KR20050048495A - Ｔｆｔ 어레이의 구동 전류 측정 방법 및 장치 - Google Patents

Ｔｆｔ 어레이의 구동 전류 측정 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고속·고정밀도로 TFT 어레이의 화소 구동 전류를 측정하는 것을 과제로 한다.
상기 과제는, 어레이 구동 전류선에 흐르는 어레이 구동 전류가, 화소 구동 전류 성분과 오프셋 전류 성분을 갖는 TFT 어레이의 화소 구동 전류를 측정하는 측정 방법으로서, 복수의 화소의 일부 또는 전부의 측정 화소에 대하여, 각 측정 화소 구동시의 상기 어레이 구동 전류를 소정의 시간 간격으로 순차 측정하는 어레이 구동 전류 측정 단계와, 어레이 구동 전류 측정 단계의 비실행시에, 오프셋 전류 성분을 측정하는 오프셋 전류 측정 단계와, 복수의 오프셋 전류의 측정 결과로부터, 측정 화소의 어레이 전류 측정시의 오프셋 전류를 산출하는 오프셋 전류 산출 단계와, 어레이 전류 측정 단계의 측정 결과와 오프셋 전류 산출 단계의 산출 결과의 차로부터, 복수의 화소의 각 화소마다의 화소 구동 전류를 산출하는 화소 구동 전류 산출 단계를 포함하는 측정 방법에 의해 해결된다.

Description

ＴＦＴ 어레이의 구동 전류 측정 방법 및 장치{MEASUREMENT METHOD OF CURRENT IN THIS FILM TRANSISTOR AWAY}
본 발명은, TFT 어레이의 구동 전류 측정 방법 및 장치에 관한 것으로서, 특히 구동 전류가 오프셋 성분을 갖는 TFT 어레이의 구동 전류 측정 방법 및 장치에 관한 것이다.
평면 텔레비젼, 퍼스널 컴퓨터용의 모니터, 휴대 전화의 표시 장치 등에 사용되는 평면 표시 패널에는, 빠른 움직임의 화상에 대응 가능하고, 선명한 색을 재현할 수 있는 것이 요구된다. 이러한 요구로부터, 최근, 응답 속도가 빠른 박막 트랜지스터(TFT) 어레이와, 표시색 영역이 넓은 유기 EL 소자 등의 자기 발광 소자를 이용한 액티브형의 표시 패널이 주목받고 있다.
자기 발광 소자란, 소자에 흐르는 전류량에 따라 광을 발생하는 발광 소자이다. 따라서, 자기 발광 소자를 이용한 표시 패널에 사용하는 TFT 어레이는, 자기 발광 소자의 구동 전류를 제어할 수 있어야 한다. 이 때문에, 자기 발광 소자용의 TFT 어레이의 검사는, 종래의 액정 패널용 TFT 어레이의 측정에 있어서는, 전류의 유무의 측정 뿐만 아니라, 전류량 또는 전하량의 측정이 필요해진다.
그런데, 유기 EL 재료를 비롯한 자기 발광 재료는 고가이기 때문에, TFT 어레이 패널의 검사는, 자기 발광 재료를 봉입하기 전에 행하여, 검사에 패스한 TFT 어레이에만 자기 발광 재료를 봉입하는 것이 일반적이다. 그런데, 자기 발광 재료가 봉입되어 있지 않은 상태에서는, 구동하는 대상이 존재하지 않기 때문에 구동 전류가 흐르지 않는다. 그래서, 자기 발광 재료 대신에 더미의 부하 용량을 마련해 놓고, 이 부하에 흐르는 전류를 측정하여, 전류 제어를 행할 수 있는가를 검사하는 방법이 있다.
도 7에, 이러한 부하 용량을 마련한 대표적인 자기 발광 재료용의 TFT 패널(110)을 나타낸다. TFT 패널(110)은, 어레이 형상으로 배열된 화소(120)와, 각 화소에 접속된 게이트선(112) 및 데이터선(111)과, 게이트선(112) 및 데이터선(111)에 각각 접속된 시프트 레지스터(115, 116)와, 휘도 신호를 전송하는 휘도 신호선(113)과, 각 화소에 화소 구동 전류를 공급하는 어레이 구동 전류선(114)으로 이루어진다. 또한, 화소(120)는, 게이트선(112) 및 데이터선(111)이 접속된 선택 트랜지스터(121)와, 선택 트랜지스터(121)에 접속된 콘덴서(122)와, 게이트 전극에 콘덴서(122)가 접속된 화소 구동 트랜지스터(123)와, 화소 구동 트랜지스터(123)와 어레이 구동 신호선(114)에 접속되어, 자기 발광 재료의 대체로 되는 부하 용량(124)으로 이루어진다. 이 부하 용량(124)은, 자기 발광 재료를 TFT 어레이 패널에 봉입할 때에 제거하더라도 좋고, 그대로 남겨 놓더라도 좋다.
다음에, TFT 패널(110)의 동작의 개략을 설명한다. 시프트 레지스터(115, 116)가, 각각 소정의 게이트선(112) 및 데이터선(111)에 전압을 인가한다. 이 때, 전압이 부가된 게이트선(112) 및 데이터선(111)의 교차하는 장소에 있는 화소(120)가 선택된다. 다음에, 휘도 신호선(113)에 선택 화소(120)의 화소 구동 전류에 따른 전압을 인가한다. 휘도 신호는, 화소 선택 회로(104)에 의해 선택된 데이터선(111)에 전송된다. 선택 화소(120)에서는, 선택 트랜지스터(121)의 게이트에 전압이 인가되어 ON 상태(드레인·소스 사이가 도통 상태로 됨)로 되고, 데이터선(111)으로부터 공급된 휘도 신호에 의해 콘덴서(122)가 소정 전압으로 충전된다. 그렇게 하면, 화소 구동 트랜지스터(123)가 ON 상태로 되어, 콘덴서(122)의 전압에 따라, 어레이 구동 전류선(114)으로부터 부하 용량(124)으로 전류가 흐른다.
이러한 TFT 어레이에서는, 어레이 구동 전류선(114)이 전기적으로 모든 화소에 접속되어 있기 때문에, 비선택 화소에 있어서의 누설 전류나, 콘덴서(120)의 잔류 전위에 의해서 화소 구동 트랜지스터(123)에 계속 흐르는 잔류 전류 등의 영향에 의해, 모든 화소를 선택하지 않은 상태에서도, 어레이 구동 전류선(114)에는 제로(zero)로 되지 않고, 오프셋 전류가 흐른다. 부가하여, 이 오프셋 전류는, TFT 어레이의 상태에 따라서 변동한다. 이 때문에, TFT 어레이의 화소 구동 전류를 측정하기 위해서는, 측정된 어레이 구동 전류로부터 오프셋 성분을 뺄 필요가 있다.
이와 같이 어레이 구동 전류로부터 오프셋 성분을 제거하는 측정 방법으로서, 각 화소마다 구동시 및 비구동시의 어레이 구동 전류를 측정하는 방법이 있다(특허 문헌 1 참조). 도 3에, 이 방법의 대표적인 시퀀스를 나타낸다. 처음에, TFT 패널의 측정 화소를 선택한다(단계(200)). 다음에, 콘덴서(122)를 충전하여 화소 구동시의 어레이 구동 전류를 측정한다(단계(201)). 측정 화소의 비구동시, 즉 콘덴서(122)가 방전 상태에 있을 때의 어레이 구동 전류(오프셋 성분)를 측정한다(단계(202)). 그리고, 구동시의 어레이 구동 전류로부터 비구동시의 어레이 구동 전류(오프셋 성분)의 차분을 취하여 화소 구동 전류를 구한다(단계(203)). 이러한 화소 비구동시 및 구동시의 측정을 TFT 패널 모든 화소에 대하여 연속적으로 행한다(단계(204, 205)).
도 4는, 상술한 기술의 측정 포인트를 나타낸 도면이다. 도면에 있어서, 가로축은 시간, 세로축은 어레이 구동 전류이다. 최초 화소의 화소 구동 전류는, 화소 구동시의 어레이 구동 전류(311)와 화소 비구동시의 어레이 구동 전류(301)의 차분으로 된다. 마찬가지로, 2번째∼4번째 화소의 화소 구동 전류는, 화소 구동시의 전류(312, 313, 314)의 전류로부터, 화소 비구동시의 전류(302, 303, 304)의 전류 차분이다. 이와 같이 각 화소의 측정 직후의 오프셋 성분을 측정해 놓음으로써, 측정 도중에 오프셋 전류가 변화되더라도 정밀한 측정이 가능해진다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 2002-40074 호 공보
그러나, 각 화소마다 화소 구동시와 비구동시의 어레이 구동 전류를 측정하면, 각 화소마다 2회의 측정이 필요해지기 때문에, 측정 시간이 걸린다고 하는 문제가 있다. 비구동시의 어레이 구동 전류의 측정을 수회에 한 번 하는 것은 가능하지만, 오프셋 전류를 측정하는 동안에 발생된 변동은 화소 구동 전류의 산출에 반영되지 않기 때문에, 측정 결과의 정밀도가 열화된다.
부가하여, 복수의 화소의 구동시 어레이 구동 전류를 순차 측정하고 있는 도중에 오프셋 전류를 측정하면, 각 화소 사이의 측정 타이밍이 어긋나 버린다. 도 5는, 동일 화소를 동일 시간 간격으로 연속 측정했을 때의 화소 구동 전류의 측정 결과를 나타낸 도면이다. 이상적인 TFT 어레이에서는, 화소 구동 전류는 측정 타이밍에 상관없이 일정해지는 것이지만, 도면과 같이 TFT 어레이를 구동하는 전류에는 과도 특성이 있어, 화소를 측정하는 시간 간격이 다르면 측정 결과에 오차가 생길 가능성이 있는 것을 알 수 있다. 이러한 과도 특성은, 동일 화소를 연속 측정한 때에 한하지 않고, 동일 열 또는 동일 행 등 직선 형상으로 배치된 화소를 연속적으로 측정했을 때에도 발생하는 현상이다. 그러므로, 정확한 측정 결과를 얻기 위해서는, 직선 형상으로 배열된 화소는 동일 시간 간격으로 연속하여 측정을 행하는 것이 바람직하다.
본 발명은, 어레이 형상으로 배치된 복수의 화소와, 상기 복수의 화소의 각 화소에 화소 구동 전류를 공급하는 어레이 구동 전류선을 갖고, 상기 어레이 구동 전류선에 흐르는 어레이 구동 전류가, 상기 화소 구동 전류 성분과 오프셋 전류 성분을 갖는 TFT 어레이의 상기 화소 구동 전류를 측정하는 측정 방법으로서, 상기 복수의 화소의 일부 또는 전부의 측정 화소에 대하여, 상기 각 측정 화소 구동시의 상기 어레이 구동 전류를 소정의 시간 간격으로 순차 측정하는 어레이 구동 전류 측정 단계와, 상기 어레이 구동 전류 측정 단계의 비실행시에, 상기 오프셋 전류 성분을 측정하는 오프셋 전류 측정 단계와, 복수의 상기 오프셋 전류의 측정 결과로부터, 상기 측정 화소의 어레이 전류 측정시의 상기 오프셋 전류를 산출하는 오프셋 전류 산출 단계와, 상기 어레이 전류 측정 단계의 측정 결과와 상기 오프셋 전류 산출 단계의 산출 결과의 차로부터, 상기 복수의 화소의 각 화소마다의 상기 화소 구동 전류를 산출하는 화소 구동 전류 산출 단계를 포함하는 TFT 어레이의 화소 구동 전류 측정 방법에 의해 상기 과제를 해결한다.
이하에 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시형태로 되는 TFT 어레이의 화소 구동 전류 측정 방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 2에, 본 발명에 관한 화소 구동 전류 측정 장치(100)의 개략 구성도와 TFT 어레이(110)의 회로도를 나타낸다. 화소 구동 전류 측정 장치(100)는, 화소 선택을 행하는 시프트 레지스터(115, 116)에 접속된 화소 선택 회로(104)와, 휘도 신호선(113)에 접속된 휘도 신호 발생 회로(102)와, 어레이 구동 전류선(114)에 접속된 측정 수단인 전류계(101)와, 전류계(101)에 접속된 구동 전류 공급 수단인 전원(103)과, 전류계(101)에 접속된 데이터 처리 장치(105)로 이루어진다. 데이터 처리 장치(105)에는, 측정 데이터를 기록하기 위한 메모리와 데이터 처리를 행하는 프로세서가 내장되어 있다. TFT 어레이(11O)에는, 3072열 768행의 화소가 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. TFT 어레이(110)의 구성은 배경기술에서 설명한 것과 동일하기 때문에, 설명을 생략한다.
다음에, 도 1의 플로우차트, 도 2의 구성도 및 도 6의 어레이 구동 전류의 파형도에 기초하여, TFT 어레이의 제 3 열 및 제 4 열에 속하는 화소의 측정을 예로 들어, 동작의 개략을 설명한다. 우선, 화소 선택 장치(104)가, TFT 어레이의 제 3 열 제 1 행의 화소(120)를 선택한다(단계(10)). 선택한 화소는 열의 최초 화소이기 때문에(단계(11)), 이 시점에서 어레이 구동 전류선(114)에 흐르고 있는 어레이 구동 전류를 측정하여, 데이터 처리 장치(105)의 메모리에 기록한다(단계(12)). 이 때에 흐르고 있는 전류가, 어레이 구동 전류의 오프셋 성분(401)으로 된다. 다음에, 휘도 신호 발생 회로(102)가, 휘도 신호선(113)에 휘도 신호를 출력한다. 이 휘도 신호에 의해 선택 화소(120)의 콘덴서(122)가 소정의 전압으로 충전되고, 화소 구동 트랜지스터(123)가 ON 상태로 되어 휘도 신호에 따른 화소 구동 전류가 어레이 구동 전류선(114)에 흐른다. 이 때의 전류(410)를 전류계(101)에 의해 측정하여 데이터 처리 장치(105)의 메모리에 기록한다(단계(13)). 측정후, 어레이 구동 전류선(114)의 전류를 제로로 하여, 콘덴서(122)에 충전된 전하를 방전한다. 이렇게 하여 화소(120)의 측정이 종료된다.
화소(120)는 열의 최후 화소가 아니기 때문에(단계(14)), 화소 선택 회로(104)는 다음 측정 화소로 되는 이웃의 화소(125)(제 3 열 제 2 행)를 선택한다(단계(17)). 화소(125)는, 제 3 열의 최초 화소가 아니기 때문에(단계(11)), 화소 구동 트랜지스터가 OFF시의 오프셋 전류의 측정(단계(12))은 행하지 않고서, 구동시의 어레이 구동 전류(411)만을 측정한다(단계(13)). 측정의 시퀀스는 화소(120)와 동일하다. 마찬가지로 해서, 제 3 열에 속하는 화소를 순차 측정한다. 제 3 열의 화소의 측정을 모두 종료하면(단계(15)), 제 4 열 제 1 행의 화소(도시하지 않음)를 선택한다(단계(18)). 그리고, 제 4 열의 측정도, 제 3 열의 측정과 마찬가지로, 최초 화소(제 4 열 제 1 행)의 측정전에만 화소 비구동시의 어레이 구동 전류(402)(오프셋 전류)와 구동시의 어레이 구동 전류(420)의 쌍방을 측정한다(단계(12, 13)). 이후, 제 3 열의 측정과 마찬가지로, 행 방향으로 순차 화소 측정을 행하지만, 제 2 행 이후의 화소의 측정시에는 구동시의 어레이 구동 전류만을 측정한다. 이러한 측정을 반복하여, TFT 어레이상의 모든 열에 속하는 화소를 측정하고, 측정 결과를 데이터 처리 장치(105)의 메모리에 기록한다.
모든 화소의 측정이 종료하면, 데이터 처리 장치(105)가 각 화소의 오프셋 전류를 산출한다. 상술한 제 3 열에 속하는 화소의 오프셋 전류는, 다음과 같이 산출한다. 제 3 열 제 1 행의 화소(120)의 오프셋 전류는, 단계(12)에서 측정한 화소 비구동시의 어레이 구동 전류(401) 그 자체이다. 제 3 열 제 2 행의 화소(125)의 오프셋 전류는, 제 4 열에서 측정한 오프셋 전류(402)와 제 3 열에서 측정한 오프셋 전류(401)로부터 직선 보간하여 구한다. 즉, 제 4 열에서 측정한 오프셋 전류(402)로부터 제 3 열에서 측정한 오프셋 전류(401)의 차분을 취하여, 제 3 열에 속하는 화소수(768)로 제산한 결과에, 오프셋 전류 산출의 대상으로 되는 화소의 행수(2)를 곱하고, 오프셋 전류(401)를 가산한 것을 오프셋 전류로 한다. 마찬가지로 해서, 모든 화소의 오프셋 전류를 구한다(단계(16)). 마지막으로, 각 화소의 화소 구동시 어레이 구동 전류의 측정값으로부터, 단계(16)에서 구한 오프셋 성분을 빼서, 각 화소의 화소 구동 전류를 구한다(단계(19)).
이와 같이, 오프셋 전류의 측정을 각 화소의 측정전에 행하지 않고서, 소정 화소수의 구동시 전류를 측정하는 때마다 실시하여, 그 사이의 측정시의 오프셋 전류를 보간하여 산출함으로써, 측정 회수가 줄어, 고속의 측정이 가능해진다. 또한, 오프셋 전류의 측정 타이밍을 각 열의 최초 또는 최후에 마련하는 것에 의해, 당해 열에 속하는 화소의 측정을 등 시간 간격으로 순차 실행할 수 있기 때문에, TFT 어레이의 구동 전류의 과도 특성에 의한 측정 오차를 배제하여, 정확한 측정이 가능해진다.
또, 본 실시예에서는 각 열마다 측정을 행하고 있지만, 각 행마다 측정을 행하더라도, 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 오프셋 성분이 비선형으로 증가하도록 TFT 어레이에 있어서는, 본 실시예와 같은 단순한 선형 보간이 아니라, 3점 이상의 오프셋 전류 측정 결과로부터 고차 함수로 보간을 행하여, 각 화소의 오프셋 전류를 구하더라도 좋다. 더욱이, 같은 구조를 갖는 TFT 어레이를 동 조건으로 복수회 측정하는 경우 등에서는, 미리 오프셋 전류의 변동의 경향이 파악될 수 있기 때문에, TFT 어레이의 최초 화소의 측정시에만 오프셋 전류를 측정하여, 이 측정값과 파악하고 있는 변동 경향에 의해서 각 화소의 오프셋 전류를 산출함으로써, 오프셋 전류의 측정 회수를 더 줄일 수 있어, 측정 시간이 단축화될 수 있다.
본 발명에 따르면, 고속·고정밀도로 TFT 어레이의 화소 구동 전류를 측정할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예인 화소 구동 전류 측정 방법의 플로우차트,
도 2는 본 발명의 실시예의 화소 구동 전류 측정 장치와 TFT 어레이의 개략도,
도 3은 배경기술의 플로우차트,
도 4는 배경기술의 어레이 구동 전류의 파형도,
도 5는 화소 구동 전류의 과도 특성을 도시하는 도면,
도 6은 본 발명의 실시예의 어레이 구동 전류의 파형도,
도 7은 대표적인 자기 발광 재료용의 TFT 패널을 도시하는 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100 : 측정 장치 101 : 전류계
103 : 전원 104 : 화소 선택 회로
105 : 데이터 처리 장치 110 : TFT 어레이
114 : 어레이 구동 신호선 120 : 화소

Claims (7)

  1. 어레이 형상으로 배치된 복수의 화소와,
    상기 복수의 화소의 각 화소에 화소 구동 전류를 공급하는 어레이 구동 전류선을 갖고,
    상기 어레이 구동 전류선에 흐르는 어레이 구동 전류가, 상기 화소 구동 전류 성분과 오프셋 전류 성분을 갖는 TFT 어레이의 상기 화소 구동 전류를 측정하는 측정 방법으로서,
    상기 복수의 화소의 일부 또는 전부의 측정 화소에 대하여, 상기 각 측정 화소 구동시의 상기 어레이 구동 전류를 소정의 시간 간격으로 순차 측정하는 어레이 구동 전류 측정 단계와,
    상기 어레이 구동 전류 측정 단계의 비실행시에, 상기 오프셋 전류 성분을 측정하는 오프셋 전류 측정 단계와,
    복수의 상기 오프셋 전류의 측정 결과로부터, 상기 측정 화소의 어레이 전류 측정시의 상기 오프셋 전류를 산출하는 오프셋 전류 산출 단계와,
    상기 어레이 전류 측정 단계의 측정 결과와 상기 오프셋 전류 산출 단계의 산출 결과의 차로부터, 상기 복수의 화소의 각 화소마다의 상기 화소 구동 전류를 산출하는 화소 구동 전류 산출 단계
    를 포함하는 TFT 어레이의 화소 구동 전류 측정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 측정 화소의 모두가, 상기 TFT 어레이의 소정의 열 또는 행에 속하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이의 화소 구동 전류 측정 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 오프셋 전류 측정 단계를, 상기 어레이 구동 전류 측정 단계의 실행전에 실행하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이의 화소 구동 전류 측정 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 오프셋 전류 측정 단계를, 상기 어레이 구동 전류 측정 단계 실행후에 실행하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이의 화소 구동 전류 측정 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 오프셋 전류 산출 단계에 있어서, 상기 오프셋 전류는, 상기 측정 화소의 어레이 전류 측정의 직전과 직후에 측정된 오프셋 전류의 측정 결과로부터, 선형 보간을 행하는 것에 의해 산출하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이의 화소 구동 전류 측정 방법.
  6. TFT 어레이의 소정의 화소를 선택하는 신호를 발생하는 화소 선택 신호 발생 수단과,
    상기 TFT 어레이의 복수의 화소에 구동 전류를 공급하는 구동 전류 공급 수단과,
    상기 화소의 비구동시에 상기 구동 전류를 측정하고, 또한 소정 시간 간격으로 복수의 상기 화소의 구동시의 상기 구동 전류를 측정하는 측정 수단과,
    복수의 상기 화소의 비구동시의 상기 구동 전류와, 상기 화소의 구동시의 상기 구동 전류로부터, 상기 화소의 구동 전류를 산출하는 데이터 처리 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이의 구동 전류 측정 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 측정 수단으로 구동시의 상기 구동 전류를 측정하는 상기 복수의 화소가, 직선 형상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이의 구동 전류 측정 장치.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140111567A1 (en) * 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
JP4107601B2 (ja) * 2004-12-15 2008-06-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション アレイ基板の検査方法及びその検査装置
JP2007085782A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Agilent Technol Inc 画素駆動電流測定方法および装置
JP2008032761A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Eastman Kodak Co 表示装置における画素電流測定方法および表示装置
TWI339381B (en) * 2006-09-22 2011-03-21 Chimei Innolux Corp Integrated circuit, liquid crystal panel with same and method for detecting integrated circuit
JP4838090B2 (ja) * 2006-10-13 2011-12-14 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー パネル電流測定方法およびパネル電流測定装置
JP5443188B2 (ja) * 2010-02-04 2014-03-19 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 表示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69529400T2 (de) * 1994-11-24 2003-10-30 Koninkl Philips Electronics Nv Flüssigkristallanzeigegerät mit aktiver matrix und steurungsverfahren dafür zur kompensation von übersprechen
JP3437152B2 (ja) * 2000-07-28 2003-08-18 ウインテスト株式会社 有機ｅｌディスプレイの評価装置および評価方法

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