KR20050006720A - 웨이퍼 그립장치 - Google Patents

웨이퍼 그립장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20050006720A
KR20050006720A KR1020030046646A KR20030046646A KR20050006720A KR 20050006720 A KR20050006720 A KR 20050006720A KR 1020030046646 A KR1020030046646 A KR 1020030046646A KR 20030046646 A KR20030046646 A KR 20030046646A KR 20050006720 A KR20050006720 A KR 20050006720A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
notch
grip
edge
pin
Prior art date
Application number
KR1020030046646A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100517406B1 (ko
Inventor
한신혁
조규철
최삼종
김연숙
전태훈
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2003-0046646A priority Critical patent/KR100517406B1/ko
Publication of KR20050006720A publication Critical patent/KR20050006720A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100517406B1 publication Critical patent/KR100517406B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

보다 안정적인 그립(grip)을 통해 상기 웨이퍼의 이탈에 의한 파손을 줄이고, 그립핀의 수를 줄여 웨이퍼의 오염이 감소하도록 하는 웨이퍼 그립장치가 개시된다. 노치 그립핀은 웨이퍼의 노치 입구의 너비보다 좁은 너비를 가지며 상기 노치 내면 상에 접촉하기 위한 노치접촉부를 포함한다. 하나 이상의 에지 그립핀이 상기 웨이퍼의 에지에 접촉되기 위해 구비된다. 실린더는 상기 노치 그립핀 및 상기 에지 그립핀을 부착하며, 상기 노치 그립핀 및 상기 에지 그립핀 사이의 거리를 조절한다. 따라서, 반도체 제조공정 중에 웨이퍼를 보다 안정적으로 그립하고, 웨이퍼의 오염이나 파티클(particle)로 인한 불량의 발생이 줄어들게 되어, 작업의 효율성 및 신뢰성이 향상된다.

Description

웨이퍼 그립장치{APPARATUS FOR GRIPPING WAFER}
본 발명은 웨이퍼 그립장치에 관한 것이다. 상세하게는, 보다 안정적인 그립(grip)을 통해 상기 웨이퍼의 이탈에 의한 파손을 줄이고, 그립핀의 수를 줄여 웨이퍼의 오염이 감소하도록 하는 웨이퍼 그립장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 집적도가 증가함에 따라 웨이퍼에 형성되는 패턴의 미세화가 더욱 요구되고 있으며, 이로 인해 반도체 장치를 제조하기 위한 제조공정들은 점차 복잡해지고 있다. 반도체 장치를 제조하기 위한 공정은 매우 다양하고 복잡하다. 세정(Cleaning), 열처리(Thermal Treatment), 불순물 도입(Impurity Doping), 박막형성(Thin Film Deposition), 리소그래피(Lithography), 평탄화(Planarization)등의 기본공정들이 복수 회 수행되며 그밖에 다양한 검사가 수시로 행해진다.
상기 웨이퍼는 충격에 극도로 취약한 재질 및 구조를 가지고 있으므로 상기 다양한 제조공정을 거치는 동안 안정적인 관리가 필요하다. 특히, 상기 웨이퍼의 이동 중에는 상기 웨이퍼가 지지대에서 이탈하지 않도록 상기 웨이퍼를 안정적으로 고정시켜야 한다.
또한, 상기 제조공정의 다양화 및 복잡화로 인해 상기 반도체 장치가 금속오염, 파티클(Particle)의 존재, 대미지(Damage)등의 오염원에 노출될 수 있는 가능성을 점차 증가시킨다. 결과적으로 오염원에 의한 반도체 장치의 불량률 증가로 인해 반도체 수율 및 작업의 효율성이 저하되고, 공정의 신뢰성이 손상된다.
따라서, 상기 웨이퍼를 안정적으로 이동시키며 상기 이동시에 상기 웨이퍼를 오염시킬 수 있는 요인을 줄이려는 다양한 연구노력이 수행되고 있다.
상기 기본공정을 수행함에 있어서 상기 웨이퍼를 다른 공정으로 이동시키거나 상기 각각의 기본공정을 진행하는 과정에서 상기 웨이퍼를 안정시키기 위해 그립장치, 진공흡착기 등의 고정장치를 이용한다. 상기 웨이퍼는 원판형태를 가지며 상기 웨이퍼는 상기 각각의 기본공정을 진행하는 동안 상기 웨이퍼의 정렬을 위해 일부분에 가공된 홈인 노치(notch)를 가진다.
도 1은 종래의 웨이퍼 그립장치를 나타내기 위한 개략도이다.
도 1 을 참조하면, 상기 종래의 웨이퍼 그립장치는 상기 웨이퍼(100)의 에지(edge)상의 제1 지점에 접촉하기 위한 제1 에지 그립핀(106a); 상기 웨이퍼(100)의 에지상의 제2 지점에 접촉하기 위한 제2 에지 그립핀(106b); 상기 웨이퍼(100)의 에지상의 제3 지점에 접촉하기 위한 제3 에지 그립핀(104); 및 상기제1 에지 그립핀(106a), 상기 제2 에지 그립핀(106b) 및 상기 제3 에지 그립핀(104)을 부착하며, 상기 제1 에지 그립핀(106a), 상기 제2 에지 그립핀(106b) 및 상기 제3 에지 그립핀(104) 사이의 거리를 조절하기 위한 와이(Y) 형태의 실린더(108)를 포함하고 있다.
도 2a는 상기 도 1의 A부분을 확대한 웨이퍼(100)의 평면 방향의 단면도이다.
도 2b는 상기 도 1의 상기 그립핀(104, 106a, 106b)을 나타내기 위한 사시도이다.
상기 종래의 웨이퍼 그립장치의 상기 그립핀들(104, 106a, 106b)은 상기 웨이퍼(100)의 에지와 노치(102)를 구분하지 않고 그립한다. 상기 웨이퍼(100)의 에지는 완만한 원호의 형태를 가지고 있으며, 상기 웨이퍼(100) 상에서의 응력의 집중 및 파티클의 발생을 억제하기 위해 에지 그라인딩(edge grinding)을 하고 있다.
그러나, 상기 웨이퍼(100)의 노치(102)는 상기 웨이퍼(100)의 안쪽으로 들어간 홈의 형상을 띠고 있으므로 상기 에지와는 다른 형상을 띠고 있다.
도 2b를 참조하면, 상기 제3 에지 그립핀(104)이 상기 노치(102)에 접촉하는 경우 노치(102)의 홈에 의한 영향을 줄이기 위해 상기 노치(102) 입구의 너비보다 넓은 너비를 가진다. 도 2a를 참조하면, 상기 제3 에지 그립핀(104)이 상기 노치(102)에 접촉한 경우에는 상기 웨이퍼(100)에 완전히 밀착되지 않기 때문에, 상기 제3 에지 그립핀(104)과 상기 웨이퍼(100) 사이의 결속력이 약해진다.
상기 결속력을 증가시키기 위해서는 그립핀의 수를 늘리는 방법이 있으나,극도의 청정한 환경을 요구하는 반도체 제조공정의 특성상 상기 그립핀 자체가 추가적인 오염원으로 작용할 수 있다. 따라서, 상기 오염원과의 접촉을 줄이기 위해서는 그립핀의 수가 적은 것이 유리하다.
즉, 상기 웨이퍼(100)와의 결속력을 증가시키면서도 잠재적인 오염원인 그립핀(grip pin)의 수를 늘리지 않는 웨이퍼 그립장치가 필요하다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 보다 안정적인 그립(grip)을 통해 상기 웨이퍼의 이탈에 의한 파손율을 저하시키고 그립핀의 수를 줄여 웨이퍼의 오염이 감소하도록 하는 웨이퍼 그립장치을 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 웨이퍼 그립장치를 나타내기 위한 개략도이다.
도 2a는 상기 도 1의 A부분을 확대한 웨이퍼의 평면 방향의 단면도이다.
도 2b는 상기 도 1의 그립핀을 나타내기 위한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 그립장치를 나타내기 위한 개략도이다.
도 4a는 상기 도 3의 B부분을 확대한 웨이퍼의 평면 방향의 단면도이다.
도 4b는 상기 도 3의 노치 그립핀을 나타내기 위한 사시도이다.
도 5a는 본 발명의 제2 실시예에 따라 노치 그립핀이 상기 웨이퍼의 노치에 접촉한 모습을 나타내기 위한 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 노치 그립핀을 나타내기 위한 사시도이다.
도 6a는 본 발명의 제3 실시예에 따라 노치 그립핀이 상기 웨이퍼의 노치에 접촉한 모습을 나타내기 위한 단면도이다.
도 6b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 노치 그립핀을 나타내기 위한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 그립장치를 나타내기 위한 개략도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100, 200 : 웨이퍼 102, 202 : 노치(notch)
106a, 206a : 제1 에지 그립핀 106b, 206b : 제2 에지 그립핀
104 : 제3 에지 그립핀 204a, 204b, 204c : 노치 그립핀
207, 207a, 207b : 노치내의 접촉점
108, 208 : 아이(Y) 형태의 실린더 210 : 아이(I) 형태의 실린더
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 노치가 정렬된 웨이퍼를 준비하여, 상기 웨이퍼의 노치 입구의 너비보다 좁은 너비를 가지며 상기 노치의 내면 상에 접촉하기 위한 노치접촉부를 포함하는 노치 그립핀; 상기 웨이퍼의 에지에 접촉하기 위한 하나 이상의 에지 그립핀; 및 상기 노치 그립핀 및 상기 에지 그립핀을 부착하며, 상기 노치 그립핀 및 상기 에지 그립핀 사이의 거리를 조절하기 위한 거리조절수단을 포함하는 웨이퍼 그립장치를 제공한다.
본 발명에 따르면, 노치접촉부를 포함하는 노치 그립핀(notch grip pin)을 이용하여 보다 안정적으로 웨이퍼를 그립하여 상기 웨이퍼의 이탈에 의한 파손을 줄이고, 상기 그립핀의 수를 줄임으로써 상기 웨이퍼의 오염을 감소한다.
따라서, 상기 웨이퍼의 이동 중 상기 웨이퍼의 이탈에 의해 발생하는 손실이줄어들고, 반도체 제조공정 중에 웨이퍼의 오염이나 파티클(particle)로 인한 불량의 발생이 줄어들어 작업의 효율성 및 신뢰성이 향상된다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
제1 실시예
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 그립장치를 나타내기 위한 개략도이다. 도 3을 참조하면, 웨이퍼 그립장치는 노치 그립핀(204a), 제1 에지 그립핀(206a), 제2 에지 그립핀(206b) 및 와이(Y) 형태의 실린더(208)를 포함한다.
상기 웨이퍼(200)는 노치(202)방향으로 일정하게 정렬된다.
도 4a는 상기 도 3의 B부분을 확대한 웨이퍼(200)의 평면 방향의 단면도이다. 상기 노치 그립핀(204a)은 웨이퍼(200) 방향의 면에 노치접촉부를 구비하고 있다.
도 4a를 참조하면, 상기 노치접촉부는 상기 노치(202)의 내면 상에 접촉하기 위하여 상기 웨이퍼(200)의 노치(202) 입구의 너비보다 좁은 너비를 가지며 상기 노치(202)의 내면 상에 있는 접촉점(207)에 접촉한다. 상기 노치 접촉부의 상기 웨이퍼(200) 평면상에서의 단면형상은 원형이다. 상기 단면형상의 반지름은 노치(202) 중앙부의 곡률반경보다 작은 값을 가진다. 따라서 상기 노치 접촉부는 상기 노치(202)내에 수용되어 상기 노치 중앙부의 접촉점(207)에서 상기 웨이퍼(200)와 접촉한다.
도 4b는 상기 도 3의 노치 그립핀을 나타내기 위한 사시도이다. 도 4b를 참조하면, 상기 노치접촉부가 상기 웨이퍼(200) 방향의 면에 요부를 가짐으로써 상기 웨이퍼(200)의 수직방향으로의 이동을 구속한다.
상기 제1 에지 그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)은 각각 상기 웨이퍼(200)의 제1 에지 및 제2 에지에 접촉하여 상기 웨이퍼(200)를 그립한다. 상기 웨이퍼(200)의 에지는 완만한 원호의 형태를 가지고 있다. 상기 에지 그립핀은 상기 웨이퍼(200)의 에지의 형상을 따라서 상기 웨이퍼(200) 평면 상에서 완만한 원호의 단면을 가짐으로써, 상기 웨이퍼(200)의 그립시에 상기 에지에 밀착된다.
바람직하게는, 상기 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 에지 그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)이 상기 웨이퍼(200) 방향의 면에 요부를 가짐으로써 상기 웨이퍼(200)의 수직방향으로의 이동을 구속한다.
상기 노치 그립핀(204a), 상기 제1 에지 그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)은 반도체 공정의 특성상 금속오염 및 파티클의 발생이 없는 재질이어야 한다. 또한, 상기 웨이퍼(200)의 안정적인 그립을 위해 정지마찰계수가 커야하므로 상기 그립핀들(204a, 206a, 206b)의 재질은 고무로 한다. 상기 노치 그립핀(204a)의 재질로 고무를 사용하는 경우, 상기 노치 접촉부는 상기 노치 중앙부의 접촉점(207)을 중심으로 인접한 지점까지 넓게 밀착되서 상기 웨이퍼(200)를 안정적으로 그립한다.
상기 와이(Y) 형태의 실린더는 상기 노치 그립핀(204a), 상기 제1 에지 그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)을 부착하고 있다. 상기 노치 그립핀(204a)은 상기 실린더의 노치(202)방향의 로드(rod)상에 부착되며, 그 위치는 상기 실린더의 중심에서 상기 웨이퍼(200)의 반지름에 해당하는 지점이다. 상기 제1 에지 그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)은 상기 실린더의 에지방향의 두 로드(rod)상에 각각 부착되며, 그 위치는 상기 실린더의 중심에서 상기 웨이퍼(200)의 반지름에 해당하는 지점이다.
상기 실린더는 유압에 의해 각각의 로드(rod)의 길이가 신장되거나 수축되어 상기 그립핀들 사이의 거리를 조절한다. 상기 거리의 조절을 통해 상기 그립핀들이 상기 웨이퍼에 밀착되어 상기 웨이퍼를 그립한다.
제2 실시예
도 5a는 본 발명의 제2 실시예에 따라 노치 그립핀이 상기 웨이퍼(200)의 노치에 접촉한 모습을 나타내기 위한 단면도이다.
웨이퍼 그립장치는 노치 그립핀(204b), 제1 에지 그립핀(206a), 제2 에지 그립핀(206b) 및 와이(Y) 형태의 실린더(208)를 포함한다.
상기 웨이퍼(200)는 노치(202)방향으로 일정하게 정렬된다.
상기 노치 그립핀(204b)은 웨이퍼(200) 방향의 면에 노치접촉부를 구비하고 있다. 도 5a를 참조하면, 상기 노치접촉부는 상기 노치(202)의 내면 상에 접촉하기 위하여 상기 웨이퍼(200)의 노치(202) 입구의 너비보다 좁은 너비를 가지며 상기 노치(202)의 내면 상의 접촉점(207a, 207b)에 접촉한다. 상기 노치 접촉부의 상기 웨이퍼(200) 평면상에서의 단면형상은 원형이다. 상기 단면형상의 반지름은 노치(202) 중앙부의 곡률반경보다 큰 값을 가진다. 따라서 상기 노치 접촉부는 상기 노치(202)내에 수용되어 상기 노치 중앙부가 아닌 상기 노치 내에서 서로 마주보는 두 접촉점(207a, 207b)에서 상기 웨이퍼(200)와 접촉한다.
도 5b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 노치 그립핀을 나타내기 위한 사시도이다. 도 5b를 참조하면, 상기 노치접촉부가 상기 웨이퍼 방향의 면에 요부를 가짐으로써 상기 웨이퍼(200)의 수직방향으로의 이동을 구속한다.
상기 제1 에지 그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)은 각각 상기 웨이퍼(200)의 제1 에지 및 제2 에지에 접촉하여 상기 웨이퍼(200)를 그립한다. 상기 웨이퍼(200)의 에지는 완만한 원호의 형태를 가지고 있다. 상기 에지 그립핀은 상기 웨이퍼(200)의 에지의 형상을 따라서 상기 웨이퍼(200) 평면 상에서 완만한 원호의 단면을 가짐으로써, 상기 웨이퍼(200)의 그립시에 상기 에지에 밀착된다.
바람직하게는, 상기 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 에지 그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)이 상기 웨이퍼(200) 방향의 면에 요부를 가짐으로써 상기 웨이퍼(200)의 수직방향으로의 이동을 구속한다.
상기 노치 그립핀(204b), 상기 제1 에지 그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)은 반도체 공정의 특성상 금속오염 및 파티클의 발생이 없는 재질이어야 한다. 또한, 상기 웨이퍼(200)의 안정적인 그립을 위해 정지마찰계수가 커야하므로 상기 그립핀들(204b, 206a, 206b)의 재질은 고무로 한다. 상기 노치 그립핀(204b)의 재질로 고무를 사용하는 경우, 상기 노치 접촉부는 상기 노치 내에서 서로 마주보는 두 접촉점(207a, 207b)을 중심으로 인접한 지점까지 넓게 밀착되서 상기 웨이퍼(200)를 안정적으로 그립한다.
상기 와이(Y) 형태의 실린더(208)는 상기 노치 그립핀(204b), 상기 제1 에지그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)을 부착하고 있다. 상기 노치 그립핀(204b)은 상기 실린더의 노치(202)방향의 로드(rod)상에 부착되며, 그 위치는 상기 실린더의 중심에서 상기 웨이퍼(200)의 반지름에 해당하는 지점이다. 상기 제1 에지 그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)은 상기 실린더의 에지방향의 두 로드(rod)상에 각각 부착되며, 그 위치는 상기 실린더의 중심에서 상기 웨이퍼(200)의 반지름에 해당하는 지점이다.
상기 실린더는 유압에 의해 각각의 로드(rod)의 길이가 신장되거나 수축되어 상기 그립핀들 사이의 거리를 조절한다. 상기 거리의 조절을 통해 상기 그립핀들이 상기 웨이퍼에 밀착되어 상기 웨이퍼를 그립한다.
제3 실시예
도 6a는 본 발명의 제3 실시예에 따라 노치 그립핀이 웨이퍼(200)의 노치에 접촉한 모습을 나타내기 위한 단면도이다.
웨이퍼 그립장치는 노치 그립핀(204c), 제1 에지 그립핀(206a), 제2 에지 그립핀(206b) 및 와이(Y) 형태의 실린더(208)를 포함한다.
상기 웨이퍼(200)는 노치(202)방향으로 일정하게 정렬된다.
상기 노치 그립핀(204c)은 웨이퍼(200) 방향의 면에 노치접촉부를 구비하고 있다. 도 6a를 참조하면, 상기 노치접촉부는 상기 노치(202)의 내면 상에 접촉하기 위하여 상기 웨이퍼(200)의 노치(202) 입구의 너비보다 좁은 너비를 가지며 상기 노치(202)의 내면 상의 접촉점(207a, 207b)에 접촉한다. 상기 노치 접촉부의 상기 웨이퍼(200) 평면상에서의 단면형상은 웨이브(wave) 형상이다. 상기 웨이브 형상의중앙부의 곡률반경은 노치(202) 중앙부의 곡률반경보다 큰 값을 가진다. 따라서 상기 노치 접촉부는 상기 노치(202)내에 수용되어 상기 노치 중앙부가 아닌 상기 노치 내에서 서로 마주보는 두 접촉점(207a, 207b)에서 상기 웨이퍼(200)와 접촉한다.
도 6b은 본 발명의 제3 실시예에 따른 노치 그립핀을 나타내기 위한 사시도이다. 도 6b를 참조하면, 상기 노치접촉부가 상기 웨이퍼 방향의 면에 요부를 가짐으로써 상기 웨이퍼(200)의 수직방향으로의 이동을 구속한다.
상기 제1 에지 그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)은 각각 상기 웨이퍼(200)의 제1 에지 및 제2 에지에 접촉하여 상기 웨이퍼(200)를 그립한다. 상기 웨이퍼(200)의 에지는 완만한 원호의 형태를 가지고 있다. 상기 에지 그립핀은 상기 웨이퍼(200)의 에지의 형상을 따라서 상기 웨이퍼(200) 평면 상에서 완만한 원호의 단면을 가짐으로써, 상기 웨이퍼(200)의 그립시에 상기 에지에 밀착된다.
바람직하게는, 상기 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 에지 그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)이 상기 웨이퍼(200) 방향의 면에 요부를 가짐으로써 상기 웨이퍼(200)의 수직방향으로의 이동을 구속한다.
상기 노치 그립핀(204c), 상기 제1 에지 그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)은 반도체 공정의 특성상 금속오염 및 파티클의 발생이 없는 재질이어야 한다. 또한, 상기 웨이퍼(200)의 안정적인 그립을 위해 정지마찰계수가 커야하므로 상기 그립핀들(204c, 206a, 206b)의 재질은 고무로 한다. 상기 노치 그립핀(204c)의 재질로 고무를 사용하는 경우, 상기 노치 접촉부는 상기 노치 내에서 서로 마주보는 두 접촉점(207a, 207b)을 중심으로 인접한 지점까지 넓게 밀착되서 상기 웨이퍼(200)를 안정적으로 그립한다.
상기 와이(Y) 형태의 실린더(208)는 상기 노치 그립핀(204c), 상기 제1 에지 그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)을 부착하고 있다. 상기 노치 그립핀(204c)은 상기 실린더의 노치(202)방향의 로드(rod)상에 부착되며, 그 위치는 상기 실린더의 중심에서 상기 웨이퍼(200)의 반지름에 해당하는 지점이다. 상기 제1 에지 그립핀(206a) 및 상기 제2 에지 그립핀(206b)은 상기 실린더의 에지방향의 두 로드(rod)상에 각각 부착되며, 그 위치는 상기 실린더의 중심에서 상기 웨이퍼(200)의 반지름에 해당하는 지점이다.
상기 실린더는 유압에 의해 각각의 로드(rod)의 길이가 신장되거나 수축되어 상기 그립핀들 사이의 거리를 조절한다. 상기 거리의 조절을 통해 상기 그립핀들이 상기 웨이퍼에 밀착되어 상기 웨이퍼를 그립한다.
제4 실시예
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 그립장치를 나타내기 위한 개략도이다. 도 7을 참조하면, 웨이퍼 그립장치는 노치 그립핀(204c), 제1 에지 그립핀(206a) 및 아이(I) 형태의 실린더(210)를 포함한다.
상기 웨이퍼(200)는 노치(202)방향으로 일정하게 정렬된다.
상기 노치 그립핀(204c)은 웨이퍼(200) 방향의 면에 노치접촉부를 구비하고 있다. 상기 노치접촉부는 상기 노치(202)의 내면 상에 접촉하기 위하여 상기 웨이퍼(200)의 노치(202) 입구의 너비보다 좁은 너비를 가지며 상기 노치(202)의 내면상에 있는 접촉점(207a, 207b)에 접촉한다. 상기 노치 접촉부의 상기 웨이퍼(200) 평면상에서의 단면형상은 웨이브(wave) 형상이다. 상기 웨이브 형상의 중앙부의 곡률반경은 노치(202) 중앙부의 곡률반경보다 큰 값을 가진다. 따라서 상기 노치 접촉부는 상기 노치(202)내에 수용되어 상기 노치 중앙부가 아닌 상기 노치 내에서 서로 마주보는 두 접촉점(207a, 207b)에서 상기 웨이퍼(200)와 접촉한다.
상기 노치접촉부는 상기 웨이퍼(200) 방향의 면에 요부를 가짐으로써 상기 웨이퍼(200)의 수직방향으로의 이동을 구속한다. 즉, 상기 도 9b에서의 노치 그립핀과 동일한 형상을 가진다.
상기 제1 에지 그립핀(206a)은 상기 웨이퍼(200)의 제1 에지에 접촉하여 상기 웨이퍼(200)를 그립한다. 상기 제1 에지는 상기 노치의 방향의 반대 방향에 위치한다. 상기 웨이퍼(200)의 에지는 완만한 원호의 형태를 가지고 있다. 상기 제1 에지 그립핀(206a)은 상기 웨이퍼(200)의 에지의 형상을 따라서 상기 웨이퍼(200) 평면 상에서 완만한 원호의 단면을 가짐으로써, 상기 웨이퍼(200)의 그립시에 상기 제1 에지에 밀착된다.
바람직하게는, 상기 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 에지 그립핀(206a)이 상기 웨이퍼(200) 방향의 면에 요부를 가짐으로써 상기 웨이퍼(200)의 수직방향으로의 이동을 구속한다.
상기 노치 그립핀(204c) 및 상기 제1 에지 그립핀(206a)은 반도체 공정의 특성상 금속오염 및 파티클의 발생이 없는 재질이어야 한다. 또한, 상기 웨이퍼(200)의 안정적인 그립을 위해 정지마찰계수가 커야하므로 상기 그립핀들(204c, 206a)의재질은 고무로 한다. 상기 노치 그립핀(204c)의 재질로 고무를 사용하는 경우, 상기 노치 접촉부는 상기 노치 내에서 서로 마주보는 두 접촉점(207a, 207b)을 중심으로 인접한 지점까지 넓게 밀착되서 상기 웨이퍼(200)를 안정적으로 그립한다.
상기 아이(I) 형태의 실린더(210)는 상기 노치 그립핀(204c) 및 상기 제1 에지 그립핀(206c)을 부착하고 있다. 상기 노치 그립핀(204c)은 상기 실린더의 노치(202)방향의 로드(rod)상에 부착되며, 그 위치는 상기 실린더의 중심에서 상기 웨이퍼(200)의 반지름에 해당하는 지점이다. 상기 제1 에지 그립핀(206c)도 상기 로드(rod)상에 부착되나, 그 위치는 상기 실린더의 중심에서 상기 노치 그립핀(204c)의 반대방향으로 상기 웨이퍼(200)의 반지름에 해당하는 지점이다.
상기 실린더는 유압에 의해 상기 로드(rod)의 길이가 신장되거나 수축되어 상기 그립핀들 사이의 거리를 조절한다. 상기 거리의 조절을 통해 상기 그립핀들이 상기 웨이퍼에 밀착되어 상기 웨이퍼를 그립한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 노치접촉부를 포함하는 노치 그립핀(notch grip pin)을 이용하여 보다 안정적으로 웨이퍼를 그립하여 상기 웨이퍼의 이탈에 의한 파손을 줄이고, 상기 그립핀의 수를 줄임으로써 상기 웨이퍼의 오염을 감소한다.
따라서, 웨이퍼의 이동 중 발생하는 손실이 줄어들고, 반도체 제조공정 중에 웨이퍼의 오염이나 파티클(particle)로 인한 불량의 발생이 줄어들어 작업의 효율성 및 신뢰성이 향상된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 웨이퍼의 노치 입구의 너비보다 좁은 너비를 가지며 상기 노치의 내면 상에 접촉하기 위한 노치접촉부를 포함하는 노치 그립핀;
    상기 웨이퍼의 에지에 접촉하기 위한 하나 이상의 에지 그립핀; 및
    상기 노치 그립핀 및 상기 에지 그립핀을 부착하며, 상기 노치 그립핀 및 상기 에지 그립핀 사이의 거리를 조절하기 위한 거리조절수단을 포함하는 웨이퍼 그립장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노치접촉부는 상기 노치의 가운데에 있는 지점에 접촉하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 그립장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 노치접촉부는 상기 노치 내면 상에서 서로 마주보는 두 지점에 접촉하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 그립장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 노치접촉부는 원형의 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 그립장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 노치접촉부는 웨이브 형상의 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 그립장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 노치 그립핀은 웨이퍼 방향의 면에 상기 웨이퍼를 수직방향으로 구속하기 위한 요부를 가지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 그립장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 노치 그립핀 및 상기 에지 그립핀의 재질은 고무를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 그립장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 에지 그립핀은 상기 노치 방향의 반대 방향에 접촉하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 그립장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 거리조절수단이 상기 웨이퍼의 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 그립장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 거리조절수단은 실린더를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 그립장치.
KR10-2003-0046646A 2003-07-10 2003-07-10 웨이퍼 그립장치 KR100517406B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0046646A KR100517406B1 (ko) 2003-07-10 2003-07-10 웨이퍼 그립장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0046646A KR100517406B1 (ko) 2003-07-10 2003-07-10 웨이퍼 그립장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050006720A true KR20050006720A (ko) 2005-01-17
KR100517406B1 KR100517406B1 (ko) 2005-09-27

Family

ID=37220500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0046646A KR100517406B1 (ko) 2003-07-10 2003-07-10 웨이퍼 그립장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100517406B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100914532B1 (ko) * 2007-10-15 2009-09-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101540885B1 (ko) * 2014-07-29 2015-07-30 주식회사 엘지실트론 웨이퍼의 결함 측정장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100914532B1 (ko) * 2007-10-15 2009-09-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101540885B1 (ko) * 2014-07-29 2015-07-30 주식회사 엘지실트론 웨이퍼의 결함 측정장치
US10255669B2 (en) 2014-07-29 2019-04-09 Sk Siltron Co., Ltd. Defect measuring device for wafers

Also Published As

Publication number Publication date
KR100517406B1 (ko) 2005-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100994505B1 (ko) 바이폴라 전극 패턴이 형성된 정전 척
JP2010040804A (ja) 試料搬送機構
US20100144147A1 (en) Sample holding tool, sample suction device using the same and sample processing method using the same
JP4275420B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR100517406B1 (ko) 웨이퍼 그립장치
US6771482B2 (en) Perimeter seal for backside cooling of substrates
KR101688473B1 (ko) 스핀 현상 방법 및 장치
WO2014171584A1 (ko) 평탄도 유지와 치핑방지에 용이한 반도체 제조설비용 진공 척
KR20170036165A (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US20040206304A1 (en) Pressurized chuck for controlling backside wafer contamination
JP4524084B2 (ja) 半導体ウェーハのローディング装置およびローディング方
JP2000100920A (ja) ウエハ把持装置
JP2005191338A (ja) 基板の保持装置および方法
JP2004165439A (ja) ステージ装置
CN110750033A (zh) 光刻机晶圆载台
KR101209882B1 (ko) 기판 움직임을 방지하는 엔드 이펙터를 가지는 로봇암
JP7406957B2 (ja) チャックピン、基板処理装置、基板処理システム
KR20230150105A (ko) 박막시료 캐리어
JPH0536638A (ja) 裏面エツチング処理装置
CN118231285A (zh) 带粘贴装置
KR200267226Y1 (ko) 슬롯사이에 일정한 간격차이를 갖는 세정장치용 웨이퍼가이드
JP2827241B2 (ja) 半導体ウェーハのノッチ合わせ機構
KR20040083125A (ko) 플랫 얼라이너 진공척
KR100783282B1 (ko) 정열 챔버의 정열대
KR20030055847A (ko) 웨이퍼 홀더

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee