KR20050092284A - 방열체가 구비된 반도체 모듈 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 모듈(semiconductor module)에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 반도체 소자에서 발생된 열을 방출시키는 방열체(放熱體)를 구비한 반도체 모듈에 관한 것이다.
본 발명에 따른 방열체를 구비한 반도체 모듈은, 인쇄회로기판, 그 인쇄회로기판의 양면에 장착된 반도체 소자 및 그 반도체 소자 각각과 접촉하는 방열체를 포함하는 구조에서 그 인쇄회로기판의 높이가 그 방열체의 높이보다 현저히 낮아지는 구성과, 그 방열체 사이에 열방출 공간이 마련되는 구성을 특징으로 한다.
따라서, 그 방열체 사이의 열방출 공간에서 충분한 대류(對流)작용이 가능하게 되어 반도체 모듈의 열방출 효율이 더욱 향상되므로, 반도체 모듈의 동작 신뢰성이 향상된다.

Description

방열체가 구비된 반도체 모듈{Semiconductor module with heat sink}
본 발명은 반도체 모듈에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 반도체 소자에서 발생된 열을 방출시키는 방열체를 구비한 반도체 모듈에 관한 것이다.
최근 반도체 산업의 추세는 반도체 제품이 경박단소화되면서도 이와 동시에 고집적화되는 것이다. 따라서 복수의 반도체 소자가 인쇄회로기판에 장착된 방식의 반도체 모듈(module)로 발전하게 되었고, 이러한 반도체 모듈의 대표적인 형태로서 복수의 반도체 소자를 탑재한 듀얼 인 라인 메모리 모듈(DIMM; Dual In-line Memory Module)이 출현하게 되었다. 듀얼 인 라인 메모리 모듈은 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)과 같은 국제 반도체 협회에 그 규격이 표준으로 등재되어 있다.
도 1은 종래의 방열체가 구비된 반도체 모듈을 나타낸 단면도이다.
도 1에서 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 모듈의 한 형태로서 듀얼 인 라인 메모리 모듈(10)은 반도체 소자(12), 인쇄회로기판(11) 및 방열체(放熱體)(13)를 포함한다.
인쇄회로기판(11)은 복수의 반도체 소자(12)가 장착되고, 그 하단부에는 모듈 소켓(socket)(2)과의 전기적 연결을 위한 접속단자부(11a)가 마련된다. 반도체 소자(12)는 인쇄회로기판(11)의 중심 부근에 배치되어 있다. 방열체(13)는 반도체 소자(12)와 접촉하면서 반도체 소자(12)에서 발생되는 열을 방출시킨다. 여기서 모듈 소켓(2)은 마더보드(mother board)(1)상에 장착되어 있다.
인쇄회로기판(11)의 높이(h11)는 컴퓨터의 서버(server)용 듀얼 인 라인 메모리 모듈인 경우 대략 30.48mm(12인치)이고, 접속단자부(11a)의 높이는 대략 2~2.5mm 이며, 반도체 소자(12)의 중심과 인쇄회로기판(11)의 하측 끄트머리 사이의 높이(h12)는 대략 17.24mm이다.
그러나, 종래의 반도체 모듈은 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 도 1에서와 같이, 반도체 소자(12) 중심에서 마더보드(1)까지의 거리가 17mm가 넘는 경우가 발생하므로, 반도체 소자(12)에서 발생된 열이 인쇄회로기판(11)을 경유하여 마더보드(1)로 방출되기가 용이하지 않은 문제점이 있다.
둘째, 반도체 소자(12)와 접촉하는 방열체(13)가 있더라도, 인쇄회로기판(11)과 방열체(13) 사이에 형성되는 제1공간(S1)이 협소하므로, 이러한 공간(S1)내에서 충분한 대류(對流)작용이 이루어지지 않아 열방출 효율이 저하되는 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 반도체 소자의 발생열을 효율적으로 방출하도록 그 구조가 개선된 방열체를 구비한 반도체 모듈을 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 방열체를 구비한 반도체 모듈은, 반도체 소자와, 그 반도체 소자가 장착되고 하단부에 모듈 소켓(module socket)과의 전기적 연결을 위한 접속단자부가 마련된 인쇄회로기판과, 그 반도체 소자에서 발생되는 열을 방출시키는 방열체(放熱體)를 구비한 반도체 모듈(semiconductor module)에 있어서, 그 인쇄회로기판의 높이에 해당하는 기판높이는, 인쇄회로기판에 장착된 그 반도체 소자의 하측 끄트머리와 상측 끄트머리 사이의 높이인 소자높이의 1.5배 이상이고 4배 이하이며; 그 방열체의 높이에 해당하는 방열체높이는, 그 기판높이의 1.2배 이상이고 3배 이하인 것;을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 기판높이는 21~24mm 사이인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 방열체높이는 23~43mm 사이인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 방열체는, 그 접속단자부가 배열된 단자배열방향을 따라 그 방열체의 높이가 점점 커지거나 점점 작아지는 구배(句配)형상을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 방열체는 사다리꼴형상()을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 방열체는 평판 형상 또는 요철부(凹凸部)가 형성된 엠보싱(embossing) 형상을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 방열체는, 그 반도체 소자와 접촉되는 소자접촉영역에서는 평판 형상을 가지고, 그 소자접촉영역을 제외한 나머지 영역에서는 엠보싱 형상을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 방열체는 소정의 작동유체(作動流體)를 사용하여 열을 방출시키는 히트 파이프(heat pipe)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 방열체는 제1 및 제2금속부재가 서로 점접촉(占接觸)하면서 결합된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 방열체는, 그 반도체 소자와 접촉되는 소자접촉영역에서 그 작동유체가 증발되는 증발부를 포함하고, 그 소자접촉영역을 제외한 나머지 영역에서 그 작동유체가 응축되는 응축부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 방열체는 상단에 그 방열체가 절곡되는 방열체절곡부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 방열체절곡부의 절곡각도는 180°인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 방열체가 절곡되어 중첩된 부분의 중첩부높이는, 그 방열체높이에서 그 기판높이를 제(除)한 높이보다 작거나 같은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 작동유체는 끓는점이 25~100℃ 사이인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 작동유체는 물 또는 알콜을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 제1 및 제2금속부재는 구리 또는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 반도체 소자는 소정의 데이터를 기억하는 장치인 메모리 소자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 그 메모리 소자가 그 인쇄회로기판의 양면에 장착된 듀얼 인 라인 메모리 모듈(Dual In-line Memory Module)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 방열체를 구비한 반도체 모듈을 자세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 방열체가 구비된 반도체 모듈의 인쇄회로기판 및 반도체 소자를 나타낸 정면도이다.
도 2에서 도시된 바와 같이, 인쇄회로기판(31)에는 반도체 소자(32)가 장착되어 있고, 인쇄회로기판(31)의 하단부에는 모듈 소켓(socket)(미도시)과 전기적 연결을 위한 접속단자부(31a)가 마련되어 있다. 반도체 소자(32)는 데이타 기억장치인 메모리 소자(32a)와 각 소자에서의 신호 위상을 일치시키는 PLL(Phase Lock Loop) 소자(32b)를 포함한다. 그 밖에 콘덴서칩 등이 인쇄회로기판(31)에 장착되지만, 설명의 편의상 이를 생략한다.
여기서 인쇄회로기판(31)의 높이에 해당하는 기판높이(h21)는, 인쇄회로기판(31)에 장착된 상태에서 메모리 소자(32a)의 하측 끄트머리와 상측 끄트머리 사이의 높이인 소자높이(h22)의 1.5배 이상이고 4배 이하이다. 바람직하게는 기판높이(h21)가 21~24mm 사이가 되게 하고, 반도체 소자(32)의 소자높이(h22)가 10~12mm 사이가 되게 한다. 또한, 접속단자부(31a)는 현재 168핀 형태인데, 그 높이(h23)는 대략 2~2.5mm 인 것이 바람직하다. 따라서, 메모리 소자(32a)에 대한 중심선(C1)에서부터 인쇄회로기판(31)의 하측 끄트머리까지의 높이(h24)는 대략 7~14mm 사이인 것이 바람직하다. 이에 따라, 종래의 경우 반도체 소자(특히 메모리 소자) 중심에서부터 인쇄회로기판의 하측 끄트머리까지의 높이가 11~21mm 인데 반하여, 본 발명의 경우에는 반도체 소자 중심에서부터 인쇄회로기판의 하측 끄트머리까지의 높이가 7~14mm로 낮아지므로, 반도체 소자에서 발생된 열이 인쇄회로기판을 경유하여 마더보드로 전달되는 열전달거리가 그 만큼 짧아져 열방출 효과가 더욱 향상된다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 방열체가 구비된 반도체 모듈을 나타낸 사시도이고, 도 4는 도 3의 I-I'에 대한 단면도이다.
도 3 및 도 4에서 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 모듈로서 듀얼 인 라인 메모리 모듈(30)은 인쇄회로기판(31), 메모리 소자(32a) 및 방열체(33)를 포함한다. 인쇄회로기판(31) 및 메모리 소자(32a)에 대해서는 도 2에서 전술하였으므로 설명을 생략한다. 다만, 메모리 소자(32a)가 인쇄회로기판(31)의 양면에 장착되어 있음을 알 수 있다.
여기서, 방열체(33)는 평판 형상으로서 메모리 소자(32a)와 접촉하고 있고, 방열체(33)의 높이에 해당하는 방열체높이(h31)는 기판높이(h21)의 1.2배 이상이고, 3배 이하이다. 바람직하게는 방열체높이(h31)가 28~43mm 사이가 되도록 한다. 이 경우 종래와는 달리 방열체높이(h31)에 비해 기판높이(h21)가 현저히 낮아져서 방열체(33) 사이의 제2공간(S2)이 종래의 경우보다 훨씬 폭넓게 형성될 수 있다. 따라서, 도 3에서 송풍기(미도시) 등에 의한 에어 플로우(air flow)(F1)가 제2공간(S2)에 용이하게 통과될 수 있어 방열체(33)에 축적된 열의 방출은 물론이거니와 인쇄회로기판(31)의 상단에 축적된 열도 용이하게 외부로 방출될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 방열체를 구비한 반도체 모듈을 나타낸 정면도이다.
도 5에서 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 모듈로서 듀얼 인 라인 메모리 모듈(40)은 인쇄회로기판(31), 메모리 소자(32a) 및 방열체(43)를 포함한다. 인쇄회로기판(31) 및 메모리 소자(32a)에 대해서는 전술하였으므로 설명을 생략한다. 방열체(43)는 접속단자부(31a)가 배열된 단자배열방향(Q1)을 따라 방열체(43)의 높이가 점점 커지는 구배(句配)형상을 가지고 있다. 더욱 자세하게는 도 5에서와 같이 방열체(43)의 정면모습이 사다리꼴형상()을 가진다. 즉, 에어 플로우(F2)가 불어오는 쪽의 방열체 높이(h41)가 에어 플로우(F2)가 나가는 쪽의 방열체 높이(h42)보다 더 작게 된다. 이 경우 도 5에서와 같이, 에어 플로우(F2)가 불어올때 듀얼 인 라인 메모리 모듈(40)의 좌측편에서는 에어 플로우(F2)의 온도가 상대적으로 낮으므로 에어 플로우(F2)에 의한 열방출 효과가 높지만, 어느 정도 열을 흡수하여 상대적으로 이전보다 온도가 올라간 상태의 에어 플로우(F2)가 듀얼 인 라인 메모리 모듈(40)의 중심부 및 우측편을 지나갈 때는 에어 플로우(F2)에 의한 열방출효과가 현저히 떨어지게 된다. 이를 보상하기 위하여, 듀얼 인 라인 메모리 모듈(40)의 우측편으로 갈수록 방열체(43)의 높이를 점점 높게 하여 방열체(43)에 의한 열방출효과를 높인다. 여기서 구배형상에 대한 경사각(A1)은 5~30°사이가 바람직하다. 따라서, 듀얼 인 라인 메모리 모듈(40)의 단자배열방향(Q1)에 따른 온도 분포가 낮은 온도로 일정하게 유지될 수 있으므로, 열에 의한 메모리 소자(32a)의 오작동이 방지되어 듀얼 인 라인 메모리 모듈(40)의 동작신뢰성이 향상된다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 방열체를 구비한 반도체 모듈의 단면도이다.
도 6에서 도시된 바와 같이, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 반도체 모듈로서의 듀얼 인 라인 메모리 모듈(50)은 인쇄회로기판(31), 메모리 소자(32a) 및 방열체(53)를 포함한다. 인쇄회로기판(31) 및 메모리 소자(32a)에 대해서는 전술하였으므로 설명을 생략한다. 방열체(53)는 메모리 소자(32a)와 접촉되는 소자접촉영역(G1)에서는 평판 형상(53a)을 가지고, 소자접촉영역(G1)을 제외한 나머지 영역(G2)에서는 요철부(凹凸部)가 형성된 엠보싱(embossing) 형상(53b)을 가진다. 이러한 엠보싱 형상은 점(占)개념의 요철 형상이 될 수도 있고 선(腺)개념의 웨이브(wave) 형상이 될 수도 있다. 이러한 엠보싱 형상은 프레스가공 공정을 통하여 저렴하고 용이하게 제작될 수 있다. 이와 같이, 방열체의 엠보싱 형상으로 인하여 공기와 접촉하는 방열체의 단면적이 넓어지므로, 듀얼 인 라인 메모리 모듈에서의 열방출 효과가 더욱 향상된다.
도 7은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 방열체를 구비한 반도체 모듈의 정면도이고, 도 8은 도 7의 J-J'에 대한 단면도이다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 반도체 모듈로서의 듀얼 인 라인 메모리 모듈(60)은 인쇄회로기판(31), 메모리 소자(32a) 및 방열체(63)를 포함한다. 인쇄회로기판(31) 및 메모리 소자(32a)에 대해서는 전술하였으므로 설명을 생략한다.
방열체(63)는, 도 7에서와 같이, 물 또는 알콜과 같은 작동유체(作動流體)를 사용하여 열을 방출시키는 히트 파이프(heat pipe)의 구조를 가진다. 이때 방열체(63)는, 도 8에서와 같이, 서로 점접촉(占接觸)하면서 결합된 제1 및 제2금속부재(63a)(63b)를 포함한다. 방열체(63)는 메모리 소자(32a)와 접촉되는 영역에서 작동유체가 증발되는 증발부(P1)를 포함하고, 메모리 소자(32a)와 접촉되는 영역을 제외한 나머지 영역에서 작동유체가 응축되는 응축부(P2)를 포함한다. 응결된 작동유체는 응축부(P2)의 요철 형상(E1)의 내측 영역에 달라 붙은 후, 중력에 의해 하방으로 흘러내려와 증발부(P1)에서 증발된다. 따라서, 방열체(63)는 증발부(P1)에서 열을 흡수하고 응축부(P2)에서 열을 방출하므로 마치 냉장고의 원리와 유사하게 듀얼 인 라인 메모리 모듈(60)에서의 발생열을 효율적으로 방출시킨다. 또한, 방열체(63) 사이의 제3공간(S3)이 전술한 바와 같이 종래보다 폭넓어졌으므로 열방출 효과가 더욱 향상된다.
도 9는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 방열체를 구비한 반도체 모듈의 단면도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 반도체 모듈로서의 듀얼 인 라인 메모리 모듈(70)은 인쇄회로기판(31), 메모리 소자(32a) 및 방열체(73)를 포함한다. 인쇄회로기판(31) 및 메모리 소자(32a)에 대해서는 전술하였으므로 설명을 생략한다.
방열체(73)는 제3 및 제4금속부재(73a)(73b)를 포함하며, 전술한 도 8에서와 같은 히트 파이프의 구조를 가진다. 제3금속부재(73a)는 엠보싱 형상을 가지고 있고, 제4금속부재(73b)는 평판 형상을 가진다. 방열체(73)는 그 상단에 방열체(73)가 절곡되는 방열체절곡부(B1)를 가진다. 이러한 방열체절곡부(B1)의 절곡각도는 도 9에서와 같이 180°가 되도록 하는 것이 바람직하다. 종래에는 방열체 사이의 간격이 좁아 방열체를 절곡할 수 없었으나, 본 발명에서는 방열체의 높이에 비해 기판높이가 현저히 낮아졌으므로 그 낮아진 마큼의 공간이 새로이 형성되므로 방열체를 절곡할 수 있게 된다. 여기서 방열체(73)가 절곡되어 중첩된 부분의 중첩부높이(h72)는 방열체높이(h71)에서 기판높이(h21)를 제(除)한 높이보다 작거나 같게 된다. 방열체높이(h71)는 28~32mm 인 것이 바람직하다. 이에 따라, 응축부(P4)가 도 8의 응축부(P3)보다 2배 가까이 증대되므로, 열방출 효과가 더욱 향상될 수 있다.
전술한 작동유체는 물 또는 알콜을 예시로 들었으나, 끓는점이 100℃ 이하인 유체중 필요에 따라 선택된 것이 사용될 수도 있다. 또한, 전술한 여러 형태의 방열체는 구리 또는 알루미늄과 같은 열전도성이 우수한 금속물질로 이루어질 수도 있다.
이상, 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. 오히려, 첨부된 특허청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 그러한 모든 적절한 변경과 수정 및 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
본 발명에 따른 방열체가 구비된 반도체 모듈은, 인쇄회로기판의 높이가 방열체의 높이보다 현저히 낮아지는 구성 및 이에 따라 방열체 사이에 열방출 공간이 마련되는 구성으로써, 반도체 소자에서 발생된 열이 인쇄회로기판을 경유하여 마더보드로 전달되는 열전달거리가 그 만큼 짧아져 열방출 효과가 더욱 향상되고, 이러한 열방출 공간에서 충분한 대류(對流)작용이 가능하므로 열방출 효율이 더욱 향상된다. 따라서, 반도체 모듈의 동작 신뢰성이 향상되는 이점이 있다.
도 1은 종래의 방열체가 구비된 반도체 모듈을 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 방열체가 구비된 반도체 모듈의 인쇄회로기판 및 반도체 소자를 나타낸 정면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 방열체가 구비된 반도체 모듈을 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 3의 I-I'에 대한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 방열체를 구비한 반도체 모듈을 나타낸 정면도이다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 방열체를 구비한 반도체 모듈의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 방열체를 구비한 반도체 모듈의 정면도이다.
도 8은 도 7의 J-J'에 대한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 방열체를 구비한 반도체 모듈의 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 마더보드 2: 모듈 소켓
31: 인쇄회로기판 32: 반도체 소자
32a: 메모리 소자 32b: PLL 소자
33, 43, 53, 63, 73: 방열체

Claims (18)

  1. 반도체 소자와, 상기 반도체 소자가 장착되고 하단부에 모듈 소켓(module socket)과의 전기적 연결을 위한 접속단자부가 마련된 인쇄회로기판과, 상기 반도체 소자에서 발생되는 열을 방출시키는 방열체(放熱體)를 구비한 반도체 모듈(semiconductor module)에 있어서,
    상기 인쇄회로기판의 높이에 해당하는 기판높이는, 인쇄회로기판에 장착된 상기 반도체 소자의 하측 끄트머리와 상측 끄트머리 사이의 높이인 소자높이의 1.5배 이상이고 4배 이하이며;
    상기 방열체의 높이에 해당하는 방열체높이는, 상기 기판높이의 1.2배 이상이고 3배 이하인 것;
    을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판높이는 21~24mm 사이인 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 방열체높이는 23~43mm 사이인 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 방열체는,
    상기 접속단자부가 배열된 단자배열방향을 따라 상기 방열체의 높이가 점점 커지거나 점점 작아지는 구배(句配)형상을 가지는 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 방열체는 사다리꼴형상()을 포함하는 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 방열체는 평판 형상 또는 요철부(凹凸部)가 형성된 엠보싱(embossing) 형상을 포함하는 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 방열체는,
    상기 반도체 소자와 접촉되는 소자접촉영역에서는 평판 형상을 가지고,
    상기 소자접촉영역을 제외한 나머지 영역에서는 엠보싱 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 방열체는 소정의 작동유체(作動流體)를 사용하여 열을 방출시키는 히트 파이프(heat pipe)를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 방열체는 제1 및 제2금속부재가 서로 점접촉(占接觸)하면서 결합된 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 방열체는,
    상기 반도체 소자와 접촉되는 소자접촉영역에서 상기 작동유체가 증발되는 증발부를 포함하고,
    상기 소자접촉영역을 제외한 나머지 영역에서 상기 작동유체가 응축되는 응축부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 방열체는 상단에 상기 방열체가 절곡되는 방열체절곡부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 방열체절곡부의 절곡각도는 180°인 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 방열체가 절곡되어 중첩된 부분의 중첩부높이는,
    상기 방열체높이에서 상기 기판높이를 제(除)한 높이보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 작동유체는 끓는점이 25~100℃ 사이인 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 작동유체는 물 또는 알콜을 포함하는 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2금속부재는 구리 또는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 소정의 데이터를 기억하는 장치인 메모리 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 메모리 소자가 상기 인쇄회로기판의 양면에 장착된 듀얼 인 라인 메모리 모듈(Dual In-line Memory Module)을 포함하는 것을 특징으로 하는 방열체를 구비한 반도체 모듈.
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