기판과의 전기적인 절연 및 이후 형성될 다이아프램의 지지막을 사용될 실리콘 계열의 박막을 형성하였다. 본 발명에서는 두께 0.5㎛ 정도의 질화실리콘으로 된 절연성의 지지막(20)을 스퍼터, 증착 또는 CVD 등의 방법에 의해, 실리콘기판(10)의 표면상에 형성되어있다.

상기 질화실리콘 박막 상에, 마이크로히터(40), 제1 및 제2 측온저항(50,60) 및 유체온도저항(70)이 백금 등의 감열 저항 물질을 증착 또는 스퍼터 등의 방법으로 지지막(20)상에 예를들어, 0.1㎛ 정도의 두께로 착막하고, 사진제판, 습식 또는 건식 식각 등의 방법을 사용해서 감열 저항막을 패터닝함으로써, 전류로를 구성하도록 형성되어있다.

제1 및 제2 측온저항(50,60)은 마이크로히터(40)를 사이에 두고 마이크로히터의 양측에 설치되어 센서부(80)을 구성하고 있다. 그리고 센서부(80)는 마이크로히터(40)의 중심에 대해서 대칭으로 구성되고, 유체온도검출저항(70)는 마이크로히터(40)로부터 일정 거리 떨어져서 설치되어있다.

상기 마이크로히터(40), 제1 및 제2 측온저항(50,60) 및 유체온도검출저항(70)를 형성한 후에, 상기 센서부를 포함하는 상부 전면에, 예를 들면 0.4㎛ 정도 두께의 질화실리콘에 의한 절연성의 보호막(30)이 스퍼터 또는 CVD 등의 방법으로 형성된다.

상기 센서부의 하부에 있는 실리콘 기판을 뒷면으로부터 두께 방향으로 식각하여 상기 센서부의 영역에 하측의 실리콘 기판의 전부 또는 일부가 식각되어 형성된 다이어프램을 형성한다.

상기 실리콘 기판의 뒷면으로부터 식각하여, 공극으로서의 식각홀(100)이 실리콘기판(10)의 센서부(80) 하부에 형성된다. 상기 식각홀(100)은 실리콘기판(10)의 하측면위에 형성된 하측면 보호막(110)을 마스크로 알칼리 식각이 실시되고 실리콘기판(10)의 일부를 제거하여 형성되어 있다. 따라서, 상기 센서부(80)는 하측의 실리콘 기판이 식각된 주로 지지막과 보호막의 두께로 이루어진 다이어프램에 형성되며, 하측의 실리콘 기판의 전부 또는 일부가 실리콘 기판의 두께 방향으로 실리콘 기판의 뒷면으로부터 식각되어 상기 지지막 쪽으로 실리콘 기판을 전부 또는 일부를 식각하여 형성된 상기 다이어프램 영역에 형성된다.

따라서, 상기 다이어프램 영역의 하측에 있는 실리콘 기판이 모두 식각되어 실리콘 기판과 비접촉 상태로 형성되거나, 상기 실리콘 기판의 일부만이 얇게 형성되어 있을 수도 있다.

상기 다이어프램은 실리콘 기판에 비하여 매우 얇게 형성되며, 상기 다이어프램의 상부는 물론 하부도 외부에 노출되게 된다. 이때, 상기 다이어프램의 하측에 있던 실리콘 기판이 모두 식각된 경우에는 하측에 상기 질화실리콘이 노출되게 된다. 상기 다이어프램은 직사각형 또는 정사각형의 형태로 형성된다. 피계측 유체의 흐름방향과 직각을 이루는 장변의 길이가 다른 단변의 길이 보다 길게 형성되며, 상기 장변의 길이가 단변의 길이의 두배 정도로 형성될 수 있다.

도3a 중 화살표 A는 피계측유체의 흐름방향이고, 다이어프램(90)은, 보호막(30)이 피계측유체의 흐름에 노출되어 장변이 피계측유체의 흐름방향에 직각으로 배치된다.

다이어프램의 크기는 1000㎛×1300㎛이고, 그 두께는 지지막 및 보호막이 적층된 0.9㎛ 정도 이거나 금속 배선 또는 저항체가 형성된 영역에서는 이보다 두껍게 형된다.

상기 다이어프램 상에서는 제1의 측온저항(50)은 마이크로히터(40)의 상기 피계측유체의 흐름방향의 상류측에 배치되고, 제2의 측온저항(60)은 마이크로히터(40)의 하류측에 배치되어 있다.

마이크로히터(40)의 패턴은 피계측유체의 흐름방향(A)에 직각방향으로 배치되고, 리드패턴(120a),(120b)를 경유해서 유량검출소자(140)의 외부와의 전기적 접속을 하기 위한 전극(130a),(130b)과 연결되어있다.

상기 제1 및 제2 측온저항(50,60)의 패턴은 피계측유체의 흐름방향(A)에 일렬로 배치되고, 상류측 제1 측온저항체(50)는 리드패턴(120f),(120e)를 경유해서 전극(130c),(130b)과 연결되어 있고, 하류측 제2 측온저항체(60)는 리드패턴(120c),(120d)을 경유해서 전극(130c),(130a)과 연결되어 있다.

마찬가지로, 유체온도검출저항(70)은 리드패턴(120d),(120e)을 경유해서 전극(130a),(130b)과 연결되어 있다.

제2 실시예,

도 4a는 본 발명의 제2 실시예에 관한 감열식 유량센서에 사용된 유량검출소자를 표시하는 평면도, 도4b는 도 4a의 다이어프램의 확대 평면도, 도4c는 도 4a의 C-C 화살표 방향 단면도이다.

또, 도3a, 도 3b 및 도3c에서 부호 10~110, 120a~120f, 130a~130c, 140은 상기 제1실시예와 같은 것이다.

상기 제2 실시예의 경우에는 우선 상기 제1 실시예에 표시한 것과 같은 방법으로 지지막(20), 마이크로히터(40), 제1 및 제2 측온저항(50,60)이 설치되고, 유체온도검출저항(70), 리드패턴(120a~120f), 보호막(30)이 실리콘기판(10)이 표면상에 형성되어있다.

다음, 상기 피계측 유체의 흐름방향(A)과 평행한 방향으로 구성하는 다이어프램(90)의 단변에 다이어프램의 일부를 관통하여 제거하거나 다이어프램의 일부분을 제거하는 단열부(150a~150d)가 형성되고, 상기 단열부(150a,150b)와 단열부(150c,150d)는 각각 다이어프램(90)의 단변 정가운데 위치하는 보조 지지막(160a)과 보조 지지막(160b)에 대칭을 이룬다.

또, 상기 보조 지지막(160a)는 마이크로히터(40)와 리드전극(130a, 130b)를 연결하는 전극을 형성하고, 상기 보조 지지막(160b)는 상기 보조 지지막(160a)의 전극에 의한 열손실과 대칭적인 열손실을 유도하기 위하여 더미패턴(170)을 형성한다.

또, 상기 다이어프램(90)의 단변에 위치하는 단열부(150a~150d)의 폭은 10㎛~200㎛이고, 단열부(160a~160d)의 길이는 10㎛부터 다이어프램(90)의 단변의 1/2의 범위를 이룬다.

또, 상기 단열부(150a~150d)를 구성하는 경우, 피계측 유체의 흐름방향(A)과 직각을 이루는 다이어프램(90)의 장변의 길이가 피계측 유체의 흐름방향(A)과 평행한 다이어프램(90)의 단변의 길이의 2배 이상의 형태를 갖는 다이어프램(90)이 형성된다.

본 발명은 이상 설명한 바와 같이 구성되어 있으므로, 다음과 같은 효과를 나타낸다.

본 발명에 의하면, 마이크로히터와 측온저항이 설치된 다이어프램을 갖는 유량검출소자를 사용한 감열식 유량센서에서, 상기 다이어프램은 피계측유체의 흐름방향에 단변이 위치하도록 설치된다.

마이크로히터의 패턴은 피계측유체의 흐름방향과 직각으로 배치되는 것은 발열저항에 생긴 열이 다이어프램을 통해 측온저항 전면에 일정하게 전달하기 위함이고, 측온저항의 패턴을 피계측유체의 흐름으로 배치되어 형성하는 것은 측온저항의 마이크로히터와 가장 가까운 부분과 가장 먼 부분까지의 온도의 편차를 줄여 유량검출에 대한 오차를 최소화와 향상된 응답성을 갖게 한다.

상기 다이어프램은, 그 단변에 단열부가 존재할 수 있다. 상기 단열부를 갖는 다이어프램은 종래의 브릿지 형태의 유량측정소자와 종래의 다이어프램 형태의 유량측정소자의 장점만을 취할 수 있다. 즉, 종래의 브릿지 형태의 유량측정소자와 같이 빠른 응답성을 갖으면서 다이어프램의 형태의 유량측정소자와 비슷한 강성을 갖는다.

상기 다이어프램에 단열부가 존재할 경우, 그 장변의 길이가 단변의 길이의 2배이상으로 형성되고 또, 다이어프램의 단변의 중심에 보조 지지막이 설치된다.

다이어프램의 단변부로 인하여 다이어프램의 강성 저하가 일어나게 되는데, 다이어프램의 장변이 그 단변보다 2배 이상이 되면, 종래의 같은 사이즈의 다이어프램의 강성의 85%이상의 강성을 갖게 되고 또, 다이어프램 단변의 보조 지지막에 의해서 90%이상의 강성을 갖도록 형성될 수 있다.

또, 두개의 측온저항의 리드 패턴 중 각각의 하나의 리드패턴과 유체온도검출 저항체 리드패턴을 하나씩 연결하여, 리드패턴의 개수를 종래의 6개 리드패턴에서 4개의 리드패턴을 갖게 되어 제어 회로 설계를 용이하게 한다.

도 1a는 종래의 유량검출소자를 표시하는 평면도

도 1b는 도 1a의 단면도

도 2a는 종래의 유량검출소자의 다른 예를 표시하는 평면도

도 2b는 도 2a의 단면도

도 3a는 본 발명의 제1실시예에 관한 감열식 유량센서에 사용되는 유량검출소자를 표시하는 평면도.

도 3b는 도3a의 다이어프램의 확대 평면도

도 3c는 도 3a의 B-B선 화살표방향 단면도.

도 4a는 본 발명의 제2실시예에 관한 감열식 유량센서에 사용되는 유량검출소자를 표시하는 평면도

도 4b는 도 4a의 다이어프램의 확대 평면도

도 4c는 도 4a의 C-C선 화살표방향 단면도

<도면중 주요부분에대한 부호의 설명>

1 : 실리콘 기판 2 : 지지막

3 : 발열저항 4, 5 : 측온저항

6 : 비교저항 7 : 보호막

8 : 브릿지부 9 : 공기 스페이스

10 : 실리콘 기판 11 : 개구부

12 : 센서부 13 : 오목부

40 : 마이크로 히터 50, 60 : 측온저항

70 : 유체온도검출저항 80 : 센서부

90 : 다이어프램 100 : 식각홀

110 : 하측면 보호막 120a~120f : 리드패턴

130a~130f : 전극 140 : 유량검출소자

150a~150d : 단열부 160a, 160b : 보조지지막

Claims (4)

1. 평판형 기판 상에 형성되며 절연체로 이루어진 지지막 또는 보호막;

   상기 지지막 또는 보호막 하측의 상기 평판형 기판이 두께 방향으로 식각된 영역에 형성되며, 적어도 상기 지지막 또는 보호막을 포함하여 이루어지고, 피계측 유체의 흐름방향과 평행한 방향으로 단변을 가진 다이어프램;

   상기 다이어프램 상에 형성된 마이크로히터;

   상기 마이크로히터의 좌우측에 대칭되어 개략 피계측유체의 흐름방향으로 배치되는 패턴을 갖도록 형성된 제1 및 제2 측온저항; 및

   상기 기판 상에 형성되며, 상기 다이어프램과 소정의 거리를 두고 떨어져있는 피계측유체의 온도를 측정하는 유체온도검출저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 유량검출용 다이어프램을 갖는 유량검출소자를 사용한 감열식 유량센서.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 측온저항과 상기 유체온도검출저항의 리드패턴의 일부를 공유하는 것을 특징으로 하는 유량검출용 다이어프램을 갖는 유량검출소자를 사용한 감열식 유량센서.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 다이어프램의 단변에 상기 다이어프램의 일부를 제거하여 관통하거나 상기 다이어프램의 일부분을 제거하는 단열부를 갖는 것을 특징으로 하는 유량검출용 다이어프램을 갖는 유량검출소자를 사용한 감열식 유량센서.
4. 제 3항에 있어서,

   상기 단열부와 단열부 사이에 보조 지지막을 포함하며,

   상기 다이어프램의 장변 길이가 상기 다이어프램의 단변 길이의 2배이상이 되는 것을 특징으로 하는 유량검출용 다이어프램을 갖는 유량검출소자를 사용한 감열식 유량센서.