KR20050028022A - 원자층 증착 방법 - Google Patents
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
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- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Abstract
Description
Claims (54)
- 원자층 증착 방법에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은- 반도체 기판을 원자층 증착 챔버 내에 위치시키고,- 상기 기판 위에 제 1 단층을 형성하도록 제 1 전구체 기체를 상기 원자층 증착 챔버 내의 기판으로 흐르게 하며,- 상기 제 1 단층을 형성한 후에, 반응 중간 기체를 상기 증착 챔버 내의 기판으로 흐르게 하고, 이때 상기 반응 중간 기체는 반응 중간 기체 흐름 조건 하에서 제 1 전구체 흐름으로부터의 중간 반응 부산물과 반응할 수 있으며, 그리고- 상기 반응 중간 기체를 흐르게 한 이후에, 상기 제 1 단층 위에 제 2 단층을 형성하도록 제 2 전구체 기체를 상기 증착 챔버 내의 기판으로 흐르게 하는단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은- 상기 제 1 전구체 기체 흐름 동안에 상기 중간 반응 부산물을 형성하고 그리고 상기 반응 중간 기체 흐름 동안에 상기 반응 중간 기체를 상기 중간 반응 부산물과 반응시키는단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 이때 상기 제 2 전구체는 상기 제 1 전구체와 성분에 있어서 다른 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 이때 상기 제 1 전구체 기체 흐름과 상기 반응 중간 기체 흐름 사이에 시간 주기가 존재하고, 상기 시간 주기 동안에는 어떠한 기체도 상기 챔버로 공급되지 않는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체 흐름과 상기 제 2 전구체 기체 흐름 사이에 시간 주기가 존재하고, 상기 시간 주기 동안에는 어떠한 기체도 상기 챔버로 공급되지 않는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 이때 상기 제 1 전구체 기체 흐름과 상기 반응 중간 기체 흐름 사이에 제 1 시간 주기가 존재하고, 상기 시간 주기 동안에는 어떠한 기체도 상기 챔버로 공급되지 않으며, 그리고상기 반응 중간 기체 흐름과 상기 제 2 전구체 기체 흐름 사이에는 제 2 시간 주기가 존재하고, 상기 시간 주기 동안에는 어떠한 기체도 상기 챔버로 공급되지 않는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 Cl2를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 H2를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 상기 조건 하에서 상기 제 1 전구체와 반응할 수 없는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 상기 조건 하에서 상기 제 2 전구체와 반응할 수 없는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 이때 상기 제 1 전구체는 TiCl4를 포함하고, 상기 제 2 전구체는 NH3를 포함하며, 그리고 상기 반응 중간 기체는 H2 및 Cl2 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 이때 상기 제 1 전구체는 NH3를 포함하고, 상기 제 2 전구체는 TiCl4를 포함하며, 그리고 상기 반응 중간 기체는 H2 및 Cl2 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은- 상기 제 1 전구체 흐름과 상기 제 2 전구체 흐름 사이에 증착 챔버 내의 기판으로 시간 간격을 둔 다중 비활성 정화 기체 펄스들을 흐르게 하는단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 이때 상기 제 1 전구체 기체 흐름, 상기 반응 중간 기체 흐름 및 제 2 전구체 기체 흐름은 집합적으로 상기 증착 챔버 내의 기판으로 시간 간격을 둔 다중 기체 펄스들을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 14 항에 있어서, 제 1 전구체 공급과 제 2 전구체 공급 사이의 전체 시간 주기를 포함하고, 상기 전체 시간 주기는 상기 반응 중간 기체 흐름을 제외한 상기 전체 주기 동안 상기 챔버로 공급되는 기체가 없는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체 흐름은 향상된 플라스마인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체 흐름은 상기 챔버 내에서의 플라스마 생성에 의해 향상된 플라스마인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체 흐름은 상기 챔버와 떨어져서 플라스마 생성에 의해 향상된 플라스마인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 원자층 증착 방법에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은- 반도체 기판을 원자층 증착 챔버 내에 위치시키고,- 상기 기판 위에 제 1 단층을 형성하도록 제 1 전구체 기체를 상기 원자층 증착 챔버 내의 기판으로 흐르게 하며,- 상기 제 1 단층을 형성한 후에, 반응 중간 기체를 상기 증착 챔버 내의 기판으로 흐르게 하고, 이때 상기 반응 중간 기체는 반응 중간 기체 흐름 조건 하에서 제 1 전구체 흐름으로부터의 중간 반응 부산물과 반응할 수 있지만 상기 조건 하에서 상기 제 1 단층과는 반응할 수 없으며,- 상기 반응 중간 기체를 흐르게 한 이후에, 상기 제 1 단층 위에 제 2 단층을 형성하도록 상기 제 1 전구체 기체와 성분상 다른 제 2 전구체 기체를 상기 증착 챔버 내의 기판으로 흐르게 하는단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 19 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 반응 중간 기체의 흐름 동안 상기 조건 하에서 기판의 노출된 부분과 반응할 수 없고, 반응하지도 않는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 19 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 상기 조건 하에서 제 1 전구체와 반응할 수 없는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 19 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 상기 조건 하에서 제 2 전구체와 반응할 수 없는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 19 항에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은- 상기 제 1 전구체 기체 흐름 동안에 상기 중간 반응 부산물을 형성하고 그리고 상기 반응 중간 기체 흐름 동안에 상기 반응 중간 기체를 상기 중간 반응 부산물과 반응시키는단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 19 항에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은- 상기 제 1 전구체 기체 흐름 동안 상기 중간 반응 부산물을 형성하고 그리고 상기 반응 중간 기체 흐름 동안 상기 반응 중간 기체를 상기 중간 반응 부산물과 반응시키는단계를 포함하고, 그리고이때 상기 반응 중간 기체는 상기 반응 중간 기체의 흐름 동안 상기 조건 하에서 기판의 노출된 부분과 반응할 수 없고, 그리고 반응하지도 않는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 24 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 상기 조건 하에서 제 1 전구체와 반응할 수 없는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 24 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 상기 조건 하에서 제 2 전구체와 반응할 수 없는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 24 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 상기 조건 하에서 상기 제 1 전구체 또는 제 2 전구체 중 하나와 반응할 수 없는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 24 항에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은- 상기 제 1 전구체 흐름과 제 2 전구체 흐름 사이에 상기 증착 챔버내 기판으로 시간 간격을 둔 다중 비활성 정화 기체 펄스들을 흐르게 하는단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 24 항에 있어서, 이때 상기 제 1 전구체 기체 흐름, 반응 중간 기체 흐름 및 제 2 전구체 기체 흐름은 집합적으로 상기 증착 챔버내의 기판으로 시간 간격을 둔 다중 기체 펄스들을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 원자층 증착 방법에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은- 반도체 기판을 원자층 증착 챔버 내에 위치시키고,- 상기 기판 위에 제 1 단층을 형성하도록 제 1 전구체 기체를 상기 원자층 증착 챔버내의 기판으로 흐르게 하며,- 제 1 단층을 형성한 이후에, 반응 중간 기체를 상기 증착 챔버 내의 기판으로 흐르게 하고, 이때 상기 반응 중간 기체는 반응 중간 기체 흐름 조건 하에서 제 1 전구체 흐름으로부터의 중간 반응 부산물과 반응할 수 있으며,- 상기 반응 중간 기체를 흐르게 한 이후에, 비활성 정화 기체를 상기 증착 챔버 내의 기판으로 흐르게 하고, 그리고- 상기 비활성 정화 기체를 흐르게 한 이후에, 상기 제 1 단층 위에 제 2 단층을 형성하도록 제 2 전구체 기체를 상기 증착 챔버 내 기판으로 흐르게 하는단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 30 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 상기 반응 중간 기체의 흐름 동안에 상기 조건 하에서 기판의 노출된 부분과 반응할 수 없고, 그리고 반응하지도 않는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 30 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 상기 조건 하에서 제 1 전구체와 반응할 수 없는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 30 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 상기 조건 하에서 제 2 전구체와 반응할 수 없는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 30 항에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은- 상기 제 1 전구체 기체의 흐름 동안에 상기 중간 반응 부산물을 형성하고 그리고 상기 반응 중간 기체의 흐름 동안에 상기 반응 중간 기체를 상기 중간 반응 부산물과 반응시키는단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 30 항에 있어서, 이때 상기 비활성 정화 기체의 흐름은 모든 다른 기체 흐름과 시간 간격을 둔 펄스이고, 제 1 전구체 흐름과 제 2 전구체 흐름 사이의 다수의 비활성 정화 기체를 안내하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 30 항에 있어서, 이때 상기 제 1 전구체 기체 흐름, 반응 중간 기체 흐름, 비활성 기체 흐름 및 제 2 전구체 기체 흐름은 집합적으로 상기 증착 챔버내 기판으로 시간 간격을 둔 다중 기체 펄스들을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 원자층 증착 방법에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은- 반도체 기판을 원자층 증착 챔버 내에 위치시키고,- 상기 기판 위에 제 1 단층을 형성하도록 제 1 전구체 기체를 상기 원자층 증착 챔버 내의 기판으로 흐르게 하며,- 제 1 단층을 형성한 이후에, 비활성 정화 기체를 상기 증착 챔버내의 기판으로 흐르게 하고,- 반응 중간 기체를 흐르게 한 이후에, 반응 중간 기체를 상기 증착 챔버내 기판으로 흐르게 하며, 이때 상기 반응 중간 기체는 반응 중간 기체 흐름 조건 하에서 제 1 전구체 흐름으로부터의 중간 반응 부산물과 반응할 수 있고, 그리고- 상기 비활성 정화 기체를 흐르게 한 이후에, 상기 제 1 단층 위에 제 2 단층을 형성하도록 제 2 전구체 기체를 상기 증착 챔버내 기판으로 흐르게 하는단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 37 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 상기 반응 중간 기체의 흐름 동안에 상기 조건 하에서 기판의 노출된 부분과 반응할 수 없고, 그리고 반응하지도 않는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 37 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 상기 조건 하에서 제 1 전구체와 반응할 수 없는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 37 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 상기 조건 하에서 제 2 전구체와 반응할 수 없는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 37 항에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은- 제 1 전구체 기체의 흐름 동안에 중간 반응 부산물을 형성하고 그리고 상기 반응 중간 기체의 흐름 동안에 상기 반응 중간 기체를 상기 중간 반응 부산물과 반응시키는단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 37 항에 있어서, 이때 상기 비활성 정화 기체 흐름은 모든 다른 기체 흐름과 시간 간격을 둔 펄스이고, 그리고 상기 제 1 전구체 흐름과 제 2 전구체 흐름 사이에 다중 비활성 정화 기체 펄스들을 안내하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 37 항에 있어서, 이때 제 1 전구체 기체 흐름, 비활성 기체 흐름, 반응 중간 기체 흐름, 및 제 2 전구체 기체 흐름은 집합적으로 상기 증착 챔버내의 기판으로 시간 간격을 둔 다중 기체 펄스들을 집합적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 원자층 증착 방법에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은- 반도체 기판을 원자층 증착 챔버 내에 위치시키고,- 상기 기판 위에 제 1 단층을 형성하도록 제 1 전구체를 상기 원자층 증착 챔버내의 기판으로 흐르게 하며,- 제 1 단층을 형성한 이후에, 다수의 비활성 정화 기체 펄스들을 상기 증착 챔버내의 기판으로 흐르게 하고, 이때 상기 다수의 비활성 정화 기체 펄스들은 상기 챔버로 어떠한 기체도 공급되지 않을 때 둘 이상의 인접한 비활성 정화 기체 펄스들 사이에 시간 주기를 포함하며, 그리고- 상기 다수의 비활성 정화 기체 펄스들 이후에, 상기 제 1 단층 위에 제 2 단층을 형성하도록 제 2 전구체 기체를 상기 증착 챔버내의 기판으로 흐르게 하는단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 44 항에 있어서, 이때 상기 다수는 둘 인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 44 항에 있어서, 이때 상기 다수는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 44 항에 있어서, 이때 상기 다수는 상기 모든 다수 중에서 공통의 비활성 정화 기체 성분에 따르는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 44 항에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은 제 1 전구체 공급과 제 2 전구체 공급 사이의 전체 시간 주기를 포함하고, 상기 전체 시간 주기는 상기 다수의 비활성 정화 기체 펄스들을 제외한 상기 전체 주기 동안 상기 챔버로 공급되는 기체가 없는 것으로 특징지어지는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 44 항에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은 상기 두 개의 인접한 비활성 정화 기체 펄스들 사이의 전체 시간 주기를 포함하고, 상기 전체 시간 주기 동안에는 상기 챔버로 공급되는 기체가 없는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 44 항에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은 상기 두 개의 인접한 비활성 정화 기체 펄스들 사이의 전체 시간 주기를 포함하고, 상기 전체 시간 주기는 상기 증착 챔버 내의 기판으로 반응 중간 기체를 흐르게 하는 것을 포함하고, 상기 반응 중간 기체는 반응 중간 기체의 흐름 조건 하에서 상기 제 1 전구체 흐름으로부터의 중간 반응 부산물과 반응할 수 있는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 50 항에 있어서, 이때 상기 반응 중간 기체는 상기 반응 중간 기체의 흐름 동안에 상기 조건 하에서 기판의 노출된 부분과 반응할 수 없고, 그리고 반응하지도 않는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 50 항에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은- 제 1 전구체 기체 흐름 동안에 상기 중간 반응 부산물을 형성하고 그리고 상기 반응 중간 기체 흐름 동안에 상기 반응 중간 기체를 중간 반응 부산물과 반응시키는단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 50 항에 있어서, 상기 원자층 증착 방법은- 제 1 전구체 기체 흐름 동안에 상기 중간 반응 부산물을 형성하고 그리고 상기 반응 중간 기체 흐름 동안에 상기 반응 중간 기체를 중간 반응 부산물과 반응시키는단계를 포함하고, 그리고이때 상기 반응 중간 기체는 상기 반응 중간 기체의 흐름 동안에 상기 조건 하에서 기판의 노출된 부분과 반응할 수 없고, 그리고 반응하지도 않는것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
- 제 44 항에 있어서, 이때 제 2 전구체는 제 1 전구체와 성분상 다른 것을 특징으로 하는 원자층 증착 방법.
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