JP2000100920A - ウエハ把持装置 - Google Patents

ウエハ把持装置

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JP2000100920A
JP2000100920A JP26381898A JP26381898A JP2000100920A JP 2000100920 A JP2000100920 A JP 2000100920A JP 26381898 A JP26381898 A JP 26381898A JP 26381898 A JP26381898 A JP 26381898A JP 2000100920 A JP2000100920 A JP 2000100920A
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Japan
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wafer
gripper
electrostatic chuck
stage
transfer mechanism
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JP26381898A
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English (en)
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Masamichi Tomita
正道 富田
Yuji Hosoda
祐司 細田
Yoshio Hokotani
義雄 鉾谷
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 静電チャックに載置されるウエハの把持装置
の改良を図る。 【解決手段】 ウエハ処理評価装置のウエハ固定用静電
チャック12の側面部に平面断面の3箇所の切り欠き4
を設置して、グリッパ6に3個の段付き位置決めピン9
を設けた。またこれと別に静電チャック51の側面部に
円柱状の3箇所の切り欠き52を設置して、ウエハ搬送
機構の開閉可能なグリッパ53に3個の段付き位置決め
ピン56を設けた。この構成により、静電チャック12
のグリッパ6からの逃げ用切り欠き4の面積を小さくで
き、特に静電チャック12の中央部14を切り欠く必要
が無いので、静電チャック12の吸着能力が向上し、吸
着時のウエハ7の変形とそれに起因する描画精度または
検査精度の低下を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの把
持装置に関し、特にウエハを水平姿勢で半導体製造装置
のステージ上に設けられたウエハ固定装置上へと搬送
し、あるいはウエハ固定装置から取出すために搬送する
のに好適なウエハ把持装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体の製造工程または検査工程でウエ
ハを把持して搬送する作業においては、従来よりフォー
ク状のハンドを水平に保ち、この上にウエハを載せた
り、可動式の爪を何らかのアクチュエータによって開閉
動作をさせてウエハを把持する等の方法が用いられてい
る。特に、半導体製造装置や半導体検査装置内の真空環
境中のステージ上に、ウエハを水平に載置するための搬
送作業に関しては、一般に真空環境用の搬送ロボット
(以下、真空ロボットと記す)の手先部にエンドエフェ
クタとしてグリッパを備えた装置が使用されている。
【0003】上記グリッパの機構として、例えば特開平
7−22502号公報に記載のように(第1の従来
例)、ウエハ裏面の汚染を防ぐ目的で接触面積を小さく
するため、ウエハ周縁部の一部を開閉動作の可能な複数
の円弧状の爪に載せて把持するグリッパ装置が考案され
ている。
【0004】一方、特開平10―139157号公報に
記載のように(第2の従来例)、複数の開閉部材がウエ
ハの近傍において互いに非接触となるように構成して爪
を開閉させ、ハンドの接触や開閉動作による発塵により
起こるウエハの汚染を防止するものも考案されている。
【0005】一方、特開平6−236913号公報に記
載のグリッパが考案されている(第3の従来例)。この
例では、不純物によるウエハの汚染を防ぎ、強度と寸法
精度を保つ目的で、ウエハを載せるウエハ載置部(ウエ
ハの裏面と接触)とウエハの側面を位置決めして保持す
るウエハ保持部(ウエハの周辺部と接触)とをそれぞれ
複数の微小なピンにより構成している。
【0006】さらに、特開平9―107014号公報に
記載のように(第4の従来例)、弾性変形可能な円板を
凹円板の上部に固定し、円板上に配置された爪によっ
て、ウエハの側面を押圧して保持するものが考案されて
いる。この例ではウエハ裏面の中心部と非接触でウエハ
を保持することができる。また、ウエハとグリッパとの
間の摺動による汚染を防止できる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記第1の従来例のグ
リッパ装置をウエハ処理評価装置でのウエハの載置作業
に使用すると、ウエハ把持具の部材がウエハ裏面の広い
面積の部分と重なり、ウエハを平坦な円板状のウエハ固
定装置の上に載置することができない。このため、ウエ
ハ固定装置の中央部を含む広い領域にウエハ把持具の逃
げのための切り欠きを設ける必要が有った。この切り欠
きの範囲は静電チャックとして機能せず、静電チャック
の吸着力が不十分になり、またウエハの反り及び面内ひ
ずみが発生して、ウエハ処理の寸法精度を低下させるお
それがあった。さらに、ウエハ把持具の清浄度(クリー
ン度)を高く保てない場合には、ウエハの裏面のウエハ
把持具と接触する広範囲の部分を汚染するおそれがあっ
た。また、グリッパ内の可動部の摩擦による発塵の影響
があった。
【0008】一方、上記第2、及び第3の従来例では、
グリッパ内部の摩擦による発塵の問題が回避されてお
り、特に第3の従来例ではウエハとグリッパとの接触面
積をかなり小さくしてはいるが、やはりウエハ把持具の
部材がウエハ裏面の広い面積の部分と重なり、ウエハ固
定装置の中央部を含む広い領域にウエハ把持具の逃げの
ための切り欠きを設ける必要が有った。
【0009】第4の従来例の装置においても、切り欠き
の形状は異なるものの、ウエハ把持具の逃げのための大
きな切り欠きを設ける必要が有ることは、上記の3例と
全く同様である。本従来例においてはウエハ裏面とウエ
ハ把持具との接触面積は極めて小さくなるが、より清浄
度を要求されるウエハ表面の周縁部分をもウエハ把持具
に付着した塵埃で汚染するおそれがあった。なお、上記
従来例以外にも、ウエハをその裏面のみで支持して搬送
する方式も考案されていたが、この場合はウエハ把持具
の部材の接触面積は、ウエハが滑らぬように摩擦力を保
持する必要上、極度に小さくすることは困難であった。
【0010】本発明の目的は、上記の各従来例の問題点
を除いて、静電チャックのグリッパからの逃げ用切り欠
き面積を極力小さくして、静電チャックの吸着能力を向
上し、かつウエハの変形と、この変形に起因する描画精
度の低下を防止することにある。
【0011】また本発明の別の目的は、グリッパとウエ
ハの接触部位を裏面に限定して、かつその接触面積を最
小化して、グリッパに付着した塵埃によるウエハの汚染
を抑制することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、静電チャックの側面部に実質的に鉛直
な平面断面を成す3箇所の切り欠きを設置して、かつウ
エハ搬送機構のグリッパはウエハの外周部を半周以上を
取り囲むように2本の爪を伸ばし、爪の内側の縁は切り
欠きを付けた静電チャックの外周に沿った形状とし、さ
らにグリッパの2個の爪の先端部及びグリッパ中央部
の、上記切り欠きに相当する部位に合計3個の段付き位
置決めピンを設けたものである。
【0013】また本発明では、静電チャックの側面部に
実質的に鉛直な軸線を持つ円柱側面の断面形状を成す3
箇所の切り欠きを設置して、ウエハ搬送機構の開閉可能
なグリッパの爪の先端部及びグリッパ中央部の、上記切
り欠きに相当する部位に合計3個の段付き位置決めピン
を設けたものである。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図1、図2、図3、図4、
図5、図10を用いて本発明の第1の実施形態を詳細に
説明する。本実施例では、ウエハ処理評価装置の例とし
て電子ビーム描画装置1を挙げる。
【0015】まず、図10を用いて本実施形態を適用す
る電子ビーム描画装置1の真空チャンバ101の構成に
ついて説明する。真空チャンバ101の中にはXYステ
ージ102が設けられ、図示しない駆動源により水平面
内を動作する。XYステージ102の上に静電チャック
104によるウエハ固定装置が載っている。真空チャン
バ101内でゲートバルブ105により開閉可能に仕切
られた空間には、ウエハ7を搬送するための真空ロボッ
ト106が設置されている。
【0016】電子ビーム描画装置1の直交2軸ステージ
2の上に概略円柱状の静電チャック3が載っている。図
2に示すように、静電チャック3の側面部に鉛直平面に
よる3箇所の切り欠き4A、4B、4Cを設ける。その
切り欠き位置は、2平面4A、4Bを平行にして、第3
の平面4Cをこれら2平面と垂直な鉛直平面となるよう
に配置する。
【0017】一方、図1に示すように、真空ロボット5
の手先のグリッパ6には、ウエハ7の外周部にほぼ添っ
て2本の爪8A、8Bを設ける。上記爪8A、8Bの先
端付近の間隔はウエハ7の外周より狭く、静電チャック
3に設けられた切り欠き形状4A、4B、4Cに沿って
僅かに大きく設けられている。グリッパ6には、上記静
電チャック3を囲む形に3個の段付き位置決めピン9
A、9B、9Cを設ける。ここで、位置決めピン9Aと
9Bはそれぞれ爪8A、8Bの先端付近に固定される。
位置決めピン9Cはグリッパ6の中央部に固定される。
【0018】図5に示すように、各位置決めピン9A、
9B、9Cは、いずれも円柱形の台座の上に上記円柱よ
り細い円錐台形状の突起を重ねた段付構造である。台座
は円柱形状に限定されず、適宜の形状が採用される。上
記3個の突起の円錐台の下底面の円周は、いずれもグリ
ッパ6がウエハ7を静電チャック3の真上で把持した状
態でウエハ7の外周円に外接する位置に設置される。上
記台座はグリッパ6の上面よりも上方に位置するように
取り付けられる。グリッパ6がウエハ7を掬い上げる際
に、上記突起によりウエハ7が位置決めされて上記台座
の上に載る。
【0019】次に図1、図2、図3と図4を用いて本発
明の第1の実施形態の装置の動作を説明する。真空ロボ
ット5の制御装置10(図示せず)が以下の動作を指令
して実行させる。グリッパ6は、ウエハ把持位置11に
てウエハ7を載せてステージ2に接近する。グリッパ6
はウエハ7が静電チャック3の上面12より僅かに上方
に位置するように水平に保って、水平方向の直進動作を
行い、上記第3の平面4Cの側から静電チャック3に接
近する。
【0020】グリッパ6の上記動作によりウエハ7が静
電チャック3の真上に達してから、グリッパ6を真下に
下げてウエハ7を静電チャック3の上面12に載置す
る。このとき各位置決めピン9A、9B、9Cは、それ
ぞれ切り欠き部4A、4B、4Cに位置する。図4はこ
の状態を描写したものである。グリッパ6をウエハ7か
ら離れるまでなおも下降させた後、グリッパ6を、その
接近時の方向へ直進動作により水平に戻す。
【0021】一方、ウエハ7を静電チャック3の上面1
2から取出す際には、グリッパ6はウエハ7の面より僅
かに低い位置で、上記第3の平面4Cの側から静電チャ
ック3に接近する。グリッパ6が静電チャック3を取り
囲んでウエハ7の真下位置に到達したら、グリッパ6を
真上に向けて徐々に上昇させ、位置決めピン9A、9
B、9Cによりウエハ7をグリッパ6に対して位置決め
させながら掬い取る。
【0022】なお本実施形態では、本発明の装置の電子
ビーム描画装置1への適用を前提に説明したが、本発明
はステージ上にウエハ固定装置を備える「ウエハ外観検
査装置」等のウエハ処理評価装置全般への適用が可能で
ある。本実施形態によれば、グリッパ6にウエハ7の把
持動作のための可動部を設ける必要が無いので、グリッ
パ6の機構部の動作に伴う摩擦に起因する発塵を抑える
ことができる。
【0023】また本実施形態によれば、静電チャック3
に設けるグリッパ6からの逃げ用切り欠き13の面積を
小さくすることができ、特に静電チャック3の中央部1
4を切り欠く必要が無いので、静電チャック3の吸着能
力が向上し、ウエハ7の変形と、この変形に起因する描
画精度の低下を防止できるという効果が有る。付言すれ
ば、従来より静電チャックの上面には、切り欠き部以外
にも通例多数の細い溝が設けられており平面を成しては
いないが、上記溝は十分細いため、切り欠き部のように
ウエハ7に変形等の影響をもたらすことは実質上ない。
このことは本発明の静電チャック3においても同様であ
る。
【0024】また本実施形態によれば、グリッパ6とウ
エハ周辺部(側面部)15との接触面積が小さく、把持
完了後にグリッパ6はウエハ7の裏面16の最外縁部の
3箇所だけと接触するので、グリッパ6に付着した塵埃
によるウエハ7の汚染を抑制できるという効果が有る。
【0025】ウエハの外周部には、位置決め用のオリフ
ラと称される平坦部やV字形の溝(ノッチ)が形成され
ている。位置決めピンは、これらのオリフラやノッチと
の位置関係を考慮して設定される。
【0026】次に、図6、図7、図8及び図9を用いて
本発明の第2の実施形態を説明する。半導体製造装置1
の直交2軸ステージ2の上に概略円柱状の静電チャック
51が載っている。
【0027】図6に示すように、静電チャック51の側
面部に小さな円柱状の3箇所の切り欠き52A、52
B、52Cを設ける。上記3個の切り欠き52A、52
B、52Cの位置は、ウエハ7を搬送する際にウエハ7
を落とさぬように、以下のようにして決定する。切り欠
き52Aは静電チャック51の軸の周りにグリッパ53
の接近する側の中心から右方へ90度以上120度未
満、望ましくは約105度離れた位置に設ける。切り欠
き52Bはグリッパ53の接近する側の中心から左方へ
90度以上120度未満、望ましくは約105度離れた
位置に設ける。切り欠き52Cはグリッパ53の接近す
る側の中心部に設ける。
【0028】一方、真空ロボット5の手先のグリッパ5
3には、グリッパフレーム54と上記グリッパフレーム
に係合された2本の爪55A、55Bを設ける。各爪5
5A、55Bの先端部にはそれぞれ1本の段付き位置決
めピン56A、56Bを備える。また、グリッパフレー
ム54の中央部にも1個の段付き位置決めピン56Cを
備える。上記段付き位置決めピン56Aの位置は、グリ
ッパ53がウエハ7を静電チャック51の真上で把持し
た状態で、切り欠き52Aの位置に一致するように定め
る。位置決めピン56Bの位置は、同様の状態で切り欠
き52Bの位置に一致するように定める。
【0029】図7に拡大して示すように、上記2本の爪
55A、55Bは、各々グリッパフレーム54内に備え
た駆動源である一対の積層型圧電素子57A、57B
と、伝動機構である変位拡大レバー機構58A、58B
とにより駆動されて開閉動作可能に取り付けられる。図
4には積層型圧電素子57Aと変位拡大機構58Aとが
明示されているが、この裏側の左右対称な位置に積層型
圧電素子57Bと変位拡大機構58Bとが配置される。
【0030】変位拡大機構58Aは、以下のような構造
となっている。(なお変位拡大機構58Bも全く同一の
構造である。) 第一レバー81は、第一ヒンジ82、及び第二ヒンジ8
3によってそれぞれグリッパフレーム54、及び積層型
圧電素子57Aと係合される。第二レバー84は、第三
ヒンジ85、及び第四ヒンジ86によってそれぞれグリ
ッパフレーム54、及び第一レバー81と係合される。
爪55Aは、その付け根部において第五ヒンジ87によ
り第二レバー84と係合される。また爪55Aは、その
中間部において第六ヒンジ88によってグリッパフレー
ム54と係合される。爪55Aは「閉位置」にあると
き、グリッパフレーム内部の突起89に突き当たるよう
に配置される。
【0031】次に図6、図7、図8、図9を用いて本発
明の第2の実施形態の装置の動作を説明する。真空ロボ
ット5の制御装置10が以下の動作を指令して実行させ
る。グリッパ53は、ウエハ把持位置11にて3個の位
置決めピン56A、56B、56Cを支点にして、爪5
5A、55Bを閉じた状態でウエハ7を載せてステージ
2に接近する。グリッパ53はウエハ7が静電チャック
51の上面59より僅かに上方に位置するように水平に
保って、水平方向の動作を行い、上記第3の切り欠き5
2Cの側から静電チャック51に接近する。グリッパ5
3の上記動作によりウエハ7が静電チャック51の真上
に達してから、グリッパ53を真下に下げてウエハ7を
静電チャック51の上面59に載置する。このとき各位
置決めピン56A、56B、56Cは、それぞれ切り欠
き部52A、52B、52Cに位置する。
【0032】グリッパ53をウエハ7から離れるまでな
おも下降させた後、一対の爪55A、55Bを開く。そ
の後に爪55A、55Bを開いた状態のまま、グリッパ
6を、その接近時の方向へ直進動作により水平に戻す。
爪55A、55Bは次にウエハ把持動作を行うまで開い
た状態を保つ。
【0033】上記爪55A、55Bを開閉させる動作に
ついて、以下に詳述する。積層型圧電素子57A、57
Bには、図示しない電源から直流電圧が印加される。こ
の時、圧電素子57Aは図6に示すように左端を固定さ
れており、右方向に伸張する。変位拡大機構58Aの第
一レバー81は、第一ヒンジ82を支点として第二ヒン
ジ83の部分が回転して右方向に変位するため、下部を
右方向に傾ける。第二レバー84は、第三ヒンジ85を
支点として第四ヒンジ86の部分が回転して右方向に変
位するため、上部を右方向に傾ける。
【0034】これにより第六ヒンジ88を支点として第
五ヒンジ87と係合する爪55Aの付け根部が回転して
右方向に変位するため、爪55Aの先端部にある位置決
めピン56Aは左方向に変位しする。したがって、圧電
素子57Aに直流電圧が印加されるときには積層型圧電
素子57Aが伸びて爪55が閉動作を行う。ウエハを把
持している時以外は積層型圧電素子57A、57Bに電
圧を印加せず、爪55は常に開位置にあるようにする。
なお、変位拡大機構58Aの3段合成による変位拡大率
は、最大負荷と要求変位との仕様により設定値が決めら
れるものであるが、約100倍程度と設定する。
【0035】本実施形態によれば、グリッパ53の把持
動作のために可動爪55A、55Bが開閉動作をする。
したがって、グリッパ53がウェハ7を静電チャック5
1の上に載置した後に退避する際、及びグリッパ53が
静電チャック51上に置かれたウェハ7を把持するため
に静電チャック51に接近する際に、グリッパ53と静
電チャック51との干渉を回避できる。このため、静電
チャック51上のグリッパ53の逃げ用切り欠き52
A、52B、52Cの面積を最小化し、かつ切り欠き5
2A、52B、52Cの部位をウエハ7の周辺に相当す
る部分に限定することができる。
【0036】このことにより、静電チャックの上面59
にグリッパ53の逃げのための大きな切り欠きを必要と
する従来構造と比較して静電チャック51の吸着能力と
吸着力の均一性が向上し、吸着中のウエハ7の変形を抑
えることができ、この変形に起因する描画精度の低下を
防止できるという効果が有る。
【0037】また本実施形態によれば、グリッパ53と
ウエハ周辺部(側面部)60との接触面積が第1の実施
形態と同様に小さく、把持完了後にグリッパ53はウエ
ハ裏面61の最外縁部60の3箇所だけと接触するの
で、グリッパ53に付着した塵埃によるウエハ7の汚染
を抑制できるという効果が有る。
【0038】なお上記2つの実施形態では、本発明のウ
エハ把持装置を電子ビーム描画装置1に適用させること
を前提に説明したが、両実施形態とも「ウエハ外観検査
装置」等のウエハ処理評価装置全般の実施形態と同様の
部位への適用が可能である。本発明をウエハ外観検査装
置に適用する場合には、グリッパ6、または53の逃げ
のための大きな切り欠きを必要とする従来構造と比較し
て静電チャック3、または51の吸着能力と吸着力の均
一性が向上し、吸着中のウエハ7の変形を抑えることが
でき、この変形に起因する検査精度・検査成功率の低下
を防止できるという効果が有る。
【0039】ウエハ処理評価装置のウエハ固定装置とし
て静電チャック1、または51以外の装置(例えば機械
的チャック)が使用されている場合においても、グリッ
パ6、または53の逃げのための大きな切り欠きを必要
とする従来構造と比較してウエハ固定装置の固定力の均
一性が向上し、吸着中のウエハ7の変形を抑えることが
でき、この変形に起因する描画精度または検査精度・検
査成功率の低下を防止できるという効果が有る。
【0040】
【発明の効果】以上に詳細に述べたように、本発明によ
れば、静電チャックのグリッパからの逃げ用切り欠き面
積を小さくすることができ、特に静電チャックの中央部
を切り欠く必要が無いので、静電チャックの吸着能力が
向上し、ウエハの変形と、この変形に起因する描画精度
または検査精度・検査成功率の低下を防止できるという
効果が有る。また本発明によれば、3本のピンでウエハ
載置機能と位置保持機能を兼ね備えるので、グリッパと
ウエハの接触する面積を最小化できるという効果が有
る。また本発明によれば、グリッパとウエハ周辺部(側
面部)との接触面積が小さく、把持完了後にグリッパは
ウエハ裏面の最外縁部だけと接触するので、グリッパに
付着した塵埃によるウエハの汚染を抑制できるという効
果が有る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態のウエハ把持装置の構造
を示す平面図。
【図2】本発明の第1実施形態の静電チャックの形状を
示す平面図。
【図3】本発明の第1実施形態のウエハ把持装置の構造
を示す側面図。
【図4】本発明の第1実施形態のウエハ把持装置が静電
チャックの上に位置決めされた状態を示す側面図。
【図5】本発明の第1実施形態のウエハ把持装置の位置
決めピンを示す部分拡大側面図。
【図6】本発明の第2実施形態のウエハ把持装置の構造
を示す平面図。
【図7】本発明の第2実施形態のウエハ把持装置の駆動
部の構造を示す部分拡大平面図。
【図8】本発明の第2実施形態のウエハ把持装置の構造
を示す側面図。
【図9】本発明の第2実施形態のウエハ把持装置が静電
チャックの上に位置決めされた状態を示す側面図。
【図10】本発明を適用する電子ビーム描画装置の真空
チャンバの構成を示す模式平面図。
【符号の説明】
1 電子ビーム描画装置 2 ステージ 3 静電チャック 4A、4B、4C 切り欠き 5 真空ロボット 6 グリッパ 7 ウエハ 8A、8B 爪 9A、9B、9C 位置決めピン 10 制御装置 11 ウエハ把持位置 12 静電チャック上面 13 切り欠き 14 静電チャックの中央部 15 ウエハ周辺部 16 ウエハの裏面 51 静電チャック 52A、52B、52C 切り欠き 53 グリッパ 54 グリッパフレーム 55A、55B 爪 56A、56B、56C 位置決めピン 57A、57B 積層型圧電素子 58A、58B 変位拡大機構 59 静電チャック上面 60 ウエハ周辺部 61 ウエハの裏面 81 第一レバー 82 第一ヒンジ 83 第二ヒンジ 84 第二レバー 85 第三ヒンジ 86 第四ヒンジ 87 第五ヒンジ 88 第六ヒンジ 89 グリッパフレーム内部の突起 101 真空チャンバ 102 XYステージ 104 静電チャック 105 ゲートバルブ 106 真空ロボット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鉾谷 義雄 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式会 社日立製作所計測器事業部内 Fターム(参考) 5F031 CC12 CC32 CC43 CC45 FF03 KK04 KK09 LL01 LL07

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ステージ上にウエハ固定装置を備え、か
    つウエハを上記ウエハ固定装置上に搬送して載置させる
    ウエハ搬送機構を備えたウエハ処理評価装置のウエハ把
    持装置において、ウエハとの接触面がウエハの外形に全
    て収まる形状を有するウエハ固定装置と、3個の位置決
    めピンを設けたウエハ搬送機構のグリッパを備えたこと
    を特徴とするウエハ把持装置。
  2. 【請求項2】 少なくとも水平面内の2以上の動作自由
    度を有するステージと、上記ステージ上に設置された静
    電チャックによるウエハ固定装置と、ウエハ搬送機構と
    を有するウエハ処理評価装置のウエハ把持装置におい
    て、ウエハとの接触面がウエハの外形に全て収まる形状
    を有する静電チャックと、3個の位置決めピンを設けた
    ウエハ搬送機構のグリッパを備えたことを特徴とするウ
    エハ把持装置。
  3. 【請求項3】 少なくとも水平面内の2以上の動作自由
    度を有するステージと、上記ステージ上に設置された静
    電チャックによるウエハ固定装置と、ウエハ搬送機構と
    を有するウエハ処理評価装置のウエハ把持装置におい
    て、側面の3箇所に切り欠きを設けた静電チャックと、
    3個の位置決めピンを設けたウエハ搬送機構のグリッパ
    を備えたことを特徴とするウエハ把持装置。
  4. 【請求項4】 少なくとも水平面内の2以上の動作自由
    度を有するステージと、上記ステージ上に設置された静
    電チャックによるウエハ固定装置と、ウエハ搬送機構と
    を有するウエハ処理評価装置のウエハ把持装置におい
    て、側面の3箇所に鉛直な平面側面を成すような切り欠
    きを設けた静電チャックと、3個の段付き位置決めピン
    を設けたウエハ搬送機構のグリッパを備えたことを特徴
    とするウエハ把持装置。
  5. 【請求項5】 水平面内の動作自由度を有するステージ
    と、上記ステージ上に設置された静電チャックによるウ
    エハ固定装置と、ウエハ搬送機構とを有するウエハ処理
    評価装置のウエハ把持装置において、側面の3箇所を、
    実質的に鉛直な軸線を持つ円柱状側面の断面形状を成す
    ように切り欠いた静電チャックと、3個の段付き位置決
    めピンを設けた開閉可能なウエハ搬送機構のグリッパを
    備えたことを特徴とするウエハ把持装置。
  6. 【請求項6】 請求項1ないし5のいずれかに記載の装
    置において、上記3個の位置決めピンは、それぞれ上記
    3箇所の切り欠き位置においてウエハを支持して位置決
    め可能に構成されたことを特徴とするウエハ把持装置。
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