KR200493208Y1 - 처리액 수용 장치 - Google Patents

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Abstract

처리액 수용 장치는 탱크, 누수 방지 유닛 및 냉각액 전달 유닛을 포함한다. 탱크는 처리액을 수용한다. 누수 방지 유닛은 탱크 상측에 설치된다. 냉각액 전달 유닛은 냉각액이 흐를 수 있도록 해주며, 관체 세트, 제1 고정단 및 제2 고정단을 포함한다. 관체 세트는 탱크 내부에 설치되고, 제1 고정단 및 제2 고정단은 관체 세트의 양측으로 누수 방지 유닛과 연결된다. 제1 고정단 또는 제2 고정단 중 적어도 하나에서 냉각액이 누수될 경우, 냉각액은 누수 방지 유닛으로 흐르게 된다.

Description

처리액 수용 장치 {TREATMENT LIQUID CONTAINER}
본원은 처리액 수용 장치에 관한 것으로, 특히 처리액이 누수에 의해 오염되는 것을 방지하고, 누수 여부를 즉각 감지할 수 있는 처리액 수용 장치에 관한 것이다.
반도체 제조공정에 필요한 액체 화학 약품 저장 시, 고온으로 변질되는 것을 방지하기 위해 일반적으로 냉각 기능이 있는 처리액 탱크에 저장한다. 도 1과 같이, 일반적인 처리액 탱크(900)에는 탱크(910)와 U형의 냉각액관(920)이 있다. 탱크(910)는 액체 화학 약품을 저장한다. U형의 냉각액관(920) 양단은 탱크(910)의 맨 윗부분과 연결되어 있으며, 냉각액관(920) 안에는 냉각액이 들어있다. 이에 냉각액관(920) 표면과 맞닿으면서 탱크(910) 내부에 저장된 액체 화학 약품 온도가 내려간다.
하지만 U형의 냉각액관(920)과 탱크(910) 맨 윗부분의 연결점이 용접이 튼튼하게 이루어지지 않거나 강도가 부족하게 되면, 연결점이 서서히 느슨해져 누수를 유발하게 되고, 탱크(910) 내부의 액체 화학 약품 농도가 변하면서 제조공정 수율에도 영향을 주게 된다. 또한, 연결점이 느슨해져 누수가 발행함에도 즉각적인 감지가 어려워 처리액 탱크(900) 보수 요청을 하지 못하는 경우가 종종 발생한다.
따라서 처리액이 누수에 의해 오염되는 것을 방지하고, 누수 여부를 즉각 감지할 수 있는 처리액 수용 장치를 제공하는 것이 필요하다.
본원의 주요 목적은 처리액이 누수에 의해 오염되는 것을 방지하고, 누수 여부를 즉각 감지할 수 있는 처리액 수용 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 이루기 위해, 본원의 처리액 수용 장치는 탱크, 누수 방지 유닛, 냉각액 전달 유닛을 포함한다. 탱크는 처리액을 수용하며, 누수 방지 유닛은 탱크 상측에 설치된다. 냉각액 전달 유닛은 냉각액이 흐를 수 있도록 해주며, 관체 세트, 제1 고정단 및 제2 고정단을 포함한다. 관체 세트는 탱크 내부에 설치되고, 제1 고정단 및 제2 고정단은 관체 세트의 양측이며 누수 방지 유닛과 연결된다. 제1 고정단 또는 제2 고정단 중 적어도 하나에서 냉각액이 누수될 경우, 냉각액은 누수 방지 유닛으로 흐르게 된다.
본원의 일 실시예에 따라, 그중, 관체 세트는 복수 개의 관체를 포함하고, 냉각액 전달 유닛은 칸막이판을 포함하고, 칸막이판은 복수 개의 천공을 포함한다. 복수 개의 천공은 서로 간격을 띄우고 있다. 복수 개의 관체는 복수 개의 천공을 관통하여 설치되며, 냉각액이 복수 개의 관체를 통해 흐를 때 복수 개의 관체와 처리액의 열교환 면적을 넓힌다.
본원의 일 실시예에 따라, 그중, 누수 방지 유닛은 제1 분리 탱크 및 제2 분리 탱크를 포함한다. 제1 고정단은 제1 분리 탱크에 설치되어 냉각액 공급관과 연통되고, 제2 고정단은 제2 분리 탱크에 설치되어 냉각액 배출관과 연통된다.
본원의 일 실시예에 따라, 그중, 관체 세트는 에워싸는 형태로 탱크 내에 설치되며, 적어도 하나의의 교차점이 존재한다.
본원의 일 실시예에 따라, 그중, 누수 방지 유닛은 제1 액체 감지 부재와 제2 액체 감지 부재를 포함한다. 제1 액체 감지 부재는 제1 분리 탱크에 설치되고, 제2 액체 감지 부재는 제2 분리 탱크에 설치되며, 제1 고정단과 제2 고정단의 누수 여부를 각각 측정한다.
본원의 일 실시예에 따라, 그중, 누수 방지 유닛은 제1 배액관과 제2 배액관을 포함한다. 제1 배액관은 제1 분리 탱크와 연통되고, 제2 배액관은 제2 분리 탱크와 연통된다. 제1 고정단 또는 제2 고정단 중 적어도 하나에서 냉각액이 누수될 경우, 냉각액은 제1 배액관 또는 제2 배액관으로부터 배출된다.
본원의 일 실시예에 따라, 그중, 누수 방지 유닛은 제3 액체 감지 부재와 제4 액체 감지 부재를 포함한다. 제3 액체 감지 부재는 제1 배액관 외측에 설치되고, 제4 액체 감지 부재는 제2 배액관 외측에 설치되며, 제1 고정단과 제2 고정단의 누수 여부를 각각 측정한다.
본원의 일 실시예에 따라, 그중, 제1 배액관은 제1 분리 탱크의 제1 측벽과 연통되고, 제2 배액관은 제2 분리 탱크의 제2 측벽과 연통된다. 제1 배액관과 제1 분리 탱크의 연통 지점과 제1 분리 탱크 하부벽과의 거리는 제1 높이이다. 제1 측벽은 관체 세트의 관통 설치를 가능하게 해주는 제1 개구부를 포함한다. 제1 개구부와 제1 분리 탱크 하부벽과의 거리는 제2 높이이고, 제1 높이는 제2 높이보다 낮다. 제2 배액관과 제2 분리 탱크의 연통 지점과 제2 분리 탱크 하부벽과의 거리는 제3 높이이다. 제2 측벽은 관체 세트의 관통 설치를 가능하게 해주는 제2 개구부를 포함한다. 제2 개구부와 제2 분리 탱크 하부벽과의 거리는 제4 높이이고, 제3 높이는 제4 높이보다 낮다.
본원의 일 실시예에 따라, 그중, 누수 방지 유닛은 가스 공급관을 포함한다. 가스 공급관은 제1 분리 탱크 및 제2 분리 탱크와 각각 연통되어 가스를 제공하며, 제1 분리 탱크 및 제2 분리 탱크의 기압이 탱크의 기압보다 크도록 한다.
본원의 일 실시예에 따라, 그중, 탱크 부분에 설치된 관체 세트는 수평 방향으로 제1 측벽 및 제2 측벽을 관통한다. 제1 고정단 및 제2 고정단은 제1 측벽 및 제2 측벽에 각각 설치되고, 제1 분리 탱크 및 제2 분리 탱크 부분에 설치된 관체 세트가 수평을 이루도록 하여, 제1 고정단 또는 제2 고정단 중 적어도 하나에서 냉각액 누수 발생 시, 냉각액이 관체 세트를 따라 탱크로 흘러들어가지 않도록 한다.
본원의 일 실시예에 따라, 그중, 탱크 부분에 설치된 관체 세트는 경사 방향으로 제1 측벽 및 제2 측벽을 관통한다. 제1 고정단 및 제2 고정단은 제1 측벽 및 제2 측벽에 각각 설치되고, 제1 분리 탱크 및 제2 분리 탱크 부분에 설치된 관체 세트가 경사를 이루도록 하여, 제1 고정단 또는 제2 고정단 중 적어도 하나에서 냉각액 누수 발생 시, 냉각액이 관체 세트를 따라 탱크로 흘러들어가지 않도록 한다.
본원 내에 포함되어 있음.
도 1은 종래의 처리액 탱크에 대한 예시도이다.
도 2는 본원의 제1 실시예에 따른 처리액 수용 장치에 대한 예시도이다.
도 3은 본원의 제1 실시예에 따른 처리액 수용 장치 부분 단면도이다.
도 4는 본원의 제1 실시예에 따른 서브 관체와 칸막이판에 대한 예시도이다.
도 5는 본원의 제2 실시예에 따른 처리액 수용 장치에 대한 예시도이다.
본원의 기술 내용을 더욱 명확하게 하기 위하여 바람직한 실시예들을 통해 본원에 대하여 구체적으로 설명한다.
이하 도 2 내지 도 4를 참조하여 본원의 제1 실시예에 따른 처리액 수용 장치에 대하여 설명한다. 도 2는 본원의 제1 실시예에 따른 처리액 수용 장치에 대한 예시도이고, 도 3은 본원의 제1 실시예에 따른 처리액 수용 장치 부분 단면도이고, 도 4는 본원의 제1 실시예에 따른 서브 관체와 칸막이판에 대한 예시도이다.
도 2 및 도 3과 같이, 본원의 제1 실시예 중, 처리액 수용 장치(1)는 저온 방식으로 처리액(L)을 저장할 수 있으며, 처리액(L)이 누수된 냉각액(C)에 의해 오염되는 것을 방지하고, 즉각적인 누수 감지가 가능하다. 처리액 수용 장치1는 탱크(10), 누수 방지 유닛(20) 및 냉각액 전달 유닛(30)을 포함한다.
본원의 제1 실시예 중, 탱크(10)는 처리액(L)을 수용한다. 누수 방지 유닛(20)은 누수된 냉각액(C)을 수용하여 냉각액(C)이 탱크(10)로 흘러들어가 처리액(L)을 오염시키는 것을 방지한다. 누수 방지 유닛(20)은 탱크(10)의 상측에 설치된다. 누수 방지 유닛(20)은 제1 분리 탱크(21), 제2 분리 탱크(22), 제1 액체 감지 부재(23), 제2 액체 감지 부재(24), 제1 배액관(25), 제2 배액관(26), 제3 액체 감지 부재(27), 제4 액체 감지 부재(28) 및 가스 공급관(29)을 포함한다.
제1 분리 탱크(21)와 제2 분리 탱크(22)는 누수된 냉각액(C)을 수용하여 냉각액(C)과 처리액(L)을 분리한다. 제1 분리 탱크(21)는 하부벽을 에워싸는 직사각형 관 형태의 벽면인 제1 측벽(211)을 포함한다. 제2 분리 탱크(22)는 하부벽을 에워싸는 직사각형 관 형태의 벽면인 제2 측벽(221)을 포함한다. 제1 측벽(211)은 냉각액 전달 유닛(30)의 관통 설치를 가능하게 해주는 제1 개구부(2111)를 포함한다. 제2 측벽(221)은 냉각액 전달 유닛(30)의 관통 설치를 가능하게 해주는 제2 개구부(2211)를 포함한다. 가스 공급관(29)은 제1 분리 탱크(21) 및 제2 분리 탱크(22)와 각각 연통되어 가스를 제공하고, 제1 분리 탱크(21) 및 제2 분리 탱크(22)의 기압이 탱크(10)의 기압보다 크도록 한다.
제1 액체 감지 부재(23)는 제1 분리 탱크(21)에 설치되어 액체를 감지할 수 있다. 제2 액체 감지 부재(24)는 제2 분리 탱크(22)에 설치되어 액체를 감지할 수 있다. 제1 액체 감지 부재(23)와 제2 액체 감지 부재(24)는 액체 감지 기능을 통해 누수 여부를 각각 판단할 수 있다. 제1 배액관(25)은 제1 분리 탱크(21)의 제1 측벽(211)과 연결되며, 누수된 냉각액(C)를 외부로 배출한다. 제2 배액관(26)은 제2 분리 탱크(22)의 제2 측벽(221)과 연결되며, 누수된 냉각액(C)를 외부로 배출한다. 제3 액체 감지 부재(27)는 제1 배액관(25) 외측에 설치되며, 액체가 제1 배액관(25)으로부터 배출되는지 감지할 수 있다. 제4 액체 감지 부재(28)는 제2 배액관(26) 외측에 설치되며, 액체가 제2 배액관(26)으로부터 배출되는지 감지할 수 있다. 제3 액체 감지 부재(27)와 제4 액체 감지 부재(28)는 각각 감지를 통해 누수 여부를 판단할 수 있다. 본원에서, 제1 액체 감지 부재(23), 제2 액체 감지 부재(24), 제3 액체 감지 부재(27) 및 제4 액체 감지 부재(28)는 외부 컴퓨터와 전기적으로 연결되며(도면 예시 없음), 누수 감지 시 외부 컴퓨터로 알림을 전송해 담당자에게 주의를 줄 수 있다.
도 2 및 도 3과 같이, 제1 배액관(25)과 제1 분리 탱크(21)의 연통 지점과 제1 분리 탱크(21) 하부벽과의 거리는 제1 높이(H1)이고, 제1 개구부(2111)와 제1 분리 탱크(21) 하부벽과의 거리는 제2 높이(H2)이며, 제1 높이(H1)는 제2 높이(H2)보다 낮다. 따라서 누수가 발생하고, 제1 분리 탱크(21) 내 냉각액(C)의 높이가 제1 높이(H1)에 다다르면, 냉각액(C)은 배출 방향(M)에 따라 외부로 배출되며, 냉각액(C)의 높이가 제2 높이(H2)에 도달하지 못하기 때문에, 제1 개구부(2111)에서 탱크(10)로 흘러 들어갈 수 없다. 제2 배액관(26)과 제2 분리 탱크(22)의 연통 지점과 제2 분리 탱크(22) 하부벽과의 거리는 제3 높이(H3)이고, 제2 개구부(2211)와 제2 분리 탱크(22) 하부벽과의 거리는 제4 높이(H4)이며, 제3 높이(H3)는 제4 높이(H4)보다 낮다. 따라서 누수가 발생하고, 제2 분리 탱크(22) 내 냉각액(C)의 높이가 제3 높이(H3)에 다다르면, 냉각액(C)은 배출 방향(M)에 따라 외부로 배출되며, 냉각액(C)의 높이가 제4 높이(H4)에 도달하지 못하기 때문에, 제2 개구부(2211)에서 탱크(10)로 흘러 들어갈 수 없다.
본원의 제1 실시예에서, 도 2 내지 도 4와 같이, 냉각액 전달 유닛(30)은 냉각액(C)이 흐를 수 있도록 해주어, 냉각액 전달 유닛(30) 표면과 맞닿는 처리액(L)의 온도를 낮춰준다. 냉각액 전달 유닛(30)은 관체 세트(31), 제1 고정단(32), 제2 고정단(33) 및 칸막이판(34)을 포함한다. 관체 세트(31)는 복수 개의 서브 관체(311)를 포함한다. 탱크(10) 내에 설치된 부분 관체 세트(31)의 양단은 수평 방향으로 제1 개구부(2111)와 제2 개구부(2211)를 각각 관통한다. 관체 세트(31)는 에워싸는 형태로 탱크(10) 내에 설치되며, 에워싼 관체 세트(31)에는 적어도 하나의 교차점이 존재한다. 에워싸는 형태의 설치 방식은 관체 세트(31)의 각 서브 관체(311)가 지나치게 구부러져 코너가 절곡되는 것을 방지하고, 냉각액(C)이 부드럽고 매끄럽게 흐를 수 있도록 해주며, 관체(311)가 지나치게 구부러져 파손되는 것 또한 방지한다.
제1 고정단(32) 및 제2 고정단(33)은 관체 세트(31)의 양측이다. 제1 고정단(32)은 제1 분리 탱크(21)의 제1 측벽(211)에 설치되어 냉각액 공급관 (800)과 연통되고, 제2 고정단(33)은 제2 분리 탱크(22)의 제2 측벽(221)에 설치되어 냉각액 배출관(900)과 연통된다. 제1 고정단(32)과 제2 고정단(33)의 설치 방식은 제1 분리 탱크(21) 및 제2 분리 탱크(22)의 부분 관체 세트(31)가 수평을 이루도록 하여, 제1 고정단(32) 또는 제2 고정단(33) 중 적어도 하나에서 냉각액 누수 발생 시, 냉각액(C)이 관체 세트(31)를 따라 탱크(10)로 흘러가지 않도록 해준다. 냉각액(C)은 누수 방지 유닛(20)의 제1 분리 탱크(21) 또는 제2 분리 탱크(22)로 흐르게 되며, 제1 배액관(25) 또는 제2 배액관(26)으로부터 배출된다.
칸막이판34은 복수 개의 천공(341)을 포함하며, 복수 개의 천공(341)은 서로 간격을 띄우고 있다. 복수 개의 서브 관체(311)는 복수 개의 천공(341)을 관통하여 설치되기 때문에 상호 일정 간격을 두어 서로 부딪히지 않으며, 복수 개의 서브 관체(311)의 표면적(즉, 처리액(L)과의 열교환 면적)을 넓힐 수 있다. 따라서, 냉각액(C)이 복수 개의 서브 관체(311)를 흐를 때, 복수 개의 서브 관체(311)와 처리액(L) 간의 바람직한 열교환 면적으로 인해 냉각 효율을 높일 수 있다.
사용자가 처리액 수용 장치(1)를 사용하여 처리액(L)을 저장하고자 할 때, 도 2 및 도 3과 같이, 사용자는 먼저 처리액(L)을 탱크(10) 내에 담고, 냉각액 공급관(800)을 통해 냉각액(C)을 냉각액 전달 유닛(30)의 제1 고정단(32)에 주입한다. 냉각액(C)은 관체 세트(31)를 따라 흐르게 되며, 관체 세트(31) 주변의 처리액(L) 온도를 떨어뜨려 처리액(L)이 온도로 인해 변질되지 않도록 한다. 마지막으로 냉각액(C)은 제2 고정단(33)으로부터 냉각액 배출관(900)으로 흐르게 된다.
제1 고정단(32)과 제2 고정단(33) 중 적어도 하나에서 냉각액 누수 발생 시, 냉각액(C)은 대응되는 누수 방지 유닛(20)의 제1 분리 탱크(21) 또는 제2 분리 탱크(22)로 흘러 들어가며, 다시 제1 배액관(25) 또는 제2 배액관(26)으로부터 배출된다. 이를 통해 제1 액체 감지 부재(23)가 제1 분리 탱크(21) 내 액체가 있는지 감지하거나, 제3 액체 감지 부재(27)가 제1 배액관(25)으로부터 액체가 배출됐는지 감지하여, 제1 고정단(32)의 누수 여부를 즉각 판단한다. 또한 제2 액체 감지 부재(24) 역시 이를 통해 제2 분리 탱크(22) 내 액체가 있는지 감지하거나, 제4 액체 감지 부재(28)가 제2 배액관(26)으로부터 액체가 배출됐는지 감지하여, 제2 고정단(33)의 누수 여부를 즉각 판단한다. 누수를 감지한 감지 부재는 즉각 외부 컴퓨터로 이를 통보하여, 담장자에게 보수를 요청한다.
이하 도5를 참조하여 본원의 제2 실시예에 따른 처리액 수용 장치에 대하여 설명한다. 도 5는 본원의 제2 실시예에 따른 처리액 수용 장치에 대한 예시도이다.
도 5와 같이, 본원의 제2 실시예와 제1 실시예의 차이점은, 제2 실시예의 처리액 수용 장치(1a) 중, 탱크(10)에 설치된 냉각액 전달 유닛(30a)의 관체 세트(31a)는 경사 방향으로 제1 측벽(211) 및 제2 측벽(221)을 관통한다는 점이다. 제1 고정단(32) 및 제2 고정단(33) 은 제1 측벽(211) 및 제2 측벽(221)에 각각 설치된다. 제2 실시예의 제1 고정단(32)과 제1 측벽(211)의 연결 높이는 제1 실시예의 제1 고정단(32)과 제1 측벽(211)의 연결 높이보다 낮다. 제2 실시예의 제2 고정단(33)과 제2 측벽(221)의 연결 높이는 제1 실시예의 제2 고정단(33)과 제2 측벽(221)의 연결 높이보다 낮다. 이에 누수 방지 유닛(20a)의 제1 분리 탱크(21a) 및 제2 분리 탱크(22a) 내에 설치된 부분 관체 세트(31a)가 경사를 이루고, 제1 고정단(32) 또는 제2 고정단(33) 중 적어도 하나에서 냉각액 누수 발생 시, 냉각액(C)이 관체 세트 (31a)를 따라 탱크(10)로 흘러가지 않도록 해준다.
본원의 처리액 수용 장치(1, 1a)의 설계를 통해, 저온 방식으로 처리액을 저장하고, 누수액을 분리 탱크에서 분리하여 외부로 배출시켜 누수액이 탱크로 유입되는 것을 방지하여 탱크 내 처리액이 누수된 냉각액에 오염되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 처리액 수용 장치(1, 1a)는 누수 상황을 즉각 감지하여, 담당자에게 보수 요청을 할 수 있다.
상기 실시예들은 예시의 목적으로 본원은 실시예들에 의해 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 본원의 기본 구조에서 벗어나지 않는다면 모두 본 특허 청구범위에 속하고, 본 특허의 청구범위를 기준으로 해야 한다.
처리액 수용 장치(1,1a)
탱크(10)
누수 방지 유닛(20,20a)
제1 분리 탱크(21, 21a)
제1 측벽(211)
제1 개구부(2111)
제2 분리 탱크(22, 22a)
제2 측벽(221)
제2 개구부(2211)
제1 액체 감지 부재(23)
제2 액체 감지 부재(24)
제1 배액관(25)
제2 배액관(26)
제3 액체 감지 부재(27)
제4 액체 감지 부재(28)
가스 공급관(29)
냉각액 전달 유닛(30, 30a)
관체 세트(31, 31a)
관체(311)
교차점(312)
제1 고정단(32)
제2 고정단(33)
칸막이판(34)
천공(341)
냉각액 공급관(800)
냉각액 배출관(900)
냉각액(C)
제1 높이(H1)
제2 높이(H2)
제3 높이(H3)
제4 높이(H4)
처리액(L)
배출 방향(M, N)

Claims (11)

  1. 처리액 수용 장치에 있어서,
    처리액을 수용하는 탱크;
    상기 탱크의 상측에 설치된 누수 방지 유닛; 및
    냉각액이 흐를 수 있도록 하는 냉각액 전달 유닛 - 상기 냉각액 전달 유닛은, 관체 세트; 제1 고정단; 및 제2 고정단;을 포함하고, 상기 관체 세트는 상기 탱크 내에 설치되어 있고, 상기 제1 고정단 및 제2 고정단은 상기 관체 세트의 양측으로 상기 누수 방지 유닛과 연결됨-;을 포함하고,
    상기 제1 고정단 또는 상기 제2 고정단 중 적어도 하나에서 상기 냉각액이 누수될 경우, 상기 냉각액은 상기 누수 방지 유닛으로 흐르게 되는 것이고,
    상기 누수 방지 유닛은 제1 분리 탱크 및 제2 분리 탱크를 포함하고,
    상기 제1 고정단은 상기 제1 분리 탱크에 설치되어 냉각액 공급관과 연통되고, 상기 제2 고정단은 상기 제2 분리 탱크에 설치되어 냉각액 배출관과 연통되는 것인, 처리액 수용 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 관체 세트는 복수 개의 서브 관체를 포함하고, 상기 냉각액 전달 유닛은 칸막이판을 더 포함하고, 상기 칸막이판은 서로 간격을 이루는 복수 개의 천공을 포함하고,
    상기 복수 개의 서브 관체는 상기 복수 개의 천공을 관통하여 설치되어, 상기 냉각액이 상기 복수 개의 서브 관체를 흐를 때 상기 복수 개의 서브 관체와 상기 처리액의 열교환 면적을 넓히는 것인, 처리액 수용 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 관체 세트는 에워싸는 형태로 상기 탱크 내에 설치되어 상기 관체 세트에 적어도 하나의 교차점이 있게 하는 것인, 처리액 수용 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 누수 방지 유닛은,
    제1 액체 감지 부재와 제2 액체 감지 부재를 포함하고,
    상기 제1 액체 감지 부재는 상기 제1 분리 탱크에 설치되고, 상기 제2 액체 감지 부재는 상기 제2 분리 탱크에 설치되어, 상기 제1 고정단과 상기 제2 고정단의 누수 여부를 각각 측정하는 것인, 처리액 수용 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 누수 방지 유닛은,
    제1 배액관과 제2 배액관을 포함하고,
    상기 제1 배액관은 상기 제1 분리 탱크와 연통되고, 상기 제2 배액관은 상기 제2 분리 탱크와 연통되어, 상기 제1 고정단 또는 상기 제2 고정단 중 적어도 하나에서 상기 냉각액이 누수될 경우, 상기 냉각액은 상기 제1 배액관 또는 상기 제2 배액관으로부터 배출되는 것인, 처리액 수용 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 누수 방지 유닛은,
    제3 액체 감지 부재와 제4 액체 감지 부재를 포함하고,
    상기 제3 액체 감지 부재는 상기 제1 배액관 외측에 설치되고, 상기 제4 액체 감지 부재는 상기 제2 배액관 외측에 설치되어, 상기 제1 고정단과 상기 제2 고정단의 누수 여부를 각각 측정하는 것인, 처리액 수용 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 배액관은 상기 제1 분리 탱크의 제1 측벽과 연통되고, 상기 제2 배액관은 상기 제2 분리 탱크의 제2 측벽과 연통되고,
    상기 제1 배액관과 상기 제1 분리 탱크의 연통 지점과 상기 제1 분리 탱크 하부벽과의 거리는 제1 높이이고, 상기 제1 측벽은 상기 관체 세트의 관통 설치를 가능하게 해주는 제1 개구부를 포함하고, 상기 제1 개구부와 상기 제1 분리 탱크 하부벽과의 거리는 제2 높이이고, 상기 제1 높이는 상기 제2 높이보다 낮고,
    상기 제2 배액관과 상기 제2 분리 탱크의 연통 지점과 상기 제2 분리 탱크 하부벽과의 거리는 제3 높이이고, 상기 제2 측벽은 상기 관체 세트의 관통 설치를 가능하게 해주는 제2 개구부를 포함하고, 상기 제2 개구부와 상기 제2 분리 탱크 하부벽과의 거리는 제4 높이이고, 상기 제3 높이는 상기 제4 높이보다 낮은, 처리액 수용 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 누수 방지 유닛은 가스 공급관을 포함하고,
    상기 가스 공급관은 상기 제1 분리 탱크 및 상기 제2 분리 탱크와 각각 연통되어 가스를 제공하여, 상기 제1 분리 탱크 및 상기 제2 분리 탱크의 기압이 상기 탱크의 기압보다 크도록 하는, 처리액 수용 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 탱크 부분에 설치된 상기 관체 세트는 수평 방향으로 상기 제1 측벽 및 상기 제2 측벽을 관통하고, 상기 제1 고정단 및 상기 제2 고정단은 상기 제1 측벽 및 상기 제2 측벽에 각각 설치되어, 상기 제1 분리 탱크 및 상기 제2 분리 탱크 부분에 설치된 상기 관체 세트가 수평을 이루도록 하여, 상기 제1 고정단 또는 상기 제2 고정단 중 적어도 하나에서 상기 냉각액 누수 발생 시, 상기 관체 세트를 따라 상기 탱크로 흘러들어가지 않도록 하는, 처리액 수용 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 탱크 부분에 설치된 상기 관체 세트는 경사 방향으로 상기 제1 측벽 및 상기 제2 측벽을 관통하고, 상기 제1 고정단 및 상기 제2 고정단은 상기 제1 측벽 및 상기 제2 측벽에 각각 설치되어, 상기 제1 분리 탱크 및 상기 제2 분리 탱크 부분에 설치된 상기 관체 세트가 경사를 이룰 수 있도록 하여, 상기 제1 고정단 또는 상기 제2 고정단 중 적어도 하나에서 상기 냉각액이 누수 발생 시, 상기 관체 세트를 따라 상기 탱크로 흘러들어가지 않도록 하는, 처리액 수용 장치.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101199028B1 (ko) 2012-03-14 2012-11-08 (주)혜원전기 냉온 정수기용 냉각코일 고정장치
JP2013222914A (ja) * 2012-04-19 2013-10-28 Hitachi Ltd 液漏れ防止装置及び方法、液冷システム

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3712330A (en) * 1970-10-16 1973-01-23 M Davis Liquid spill collection system
JPH05267514A (ja) * 1992-03-18 1993-10-15 Fujitsu Ltd 浸漬冷却構造
JPH09143761A (ja) * 1995-11-28 1997-06-03 Hitachi Ltd エッチング方法および装置
US6406641B1 (en) * 1997-06-17 2002-06-18 Luxtron Corporation Liquid etch endpoint detection and process metrology
US6318581B1 (en) * 2000-03-06 2001-11-20 Snyder Industries, Inc. Discharge outlet for double wall containment tank assembly
US6635573B2 (en) * 2001-10-29 2003-10-21 Applied Materials, Inc Method of detecting an endpoint during etching of a material within a recess
US6806948B2 (en) * 2002-03-29 2004-10-19 Lam Research Corporation System and method of broad band optical end point detection for film change indication
KR100452918B1 (ko) * 2002-04-12 2004-10-14 한국디엔에스 주식회사 두께측정시스템이 구비된 회전식각장치
KR20110039673A (ko) * 2009-10-12 2011-04-20 세메스 주식회사 약액 냉각 장치
US9698062B2 (en) * 2013-02-28 2017-07-04 Veeco Precision Surface Processing Llc System and method for performing a wet etching process
US9735019B2 (en) * 2014-09-05 2017-08-15 Tel Epion Inc. Process gas enhancement for beam treatment of a substrate
TWI656594B (zh) * 2016-12-15 2019-04-11 辛耘企業股份有限公司 基板處理裝置
US10262910B2 (en) * 2016-12-23 2019-04-16 Lam Research Corporation Method of feature exaction from time-series of spectra to control endpoint of process

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101199028B1 (ko) 2012-03-14 2012-11-08 (주)혜원전기 냉온 정수기용 냉각코일 고정장치
JP2013222914A (ja) * 2012-04-19 2013-10-28 Hitachi Ltd 液漏れ防止装置及び方法、液冷システム

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