KR100894124B1 - 나노 임프린트 방식을 이용한 다층 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 형성할 다층 패턴의 각 층 패턴에 대응하는 요철부를 각각 레이저에 의해 기계적으로 가공한 복수의 스탬프들을 준비하는 1 단계와;기판의 상부에 패턴을 형성할 대상 물질을 성막하는 2 단계와;상기 대상 물질 상부에 마스크 물질을 성막한 후 그 위에 상기 복수의 스탬프들 중 하나의 스탬프를 압착하는 3 단계와;상기 마스크 물질을 경화시키는 4 단계와;상기 하나의 스탬프를 제거하고 상기 하나의 스탬프의 형상에 대응되게 형성된 상기 마스크 물질을 이용하여 상기 대상 물질을 패터닝하는 5 단계와;상기 마스크 물질을 제거한 후 필요에 따라 그 구조물 상부에 절연막을 형성하는 6 단계와;상기 복수의 스탬프들을 순차적으로 적용하면서 상기 2 단계 내지 6 단계를 반복하여 상기 기판 위에 다층 패턴을 형성하는 7 단계를 포함하여 진행되는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다층 패턴 형성 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 스탬프들은 투명 재질인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다층 패턴 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 대상 물질은 도전층인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다층 패턴 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 마스크 물질은 감광성 물질을 포함하는 포토 레지스트인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다층 패턴 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 1 단계에서 7 단계를 포함하여 진행되어 제작되는 것은 표시소자의 구동부인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다층 패턴 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 4 단계 진행 과정 중 마스크 물질은 상기 하나의 스탬프를 압착한 상태에서 자외선을 조사하여 경화시키고, 상기 하나의 스탬프는 투명 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다층 패턴 형성 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 4 단계 진행 과정 중 마스크 물질은 상기 하나의 스탬프를 압착한 상태에서 열을 가하여 경화시키는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다층 패턴 형성 방법.
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Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
KR101417797B1 (ko) * | 2013-01-07 | 2014-07-14 | 주식회사 세코닉스 | 복합 패턴을 구현하는 방법 및 그 복합 패턴이 구비된 시트 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000194142A (ja) | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | パタ―ン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
KR20050090839A (ko) * | 2004-03-10 | 2005-09-14 | 엘지전자 주식회사 | 임프린트 장치 및 임프린트 방법 |
KR100532828B1 (ko) | 2003-09-05 | 2005-12-01 | 이헌 | 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프 제조방법 |
KR20060060232A (ko) * | 2004-11-30 | 2006-06-05 | 삼성전자주식회사 | 유기절연막 패턴형성 방법 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000194142A (ja) | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | パタ―ン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
KR100532828B1 (ko) | 2003-09-05 | 2005-12-01 | 이헌 | 나노 임프린팅 리소그라피에 사용되는 투명 스탬프 제조방법 |
KR20050090839A (ko) * | 2004-03-10 | 2005-09-14 | 엘지전자 주식회사 | 임프린트 장치 및 임프린트 방법 |
KR20060060232A (ko) * | 2004-11-30 | 2006-06-05 | 삼성전자주식회사 | 유기절연막 패턴형성 방법 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101001619B1 (ko) | 2008-10-07 | 2010-12-17 | 한국과학기술원 | 패턴 전사 방법 및 패턴 전사 시스템 |
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