KR20050034546A - 무소결 질화알루미늄 정전척 및 그 제조방법 - Google Patents

무소결 질화알루미늄 정전척 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20050034546A
KR20050034546A KR1020040079385A KR20040079385A KR20050034546A KR 20050034546 A KR20050034546 A KR 20050034546A KR 1020040079385 A KR1020040079385 A KR 1020040079385A KR 20040079385 A KR20040079385 A KR 20040079385A KR 20050034546 A KR20050034546 A KR 20050034546A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
aluminum nitride
electrostatic chuck
layer
aln
coating
Prior art date
Application number
KR1020040079385A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100571158B1 (ko
Inventor
고경현
이하용
이재홍
이훈상
이재정
Original Assignee
에스엔티 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스엔티 주식회사 filed Critical 에스엔티 주식회사
Publication of KR20050034546A publication Critical patent/KR20050034546A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100571158B1 publication Critical patent/KR100571158B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/02—Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
    • C23C24/04—Impact or kinetic deposition of particles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 및 그 제조방법에 관한 것이다. 특히 본 발명은 웨이퍼의 가공시 웨이퍼를 고정시키기 위하여 사용하는 정전척에 있어서, 질화알루미늄의 코팅층이 유전체인 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 정전척은 질화알루미늄을 소결 공정이나 접착 공정을 통하지 않고 유전체를 결합하여 사용함으로써 우수한 정전특성을 갖음과 동시에 우수한 결합강도 및 열전도도를 갖는다.

Description

무소결 질화알루미늄 정전척 및 그 제조방법 {ELECTRO-STATIC CHUCK WITH NON-SINTERED AlN AND A METHOD OF PREPARING THE SAME}
본 발명은 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 본 발명은 웨이퍼의 가공시 웨이퍼를 고정시키기 위하여 사용하는 정전척에 있어서, 소결 공정이나 접착 공정을 통하지 않고 유전체를 결합하여 사용함으로써 우수한 정전특성을 갖음과 동시에 우수한 결합강도 및 열전도도를 갖는 질화알루미늄의 코팅층이 유전체인 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 식각, 증착 등에 사용되는 반응 챔버(Processing Chamber)에서 웨이퍼는 가공의 정밀도를 확보하기 위하여 척(Chuck)에 견고하게 고정되어야 하며, 이러한 고정을 위하여 사용되는 정전척의 경우에 있어서, 웨이퍼의 고정은 척(Chuck)에 유도된 정전기를 이용하는 것이 일반적이다.
즉, 정전척(Electro-Static Chuck)은 일반적으로 플라즈마 화학증착(Plasma Chemical Vapor Deposition)장비나 식각(Etching)장비 등과 같은 반도체를 제조하는 장비에 실리콘웨이퍼(Silicon Wafer)를 유전분극 현상으로 발생되는 정전기력을 이용하여 순간적으로 흡착 또는 탈착시키는 반도체 장비의 부품이다. 이를 위해서는 챔버(Chamber)내의 플라즈마와 척(Chuck)사이에 정전력을 발생시켜서 기판의 전면(全面)이 흡착되는 구조를 가진다. 이때, 척에는 정전력의 소스(Source)인 유전체와 전압인가를 위한 전극이 부착되어야 함은 물론이고, 특히 건식 프로세스에서는 박막의 균일성, 열응력(Thermal Stress)이나 결함밀도의 저감을 위해 진공 하에서 정확하고 균일한 가열/냉각, 온도분포 및 정전력이 필요하므로 우수한 유전성질과 열전도도를 가지는 소재를 선택하여 척을 제조하며, 유전체를 통한 척의 표면에 균일한 정전력 및 온도 조절이 가능하도록 부품을 제조하는 것이 중요하다.
일반적으로 정전기 유도를 위한 전극은 유전체 안에 부동(Floating)형태로 삽입되어 있으며 척의 뒷면으로 배선을 하여 챔버(Chamber)내의 플라즈마 사이에 전압을 가하게된다.
대부분의 정전척에 사용되는 유전체의 소재로는 폴리이미드(Polyimide), 산화 알루미늄(Al2O3/black Al2O3), 실리콘 고무, 질화알루미늄(AlN) 등이 있으며, 이중에서 특히 질화알루미늄(AlN)의 경우에는, 코팅소재의 특성을 비교한 하기 표 1에서 나타난 바와 같이 다른 코팅 소재에 비하여 고 유전율과 고 열전도성을 가질 뿐만 아니라 내플라즈마성도 뛰어난 소재로서 향후 유전체의 재료로서 이용가치가 높다.
소재 정전력 열전도성 내플라즈마
에폭시 ○ × △
폴리이미드 ○ × ○
실리콘고무 ○ ◎ △
Al2O3 ◎ ○ ◎
AlN ◎ ◎ ◎
◎: 우수, ○: 양호, △: 보통, ×: 불량
하지만, 대부분의 정전척 제조에 있어서, 종래의 경우는 전극을 삽입한 후 유전체를 소결하는 방법을 사용하고 있는데 질화알루미늄(AlN)의 경우에는 소결이 어려운 난소결성 재료이며, 설령 소결을 한다 해도 소결한 질화알루미늄(AlN) 유전체와 기판과의 결합력이 떨어지는 문제점이 있다. 따라서 질화알루미늄(AlN)을 유전체 소재로 사용하기 위해서는 무소결 방식의 제작방법이 필요하다.
또한 일부 무소결 방식을 적용한 경우로 해외에서 제작되고 있는 정전척은 질화알루미늄/전극/질화알루미늄을 벌크(Bulk) 형태로 전극을 삽입한 후 소결하는 공정으로 제조하고 알루미늄 기판(모재 척)과 상기 벌크(Bulk)의 접합을 접착제로 붙이는 방식으로 제작되고 있다. 그러나 이 경우에는 벌크와 기판과의 접합력이 현저하게 떨어지는 문제와 접촉부위의 불균일성에 따라서 공정중에 아킹(Arching)등이 발생하는 문제점이 있는 것으로 알려져 있다.
따라서 이러한 문제를 해결함과 동시에 질화알루미늄(AlN)을 유전체로 적용한 정전척의 개발이 필요하다.
상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자, 본 발명은 정전척에 있어서, 유전체가 소결 방법 및 접착방법을 사용하지 않고 생성되는 질화알루미늄(AlN)으로 이루어지는 정전척을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 우수한 정전특성을 가짐과 동시에 우수한 결합강도 및 열전도도를 갖는 정전척을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 코팅법을 적용하여 질화알루미늄을 생성하고 이에 따라 기판 소재의 선정에서 저융점, 고열전도도를 가지는 재료의 선정이 가능하며, 낮은 생산단가와 고생산성으로 정전척을 제조할 수 있는 정전척 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은
정전척에 있어서,
질화알루미늄의 코팅층이 정전척의 유전체인 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척을 제공한다.
또한 본 발명은
아래로부터 순차적으로 기판, 절연층, 전극 및 유전체를 적층시켜 정전척을 제조하는 정전척 제조방법에 있어서,
정전척의 유전체로서 질화알루미늄을 코팅하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 제조방법을 제공한다.
본 발명은 무소결 질화알루미늄 정전척에 관한 것으로 정전척에 있어서, 유전체층이 질화알루미늄의 코팅층으로 이루어지므로 소결공정을 진행하지 않는 무소결 질화알루미늄(AlN)층을 가지는 정전척인 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 무소결 질화알루미늄 정전척을 상세히 설명한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예로서 본 발명의 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척은 아래로부터 기판(20), 절연체(15), 전극(30) 및 유전체(10)를 포함한다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척의 일 실시예에 대한 단면도 및 평면도를 나타낸다.
본 발명의 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척에 있어서 질화알루미늄의 코팅층은 다양한 코팅방법을 통하여 형성될 수 있음은 물론이다.
상기 코팅층의 구체적인 예로는 본 발명은 상기 코팅층이 기상 증착법, 용사법 또는 저온 고속 분사 코팅법(Cold Spray법) 중의 어느 하나의 방법으로 생성될 수 있다. 즉, 상기 코팅법은 크게 나누면 기상증착법과 용사법의 두 가지로 나누어지고 기상증착법으로는 펄스드 레이저 증착(PLD)법, 스퍼터링(Sputtering)법, 증기(Evaporation)법, CVD(Chemical Vapor Deposition)법 등이 적용 가능하고, 용사(Spray) 방식으로는 플라즈마 스프레이 코팅법, HOVF코팅법, 고온용사, 저온 고속 분사 코팅(Cold Spray)법 등이 적용 가능하다.
바람직하기로는 초음속에 의해 가속된 입자는 기판이나 입자들의 녹는점보다 항상 낮은 온도에서 코팅이 되기 때문에 입자의 물성을 그대로 유지하고, 기판의 물성도 변형되지 않고 코팅할 수 있으며, 기존의 용사법이 가지고 있는 기판의 산화나 기판의 응력, 저융점 기판에는 코팅할 수 없는 문제점까지도 동시에 해결할 수 있어 저온 고속 분사 코팅법(Cold Spray 법)이 가장 좋다.
본 발명의 바람직한 일 실시예로서 도 1 내지 도 2에 도시한 바와 같이 정전척은 아래로부터 기판(20), 절연체(15), 전극(30) 및 유전체(10)를 포함하여 구성된다.
따라서 상기 정전척은 알루미늄합금, 구리, 구리합금 또는 세라믹으로 이루어진 기판(20), 상기 기판상에 저온 고속 분사 코팅에 의해 생성되는 제1질화알루미늄(AlN)층(15), 상기 제1질화알루미늄(AlN)층(15)에 상기 제1질화알루미늄의 외주로부터 중심쪽으로 일정간격 이격된 이격부(25)를 가지고 형성되는 전극(30) 및 상기 전극(30) 전체 및 상기 이격부(25)를 도포하며, 저온 고속 분사 코팅에 의해 생성되는 제2질화알루미늄(AlN)층(10)을 포함하여 구성된다.
상기 도면에서 기판(20)은 통상적인 기판재료들이 사용될 수 있음은 물론이며, 바람직하게는 열전도도 또는 화학적 안정성 등의 측면에서 알루미늄합금, 구리, 구리합금 또는 세라믹 소재 등이 사용될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 강도와 열전도도, 중량측면 등에서 장점이 있는 6xxx계열의 알루미늄 합금에 애노다이징(Anodizing) 처리를 한 것을 사용하는 것이 좋다.
상기 기판(20)상에 형성되는 상기 절연체(15)는 기판(20)과 전극(30)의 전기흐름을 방지하는 역할을 하며, 통상적인 절연물질을 사용할 수 있음은 물론이나, 본 발명에 있어서는 상기 절연체의 물질로 질화알루미늄(AlN)을 사용하는 것이며, 특히 이러한 절연체층(15)의 형성 방법으로 코팅, 바람직하게는 저온 고속 분사 코팅을 이용하여 제1질화알루미늄층(절연층 : 15))을 형성하는 것이다. 또한 절연성과 작업성 등을 고려하여 상기 절연층(15)의 두께는 0.2 내지 1.5 mm가 좋으며, 바람직하게는 0.5 내지 0.9 mm이며, 가장 바람직하게는 0.7 mm 내외가 좋다.
또한 상기 전극(30)은 상기 절연층(15)위에 형성되며, 바람직하게는 저온 고속 분사 코팅을 포함한 다양한 코팅방법에 의하여 형성되는 것이 결합력 증가 측면에서 좋다. 또한 상기 전극(30)은 정전척 외부로 노출되는 경우에 아크 발생 등이 발생하므로 절연을 유지하기 위하여 바람직하게는 상기 제1질화알루미늄(AlN)층(15)에 상기 제1질화알루미늄 코팅층의 외주로부터 중심쪽으로 일정간격 이격된 이격부(25)를 가지고 형성되는 것이 좋다. 즉, 전극층의 표면이 제1질화알루미늄층보다 전부 안쪽으로 위치하도록 하여 외부로 드러나지 않게 구성한다. 이를 통하여 전극이 질화알루미늄에 의하여 완전히 절연이 이루어지도록 한다.
본 발명에서 상기 전극(30)의 성분과 두께는 웨이퍼를 고정시킬 수 있는 정전력을 발생시킬 수 있을 정도이면 족하므로 공지의 주석, 구리, 은(Ag), 알루미늄 등을 포함하는 전도체 등의 다양한 재료와 형상을 당업자가 선택하여 적용 가능함은 물론이며, 8인치 웨이퍼를 고정하는데 사용되는 정전척의 경우 바람직하게는 상기 전극(30)이 주석, 은(Ag), 알루미늄 또는 구리전극이며, 두께는 정전력 확보 및 정전척의 적정 구성을 위하여 0.01 내지 0.5 mm인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.1 mm 내외인 것이 좋다.
본 발명에서 상기 전극(30)은 하나 또는 둘로 구성이 가능하고 이 경우에 전극(30)이 하나 존재하는 경우를 단극형(Unipolar Type)과 두 개 존재하는 경우를 양극형(Bipolar Type)으로 구분하고 본 발명의 경우에는 상기 두 가지 방식에 무관하게 적용이 가능하다.
또한 상기 전극(30)을 절연하고 정전력을 발생하기 위한 상기 유전체(10)는 질화알루미늄(AlN)을 전극(30) 위에 코팅시켜 형성된다. 즉, 도 1 내지 도 2에 도시한 바와 같이 상기 전극(30) 전체 및 상기 이격부(25)를 도포하여 구성된다. 또한 본 발명의 정전척은 상기 질화알루미늄층(유전체층 : 10)을 전극(30) 위에 저온 고속 분사 코팅법을 포함한 코팅방법에 의한 코팅층으로 형성시킴으로써 소결이 어려운 점을 해결하고, 질화알루미늄을 유전체로 사용하는 장점들을 모두 수용할 수 있는 장점이 있다. 바람직하게는 상기 유전체(10)는 정전척의 적정구성 및 정전력을 확보하기 위하여 두께가 0.05 내지 1 mm인 것이 좋으며, 더욱 바람직하게는 0.2 mm 내외인 것이 좋다.
또한 본 발명의 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척은 도 2에 도시한 바와 같이 장비구성 및 공정상의 필요에 따라 가스공급용 보조 구멍(40)을 추가로 형성시킬 수 있다.
본 발명의 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척은 척의 뒷면의 배선을 통하여 전극에 전원을 인가하여 유전체(10)와 전극(30)의 상호작용에 의해 정전기가 발생되게 되는 것이다.
종래의 정전척 제작은 유전체층(10)으로 질화알루미늄을 사용하는 경우에 질화알루미늄(AlN)을 소결하여 제작하고 있으나, 질화알루미늄의 난소결성으로 인하여 제작이 어려운 문제점을 가지고 있는 반면에, 본 발명의 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척은 무소결로 제작함으로써 이러한 문제점을 완전히 해결하여 유전율이 매우 높고, 열전도도가 좋은 소재인 질화알루미늄(AlN)을 소결하지 않고 유전체로 제공하는 장점이 있다.
본 발명은 상기 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 제조방법을 제공하는 바, 본 발명의 정전척 제조방법은 정전척의 유전체로서 질화알루미늄을 코팅시켜 형성시키는 것을 특징으로 한다.
상기 코팅에 적용되는 코팅방법으로는 공지의 다양한 코팅방법이 적용될 수 있으며, 구체적으로는 기상 증착법, 용사법 또는 저온 고속 분사 코팅법 중의 어느 하나의 방법으로 생성될 수 있다. 즉, 상기 코팅법은 크게 나누면 기상증착법과 용사법의 두 가지로 나누어지고 기상증착법으로는 펄스드 레이저 증착(PLD)법, 스퍼터링(Sputtering)법, 증기(Evaporation)법, CVD(Chemical Vapor Deposition)법 등이 적용 가능하고, 용사(Spray) 방식으로는 플라즈마 스프레이 코팅법, HOVF코팅법, 고온용사, 저온 고속 분사 코팅(Cold Spray)법 등이 적용 가능하다.
바람직하게는 상기 질화알루미늄의 코팅은 질화알루미늄 분말을 저온 고속 분사 코팅법(Cold Spray법)으로 코팅하는 것이 입자의 물성을 그대로 유지하고, 기판의 물성도 변형되지 않고 코팅할 수 있으며, 기존의 용사법이 가지고 있는 기판의 산화나 기판의 응력, 저융점 기판에는 코팅할 수 없는 문제점까지도 동시에 해결할 수 있어 좋다.
또한 도 1 내지 도 2에 일 실시예로 도시한 바와 같은 정전척을 제조하는 경우에는 질화알루미늄 분말을 저온 고속 분사 코팅법으로 코팅하여, 기판(20) 상에 절연층인 질화알루미늄층을 형성하는 제1층(15) 생성단계, 상기 제1층(15) 상에 전도체 분말을 저온 고속 분사 코팅법으로, 상기 제1층(15)의 외주로부터 중심쪽으로 일정간격 이격된 이격부(25)를 가지도록 전극(30)을 코팅하여 형성하는 제2층(30) 생성단계 및 상기 제2층(30) 및 이격부(25)의 상부에 질화알루미늄 분말을 저온 고속 분사 코팅법에 의하여 코팅하여 질화알루미늄층을 형성하는 제3층(10) 생성단계를 포함하는 제조방법을 통하여 제조될 수 있다.
또한 상기 제조방법에 있어서는 코팅면의 조도관리 및 코팅의 효율성 등을 고려하여 각 코팅단계의 진행전에 피코팅층을 평탄가공하는 단계를 더 포함하도록 구성할 수 있고, 최종적으로 제3층을 형성한 후에도 이를 평탄화 하는 가공단계가 더 포함될 수 있다. 이외에 상기 전극(제2층) 형성단계에 사용되는 전도체 분말은 다양한 전도성을 가지는 분말이 사용될 수 있고, 바람직하게는 전도성 금속, 특히 주석분말이 사용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예의 하나인 정전척의 제조에 적용되는 저온 고속 분사 코팅(Cold Spray)법을 좀더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
저온 고속 분사 코팅법(Cold Spray법)은 초음속을 이용한 저온 고속 분사 코팅법이 이에 해당하는데 이는 초음속 제트 기류에 의해 가속된 작은 입자들이 금속이나 세라믹 기판에 부딪쳐 코팅되는 방법으로, 주로 가스 온도, 가스 종류, 기판과의 이격 거리, 분말 공급율(가스 유량, 압력, 가스 속도, 기체와 분말간의 비율의 함수가 될 수 있다.), 분말의 자체의 조성, 입도, 첨가제, 점도, 공급(Feeding) 방법(고압/저압방식 등) 등이 코팅이 이루어지기 위한 공정변수로 작용한다.
특히, 가열하지 않은 기판 위에 고속으로 가속된 입자를 충돌시켜 코팅되는 원리이므로 각각의 코팅할 소재에 따라 코팅 효율이 달라지고, 가속된 입자의 속도가 증가할수록 코팅 효율이 증가하는데, 일정한 속도이상에서 급격히 증가하는 특성을 보인다. 즉, 입자속도에 따른 코팅 효율에 대한 도 3에 나타낸 바와 같이 코팅효율은 두 특정한 영역으로 나누어지는데, 가속된 입자가 임계 속도(Critical Velocity : Vcrit)에 미치지 못 하는 영역과 임계 속도를 넘는 영역으로 나누어진다. 첫 번째 영역(V < Vcrit)은, 기판에 전혀 코팅이 되지 않고, 가속된 입자가 임계 속도를 넘어서는 영역은 기판에 코팅되는 것으로 보여진다.
일반적인 초음속을 이용한 저온 고속 분사 코팅법으로 코팅되기 위한 기본적인 요구사항은 미세한 입자를 고속으로 고온상태가 아닌 형태로 분사하여야 하는데 이에 대한 바람직한 조건은 다음과 같다. a) 제트 기류의 온도가 항상 가속되는 입자의 녹는 점 또는 연화되는 점보다 낮아야 한다. b) 가속되는 입자는 1 내지 50 ㎛ 범위여야 한다. c) 입자의 속도는 입자 소재와 크기에 따라 300 내지 1200 m/s이어야 한다. 실제로, 입자들은 마하 2 내지 4 정도, 1 내지 3 MPa 사이의 초음속의 제트 기류의 도움을 받아 코팅이 이루어진다.
상기 기체의 종류로는 다양한 종류의 기체가 사용될 수 있으며 바람직하게는 불활성 및 안정성을 고려하여 공기와 질소, 헬륨, 혼합 기체 등을 사용할 수 있고, 어떠한 기체를 사용하여도 가속되는 입자가 임계 속도를 넘게 해야 코팅이 가능하다(V > Vcrit). 다만, 일반적으로 헬륨>질소>공기의 순으로 입자속도의 빠르기가 결정되므로 헬륨을 사용하였을 때 가장 높은 코팅 효율을 나타내는 것으로 알려져 있으며, 헬륨가스가 경제적인 면에서 경쟁력이 떨어지기 때문에 경제적인 면까지 고려하는 경우에는 공기를 이용하는 것이 더욱 바람직하다.
또한 콜드 스프레이 과정에서 고속의 기체가 장시간 분사되므로 다량의 가스유량이 필요하므로 이를 만족시키고 필요한 기체의 속도를 얻기 위해서는 기체의 온도를 증가시키는 방법을 사용한다. 도 4는 본 발명의 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척의 제조시 코팅방법으로 저온 고속 분사 코팅법 사용시의 그 시스템에 대한 전체적인 개략도를 나타낸 것이다. 압축된 기체가 가스히터(Gas Heater)로 통과되어 기체가 가열되고, 가열된 기체가 노즐의 목부분을 통과하게 되면, 초음속 기류가 흐르게 된다. 이에 노즐로 주입된 입자가 이 초음속의 기류를 타고 기판에 부딪치게 되어 코팅이 된다. 가스는 고속 가스분사와 균일한 공급을 위하여 가스의 온도를 100 내지 700 ℃의 온도범위에서 ±3 ℃이내의 온도편차를 갖도록 제어될 수 있도록 하며, 유량은 300 내지 500 ℓ/min이 되도록 구성하는 것이 바람직하다.
특히, 가스의 온도의 경우는, 분사되는 가스의 온도가 증가할수록 코팅의 효율이 증가하는 것으로 나타나며, 따라서 저온 고속 분사 코팅법에서는 분사되는 가스의 온도를 증가시켜야 코팅 효율이 증가할 수 있지만, 가스의 온도가 어느 정도 증가하게 되면, 코팅 효율이 일정하게 유지되므로 코팅효율과 입자속도 유지를 위한 충분한 유량의 가스공급을 위해서는 상기 온도범위인 것이 바람직하다. 또한, 분사되는 가스를 미리 가열시키는 것과 미리 가열되지 않았을 때의 코팅 효율은 일정한 것으로 나타나, 미리 가스를 가열하는 것은 코팅 효율에는 영향을 주지 않는 다. 이러한 이유로, 코팅 효율을 증가시키기 위한 공정 변수 제어 중에, 가속하고자 하는 가스의 온도를 올리는 것이 필수적이며 대량 생산의 경우에는 많은 유량의 가스를 사용하므로 가스가 흐른 상태에서도 균일한 온도를 유지하기 위한 대용량 가열장치를 사용한다.
이와 같이 형성된 가스압은 노즐의 일측으로 공급되고 노즐의 다른 쪽에는 질화알루미늄 분말이 주입되어 가스의 초음속 기류를 타고 피코팅층에 부딪치게 되어 코팅된다. 또한 상기 노즐은 다양한 형상의 노즐이 사용될 수 있으며 노즐의 형상은 코팅효율에 큰 영향을 미치지 않으며, 대량 생산의 경우는 시간을 단축하고 단가를 줄이는 것이 필요하므로, 상기 노즐은 바람직하게는 전형적인 디 라발형(De Laval Type)으로 균일도, 코팅 속도가 우수한 직사각형(Rectangular Type)으로 설계되는 것이 좋다. 또한, 노즐의 크기에 대한 적절한 조정으로 수요 및 코팅 속도가 최적화 되도록 할 수 있다.
상기 노즐에 공급되어지는 질화알루미늄 분말은 코팅층의 요구사양에 따라 다양한 크기의 입도를 가지는 분말을 사용할 수 있고, 바람직하게는 대량생산 측면과 수율 측면에서 1 내지 150 ㎛의 크기를 가지는 분말을 사용할 수 있으며 더욱 바람직하게는 1 내지 50 ㎛의 크기를 가지는 분말을 사용하는 것이 코팅효율 측면에서 좋다.
또한 상기 분말에는 분산제 등 첨가제를 사용하여 높은 점도를 가지는 경우에는 일반적인 저온 고속 분사용 고압분말 공급기 이외에 저압공급장치도 사용이 가능하다.
상기 저온 고속 분사용 고압분말 공급기 및 저압공급장치에 사용되는 상기 질화알루미늄 분말은 질화알루미늄만을 사용하거나 질화알루미늄 분말에 통상의 분산제 또는 바인더 등의 첨가제를 추가하여 제조될 수 있으며 이에는 폴리이미드, 글라스 수지, 폴리비닐알코올, 에폭시, 송진, 고무수지, 폴리에틸글리콜, 폴리비닐부티랄, 페놀수지, 폴리에스테르, 아크릴아마이드, 글라스 플릿(Frit) 등이 사용될 수 있으며 바람직하게는, 유전율 및 접착성, 고온 적용성 등을 고려하여 폴리이미드, 글라스 수지(Glass Resin), PVA(폴리비닐알코올) 또는 이들의 혼합물을 10 내지 30 중량% 혼합하여 분쇄한 분말을 사용할 수 있다. 이를 통하여 질화알루미늄 분말의 코팅의 효율성 및 결합력을 증가시킬 수 있으며 더욱 바람직하게는 15 내지 20 중량%의 폴리이미드, 글라스 수지, PVA 또는 이들의 혼합물을 첨가하여 분말을 제조할 수 있다.
또한 상기 첨가제를 첨가하여 제조되는 분말은 상기 질화알루미늄과 첨가제의 혼합물을 볼 밀링(Ball Milling)한 후 건조하고, 파쇄하여 채에 걸러 질화알루미늄 분말을 준비하는 것이 바람직하며, 특히 상기 혼합하여 분쇄한 분말을 일정한 입도로 분급하여 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 분급되어진 분말을 코팅조건에 따라 다양한 등급의 분말이 사용되어질 수 있으며, 바람직하게는 150 ㎛내외의 입도를 채를 이용하여 분급한 분말을 사용하는 것이 대량생산, 조도확보 및 결합력 유지를 위하여 좋다. 이와 같이 제조된 분말은 분말공급장치를 통하여 상기 노즐에 공급되며 이는 분말의 응집 없이 고압에서 100 내지 150 ㎤/hr로 분말량이 균일하고 연속적으로 공급되도록 한다.
실제로 상기 기술한 바와 같이 저온 고속 분사 코팅법의 코팅 효율과 코팅막의 특성을 향상시키기 위한 코팅 공정 변수로는 가스 온도의 효과, 가스 종류의 효과, 기판과의 이격 거리의 효과, 분말 공급율(가스 유량, 압력, 가스 속도, 기체와 분말간의 비율의 함수가 될 수 있다.), 분말의 자체의 조성, 입도, 첨가제, 점도, 공급(Feeding) 방법(고압/저압방식 등) 등이 고려될 수 있다.
특히, 기판과의 거리는 기판과 노즐과의 거리에 따라 코팅 효율이 변화하는 것을 볼 수 있는데, 헬륨가스를 사용하는 경우에는 기판과의 거리가 증가할수록 코팅효율이 감소하는데 이는 기판과의 거리가 멀수록 가속된 미립자의 속도가 감소하여 충돌되는 미립자들 간에 반응(소성 변형)이 일어나지 않고 탄성 변형이 일어나기 때문에 코팅 효율이 감소하는 것으로 여겨진다. 그러나 공기를 사용하는 경우에는 기판과의 거리가 일정거리까지 증가할 동안에는 코팅효율이 약간 증가하다 일정거리 이상이 되면 급격히 감소하는 것으로 나타나 최적 거리가 존재함을 알 수 있다.
이상의 공정조건에 대하여 코팅방법의 바람직한 예로는 상기 입자의 가속에 사용되는 가스의 온도는 400 내지 500 ℃이고, 가스의 압력은 3 내지 7 kgf/㎠, 노즐과 피코팅층과의 이격거리는 5 내지 50 ㎜인 것이 좋다. 더욱 바람직하게는 상기 가스의 온도는 450 ℃ 내외이고, 가스의 압력은 5 내지 6 kgf/㎠이고, 이격거리는 20 내지 30 ㎜인 것이 좋다.
또한 본 발명의 무소결 질화알루미늄 정전척의 제조방법에 따른 각 층의 두께는 고정하고자 하는 웨이퍼에 따라 변경될 수 있음은 물론이며, 8 인치 웨이퍼의 경우는 바람직하게는 상기 기술한 바와 같이 절연층인 제1질화알루미늄층(제1층)의 경우는 0.2 내지 1.5 ㎜, 전극(제2층)의 경우는 0.01 내지 0.5 ㎜, 유전층인 질화알루미늄층(제3층)의 경우는 0.05 내지 1 ㎜으로 하는 것이 좋다.
또한 바람직한 코팅을 위해서는 코팅면에 대한 평탄하게 제조하는 것이 좋다. 이에 대한 구체적인 예로는 기판을 고정하고 이동시키는 지그(50) 및 노즐의 이동방법을 조절할 필요가 있고, 이 경우에 이동방법으로는 상하좌우로 이동하는 방식과 회전방식이 가능하고, 각각의 이동속도가 공정변수가 될 수 있고, 회전방식을 통하여 코팅을 실시할 경우에는 회전속도가 공정변수가 될 수 있다.
또한 척용 지그의 제작에 있어서 정전척 코팅시, 표면 조도의 균일을 위해 X-Y 축상의 이동이 가능한 지그(Jig)뿐만 아니라, 회전방식(5∼50 RPM) + 1 축 이동 형태의 지그 이동이 가능한 시스템을 구성할 수 있고, 상기 지그와 노즐과의 움직임이 연동되도록 제어 시스템의 인터페이스를 구성할 수 있다.
또한 상기 코팅의 완료한 후에 바람직하게는 코팅면에 대한 평탄화 가공이 이루어지는 것이 좋다. 이에 대한 구체적인 예로 코팅된 질화알루미늄(AlN) 코팅막의 표면 가공을 위한 장비의 경우에는 가공하고자 하는 모양이 원반형이므로 회전 가공용 선반과 밀링 장비를 활용가능하고, 세라믹 벌크의 표면 가공과는 달리, 코팅막을 가공하기 때문에, 정교한 미세형 세라믹 전용 가공 장비를 사용하여 가공할 수 있는 장비를 설계, 제작할 수 있다.
또한 상기 제조방법에 추가하여 상기 제3층 생성단계이후에 상기 코팅을 완료한 정전척을 큐어링(Curing)하고 그 상면을 평탄 가공하는 단계 및 상기 큐어링이 완료된 척에 대하여 필요한 보조구멍들을 가공하여 정전척을 완성하는 단계를 더욱 포함할 수 있다. 이를 통하여 코팅층의 결합강도 및 밀도향상을 얻을 수 있으며, 상기 첨가제를 포함하는 분말의 경우에는 첨가제를 제거하는 효과를 함께 얻을 수 있다.
상기 큐어링시의 온도는 사용된 첨가제에 따라 다양한 온도 범위를 가질 수 있으며 바람직하게는 첨자제의 번-아웃(Burn-Out)을 효율적으로 진행하기 위해서는 100 내지 500 ℃로 하는 것이 좋다.
이상의 방법에 의하여 제조된 무소결 질화알루미늄을 유전체로 하는 정전척의 경우는 유전율이 최소한 8 (측정 주파수가 100 KHz 내지 1 MHz인 경우)로서 8 내지 9의 범위를 가지며, 정전력은 500 V의 전압을 인가한 경우에 최소한 150 gf/㎠을 나타내고 150 내지 200 gf/㎠의 범위를 가지는 특성을 가지며, 이외에도 부착력, 온도분포 균일성, 열팽창계수, 열전도도 등에서 우수한 특성을 가지며, 이에 대한 예로는 부착력은 0.3 내지 0.5 ㎫, 온도분포 균일성은 ±3 ℃ 내외, 열팽창계수는 4.7×10-6 /K, 열전도도는 50 내지 80 W/m/K의 특성을 가진다. 따라서 이와 같이 제조된 정전척은 사용온도는 -50 내지 500 ℃에서 사용이 가능하며, 표면조도/평탄도는 Ra ≤ 0.25 ㎛ / 3 ㎛을 가지도록 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 무소결 질화알루미늄 정전척은 식각공정이나, CVD공정 등에서 웨이퍼를 고정하는데 적용될 수 있고, 이때 공정온도는 -40 내지 500 ℃ 부근이 바람직하다.
본 발명은 정전척에 있어서, 유전체가 코팅에 의해 생성되는 질화알루미늄(AlN)이므로 정전척의 특성을 향상시킬 수 있는 질화알루미늄층을 유전체로 사용하게 됨에 따라 우수한 정전특성 및 열전도성을 갖음과 동시에, 이를 소결 공정이나 접착 공정을 통하지 않고 생성하게 되므로 우수한 결합강도 및 열전도도를 갖는 정전척을 제작할 수 있다.
즉, 소결 공정을 적용하지 않음에 따라 유전체로서 질화알루미늄(AlN)을 적용할 수 있게 되어 정전척이 고 정전력, 고 유전율, 고 열전도도, 고 내플라즈마성을 갖도록 할 수 있다.
또한 본 발명의 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 제조방법은 저온 고속 분사 코팅법의 적용시에는 저온 공정이 가능해짐에 따라 고온 용사법에 대한 취약점을 제거할 수 있고, 물리학적인 관점에서는, 코팅될 소재가 고체 상태로 막이 형성되기 때문에 코팅소재의 물성을 그대로 유지할 수 있고, 모재인 기판의 산화 방지뿐만 아니라 기판의 소재로서 저융점 기판의 모재의 사용이 가능하여져 모재 선정의 폭이 확대되고, 따라서 저융점, 고 열전도성을 갖는 금속재를 선택할 수 있는 장점이 있고, 저온 고속 분사 코팅법으로 코팅함으로써 질화알루미늄(AlN)을 소결하지 않기 때문에 산화되는 문제가 전혀 없는 장점을 가지며, 기판(20)과의 잔류 응력을 최소화할 수 있고, 고밀도, 고강도, 가공경화를 갖는 코팅막의 생성이 가능하며, 저산화도의 후막을 코팅할 수 있다. 뿐만 아니라 낮은 기공도 (> 99 % Dense, As-coated)와 높은 코팅 효율 (> 98 %)을 함께 얻을 수 있으며, 낮은 생산단가로 제품을 생산할 수 있어 대량생산 할 수 있는 장점이 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 한정되는 것은 아니고, 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 해당 기술분야의 당업자가 다양하게 수정 및 변경시킨 것 또한 본 발명의 범위 내에 포함됨은 물론이다.
도 1은 본 발명의 무소결 질화알루미늄 정전척에 대한 일 실시예의 정전척 단면도이다.
도 2는 본 발명의 무소결 질화알루미늄 정전척에 대한 일 실시예의 정전척 평면도이다.
도 3은 저온 고속 분사 코팅법 사용시의 분말의 평균속도에 따른 코팅효율을 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 저온 고속 분사 코팅 시스템의 전체 개략도이다.
* 도면의 주요 부호에 대한 설명 *
10 : 유전체 15 : 절연체
20 : 기판(모재) 25 : 이격부
30 : 전극 40 : 이탈핀 또는 가스공급용 보조구멍
50 : 지그(Jig)

Claims (14)

  1. 정전척에 있어서,
    질화알루미늄의 코팅층이 정전척의 유전체인 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 질화알루미늄의 코팅층은 질화알루미늄 분말을 저온 고속 분사 코팅법으로 코팅하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 정전척이
    알루미늄합금, 구리, 구리합금 또는 세라믹으로 이루어진 기판;
    상기 기판상에 저온 고속 분사 코팅에 의해 생성되는 제1질화알루미늄(AlN)층;
    상기 제1질화알루미늄(AlN)층에 상기 제1질화알루미늄의 외주로부터 중심쪽으로 일정간격 이격된 이격부를 가지고 형성되는 전극; 및
    상기 전극 전체 및 상기 이격부를 도포하며, 저온 고속 분사 코팅에 의해 생성되는 제2질화알루미늄(AlN)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1질화알루미늄층의 두께는 0.2 내지 1.5 mm 내외이고, 전극의 두께는 0.01 내지 0.5 ㎜ 내외이고, 제2질화알루미늄층의 두께는 0.05 내지 1 ㎜인 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척.
  5. 정전척 제조방법에 있어서,
    정전척의 유전체로서 질화알루미늄을 코팅하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 질화알루미늄의 코팅은 질화알루미늄 분말을 저온 고속 분사 코팅법으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    질화알루미늄 분말을 저온 고속 분사 코팅법으로 코팅하여, 기판 상에 절연층인 질화알루미늄층을 형성하는 제1층 생성단계;
    상기 제1층 상에 전도체 분말을 저온 고속 분사 코팅법으로, 상기 제1층의 외주로부터 중심쪽으로 일정간격 이격된 이격부를 가지도록 전극을 코팅하여 형성하는 제2층 생성단계; 및
    상기 제2층 및 이격부의 상부에 질화알루미늄 분말을 저온 고속 분사 코팅법에 의하여 코팅하여 질화알루미늄층을 형성하는 제3층 생성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 제조방법.
  8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 저온 고속 분말 코팅시 가스의 온도가 400 내지 500 ℃이고, 가스의 압력은 3 내지 7 kgf/㎠, 이격거리는 5 내지 50 ㎜인 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 제조방법.
  9. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질화알루미늄 분말은 질화알루미늄 분말에 폴리이미드, 글라스 수지, 폴리비닐알코올 또는 이들의 혼합물을 10 내지 30 중량% 혼합하여 분쇄한 것인 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 혼합하여 분쇄한 분말을 일정한 입도로 분급하여 사용하는 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 제조방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 제1층의 두께는 0.2 내지 1.5 ㎜이고, 제2층의 두께는 0.01 내지 0.5 ㎜이고, 제3층의 두께는 0.05 내지 1 ㎜로 하는 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 제조방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 제3층 생성단계 후에 상기 코팅을 완료한 정전척을 큐어링(Curing)하고 그 상면을 평탄 가공하는 단계 및 상기 큐어링이 완료된 척에 대하여 필요한 보조구멍들을 가공하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 제조방법.
  13. 제12항에 있어서
    상기 큐어링시의 온도는 100 내지 500 ℃인 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척 제조방법.
  14. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조되고, 측정 주파수가 100 KHz 내지 1 MHz인 경우에 유전율이 최소한 8이고, 500 V의 전압을 인가한 경우에 정전력은 최소한 150 gf/㎠인 것을 특징으로 하는 무소결 질화알루미늄(AlN) 정전척.
KR1020040079385A 2003-10-09 2004-10-06 무소결 질화알루미늄 정전척 및 그 제조방법 KR100571158B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030070114 2003-10-09
KR20030070114 2003-10-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050034546A true KR20050034546A (ko) 2005-04-14
KR100571158B1 KR100571158B1 (ko) 2006-04-13

Family

ID=36499779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040079385A KR100571158B1 (ko) 2003-10-09 2004-10-06 무소결 질화알루미늄 정전척 및 그 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20070065678A1 (ko)
EP (1) EP1676309A1 (ko)
JP (1) JP2007508690A (ko)
KR (1) KR100571158B1 (ko)
CN (1) CN1864255A (ko)
WO (1) WO2005034233A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100706021B1 (ko) * 2005-06-16 2007-04-12 주식회사 에이디피엔지니어링 정전척 제조방법
CN114192364A (zh) * 2021-12-02 2022-03-18 福建高全建材科技有限公司 一种铝型材的喷涂方法及铝型材

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2659101C (en) * 2006-08-02 2014-11-04 Unified Brands, Inc. Kitchen ventilation hood apparatus
JP4765103B2 (ja) * 2006-09-29 2011-09-07 日本ケミコン株式会社 コンデンサ
KR100969312B1 (ko) 2008-03-18 2010-07-09 한국기계연구원 고유전율 유전체막을 가진 전자기기용 기판
JP5345419B2 (ja) * 2009-03-09 2013-11-20 国立大学法人東北大学 耐高温酸化セラミックス皮膜の形成方法及び耐高温酸化セラミックス皮膜付基材
CA2782698C (en) * 2009-12-04 2018-02-13 The Regents Of The University Of Michigan Coaxial laser assisted cold spray nozzle
FR2961630B1 (fr) * 2010-06-22 2013-03-29 Soitec Silicon On Insulator Technologies Appareil de fabrication de dispositifs semi-conducteurs
KR101385950B1 (ko) * 2013-09-16 2014-04-16 주식회사 펨빅스 정전척 및 정전척 제조 방법
KR101787931B1 (ko) * 2013-11-29 2017-10-18 가부시끼가이샤 도시바 플라즈마 장치용 부품 및 그 제조 방법
ES2684402T3 (es) * 2014-06-19 2018-10-02 System 3R International Ab Plataforma para mandriles de sujeción
CN204242603U (zh) * 2014-11-11 2015-04-01 中科华核电技术研究院有限公司 热管道温度测量套管
CN107154375B (zh) * 2016-03-03 2023-11-24 北京华卓精科科技股份有限公司 静电卡盘装置及其集成工艺
US11127619B2 (en) * 2016-06-07 2021-09-21 Applied Materials, Inc. Workpiece carrier for high power with enhanced edge sealing
US10226791B2 (en) * 2017-01-13 2019-03-12 United Technologies Corporation Cold spray system with variable tailored feedstock cartridges
US11515190B2 (en) * 2019-08-27 2022-11-29 Watlow Electric Manufacturing Company Thermal diffuser for a semiconductor wafer holder
CN110957254A (zh) * 2019-12-26 2020-04-03 苏州芯慧联半导体科技有限公司 一种无烧结的氮化铝的静电卡盘

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2865472B2 (ja) * 1992-02-20 1999-03-08 信越化学工業株式会社 静電チャック
US5413360A (en) * 1992-12-01 1995-05-09 Kyocera Corporation Electrostatic chuck
JPH07297265A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック
JP2971369B2 (ja) * 1995-08-31 1999-11-02 トーカロ株式会社 静電チャック部材およびその製造方法
KR100427459B1 (ko) * 2001-09-05 2004-04-30 주성엔지니어링(주) 아크 방지용 정전척
JP4243943B2 (ja) * 2002-04-22 2009-03-25 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム材料および半導体製造用部材

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100706021B1 (ko) * 2005-06-16 2007-04-12 주식회사 에이디피엔지니어링 정전척 제조방법
CN114192364A (zh) * 2021-12-02 2022-03-18 福建高全建材科技有限公司 一种铝型材的喷涂方法及铝型材

Also Published As

Publication number Publication date
US20070065678A1 (en) 2007-03-22
KR100571158B1 (ko) 2006-04-13
CN1864255A (zh) 2006-11-15
EP1676309A1 (en) 2006-07-05
JP2007508690A (ja) 2007-04-05
WO2005034233A1 (en) 2005-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100571158B1 (ko) 무소결 질화알루미늄 정전척 및 그 제조방법
JP5633766B2 (ja) 静電チャック
US6414834B1 (en) Dielectric covered electrostatic chuck
CN105980331B (zh) 电介质材料及静电卡盘装置
CN101501834B (zh) 静电吸盘装置
KR101905158B1 (ko) 국부적으로 가열되는 다-구역 기판 지지부
CN106992107A (zh) 频率调制射频电源以控制等离子体不稳定性的系统和方法
US9779975B2 (en) Electrostatic carrier for thin substrate handling
US6122159A (en) Electrostatic holding apparatus
US20080212255A1 (en) Electrostatic chuck and method for manufacturing same
JP4943086B2 (ja) 静電チャック装置及びプラズマ処理装置
JP4943085B2 (ja) 静電チャック装置及びプラズマ処理装置
JP2975205B2 (ja) 静電チャック及びその製造方法
CN100595901C (zh) 一种静电夹盘
JP2008042137A (ja) 静電チャック装置
JPH04238882A (ja) 高温絶縁物品
US20220246404A1 (en) Sealant coating for plasma processing chamber components
CN110957254A (zh) 一种无烧结的氮化铝的静电卡盘
KR20230096465A (ko) 세라믹 서셉터의 제조 방법
KR20010063394A (ko) 그 표면에 세라믹이 코팅된 정전척과 세라믹 코팅방법
KR20190060070A (ko) 텅스텐카바이드로 이루어진 플라즈마 장치용 부품의 제조방법
JP2000243818A (ja) 静電チャックの製造方法
JP2001219332A (ja) 静電チャック
KR20170135616A (ko) 플라즈마 젯 분사 노즐 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130327

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140324

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160328

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170328

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180329

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190408

Year of fee payment: 14