KR20050068803A - 냉각수 공급 장치 - Google Patents

냉각수 공급 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20050068803A
KR20050068803A KR1020030100614A KR20030100614A KR20050068803A KR 20050068803 A KR20050068803 A KR 20050068803A KR 1020030100614 A KR1020030100614 A KR 1020030100614A KR 20030100614 A KR20030100614 A KR 20030100614A KR 20050068803 A KR20050068803 A KR 20050068803A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cooling water
bubble
supply device
water supply
present
Prior art date
Application number
KR1020030100614A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100802291B1 (ko
Inventor
박재일
Original Assignee
동부아남반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부아남반도체 주식회사 filed Critical 동부아남반도체 주식회사
Priority to KR1020030100614A priority Critical patent/KR100802291B1/ko
Publication of KR20050068803A publication Critical patent/KR20050068803A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100802291B1 publication Critical patent/KR100802291B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 냉각수 공급 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 크기를 달리한 버블 트랩을 통하여 이물질을 필터링하는 냉각수 공급 장치에 관한 것이다.
본 발명의 냉각수 공급 장치는 냉각수 공급 장치에 있어서, 냉각수의 버블을 필터링하는 버블 트랩 및 상기 버블을 유출하는 공기 배출기로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 냉각수 공급 장치는 크기를 달리한 버블 트랩을 통하여 버블을 필터링하여 일정한 물의 양과 버블로 인한 냉각의 저하를 막는 장점이 있고, 열에 의한 웨이퍼의 손상을 방지하여 정확성을 높일 수 있는 효과가 있다.

Description

냉각수 공급 장치{Equipment for supplying cooling water}
본 발명은 냉각수 공급 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 크기를 달리한 버블 트랩을 통하여 이물질을 필터링하는 냉각수 공급 장치에 관한 것이다.
특정 박막 성장을 이용하여 반도체를 제조하는 공정 중에는, 수소 또는 질소 같은 캐리어 가스(Carrier Gas)를 액체 또는 기체상태의 화합물을 함유하는 용기(버블러) 내로 도입하여 기포를 일으키고(Bubbling) 용기를 가열함으로써 화합물을 기화 또는 승화시킨 다음, 기화된 화합물을 캐리어 기체와 더불어 반응기 내로 운송하여 웨이퍼상에 증착시키는 공정이 포함된다.
도 1은 종래의 버블 장치를 나타내는 개략도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 진공을 유지시키기 위하여 버블러(10)의 입구측은 상호 결합되는 결합부재(20, 30)로 밀봉되어진다. 이때 상/하부결합부재(20,30) 사이에는 고무링(O-ring)(40,41)이 개재되어 진공도를 유지시킨다. 그리고 상/하부결합부재(20, 30)에는 캐리어 가스가 공급되는 공급관(51)과 캐리어 가스 및 기화된 화합물이 배출되는 배출관(52)이 결합되어 있다.
상기 반도체 제조장치에 있어서, 화학기상증착에 의해 제조되는 박막은 불순물이 극히 적은 것을 요구하기 때문에 진공반응기 챔버에 화합물이 공급되기 전까지는 액상이었을 때와 같은 물질이어야 한다. 예컨대, 금속으로 된 버블러(10) 내주면과의 접촉이나 버블러 내의 기밀이 좋은 상태로 유지되지 않을 경우 대기중의 산소나 수분과의 접촉에 따른 부반응이 일어나게 되면 버블러 내의 유기화합물의 화학적결합 상태가 변화하게 되어 박막의 질과 수율이 크게 떨어지게 된다. 또한 버블러(10) 내부에서 부반응이 일어날 경우에는 외부에서 확인이 불가능하게 되므로 반도체 공정 수행이 되더라도 불량 발생률이 높게 되어 반도체 소자 제조시 신뢰성은 물론 생산성에 커다란 악영향을 미치게 된다.
또한, 종래의 냉각수는 터미널(Terminal)과 그라운드(Ground)로 분리된다. 이중 상기 그라운드 냉각수는 웨이퍼가 임플랜팅(Implanting)되는 플라튼(Platen)의 냉각을 담당하기 때문에 중요하다. 그러나 상기 그라운드 냉각수에 생기는 버블의 압력으로 인해 냉각수가 회전하지 않을 수 있고, 이로 인하여 웨이퍼에 영향을 미치는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 버블 트랩을 통하여 버블을 필터링하여 냉각수에 문제가 되지 않게 하여 공정 진행에 문제가 되지 않는 냉각수 공급 장치를 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 냉각수 공급 장치에 있어서, 냉각수의 버블을 필터링하는 버블 트랩 및 상기 버블을 유출하는 공기 배출기를 포함하여 이루어진 냉각수 공급 장치에 의해 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 버블 트랩을 나타내는 구성도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 버블 트랩(Bubble Trap)은 버블들을 모아서 냉각수의 사용에 문제가 되지 않게 한다. 상기 버블 트랩은 다수의 망으로 구성되어 있으며, 상기 망의 구멍 크기는 순차적으로 점점 작아져서 버블들을 제거한다. 본 발명에서는 바람직하게 3개의 망으로 구성되어 있다.
도 3은 본 발명에 따른 버블 장치를 나타내는 구성도이다. 도 3을 살펴보면, 그라운드 냉각수는 부동액과 초순수(DI Water)를 50 : 50의 비율로 사용하는데, 여기서 상기 부동액 때문에 많은 버블이 생기게 된다. 그리하여 버블 트랩(100)은 상기 버블들을 모으는 것이다.
상기 부동액과 초순수가 입력되면 냉각수는 하단부로 회전하고 버블은 버블 트랩(100)을 통해 필터링된다. 이때 공기는 공기 배출기(110)를 통해 외부로 나가고 상기 버블 트랩(100)에서 필터링된 물을 따로 빼 다시 냉각수와 합쳐지게 된다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 냉각수 공급 장치는 크기를 달리한 버블 트랩을 통하여 버블을 필터링하여 일정한 물의 양과 버블로 인한 냉각의 저하를 막는 장점이 있고, 열에 의한 웨이퍼의 손상을 방지하여 정확성을 높일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 버블 장치를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 버블 트랩을 나타내는 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 버블 장치를 나타내는 구성도이다.

Claims (3)

  1. 냉각수 공급 장치에 있어서,
    냉각수의 버블을 필터링하는 버블 트랩; 및
    상기 버블을 유출하는 공기 배출기
    를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 냉각수 공급 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 버블 트랩은 구멍이 형성된 다수의 망으로 구성된 것을 특징으로 하는 냉각수 공급 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 각 망은 구멍의 크기가 순차적으로 작아지는 것을 특징으로 하는 냉각수 공급 장치.
KR1020030100614A 2003-12-30 2003-12-30 냉각수 공급 장치 KR100802291B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030100614A KR100802291B1 (ko) 2003-12-30 2003-12-30 냉각수 공급 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030100614A KR100802291B1 (ko) 2003-12-30 2003-12-30 냉각수 공급 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050068803A true KR20050068803A (ko) 2005-07-05
KR100802291B1 KR100802291B1 (ko) 2008-02-11

Family

ID=37259322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030100614A KR100802291B1 (ko) 2003-12-30 2003-12-30 냉각수 공급 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100802291B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100765391B1 (ko) * 2006-07-05 2007-10-10 세메스 주식회사 메쉬망에 의한 기포 제거 장치
KR20150074911A (ko) * 2013-12-24 2015-07-02 주식회사 포스코 스키드 냉각수 공급장치 및 방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000024808A (ko) * 1998-10-02 2000-05-06 최종관 Tft lcd용 글라스의 자동 에칭 장치 및 에칭방법
KR100284324B1 (ko) * 1998-11-27 2001-03-02 김경균 건습식 폐가스 처리장치 및 그 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100765391B1 (ko) * 2006-07-05 2007-10-10 세메스 주식회사 메쉬망에 의한 기포 제거 장치
KR20150074911A (ko) * 2013-12-24 2015-07-02 주식회사 포스코 스키드 냉각수 공급장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100802291B1 (ko) 2008-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7883076B2 (en) Semiconductor processing system and vaporizer
JP3676983B2 (ja) 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置
US20070266946A1 (en) Semiconductor device manufacturing apparatus and method of using the same
US7727296B2 (en) Collecting unit for semiconductor process
US20060266288A1 (en) High plasma utilization for remote plasma clean
US20110073136A1 (en) Removal of gallium and gallium containing materials
JP5011148B2 (ja) 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置
CN106575609A (zh) 调节远程等离子源以获得具有可重复蚀刻与沉积率的增进性能
KR20030011568A (ko) 반도체 처리 장치 및 그 클리닝 방법
JPH06244269A (ja) 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法
JP2020191427A (ja) ハードマスク、基板処理方法及び基板処理装置
US20180105933A1 (en) Substrate processing apparatus and method for cleaning chamber
JP4024624B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
US11198949B2 (en) Method of producing epitaxial silicon wafer
KR100802291B1 (ko) 냉각수 공급 장치
WO2010008102A1 (en) Cleaning method of apparatus for depositing carbon containing film
KR101553458B1 (ko) 반도체 제조장치부품의 세정방법, 반도체 제조장치부품의 세정장치 및 기상성장장치
US12020906B2 (en) Grounding cap module and gas injection device
CN113365747A (zh) 用于清洁真空系统的方法、用于真空处理基板的方法以及用于真空处理基板的设备
JP4348835B2 (ja) クリーニング方法
JPH05211122A (ja) 縦型減圧化学気相成長装置
JP4669257B2 (ja) 半導体製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置
JP5355514B2 (ja) 半導体製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP2004031750A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH10223620A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee