KR20050024177A - 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프 제조방법 - Google Patents
나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프 제조방법 Download PDFInfo
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Description
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- 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프의 제조방법에 있어서,기판 상에 나노 패턴을 포함하는 패턴이 정의된 마스크 층을 형성하는 단계와;상기 마스크 층을 사용하여 상기 기판 표면을 식각하여 상기 나노 패턴이 포함된 패턴을 상기 기판으로 전사하는 단계;상기 마스크 층을 제거하는 단계;상기 패턴이 형성된 기판에 스탬프를 형성하기 위한 소정 재료를 상기 식각된 나노 패턴을 충진시키도록 증착하는 단계;상기 스탬프의 상기 기판에 대향되는 일측면에 상기 스탬프의 핸들링을 위한 투명 핸들링 웨이퍼를 본딩하는 단계; 및상기 기판을 식각하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 마스크 층을 형성하는 단계는:상기 기판에 포토레지스트를 도포하고, 전자 빔에 의한 노광 및 현상하는 단계를 포함하는 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 또는 산화 실리콘 기판인나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 스탬프를 형성하기 위한 재료는실리콘 산화막, 실리콘 탄화막, 실리콘 질화막 및 산화알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 어느 한 재료인 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 마스크를 제거하는 단계 후, 상기 패턴이 형성된 기판에 식각을 제한하는 식각정지층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 식각정지층은 내식성이 강한 질화 실리콘 등을 이용한 불순물층이나 전기화학적 경계층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판에 스탬프를 형성하는 재료를 증착시키는 단계 후, 상기 증착된 재료 상부를 평탄화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 기판을 식각하여 제거하는 단계 후, 상기 식각정지층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판에 스탬프를 형성하는 재료를 증착시킨 후, 상기 재료 위에 포토레지스트를 도포하는 단계와;상기 포토레지스트에 임프린팅시 발생하는 잔여의 레진을 수용하는 마이크로 채널에 대한 패턴을 정의하기 위하여 노광하는 단계와;상기 포토레지스트를 현상하고 상기 마이크로 채널 영역을 식각하여 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 포토레지스트에 상기 마이크로 채널에 대한 패턴을 노광하는 단계는, 광학 리소그라피에 사용되는 g-line(435㎚), i-line(365㎚), 248㎚ DUV(Deep Ultraviolet)를 생성하는 KrF(Krypton Fluoride) 엑시머 레이저 중 적어도 하나를 광원으로 사용하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프의 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0062050A KR100532828B1 (ko) | 2003-09-05 | 2003-09-05 | 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프 제조방법 |
US10/772,141 US20050018526A1 (en) | 2003-07-21 | 2004-02-03 | Phase-change memory device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0062050A KR100532828B1 (ko) | 2003-09-05 | 2003-09-05 | 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050024177A true KR20050024177A (ko) | 2005-03-10 |
KR100532828B1 KR100532828B1 (ko) | 2005-12-01 |
Family
ID=37231597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2003-0062050A KR100532828B1 (ko) | 2003-07-21 | 2003-09-05 | 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100532828B1 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100912598B1 (ko) * | 2007-11-13 | 2009-08-19 | 고려대학교 산학협력단 | 더미 나노 패턴을 구비한 나노 임프린트용 스탬프 및 이를이용한 나노 임프린팅 방법 |
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US7875477B2 (en) | 2005-07-19 | 2011-01-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Manufacturing method of liquid crystal display |
US8043799B2 (en) | 2005-06-07 | 2011-10-25 | Lg Display Co., Ltd. | Soft mold, method of manufacturing the same, and patterning method using the same |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100894124B1 (ko) | 2006-09-26 | 2009-04-20 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 나노 임프린트 방식을 이용한 다층 패턴 형성 방법 |
KR100897931B1 (ko) | 2006-12-30 | 2009-05-18 | 고려대학교 산학협력단 | 나노스탬프 제조방법 |
KR101009340B1 (ko) | 2009-06-09 | 2011-01-19 | 한국기계연구원 | 나노입자 박막 제조방법 및 이를 이용하는 나노 임프린트용 스탬프 제작방법 |
-
2003
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US7875477B2 (en) | 2005-07-19 | 2011-01-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Manufacturing method of liquid crystal display |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR100532828B1 (ko) | 2005-12-01 |
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