KR20050080942A - 다결정 실리콘 검사장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다결정 실리콘 검사장치 및 방법에 관한 것으로써, 상세하게는 다결정 실리콘의 결정화 공정 후, 소정의 광을 조사하여 반사광의 세기 및 반사각을 통하여 결정화된 다결정 실리콘을 검사하는 다결정 실리콘의 검사장치 및 방법에 관한 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은, 다수개의 돌출부가 형성된 다결정 실리콘의 검사장치는, 소정의 광을 조사하는 광원과; 반사된 광을 수광하는 반사광검출수단을 포함하되, 상기 광원으로부터 상기 돌출부에 조사되는 광의 입사각과 상기 반사광검출수단의 검출각, 그리고 검출된 반사광의 파장을 통하여 상기 돌출부의 간격을 측정하는 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 돌출부의 간격은
의 수식에 의하여 연산되는 것을 특징으로 한다.
여기서 m은 정수, λ는 반사광 파장, d는 돌출부 간격, α는 입사각, β는 검출각이다.

Description

다결정 실리콘 검사장치 및 방법{Inspection equipment and method for Poly-Si}
본 발명은 검사장치에 관한 것으로써, 상세하게는 다결정 실리콘의 결정화 공정 후, 소정의 광을 조사하여 반사광의 세기 및 반사각을 통하여 결정화된 다결정 실리콘을 검사하는 다결정 실리콘의 검사장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 다결정실리콘(Poly-Si)을 이용한 박막트랜지스터는 비정질 실리콘(a-Si)을 이용한 TFT보다도 결정의 전계이동도가 10 내지 100정도나 높다고 하는 이점을 갖고 있다. 그래서, 액정표시장치 또는 유기EL표시장치등에서 다결정 실리콘의 박막트랜지스터를 화소 스위칭소자로서 이용할 뿐 만 아니라 주변 구동회로 로써도 이용함으로써, 화소의 박막트랜지스터와 구동회로의 박막트랜지스터를 동일 기판상에 동시에 형성한 구동회로 일체형의 박막트랜지스터-액정표시장치가 연구되어 개발되고 있다. 상기와 같은 구동회로 일체형 액정표시장치 또는 유기EL표시장치에 있어서 다결정 실리콘을 이용한 박막트랜지스터는 도 1에 도시된 바와 같다.
도 1은 일반적인 박막트랜지스터를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 절연성 기판(1)상에 산화 실리콘(SiO2)과 같은 절연물질로 구성된 버퍼층(2)이 형성되고, 이 버퍼층(2)의 상면에는 결정의 평균입자직경이 0.24㎛ ~ 0.45㎛의 다결정실리콘으로 이루어진 반도체층이 채널(3)과, 불순물 주입에 의해 형성된 드레인영역(4) 및 소스영역(5)을 포함하고 있다.
또한, 상기 반도체층 상부에는 기판 전면에 걸쳐 게이트절연막(6)이 형성되어 있고, 이 게이트절연막(6)의 위에는 층간절연막(7)이 형성되고, 상기 층간절연막(7)에 형성되어 있는 콘택홀(11, 12)을 통하여 드레인전극(10), 소스전극(9)이 상기 드레인 영역(4) 및 소스영역(5)에 각각 접속되어 있다.
여기서 상기 반도체층을 형성하는 다결정 실리콘(Poly-Si)은 엑시머 레이저 어닐공정(ELA, Excimer Laser Annealing)에 의해 수 ㎚ ~ ㎛에 이르는 다양한 크기의 결정립(Grain)으로 구성되며, 결정화방법에 따라서 다결정 실리콘 결정립계에서는 돌출부(p, p' 도 2a 또는 도 2b참조)가 발생하게 된다.
이를 상세히 설명하자면, 기판(1)상에 적층되는 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiOx) 위에 형성되어 있는 비정질실리콘(a-Si)에 레이저를 주사하여 결정화하고, 이후 패턴닝과 도핑을 통해 소스 및 드레인, 채널(3, 4, 5)을 형성한다. 이때, 엑시머 레이저 어닐공정후 상기 다결정실리콘의 표면에는 도 2a, 2b에 도시된 바와 같이 다수개의 돌출부가 형성된다.
여기서 상기 도 2a에 도시된 다결정 실리콘의 표면에 형성된 돌출부(p)는 그 간격이 일정하고, 도 2b에 도시된 다결정 실리콘의 돌출부(p')는 그 간격이 일정하지 못함이 도시되어 있다.
예를들면, 상기 도 2b에 도시된 바와 같은 불규칙한 돌출부가 형성되는 다결정실리콘을 통하여 제작된 유기EL 또는 액정표시장치에서 소정의 화상을 디스플레이 하게되면, 화면상에 가로 또는 세로로 가는 줄무늬가 발생되어 화질을 크게 떨어뜨리게 된다. 반면에 상기 도 2a에 도시된 돌출부의 간격의 일정한 다결정실리콘을 이용한 표시장치에 경우 그 줄무늬가 크게 감소된다.
따라서 일반적으로 불량의 기준은 유기 EL 또는 액정표시장치를 제작하여 실제로 화면을 켜 보았을 때 줄무늬가 발생하는지 여부이며, 이러한 줄무늬가 나타나는 정도가 돌출부의 간격이 일정할수록 줄어드는 것이 확인된다.
그러므로 상기와 같은 불량을 방지하기 위하여 다결정실리콘의 돌출부간격을 측정하여 양품과 불량품을 분류함이 중요하나, 종래에는 다결정 실리콘의 돌출부 간격을 측정할 수 있는 검사장치가 전무하여 엑시머 레이저 어닐공정후 다결정 실리콘의 불량이 발생되어도 이를 인지하지 못하는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 본 발명은 소정의 광을 다결정실리콘에 조사하여 회절된 반사광의 파장 및 광세기를 통하여 돌출부간의 간격을 측정함으로써 양품 또는 불량품을 식별할 수 있는 다결정 실리콘 검사장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은, 다수개의 돌출부가 형성된 다결정 실리콘의 검사장치는, 소정의 광을 조사하는 광원과; 반사된 광을 수광하는 반사광검출수단을 포함하되, 상기 광원으로부터 상기 돌출부에 조사되는 광의 입사각과 상기 반사광검출수단의 검출각, 그리고 검출된 반사광의 파장을 통하여 상기 돌출부의 간격을 측정하는 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 돌출부의 간격은
의 수식에 의하여 연산되는 것을 특징으로 한다.
여기서 m은 정수, λ는 반사광 파장, d는 돌출부 간격, α는 입사각, β는 검출각이다.
그리고, 상기 다결정 실리콘 검사장치는 상기 광원의 입사각을 조절하는 광원조절수단과; 상기 반사광검출수단의 검출각도를 조절하는 검출각도조절수단을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 다결정 실리콘 검사장치는 상기 돌출부에 반사되어 회절된 빛의 파장과 세기 스펙트럼에서 피크중심을 통해 상기 다수개의 돌출부의 간격 평균값을 측정하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 다결정 실리콘 검사장치는 상기 돌출부에 반사되어 회절된 빛의 파장과 세기 스펙트럼에서 피크반폭치로부터 상기 다수개의 돌출부 간격의 산포를 측정하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 광원으로부터 상기 돌출부에 조사되는 광의 입사각은 적어도 43도 이상인 것을 특징으로 한다.
그리고 다수개의 돌출부가 형성된 다결정 실리콘의 검사장치는, 소정의 광을 조사하는 광원과, 상기 광원의 입사각을 조절하는 광원조절수단과, 반사된 광을 수광하는 반사광검출수단과, 상기 반사광검출수단의 검출각도를 조절하는 검출각도조절수단과, 상기 다결정 실리콘이 안착되는 측정기판을 포함하는 측정부재와; 상기 측정기판을 지지하는 제 1 지지수단과, 상기 제 1 지지수단을 고정시키는 제 1 고정수단을 포함하여 상기 측정부재를 지지하는 지지부재를 포함하되, 상기 다수개의 돌출부 간격은
m은 정수, λ는 반사광 파장, d는 돌출부 간격, α는 입사각, β는 검출각
의 수식에 의하여 연산되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 측정부재는 상기 광원조절수단과 반사광검출수단의 지향각을 조절하기 위한 각도계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 광원은 백색광을 발광하는 것을 특징으로 한다.
상기 다결정 실리콘 검사장치는 상기 다수개의 돌출부에 반사되어 회절된 빛의 파장과 세기 스펙트럼에서 피크중심을 통해 상기 다수개의 돌출부의 간격 평균값을 측정하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 다결정 실리콘 검사장치는 상기 돌출부에 반사되어 회절된 빛의 파장과 세기 스펙트럼에서 피크반폭치로부터 상기 다수개의 돌출부 간격의 산포를 측정하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 광원으로부터 상기 돌출부에 조사되는 광의 입사각은 적어도 43도 이상인 것이 바람직하다.
또는, 다결정 실리콘에서 다수개의 돌출부에 소정의 입사각으로 광을 조사하는 단계와; 소정의 검출각도로 상기 다결정실리콘에 지향하여 상기 다결정실리콘에서 반사된 광을 수광하는 단계와; 상기 입사각과 상기 검출각 및 파장을 측정하고, 의 수식에 의하여 상기 다결정 실리콘의 돌출부 간격을 연산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 식에서 m은 정수, λ는 반사광 파장, d는 돌출부 간격, α는 입사각, β는 검출각이다.
그리고, 상기 다수개의 돌출부에 반사되어 회절된 빛의 파장과 세기 스펙트럼에서 피크중심을 통해 상기 다수개의 돌출부의 간격 평균값을 측정하는 단계와; 상기 돌출부에 반사되어 회절된 빛의 파장과 세기 스펙트럼에서 피크반폭치로부터 상기 다수개의 돌출부 간격의 산포를 측정하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 다결정 실리콘의 돌출부에 조사되는 광의 입사각은 적어도 43도 이상인 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다결정 검사장치의 블럭도이다.
광원(112)은 소정의 광을 발광하고, 광원조절수단(111)은 상기 광원의 지향각 및 발광되는 광의 세기를 조절하고, 반사광 검출수단(121)은 반사되는 광을 검출하고, 검출각도 조절수단(122)은 상기 반사광 검출수단(121)의 지향각을 조절한다. 또한 입력수단(130)은 사용자의 조작신호를 전달하고, 디스플레이 수단(140)은 측정데이타를 표시한다. 그리고 제어수단(150)은 상기 입력수단(130)으로부터 전달되는 사용자조작신호에 따라서 상기 광원조절수단(111)과 검출각도 조절수단(122)을 제어하고, 광원 및 반사광검출수단(112)(121)을 구동시킨다.
도 3을 참조하면, 사용자가 입력수단(130)을 통해서 사용자 조작신호를 전달하면, 상기 제어수단(150)은 인가되는 사용자 조작신호에 따라서 상기 광원조절수단(111)과 상기 검출각도조절수단(122)의 제어신호를 출력한다.
따라서 광원조절수단(111)은 상기 제어수단(150)의 제어신호에 따라서 상기 광원(112)의 지향각을 소정각도로 조절하고, 상기 광원(112)을 소정의 세기로써 발광되도록 구동시킨다. 아울러 상기 검출각도 조절수단(122)은 상기 제어수단(150)의 제어신호에 따라서 상기 반사광검출수단(121)의 지향각을 소정 각도로 조절한다.
상기 광원(112)은, 예를들면, 백색광을 상기 다결정 실리콘의 돌출부(p)에 조사하고, 상기 반사광 검출수단(121)은 상기 광원(112)으로부터 발광된 백색광이 상기 돌출부(p)에서 반사되는 반사광을 검출한다. 그리고 상기 반사광 검출수단(121)은 상기 반사광의 검출각도 및 파장세기와 입사각을 통하여 상기 돌출부간의 간격을 연산하여 이를 제어수단(150)에 전달한다.
따라서 제어수단(150)은 상기 반사광 검출수단(121)으로부터 전달되는 연산신호를 상기 디스플레이수단(140)에 전달하여 이를 표시한다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다결정 실리콘 검사장치의 단면도이다.
도시된 도 4를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다결정 실리콘 검사장치는 광원(112)과 반사광 검출수단(121) 및 상기 광원과 반사광검출수단(112, 121)의 지향각을 측정하는 각도계(160)와, 측정되는 다결정실리콘이 안착되는 측정기판(180)이 포함된 측정부재(100)와, 다수개의 지지수단과 고정수단을 포함하여 상기 측정부재(100)를 지지하는 지지부재(200)로 구성된다.
여기서 측정부재(100)는 소정의 형상을 갖고, 상기 광원(112) 및 반사광 검출수단(121), 그리고 각도계(160)를 포함하는 본체(170)를 포함하며, 상기 본체(170)는 저면의 소정부분이 개방된 개구부(171)가 형성된다. 그리고, 상기 개구부(171)의 하측에는 측정기판(180)이 형성되고, 상기 본체(170)내의 일측에 상기 광원과 반사광 검출수단(112, 121)이 소정각도로 상기 측정기판(180)을 지향하여 설치되고, 각도계(160)는 상기 본체(170)내에 고정된다.
아울러 상기 지지부재(200)는 소정의 형상을 갖는 지지부재본체(260)와, 상기 측정기판(180)을 지지하는 제 1 지지수단(210) 및 상기 제 1 지지수단(210)을 고정시키는 제 1 고정수단(220)을 포함하여 상기 측정부재(100)를 지지한다.
이를 상세히 설명하면, 지지부재본체(260)내의 소정의 위치에서 횡으로 고정되는 제 2 지지수단(230)이 형성되고, 상기 제 1 지지수단(210)은 일측으로 상기 측정기판(180)의 배면에 연결되고, 타측으로는 상기 제 2 지지수단(230)을 관통하여 제 1 고정수단(220)에 의해 고정된다. 또한, 상기 제 2 지지수단(230)을 관통하여 일측으로는 상기 지지부재본체(260)의 상면에 연결되고, 타측으로는 제 2 고정수단(250)에 고정되어 상기 제 1 지지수단(210) 및 상기 지지부재본체의 상면(262)을 지지하는 제 3 지지수단(240)을 포함한다. 여기서 상기 제 2 고정수단(250)은 상면에 상기 제 3 지지수단(240)이 고정되고, 배면에 지지축(270)이 결합된다.
여기서 바람직하게는 상기 지지축(270)을, 예를들면, 일측에 모터가 연결되는 회전축으로써 회전가능하도록 구성하여 상기 제 2 고정수단(250)을 회전시켜 상기 측정기판(180)을 회전가능하도록 구성함이 가능하다. 이를 위해서는 상기 제 2 지지수단(230)을 상기 제 1 및 제 3 지지수단(210, 240)이 회전가능하도록 별도의 형상을 형성하거나 또는 상기 제 2 지지수단(230)이 상기 지지부재본체(260)에 고정되는 결합부(261)에 원형의 회전홈을 형성하는 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다결정 실리콘 검사장치의 돌출부 간격의 측정방법을 나타낸 단면도이다.
도시된 바를 참조하면, 상기 광원(112)으로부터 발광된, 예를들면, 백색광은 제 1 돌출부(191)의 소정의 위치에 일정한 입사각(α)으로 조사된다. 그리고, 상기 제 1 돌출부(191)에 조사된 광은 반사되며, 상기 반사광 검출수단(121)은 제 2 돌출부(192)의 피크위치를 넘어서 소정의 반사각(β)을 갖는 반사광을 검출한다.
즉, 다수개의 돌출부가 일정간격으로 배열되고 있을때, 상기와 같이 다결정 실리콘에 광을 조사하게되면, 반사가 되면서 회절현상이 발생하게 되므로 상기 반사광 검출수단(121)은 회절된 반사광을 수광하여 반사광의 세기와 파장을 측정한다.
그리고 상기 반사광 검출수단(121)은 상기 광원(112)으로부터 상기 돌출부(191, 192)에 입사되는 광의 입사각(α)과 상기 반사광 검출수단(121)의 반사광 검출각도(β) 및 상기 반사광의 파장(λ)을 이용하여 상기 제 1 및 제 2 돌출부(191, 192)간의 간격(d)을 측정하며 이는 아래의 수학식1을 통해 연산한다.
m은 정수, λ는 반사광 파장, d는 돌출부 간격, α는 입사각, β는 검출각
이를 상세히 설명하자면, 제 1 돌출부(191)에 입사되는 입사광축(a)에서 상기 제 2 돌출부(192)의 A위치와 수직이되는 D와 상기 제 1 돌출부(191)에 광이 입사되는 B와의 거리(BD)와, 상기 B에서 상기 제 2 돌출부(192)측으로 반사되는 반사광축(b)에서 상기 제 2 돌출부(192)의 A위치와 수직이되는 C와의 거리(BC)를 합하게 되므로 광경로차가 연산되며, 여기서 광경로차는 일정정수 m과 파장을 곱한것으로써 상기 수학식 1의 mλ가 된다.
즉, 다수개의 돌출부에 소정의 광을 조사하게되면, 각각의 돌출부에서 반사되는 각각의 반사광(b)은 인접한 돌출부에서 반사되는 광에 의해 증폭되는 보강간섭이 발생되며, 이때 증폭되는 광은 정수(m)배가 되고, 광경로차는 파장(λ)과 보강간섭에 의한 정수 m의 연산치가 된다. 이때, 상기 반사광 검출수단(121)에서 검출되는 회절광의 세기가 상대적으로 높이 검출되는 입사각도는 적어도 43도이상이 된다.
그리고, BD는 AB간의 거리, 즉, 돌출부(191, 192)간의 거리(d)와 입사각(α)의 곱셈결과치(dsinα)가 되고, BC는 상기 돌출부간의 거리(d)와 검출각도(β)의 곱셈결과치(dsinβ)가 된다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 양품 및 불량품의 측정치를 나타낸 그래프이다.
도시된 도 6은 회절광세기를 Y축, 파장을 X축으로 하여 다결정 실리콘에 광을 조사하여 측정한 스펙트럼이다. 다수개의 돌출부(191, 192)가 일정한 간격을 배열된 양품 다결정실리콘은 다수개의 돌출부가 불규칙한 간격으로 배열되는 불량 다결정 실리콘에 비하여 회절된 광의 세기가 크다.
이를 상세히 설명하자면, 다결정 실리콘에 형성되는 다수개의 돌출부(191, 192) 각각에 광을 조사하고, 상술한 바와 같이 반사광을 수광하게 되면, 인접한 각 돌출부(191, 192)에서 회절된 광에 의한 보강간섭이 발생하게되어 돌출부(191, 192)의 간격(d)이 일정할수록 다결정 실리콘에서 회절된 반사광의 세기가 증가하게 되고, 아울러, 각 돌출부(191, 192)의 간격이 소정의 범위에 해당되면 동일파장의 회절광을 반사하고, 또는 각 돌출부(191, 192)의 간격에 차이가 있으면 서로 다른 파장대의 회절광을 반사하므로 도 6과 같은 스펙트럼에서 피크치(c)가 돌출부 간격(d)의 평균값이 된다.
즉, 도 6은 돌출부 간격에 따른 회절광의 파장과 광세기를 측정한 것으로써, 상기 다결정 실리콘에서 소정의 범위내에 해당되는 간격을 갖는 돌출부의 수가 많을수록 동일파장을 갖는 회절광이 발생되며, 동일파장을 갖는 회절광이 많을수록 보강간섭에 의해 특정파장에서의 광세기는 증가하게 된다. 따라서 상기 다결정 실리콘에서 소정의 범위내에서 돌출부(191, 192)의 간격치(d)가 가장 많은 일정범위가 도 6의 피크치(c)가 된다.
또한, 상기 돌출부(191, 192)의 간격(d)에서 소정의 차이가 발생되면, 회절되는 반사광의 파장에 차이가 발생되므로 상기 스펙트럼에서 일정범위의 파장대를 갖는 광이 일정범위내, 즉 반폭치(d)에서 산포를 형성하게 된다.
상기 발명의 상세한 설명은 본 발명의 특정 실시예를 예로 들어서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 개념을 이탈하지 않는 범위 내에서 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 형태로 변형 또는 변경 실시하는 것 또한 본 발명의 개념에 포함되는 것은 물론이다.
따라서 상술한 바와 같은 본 발명에 따른 다결정 실리콘 검사장치 및 방법은 소정의 광을 조사하여 돌출부의 간격을 측정함으로써 양품과 불량품을 식별할 수 있어 표시장치의 불량을 사전에 방지할 수 있어 제품의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.
도 1은 일반적인 박막트랜지스터를 나타낸 단면도,
도 2a는 다결정 실리콘의 일예를 나타낸 사시도,
도 2b 다결정 실리콘의 타예를 나타낸 사시도,
도 3은 본 발명에 따른 다결정 실리콘 검사장치의 블럭도,
도 4는 본 발명에 따른 다결정 실리콘 검사장치를 나타낸 단면도,
도 5는 본 발명에 따른 다결정 실리콘 검사방법을 나타낸 단면도,
도 6은 본 발명의 특성을 나타낸 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
111 : 광원조절수단 112 : 광원
121 : 반사광 검출수단 122 : 검출각도 조절수단
130 : 입력수단 140 : 디스플레이수단
150 : 제어수단 160 : 각도계
200 : 지지부재 210 : 제 1 지지수단
220 : 제 1 고정수단 230 : 제 2 지지수단
240 : 제 3 지지수단 250 : 제 2 고정수단

Claims (15)

  1. 소정의 광을 조사하는 광원과;
    반사된 광을 수광하는 반사광검출수단을 포함하되,
    상기 광원으로부터 상기 돌출부에 조사되는 광의 입사각과 상기 반사광검출수단의 검출각, 그리고 검출된 반사광의 파장을 통하여 상기 돌출부의 간격을 측정하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 검사장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 돌출부의 간격은
    의 수식에 의하여 연산되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 검사장치.
    상기 식에서 m은 정수, λ는 반사광 파장, d는 돌출부 간격, α는 입사각, β는 검출각이다.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 검사장치는
    상기 광원의 입사각을 조절하는 광원조절수단과;
    상기 반사광검출수단의 검출각도를 조절하는 검출각도조절수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 검사장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 검사장치는
    상기 돌출부에 반사되어 회절된 빛의 파장과 세기 스펙트럼에서 피크중심을 통해 상기 다수개의 돌출부의 간격 평균값을 측정하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 검사장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 검사장치는
    상기 돌출부에 반사되어 회절된 빛의 파장과 세기 스펙트럼에서 피크반폭치로부터 상기 다수개의 돌출부 간격의 산포를 측정하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 검사장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한항에 있어서,
    상기 광원으로부터 상기 돌출부에 조사되는 광의 입사각은 적어도 43도 이상인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 검사장치.
  7. 다수개의 돌출부가 형성된 다결정 실리콘의 검사장치는,
    소정의 광을 조사하는 광원과, 상기 광원의 입사각을 조절하는 광원조절수단과, 반사된 광을 수광하는 반사광검출수단과, 상기 반사광검출수단의 검출각도를 조절하는 검출각도조절수단과, 상기 다결정 실리콘이 안착되는 측정기판을 포함하는 측정부재와;
    상기 측정기판을 지지하는 제 1 지지수단과, 상기 제 1 지지수단을 고정시키는 제 1 고정수단을 포함하여 상기 측정부재를 지지하는 지지부재를 포함하되,
    상기 다수개의 돌출부 간격은
    의 수식에 의하여 연산되는 것을 특징으로 하는 다결정실리콘검사장치.
    상기 식에서 m은 정수, λ는 반사광 파장, d는 돌출부 간격, α는 입사각, β는 검출각이다.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 측정부재는
    상기 광원조절수단과 반사광검출수단의 지향각을 조절하기 위한 각도계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 검사장치.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 광원은
    백색광을 발광하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 검사장치.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 검사장치는
    상기 다수개의 돌출부에 반사되어 회절된 빛의 파장과 세기 스펙트럼에서 피크중심을 통해 상기 다수개의 돌출부의 간격 평균값을 측정하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 검사장치.
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 검사장치는
    상기 돌출부에 반사되어 회절된 빛의 파장과 세기 스펙트럼에서 피크반폭치로부터 상기 다수개의 돌출부 간격의 산포를 측정하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 검사장치.
  12. 제 7 항 내지 제 11 항중 어느 한항에 있어서,
    상기 광원으로부터 상기 돌출부에 조사되는 광의 입사각은 적어도 43도 이상인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 검사장치.
  13. 다결정 실리콘에서 다수개의 돌출부에 소정의 입사각으로 광을 조사하는 단계와;
    소정의 검출각도로 상기 다결정실리콘에 지향하여 상기 다결정실리콘에서 반사된 광을 수광하는 단계와;
    상기 입사각과 상기 검출각 및 파장을 측정하고, 의 수식에 의하여 상기 다결정 실리콘의 돌출부 간격을 연산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정실리콘검사방법.
    상기 식에서 m은 정수, λ는 반사광 파장, d는 돌출부 간격, α는 입사각, β는 검출각이다.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 다수개의 돌출부에 반사되어 회절된 빛의 파장과 세기 스펙트럼에서 피크중심을 통해 상기 다수개의 돌출부의 간격 평균값을 측정하는 단계와;
    상기 돌출부에 반사되어 회절된 빛의 파장과 세기 스펙트럼에서 피크반폭치로부터 상기 다수개의 돌출부 간격의 산포를 측정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 검사방법.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항중 어느 한항에 있어서,
    상기 다결정 실리콘의 돌출부에 조사되는 광의 입사각은 적어도 43도 이상인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 검사방법.
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