KR20050052992A - 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판 및 상기 투명기판을통합하는 장치 - Google Patents

보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판 및 상기 투명기판을통합하는 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20050052992A
KR20050052992A KR1020040096668A KR20040096668A KR20050052992A KR 20050052992 A KR20050052992 A KR 20050052992A KR 1020040096668 A KR1020040096668 A KR 1020040096668A KR 20040096668 A KR20040096668 A KR 20040096668A KR 20050052992 A KR20050052992 A KR 20050052992A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transparent
conductive film
transparent substrate
electrodes
conductive
Prior art date
Application number
KR1020040096668A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101093301B1 (ko
Inventor
지안-카를로 폴리
조아침 그루프
피에르-베스 바로니
Original Assignee
아스라브 쏘시에떼 아노님
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아스라브 쏘시에떼 아노님 filed Critical 아스라브 쏘시에떼 아노님
Publication of KR20050052992A publication Critical patent/KR20050052992A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101093301B1 publication Critical patent/KR101093301B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/778—Nanostructure within specified host or matrix material, e.g. nanocomposite films
    • Y10S977/781—Possessing nonosized surface openings that extend partially into or completely through the host material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/778—Nanostructure within specified host or matrix material, e.g. nanocomposite films
    • Y10S977/784—Electrically conducting, semi-conducting, or semi-insulating host material

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

상기 전극(7) 및 접촉 지역(15)은 TCO 필름을 통해 통과하고 UV 방사에 의해 획득되는 나노 균열(11)에 의해 형성되는 절연 공간(9)에 의해 분리되는 동안, 매개적 필름(3)과 함께 코팅되는 투명 지지부(1)상에 증착되는 투명 전도성 산화물(TCO)의 필름 내에 구조화 된다.
보호성 필름(13)은 상기 전극(7) 및 상기 절연 공간(9)을 코팅할 수 있다.

Description

보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판 및 상기 투명기판을 통합하는 장치{TRANSPARENT SUBSTRATE WITH INVISIBLE ELECTRODES AND DEVICES INCORPORATING THE SAME}
본 발명은 투명한 전극을 제공하는 하나 이상의 표면을 지닌 투명 기판에 관한 것으로서, 그것의 구조는 그들의 외형이 가시광선 범위에서 관찰자에게 인식될 수 없다.
본 발명은 또한 일반적으로 전기 에너지 컬렉터 롤(role)을 지닌 보이지 않는 전극을 지닌 하나 이상의 투명 기판들, 보다 구체적으로 상기 전극들의 구조 및 배열에 의해 방해됨 없이, 상기 디스플레이로부터 데이터를 읽을 수 있는 전기 장치의 디스플레이 위에 배치되는 장치들을 포함하는 장치에 관한 것이다.
본 발명은 그들의 윤곽이 보이지 않도록 하기 위해 전극들 간의 광학 보상을 제공하는 동안 투명 전극 상의 전극에서 경제적 방법 그리고 매우 높은 정확성을 지닌 구조화에 대한 방법에 관한 것이다.
해결책들이 가능한 분리된 상태를 유지하는 디스플레이와 관찰자 간에 배치된 전극들에 의해 형성되는 인터페이스를 만들기 위해 그리고 특히 시계의 경우에 있어 전기 장치의 심미적 외관에 손상 없도록 제안되어 왔다. 예를 들어, 용량성 또는 저항성 효과에 의해 시간 또는 비 시간-관련 기능들의 촉각적 제어를 위한 전극을 포함하는 손목 시계 내부의 유리의 내부 표면이 알려져 왔다. 이것은 미국 특허 No 4,228,534 및 EP 특허 No 0 674 247 및 1 207 439에 제한되지 않은 방법으로 설명되었다. 상기 유리는 액티브 물질이 투명한 전극들 간에 배치되는 두 개의 기판으로 형성되는 셀에 의해 대치되거나 또는 완성될 수 있다. 예를 들어, 에너지 소스를 형성하는 광기전성 셀을 형성하기 위해 WO 특허 No, 93/19479 에 설명된 경우 내지 WO 특허 번호 99/32945에 설명된 것과 같은 하위 다이얼 상에 디스플레이 된 것과 다르거나 또는 보완적으로 디스플레이 하기 위한 상태 또는 투명 상태를 를 지닐 수 있는 액상 크리스털 셀을 형성하는 것이다.
전극을 만들기 위하여, 투명한 컨덕터 산화물들은 공지된 방법으로 사용된다. 예를 들어, 안티몬으로 도핑된 주석 그리고 ITO(인듐 산화물), In2O3 또는 SnO2와 같은 눈에 보이는 필드에서 좋은 컨덕터이자 투명한 물질과 같은 것이다. 투명한 전도성 폴리머, 화학적 또는 전기화학적 도핑에 의해 증대될 수 있는 전도성의 컨쥬게이트 된 이중 결합을 지닌 유기적 성분들은 전극을 구조화하기 위한 전도성필름으로서 사용될 수 있다. 그것은 예를 들어 Ormecon?怜? 같은 폴리아세틸린 또는 폴리아닐린이 될 수 있다. 이러한 50에서 100nm 차원의 필름들은 직접적으로 투명한 기판으로 전송되거나 또는 스퍼터링, 발산, 솔-겔 기술 및 화학적 증발 침전(CDV)과 같은 다수의 공지 기술을 통해, 화학적 증발을 돕는 레이저(LICVD)로부터 매개적 레이어 상에 직접적으로 전송된다.
상기 전극들의 구조와 관련하여, UV 레이저 방사에 의한 솔-겔 필름의 국부적 결정화로 인한 TCO의 증착동안 또는 충분한 감응력을 지닌 UV 레이저 방사에 의한 화학적 에칭 또는 국부적 박리 동안 연속적인 TCO 필름 상에서 전달함으로써 , 상기 전극의 외형에 대응하는 하나 이상의 마스크를 이용함으로써 구현하는 다양한 공지된 방법이 존재한다. 상기 투명 기판, 유리 또는 플라스틱의 성질은 프로세스의 선택이 적용되기 위한 명백히 기술적 및 경제적 관점으로부터 명백히 결정적인 성분이다. UV 레이저에 의한 솔-겔 필름의 국부적 결정화는 그것이 빛과 열을 내는 과정이기 때문에, PMMA와 같은 플라스틱 기판 상에 적용되기 어렵다.
또한, 선택적 에칭 방법에서 침략적인 화학 성분의 이용은 상기 기판 및 TCO 필름 간에 삽입된 매개적 레이어 또는 기판의 붕괴를 일으킬 수 있으며 상기 전극들 간의 비-전도성 공간들은 비-전도적 공간을 채우기 위해 사용되는 방법이 무엇이던지 간에 맨눈에 인식될 수 있도록 남아 있을 수 있다. 이러한 비-전도적 공간들은 또한 광선을 벗어날 수 있는 부풀림(bulge) 또는 함몰을 형성하지 않고 그들을 채우기 어렵기 때문에 시각적일 수 있으며, 에칭 및 채움을 위해 각각 보완적인 두 가지 마스크를 이용하는 것이 필요하다.
앞서 언급한 결점을 극복하기 위해, 출원인의 이름으로, 여기에 참고문헌으로 통합된 유럽 특허 출원 No, 03005615.4 에 제안된 방법은 그것의 특징들(감응력, 임펄스의 수, 주파수)이 두 개의 연속한 단계에서 두 가지 다른 모드들과 일치하도록 조정되는 레이저 방사를 이용하는 단일 마스크를 이용하는 단계로 구성된다. 상기 제 1 단계는 비-전도성 공간에서 TCO를 전체적으로 제거하는 단계로 구성된다. 그리고 제 2 단계는 상기 공간에서 적합한 반사율 지표 및 두께를 지니는 물질의 증착을 일으키는 단계로 구성된다. 사실상 서로 근접한 두 개의 전극들은 그들을 분리하는 공간 내의 전도성 물질의 어떠한 추적이라도 제거함으로써 전기적으로 절연될 수 있다.
놀랍게도, 그러나, 상기 전기적 전도성은 초기의 선택적 특징들을 유지할 수 있는 TCO를 제거하지 않으면서도 두 개의 가까운 전극들이 전기적으로 절연될 수 있으며 그 결과 상기 전극의 외형이 보이지 않도록 만드는 그러한 낮을 레벨까지 낮추어질 수 있다는 것이 나타났으며, 상기 전극을 전송하는 투명 전극의 각이 무엇이던지 간에 관찰된다.
본 발명은 따라서 투명 전도성 필름이 침전되는 곳 상의 투명한 지지부를 포함하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 투명 전극에 관한 것이다. 이 때, 상기 전극들은 비-전도성 공간에 의해 분리되는 외관과 함께 구조화 된다. 상기 기판은 상기 비-전도성 공간의 위치에서 상기 전도성 필름은 맨눈에도 식별할 수 있는 방법으로 광선의 경로를 변경하지 않고 이웃하는 전극들 간의 전기 전도성을 방해하는 상기 전도성 필름의 전체 두께를 통해 패스하는 대부분의 갈리진 틈 또는 나노(nano) 균열을 포함한다. 이러한 나노 균열 또는 갈라진 틈의 모서리들은 대부분 관찰자의 시각적 예리함이 가까운 시각(20-30cm), 1/10th 의 밀리미터 떨어진 곳 이하의 물체들을 그가 분간할 수 없도록 관찰자에 의해 보일 수 없는 몇 마이크론에 의해 분리된다.
상기 전도성 필름은 투명한 전도성 산화물(TCO)이 될 수 있으나 또한 투명한 전도성 폴리머가 될 수 있다. 그러나 다음의 설명에서 참고 문헌은 투명한 전극을 제조하는 최상의 공지된 상품인 TCO에 필수적이 될 것이다.
바람직한 일 실시예에서, TCO 필름의 침전에 따라, 상기 투명 지지부는 나노 균열을 형성하도록 하는 하드 투명 비-전도성 물질(하드 코팅)의 필름으로 코팅된다.
또 다른 바람직한 일 실시예에 따라, 상기 전극을 구조화 한 이후에, 상기 전극 접촉 지역을 제외한 상기 기판의 전체, 예를 들어 전극들 및 비-전도성 공간들은 시간에 대해 나노 균열을 안정화하는 쪽으로 비-반사성 특징을 또한 지닌 보호성 필름으로 코팅된다.
TCO 필름에서 상기 나노 균열들은 레이저 소스를 이용하여 UV 방사에 의해 획득된다. 이것을 하기 위해, 상기 방법은 다음의 단계들을 포함한다.
- 가스 유동체 공급 및 펌핑(pumping) 배출구를 지닌 봉합된 닫힌 공간에서, 매개적 레이어 상에 가능하게 증착된 상기 지지부 및 상기 TCO 필름을 형성하는 기판의 배치,
- 상기 UV 방사 소스 및 상기 기판 사이에 삽입하는 단계, 이 때 마스크는 UV 방사에 투명한 윈도우를 포함하고, 상기 윈도우는 상기 비-전도성 공간의 원하는 외형을 재상산하며, 그리고,
- 상기 기판을 형성하기 위해 사용되는 물질의 기능으로서, 그들의 두께 및 발산 소스의 선택이, 문제의 제거 없이 TCO 필름 내의 나노 균열을 일으키는 상기 방사의 특징을 조정하는 단계
상기 소스의 선택과 관련하여, 주로 자외선 범위 내에서 발산하고 그것의 이용은 펄스화 된 엑시머 레이저가 사용되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 짧은 펄스(20ns)를 지닌 엑시머 KrF(λ=248nm)EH는 긴 펄스(250ns)를 지닌 엑시머 XeF(λ=308nm)가 될 수 있다. "방사 특징"은 감응력, 펄스의 수 그리고 그들의 주파수를 의미한다.
이러한 특징들의 조정은 전기적 전도성의 충분한 낮춤 없이, 균열이 관찰 될 수 있는 하향(lower) 제한 사이로 수행되어야만 하나, 상향(upper) 제한은 전극이 수십 밀리미터의 차원인 곳 간의 일반적인 절연 공간이 주어진 전극의 외형이 시각화 되도록 만드는 TCO 필름의 박기를 발생시킨다. 그것은 명백히, 앞에서 인용한 유럽 특허 출원 No 03005615. 4에 도시된 바와 같이, 광학 보상이 획득되도록 하는 투명한 절연 물질을 지닌 이런 공간을 채울 수 있다.
본 발명에 따른 상기 방법은 따라서 위의 단계를 요구하지 않는 이점을 지니며, 따라서 보다 경제적이다. 또한 그것은 TCO 필름의 고유 특징에 있어서(반사 지표 및 두께), 만족할 만한 광학 보상을 획득하기 위해 적용된 반사 지표 및 두께를 지닌 절연 물질 선택의 어려움을 부과하지도 않는다.
상기 전극이 구성된 이후에, 그것의 UV 투명 윈도우가 우명 보호성 필름의 증착이 전체 기판 상에 만들어 지도록 이전의 마스크를 또 다른 마스크로 대체하는 닫힌 공간에서 기판을 남겨두는 것이 유리하다. 예를 들어, 상기 닫힌 공간으로 전조 가스를 소개함으로써 상기 전극의 접촉 지역을 제외한 전극 및 비-전도성 공간이다. 그것의 특징 및 두께가 비-반사성 특징이 획득되도록 하는 물질이 보호성 필름을 형성하기 위해 사용되는 것이 바람직하다. 상기 필름은 또한 시간에 대해 나노 균열을 안정화 하는 이점을 지닌다.
따라서 보이지 않는 전극들을 지닌 투명 전극이 당업자에게 알려진 상품에 균일 적으로 그리고 보다 우수한 투명 퀄리티를 제공하는 동안 앞에서 인용된 출원 전체 내에서 사용될 수 있다.
도 1 은 레이저 소스에 의해 형성되는 UV 광선의 소스(14), 볼록 렌wm(16)를 포함하는 광학 시스템 타입 그리고 그것의 감응력을 증가하기 위해 상기 레이저 빔의 섹션을 감소하기 위한 발산 렌즈(18), UV 방사 투명 지역(12)을 포함하는 마스크(10), 그리고 닫힌 공간(2)을 포함한다. 닫힌 공간(2)은 UV 광선에 투명한 윈도우(8), 가스 출입구(4) 및 펌프 출구(6)를 포함한다. 닫힌 공간(2)은 또한 전조 가스의 벡터 가스를 위해 부가적인 출입구(도시 안 됨)를 포함할 수 있다. 닫힌 공간(2)의 내부는 이 실시예에서, 이미 TCO 필름(5)으로 코팅된 투명 베이스를 포함하는 기판에 배치된다. 그것은 물론 에너지 소비가 100배 더 크다고 할 때, 예를 들어, LICVD에 의해 닫힌 공간(2)내에 직접적으로 TCO 필름을 형성할 수 있으나, 경제적으로는 덜 바람직하다.
상기 UV 방사 소스는, 엑시머 레이저에 의해 형성되며, 예를 들어 1.9*2.4 cm2 의 사각 빔을 지닌 임펄스마다 150mJ의 최대 에너지를 공급하는 긴 임펄스(250ns)를 지닌 XeF 레이저(308nm) 또는 1.5*4 cm2 의 사각 빔을 지닌 임펄스마다 180mJ의 최대 에너지를 공급하는 짧은 임펄스(20 ns)를 지닌 KrF 레이저(248nm)이다. 다른 레이저들, 예를 들어 삼각 또는 사각 Nd:YAG 레이저는 원하는 물체로 접합한 그들의 특징을 제공하면서 사용될 수 있다.
도 2 및 3은 가장 단순한 실시예를 도시하며, 이 때, 지지부(1)는 70nm의 두께를 지닌 주석 및 인듐 산화물(ITO)과 같은 연속적인 TCO 필름과 함께 코팅되는 투명 물질로 이루어진다. 물론 그것은 Sb로 도핑된 In2O3 및 SnO2와 같은 또 다른 TCO를 이용할 수 있으며, 그리고 다른 두께를 지니거나 50에서 100nm 사이에서, 바람직하게는 65에서 75nm 간에 포함된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 닫힌 공간(2)에서 UV 방사 이후, 비-전도성 공간(9)이 형성되고, ITO 필름 및 전기적으로 분리된 전극(7) 그리고 접촉 지역(15)을 통과하는 나노 균열(11)에 의해 생성된다. 이러한 균열들을 획득하고 그리고 이러한 전기적 공간(9)에서 ITO를 박리 하지 않기 위해, 상기 UV 방사 특징들은 제한 내에서 조절되어야만 하며, 그에 따라 상기 나노 균열의 깊이는 도 4에서 6에 대응되는 제 2 실시예에서, 보다 상세히 설명되는 것과 같이 상기 ITO 필름의 제거를 발생시키지 않고 이웃하는 전극들을 전기적으로 절연하는 전도성 내에서 충분한 중단을 일으킨다.
도 4에서, 상기 기판은 지지부(1)에 의해 형성되고, 그것은, 이 실시예에서, PMMA로 만들어 지며, 하드, 비-전도성 투명 물질(하드 코팅)의 매개적 레이어(3)상에 증착된다. 나노-균열 이후에 ITO 베이스를 안정화 하고 PMMA를 보호하는 이 매개적 레이어는 예를 들어 SiO2 를 통합하는 진(resin)으로 형성되고 그리고 그것의 두께는 20μm의 차원이다. 이 기판은 닫힌 공간(2)내에 배치되고, 그 후 마스크(10)를 통해 소스(14)로부터 UV 광선에 영향을 받는다. 다음의 실시예에서, 상기 소스는 감응력이 변화하는 동안 3*4mm2 의 밝혀진 표면에서 5Hz에서 20 임펄스들의 조명 특징의 긴 임펄스(250ns)를 지닌 XeF 엑시머 레이저(λ=308nm)에 의해 형성된다.
도 5는 전극(7) 및 접촉 지역(15)을 분리하는 비-전도성 공간(9)을 생성하는 나노 균열(11)의 구조적 형성을 도시한다.
도 6 은 닫힌 공간(2)에서 기판이 유지되는 선택적 단계를 도시한다. 그러나 그곳에서 마스크는 그것의 방사 투명 윈도우가 상기 투명 기판의 유용한 외관의 범위를 정하는 또 다른 마스크로 대체된다. 전조 가스는 그 후 공급 도관(4)을 통해 닫힌 공간으로 들어가고, 이는 다시 UV 방사 특징을 조정하는 동안 보호성 필름(13)의 증착을 허용한다. 필름(13)은 예를 들어 균일한 두께의 SiO2 및 TiO2의 증착에 의해 형성되고 바람직하게는 반사하지 않는 특징을 지니도록 변경된다. 필름(13)은 또한, 반면에, 나노 균열(11)이 시간에 대해 안정화되는 것이 가능하도록 하며, 반면, 상기 나노 균열간의 공간을 채움으로써 심지어 전극을 덜 시각화 되도록 만들 수 있다.
도 7에서 11은 어떻게 UV 방사 특징들이 조정되는지를 도시한다. 3개의 동일한 샘플들이 사용되며, 20μm의 두께를 지닌 매개적 레이어를 포함하고, 매개적 레이어 상에서 ITO 필름 70nm가 증착되며, 3*4mm의 표면이 감응력을 변화시키는 동안 5Hz에서 20 펄스를 지닌 308nm 길이 펄스 엑시머와 함께 설명되었다.
도 7에 도시된 상기 다이어그램은 조명된 지역에서 상기 샘플들의 전기적 특징을 측정하기 위한 장착 배열을 도시한다. 발생기(17)는 2.2KΩ 및 570kΩ 간에 조정되는 레지스터(19)와 샘플 위치(23)를 직렬로 포함하며, 이는 0.7mA에서 0.2μA 간에 포함된 전류 값들이 레지스터(19)의 단자의 전압을 볼타미터(21)를 통해 측정함으로써 감소되도록 한다. (Rech =(Vgen - V)/I). 상기 "샘플 부분"(23)은 도 8에 도시된 바와 같이 나노 균열의 각 측면으로부터 0.3에서 0.5mm의 거리에서 두 지점(24)간에 취해진다. 루프-모양 종단부는 예를 들어 팁들에 의해 손상되고 있는 ITO 필름을 예방하기 위해 부드럽게 된 접촉 지접과 같이 사용될 수 있다(도시 안 됨).
상기 샘플이 어떠한 UV 방사도 겪지 않을 때, 상기 팁들 간의 저항은 670옴의 조정된 저항을 지닌 샘플을 통해 통과하는 1.5mA의 전류에서 180Ω이다.
도 8 은 65mJ/cm2의 감응력 및 앞에서 인용된 특징을 지니는 레이저 빔을 지닌 방사 이후에, 주위(15)의 전력을 확장하는 반사 모드에서 현미경 하에서 관찰된다. 그것은 상기 나노 균열들이 수로 크다는 것을 보여준다. 팁들을 측정하는 것 간의 동일한 거리를 지닌 비-조명된 샘플에 관한 동일한 전기적 측정을 수행함으로써, 상기 교류 는 더 이상 측정 가능하지 않으며(<<0.2μA), 이것은 균열(11)의 각 측면 상에 배치된 ITO 패드들이 충분히 전기적으로 절연되었음을 의미한다.
이것은 도 11에 도시된 나노 균열을 통한 AFM 이미징에 의해 확인된다. 그것은 나노 균열이 75nm의 최대 깊이를 지님을 알 수 있고, 예를 들어, 상기 나노 균열의 베이스가 약간 하드 코팅(3) 절연층을 통과하는 경우, 상기 나노 균열의 하부층 모서리들은 전기적으로 약 70nm에 의해 분리된다. 그것은 또한 나노 균열(11)의 최대 폭의 상부 부분이 500nm의 차원임을 볼 수 있으며, 예를 들어, 매우 작은 폭이 맨눈으로 인식될 수 있음을 의미한다.
동일한 방사 그러나 더 낮은 감응력, 즉 60mJ/cm2 으로 제 2 샘플을 조건하에 두었을 때, 균열들은 도 9에 도시된 바와 같이 획득되나, 전기적 특징에서 약간의 변화가 있다. 670Ω의 초기 저항에서, 1.19mA의 전류 및 팁들 간의 800Ω의 저항이 관찰되는 것은 균열에서 여전히 상당한 전도성이 존재함을 의미한다. AFM 이미징(도시 안 됨)에 의해, 사실상, 상기 균열의 최대 깊이는 66nm임이 결정된다. 예를 들어, 상기 균열의 베이스에서 전기 전도성 연결이 남아 있다.
역으로, 도 10과 관련하여, 65mJ/cm2에서 70mJ/cm2로 감응력을 증가시킴으로써 지역들(22)이 상기 ITO 필름이 맨눈에 보일 수 있는 전극을 분리하는 지역을 만드는 충분한 폭에 대하여 제거되는 곳 상에 형성되는 것을 볼 수 있다. 상기 전기 전도성은 명백히 방해를 받으나, 보완적인 제조 단계가 그 후 광학 보상을 획득하기 위해 수행된다. 예를 들어, 이미 언급한 EP 특허 No. 03005615.4에서 제안된 방법이다.
TCO 필름의 성질에 따라, 그리고 매개적 레이어 및 그들의 개개의 두께에 의해 전기적 전도성이 불충분한 하한 제한과 상기 TCO 필름이 닳아 버리는 상한 제한 간의 위치를 찾기 위해 사용되는 레이저 소스의 함수로서 UV 방사 특징을 정의한다.
따라서 도 8과 관련되어 설명한 조건을 측정하는 것과 동일하게, 상기 방사된 지역이 85mJ/cm2 의 감응력을 지닌 1*4mm2 의 표면을 지닐 때, 전기적 전도성에 관한 동일한 결과를 획득한다.
248 nm 짧은 펄스 레이저를 이용함으로써, 도 8에서와 동일한 결과는 50mJ/cm2 의 감응력 및 5Hz에서 50 펄스들을 지닌 2*8mm2 의 샘플과 함께 획득된다.
사용되는 레이저 소스에 따라, 이것은 엑시머 레이저에 한정 되지 않으며, 이전의 약간의 시도를 통해, 문제를 제거함 없이 나노 균열을 일으키는 최적 조건을 결정하나, 전극들 간의 전기 전도성을 차단하기에 충분하다.
본 발명은 투명한 전극을 제공하는 하나 이상의 표면을 지닌 투명 기판에 관한 것으로서, 그것의 구조는 그들의 외형이 가시광선 범위에서 관찰자에게 인식될 수 없다.
본 발명은 또한 일반적으로 전기 에너지 컬렉터 롤(role)을 지닌 보이지 않는 전극을 지닌 하나 이상의 투명 기판들, 보다 구체적으로 상기 전극들의 구조 및 배열에 의해 방해됨 없이, 상기 디스플레이로부터 데이터를 읽을 수 있는 전기 장치의 디스플레이 위에 배치되는 장치들을 포함하는 장치에 관한 것이다.
본 발명은 그들의 윤곽이 보이지 않도록 하기 위해 전극들 간의 광학 보상을 제공하는 동안 투명 전극 상의 전극에서 경제적 방법 그리고 매우 높은 정확성을 지닌 구조화에 대한 방법에 관한 것이다.
도 1 은 본 발명에 따른 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판을 획득하기 위한 장치의 구조적 다이어그램이다.
도 2 및 3은 제 1 실시예의 단계를 제조하는 단계를 도시한다.
도 4,5,6 은 제 2 실시예의 제조 단계를 도시한다.
도 7 은 전기적 측정을 수행하기 위한 어셈블리 다이어그램을 도시한다.
도 8 은 본 발명에 따른 나노 균열을 지닌 절연 지역의 도면이다.
도 9 는 상기 UV 방사 특징들이 불충분할 때 도 8의 대응도이다.
도 10은 상기 UV 방사 특징이 역으로 과잉적일 때, 도 8의 대응도이다.
도 11 은 도 8에서 참고로 한 나노 균열의 AFM 이미지이다.

Claims (17)

  1. 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판으로서, 투명 전도성 필름(5)이 증착된 투명 지지부(1)를 포함하고, 이 때 전극(7) 및 그들의 접촉 지역(15)은 비-전도성 공간(9)에 의해 분리되는 외형과 함께 구성되며, 상기 비-전도성 공간(9)의 사이트에 배치된 상기 전도성 필름(5)은 맨눈에 인식할 수 있는 방법으로 광선의 경로를 변경함 없이 이웃하는 전극들 간의 전기적 전도성을 차단하기 위해 나노 균열(11)을 포함하는 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 상기 투명 기판.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 투명 전도성 필름(5)은 주석 그리고 인듐 산화물(ITO), In2O3 및 Sb로 도핑된 SnO2를 포함하는 그룹으로부터 선택된 투명 전도성 산화물(TCO)인 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 상기 투명 기판.
  3. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 투명 전도성 필름(5)은 폴리아세틸린 및 폴리아닐린들 간으로부터 선택된 컨쥬게이트 이중 결합을 지닌 도핑된 전도성 폴리머인 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 상기 투명 기판.
  4. 제 1 항에 있어서, 투명한 하드 비-전도성 물질 또는 하드 코팅으로 만들어진 매개적 레이어(3)는 상기 지지부(1) 및 상기 전도성 필름(5)간에 삽입되는 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 상기 투명 기판.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 매개적 레이어(3)는 20μm과 동일한 두께를 지니고 SiO2를 통합하는 진(resin)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 상기 투명 기판.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 나노 균열(11)의 대부분은 전체 전도성 필름을 통해 패스하는 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 상기 투명 기판.
  7. 제 2 항에 있어서, 이 때 상기 전도성 필름(5)은 50에서 100nm , 바람직하게는 65에서 75 nm 간에 포함되는 두께를 지닌 ITO 필름인 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 상기 투명 기판.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 지지부(1)는 폴리에틸린 메타크릴레이트(PMMA) 및 폴리카르보네이트(PC)간으로부터 선택된 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 상기 투명 기판.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지부(1)는 폴리에틸렌 메타크릴레이트(PMMA) 및 폴리카르보네이트(PC)간으로부터 선택된 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 상기 투명 기판.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 보호성 필름(13)은 상기 전극(7)의 접촉 지역(15)을 커버하지 않는 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 상기 투명 기판.
  11. 제 1 항에 있어서, 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판은 그것이 통합되는 전기 장치를 위한 터치형 제어 스크린을 형성하는 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 상기 투명 기판.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 전기 장치를 위해 액상 크리스털 디스플레이 셀 또는 광기전성 셀을 위해 하나 이상의 닫힌 판을 형성하는 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 상기 투명 기판.
  13. 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판을 제조하는 방법으로서, 투명 전도성 필름(5)을 장착하는 투명 지지부(1)를 포함하고, 이 때 전극(7)은 비-전도성 공간(9)에 의해 , 방사 소스(14)에 의한 UV 방사에 의해 분리되는 외관과 함께 구성되고, 상기 방법은
    - 가스성 유동체 공급 출입구(4) 및 펌프 출구(6)를 지닌 밀봉된 닫힌 공간(2)에서 투명한 하드 비-전도성 물질로 만들어진 매개적 레이어(3) 상에 가능하게 증착되는 상기 지지부(1) 및 상기 전도성 필름(5)으로 형성되는 기판을 배치하고,
    - 상기 UV 방사 소스(14) 및 상기 기판 사이에 삽입되며, 이 때 마스크(10)는 UV 방사에 투명한 윈도우(12)를 포함하고, 상기 윈도우는 상기 절연적 비-컨덕터(9)에 대응하고, 그리고,
    - 상기 발산 소스(14) 및 기판을 위해 사용되는 물질의 선택 기능으로서, 어떠한 물질을 제거하지 않고도 방사된 지역에서 전도성 필름(5) 내에 나노 균열이 생성되도록 하는 UV 방사 특징들을 조절하는
    단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판을 제조하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 방법은,
    전도성 필름(13)을 증착하는 부가적 단계를 포함하고, 이는 동일한 UV 소스(14)를 지닌 전조 가스로부터 반-반사적(anti-reflective)일 수 있으나, 상기 전극들(7)의 접촉 지역을 보이도록 남겨둔 채, 상기 투명한 기판의 원하는 유용한 표면에 대응하는 또 다른 마스크에 의해 사용되는 상기 마스크(10)로 대체하는 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판을 제조하는 방법.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 투명 전도성 필름(5)은 주석 그리고 인듐 산화물(ITO), In2O3 및 Sb로 도핑된 SnO2를 포함하는 그룹으로부터 선택된 투명한 전도성 산화물(TOC)인 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판을 제조하는 방법.
  16. 제 13 항에 있어서, 상기 투명 전도성 필름(5)은 폴리아세틸린 및 폴리아닐린 간으로부터 선택된 도핑된 전도성 폴리머인 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판을 제조하는 방법.
  17. 제 13 항에 있어서, 상기 소스(14)는 XeF 긴 펄스 레이저들 및 KrF 짧은 펄스 레이저들 간으로부터 선택된 엑시머 레이저에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 눈에 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판을 제조하는 방법.
KR1020040096668A 2003-12-01 2004-11-24 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판 및 상기 투명기판을 포함하는 장치 KR101093301B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP03027566.3 2003-12-01
EP03027566A EP1538514B1 (fr) 2003-12-01 2003-12-01 Substrat transparent à électrodes invisibles et dispositifs l'incorporant

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050052992A true KR20050052992A (ko) 2005-06-07
KR101093301B1 KR101093301B1 (ko) 2011-12-14

Family

ID=34442920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040096668A KR101093301B1 (ko) 2003-12-01 2004-11-24 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판 및 상기 투명기판을 포함하는 장치

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7843061B2 (ko)
EP (1) EP1538514B1 (ko)
JP (1) JP4836442B2 (ko)
KR (1) KR101093301B1 (ko)
CN (1) CN100472301C (ko)
AT (1) ATE403184T1 (ko)
DE (1) DE60322549D1 (ko)
ES (1) ES2311666T3 (ko)
HK (1) HK1077887A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012015254A2 (ko) * 2010-07-30 2012-02-02 주식회사 잉크테크 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막
KR20120124369A (ko) * 2011-05-03 2012-11-13 벌리더티 센서스 인코포레이티드 지문 센서 및 통합가능한 전자 디스플레이
US10048787B2 (en) 2009-10-30 2018-08-14 Synaptics Incorporated Fingerprint sensor and integratable electronic display

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI289708B (en) 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
US7342705B2 (en) 2004-02-03 2008-03-11 Idc, Llc Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US7208401B2 (en) * 2004-03-12 2007-04-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for forming a thin film
WO2008045311A2 (en) 2006-10-06 2008-04-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination device with built-in light coupler
US8107155B2 (en) 2006-10-06 2012-01-31 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for reducing visual artifacts in displays
EP1943551A2 (en) 2006-10-06 2008-07-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light guide
EP2366945A1 (en) 2006-10-06 2011-09-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical loss layer integrated in an illumination apparatus of a display
EP2109116B1 (en) * 2007-01-16 2012-04-25 Teijin Limited Transparent conductive multilayer body and touch panel made of the same
CN101330796B (zh) * 2007-06-22 2011-08-17 宝创科技股份有限公司 导通结构与其应用
JP5380723B2 (ja) * 2007-08-07 2014-01-08 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 面表示装置及び電子機器
US8068710B2 (en) 2007-12-07 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Decoupled holographic film and diffuser
US8118468B2 (en) 2008-05-16 2012-02-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination apparatus and methods
KR101821429B1 (ko) 2009-12-29 2018-01-23 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 금속화된 광 방향 전환 특징부를 갖는 조명 장치
CN102236457A (zh) * 2010-04-28 2011-11-09 友发科技股份有限公司 触控元件
WO2015083874A1 (ko) * 2013-12-03 2015-06-11 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 크랙 함유 전도성 박막을 구비하는 고감도 센서 및 그의 제조방법
CN104699310A (zh) * 2015-03-31 2015-06-10 合肥京东方光电科技有限公司 触摸屏及其制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH607872B (fr) 1976-11-04 1900-01-01 Centre Electron Horloger Montre munie d'un dispositif de commande manuelle.
DE3236099A1 (de) * 1982-09-29 1984-03-29 Siemens Ag Tastaturfeld fuer ein rechner-graphiksystem
JPH0228626A (ja) * 1988-04-07 1990-01-30 Toyoda Gosei Co Ltd エレクトロクロミック素子
CH686206A5 (it) * 1992-03-26 1996-01-31 Asulab Sa Cellule photoelectrochimique regeneratrice transparente.
JP3752010B2 (ja) * 1995-07-04 2006-03-08 新日本石油株式会社 調光素子
JPH09260695A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Canon Inc 光起電力素子アレーの製造方法
JP3602675B2 (ja) * 1997-01-29 2004-12-15 アルプス電気株式会社 座標入力装置、及びその座標入力装置の製造方法
JP4494628B2 (ja) 1997-12-19 2010-06-30 アスラブ・エス アー 重ね合わせた２つのディスプレー装置を有するディスプレー・アセンブリ
DE19914304A1 (de) * 1999-03-29 2000-10-05 Bayer Ag Elektrochrome Kontrastplatte
ES2327708T3 (es) 2000-11-17 2009-11-03 Asulab S.A. Reloj electronico que comprende pulsadores capacitivos sobre su cristal.
EP1457865B1 (fr) 2003-03-12 2017-11-08 Asulab S.A. Substrat à électrodes transparent et son procédé de fabrication

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10048787B2 (en) 2009-10-30 2018-08-14 Synaptics Incorporated Fingerprint sensor and integratable electronic display
WO2012015254A2 (ko) * 2010-07-30 2012-02-02 주식회사 잉크테크 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막
WO2012015254A3 (ko) * 2010-07-30 2012-05-31 주식회사 잉크테크 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막
CN103140899A (zh) * 2010-07-30 2013-06-05 印可得株式会社 透明导电膜的制造方法及通过该方法制造的透明导电膜
US9230707B2 (en) 2010-07-30 2016-01-05 Inktec Co., Ltd. Production method for a transparent conductive film and a transparent conductive film produced thereby
KR20120124369A (ko) * 2011-05-03 2012-11-13 벌리더티 센서스 인코포레이티드 지문 센서 및 통합가능한 전자 디스플레이

Also Published As

Publication number Publication date
KR101093301B1 (ko) 2011-12-14
JP2005165329A (ja) 2005-06-23
CN100472301C (zh) 2009-03-25
DE60322549D1 (de) 2008-09-11
EP1538514B1 (fr) 2008-07-30
ES2311666T3 (es) 2009-02-16
EP1538514A1 (fr) 2005-06-08
US7843061B2 (en) 2010-11-30
US20050116343A1 (en) 2005-06-02
HK1077887A1 (en) 2006-02-24
JP4836442B2 (ja) 2011-12-14
ATE403184T1 (de) 2008-08-15
CN1624609A (zh) 2005-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20050052992A (ko) 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판 및 상기 투명기판을통합하는 장치
US7745297B2 (en) Method of substrate with transparent electrodes and devices incorporating it
JP6250169B2 (ja) 電気的に絶縁された欠陥個所を含む導電性コーティングを備えた板ガラスの製造方法
KR100606214B1 (ko) 전극 조립체 및 그 제조 방법
US5342477A (en) Low resistance electrodes useful in flat panel displays
WO2008020141A1 (fr) Électrode transparente
WO2004057418A1 (en) Percolated metal structure with electrochromic and photochromic properties
US20100096008A1 (en) Semitransparent crystalline silicon thin film solar cell
FR2476876A1 (fr) Tablette graphique transparente pour systeme de teleecriture
FR2558628A1 (fr) Dispositif de commutation/affichage
DE69911741T2 (de) Spannungsentlastetes elektrolumineszentes paneel
EP1776607A1 (en) Transmissive element
CN102054773B (zh) 半穿透半反射式薄膜晶体管面板及其制造方法
WO1999046791A1 (en) Transparent electrodes
US5046825A (en) Liquid crystal cell with picture electrode interference layer covering metallic feed lines
US20240038924A1 (en) A transparent thin film electroluminescent display element and a method
JPH06163583A (ja) 薄膜トランジスタアレイの製造方法
EP0145651A2 (fr) Dispositif pour former des signaux caractéristiques de la position d&#39;un point déterminé sur une surface
RU2088961C1 (ru) Жидкокристаллический индикатор и способ его изготовления
JPH05119342A (ja) 液晶ライトバルブ
Wu et al. Laser Fabrication of Low Resistivity Electrode on Glass
JPH11295768A (ja) 光学装置及びその駆動方法
JPH04116526A (ja) 電気光学装置の製造方法
JPH04229833A (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR20000037767A (ko) 가동미러 구조물 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee