JP2000243818A

JP2000243818A - 静電チャックの製造方法

Info

Publication number: JP2000243818A
Application number: JP11039188A
Authority: JP
Inventors: Shinichiro Aonuma; 伸一朗青沼; Shigeko Muramatsu; 滋子村松; Koji Sano; 孝司佐野; Mitsuhiro Fujita; 光広藤田
Original assignee: Toshiba Ceramics Co Ltd
Current assignee: Coorstek KK
Priority date: 1999-02-17
Filing date: 1999-02-17
Publication date: 2000-09-08

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の反りを防止して均一な静電吸着力を得
つつ、所望厚みの誘電層を短時間で容易に得ることが可
能な静電チャックの製造方法を提供する。【解決手段】液相焼結による窒化アルミニウム焼結体
からなる基板１の片面に電極形成用高融点金属ペースト
６を塗布して乾燥すると共に、その残余の片面に低温焼
結助剤を添加した誘電層形成用窒化アルミニウムペース
ト７を高融点金属ペースト同等の厚みで塗布して乾燥し
た後、それらの上に上記窒化アルミニウムペーストと同
様のペースト８を塗布して乾燥し、しかる後に、１５０
０〜１８００℃の温度で焼成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造の際に
おける半導体ウエーハや液晶製造の際における液晶用ガ
ラス基板を静電的に吸着保持するセラミックス製の静電
チャックの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の静電チャックの製造方法
としては、窒化アルミニウム成形体中に電極を埋設して
焼成する方法が知られているが、この方法では得られる
静電チャックには反りが生じてしまう。半導体ウエーハ
やガラス基板と接触する誘電層表面には高い平坦度が要
求されるため、反りの生じた静電チャックに平坦化研削
加工を施すと誘電層厚みは吸着面内で不均一となり、静
電吸着力が不均一となる。又、反り量が大きくなると、
静電チャックとして使用可能な平坦度に加工できない場
合もある。かかる不具合を解消すべく、窒化アルミニウ
ムの優れた耐プラズマ性、高熱伝導性を生かしつつ、窒
化アルミニウム焼結体からなる基板に対する電極と誘電
層の形成時の変形を防止して静電吸着力が均一なものを
得るため、窒化アルミニウム焼結体からなる基板の表面
を平面研磨した後、その表面に電極を形成し、かつ、表
面をＰＶＤ法やＣＶＤ法による窒化アルミニウム薄膜で
覆う方法が知られている（特開平０７−１５３８２０号
公報参照）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
静電チャックの製造方法では、誘電層となる窒化アルミ
ニウム薄膜をＰＶＤ法やＣＶＤ法によって形成している
ので、成膜速度が数μｍ／ｈｒ程度と遅く、所望の膜厚
を得るのに長時間かかり、工業的に困難な不具合があ
る。又、窒化アルミニウム薄膜を形成するために真空装
置やマスキング治具等が必要であり、作業が煩雑とな
り、製造コストの上昇を招く不具合がある。そこで、本
発明は、静電チャックの反りを防止して均一な静電吸着
力を得つつ、所望厚みの誘電層を短時間で容易に得るこ
とが可能な静電チャックの製造方法を提供することを目
的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第１の静電チャックの製造方法は、液相焼
結による窒化アルミニウム焼結体からなる基板の片面に
電極形成用高融点金属ペーストを塗布して乾燥すると共
に、その残余の片面に低温焼結助剤を添加した誘電層形
成用窒化アルミニウムペーストを高融点金属ペーストと
同等の厚みで塗布して乾燥した後、それらの上に上記窒
化アルミニウムペーストと同様のペーストを塗布して乾
燥し、しかる後に、１５００〜１８００℃の温度で焼成
することを特徴とする。第２の静電チャックの製造方法
は、液相焼結による窒化アルミニウム焼結体からなる基
板の片面に電極形成用高融点金属ペーストを塗布して乾
燥した後、低温焼結助剤を添加した誘電体形成用窒化ア
ルミニウム成形体を熱圧着し、しかる後に、１５００〜
１８００℃の温度で焼成することを特徴とする。又、第
３の静電チャックの製造方法は、第２の方法において、
前記窒化アルミニウム成形体の熱圧着に先立って、基板
の残余の片面に低温焼結助剤を添加した誘電層形成用窒
化アルミニウムペーストを高融点金属ペーストと同等の
厚みで塗布して乾燥することを特徴とする。一方、前記
高融点金属は、タングステン又はこれにモリブデン、ニ
ッケル及びコバルトの１種以上を添加したものであるこ
とが好ましい。前記低温焼結助剤は、イットリウム化合
物及びリチウム化合物であることが好ましい。又、前記
ペーストの塗布は、スクリーン印刷によることが好まし
い。

【０００５】基板は、焼結による電極と誘電層の形成が
低温で行われ、基板の液相が揮発したり、移動したりす
ることはないので、焼結助剤に起因する粒界成分が多く
ても構わないが、粒界成分を窒化アルミニウムに対して
５重量％以下とすることが望ましく、より望ましくは２
重量％以下である。このように粒界成分を減らすことに
より、電極と誘電層形成時の基板の変形をより抑制する
ことができる。基板は、少なくとも片面に研削加工を施
して反りを低減しておくことが望ましい。反り量（基準
面からの反り量）は、Ｘ、Ｙ方向共に５μｍ以下にして
おくことが望ましい。

【０００６】基板の作製に用いる焼結助剤としては、一
般的に用いられるイットリウム化合物、希土類化合物、
アルカリ土類化合物の粉末を用いることができるが、純
度の点からイットリウム（Ｙ）化合物粉末を用いること
が望ましく、更に、それらに後述するリチウム（Ｌｉ）
化合物粉末のように焼結温度を低下させるものを添加し
た低温焼結助剤を用いてもよい。焼結助剤としてＹ化合
物粉末を用いる場合、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末
１００重量部に対し、イットリア（Ｙ₂ Ｏ₃ ）換算で
０．５〜２０重量部添加する。Ｙ化合物粉末の添加量
が、ＡｌＮ粉末１００重量部に対し、Ｙ₂ Ｏ₃ 換算で
０．５重量部未満であると、液相成分が不足し、緻密な
焼結体を得難い。一方、２０重量部を超えると、未反応
の焼結助剤が残存するおそれがある。Ｙ化合物として
は、Ｙ₂ Ｏ₃ 、フッ化イットリウム（ＹＦ）、Ｙ₃ Ａｌ
₅ Ｏ₁₂（ＹＡＧ）等の酸化イットリウムアルミニウム、
Ｙ₂ Ｏ₃ とアルミナ（Ａｌ₂ Ｏ ₃ ）をＹＡＧとなる配合
比で混合した混合粉等が用いられる。

【０００７】基板作製時の焼成温度は、低温焼結助剤を
用いない場合には、１８００〜２０００℃とする。焼成
温度が、１８００℃未満であると、緻密な焼結体が得ら
れない。一方、２０００℃を超えると、過焼結となった
り、液相の揮発が進み気孔生成を招く。望ましい焼成温
度は、１８５０〜１９００℃である。又、Ｌｉ化合物粉
末（Ｌｉ化合物以外は、焼結時に揮発せずに残存するの
で好ましくない。）を添加した低温焼結助剤を用いる場
合には、１５００〜１８００℃の焼成温度としても構わ
ない。Ｌｉ化合物は、基板を焼成する際に揮発してしま
い、電極と誘電層を１８００℃以下の温度で焼成すると
きには、基板の液相の移動を生じないため、基板に反り
が発生することはない。

【０００８】電極形成用高融点金属ペーストは、高融点
金属粉末にペースト用有機溶剤を添加して調製され、２
００〜５００ポイズの粘度が望ましい。粘度が、２００
ポイズ未満であると、塗布物がだれる（形を保てな
い）。一方、５００ポイズを超えると、塗布が良好に行
われず、スクリーン印刷の場合、スクリーンにペースト
が残留し、転写が行われない。

【０００９】高融点金属としては、タングステン
（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）又はそ
れらの混合物を用いることができるが、ＡｌＮと熱膨張
率が最も近いＷが電極剥離防止の観点から好ましい。
又、ＷにＭｏ、ニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）
の１種以上を添加すると、低温焼結においてＡｌＮとの
密着性を向上でき、好ましい。

【００１０】ペースト用有機溶剤としては、熱可塑性セ
ルロースエーテル樹脂、アクリル樹脂等の樹脂と、ブチ
ルカルビトール、フタル酸ジブチルの混合物等が用いら
れる。

【００１１】誘電層形成用ＡｌＮペーストは、ＡｌＮ粉
末と低温焼結助剤にペースト用有機溶剤を添加して調製
され、電極形成用高融点金属ペーストと同様の２００〜
５００ポイズの粘度が望ましい。粘度が、２００ポイズ
未満であると、塗布物がだれる（形を保てない）。一
方、５００ポイズを超えると、塗布が良好に行われず、
スクリーン印刷の場合、スクリーンにペーストが残留
し、転写が行われない。

【００１２】低温焼結助剤としては、Ｙ化合物粉末にＬ
ｉ化合物粉末を添加したものが好ましい。低温焼結助剤
は、ＡｌＮ粉末１００重量部に対し、Ｙ化合物粉末をＹ
₂ Ｏ₃ 換算で０．５〜２０重量部、Ｌｉ化合物粉末を酸
化リチウム（Ｌｉ₂ Ｏ）換算で０．１〜５０重量部添加
する。Ｙ化合物粉末の添加量が、ＡｌＮ粉末１００重量
部に対し、Ｙ₂ Ｏ₃ 換算で０．５重量部未満であると、
液相成分が不足し、緻密な焼結体を得難い。一方、２０
重量部を超えると、未反応のＹ化合物が残存するおそれ
がある。又、Ｌｉ化合物粉末の添加量が、ＡｌＮ粉末１
００重量部に対し、Ｌｉ₂ Ｏ換算で０．１重量部未満で
あると、焼結温度低下の効果が低い。一方、５０重量部
を超えると、僅かなＬｉが残存するおそれがある。Ｌｉ
化合物粉末は、僅かしか添加しないため、均一に分散さ
せるために、粒径２０μｍ以下のものを用いるのが望ま
しく、より好ましくは２μｍ以下とする。Ｌｉ化合物と
しては、Ｌｉ₂ Ｏ、炭酸リチウム（Ｌｉ₂ ＣＯ₃ ）、フ
ッ化リチウム（ＬｉＦ）、硝酸リチウム（ＬｉＮＯ
₃ ）、水酸化リチウム（ＬｉＯＨ）、塩化リチウム（Ｌ
ｉＣｌ）、酢酸リチウム（ＬｉＣＨ₃ ＣＯＯ）、Ｙとの
複合酸化物及びアルミニウム（Ａｌ）との複合酸化物の
１種以上が用いられる。低温焼結助剤を用いると、電極
と誘電層の焼結温度を１５００〜１８００℃とできる。
基板に反りが生じると、それに追従して電極、誘電層に
反りが生じ、静電チャック全体が反ってしまうが、この
ように、電極と誘電層を１８００℃以下の温度で焼成す
ることにより、基板の粒界相成分が揮発したり、移動し
たりしないため（発生したとしても極く僅かに抑えられ
る）、基板の反り、それに起因する電極、誘電層の反り
が生じない。

【００１３】ペースト用有機溶剤としては、熱可塑性セ
ルロースエーテル樹脂、アクリル樹脂等の樹脂と、ブチ
ルカルビトール、フタル酸ジブチルの混合物等が用いら
れる。

【００１４】電極と誘電層の焼成温度が、１５００℃未
満であると、緻密な焼結が行えない。一方、１８００℃
を超えると、基板の粒界相成分が揮発したり、移動した
りするため、基板の反り、それに起因する電極、誘電層
の反りが生じる。より好ましい焼成温度は１５００〜１
７５０℃である。

【００１５】又、誘電層は、ＡｌＮ成形体の熱圧着によ
って形成してもよい。誘電層形成用ＡｌＮ成形体の作製
は、ＡｌＮ粉末と低温焼結助剤にバインダーを添加し、
基板と同様にドクターブレード法や加圧成形法等によっ
て成形して行う。成形体の厚みの調整や焼結後の誘電層
表面の研削加工により、所望の誘電層厚みを容易に得る
ことができる。

【００１６】ＡｌＮ成形体の熱圧着は、１００〜２００
℃の温度で加熱し、０．５〜１００ｋｇ／ｃｍ² の圧力
で加圧して行う。

【００１７】ＡｌＮ成形体の熱圧着に先立って、基板の
残余の片面に低温焼結助剤を添加した誘電層形成用Ａｌ
Ｎペーストを高融点金属ペーストと同等の厚みで塗布し
て乾燥することによって、電極の周辺に空隙が生じるこ
とがなく、誘電層の焼結後に、その表面に対する研削加
工及び研磨加工を施さなくても、その平坦度を使用可能
な範囲（反り量がＸ、Ｙ方向共に１０μｍ以下）のもの
とすることができ、又、双極タイプの電極の場合、電極
間での絶縁性を高め、高い電圧を印加できると共に、漏
れ電流を低減できる。

【００１８】ペーストの塗布は、印毛塗り等でもよい
が、スクリーン印刷によるのが好ましい。スクリーン印
刷は、非常に正確で簡便な方法であり、ＰＶＤ法やＣＶ
Ｄ法に比較して短時間（数十μｍ〜１００μｍ／ｈｒ）
で電極や誘電層の形成が可能である。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明に係る静電チ
ャックの製造方法の実施の形態の一例によって得た静電
チャックの断面図である。この静電チャックは、双極タ
イプのものであり、液相焼結によるＡｌＮ焼結体からな
る基板１の平坦な片面（図１においては上面）に２つの
電極２をそれぞれ形成すると共に、両電極２を基板１に
個別に挿着した金属端子３と接続し、かつ、両電極２及
び基板１の残余の片面を液相焼結によるＡｌＮ焼結体か
らなる５〜５００μｍの厚み（電極表面からの厚み）の
平坦な誘電層４によって被覆して構成されている。な
お、誘電層４の厚みは、１０〜１００μｍが望ましい。
誘電層の厚みが、１０μｍ未満であると、大きな印加電
圧に耐えられない場合がある。一方、１００μｍを超え
ると、静電吸着力が低下する。

【００２０】上記構成の静電チャックは、以下のように
して製造した。先ず、基板１を作製するため、ＡｌＮ粉
末１００重量部に対し、Ｙ₂ Ｏ₃ 粉末１重量部、ポリビ
ニルブチラール（ＰＶＢ）３重量部を添加し、アルコー
ル中でボールミルによる混式混合を行い、この混合物を
スプレードライヤーにより造粒し、金型を使用して造粒
粉を３００ｋｇ／ｃｍ² の圧力で加圧成形した後、１ｔ
ｏｎ／ｃｍ² の圧力で静水圧プレスして成形体を得た。
次に、成形体を乾燥空気中において６００℃の温度で加
熱して脱脂した後、窒素ガス雰囲気において１９００℃
の温度で焼成して焼結体を得、しかる後、焼結体に研削
加工を施し、図２に示すように、円板状（直径２１０ｍ
ｍ、厚み５ｍｍ）の基板１を得た。得られた基板１の反
り（基準面からの反り量）をエアースライダーを使用し
て測定したところ、Ｘ，Ｙ方向共に５μｍであった。

【００２１】次いで、図３に示すように、基板１に金属
端子挿着用の２つの穴５を所要位置に形成し、両穴５に
タングステンからなる金属端子３を、それぞれの一端面
が基板１の片面（図３においては上面）と同一面になる
ように、後述するものと同様のＷペーストを介して挿着
した。次に、双極タイプの電極２を形成するため、基板
１の片面に電極形成用高融点金属ペーストであるＷペー
スト６をスクリーン印刷により塗布した後、１１０℃の
温度の乾燥器（図示せず）内に納置して３０分間かけて
乾燥し、室温に戻す工程を数回繰り返し、乾燥状態で４
０μｍの厚みになるように調節した。使用したＷペース
ト６は、３００ポイズの粘度を有し、Ｗ粉末７０ｗｔ
％、熱可塑性セルロースエーテル樹脂５ｗｔ％、ブチル
カルビトール２０ｗｔ％、フタル酸ジブチル５ｗｔ％の
成分比である。又、スクリーン印刷器は、スクリーンが
ステンレス製４００＃、乳剤厚み５０μｍである。な
お、高融点金属ペーストの高融点金属は、Ｗに限らず、
Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ又はそれらの混合物としてもよい。又、
ＷにＭｏ、Ｎｉ及びＣｏの１種以上を添加してもよい。

【００２２】次に、基板１の片面に誘電層４を形成する
ため、図４に示すように、基板１の残余の片面に、低温
焼結助剤を添加した誘電層形成用ＡｌＮペースト７を、
Ｗペースト６と逆のパターンでスクリーン印刷により塗
布した後、１１０℃の温度の乾燥器（図示せず）内に納
置して３０分間かけて乾燥し、室温に戻す工程を数回繰
り返し、乾燥状態でＷペースト６と同等の厚みとなるよ
うに調節した。次いで、図５に示すように、乾燥したＷ
ペースト６とＡｌＮペースト７の上に、低温焼結助剤を
添加した誘電層形成用ＡｌＮペースト８をスクリーン印
刷により塗布した後、１１０℃の温度の乾燥器（図示せ
ず）内に納置して３０分間かけて乾燥し、室温に戻す工
程を数回繰り返し、乾燥後の最終厚みが１００μｍにな
るように調節した。１００μｍの厚みに形成するために
要した時間は１時間であった。使用したＡｌＮペースト
７，８は、３００ポイズの粘度を有し、ＡｌＮ粉末１０
０重量部、Ｙ₂ Ｏ₃ 粉末３重量部、Ｌｉ₂ Ｏ粉末１重量
部、熱可塑性セルロースエーテル樹脂３重量部、ブチル
カルビトール３０重量部、フタル酸ジブチル６重量部の
成分比である。又、スクリーン印刷器は、スクリーンが
ステンレス鋼製４００＃、乳剤厚み５０μｍである。次
に、基板１を窒素ガス雰囲気において４５０℃の温度で
１時間熱処理し、各ペースト６，７，８中の有機物を分
解させた後、窒素ガス雰囲気において表１に示す各温度
で２時間かけて焼成し、それぞれの静電チャックを得
た。上記焼成によって、Ｗペースト６は焼結して両電極
２になり、基板１と良好に接合し、又、ＡｌＮペースト
７，８は焼結して一体となって誘電層４になり、電極２
及び基板１と良好に接合した。

【００２３】得られた各静電チャックのエアースライダ
ーによるＸ−Ｙ方向の反り量、渦電流式膜厚計による誘
電層厚み（電極表面からの厚み）、及び減圧下±５００
Ｖの電圧を印加した際の室温における静電吸着力を測定
した（誘電層厚みと静電吸着力は、電極周縁部の１２ケ
所と対応する部分を測定した）。Ｘ−Ｙ方向の反り量
は、表１に示すようになる一方、Ｎｏ．５、６のものを
除き、誘電層厚みは、いずれも６０±５μｍと非常に薄
く、均一であり、又、静電吸着力は、いずれも３２０ｇ
／ｃｍ² 前後と優れた値を示し、吸着面内で均一であっ
た。なお、Ｎｏ．５のものは、誘電層４の表面をＳＥＭ
によって観察したところ、緻密化していないことが確認
された。又、Ｎｏ．１〜４のものは反り量が小さく、加
工を行わなくても使用できたが、Ｎｏ．６のものは、反
り量が大きく、半導体ウエーハやガラス基板を吸着保持
する静電チャックとして使用可能な平坦度（少なくとも
反り量がＸ、Ｙ方向共に１０μｍ以下）に加工すること
ができなかった。

【００２４】

【表１】

【００２５】表１から電極２と誘電層４の焼結温度を１
５００〜１８００℃とすることにより、反り量の少ない
静電チャックを得ることができることがわかる。

【００２６】なお、焼結後の誘電層４の表面には、必要
によって研削加工、及び研磨加工等を施してもよく、よ
り良好な平坦度が得られる効果がある。

【００２７】図６は本発明に係る静電チャックの製造方
法の実施の形態の他の例によって得た静電チャックの断
面図である。この静電チャックは、単極タイプのもので
あり、液相焼結によるＡｌＮ焼結体からなる基板９の平
坦な片面（図６においては上面）に１つの電極１０を形
成すると共に、電極１０を基板９に挿着した金属端子１
１と接続し、かつ、電極１０及び基板９の残余の片面を
液相焼結によるＡｌＮ焼結体からなる５〜５００μｍ
（好ましくは１０〜１００μｍ）の厚み（電極表面から
の厚み）の平坦な誘電層１２によって被覆して構成され
ている。

【００２８】上記構成の静電チャックは、以下のように
して製造した。先ず、前述した実施の形態の一例と同様
にし、図７に示すように、円板状（直径２１０ｍｍ、厚
み５ｍｍ）の基板９を得た。得られた基板９の反りをエ
アースライダーを使用して測定したところ、Ｘ，Ｙ方向
共に４μｍであった。

【００２９】次に、図８に示すように、金属端子挿着用
の１つの穴１３を所要位置に形成し、穴１３にタングス
テンからなる金属端子を、その一端面が基板９の片面
（図８においては上面）と同一面になるように、後述す
るＷペーストと同様のＷペーストを介して挿着した。次
いで、単極タイプの電極１０を形成するため、基板９の
片面に、前述した実施の形態の一例と同様のＷペースト
１４を同様のスクリーン印刷により塗布した後、１１０
℃の温度の乾燥器（図示せず）内に納置して３０分間か
けて乾燥し、室温に戻す工程を数回繰り返し、乾燥状態
で４０μｍの厚みとなるように調節した。

【００３０】次に、基板９の片面に誘電層１２を形成す
るため、低温焼結助剤を添加した誘電層形成用ＡｌＮ成
形体１５（直径２１０ｍｍ、厚み０．５ｍｍ）を成形
し、このＡｌＮ成形体１５を、図９に示すように、１０
０〜２００℃の温度で加熱し、かつ、０．５〜１００ｋ
ｇ／ｃｍ² の圧力で加圧して基板９の片面に熱圧着し
た。ＡｌＮ成形体１５は、ＡｌＮ粉末１００重量部、Ｙ
₂ Ｏ₃ 粉末１０重量部、Ｌｉ₂ Ｏ粉末５重量部、アクリ
ル樹脂３重量部の成分比からなる混合物をドクターブレ
ード法や加圧成形法等によって成形してなるものであ
る。次いで、基板９を窒素ガス雰囲気において４５０℃
の温度で１時間熱処理し、Ｗペースト１４及びＡｌＮ成
形体１５中の有機物を分解させた後、窒素ガス雰囲気に
おいて１７００℃の温度で２時間かけて焼成し、しかる
後に、誘電層１２の表面に研削加工及び研磨加工を施し
て静電チャックを得た。上記焼成によって、Ｗペースト
１４は焼結して電極１０になり、基板９と良好に接合
し、又、ＡｌＮ成形体１５は焼結して誘電層１２にな
り、電極１０及び基板９と良好に接合した。

【００３１】得られた静電チャックのエアースライダー
によるＸ−Ｙ方向の反り量の平均値は４μｍ、渦電流式
膜厚計による誘電層厚み（電極表面からの厚み、電極周
縁部の１２ケ所と対応する部分を測定）は１５０±５μ
ｍと薄く、均一であり、又、減圧下±５００Ｖの電圧を
印加した際の室温における静電吸着力（電極周縁部の１
２ケ所と対応する部分を測定）は２６５ｇ／ｃｍ² 前後
と優れた値を示し、吸着面内で均一であった。

【００３２】ここで、上記実施の形態の他の例におい
て、ＡｌＮ成形体１５の熱圧着に先立って、実施の形態
の一例のように、基板９の残余の片面に低温焼結助剤を
添加した誘電層形成用ＡｌＮペーストをＷペースト１４
と同等の厚みで塗布して乾燥するようにしてもよい。こ
のようにすることにより、誘電層１２の焼結後に、その
表面に対する研削加工及び研磨加工を施さなくとも、そ
の平坦度を使用可能な範囲のものとすることができる。

【００３３】なお、前述した実施の形態の一例において
は、双極タイプの静電チャックを製造する場合について
説明したが、これに限定されるものではなく、単極タイ
プの静電チャックの製造に適用してもよく、又、実施の
形態の他の例も、単極タイプの静電チャックの製造のみ
ならず、双極タイプの静電チャックの製造に適用しても
よいのは勿論である。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１の静
電チャックの製造方法によれば、誘電層の形成に低温焼
結助剤を添加した窒化アルミニウムペーストを用いるよ
うにしたので、静電チャックの反りを防止して均一な静
電吸着力を得つつ、所望厚みの誘電層を短時間で容易に
得ることができる。第２の静電チャックの製造方法によ
れば、誘電層の形成に低温焼結助剤を添加した窒化アル
ミニウム成形体を用いるようにしたので、第１の方法と
ほぼ同様の効果を得ることができる。又、第３の静電チ
ャックの製造方法によれば、低温焼結助剤を添加した窒
化アルミニウムペーストにより電極の周辺の隙間が埋め
られるので、第２の方法と同様の作用効果が得られる
他、誘電層の焼結後に、その表面に対する研削加工及び
研磨加工を施さなくともその平坦度を使用可能な範囲の
ものとすることができ、又、双極タイプの電極の場合、
電極間での絶縁性を高め、高い電圧を印加できると共
に、漏れ電流を低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る静電チャックの製造方法の実施の
形態の一例によって得た静電チャックの断面図である。

【図２】本発明に係る静電チャックの製造方法の実施の
形態の一例を示す第１工程の断面図である。

【図３】本発明に係る静電チャックの製造方法の実施の
形態の一例を示す第２工程の断面図である。

【図４】本発明に係る静電チャックの製造方法の実施の
形態の一例を示す第３工程の断面図である。

【図５】本発明に係る静電チャックの製造方法の実施の
形態の一例を示す第４工程の断面図である。

【図６】本発明に係る静電チャックの製造方法の実施の
形態の他の例によって得た静電チャックの断面図であ
る。

【図７】本発明に係る静電チャックの製造方法の実施の
形態の他の例を示す第１工程の断面図である。

【図８】本発明に係る静電チャックの製造方法の実施の
形態の他の例を示す第２工程の断面図である。

【図９】本発明に係る静電チャックの製造方法の実施の
形態の他の例を示す第３工程の断面図である。

【符号の説明】

１基板６タングステンペースト（高融点金属ペースト）７窒化アルミニウムペースト８窒化アルミニウムペースト９基板１４タングステンペースト（高融点金属ペースト）１５窒化アルミニウム成形体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐野孝司神奈川県秦野市曽屋30番地東芝セラミックス株式会社開発研究所内 (72)発明者藤田光広神奈川県秦野市曽屋30番地東芝セラミックス株式会社開発研究所内Ｆターム(参考） 4G001 BA01 BA09 BA36 BB01 BB09 BB36 BC41 BC52 BC72 BD23 5F031 CA02 CA05 HA02 HA03 HA16 HA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液相焼結による窒化アルミニウム焼結体
からなる基板の片面に電極形成用高融点金属ペーストを
塗布して乾燥すると共に、その残余の片面に低温焼結助
剤を添加した誘電層形成用窒化アルミニウムペーストを
高融点金属ペーストと同等の厚みで塗布して乾燥した
後、それらの上に上記窒化アルミニウムペーストと同様
のペーストを塗布して乾燥し、しかる後に、１５００〜
１８００℃の温度で焼成することを特徴とする静電チャ
ックの製造方法。
【請求項２】液相焼結による窒化アルミニウム焼結体
からなる基板の片面に電極形成用高融点金属ペーストを
塗布して乾燥した後、低温焼結助剤を添加した誘電層形
成用窒化アルミニウム成形体を熱圧着し、しかる後に、
１５００〜１８００℃の温度で焼成することを特徴とす
る静電チャックの製造方法。
【請求項３】前記窒化アルミニウム成形体の熱圧着に
先立って、基板の残余の片面に低温焼結助剤を添加した
誘電層形成用窒化アルミニウムペーストを高融点金属ペ
ーストと同等の厚みで塗布して乾燥することを特徴とす
る請求項２記載の静電チャックの製造方法。
【請求項４】前記高融点金属が、タングステン又はこ
れにモリブデン、ニッケル及びコバルトの１種以上を添
加したものであることを特徴とする請求項１、２又は３
記載の静電チャックの製造方法。
【請求項５】前記低温焼結助剤が、イットリウム化合
物及びリチウム化合物であることを特徴とする請求項
１、２、３又は４記載の静電チャックの製造方法。
【請求項６】前記ペーストの塗布が、スクリーン印刷
によることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記
載の静電チャックの製造方法。