KR100344926B1 - 체결 수단이 장착된 히트 싱크와 이 히트 싱크가 부착된메모리 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 히트 싱크(heat sink)를 모듈에 쉽게 결합할 수 있고 자동화 장비로 생산할 수 있도록 아이리트 체결 수단이 장착된 히트 싱크와 이 히트 싱크가 결합된 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면, 복수의 반도체 칩이 실장되는 모듈 기판에 부착되어 반도체 칩에서 발생하는 열을 외부로 방출하는 히트 싱크는, 상기 모듈 기판에 히트 싱크를 결합하는 체결 수단과, 상기 체결 수단이 관통하는 관통 구멍을 포함하며, 상기 체결 수단은 제1 몸체와 제2 몸체, 머리 부분, 관통 구멍을 포함하며, 상기 머리 부분은 상기 모듈 기판의 한쪽 면에 고정되고, 상기 제1 몸체는 제2 몸체보다 더 작고, 상기 제2 몸체는 상기 머리 부분과 연결되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

체결 수단이 장착된 히트 싱크와 이 히트 싱크가 부착된 메모리 모듈 및 그 제조 방법{Heat sink provided with coupling means, memory module attached with the heat sink and manufacturing method thereof}
본 발명은 반도체 칩 조립 기술 기술에 관한 것으로서, 좀 더 구체적으로 본 발명은 히트 싱크(heat sink)를 모듈에 쉽게 결합할 수 있고 자동화 장비로 생산할 수 있도록 아이리트 체결 수단이 장착된 히트 싱크와 이 히트 싱크가 결합된 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
메모리 모듈 제품은 하나의 회로 기판에 여러 개의 반도체 메모리 칩을 실장하여 메모리 소자를 개별 칩으로 장착할 때의 불편을 없애고 메모리 소자의 기억 용량을 높이며 시장 주기에 뒤떨어진 제품의 활용도를 높일 수 있다는 점에서 널리 사용된다. 표면 실장 기술(SMT; Surface Mount Technology)을 사용한 업체에서는 메모리 모듈을 생산할 때, 여러 개의 동일한 회로 기판이 연결되어 있는 연배열 PCB(Printed Circuit Board)를 사용한다.
한편, 메모리 모듈에 실장되는 개별 메모리 칩의 동작 속도가 빨라지면서,칩에서 많은 열이 발생하기 때문에 이 열을 효과적으로 방출하는 것이 매우 중요하다. 특히, 램버스 디램(Rambus DRAM)은 기존의 동기형 DRAM(SDRAM)보다 매우 고속으로 작동하기 때문에, 열 방출이 특히 필요하다. 인쇄 회로 기판을 사용한 64M급 이상의 램버스 디램은 최대 동작 전력이 2.0W~2.1W로서 열 방출 문제가 심각하게 대두된다. 이를 위해 메모리 모듈에 히트 싱크(heat sink)를 부착하는데, 히트 싱크의 한쪽면에 열 인터페이스 재질(TIM; thermal interface material)을 접착하고 히트 싱크를 메모리 모듈에 체결하는 방식이 주로 이용된다. 열 인터페이스 재질은 열전도율이 우수한 실리콘 고무 성분으로 되어 있으며, 반도체 칩으로부터 발생한 열이 히트 싱크로 잘 전달되도록 한다.
히트 싱크를 메모리 모듈에 체결하는 데에는 고정체(fastener)를 사용하는데, 푸시핀(push pin), 볼트(bolt) 등이 고정체로 사용된다. 그러나, 이러한 푸시핀 방식이나 볼트 방식으로 히트 싱크를 메모리 모듈에 체결하면, 메모리 모듈 제조 업체 뿐만 아니라, 컴퓨터 등을 조립하는 세트 업체인 최종 사용자가 히트 싱크를 쉽게 제거하거나 분해할 수 있는 반면, 히트 싱크와 메모리 모듈의 체결력이 떨어져서 모듈 제품의 신뢰성이 낮아진다는 단점이 있다.
또한, 푸시핀 방식과 볼트 방식은 고정체의 기구적인 특성 때문에, 히트 싱크를 만드는 업체에서 히트 싱크에 고정체를 미리 조립해 둔 상태에서 공급하기가 매우 어렵고, 설령 조립 상태로 히트 싱크를 공급하여도 메모리 모듈을 제조하는 업체에서 개별 모듈을 적층하고 로딩하는 것이 어렵기 때문에, 히트 싱크를 메모리 모듈에 자동으로 체결하는 자동화 양산 설비를 개발하는 것이 어렵다.
한편, 현재 메모리 모듈을 생산하는 대부분의 업체에서는 조립 라인에서 PCB 연배열 상태로 메모리 모듈을 조립하고 더미(dummy) 부분을 라우팅(routing)해서 제거한 다음 메모리 모듈의 전기적 특성을 검사하고 있다. 그러나, 이러한 제조 공정을 채택하는 경우에는 메모리 모듈에 히트 싱크를 체결하는 것이 매우 어렵다. 또한, 메모리 모듈과 히트 싱크를 자동으로 체결할 수 있는 자동화 설비를 개발하는 것이 매우 어렵다.
따라서, 본 발명의 목적은 히트 싱크를 쉽게 체결할 수 있는 구조의 메모리 모듈과 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 히트 싱크가 체결된 메모리 모듈을 자동화 생산하기 용이한 구조로 된 히트 싱크를 제공하는 것이다.
도 1a와 도 1b는 본 발명에 따른 체결 수단이 장착된 히트 싱크의 앞면도와 뒷면도.
도 2는 본 발명의 한 구현예에 따른 체결 수단의 사시도.
도 3a는 본 발명에 따른 히트 싱크가 복수개 적층된 것을 나타내는 도면.
도 3b는 도 3a의 부분 확대 단면도.
도 4는 본 발명의 한 구현예에 따른 히트 싱크와 메모리 모듈의 결합 관계를 나타내는 분해 사시도.
도 5는 본 발명의 한 구현예에 따른 메모리 모듈 제조 방법의 흐름도.
도 6은 본 발명의 다른 구현예에 따른 히트 싱크와 메모리 모듈의 결합 관계를 나타내는 분해 사시도.
도 7은 본 발명의 다른 구현예에 따른 메모리 모듈 제조 방법의 흐름도.
도 8은 본 발명에 따른 메모리 모듈 제조 공정에 사용될 수 있는 자동화 장비의 개략 블록도.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
10: 히트 싱크(heat sink) 12: 체결 구멍
15: 열 인터페이스 재질 (TIM; thermal interface material)
18: 관통 구멍 20: 체결 수단
24: 제1 몸체 26: 제2 몸체
30: 메모리 모듈 32: 반도체 칩
34: 체결 구멍
본 발명에 따르면, 복수의 반도체 칩이 실장되는 모듈 기판에 부착되어 상기 반도체 칩에서 발생하는 열을 외부로 방출하는 히트 싱크는, 상기 모듈 기판에 히트 싱크를 결합하는 체결 수단과, 상기 체결 수단이 관통하는 관통 구멍을 포함하며, 상기 체결 수단은 제1 몸체와 제2 몸체, 머리 부분, 관통 구멍을 포함하며, 상기 머리 부분은 상기 모듈 기판의 한쪽 면에 고정되고, 상기 제1 몸체는 제2 몸체보다 더 작고, 상기 제2 몸체는 상기 머리 부분과 연결되어 있는 것을 특징으로 한다. 상기 체결 수단은 아이리트 방식의 체결 수단으로서, 황동 계열의 내구성 강한 재질로 구성된다.
본 발명의 한 구현예에 따른 모듈 제조 방법은 연배열 상태의 모듈 기판을 준비하는 단계와, 상기 연배열 상태의 모듈 기판을 절단하여 단품 모듈 기판을 준비하는 단계와, 상기 단품 모듈 기판을 일정한 갯수 단위로 여러 개 적층하는 단계와, 히트 싱크를 준비하는 단계와, 상기 히트 싱크에 체결 수단을 결합하고 열 인터페이스 재질을 부착하는 단계와, 상기 체결 수단과 열 인터페이스 재질이 부착된 히트 싱크를 적층하는 단계와, 적층된 단품 모듈 기판에 적층된 히트 싱크를 하나씩 체결하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 구현예에 따른 모듈 제조 방법은 연배열 상태의 모듈 기판을 준비하는 단계와, 상기 연배열 상태의 모듈 기판을 절단하여 단품 모듈 기판을 준비하는 단계와, 상기 단품 모듈 기판을 일정한 갯수 단위로 여러 개 적층하는 단계와, 제1 히트 싱크를 준비하는 단계와, 상기 제1 히트 싱크에 체결 수단을 결합하고 열 인터페이스 재질을 부착하는 단계와, 상기 체결 수단과 열 인터페이스 재질이 부착된 제1 히트 싱크를 적층하는 단계와, 제2 히트 싱크를 준비하는 단계와, 상기 제2 히트 싱크에 열 인터페이스 재질을 부착하는 단계와, 상기 열 인터페이스가 부착된 제2 히트 싱크를 적층하는 단계와, 상기 적층된 단품 모듈 기판과 제1 히트 싱크 및 제2 히트 싱크를 상기 체결 수단을 통해 서로 체결하는 단계를 포함한다.
실시예
이하, 도면을 참조로 본 발명의 실시예에 대해 설명한다.
도 1a와 도 1b는 본 발명에 따른 체결 수단이 결합된 히트 싱크를 나타낸다.히트 싱크(10)는 전체적으로 직사각형 형태이며 4개의 체결 구멍(12a, 12b, 12c, 12d)이 뚫려 있다. 히트 싱크(10)의 모양과 체결 구멍의 갯수 및 위치는 히트 싱크가 결합되는 모듈 기판에 따라 정해지며, 도면에 나타낸 바와 같이 한정되지 않고 쉽게 수정할 수 있다. 히크 싱크(10)는 열 방출 특성이 우수한 금속 재질 예컨대, 알루미늄으로 되어 있으며, 각각의 체결 구멍(12)에는 체결 수단(20)이 결합되어 있다.
히트 싱크의 안쪽면(즉, 메모리 모듈과 접하는 면)에는 도 1b에 나타낸 것처럼 TIM(15)이 부착되어 있다. TIM(15)은 열전도율이 우수한 실리콘 고무 성분으로 되어 있고 모듈 기판의 반도체 칩에서 발생하는 열을 히트 싱크로 전달되도록 한다. TIM(15)은 양면 접착성 또는 단면 접착성이다.
도 2는 본 발명의 한 구현예에 따른 체결 수단을 나타낸다. 체결 수단(20)은 아이리트(eyelet)인 것이 바람직하다. 아이리트 체결 수단(20)은 인장 강도와 연실률 특성이 우수한 황동이나 C2680 금속으로 하는 것이 바람직하다. 히트 싱크를 모듈 기판에 장착할 때에는 펀치 공정이 수반되는데, 만약 체결 수단(20)을 알루미늄과 같이 인장 강도와 연실률이 나쁜 금속 재질을 사용한다면 펀치 핀(도시 아니함)과 아이리트 부분의 마찰로 인해 가루가 발생하여 체결 능력이 떨어진다. 아이리트 체결 수단(20)은 주석, 주석납 또는 니켈로 도금될 수 있다.
체결 수단(20)은 머리 부분(22), 제1 몸체(24), 제2 몸체(26)를 포함하며, 몸체를 관통하는 관통 구멍(18)이 형성되어 있다. 제1 몸체(24)의 직경은 제2 몸체(36)의 직경 보다 더 작다. 즉, 관통 구멍(18)의 크기는 제1 몸체를 관통하는부분과 제2 몸체를 관통하는 부분이 서로 다르다. 체결 수단(20)의 몸체(24, 26)를 일자형으로 하지 않고 그 크기를 다르게 하는 것은 복수의 히트 싱크를 적층하여 메모리 모듈을 제조하는 자동화 설비에 적용될 수 있도록 하기 위한 것이다.
체결 수단(20)의 제1 몸체(24)의 직경 φ1과, 제2 몸체(26)의 직경 φ2은 히트 싱크가 결합되는 메모리 모듈의 크기와 두께를 고려하여 메모리 모듈 제조 자동화 설비에서 모듈 기판에 히트 싱크를 삽입하기 쉽도록 선택한다. 한편, 체결 수단(20)의 제1 몸체(24)의 길이 L1과 제2 몸체(26)의 길이 L2는 메모리 모듈 제조 자동화 설비에서 적층 히트 싱크를 고정할 때 체결 수단(20)이 주저앉지 않도록 선택한다.
도 3a와 도 3b는 본 발명에 따른 히트 싱크가 복수개 적층된 것을 나타낸다. 앞에서 설명한 바와 같이, 체결 수단(20)의 제1 몸체(24)의 직경 φ1은 제2 몸체(26)의 직경 φ2 보다 더 작기 때문에, 적층된 히트 싱크 구조에서 상부 히트 싱크에 결합되어 있는 체결 수단의 제2 몸체의 관통 구멍에 하부 싱크에 결합되어 있는 체결 수단의 제1 몸체가 삽입된다. 따라서, 복수의 히트 싱크가 도 3a에 도시한 바와 같이 안정적으로 적층될 수 있다. 만약, 일자형 체결 수단이 결합된 히트 싱크를 여러 개 적층한다면, 적층이 어려울 뿐만 아니라 쉽게 무너지고, 적층된 히트 싱크가 많은 부피를 차지하여 용적율이 증가할 것이다.
따라서, 도 3a에 나타낸 바와 같이, 일정한 수량 예컨대, 20개씩 적층된 단위로 히트 싱크를 공급받는다면 메모리 모듈을 제조하는 업체에서는 이것을 자동화 공정에 쉽게 적용할 수 있을 것이다.
도 4는 본 발명의 한 구현예에 따른 히트 싱크와 메모리 모듈의 결합 관계를 나타내는 분해 사시도이다. 도 4에 나타낸 구현예는 RIMM(Rambus Inline Memory Module) 메모리 모듈의 모듈 기판(30)의 한쪽 면에만 메모리 반도체 칩(32)이 부착되는 메모리 모듈에 본 발명에 따른 히트 싱크(10)를 결합하는 예를 나타낸다. 모듈 기판(30)에는 체결 수단(20)이 관통 결합되는 결합 구멍(34)이 형성되어 있고, 모듈을 외부(예컨대, 주기판; mother board 또는 main board)와 전기적으로 연결하는 탭(35; tab)이 형성되어 있다. 결합 구멍(34)을 관통하여 외부로 돌출한 체결 수단(20)의 끝부분은 펀치 공정에 의해 모듈 기판에 고정된다.
도 5는 도 4에 도시한 바와 같이 한쪽면에만 부품이 부착되는 RIMM 메모리 모듈을 제조하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
단계 40에서 연배열 상태의 모듈 기판을 준비한다. 연배열 모듈 기판은 동일한 구조의 개별 모듈 기판이 여러 개 연결되어 있는 기판을 말한다. 개별 모듈 기판은 더미(dummy)에 의해 연결되어 있다. 이 더미 부분을 절단하여 단품 모듈 기판을 준비한다(단계 41). 단품 모듈 기판을 일정한 갯수 단위로 여러 개 적층한다(단계 42).
단계 43에서, 히트 싱크를 준비한다. 준비된 히트 싱크에 본 발명에 따른 아이리트 즉, 체결 수단을 결합하고 TIM을 부착한다(단계 44). 아이리트와 TIM이 부착된 히트 싱크를 적층한다(단계 45).
단계 46에서는, 적층된 단품 모듈 기판에 적층된 히트 싱크를 하나씩 체결하고, 단계 47에서는 히트 싱크가 결합된 모듈 제품의 아이리트 체결 상태에 대한 외관 검사를 진행한다.
본 발명에 따른 모듈 제조 방법에서는 단품 모듈 기판을 준비하는 단계가 포함되는 것이 바람직한데, 왜냐하면 연배열 상태의 모듈 기판을 히트 싱크와 결합하면, 체결 수단에 가해지는 펀치 압력에 의해 모듈 기판에 뒤틀림이 생기고 모듈 기판에 장착되어 있는 반도체 칩이 손상되기 쉽기 때문이다. 또한, 연배열 구조의 모듈 기판에 히트 싱크를 체결한 다음 모듈 기판을 절단하여 단품 모듈 기판을 준비하는 과정에서 발생하는 충격과 진동 때문에 모듈 기판에 반도체 메모리 칩의 결합부(예컨대, 솔더 볼 결합부)에서 크랙이 발생할 수 있고 절단 과정에서 생기는 모듈 기판의 분진 가루가 모듈 기판에 잔류하여 불량의 원인이 될 수 있다는 점에서 단품 모듈 기판을 준비한 다음 이것을 히트 싱크와 결합하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에서는 모듈 기판에 히트 싱크를 결합한 다음에 전기적 특성 검사와 외관 검사를 진행하는데, 그 이유는 히트 싱크가 체결되지 않은 상태에서는 반도체 메모리 칩이 외부에 노출되어 손상을 받기 쉽기 때문이다. 따라서, 본 발명에서는 히트 싱크가 체결된 단품 모듈 제품의 전기적 특성을 검사한 다음 외관 검사를 진행한다. 전기적 특성 검사에서 불량으로 판정된 제품에 대해서는 불량 원인을 분석하고 외관 검사에서 불량으로 판정된 제품에 대해서는 수리(rework)를 한다. 이러한 수리를 위해서는 모듈 기판에서 히트 싱크를 분리하여야 하며, 이를 위해서는 히트 싱크에 부착된 체결 수단을 제거하여야 한다.
도 6은 본 발명의 다른 구현예에 따른 히트 싱크와 메모리 모듈의 결합 관계를 나타내는 분해 사시도이다. 이 구현예는 모듈 기판(60)의 양면에 반도체 메모리칩(62)이 실장되는 RIMM 모듈 제품에 적용된다. 이 구현예에서는 2개의 히트 싱크(10, 50)가 모듈 기판(60)에 결합되는데, 체결 수단은 제1 히트 싱크(10)에만 부착되어 있다. 제2 히트 싱크(50)에는 체결 수단(20)이 관통하는 관통 구멍(52)이 형성되어 있다. 모듈 기판(60)에도 체결 수단(20)이 관통하는 관통 구멍(62)이 형성되어 있고, 모듈 제품을 외부와 전기적으로 연결하는 탭(65)이 형성되어 있다.
히트 싱크가 결합된 양면 메모리 모듈을 제조하는 공정은 예컨대, 도 7에 나타낸 흐름도를 따른다.
도 7을 참조하면, 단계 71에서 연배열 구조의 모듈 기판을 준비하고 이것을 개별 모듈 기판을 절단하여 단품 모듈 기판을 준비한다(단계 72). 준비된 단품 모듈 기판을 적층한다(단계 73).
단계 74에서는 제1 히트 싱크를 준비하고, 단계 75에서 아이리트와 TIM을 제1 히트 싱크에 체결한다. 아이리트 체결 수단이 결합된 제1 히트 싱크를 적층한다(단계 76). 단계 77에서는 제2 히트 싱크를 준비하고, 단계 78에서 제2 히트 싱크에 TIM을 부착한다. TIM이 부착된 제2 히트 싱크를 적층한다(단계 79).
적층된 단품 모듈 기판과 제1 히트 싱크 및 제2 히트 싱크를 상기 아이리트 체결 수단을 통해 서로 체결한(단계 80) 다음, 모듈 제품의 전기적 특성을 검사하고 외관 검사를 진행한다.
도 8은 본 발명에 따른 메모리 모듈 제조 공정에 사용될 수 있는 자동화 장비의 개략 블록도이다. 메모리 모듈 제조 장치(90)는 히트 싱크 로더부(91; heat sink loader), 모듈 기판 로더부(92), 히트 싱크 캐리어(93; heat sink carrier),모듈 기판 캐리어(94), 장착부(95), 검사부(96), 언로더부(97; unloader)를 포함한다.
히트 싱크 로더부(91)는 복수의 히트 싱크를 예컨대, 아이리트가 체결되지 않은 히트 싱크 및 체결 수단이 장착된 히트 싱크를 일정한 높이로 쌓아 올릴 수 있는 적재부(도시 아니함)를 포함한다. 모듈 기판 로더부(92)는 일정한 갯수의 모듈 기판을 예컨대, 트레이에 보관된 상태로 로딩한다. 히트 싱크 캐리어(93)는 히트 싱크 로더부(91)에 보관된 히트 싱크를 하나씩 운반한다. 모듈 기판 캐리어(94)는 모듈 기판 로더부(92)에 보관된 모듈 기판을 하나씩 운반한다. 장착부(95)는 히트 싱크 캐리어(93)에 의해 운반된 히트 싱크와 모듈 기판 캐리어(94)에 의해 운반된 모듈 기판을 정렬하고, 히트 싱크에 결합되어 있는 본 발명에 따른 아이리트 체결 수단을 이용하여 모듈 기판에 히트 싱크를 체결한다. 검사부(96)는 히트 싱크와 모듈 기판의 결합 상태를 검사한다. 언로더부(97; unloader)는 검사부(96)의 검사 결과에 따라 양품과 불량품으로 모듈을 구분하여 예컨대, 트레이에 적재한다.
이상 도면을 중심으로 본 발명의 구체적인 구현예에 대해 설명하였지만, 이것은 예시에 불과하고 본 발명의 범위를 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않고서도 앞에서 설명한 구현예를 쉽게 변형하고 수정할 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면, 모듈 기판에 히트 싱크를 자동으로 쉽게 체결할 수 있고, 히트 싱크가 체결된 메모리 모듈을 자동화 생산하기 용이하다.

Claims (12)

  1. 복수의 반도체 칩이 부착된 모듈 기판에 장착되어 상기 반도체 칩에서 발생하는 열을 외부로 방출하는 히트 싱크로서,
    상기 모듈 기판에 히트 싱크를 결합하는 체결 수단과,
    상기 체결 수단이 관통하는 관통 구멍을 포함하며,
    상기 체결 수단은 제1 몸체와 제2 몸체, 머리 부분, 관통 구멍을 포함하며, 상기 머리 부분은 상기 모듈 기판의 한쪽 면에 고정되고, 상기 제1 몸체는 제2 몸체보다 더 작고, 상기 제2 몸체는 상기 머리 부분과 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 히트 싱크.
  2. 제1항에서, 상기 체결 수단은 황동 계열의 금속으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 히트 싱크.
  3. 제1항 또는 제2항에서, 상기 히트 싱크에는 실리콘 고무로 된 열 인터페이스 재질이 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 히트 싱크.
  4. 제1항 또는 제2항에서, 상기 제1 몸체와 제2 몸체의 직경과 길이의 비는 상기 모듈 기판의 크기와 두께 및 상기 히트 싱크가 복수개 적층될 때의 용적률을 고려하여 결정되는 것을 특징으로 하는 히트 싱크.
  5. 복수의 반도체 칩이 실장되고, 상기 반도체 칩에서 발생하는 열을 외부로 방출하는 히트 싱크가 부착되는 모듈 기판을 갖는 모듈로서,
    상기 히트 싱크는,
    상기 모듈 기판에 히트 싱크를 결합하는 체결 수단과,
    상기 체결 수단이 관통하는 관통 구멍을 포함하며,
    상기 체결 수단은 제1 몸체와 제2 몸체, 머리 부분, 관통 구멍을 포함하며, 상기 머리 부분은 상기 모듈 기판의 한쪽 면에 고정되고, 상기 제1 몸체는 제2 몸체보다 더 작고, 상기 제2 몸체는 상기 머리 부분과 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 모듈.
  6. 제5항에서, 상기 반도체 칩은 상기 모듈 기판의 한쪽 면에 실장되어 있는 것을 특징으로 하는 모듈.
  7. 제5항에서, 상기 반도체 칩은 상기 모듈 기판의 양면에 실장되어 있는 것을 특징으로 하는 모듈.
  8. 제6항 또는 제7항에서, 상기 체결 수단은 황동 계열의 금속으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 모듈.
  9. 제6항 또는 제7항에서, 상기 히트 싱크에는 실리콘 고무로 된 열 인터페이스 재질이 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 모듈.
  10. 제6항 또는 제7항에서, 상기 제1 몸체와 제2 몸체의 직경과 길이의 비는 상기 모듈 기판의 크기와 두께 및 상기 히트 싱크가 복수개 적층될 때의 용적률을 고려하여 결정되는 것을 특징으로 하는 모듈.
  11. 모듈을 제조하는 방법으로서,
    연배열 상태의 모듈 기판을 준비하는 단계와,
    상기 연배열 상태의 모듈 기판을 절단하여 단품 모듈 기판을 준비하는 단계와,
    상기 단품 모듈 기판을 일정한 갯수 단위로 여러 개 적층하는 단계와,
    히트 싱크를 준비하는 단계와,
    상기 히트 싱크에 체결 수단을 결합하고 열 인터페이스 재질을 부착하는 단계와,
    상기 체결 수단과 열 인터페이스 재질이 부착된 히트 싱크를 적층하는 단계와,
    적층된 단품 모듈 기판에 적층된 히트 싱크를 하나씩 체결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모듈 제조 방법.
  12. 모듈을 제조하는 방법으로서,
    연배열 상태의 모듈 기판을 준비하는 단계와,
    상기 연배열 상태의 모듈 기판을 절단하여 단품 모듈 기판을 준비하는 단계와,
    상기 단품 모듈 기판을 일정한 갯수 단위로 여러 개 적층하는 단계와,
    제1 히트 싱크를 준비하는 단계와,
    상기 제1 히트 싱크에 체결 수단을 결합하고 열 인터페이스 재질을 부착하는 단계와,
    상기 체결 수단과 열 인터페이스 재질이 부착된 제1 히트 싱크를 적층하는 단계와,
    제2 히트 싱크를 준비하는 단계와,
    상기 제2 히트 싱크에 열 인터페이스 재질을 부착하는 단계와,
    상기 열 인터페이스가 부착된 제2 히트 싱크를 적층하는 단계와,
    상기 적층된 단품 모듈 기판과 제1 히트 싱크 및 제2 히트 싱크를 상기 체결 수단을 통해 서로 체결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모듈 제조 방법.
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