KR20050025990A - 전기화학적 처리 셀 - Google Patents

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KR1020057001277A
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마이클 엑스. 양
드미트리 루보미르스키
에즈디 엔. 도르디
사라브지트 싱
쉐쉬라즈 툴쉬바그웨일
니콜라이 코바르스키
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 발명의 실시예들은 일반적으로 소형 전기화학적 도금 셀을 제공할 수 있다. 도금 셀은 일반적으로 내부에 도금 용액을 함유하도록 구성되는 유체 수용조를 포함하며, 상기 유체 수용조는 실질적으로 수평인 위어를 구비한다. 셀은 유체 수용조의 하부에 위치되는 애노드 및 상기 애노드를 수용하도록 구성되는 베이스 부재를 더 포함하며, 상기 애노드는 관통하여 형성되는 다수의 평행 채널을 포함하고, 상기 베이스 부재는 애노드 수용면에 형성되는 다수의 그루브를 갖는다. 한편, 상기 다수의 그루브 각각은 환형 배수 채널에서 종결한다. 애노드 표면에 대해 실질적으로 평면 방위에서 애노드 바로 위에 맥을 위치시키도록 구성되는 막 지지 조립체가 제공되며, 이러한 막 지지 조립체는 다수의 채널 및 상기 채널 내에 형성되는 보어를 구비한다.

Description

전기화학적 처리 셀 {ELECTROCHEMICAL PROCESSING CELL}
발명의 분야
본 발명의 실시예들은 일반적으로 소형 전기화학적 처리 셀, 및 기판 상에 전도체 재료를 전기화학적으로 증착하기 위한 방법에 관한 것이다.
관련 기술의 설명
서브-쿼터 마이크론(sub-quarter micron) 크기의 미세 구조물(feature)을 배선화(metallization)하는 공정은 현재는 물론 다음 세대의 집적 회로 제조 공정에 있어서 기초 기술이다. 특히, 초 대규모 집적 회로 형태의 소자(devices), 즉 백만 이상의 논리 게이트를 구비한 집적 회로를 갖춘 소자들에 있어서, 그런 소자들의 심장부에 놓이는 다층 인터커넥트(multilevel interconnect)는 일반적으로 고 종횡비, 즉 약 4 : 1 이상의 종횡비를 갖는 인터커넥트 미세 구조물을 구리 또는 알루미늄과 같은 전도성 재료로 충전시킴으로써 형성된다. 통상적으로, 화학 기상 증착(CVD) 및 물리 기상 증착(PVD)과 같은 증착 기술은 이러한 인터커넥트 미세 구조물들을 충전시키는데 사용되어 왔다. 그러나, 인터커넥트의 크기가 감소되고 종횡비가 증가하면서, 종래의 배선 공정 기술에 의한 무공(void-free) 인터커넥트 미세 구조물의 충전에 있어서 어려움이 증가되었다. 그러므로, 집적 회로 제조 공정에 있어서 서브-쿼터 마이크론 크기의 고 종횡비 인터커넥트 미세 구조물을 무공 충전하기 위한 유망한 공정으로서 도금 기술, 즉 전기화학적 도금(ECP) 및 무전해 도금 기술이 출현하게 되었다.
ECP 공정에 있어서, 예를들어 기판의 표면(또는 그 위에 증착된 층)에 형성된 서브-쿼터 마이크론 크기의 고 종횡비 미세 구조물은 구리와 같은 전도성 재료로 효과적으로 충전될 수 있다. ECP 도금 공정은 일반적으로 두 단계의 공정으로 이루어지는데, 먼저 시이드 층(seed layer)이 기판의 표면 미세 구조물 위에 형성되며, 그 후에 상기 시이드 층과 전해 용액 내에 위치된 구리 애노드 사이에 전기 바이어스가 인가되는 동안에 상기 기판의 표면 미세 구조물이 전해 용액에 노출된다. 전해 용액은 일반적으로 기판 표면 상에 도금될 이온들을 함유함으로써, 전기 바이어스의 인가로 인해 상기 이온들이 전해 용액밖으로 축출되어 바이어싱된 시이드 층 상에 도금될 수 있게 된다.
종래의 화학 도금 셀은 일반적으로 수평 위치된 도금 셀 및 피봇식 기판 침지 공정을 사용한다. 그러나, 피봇식 침지 공정은 피봇식 침지 장치에 의해 발생되는 가변 침지 각도로 인해 기판 표면에 기포를 생성하는 것으로 공지되어 있다. 이들 기포는 도금의 균일성 문제를 유발하는 것으로 공지되어 있어서 기포의 최소화가 바람직하다. 게다가, 종래 도금 셀의 피봇식 침지 공정 중에, 기판 표면은 도금 셀의 애노드에 평행하지 않기 때문에, 기판의 표면에 걸친 전기장이 일정하지 않으며 이 또한 균일성 문제점을 유발한다.
그러므로, 침지 및 도금 공정 중에 일정한 침지 각도로 기판을 유지할 수 있는 침지 공정을 제공할 수 있도록 구성된 개선된 전기화학적 도금 셀이 필요하다.
도 1은 본 발명의 실시예인 슬림형 전기화학적 도금 셀을 부분 단면으로 도시하는 사시도이며,
도 2는 본 발명의 애노드 베이스판의 사시도이며,
도 3은 내부에 위치된 애노드를 갖춘 본 발명의 예시적인 애노드 베이스판의 사시도이며,
도 4는 본 발명의 예시적인 막 지지 부재의 분해 사시도이며,
도 5는 본 발명에 따른 도금 셀의 엣지를 도시하는 부분 단면도이다.
본 발명의 실시예들은 일반적으로 소형 전기화학적 도금 셀을 제공할 수 있다. 상기 도금 셀은 일반적으로 내부에 도금 용액을 포함하도록 구성된 유체 수용조(fluid basin)를 포함하며, 상기 유체 수용조는 거의 수평한 상부 위어(weir)를 갖추고 있다. 상기 도금 셀은 상기 유체 수용조의 하부에 위치되는 애노드 및 상기 애노드를 수용하도록 구성되는 베이스 부재를 더 포함하며, 여기서 상기 애노드는 관통되게 형성된 다수의 평행한 채널을 가지고, 상기 베이스 부재는 애노드 수용면의 내측으로 형성된 다수의 홈을 가지며, 상기 다수의 홈은 환형 배수 채널의 내측에서 종결된다. 상기 애노드 표면에 대해 실질적으로 평탄한 방위로 상기 애노드의 바로 위에 박막을 위치시키도록 구성된 박막 지지 조립체가 제공되며, 상기 박막 지지 조립체는 다수의 채널 및 상기 채널 내부에 형성되는 보어를 가진다.
본 발명의 실시예들은 상부면으로부터 부분 관통되게 형성된 보어 및 하부 기판 지지면으로부터 부분 관통되게 형성된 다수의 채널을 갖춘 막 지지 조립체를 더 포함한다. 상기 막 지지 조립체는 실질적으로 평탄한 방위로 애노드 바로 위에 박막을 지지하도록 구성되며, 상기 막은 채널의 내측으로 조금 변형될 수 있어서 기포 및 그 외 다른 가벼운 유체들이 박막의 주변으로 밀어내 상기 애노드 채널로부터 배출될 수 있게 한다.
본 발명의 실시예들은 애노드 조립체용 베이스 부재를 더 제공할 수 있다. 상기 베이스 부재는 일반적으로 애노드를 수용하도록 구성된 오목부를 포함한다. 상기 오목부의 벽들은 내부에 형성되는 다수의 유체 통행 채널을 포함한다. 게다가, 상기 오목부의 베이스는 환형 배출 채널, 및 상기 베이스를 가로질러 연장하여 상기 배출 채널의 양단부에서 종결되는 다수의 채널을 포함한다.
본 발명의 실시예들은 금속을 기판 상에 전기화학적으로 도금하기 위한 장치를 더 포함한다. 상기 장치는 일반적으로, 도금 용액을 포함하도록 구성되는 유체 수용조, 상기 유체 수용조의 내측 원주위를 가로지르도록 위치된 막, 캐소드 용액을 캐소드 챔버에 공급하도록 구성된 제 1 유체 입구와 애노드 용액을 애노드 챔버에 공급하도록 구성된 제 2 유체 입구 및 상기 애노드 챔버 내부에 위치되는 애노드를 포함하며, 상기 유체 수용조는 실질적으로 수평한 상부 위어를 가지고 상기 막은 상기 유체 수용조의 상부에 위치되는 캐소드 챔버를 상기 유체 수용조의 하부에 위치되는 애노드 챔버와 분리시키도록 구성되며, 상기 캐소드 용액과 애노드 용액은 다른 용액이며, 상기 애노드는 실질적으로 평탄한 상부 위어에 대해 각을 이루도록 위치되는 실질적으로 평탄한 상부면을 가진다.
본 발명의 실시예들은 소형 전기화학적 도금 셀을 더 포함한다. 상기 전기화학적 도금 셀은 일반적으로 도금 용액을 포함하도록 구성되는 유체 수용조, 상기 유체 수용조 내부에 위치되는 애노드, 상기 유체 수용조를 가로질러 애노드 위에 위치되는 막, 및 상기 막 위에 상기 유체 수용조를 가로지르도록 위치되는 확산판을 포함하며, 상기 확산판과 애노드는 서로에 대해 평행한 방위로 위치되며 상기 도금 용액의 상부면에 대해 경사각을 갖도록 위치된다.
본 발명의 전술한 특징들이 더 상세히 이해될 수 있도록, 위에서 간략히 요약한 본 발명에 대해 첨부된 도면에 도시된 몇몇 실시예를 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 일반적인 예시적 실시예에 불과하며 본 발명의 범주를 제한하고자 하는 것이 아니며 본 발명과 다른 동등한 효과를 갖는 실시예들이 있을 수 있다고 이해해야 한다.
본 발명은 일반적으로 소형 셀(small volume cell), 즉 셀 자체에 약 4 리터 미만, 바람직하게는 약 1 내지 약 3 리터의 전해질을 수용하며 잠재적으로는 인접한 유동 결합식 공급 탱크에 약 2 내지 약 8 리터의 전해 용액을 수용하는 셀 위어 체적(cell weir volume)을 갖는 셀을 사용하여 반도체 기판 상에 금속을 도금하도록 구성되는 전기화학적 도금 셀을 제공한다. 본 발명의 셀을 작동하기 위해 요구되는 유체의 양이 이와 같이 적기 때문에, 전기 도금 셀이 기판 개수에 있어 예정된 범위, 즉 100 내지 200에 대해 사용될 수 있으며, 사용 후 이러한 용액이 폐기되거나 새로운 용액으로 교체될 수 있다. 전기 도금 셀은 일반적으로 도금되는 기판과 도금 셀의 애노드(anode) 사이에 위치되는 양이온막(cation membrane)을 통해 도금 셀의 도금 전극 또는 캐소드(cathode)로부터 도금 셀의 애노드를 유동적으로 분리하도록 구성된다. 추가적으로, 본 발명의 도금 셀은 일반적으로 제 1 유체 용액을 애노드 격실, 즉 애노드의 상부면과 상기 막의 하부면 사이의 체적에 제공하고, 제 2 유체 용액(도금 용액)을 캐소드 격실, 즉 상기 막의 상부면 위에 위치되는 유체의 체적에 제공하도록 구성된다. 도금 셀의 애노드는 일반적으로 내부에 형성되는 다수의 슬롯을 포함하며, 이러한 다수의 슬롯은 서로 평행하게 위치되고 도금 공정 동안 애노드 챔버면으로부터 동심의 유체 역학적 뉴튼 유체층(concentrated hydrodynamic Newtonian fluid layer)을 제거하도록 구성된다. 막 지지부는 상기 막 지지부의 제 2 측면 내에 형성되는 다수의 보어와 함께 상기 조립체의 제 1 측면에 형성되는 채널 또는 다수의 슬롯을 가지며, 여기서 다수의 보어는 상기 막 지지부의 맞은편 측면 상의 슬롯과 유체 소통 관계에 있다.
도 1은 본 발명의 전형적인 전기화학적 도금 셀(100)의 부분 단면도를 도시한다. 도금 셀(100)은 일반적으로 외부 수용조(101) 및 외부 수용조(101) 내에 위치되는 내부 수용조(102)를 포함한다. 내부 수용조(102)는 일반적으로 전기화학적 도금 공정 동안 금속, 예를 들어 구리를 기판 상에 도금하기 위해 사용되는 도금 용액을 포함하도록 구성된다. 도금 공정 동안, 도금 용액은 일반적으로 내부 수용조에 지속적으로 공급(예를 들어, 10 리터 도금 셀용으로 분당 약 1 갤론으로)되며, 따라서 도금 용액은 지속적으로 내부 수용조(102)의 최상단점을 넘어 외부 수용조(101) 내로 흐른다. 넘친 도금 용액은 외부 수용조(101)에 의해 수용되고 내부 수용조(102) 내로 재순환되기 위해 외부 수용조(101)로부터 배출된다. 도 1에서 도시된 것처럼, 일반적으로 도금 셀(100)은 경사각을 갖고 위치된다. 즉, 도금 셀(100)의 요소들이 약 3° 내지 약 30° 사이에서 경사지도록 일반적으로 도금 셀(100)의 프레임부(103)가 일 측면에서 상승된다. 따라서, 도금 공정 동안, 내부 수용조(102) 내의 도금 용액의 적합한 깊이를 수용하기 위해, 수용조(102)의 최상단부는 도금 셀(100)의 일 측면에서 상향 신장될 수 있기 때문에, 내부 수용조(102)의 최상단점이 일반적으로 수평을 이루며 수용조(102)의 둘레 주위에서 공급되는 도금 용액의 지속적인 범람이 허용된다.
도금 셀(103)의 프레임 부재(103)는 일반적으로 프레임 부재(103)에 고정되는 환형 베이스 부재(104)를 포함한다. 프레임 부재(103)가 일 측면에서 상승되어 있기 때문에, 베이스 부재(104)의 상부면은 일반적으로 수평 위치에 대해 상대적인 프레임 부재(103)의 각도와 상응하는 각도로 수평으로부터 경사진다. 베이스 부재(104)는 내부에 형성되는 환형 또는 디스크형 홈을 포함하며, 상기 환형 홈은 디스크형 애노드 부재(105)를 수용하도록 구성된다. 베이스 부재(104)는 상기 베이스 부재의 하부면에 위치되는 다수의 유체 입구/배수구(109)를 더 포함한다. 유체 입구/배수구(109) 각각은 일반적으로 도금 셀(100)의 캐소드 격자 또는 애노드 격자 중 어느 하나로부터 유체를 배수하거나 상기 격자 중 어느 하나로 유체를 공급하도록 구성된다. 애노드 부재(105)는 일반적으로 상기 애노드 부재를 관통하여 형성되는 다수의 슬롯(107)을 포함하며, 상기 슬롯(107)은 일반적으로 애노드(105)의 표면을 가로질러 서로 평행하게 지향하도록 위치된다. 평행 지향성은 애노드 표면에 생성되는 조밀 유체가 애노드 표면을 가로질러 하방으로 슬롯(107) 중 하나로 유동할 수 있도록 허용한다. 도금 셀(100)은 막 지지 조립체(106)를 더 포함한다. 막 지지 조립체(106)는 일반적으로 상기 조립체의 둘레에서 베이스 부재(104)에 고정되고, 마주보며 위치되는 일련의 슬롯 및 보어를 통해 유체가 유동하도록 구성되는 내부 영역(108)을 포함한다. 막 지지 조립체는 막의 둘레 근처에 위치되는 오-링 타입의 밀봉부를 포함할 수 있으며, 상기 밀봉체는 유체가 막 지지부(106) 상에 고정되는 막의 일 측면으로부터 상기 막의 타 측면으로 이동하는 것을 방지하도록 구성된다.
도 2는 베이스 부재(104)의 사시도를 도시한다. 베이스 부재(104)의 상부면은 일반적으로 오목부에서 디스크형 애노드(105)를 수용하도록 구성되는 환형 홈(201)을 포함한다. 추가적으로, 환형 홈(201)의 표면은 일반적으로 내부에 형성되는 다수의 채널(202)을 포함한다. 각각의 채널(202)은 일반적으로 서로 평행 지향성을 갖고 위치되며 홈 영역(201)의 둘레에서 종결한다. 추가적으로, 홈진 영역(201)의 둘레는 홈진 영역(201)의 둘레 주위로 신장하는 환형 배수 채널(203)을 더 포함한다. 상기 평행 위치 채널(202) 각각은 양 단부로 환형 배수 채널(203)에서 종결한다. 따라서, 채널(202)은 애노드 채널(302)로부터 조밀 유체를 수용할 수 있고 상기 조밀 유체를 베이스 채널(202)을 통해 배수 채널(203)로 이동시킬 수 있다. 홈진 영역(201)을 형성하는 수직벽은 일반적으로 상기 벽에 형성되는 다수의 슬롯(204)을 포함한다. 슬롯(204)은 일반적으로 서로 평행 지향성을 갖고 위치되며, 더 나아가 일반적으로 홈진 영역(201)의 하부면에 형성되는 다수의 채널(202)과 평행 지향성을 갖고 위치된다. 또한, 베이스 부재(104)는 도금 셀(100)의 캐소드 격실 내에서 도금 용액을 분배하도록 구성되는 하나 이상의 도금 용액 공급 도관(206)과 함께 유체를 도금 셀(100)의 애노드 영역 내로 분배하도록 구성되는 하나 이상의 유체 공급 도관(205)을 포함한다. 각각의 공급 도관(205, 206)은 일반적으로 도 1에 도시된 것과 같이, 베이스 부재(104)의 하부면에 위치되는 하나 이상의 유체 공급 라인(109)과 유체 소통을 이룬다. 베이스 부재(104)는 일반적으로 상기 부재를 통해 형성되는 다수의 도관(도시 되지 않음)을 포함하며, 상기 도관들은 각각의 유체 공급 라인(109)에 의해 수용된 유체를 도금 셀(100)의 애노드 챔버 및 캐소드 챔버로 안내하도록 구성된다.
도 3은 내부에 위치되는 디스크형 애노드(105)를 가지는 베이스 부재(104)의 사시도이다. 일반적으로 디스크형 구리 부재, 즉 구리 전기화학적 도금 작업을 지원하기 위해 사용되는 가용성 구리 애노드인 애노드(105)는 일반적으로 내부에 형성되는 다수의 슬롯(302)을 포함한다. 슬롯(302)은 일반적으로 애노드(302)의 내부를 통해 신장되고 애노드(105)의 상부면 및 하부면과 유체 소통을 이룬다. 이처럼, 슬롯(302)은 유체가 애노드(105)의 내부를 통해 상부면으로부터 하부면으로 이동하도록 허용한다. 슬롯(302)은 서로 평행 지향성을 갖고 위치된다. 그러나, 애노드(105)가 베이스 부재(104)의 환형 홈(201) 내에 위치될 때, 애노드(105)의 평행 슬롯(302)은 일반적으로 도 3에 도시된 것처럼, 베이스 부재(104)의 채널(202) 및 슬롯(204)에 직각으로 위치된다. 더 나아가, 슬롯(302)은 일반적으로 연속적으로 애노드(105)의 상부면을 가로질러 신장하지는 않는다. 오히려, 슬롯(302)은 장분절(303)과 단분절(304) 및 두 분절 사이의 간격(305)으로 구분되며, 일측면으로부터 타측면으로 애노드(10)를 통해 보다 긴 전류 경로를 발생시키도록 작동한다. 더 나아가, 인접하여 위치되는 슬롯(302)은 애노드 상부면의 양 측에 위치되는 간격(305)을 갖는다. 애노드의 하부면으로부터 애노드의 상부면으로의 전류 통로는 일반적으로 각 채널(302) 사이에서 상기 간격(305)을 통과하는 후진 및 전진형 통로를 포함한다. 더 나아가, 간격(305) 및 채널(302)의 위치 선정은 애노드(105)의 표면으로부터 개선된 동심의 뉴튼 유체 제거를 위해 제공되며, 채널(302)의 위치 선정은 채널(302)에 수용되는 조밀 유체를 위해 가능한 가장 짧은 이동 거리를 제공한다. 이러한 특징은 일반적으로 조밀 유체가 천천히 이동하고 따라서 이러한 특징이 바람직하기 때문에 중요하다.
도 4는 본 발명의 전형적인 막 지지 조립체(106)의 확대 사시도이다. 막 지지 조립체(106)는 일반적으로 상부 링형 지지 부재(401), 중간 막 지지 부재(400), 및 하부 지지 부재(402)를 포함한다. 상부 및 하부 지지 부재(401, 402)는 일반적으로 중간 막 지지 부재(400)에 대한 구조적 지지부를 제공하도록, 즉 하부 지지 부재(402)가 중간 막 지지 부재(400)를 수용하는 동안, 상부 지지 부재(401)가 중간 막 지지 부재(400)를 하부 지지 부재(402)에 고정하도록 구성된다. 중간 막 지지 부재(400)는 일반적으로 거의 평면인 상부면을 포함하며, 상기 평면 상부면은 상기 상부면을 통해 부분적으로 형성되는 다수의 보어를 구비한다. 중간 막 지지 부재(400)의 하부면은 일반적으로 테이퍼진 외측부(403) 및 거의 평면인 내부 막 결합면(404)을 포함한다. 하부 지지 부재(402)의 상부면은 중간 막 지지 부재(400)의 테이퍼진 부분(403)을 수용하도록 구성되는 부분으로서 상기 부분과 상응하는 테이퍼부를 포함할 수 있다. 막 결합면(404)은 일반적으로 다수의 평행 위치/지향 채널(도시되지 않음)을 포함한다. 중간 막 지지 부재(400)의 하부면 내에 형성되는 각각의 채널은 평면인 상부면을 통해 부분적으로 형성되는 다수의 보어 중 하나 이상과 유체 소통을 이룬다. 채널은 막 지지 조립체 내에 위치된 막이 채널 영역에서 약간 상향으로 변형될 수 있도록 작동하며, 이는 캐소드 챔버 내에서 덜 조밀한 유체 및 기포가 막 둘레로 이동하고 애노드 챔버로부터 소개되는 유동 통로를 제공한다.
작동시, 본 발명의 도금 셀(100)은 예를 들어, 구리 전기화학적 도금 공정을 위해 사용될 수 있는 소형(전해질 체적) 프로세싱 셀을 제공한다. 도금 셀(100)은 수평하게 위치되거나 경사 위치, 즉 도 1에서 도시된 것처럼 셀의 일측면이 셀의 맞은편 측면보다 수직으로 높게 상승된 위치로 위치될 수 있다. 만약, 도금 셀(101)이 경사 구성으로 실행되면, 그 후 일정한 침지 각도로 기판을 담그기 위해, 즉 기판과 전해질의 상부면 사이의 각도가 침지 공정 동안 변하지 않도록 기판을 담그기 위해 경사 헤드 조립체 및 기판 지지 부재가 사용될 수 있다. 더 나아가, 침지 공정은 다양한 침지 속도, 즉 기판이 전해질 용액에 침지됨에 따라 증가하는 속도를 포함할 수 있다. 일정한 침지 각도 및 다양한 침지 속도의 결합은 기판 표면 상의 기포를 제거하도록 작용한다.
경사 실행이 사용된다면, 기판은 먼저 내부 수용조(102) 내에 포함되는 도금 용액 내로 침지된다. 일단 기판이 일반적으로 황산 구리, 염소, 및 도금 매개 변수를 제어하도록 구성되는 다수의 유기 도금 첨가물(레벨러, 억제제, 가속제 등) 중 하나 이상을 포함하는 도금 용액 내에 침지되면, 전기 도금 바이어스가 기판 상의 시이드층과 도금 셀(100)의 하부에 위치되는 애노드(105) 사이에 인가된다. 전기 도금 바이어스는 일반적으로 도금 용액 내의 금속 이온이 캐소드 기판 표면 상에서 증착하도록 인가된다. 내부 수용조(102)에 공급되는 도금 용액은 유체 입구/배출구(109)를 통해 내부 수용조(102)를 지나 지속적으로 순환된다. 더 구체적으로는, 도금 용액은 유체 입구(109)를 통해 도금 셀(100) 내에 유입될 수 있다. 용액은 베이스 부재(104)의 하부면을 가로질러 이동할 수 있으며 유체 구멍(206) 중 하나를 통해 상향으로 이동할 수 있다. 따라서, 도금 용액은 도금 셀(100) 내에 형성되는 채널을 통해 막 지지부(106) 위의 지점에서 캐소드 챔버와 소통하는 캐소드 챔버 내에 유입될 수 있다. 유사하게, 도금 용액은 막 지지부(106) 위에 위치되는 유체 배출구를 통해 캐소드 챔버로부터 제거될 수 있으며, 유체 배출구는 베이스 부재(104)의 하부면 상에 위치되는 유체 배출구(109) 중 하나와 유체 소통을 이룬다. 예를 들어, 베이스 부재(104)는 베이스 부재(404)의 양측면에 위치되는 제 1 및 제 2 유체 구멍(206)을 포함할 수 있다. 상기 양측면에 위치되는 유체 구멍(206)은 각각 미리 예정된 방향으로 도금 용액을 캐소드 챔버로부터 도입 및 배출하도록 작용할 수 있으며, 또한 유동 방향 제어도 허용한다. 유동 제어 방향은 하부 막 표면의 가벼운 유체의 제거, 애노드 챔버로부터 기포의 제거, 및 베이스(104)에 형성되는 채널(202)를 통해 애노드 표면으로부터 무거운 또는 조밀한 유체의 제거 보조에 대한 제어를 제공한다.
일단, 도금 용액이 캐소드 챔버 내로 도입되면, 도금 용액은 확산판(110)를 통해 상향으로 이동한다. 일반적으로 세라믹 또는 다른 다공성 디스크형 부재인 확산판(110)은 일반적으로 기판 표면 전체에 걸쳐 유동 페턴을 고르게 하는 유체 유동 제한 장치로서 작용한다. 더 나아가, 확산판(110)은 도금 균일성을 감소시키는 것으로 알려진 전기화학적 활성 영역인 애노드 또는 양이온 막 표면에서의 전기적 변동을 감소시키도록 작동한다. 더 나아가, 본 발명의 실시예들은, 세라믹 확산판(110)이 친수성 플라스틱 부재, 즉 처리된 PE 부재, PVDF 부재, PP 부재, 또는 다공성으로 세라믹에 의해 제공되는 전기적 저항성 감소 특성을 제공하는 그 외 다른 재료에 의해 대체될 수 있다. 그러나, 일반적으로 도금 환원전극 용액(catholyte solution), 즉 첨가물 함유 도금 용액인 캐소드 챔버 내로 도입되는 도금 용액은, 애노드 챔버가 막에 의해 캐소드 챔버로부터 유동적으로 분리됨에 따라 애노드 챔버 내 막 지지 조립체(106)의 하부면(404) 상에 위치되는 막(도시되지 않음)을 통해 하향으로 이동되는 것이 억제된다. 애노드 챔버는 산화전극액(anolyte)을 애노드 챔버에 공급하도록 구성되는 분리된 각각의 유체 공급 및 배수 소스를 포함한다. 일반적으로 구리 전기화학적 도금 시스템 내의 황산 구리일 수 있는 애노드 챔버에 공급되는 용액은 애노드 챔버를 통해 배타적으로 순환하며 캐소드 챔버 내로 확산하거나 그렇지 않으면 이동하지 않으며, 막 지지 조립체(106) 상에 위치되는 막은 다른 방향으로 유체 투과성을 나타내지 않는다.
더 나아가, 도금 매개 변수를 극대화하기 위해, 애노드 챔버 내로의 유체 용액(산화전극액, 즉 첨가물이 들어 있지 않아 순수 용액으로서 취급될 수 있는 도금 용액)의 유동이 직접 제어된다. 예를 들어, 산화전극액이 각각의 유체 입구(109)를 통해 애노드 챔버로 소통될 수 있다. 유체 입구(109)는 베이스 부재(104)의 하부에 형성되는 유체 채널과 유체 소통을 이루며 유체 채널은 산화전극액을 상기 구멍들(205) 중 하나에 전달한다. 주변 구조물들과 관계에서, 구멍들(205)의 외측 반경 방향으로 위치되는 밀봉부는 산화전극액이 상향으로 구멍(205)으로부터 흘러 나와 슬롯(204) 내로 지향하도록 한다. 따라서, 산화전극액은 일반적으로 경사 구조상 일반적으로 도금 셀(100)의 보다 높은 측면인 베이스 부재(104)의 맞은편 측면을 향해 애노드(105)의 상부면을 가로질러 이동한다. 산화전극액은 바로 위에 위치되는 막 아래에서 애노드의 표면을 가로질러 이동한다. 일단, 산화전극액이 애노드(105)의 맞은편에 도달하면, 산화전극액은 상응하는 유체 채널(204) 내로 수용되고 차후 재순환을 위해 도금 셀(104)로부터 배출된다.
도금 공정 동안, 애노드와 캐소드 사이의 전기 도금 바이어스의 인가는 일반적으로 애노드 챔버 내에 포함되는 산화전극액의 방전(breakdown)을 야기한다. 보다 구체적으로, 도금 바이어스의 인가는 애노드 챔버 내의 황산 구리 용액의 다층의 유체 역학적 뉴튼층을 발생하도록 작용한다. 유체 역학층은 일반적으로 애노드에 인접하여 위치되는 농축(concentrated) 황산 구리층, 규정(normal) 황산 구리의 중간층, 및 막에 인접하는 보다 가벼운 감손(lighter and depleted) 황산 구리의 상부층을 포함한다. 감손층은 일반적으로 애노드 격실에 공급되는 원래의 황산 구리보다 덜 농축되고 보다 가벼운 반면에, 농축된 층은 일반적으로 매우 점성의 컨시스텐시(viscous consistency)를 가지는 보다 무겁고 농축된 황산 구리층이다. 애노드에 인접한 농축층의 농축 컨시스텐시는 슬롯(302) 없이 형성되는 애노드 내에 전기 전도 문제(애노드 부동태화로 공지된 문제)를 야기한다. 그러나, 도금 셀(100)의 경사 지향과 관련하여, 슬롯(302)은 황산 구리의 농축 점성층을 수용하고 애노드의 표면으로부터 상기 층을 제거하도록 작동하며, 이는 전도 변형(conductivity variance)을 제거한다. 더 나아가, 도금 셀(100)은 일반적으로 상향으로 경사지거나 타측면에 대해 수직 상방에 위치되는 일측면을 포함하여, 애노드(105)의 표면은 일반적으로 역시 경사진 평면이 된다. 이러한 경사로 인해, 애노드 표면에서 발생되는 농축 황산 구리층이 일반적으로 상기 층에 작용하는 중력에 의해 하향 유동하게 된다. 농축 황산 구리가 하향 유동하여, 상기 농축 황산 구리가 채널(302) 중 하나에 수용되며 애노드의 표면으로부터 제거된다. 전술된 것처럼, 슬롯(302)은 일반적으로 서로 평행하며 채널(204)에 대해 직각이다. 따라서, 슬롯(302)은 또한 채널(200)과 직각을 이루며 베이스 부재(104)의 하부면에 형성된다. 이렇게, 슬롯(302)의 각각은 다수의 채널(202)과 교차한다. 이러한 구성으로 인해 슬롯(302) 내에 수용되는 농축 황산 구리가 하나 이상의 채널(202)과 소통될 수 있다. 그 후, 농축 황산 구리는 채널(202)을 통해 홈(201) 내에 위치되는 환형 배수 채널(203)로 소통될 수 있다. 채널(202)과 소통을 이루는 배수구(203)는 일반적으로 베이스판(104)를 통해 소통될 수 있고 중앙 산화전극액 공급 탱크로 복귀할 수 있으며, 애노드 표면으로부터 제거된 농축 황산 구리는 산화전극액을 위해 사용되는 저장된 황산 구리 체적에 재결합될 수 있다.
유사하게, 애노드 챔버의 상부는 막에 인접한 묽은 황산 구리층을 생성한다. 묽은 황상 구리층은 도 5에서 도시된 것처럼, 공기 통기구/배출구(501)를 통해 애노드 챔버로부터 제거될 수 있다. 다중 포트를 포함하는 통기구/배출구(501)는 일반적으로 전기화학적 도금 셀(100)의 상부면에 위치되어 막 표면에 발생되는 묽은 황산 구리 뿐 아니라 애노드 챔버 내에 포착되는 기포를 수용하도록 위치된다. 공기 통기구(501)는 일반적으로 전술된 산화전극액 탱크와 유체 소통을 이루고, 이에 따라 상기 탱크에 수용되는 묽은 황산 구리가 산화전극액 탱크로 복귀하도록 소통되며, 묽은 황산 구리는 산화전극액 탱크 내의 황산 구리에 대해 요구되는 농도를 형성하도록 슬롯(302)을 통해 제거된 농축 황산 구리와 결합할 수 있다. 또한, 공기 통기구(501)에 의해 포획되는 소정의 기포는 대기로 통하는 캐소드 챔버로부터 제거되거나 단지 산화전극액 탱크 내에 유지되어 캐소드 챔버 내에서 재순환되지 않는다.
비록, 전술된 내용이 본 발명의 실시예에 관한 것이지만, 본 발명의 그 외 다른 추가적인 실시예들이 본 발명의 기초적인 범주를 벗어 나지 않게 고려될 수 있으며, 본 발명의 범주는 이하의 청구범위에 의해 결정된다.
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 2002년 7월 24일자 출원되어 본 출원에 참조된 미국 가 특허출원 번호 60/398,345호를 우선권으로 주장한다.

Claims (24)

  1. 내부에 도금 용액을 포함하도록 구성되는 유체 수용조,
    상기 유체 수용조의 하부에 위치되는 애노드 챔버,
    상기 유체 수용조의 상부에 위치되는 캐소드 챔버, 및
    상기 애노드 챔버에 위치되고 수평면으로부터 일정 각도로 배치되는 상부면을 가지는 애노드를 포함하며,
    상기 애노드 챔버가 상기 유체 수용조를 가로질러 위치되는 이온막에 의해 상기 캐소드 챔버로부터 분리되는,
    반도체 처리 셀.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드는 상기 전기화학적 도금 셀에서 도금될 금속으로부터 제조되는 실질적인 디스크형 부재를 포함하며, 상기 실질적인 디스크형 부재는 다수의 평행 슬롯이 관통 형성되는,
    반도체 처리 셀.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 다수의 슬롯은 다수의 장분절 및 다수의 단분절을 포함하며, 상기 다수의 장분절 각각이 상기 다수의 단분절 중 상응하는 하나의 단분절과 길이 방향으로 인접하여 위치되고 상기 애노드의 나머지 부분에 의해 상기 단분절로부터 분리되는,
    반도체 처리 셀.
  4. 제 2 항에 있어서,
    애노드 베이스 부재를 더 포함하며,
    상기 애노드 베이스 부재가,
    바닥 부재 및 상기 바닥 부재로부터 신장되는 직립 벽에 의해 형성되며 상기 애노드를 수용하도록 구성되는 환형 홈, 및
    상기 바닥 부재에 형성되며 각각이 하부면을 둘러싸는 환형 배수구 내에서 종결하는 다수의 채널을 포함하는,
    반도체 처리 셀.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 애노드 베이스 부재가 상기 환형 홈의 환형 수직벽 내에 형성되는 다수의 벽 채널을 더 포함하는,
    반도체 처리 셀.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 수평면으로부터의 각도가 약 5° 내지 약 35°인,
    반도체 처리 셀.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 애노드의 상부면, 이온막, 및 확산 부재가 실질적으로 평행한 방위로 배치되는,
    반도체 처리 셀.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체 수용조에 위치되는 확산 부재를 더 포함하며, 상기 확산 부재는 상기 애노드의 상부면에 실질적으로 평행하게 위치되는 상부면을 가지는,
    반도체 처리 셀.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 이온막이 수평면으로부터 제 2 각도로 배치되는,
    반도체 처리 셀.
  10. 도금 용액을 포함하도록 구성되는 유체 수용조,
    상기 유체 수용조의 내주를 가로질러 위치되는 이온막으로서 상기 유체 수용조의 상부에 위치되는 캐소드 챔버를 상기 유체 수용조의 하부에 위치되는 애노드 챔버로부터 분리하도록 구성되는 이온막,
    상기 애노드 챔버에 위치되는 애노드로서, 상기 애노드의 상부면의 적어도 일부가 수평면에 대해 일정 각도로 위치되는 애노드, 및
    상기 확산 부재의 상부면 중 적어도 일부가 상기 애노드의 상부면에 평행하게 위치되도록 상기 이온막 위에서 유체 수용조를 가로질러 위치되는 유체 투과성 확산 부재를 포함하는,
    기판 상에 금속을 도금하는 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 유체 투과성 확산 부재가 세라믹 디스크 부재를 포함하는,
    기판 상에 금속을 도금하는 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 이온막이 양이온막을 포함하는,
    기판 상에 금속을 도금하는 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 양이온막이 상기 애노드의 상부면에 평행하게 위치되는,
    기판 상에 금속을 도금하는 장치.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 애노드는 관통하여 형성되는 다수의 슬롯을 가지는 디스크형 부재를 포함하며, 상기 다수의 슬롯이 서로 평행 방위로 위치되는,
    기판 상에 금속을 도금하는 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 다수의 슬롯은 다수의 단분절 및 다수의 장분절을 포함하며, 상기 단분절 각각은 하나의 장분절과 협동하여 길이 방향으로 위치되고 전도성 스페이서에 의해 상기 장분절로부터 분리되는,
    기판 상에 금속을 도금하는 장치.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 애노드를 수용하도록 구성되는 애노드 베이스판을 더 포함하며,
    상기 애노드 베이스판이,
    상기 애노드를 수용하도록 구성되는 환형 홈,
    상기 환형 홈의 하부면에 형성되며 각각이 상기 환형 홈의 둘레 주위에 위치되는 환형 배수구에서 종결하는 다수의 채널, 및
    상기 환형 홈의 환형 수직 벽에 형성되며 유체가 상기 애노드의 상부면 위로 지향되도록 구성되는 다수의 슬롯을 포함하는,
    기판 상에 금속을 도금하는 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 다수의 채널이 유체 배수 통로를 형성하도록 상기 애노드 내에 형성되는 다수의 애노드 슬롯과 유체 소통하도록 구성되는,
    기판 상에 금속을 도금하는 장치.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 막, 확산 부재, 및 상기 애노드의 상부면 중 적어도 일부가 서로 실질적으로 평행하게 위치되는,
    기판 상에 금속을 도금하는 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 각도가 약 5° 내지 약 35°인,
    기판 상에 금속을 도금하는 장치.
  20. 유체 처리 체적을 형성하는 실질적인 원통형 벽을 가지는 유체 수용조,
    상기 유체 처리 체적의 하부에 위치되는 애노드로서, 상기 애노드의 상부면의 적어도 일부가 대체로 상기 원통형 벽에 수직하게 위치되는 애노드,
    상기 애노드 위의 위치에서 상기 유체 처리 체적을 가로질러 위치되고 대체로 상기 원통형 벽에 수직한 막, 및
    상기 막 위의 위치에서 상기 유체 처리 체적을 가로질러 위치되고 대체로 상기 원통형 벽에 수직한 확산판을 포함하며,
    상기 원통형 벽이 수직면으로부터 오프셋된 각도로 위치되는,
    소형 전기화학적 도금 셀.
  21. 제 20 항에 있어서,
    애노드 베이스판 및 상기 베이스판의 하부면에 형성되는 다수의 채널을 더 포함하며,
    상기 애노드 베이스판은 상기 애노드를 수용하도록 구성되는 환형 홈을 가지며, 상기 다수의 채널 각각은 상기 하부면을 둘러싸는 환형 배수구에서 종결되는,
    소형 전기화학적 도금 셀.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 막은 상기 유체 수용조의 캐소드 챔버로부터 애노드 챔버를 분리하도록 구성되는 이온막을 포함하는,
    소형 전기화학적 도금 셀.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 캐소드 챔버에 환원 전극액을 공급하도록 구성되는 제 1 유체 입구 및 상기 애노드 챔버에 산화 전극액을 공급하도록 구성되는 제 2 유체 입구를 더 포함하는,
    소형 전기화학적 도금 셀.
  24. 제 20 항에 있어서,
    수평면으로부터의 상기 각도가 약 5° 내지 약 35°인,
    소형 전기화학적 도금 셀.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150052801A (ko) * 2013-11-06 2015-05-14 램 리써치 코포레이션 전기도금 셀 내에서의 균일한 플로우 거동을 위한 방법
KR20160119760A (ko) * 2014-02-10 2016-10-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 애노드 홀더 및 도금 장치

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060157355A1 (en) * 2000-03-21 2006-07-20 Semitool, Inc. Electrolytic process using anion permeable barrier
US8236159B2 (en) 1999-04-13 2012-08-07 Applied Materials Inc. Electrolytic process using cation permeable barrier
US8852417B2 (en) 1999-04-13 2014-10-07 Applied Materials, Inc. Electrolytic process using anion permeable barrier
US20060189129A1 (en) * 2000-03-21 2006-08-24 Semitool, Inc. Method for applying metal features onto barrier layers using ion permeable barriers
US20050145499A1 (en) * 2000-06-05 2005-07-07 Applied Materials, Inc. Plating of a thin metal seed layer
US7273535B2 (en) * 2003-09-17 2007-09-25 Applied Materials, Inc. Insoluble anode with an auxiliary electrode
US7628898B2 (en) * 2001-03-12 2009-12-08 Semitool, Inc. Method and system for idle state operation
US7247222B2 (en) * 2002-07-24 2007-07-24 Applied Materials, Inc. Electrochemical processing cell
US7128823B2 (en) * 2002-07-24 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Anolyte for copper plating
US20040217005A1 (en) * 2002-07-24 2004-11-04 Aron Rosenfeld Method for electroplating bath chemistry control
US7223323B2 (en) * 2002-07-24 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Multi-chemistry plating system
US20040134775A1 (en) * 2002-07-24 2004-07-15 Applied Materials, Inc. Electrochemical processing cell
US20040026255A1 (en) * 2002-08-06 2004-02-12 Applied Materials, Inc Insoluble anode loop in copper electrodeposition cell for interconnect formation
TW200514873A (en) * 2003-07-08 2005-05-01 Applied Materials Inc Electrochemical processing cell
US7563348B2 (en) * 2004-06-28 2009-07-21 Lam Research Corporation Electroplating head and method for operating the same
WO2006017581A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-16 Sv Probe Pte Ltd. Probe tip plating
US20060102467A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Harald Herchen Current collimation for thin seed and direct plating
TW200641189A (en) * 2005-02-25 2006-12-01 Applied Materials Inc Counter electrode encased in cation exchange membrane tube for electroplating cell
JP2007051362A (ja) * 2005-07-19 2007-03-01 Ebara Corp めっき装置及びめっき液の管理方法
US20070043474A1 (en) * 2005-08-17 2007-02-22 Semitool, Inc. Systems and methods for predicting process characteristics of an electrochemical treatment process
KR100651919B1 (ko) * 2005-09-29 2006-12-01 엘지전자 주식회사 녹화 속도 조절 기능을 갖는 이동통신단말기 및 이를이용한 방법
US20070221495A1 (en) * 2006-03-23 2007-09-27 Applied Materials, Inc. Electropolish assisted electrochemical mechanical polishing apparatus
US20070261964A1 (en) * 2006-05-10 2007-11-15 Semitool, Inc. Reactors, systems, and methods for electroplating microfeature workpieces
US20090250352A1 (en) * 2008-04-04 2009-10-08 Emat Technology, Llc Methods for electroplating copper
KR20110051588A (ko) * 2009-11-10 2011-05-18 삼성전자주식회사 기판 도금 장치 및 방법
US9068265B2 (en) * 2011-02-01 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate with discrete protective elements
US8747639B2 (en) 2011-03-31 2014-06-10 Pratt & Whitney Canada Corp. Metal plating method and apparatus
US9005409B2 (en) 2011-04-14 2015-04-14 Tel Nexx, Inc. Electro chemical deposition and replenishment apparatus
US9017528B2 (en) 2011-04-14 2015-04-28 Tel Nexx, Inc. Electro chemical deposition and replenishment apparatus
US9421617B2 (en) 2011-06-22 2016-08-23 Tel Nexx, Inc. Substrate holder
US8613474B2 (en) 2011-07-06 2013-12-24 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader having a Bernoulli support
ES2637799T3 (es) 2011-11-15 2017-10-17 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Dispositivo electrocrómico con polímeros complementarios
US9068272B2 (en) 2012-11-30 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Electroplating processor with thin membrane support
US9207515B2 (en) 2013-03-15 2015-12-08 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Variable-emittance electrochromic devices and methods of preparing the same
US9303329B2 (en) 2013-11-11 2016-04-05 Tel Nexx, Inc. Electrochemical deposition apparatus with remote catholyte fluid management
US9632059B2 (en) 2015-09-03 2017-04-25 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Potentiostat/galvanostat with digital interface
US9482880B1 (en) 2015-09-15 2016-11-01 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Electrochromic eyewear
US9945045B2 (en) 2015-12-02 2018-04-17 Ashwin-Ushas Corporation, Inc. Electrochemical deposition apparatus and methods of using the same
JP2022184365A (ja) * 2021-06-01 2022-12-13 トヨタ自動車株式会社 金属皮膜の成膜方法および金属皮膜の成膜装置

Family Cites Families (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2004A (en) * 1841-03-12 Improvement in the manner of constructing and propelling steam-vessels
US2003A (en) * 1841-03-12 Improvement in horizontal windivhlls
GB1564402A (en) * 1975-11-13 1980-04-10 Unilever Ltd Purification process
EP0002109B1 (en) * 1977-11-15 1981-12-02 Imperial Chemical Industries Plc A method for the preparation of thin photoconductive films and of solar cells employing said thin photoconductive films
US4296672A (en) * 1979-11-13 1981-10-27 Proteus Corporation Reciprocating piston-cylinder combination and valving control therefor
US4469564A (en) * 1982-08-11 1984-09-04 At&T Bell Laboratories Copper electroplating process
US4840820A (en) * 1983-08-22 1989-06-20 Enthone, Incorporated Electroless nickel plating of aluminum
US4632851A (en) * 1985-04-22 1986-12-30 Amchem Products, Inc. Continuous autodeposition method with bath stabilization
US5224504A (en) * 1988-05-25 1993-07-06 Semitool, Inc. Single wafer processor
EP0422760A1 (en) * 1989-10-12 1991-04-17 Mitsubishi Rayon Co., Ltd Amorphous alloy and process for preparation thereof
GB2238530A (en) * 1989-10-31 1991-06-05 Grace W R & Co Antifoaming and defoaming compositions
US5287237A (en) * 1990-03-16 1994-02-15 Hitachi, Ltd. Antiferromagnetic film superior in corrosion resistance, magnetoresistance-effect element and magnetoresistance-effect head including such thin film
US5222310A (en) * 1990-05-18 1993-06-29 Semitool, Inc. Single wafer processor with a frame
US5162079A (en) * 1991-01-28 1992-11-10 Eco-Tec Limited Process and apparatus for control of electroplating bath composition
US5252196A (en) * 1991-12-05 1993-10-12 Shipley Company Inc. Copper electroplating solutions and processes
US5486264A (en) * 1992-03-25 1996-01-23 The Trustees Of Columbia University Laser etching of semiconductors
JP3200468B2 (ja) * 1992-05-21 2001-08-20 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ウエーハ用めっき装置
US5482680A (en) * 1992-10-09 1996-01-09 Ballard Power Systems, Inc. Electrochemical fuel cell assembly with integral selective oxidizer
EP0603502B1 (de) * 1992-12-09 1996-09-18 Kolbus GmbH & Co. KG Buchdeckenmaschine
US5489341A (en) * 1993-08-23 1996-02-06 Semitool, Inc. Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array
CH691209A5 (de) * 1993-09-06 2001-05-15 Scherrer Inst Paul Herstellungsverfahren für einen Polmerelektrolyten und elektrochemische Zelle mit diesem Polymerelektrolyten.
US5705050A (en) * 1996-04-29 1998-01-06 Sampson; Richard L. Electrolytic process and apparatus for the controlled oxidation and reduction of inorganic and organic species in aqueous solutions
US5837120A (en) * 1994-09-30 1998-11-17 Electroplating Technologies, Inc. Method and apparatus for electrochemical processing
IL109240A (en) * 1994-04-07 1998-02-22 Yeda Res & Dev Ion exchange membranes
US6447232B1 (en) * 1994-04-28 2002-09-10 Semitool, Inc. Semiconductor wafer processing apparatus having improved wafer input/output handling system
US5544421A (en) * 1994-04-28 1996-08-13 Semitool, Inc. Semiconductor wafer processing system
DE69505395T2 (de) * 1994-08-01 1999-04-29 Unilever Nv Wasserkontinuierlicher essbarer aufstrich
US5643456A (en) * 1995-05-30 1997-07-01 The Regents Of The University Of California Process for the displacement of cyanide ions from metal-cyanide complexes
US5516418A (en) * 1995-06-26 1996-05-14 International Business Machines Corporation Patterned electroplating
US5597460A (en) * 1995-11-13 1997-01-28 Reynolds Tech Fabricators, Inc. Plating cell having laminar flow sparger
DE19545231A1 (de) * 1995-11-21 1997-05-22 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Metallschichten
US5620581A (en) * 1995-11-29 1997-04-15 Aiwa Research And Development, Inc. Apparatus for electroplating metal films including a cathode ring, insulator ring and thief ring
FR2745589B1 (fr) * 1996-02-29 1998-04-30 Snecma Piece hybride a haut rapport resistance-masse et procede de realisation
US5785833A (en) * 1996-04-29 1998-07-28 Vaughan; Daniel J. Process for removing iron from tin-plating electrolytes
AU3292797A (en) * 1996-05-30 1998-01-05 Reese Products, Inc Weight distributing hitch and slide bracket assembly
US5731678A (en) * 1996-07-15 1998-03-24 Semitool, Inc. Processing head for semiconductor processing machines
US6099712A (en) * 1997-09-30 2000-08-08 Semitool, Inc. Semiconductor plating bowl and method using anode shield
US5883762A (en) * 1997-03-13 1999-03-16 Calhoun; Robert B. Electroplating apparatus and process for reducing oxidation of oxidizable plating anions and cations
US6090260A (en) * 1997-03-31 2000-07-18 Tdk Corporation Electroplating method
US6277430B1 (en) * 1997-04-24 2001-08-21 Unilever Patent Holdings B.V. Fat emulsions
US6228231B1 (en) * 1997-05-29 2001-05-08 International Business Machines Corporation Electroplating workpiece fixture having liquid gap spacer
US6004440A (en) 1997-09-18 1999-12-21 Semitool, Inc. Cathode current control system for a wafer electroplating apparatus
US6024856A (en) * 1997-10-10 2000-02-15 Enthone-Omi, Inc. Copper metallization of silicon wafers using insoluble anodes
US6126798A (en) * 1997-11-13 2000-10-03 Novellus Systems, Inc. Electroplating anode including membrane partition system and method of preventing passivation of same
US6179983B1 (en) * 1997-11-13 2001-01-30 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for treating surface including virtual anode
US6159354A (en) * 1997-11-13 2000-12-12 Novellus Systems, Inc. Electric potential shaping method for electroplating
US6156167A (en) * 1997-11-13 2000-12-05 Novellus Systems, Inc. Clamshell apparatus for electrochemically treating semiconductor wafers
EP1019954B1 (en) * 1998-02-04 2013-05-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for low-temperature annealing of electroplated copper micro-structures in the production of a microelectronic device
JP3523197B2 (ja) 1998-02-12 2004-04-26 エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド メッキ設備及び方法
US6423642B1 (en) * 1998-03-13 2002-07-23 Semitool, Inc. Reactor for processing a semiconductor wafer
TW593731B (en) * 1998-03-20 2004-06-21 Semitool Inc Apparatus for applying a metal structure to a workpiece
US6565729B2 (en) * 1998-03-20 2003-05-20 Semitool, Inc. Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece
US6197181B1 (en) * 1998-03-20 2001-03-06 Semitool, Inc. Apparatus and method for electrolytically depositing a metal on a microelectronic workpiece
US6416647B1 (en) * 1998-04-21 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates
KR100616198B1 (ko) * 1998-04-21 2006-08-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판상에 전기도금하는 전기화학적 증착 시스템 및 방법
US6113771A (en) * 1998-04-21 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Electro deposition chemistry
US6365033B1 (en) * 1999-05-03 2002-04-02 Semitoof, Inc. Methods for controlling and/or measuring additive concentration in an electroplating bath
US6071388A (en) * 1998-05-29 2000-06-06 International Business Machines Corporation Electroplating workpiece fixture having liquid gap spacer
US6099702A (en) * 1998-06-10 2000-08-08 Novellus Systems, Inc. Electroplating chamber with rotatable wafer holder and pre-wetting and rinsing capability
EP1112125B1 (en) * 1998-06-30 2006-01-25 Semitool, Inc. Metallization structures for microelectronic applications and process for forming the structures
US6228232B1 (en) 1998-07-09 2001-05-08 Semitool, Inc. Reactor vessel having improved cup anode and conductor assembly
US6395152B1 (en) 1998-07-09 2002-05-28 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices
US6080291A (en) * 1998-07-10 2000-06-27 Semitool, Inc. Apparatus for electrochemically processing a workpiece including an electrical contact assembly having a seal member
US6322678B1 (en) 1998-07-11 2001-11-27 Semitool, Inc. Electroplating reactor including back-side electrical contact apparatus
US6248222B1 (en) * 1998-09-08 2001-06-19 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
US6773571B1 (en) * 2001-06-28 2004-08-10 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for uniform electroplating of thin metal seeded wafers using multiple segmented virtual anode sources
US6793796B2 (en) 1998-10-26 2004-09-21 Novellus Systems, Inc. Electroplating process for avoiding defects in metal features of integrated circuit devices
US6383352B1 (en) 1998-11-13 2002-05-07 Mykrolis Corporation Spiral anode for metal plating baths
US6251251B1 (en) * 1998-11-16 2001-06-26 International Business Machines Corporation Anode design for semiconductor deposition
US6613214B2 (en) * 1998-11-30 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Electric contact element for electrochemical deposition system and method
WO2000032835A2 (en) * 1998-11-30 2000-06-08 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6267853B1 (en) * 1999-07-09 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
KR100385042B1 (ko) * 1998-12-03 2003-06-18 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 내 일렉트로 마이그레이션의 구조물을 도핑으로 형성하는 방법
WO2000040779A1 (en) * 1998-12-31 2000-07-13 Semitool, Inc. Method, chemistry, and apparatus for high deposition rate solder electroplating on a microelectronic workpiece
US6379522B1 (en) 1999-01-11 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Electrodeposition chemistry for filling of apertures with reflective metal
US6833149B2 (en) * 1999-01-14 2004-12-21 Cargill, Incorporated Method and apparatus for processing vegetable oil miscella, method for conditioning a polymeric microfiltration membrane, membrane, and lecithin product
US6167893B1 (en) * 1999-02-09 2001-01-02 Novellus Systems, Inc. Dynamic chuck for semiconductor wafer or other substrate
US6280291B1 (en) * 1999-02-16 2001-08-28 Speedfam-Ipec Corporation Wafer sensor utilizing hydrodynamic pressure differential
JP2000256898A (ja) * 1999-03-03 2000-09-19 Permelec Electrode Ltd ウェーハの銅めっき方法
US6136163A (en) * 1999-03-05 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber
US6347837B1 (en) * 1999-03-11 2002-02-19 Becktek Limited Slide assembly having retractable gas-generator apparatus
US6585876B2 (en) * 1999-04-08 2003-07-01 Applied Materials Inc. Flow diffuser to be used in electro-chemical plating system and method
US6368475B1 (en) 2000-03-21 2002-04-09 Semitool, Inc. Apparatus for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US6916412B2 (en) * 1999-04-13 2005-07-12 Semitool, Inc. Adaptable electrochemical processing chamber
US6270635B1 (en) * 1999-04-27 2001-08-07 Advanced Micro Devices, Inc. Consistent plating system for electroplating
WO2000077278A1 (en) * 1999-06-14 2000-12-21 Cvc Products, Inc. Method and apparatus for electroplating depressions of a substrate simultaneously preventing plating on the substrate surface using a membrane cover
US6197182B1 (en) * 1999-07-07 2001-03-06 Technic Inc. Apparatus and method for plating wafers, substrates and other articles
US6258223B1 (en) * 1999-07-09 2001-07-10 Applied Materials, Inc. In-situ electroless copper seed layer enhancement in an electroplating system
US6254742B1 (en) * 1999-07-12 2001-07-03 Semitool, Inc. Diffuser with spiral opening pattern for an electroplating reactor vessel
US6673216B2 (en) * 1999-08-31 2004-01-06 Semitool, Inc. Apparatus for providing electrical and fluid communication to a rotating microelectronic workpiece during electrochemical processing
US6309981B1 (en) * 1999-10-01 2001-10-30 Novellus Systems, Inc. Edge bevel removal of copper from silicon wafers
US6395101B1 (en) * 1999-10-08 2002-05-28 Semitool, Inc. Single semiconductor wafer processor
JP4282186B2 (ja) * 1999-11-19 2009-06-17 株式会社荏原製作所 めっき解析方法
US6352623B1 (en) * 1999-12-17 2002-03-05 Nutool, Inc. Vertically configured chamber used for multiple processes
US6415804B1 (en) * 1999-12-23 2002-07-09 Lam Research Corporation Bowl for processing semiconductor wafers
US6780374B2 (en) * 2000-12-08 2004-08-24 Semitool, Inc. Method and apparatus for processing a microelectronic workpiece at an elevated temperature
US6503375B1 (en) * 2000-02-11 2003-01-07 Applied Materials, Inc Electroplating apparatus using a perforated phosphorus doped consumable anode
US6551483B1 (en) * 2000-02-29 2003-04-22 Novellus Systems, Inc. Method for potential controlled electroplating of fine patterns on semiconductor wafers
US6521102B1 (en) * 2000-03-24 2003-02-18 Applied Materials, Inc. Perforated anode for uniform deposition of a metal layer
US6586342B1 (en) * 2000-04-25 2003-07-01 Novellus Systems, Inc. Edge bevel removal of copper from silicon wafers
US6527920B1 (en) * 2000-05-10 2003-03-04 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating apparatus
US6695962B2 (en) * 2001-05-01 2004-02-24 Nutool Inc. Anode designs for planar metal deposits with enhanced electrolyte solution blending and process of supplying electrolyte solution using such designs
WO2001096632A2 (en) * 2000-06-15 2001-12-20 Applied Materials, Inc. A method and apparatus for conditioning electrochemical baths in plating technology
US6576110B2 (en) * 2000-07-07 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Coated anode apparatus and associated method
US6554391B1 (en) * 2000-07-20 2003-04-29 Eastman Kodak Company Rotating disk cleaning assembly apparatus and method for an ink jet print head with fixed gutter
US6544391B1 (en) * 2000-10-17 2003-04-08 Semitool, Inc. Reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece including improved electrode assembly
US6964792B1 (en) * 2000-11-03 2005-11-15 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for controlling electrolyte flow for uniform plating
JP3642730B2 (ja) * 2000-11-29 2005-04-27 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき液組成の管理方法
US6432821B1 (en) 2000-12-18 2002-08-13 Intel Corporation Method of copper electroplating
US6866763B2 (en) * 2001-01-17 2005-03-15 Asm Nutool. Inc. Method and system monitoring and controlling film thickness profile during plating and electroetching
JP2002220692A (ja) * 2001-01-24 2002-08-09 Ebara Corp めっき装置及び方法
US20020098508A1 (en) * 2001-01-24 2002-07-25 Williams B. Nash Genome reading device
US6736952B2 (en) * 2001-02-12 2004-05-18 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for electrochemical planarization of a workpiece
US6899804B2 (en) * 2001-12-21 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing
US6740221B2 (en) * 2001-03-15 2004-05-25 Applied Materials Inc. Method of forming copper interconnects
US6800187B1 (en) * 2001-05-31 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Clamshell apparatus for electrochemically treating wafers
US6551487B1 (en) 2001-05-31 2003-04-22 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for controlled-angle wafer immersion
US6592747B2 (en) 2001-06-18 2003-07-15 International Business Machines Corporation Method of controlling additives in copper plating baths
US6592736B2 (en) * 2001-07-09 2003-07-15 Semitool, Inc. Methods and apparatus for controlling an amount of a chemical constituent of an electrochemical bath
US6908540B2 (en) 2001-07-13 2005-06-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for encapsulation of an edge of a substrate during an electro-chemical deposition process
JP2003105584A (ja) * 2001-07-26 2003-04-09 Electroplating Eng Of Japan Co 微細配線埋め込み用銅メッキ液及びそれを用いた銅メッキ方法
US20030029726A1 (en) * 2001-08-07 2003-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of evaluating electroplating solutions and conditions
US20030070695A1 (en) * 2001-10-16 2003-04-17 Applied Materials, Inc. N2 splash guard for liquid injection on the rotating substrate
US6989084B2 (en) * 2001-11-02 2006-01-24 Rockwell Scientific Licensing, Llc Semiconductor wafer plating cell assembly
US6518184B1 (en) 2002-01-18 2003-02-11 Intel Corporation Enhancement of an interconnect
US6875333B2 (en) * 2002-02-14 2005-04-05 Electroplating Engineers Of Japan Limited Plating apparatus for wafer
US20030159937A1 (en) * 2002-02-27 2003-08-28 Applied Materials, Inc. Method to reduce the depletion of organics in electroplating baths
US6893505B2 (en) * 2002-05-08 2005-05-17 Semitool, Inc. Apparatus and method for regulating fluid flows, such as flows of electrochemical processing fluids
US6843897B2 (en) * 2002-05-28 2005-01-18 Applied Materials, Inc. Anode slime reduction method while maintaining low current
TW592113U (en) * 2002-07-23 2004-06-11 Chung-Jen Pai Opening/closing device for outlet of grinding device
US6762424B2 (en) * 2002-07-23 2004-07-13 Intel Corporation Plasma generation
US20040118694A1 (en) * 2002-12-19 2004-06-24 Applied Materials, Inc. Multi-chemistry electrochemical processing system
US7247222B2 (en) * 2002-07-24 2007-07-24 Applied Materials, Inc. Electrochemical processing cell
US7128823B2 (en) * 2002-07-24 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Anolyte for copper plating
US7223323B2 (en) * 2002-07-24 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Multi-chemistry plating system
US20040134775A1 (en) * 2002-07-24 2004-07-15 Applied Materials, Inc. Electrochemical processing cell
US6790773B1 (en) * 2002-08-28 2004-09-14 Novellus Systems, Inc. Process for forming barrier/seed structures for integrated circuits
US6852209B2 (en) * 2002-10-02 2005-02-08 Applied Materials, Inc. Insoluble electrode for electrochemical operations on substrates
US7067045B2 (en) * 2002-10-18 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for sealing electrical contacts during an electrochemical deposition process
US7025862B2 (en) * 2002-10-22 2006-04-11 Applied Materials Plating uniformity control by contact ring shaping
US20040200725A1 (en) * 2003-04-09 2004-10-14 Applied Materials Inc. Application of antifoaming agent to reduce defects in a semiconductor electrochemical plating process
US6884335B2 (en) * 2003-05-20 2005-04-26 Novellus Systems, Inc. Electroplating using DC current interruption and variable rotation rate

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150052801A (ko) * 2013-11-06 2015-05-14 램 리써치 코포레이션 전기도금 셀 내에서의 균일한 플로우 거동을 위한 방법
KR20220017982A (ko) * 2013-11-06 2022-02-14 램 리써치 코포레이션 전기도금 셀 내에서의 균일한 플로우 거동을 위한 방법
KR20160119760A (ko) * 2014-02-10 2016-10-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 애노드 홀더 및 도금 장치

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