KR20050002483A - 데이타 출력단으로부터 출력되는 신호의 스윙폭 조절 방법 - Google Patents

데이타 출력단으로부터 출력되는 신호의 스윙폭 조절 방법 Download PDF

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KR20050002483A
KR20050002483A KR1020030043862A KR20030043862A KR20050002483A KR 20050002483 A KR20050002483 A KR 20050002483A KR 1020030043862 A KR1020030043862 A KR 1020030043862A KR 20030043862 A KR20030043862 A KR 20030043862A KR 20050002483 A KR20050002483 A KR 20050002483A
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KR1020030043862A
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이우영
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주식회사 하이닉스반도체
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    • G11C7/08Control thereof

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Abstract

본 발명은 메모리 장치의 입출력 감지 증폭기로부터 출력되는 데이타 신호의 스윙폭을 조절하여 처리 속도를 개선한 데이타 출력단으로부터 출력되는 신호의 스윙폭 조절 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 데이타 출력단으로부터 출력되는 신호의 스윙폭 조절 방법에 있은 메모리 장치의 입출력 감지 증폭기의 출력단의 전압을 일정 전압으로 프리차지시켜 상기 출력단으로 출력되는 신호의 스윙폭을 감소시키며, 상기 일정 전압으로 프리차지되는 전압은 상기 감지 증폭기의 구동 전압의 약 1/2 정도로 설정된다.
본 발명에서는 메모리 장치의 입출력 감지 증폭기의 출력단의 전압을 일정 수준으로 프리차지 시켜 놓음으로써 감지 증폭기의 동작시 출력 데이타의 스윙폭을 감소시킴으로써 풀스윙을 하는 종래의 경우보다 훨씬 빠른 응답 속도를 얻을 수 있다.

Description

데이타 출력단으로부터 출력되는 신호의 스윙폭 조절 방법{A method for controlling the swing width of a signal from a data output stage}
본 발명은 데이타 출력단으로부터 출력되는 신호의 스윙폭 조절 방법에 관한 것으로서, 특히 메모리 장치의 입출력 감지 증폭기로부터 출력되는 데이타 신호의 스윙폭을 조절하여 처리 속도를 개선한 데이타 출력단으로부터 출력되는 신호의 스윙폭 조절 방법에 관한 것이다.
도 1 은 이러한 일반적인 메모리 장치에서의 데이타 리드 동작을 설명하는 도면이다.
일반적으로, 메모리 장치에서의 데이타 리드 동작은 메모리 셀로부터 비트라인으로 전달된 데이타를 비트 라인 감지 증폭기에서 증폭한 다음, 이를 입출력 감지 증폭기(IO S/A)에서 증폭하여 구동능력을 크게 한 다음, 데이타 출력 버퍼를 통하여 외부로 전달하게 된다.
그런데, 비트라인 감지 증폭기는 칩 면적의 최소화를 위하여 작게 구현되기 때문에 이들의 전류 구동능력은 아주 미약하다. 따라서, 비트 라인 감지 증폭기에서 처리된 데이타는 또 다른 증폭 수단에 의하여 증폭되는 것이 보통이다. 이러한 재증폭은 보통 입출력 감지 증폭기(IO S/A)에서 처리되어 외부로 전달되는 것이 일반적이다(도 2 참고, 도 2 는 일반적인 메모리 장치에서의 입출력 감지 증폭기의 일예).
그러나, 위의 경우에 있어서, 데이타 전송 라인의 큰 부하로 말미암아 데이타 전송시 시간 지연(예컨대, 데이타의 라이징 및 폴링 타임 등)이 초래되는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 메모리 장치의 입출력 감지 증폭기로부터 출력되는 데이타의 스윙폭을 감소시켜 데이타 처리 속도를 개선시킨 데이타 출력단으로부터 출력되는 신호의 스윙폭 조절 방법을 제공하고자 한다.
도 1 은 일반적인 메모리 장치에서의 데이타 리드 동작을 설명하는 도면.
도 2 는 일반적인 메모리 장치에서의 입출력 감지 증폭기의 일예.
도 3 은 본 발명에 따른 메모리 장치에서의 입출력 감지 증폭기의 일예.
도 4 는 도 2 및 도 3 에 도시된 회로의 출력 신호의 파형도.
본 발명에 따른 데이타 출력단으로부터 출력되는 신호의 스윙폭 조절 방법에 있은 메모리 장치의 입출력 감지 증폭기의 출력단의 전압을 일정 전압으로 프리차지시켜 상기 출력단으로 출력되는 신호의 스윙폭을 감소시키며, 상기 일정 전압으로 프리차지되는 전압은 상기 감지 증폭기의 구동 전압의 약 1/2 정도로 설정된다.
(실시예)
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
도 3 은 본 발명에 따른 메모리 장치에서의 입출력 감지 증폭기의 일예이다.
도시된 바와같이, 본 발명에 따른 입출력 감지 증폭기는 데이타가 출력되는 출력단의 전위 레벨이 감지 증폭기의 구동 전압(Vdd)의 약 1/2 정도로 프리차지 되어 있다는 점을 제외하고는 도 2 에 도시된 종래의 입출력 감지 증폭기의 구성과 사실상 동일하다. 참고로, Enable 1, Enable 2 는 증폭기를 인에이블 시키는 제어 신호이다.
도 3 에 있어서, 종결전압(Vtt: termination voltage)은 감지 증폭기의 구동전압(Vdd)의 대략 1/2Vdd 정도로 설정되어 있으며, 게이트에 인가된 접지전압에 의하여 항상 턴온되어 있는 PMOS 트랜지스터의 소오스를 통하여 출력단 드라이버의 출력단에 종결 전압을 인가하는 경우를 제외하고는 종래의 경우와 사실살 동일하다. 회로의 다른 부분에 인가되는 종결전압은 종래의 경우와 같이, 일반적인 구동전압(Vdd)으로 대체하는 것이 가능하다.
도 3 의 동작에 있어서, PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터로 구성된 출력단 드라이버의 출력단 전압은 대기 상태에서 종결전압을 유지하고 있으므로, 입출력 감지 증폭기에 인가된 데이타(D,/D)가 증폭되어 출력하는 경우, 예컨대, 하이 데이타가 출력되는 경우에는 종결전압에서 하이 레벨 전압으로 스윙하고, 로우 데이타가 출력되는 경우에는 종결전압에서 로우 레벨 전압으로 스윙하게 되며, 이로 인하여 종래의 경우보다 데이타를 메모리 장치의 외부로 출력시키는 처리 속도가 개선될 수 있다.
이상에서 알 수 있는 바와같이, 본 발명에서는 메모리 장치의 입출력 감지 증폭기의 출력단의 전압을 일정 수준으로 프리차지 시켜 놓음으로써 감지 증폭기의 동작시 출력 데이타의 스윙폭을 감소시킴으로써 풀스윙을 하는 종래의 경우보다 훨씬 빠른 응답 속도를 얻을 수 있다.

Claims (2)

  1. 데이타 출력단으로부터 출력되는 신호의 스윙폭 조절 방법에 있어서,
    메모리 장치의 입출력 감지 증폭기의 출력단의 전압을 일정 전압으로 프리차지시켜 상기 출력단으로 출력되는 신호의 스윙폭을 감소시키는 것을 특징으로 하는 데이타 출력단으로부터 출력되는 신호의 스윙폭 조절 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 일정 전압으로 프리차지되는 전압은 상기 감지 증폭기의 구동 전압의 약 1/2 정도인 것을 특징으로 하는 데이타 출력단으로부터 출력되는 신호의 스윙폭 조절 방법.
KR1020030043862A 2003-06-30 2003-06-30 데이타 출력단으로부터 출력되는 신호의 스윙폭 조절 방법 KR20050002483A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (2)

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US9830959B2 (en) 2016-03-17 2017-11-28 SK Hynix Inc. Precharge circuitry for semiconductor memory device
US9997250B2 (en) 2016-03-17 2018-06-12 SK Hynix Inc. Non-volatile memory device with a plurality of cache latches and switches and method for operating non-volatile memory device

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