KR20050043596A - 프로브 시트 및 이를 이용한 프로브 시트 유닛 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 목적은 측정대상의 전극의 높이 편차와 독립적으로 정확한 측정을 얻을 수 있는 프로브 시트를 제공하는 것이다.
프로브 시트 유닛(A)은 측정대상(B)에 대한 측정기구(도시 안됨)의 감지부이고, 상기 기구의 프로버에 장착된 기판(100), 및 상기 기판의 하부면에 장착된 프로브 시트(200)를 포함하고, 프로브 시트(200)는 유연성을 가지는 시트부재(210), 및 상기 시트부재(210)의 한쪽 면에 구비된 복수의 측정용 프로브를 포함하고, 프로브(220)는 상방 또는 하방으로 탄성변형이 가능한 형상을 가진다.

Description

프로브 시트 및 이를 이용한 프로브 시트 유닛{PROBE SHEET AND PROBE SHEET UNIT USING THE SAME}
본 발명은 측정대상의 전기적 특성의 측정에 이용되는 프로브 시트와 이를 이용한 프로브 시트 유닛에 관한 것이다.
테플론(Teflon)(등록상표)계 절연막으로 만들어진 시트부재를 가지는 프로브 카드와 시트부재의 표면에 돌출되어 있는 프로브가 사용되어 왔다(일본특허공개 제8-122364호 참조).
최근의 측정대상은 그 집적회로의 복잡도가 증가되어 왔고 그 전극들은 더욱더 소형화되어 왔다. 이렇게 측정대상인 집적회로가 매우 복잡한 경우, 매우 낮긴 하지만 전극들의 높이의 편차(dispersion)가 나타난다. 측정대상의 전체적인 기울어짐과 굽어짐으로 인해 측정대상의 전극 높이의 편차가 더욱 악화된다. 그러므로, 프로브 시트 유닛을 이용하여 측정대상의 전기적 특성을 측정하는 경우, 프로브의 일부가 대응하는 전극들에 접촉하지 않게 되어, 정확한 측정을 할 수 없는 본질적인 문제를 일으킨다.
측정대상의 집적회로의 복잡도가 증가하면 프로브가 소형화되고 전극들 사이의 피치(pitch)가 작아져, 매우 낮긴 하지만 프로브의 높이의 편차가 나타나게 된다. 프로브가 프로버(prober)에 장착될 때 발생하는 프로브 시트의 기울어짐과 굽어짐에 의해 편차가 더욱 악화된다. 또한, 이 경우, 프로브의 일부가 대응하는 전극들과 접촉하지 않게 되어, 정확한 측정을 할 수 없다는 문제를 야기한다.
넓은 범위의 온도(예를 들면, -40℃∼150℃의 범위)에서 측정이 수행되는 경우, 측정대상과 시트부재가 서로 독립적으로 온도의 변화에 의해 팽창 및 수축되고, 이로인해, 상술한 바와 동일한 기울어짐 및 굽어짐이 발생하여, 전극들의 높이의 편차와 프로브 높이의 편차를 악화시키고, 측정대상인 전극과 프로브 사이의 위치 편이(shift)도 발생한다. 따라서, 상술한 바와 동일한 문제점이 발생한다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 측정대상의 전극 높이의 편차와는 독립적으로 정확한 측정을 할 수 있는 프로브 시트와 이를 이용한 프로브 시트 유닛을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 프로브 시트는 유연성을 가지는 시트부재와 상기 시트부재의 한쪽 표면에 구비된 복수의 측정용 프로브를 포함하고, 상기 프로브는 상방 또는 하방으로 탄성변형 가능한 형상을 가진다.
상기 시트부재의 표면 및/또는 표면 내측에 배선 패턴이 형성되고, 상기 배선 패턴을 통해 상기 프로브에 전기적으로 접속된 외부전극이 상기 시트부재의 표면에 구비된다.
상기 시트부재의 표면 및/또는 표면 내측에 회로 소자들이 구비되고, 상기 회로 소자들은 상기 배선 패턴에 전기적으로 접속된다.
프로브가 굴곡되어 일단이 지지되는 경우, 상기 프로브보다 탄성이 큰 보강부재가 길이방향을 따라 시트부재와 대향하고 상기 프로브의 표면상에 일체적으로 구비될 수도 있다. 프로브가 굴곡되고, 상기 프로브가 측정대상의 전극과 접촉하게 되는 상기 프로브의 상단의 반대쪽의 프로브의 표면과 상기 시트부재 사이에 소정의 간극이 있는 경우에는, 상기 프로브보다 탄성이 큰 보강부재가 간극에 삽입된다.
상기 시트부재는 2.5ppm/℃∼10.5ppm/℃의 범위의 선팽창계수(linear expansion coefficient)를 가지는 재료로 만들어지는 것이 바람직하다.
반도체 웨이퍼 측정기구의 감지부인 본 발명의 프로브 시트 유닛은, 상기 기구의 프로버에 장착된 기판; 상기 기판의 하부면에 장착된 프로브 시트; 및 상기 기판과 상기 프로브 시트 사이에 개재된 탄성부재를 포함한다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 관한 프로브 시트 유닛을 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예에 관한 프로브 시트 유닛의 개략 단면도이고, 도 2는 유닛 중 하나의 시트로 만들어진 시트부재를 가지는 프로브 시트의 일부를 나타내는 개략 단면도이고, 도 3은 유닛 중 복수의 시트를 적층하여 형성된 시트부재를 가지는 프로브 시트의 일부를 나타내는 개략 단면도이고, 도 4a∼도 4f는 유닛에 사용되는 다른 프로브들을 나타내는 도면이고, 도 5a∼도 5b는 프로브에 대한 보강부재를 나타내는 도면이고, 도 6은 유닛의 프로브가 측정대상의 전극과 접촉하고 있는 상태를 나타내는 개략 단면도이며, 도 7은 다른 프로브 시트 유닛의 개략 단면도이다.
도 1에 도시된 프로브 시트 유닛은 측정대상에 대한 측정기구(도시 안됨)의 감지부이고, 상기 측정기구의 프로버에 장착된 기판(100); 및 상기 기판(100)의 하부면에 장착된 프로브 시트(200)를 포함한다. 이하, 측정기구의 구성을 상세하게 설명한다.
프로브 시트(200)는 유연성을 가지는 시트부재(210); 및 상기 시트부재(210)의 한쪽 면에 구비된 복수의 측정용 프로브(220)를 포함한다. 시트부재(210)는 유연성을 가지고 2.5ppm/℃∼10.5ppm/℃ 범위의 선팽창계수를 가지는 재료로 만들어진다.
상기 재료의 예로는, 실리콘으로 만들어진 단일 절연시트, 플라스틱으로 만들어진 단일 절연시트, 실리콘으로 만들어진 복수의 절연시트를 적층하여 형성된 시트, 및 플라스틱으로 만들어진 복수의 절연시트를 적층하여 형성된 시트 등을 들 수 있다.
즉, 측정대상(B)과 동일하거나 비슷한 선팽창계수를 가지는 재료를 사용함으로써, 측정대상(B)의 팽창 또는 수축과 동일하게 시트부재(210)가 팽창 또는 수축될 수 있다. 이러한 재료를 사용하면, 시트부재(210)의 표면에 형성된 프로브(220)가 측정대상(B)의 팽창 또는 수축과 동반하여 대응하는 전극의 위치 이동이 가능해진다.
시트부재(210)의 선팽창계수가 2.5ppm/℃∼10.5ppm/℃의 범위로 설정되는 이유는 다음과 같다. 우선, 거의 모든 측정대상(B)의 크기는 10㎜ ×10㎜ ∼ 300㎜ ×300㎜의 범위에 있기 때문에, 측정대상(B)의 재료가 실리콘인 경우, 측정환경온도가 상온(ordinary temperature)(25℃)∼150℃의 범위에 있는 조건하에서 성형팽창계수는 2.5ppm/℃이어서, 측정대상(B)과 시트부재(210) 사이의 상대적인 위치이동은 10㎛ 이하로 한정되고, 측정대상(B)의 크기가 10㎜ ×10㎜인 경우의 선팽창계수와 측정대상(B)의 크기가 300㎜ ×300㎜인 경우의 시트부재(210)의 선팽창계수는 하기의 식으로 구해진다.
측정대상(B)의 크기가 10mm ×10mm인 경우,
(식 1)
10㎜ ×X ×(150℃-25℃) = 10㎛
X = 8ppm/℃
측정대상(B)의 크기가 300mm ×300mm인 경우,
(식 2)
300㎜ ×X ×(150℃-25℃) = 10㎛
X = 0.27ppm/℃
시트부재(210)가 열에 의해 팽창함과 동시에 측정대상(B)도 열에 의해 팽창한다는 사실을 고려하여, 측정대상(B)의 크기가 10mm ×10mm인 경우에서의 선팽창계수 8ppm/℃와, 측정대상(B)의 크기가 300mm ×300mm인 경우에서의 선팽창계수 0.27ppm/℃를 측정대상(B)의 선팽창계수인 2.5ppm/℃에 각각 더한다. 그러면, 전자는 10.5ppm/℃이 되고 후자는 2.77ppm/℃이 된다. 즉, 2.77ppm/℃∼10.5ppm/℃ 범위의 선팽창계수를 가지는 재료를 시트부재(210)의 재료로 사용함으로써, 거의 모든 측정대상들의 팽창계수에 대해 시트부재를 사용할 수 있고, 측정대상(B)과 동일한 실리콘을 시트부재(210)의 재료로서 사용하는 기술을 고려하여, 시트부재(210)의 선팽창계수가 2.5ppm/℃∼10.5ppm/℃의 범위로 설정된다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 시트부재(210)가 하나의 시트로 만들어지는 경우, 시트의 한쪽 면에는 배선패턴(211)이 구비되고 다른 쪽 면의 에지에는 외부전극(212)이 구비된다. 외부전극(212)과 프로브(220)는 배선패턴(211)을 통해 서로 전기적으로 접속된다.
시트부재(210)의 한쪽 표면에는 배선패턴(211)에 전기적으로 접속되어 있는 회로소자(213)가 구비된다. 회로소자(213)는 프로브와 함께 전기적 측정을 수행하기 위해 필요한 소자이고, 이 경우, 소위 패스 커패시터(pass capacitor)로서 기능하는 커패시터와 테스트(즉, 측정대상(B)의 전기적 특성의 측정)를 보조하는 BOST(built out self test)회로로서 기능하는 회로소자를 포함한다. 커패시터는 고주파 특성을 향상시키기 위한 역할을 한다. BOST회로로서 기능하는 회로소자는 측정대상(B)에 대한 테스트의 내용에 따라 변경시키는 역할을 수행한다.
한편, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 시트를 적층하여 시트부재(210)를 형성하는 경우에는, 각 시트 상에 복수의 배선패턴(211)이 형성되고, 시트부재(210)의 다른 쪽 표면의 에지에는 외부전극(212)이 구비된다. 각 시트의 배선패턴(211)과 하부시트는 서로 전기적으로 접속되어 있다. 외부전극(212)과 프로브(220)는 배선패턴(211)을 통해 서로 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 시트부재(210)의 각 시트 상에는 상기 회로소자(213)가 구비되어 있다. 레지스트상에 패턴을 형성하고 그 패턴에 따라 시트부재(210)의 한쪽 표면을 도금하도록 시트부재(210)의 한쪽 표면에 레지스트를 도포하는 절차로 이 공정을 반복하여 프로브(220)가 시트부재(210)의 한쪽 표면과 일체로 형성되어 있다. 프로브(220)의 피치는, 프로브(220)가 측정대상(B)의 대응하는 전극(10)들과 접촉할 수 있도록, 측정대상(B)의 전극(10)들의 피치와 동일하고, 이 경우 피치는 25㎛로 설정된다.
각 프로브(220)들은 접촉가능한 측정대상(B)의 전극(10)의 높이의 편차를 흡수하도록 적어도 상방 또는 하방으로 탄성변형 가능한 형상을 가진다. 프로브(220)의 예로는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 일단이 시트부재(210)에 의해 지지되고 반원호의 형상으로 시트부재(210)의 한쪽 표면에 형성된 것; 도 4a에 도시된 바와 같이, 양단이 시트부재(210)와 접속되어 있는 원호의 형상인 것; 도 4b에 도시된 바와 같이, 일단이 시트부재(210)에 의해 지지되고, 시트부재(210)의 길이방향으로 복수의 굴곡부를 가지는 것; 도 4c에 도시된 바와 같이, 양단이 시트부재(210)에 접속되고 원형인 것; 도 4d에 도시된 바와 같이, 일단이 시트부재(210)에 의해 지지되고, 복수의 굴곡부를 가지는 것; 도 4e에 도시된 바와 같이, 일단이 시트부재(210)에 의해 지지되고 시트부재(210)의 길이방향으로 하나의 굴곡부를 가지는 것; 도 4f에 도시된 바와 같이, 코일스프링의 형상인 것 등을 들 수 있다. 프로브(220)의 거의 중심에 위치하는 프로브(220)의 상단에는 측정대상(B)의 전극(10)과 접촉하게 되는 돌출부로서의 접촉단자(223)가 구비될 수 있다. 설명의 편의상, 프로브(220)에 대해서는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 일단이 지지되어 있고 반원호의 형상인 프로브를 예로 들어 설명한다.
프로브(220)는, 일단이 시트부재(210)에 의해 지지되어 있는 제1사분 원호부(first quarter circle arc portion)(221)와, 제1사분 원호부(221)의 타단에 연결되어 있고 제1사분 원호부(221)보다 약간 짧은 제2사분 원호부(222)를 포함한다. 프로브(220)의 거의 중앙에 위치하는 프로브(220)의 상단에는 돌출부로서 접촉단자(223)가 구비되어 있다.
또한, 프로브(220)에는 도 5a에 사선으로 해칭되어 도시된 바와 같은 구조가 구비될 수도 있다. 제조공정에서, 프로브(220)보다 탄성력이 높은 알루미나로 만들어진 보강부재(230)가 시트부재(210)와 대향하는 프로브(220)의 표면상에 길이방향을 따라 프로브(220)와 일체로 형성된다. 보강부재는 복수의 층으로 제조될 수 있다. 도 5b에서 사선으로 도시된 바와 같이, 측정대상(B)의 전극(10)과 접촉하게 되는 프로브(220)가 굴곡되어 프로브(220)의 상단의 반대쪽의 프로브(220)의 표면과 시트부재(210) 사이에 간극을 가지는 경우, 프로브(220)보다 탄성이 큰 엘라스토머(elastomer) 등의 보강부재(230)가 간극에 개재될 수도 있다. 엘라스토머와 같은 보강부재(230)는 프로브(220)의 제조공정에서 간극에 개재된다.
기판(100)으로서는 프로버로의 전기적인 접속을 위한 배선패턴(도시 안됨)이 형성되어 있는 PCB가 사용된다. 배선패턴은 시트부재(210)상의 외부전극(212)에 전기적으로 접속된다. 시트부재(210)는 그 상단 개구에 플랜지를 가지며, 그리스문자 Π의 역모양 형상이 되도록 접착이나 압축본딩(compression bonding) 등에 의해 기판(100)에 장착된다. 장착중에, 기판(100)과 시트부재(210) 사이에는 탄성부재(300)가 삽입된다.
탄성부재(300)로서는 고무같은 탄성수지, 물 또는 공기로 채워진 백, 또는 스프링 등이 사용된다. 실시하지 않는 상태의 탄성부재(300)는, 시트부재(210)를 도 1에 도시된 바와 같이 평탄한 상태로 유지하도록, 프로브(220)가 형성되어 있는 시트부재(210)의 영역을 미는 동작을 수행한다. 프로브(220)가 반도체 웨이퍼(B)상의 전극(10)과 접촉하게 되면, 탄성부재(300)가 접촉에 따른 시트부재(210)의 탄성변형을 흡수한다.
프레임(400)은 도 1에 도시된 바와 같이 시트부재(210)와 탄성부재(300)를 지지하는 부재이고 기판(100)에 장착된다.
이러한 구성을 가지는 프로브 시트 유닛(A)이 측정기구의 프로버에 장착되고 측정대상(B)의 전기적 특성의 측정에 사용된다. 이하, 사용방법을 상세하게 설명한다. 측정기구인 테스터와 프로브 시트 유닛(A)은 외부전극(212)을 통해 서로 전기적으로 접속되어 있다는 것을 인지하여야 한다.
우선, 기판(100)과 측정대상(B)이 서로 상대적으로 근접이동하도록 프로버용 구동장치를 구동시킨다. 이러한 이동은 프로브(220)의 접촉단자(223)와 측정대상(B)의 대응하는 전극(10)이 서로 접촉되게 한다. 그 후, 기판(100)과 측정대상(B)은 서로 근접이동하여 측정대상(B)의 대응하는 전극(10)에 대해 접촉단자(223)를 가압한다(즉, 오버드라이브(overdriven)).
이 과정에서, 프로브(220), 시트부재(210), 및 탄성부재(300), 또는 시트부재(210)와 탄성부재(300)는 측정대상(B)의 높이가 다양한 전극(10)들의 높이의 편차에 적용되어 그 편차를 흡수할 수 있도록 서로 독립적으로 탄성변형된다.
이 때, 프로브(220)가 상방 또는 하방으로 평행하게 탄성변형되고, 제2사분 원호부(222)의 말단이 시트부재(210)의 한쪽 면과 접촉된 후, 시트부재(210)의 한쪽 면상에서 (도 2의 화살표 방향으로) 이동한다. 프로브(220)의 이러한 이동은, 소형화로 인해 약해진 프로브(220)상에 가해지는 오버드라이빙(overdriving)으로 인한 하중을 분산시킬 뿐만 아니라, 프로브(220)와 대응하는 전극(10)간의 전기 전도성에 필요한 소정의 접촉 압력과 미끄럼 거리(즉, 제2사분 원호부(222)의 말단이 전극(10)의 표면상에서 미끄러지는 거리)를 확보할 수 있게 한다.
그리고나서, 테스터로 측정대상(B)의 측정을 마친 후, 프로버용 구동장치가 작동하여 기판(100)과 측정대상(B)을 서로 상대적으로 멀어지게 이동시킨다. 이 과정중에, 시트부재(210)가 탄성부재(300)에 의해 밀려 원위치로 복귀된다.
이러한 프로브 시트 유닛(A)을 사용하는 경우, 프로브(220)와 시트부재(210)는 서로 독립적으로 또는 함께 탄성변형되기 때문에, 측정대상(B)의 전극(10)들의 높이 편차 및/또는 프로브(220)의 높이 편차에 대해 적응시킬 수 있다. 그러므로, 종래기술에서 발생되었던 프로브의 일부가 대응하는 전극들과 접촉하지 않게 될 가능성이 없어지므로, 정확한 측정이 가능해진다.
PCB가 기판(100)으로서 사용되지만, 탄성부재(300)의 탄성변형을 견딜 수 있는 강성(stiffness)을 가지는 어떠한 판부재라도 사용될 수 있다. 그러므로, 상기 판부재를 도 7에 도시된 바와 같은 기판(100)으로서 사용하는 경우에는, PCB가 프레임(400)으로서 사용된다. 이런 식으로 설계를 변경하는 경우, 배선패턴(211)과 외부전극(212)은 기판(100) 및 탄성부재(300)와 접촉하는 시트부재(210)의 표면에 형성될 필요가 없기 때문에, PCB인 프레임(400)에 용이하게 전기적으로 접속될 수 있다.
탄성부재(300)는 필수적으로 구비될 필요가 없다. 즉, 시트부재(210)의 다른 모든 표면도 기판(100)의 하부면에 부착되도록 장착될 수 있다. 이런 식으로 탄성부재(300)를 가지지 않는 구조의 경우에도, 측정대상(B)의 다소의 기울어짐과 굽어짐이 시트부재(210)와 프로브(220)들의 탄성변형에 의해 채용될 수 있다.
물론, 프로브 시트(200)는 기판(100)에 장착되지 않고 프로버에 직접 장착될 수도 있다.
본 발명의 청구항1에 관한 프로브 시트를 이용하는 경우, 프로브와 시트부재가 서로 독립적으로 또는 함께 탄성적으로 변형되기 때문에, 측정대상의 전극 높이의 편차 및/또는 프로브 높이의 편차에 대해 적응시킬 수 있다. 그러므로, 종래기술에서 발생되었던 프로브의 일부가 대응하는 전극들과 접촉하지 않게 될 가능성이 없기 때문에, 정확한 측정이 가능해진다.
본 발명의 청구항2에 관한 프로브 시트를 이용하는 경우, 시트부재의 표면 및/또는 표면 내측에 배선패턴이 형성되고, 배선패턴을 통해 프로브에 전기적으로 접속된 외부전극이 시트부재의 표면에 구비되기 때문에, 측정기구로의 전기적인 접속이 용이해진다.
본 발명의 청구항3에 관한 프로브 시트를 이용하는 경우, 프로브와 함께 전기적인 측정에 필요한 회로 소자들이 프로브들에 가까운 위치에 배치되기 때문에, 측정 정밀도가 향상된다는 이점이 있다.
본 발명의 청구항4에 관한 프로브 시트를 이용하는 경우, 프로브보다 탄성이 큰 보강부재가 길이방향을 따라 프로브와 일체적으로 구비되기 때문에, 프로브의 강도를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 청구항5에 관한 프로브 시트를 이용하는 경우, 프로브보다 탄성이 큰 보강부재가 프로브의 상단 반대편인 프로브의 다른 쪽의 프로브의 표면과 시트부재 사이의 간극에 구비되기 때문에, 프로브의 강도를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 청구항6에 관한 프로브 시트를 이용하는 경우, 시트부재는 2.5ppm/℃∼10.5ppm/℃ 범위의 선팽창계수를 가지는 재료로 만들어진다. 즉, 시트부재는 측정대상과 동일한 선팽창계수를 가지는 재료로 만들어지기 때문에, 측정환경의 온도변화에 따라 시트부재가 측정대상과 동일하게 변형되므로, 시트부재상에 형성된 프로브가 측정대상의 변형과 동반하여 대응하는 전극의 위치 이동이 가능해진다.
본 발명의 청구항7에 관한 프로브 시트 유닛을 이용하는 경우, 탄성부재가 시트부재의 탄성변형을 흡수하면서 시트부재를 원상태로 복귀시키도록 변형된 시트부재를 밀기 때문에, 전극의 높이 편차 및/또는 프로브의 높이 편차에 대해 보다 유연성있게 이용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 관한 프로브 시트 유닛의 개략 단면도;
도 2는 유닛 중 하나의 시트로 만들어진 시트부재를 가지는 프로브 시트의 일부를 나타내는 개략 단면도;
도 3은 유닛 중 복수의 시트를 적층하여 형성된 시트부재를 가지는 프로브 시트의 일부를 나타내는 개략 단면도;
도 4a∼도 4f는 유닛에 사용되는 다른 프로브들을 나타내는 도면;
도 5a∼도 5b는 프로브용 보강부재를 나타내는 도면;
도 6은 유닛의 프로브가 측정대상의 전극과 접속하고 있는 상태를 나타내는 개략 단면도; 및
도 7은 다른 프로브 시트 유닛의 개략 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
A: 프로브 시트 유닛
100: 기판
200: 프로브 시트
210: 시트부재
220: 프로브
300: 탄성부재
B: 측정대상
10: 전극

Claims (7)

  1. 유연성을 가지는 시트부재; 및 상기 시트부재의 한쪽 표면에 구비된 복수의 측정용 프로브를 포함하고, 상기 각각의 프로브는 상방 또는 하방으로 탄성변형 가능한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 프로브 시트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 시트부재의 표면상 또는 표면 내측 또는 표면상 및 표면내측에 배선패턴이 형성되고, 상기 배선패턴을 통해 상기 프로브에 전기적으로 접속된 외부전극이 상기 시트부재의 표면에 구비되는 것을 특징으로 하는 프로브 시트.
  3. 제2항에 있어서, 상기 시트부재의 표면상 또는 표면 내측 또는 표면상 및 표면내측에 회로소자들이 구비되고, 상기 회로소자들은 상기 배선패턴에 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 프로브 시트.
  4. 제1항에 있어서, 상기 각각의 프로브가 굴곡되어 일단이 지지되고, 프로브보다 탄성이 큰 보강부재가 시트부재와 대향하는 프로브의 표면상에 길이방향을 따라 프로브와 일체적으로 구비되는 것을 특징으로 하는 프로브 시트.
  5. 제1항에 있어서, 상기 각각의 프로브가 굴곡되고, 상기 프로브가 측정대상의 전극과 접촉하게 되는 상기 프로브의 상단의 반대쪽의 프로브의 표면과 상기 시트부재 사이에 소정의 간극이 있고, 상기 프로브보다 탄성이 큰 보강부재가 상기 간극에 삽입되는 것을 특징으로 하는 프로브 시트.
  6. 제1항에 있어서, 상기 시트부재는 2.5ppm/℃∼10.5ppm/℃ 범위의 선팽창계수를 가지는 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 프로브 시트.
  7. 반도체 웨이퍼 측정기구의 감지부인 프로브 시트 유닛으로서, 상기 기구의 프로버에 장착된 기판; 상기 기판의 하부면에 장착된 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 프로브 시트; 및 상기 기판과 상기 프로브 시트 사이에 개재된 탄성부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 시트 유닛.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4201739B2 (ja) * 2004-05-31 2008-12-24 独立行政法人物質・材料研究機構 プローブ
KR100849142B1 (ko) * 2007-08-07 2008-07-31 정영석 웨이퍼 테스트용 프로브 장치
US8410610B2 (en) 2007-10-19 2013-04-02 Nhk Spring Co., Ltd. Connecting terminals with conductive terminal-forming members having terminal portions extending in different directions
KR101014354B1 (ko) * 2008-11-18 2011-02-15 실리콘밸리(주) 반도체 검사용 탐침의 연마시트
JP2011095028A (ja) * 2009-10-28 2011-05-12 Optnics Precision Co Ltd プローブシート
KR101108479B1 (ko) 2009-12-15 2012-01-31 주식회사 프로이천 웨이퍼 솔더 범프용 프로브 장치
TW201304329A (zh) * 2011-07-08 2013-01-16 Chroma Ate Inc 電性連結裝置
TWI498565B (zh) * 2013-12-11 2015-09-01 Mpi Corp 探針點測系統、探針高度調整方法與探針位置監測方法
TWI593970B (zh) * 2016-07-25 2017-08-01 日月光半導體製造股份有限公司 測試治具
CN109283452A (zh) * 2018-10-19 2019-01-29 义乌臻格科技有限公司 一种激光二极管芯片光电属性检测方法和检测装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030048108A1 (en) * 1993-04-30 2003-03-13 Beaman Brian Samuel Structural design and processes to control probe position accuracy in a wafer test probe assembly
JP2710544B2 (ja) * 1993-09-30 1998-02-10 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション プローブ構造、プローブ構造の形成方法
US5914610A (en) * 1994-02-03 1999-06-22 Massachusetts Institute Of Technology Apparatus and method for characterizing movement of a mass within a defined space
US5977783A (en) * 1994-10-28 1999-11-02 Nitto Denko Corporation Multilayer probe for measuring electrical characteristics
US5914613A (en) * 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
JP4084498B2 (ja) * 1998-10-27 2008-04-30 松下電器産業株式会社 検査用基板
US6084420A (en) * 1998-11-25 2000-07-04 Chee; Wan Soo Probe assembly for testing
US6657448B2 (en) * 2000-02-21 2003-12-02 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Electrical connection apparatus
JP2002082130A (ja) * 2000-09-06 2002-03-22 Hitachi Ltd 半導体素子検査装置及びその製造方法
BR0113995A (pt) * 2000-09-21 2003-08-12 Rohm & Haas Processo para preparar uma dispersão aquosa polimérica nanocompósita de argila, produto de aditivo plástico, produto em pó nanocompósito, resina termoplástica ou aditivo de plásticos, composição polimérica nanocompósita de núcleo-casca, e, produto de revestimento, adesivo, calafetação ou selante
JP3848919B2 (ja) * 2000-09-21 2006-11-22 ローム アンド ハース カンパニー 疎水的に変性された粘土ポリマーナノ複合材
WO2002084313A1 (fr) * 2001-04-18 2002-10-24 Ismeca Holding Sa Sonde et dispositif de mesure
JP3888197B2 (ja) * 2001-06-13 2007-02-28 三菱電機株式会社 プローブ先端付着異物の除去部材、プローブ先端付着異物のクリーニング方法およびプロービング装置
US6842029B2 (en) * 2002-04-11 2005-01-11 Solid State Measurements, Inc. Non-invasive electrical measurement of semiconductor wafers
JP4099412B2 (ja) * 2003-03-19 2008-06-11 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法

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