KR20040100239A

KR20040100239A - 나노미터 또는 그 이하 사이즈의 패턴 형성방법

Info

Publication number: KR20040100239A
Application number: KR1020030032514A
Authority: KR
Inventors: 정희태; 권기영; 이수림
Original assignee: 한국과학기술원
Priority date: 2003-05-22
Filing date: 2003-05-22
Publication date: 2004-12-02
Also published as: KR100548017B1

Abstract

본 발명은 기판(substrate) 상에 유기분자 박막을 형성시킨 다음, 열처리에 의해 유기분자들의 자기조립(self-assembly)을 유도하고, 이에 따라 형성된 일정한 구조에 선택적으로 금속을 화학흡착(stanning)시킨 후, 에칭(etching)하는 단계를 포함하는 나노미터 또는 그 이하 사이즈의 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노패턴은 기록소자, 탄소나노튜브 제조용 주형(template), 새로운 나노패턴의 형성을 위한 마스크, 분리용 막의 소재 개발 등에 유용하게 활용될 수 있다.

Description

나노미터 또는 그 이하 사이즈의 패턴 형성방법{Method for Fabricating a Patterned Array Having Nanometer or Less Size}

본 발명은 유기분자의 자기조립과 금속의 선택적 흡착을 이용하여 나노미터 수준의 초미세 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.

지금까지의 표면 패턴 형성은 주로 고분자 박막을 포토레지스트(photoresist)로 이용한 포토리쏘그래피(photolithography)에 의해 이루어져 왔으나 이러한 방법을 통해 나노미터 크기의 고정밀 패턴을 구현하는 데는, 사용 가능한 빛의 파장과 그에 따른 장치 및 기술의 확보, 고분자 자체의 해상도 한계 등이 문제가 되어 많은 어려움을 겪고 있다.

1990년 이후에는 기존의 광전사법에서 새로운 감광저항제로 이용하고자 하는 시도와 함께, 보다 단파장의 빛을 사용하여 패턴의 해상도를 증가시키려는 시도가 있었다. 또한 완전히 새로운 개념의 패터닝 기술, 즉 소프트 전사법(soft lithography)을 이용한 표면의 나노패턴닝 기술 등이 등장하기 시작했다. 이 방법은 빠르고 값싸게 패턴을 형성할 수 있고 연쇄작업이 가능하다는 장점을 지니고는 있지만, 사실상 해상도 한계는 100nm 수준으로 더 이상의 고집적을 위한 해상도 증가는 기대하기 어려운 실정이다.

한편, 패턴을 형성시키기 위한 물질로 유기분자를 사용한 반도체 장치의 나노급 미세패턴 형성방법(KR 10/263671B1)은 과도 식각 마진을 확보하기 위하여 버퍼층을 하나 더 사용하여 홈 내에 잔류하는 미세 패턴의 두께를 확보하고, 홈의 크기를 줄이기 위해 버퍼층에도 스페이서를 적용하는 기술이나, 공정단계의 수가 많고 패턴의 크기가 수십 나노미터 수준이다.

최근에 공개된 자기조립 구조체(KR 02/89528A)는 마이크로 전자산업에서 널리 사용되는 소자를 형성하는 작은 크기의 구조체에 관한 것으로서, 이 발명에서 제시된 자기조립 방법은 표면과 공동으로 배열(array)을 형성하는 능력을 제공하지만, 자기조립 자체는 표면을 따른 경계 내에서 소자 형성물의 위치를 결정하지는 못한다. 따라서, 표면을 따른 경계 내에서 소자를 형성하는 데에는 개별적인 위치결정 기법이 필요한데, 적합한 위치결정 기법이 자기조립 방법과 함께 사용되어, 일반적으로 집적 전자회로 내에서 개별 부품으로서 기능할 수 있는 구조체를 형성한다. 위치결정 방법은 리쏘그래피, 직접 형성방법 또는 기타 위치결정 기법을 이용하여 구조체의 경계를 정할 수 있어서, 패턴이 있는 기재가 형성되고, 이 기재 위에 자기조립에 의해 소자가 조립된다.

자기조립 구조체는 통상의 화학증착 및 물리증착 기술에 의해 형성된 구조체와 함께 합체될 수 있고 집적 전자회로는 집적 광학 부품을 포함할 수 있다. 상기의 자기조립 구조체는 물질 표면의 조건과 온도 및 농도 조건에 따라 원하는 구조체 형성물을 얻도록 조절함으로써 나노입자의 분산액을 이용하여 형성할 수 있다. 일단이 기재 표면에, 다른 일단이 나노입자에 화학적으로 결합되는 링커(linker)가 사용되고 자기조립 공정으로 넘어가는 데에 링커를 이용한 선택적인 결합이 사용될 수 있다.

다른 선택적인 방법은 자기조립 공정으로 향하게 하는 데에 정전 및 화학 상호반응과 같은 자연적인 상호반응을 이용하는 것인데, 여기서 나노입자는 다공질영역에 의해 정해지는 경계 내에서 나노입자를 위치 결정하도록 작은 구멍 내에 적층되어 있다. 작은 구멍은 무기 산화물 또는 2차원의 유기질 결정과 같은 특정 물질 내에서 발견될 수도 있고, 적절한 구멍이 예컨대 이온 밀링 또는 화학 에칭에 의해 형성될 수도 있다. 그러나 공정이 복잡하고 패턴의 간격이 수십 내지 백 나노미터급 수준에 머물러 있는 실정이다.

또한, 자기조립 단분자층을 이용한 나노미터 수준의 고정밀 패턴 형성방법(KR 03/23191A)이 알려져 있는데, 상기 발명은 치환된 말단 고리를 갖는 방향족 이민 분자층을 기판상에 형성하고, 상기 방향족 이민 분자층의 치환기를 선택적으로 결합 절단시키며, 치환기가 선택적으로 결합 절단된 상기 방향족 이민 분자층을 가수분해하는 단계를 포함하고 있어 단시간 내에 패턴을 형성하는 방법을 제공하지만 역시 수십 나노미터급 수준에 머물러 있다.

한편, 원자간력 현미경(atomic force microscope)의 팁끝에 고체 기판과 화학적 친화성이 있는 계면활성 분자를 묻히고, 마치 종이에 잉크로 글씨를 써 나가듯이 팁 끝으로 기판에 나노수준의 도안을 형성하는 딥-펜 나노리쏘그래피법 (Science, 283: 661, 1999)은 아주 정교하게 만들어진 팁을 사용함으로써, 5nm 수준에 이르는 고분해능의 나노패턴을 얻을 수 있다는 장점을 지니고 있지만, 패턴을 연속적으로 하나씩 그려가야 하므로(serial processing), 원하는 도안을 얻는데 장시간이 소요된다는 문제점이 있어서 대량 생산을 통해 직접 실용화하기에는 한계가 있다.

상기와 같이 광식각방식(photolithography), 자외선 (ultraviolet light) 및X-ray에 의한 식각방식 등 여러 가지 방법이 도입되고 있지만 100nm 이하의 패턴 형성은 한계에 이르게 되었으며, 이를 해결하기 위한 방법으로 기존의 하향적 구조형성(top-down methods)을 대신하여 상향적 구조형성(bottom-up methods)에 대한 방법들이 널리 연구되고 있다.

상향적 구조형성 방식들은 분자들이 자기조립에 의해 미세구조를 형성하는 것을 기본으로 하는데, 이러한 기초 기술로 유기분자의 미세구조를 주사전자현미경을 통해 분석하는 방법 (Hudson, S.D. et al., Science, 278: 449, 1997)과 기판 표면 성질에 따라 유기분자의 배향이 달라진다는 것을 확인한 논문 (Jung, H.T. et al., Macromolecules, 35: 3717, 2002)이 알려져 있으나, 이들은 각각 유기분자의 미세구조 분석과 유기분자의 배향에 대하여만 기술하고 있다.

또한, 블록공중합체를 이용하여 규칙적인 패턴을 형성하는 방법과 금속의 화학흡착을 통한 점 형태의 패턴 형성방법 (Park M. et al., Science, 276: 1401, 1997)에서와 같이 블록공중합체를 이용하여 100nm 이하의 패턴을 만드는 연구들이 진행되고 있지만, 고분자의 분자사슬에 기인하기 때문에 수십 나노미터 이상 수준의 패턴 형성에 머물러 있는 실정이다. 또한 블록공중합체를 사용할 경우는 형성되는 패턴의 종횡비가 크지 않고 박막의 구조가 복잡하며, 박막의 구조 방향성을 부여하는 것이 쉽지 않은 문제점이 있다.

이에 본 발명자는 공정이 보다 간단하고 패턴 크기가 수 나노미터 수준인 초고밀도 패턴 형성방법을 개발하고자 예의 노력한 결과 본 발명을 완성하게 되었다.

본 발명의 목적은 유기분자의 자기조립과 금속의 선택적 화학흡착을 이용하여 수 나노미터 이하의 유기분자 패턴을 형성하는 방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 유기분자의 나노패턴을 마스크로 하여 기판 또는 기판상의 금속박막을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 또는 금속박막에 나노패턴을 형성하는 방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 방법에 의해 얻어진 기판의 나노패턴을 복수개 결합하는 것을 특징으로 하는 분리용 막(membrane)의 제조방법을 제공하는데 있다.

도 1은 자기조립을 하는 유기분자의 모형에 대한 도시이다. 도 1a는 원판형 또는 디스크형 덴드리머(1)와 쐐기형(fan-shaped) 유기분자(2)가 자기조립을 통해 원기둥 형태(3)를 만들고, 이 원기둥들이 육각형을 배열된 3차원 구조(4)를 형성하는 것을 도시하고 있다. 도 1b는 막대-사슬형 또는 원뿔형의 분자(5)들이 자기조립을 통해 구형(6)을 만들고, 이 구들이 모여 3차원 공간상에 일정한 구조(7)로 배열되는 것을 도시하고 있다.

도 2는 본 발명에 따른 유기분자의 자기조립과 금속의 화학흡착을 이용하여 나노패턴을 형성하는 과정을 보여주는 개략도이다.

도 3은 유기분자들이 육가기둥 형태의 규칙적인 구조를 형성하는 것을 보여 주는 투과전자현미경 사진이다.

도 4는 본 발명에 의해 형성된 나노패턴의 주사전자현미경 사진이다.

도 5는 금속박막의 나노패턴을 제작하는 개략도이다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는, (a) 기판 상에 유기분자 박막을 형성하는 단계; (b) 열처리(annealing)에 의해 상기 유기분자들을 자기조립시켜 규칙적인 구조를 형성하는 단계; (c) 상기 유기분자들의 자기조립에 의해 형성된 규칙적인 구조에 선택적으로 금속을 화학흡착시키는 단계; 및 (d) 상기 선택적으로 금속이 화학흡착된 박막을 에칭하여 금속이 흡착되지 않은 부분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기분자의 나노 패턴 형성방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, (a) 단계 이전에 패턴구조의 방향성을 조절하기 위하여 기판 표면을 개질하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 할 수 있고, 상기 기판 표면의 개질은 표면상에 금속 및 비금속 박막이나 자기조립 단막층(self-assembled monolayer, SAM), 최종목적에 상응하는 기타 박막 등을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기분자는 하기 화학식 1의 화합물을 사용하였으나, 자기조립을 하는 유기분자라면 제한 없이 이용될 수 있다.

<화학식 1>

자기조립을 하는 유기분자로는 원판형 또는 디스크형 덴드리머(1), 쐐기형(fan-shaped) 유기분자(2), 막대-사슬형 또는 원뿔형의 분자(5) 등이 있다. 쐐기형 유기분자의 예로는 하기 화학식 2의 화합물을, 원판형 유기분자의 예로는 하기 화학식 3의 화합물을, 원뿔형 유기분자의 예로는 하기 화학식 4의 화합물을 들 수 있다.

<화학식 2>

<화학식 3>

<화학식 4>

이 유기분자들은 단량체들이 공유결합으로 연결된 고분자와 달리, 반델발스(van der Waals) 인력과 같은 물리적인 2차 결합에 의해 일정한 구조를 형성한다. 이러한 유기분자들은 적절한 온도나 농도, 외부 자기장, 전기장 등에 의해 자기조립을 하여 특정한 미세구조를 형성한다. 본 실험에 사용된 화학식 1의 유기분자는 쐐기 모양의 덴드리머에 해당하는 경우이다. 쐐기형의 분자들이 자기조립을 통해 판상 구조(1)를 형성하고, 이 판상구조들이 모여 기둥 형태(3)를 만들며, 다시 원기둥들이 육각형으로 배열된 3차원 구조(4)를 형성한다(도 1a). 그 외에 원뿔형태의 유기분자(5)의 경우는 원뿔형들이 자기조립하여 구형(6)을 이루며, 구들이 모여 3차원 공간상에 일정한 구조(7)로 배열이 된다(도 1b).

본 발명에서, 기판(substrate)은 실리콘, 유리, 용융실리카, 고분자 등 다양한 물질이 사용될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, (a) 단계의 박막은 스핀코팅(spin-coating), 문지르기(rubbing), 또는 수면에 박막을 형성하여 뜨는 방식(solution spreading) 을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, (b) 단계는 온도를 사용한 유기분자의 액정 상변이온도 이상으로 올린 후에 서냉시키는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, (c) 단계의 화학흡착은 중심부분을 RuO₄(Ruthenium tetraoxide) 화합물을 이용하여 선택적으로 화학흡착시키는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, (d) 단계는 반응성 이온 에칭 방법을 이용하는 것이 바람직하다.

본 발명은 또한 상기 방법으로 제조된 유기분자의 나노패턴을 마스크로 하여 기판 또는 금속박막을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 또는 금속박막에 나노패턴을 형성하는 방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 기판 또는 금속박막의 식각은 반응성 이온 에칭 및/또는 이온 밀링을 이용하는 것이 바람직하다.

본 발명은 또한 상기의 방법에 의해 제조된 기판의 나노패턴을 복수개 결합하는 것을 특징으로 하는 분리용 막(membrane)의 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조된 요홈의 나노패턴이 형성되어 있는 기판을 2n개 결합하여 이루어지는 분리용막 (여기서 n은 자연수이다)을 제공한다.

본 발명은 또한 (a) 기판 상에 자성금속 박막을 형성하는 단계; (b) 상기 자성금속 박막위에 자기조립을 유발하는 유기분자의 박막을 형성하는 단계; (c) 열처리(annealing)에 의해 상기 유기분자들을 자기조립시켜 규칙적인 구조를 형성하는 단계; (d) 상기 유기분자들의 자기조립에 의해 형성된 규칙적인 구조에 선택적으로 금속을 화학흡착시키는 단계; (e) 상기 선택적으로 금속이 화학흡착된 박막을 에칭하여 금속이 흡착되지 않은 부분을 제거하여 유기분자의 나노패턴을 제작하는 단계; 및 (f) 상기 유기분자의 나노패턴을 마스크로 하여 자성금속 박막을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 기록재료용 자성금속 박막의 나노패턴 형성방법을 제공한다.

상기 자성금속은 Fe, Ni, Co, Cr 또는 Pt이거나 상기 원소중 하나 이상을 함유하는 합금인 것을 특징으로 할 수 있다.

이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.

본 발명의 바람직한 구현예에 따라 먼저 <화학식 1>의 유기분자를 테트라하이드로퓨란(THF)을 용매로 하여 1wt%의 용액을 만들어 기질 상에 박막을 형성시킨다. 박막형성시, 스핀코팅(spin-coating), 문지르기(rubbing), 또는 수면에 박막을 형성하여 뜨는 방식(solution spreading)을 주로 사용한다. 구현예에서는 기질로 실리콘 웨이퍼를 사용하였으며, 표면의 개질은 수행하지 않았다 (도 2a).

이후 유기분자들이 자기조립 되도록 유기분자의 액정 상변이 온도보다 약간 높은 온도까지 올려준다. 본 발명에서 사용한 유기분자의 경우, 액정 상변이온도가 230℃ 정도이므로 240℃까지 온도를 올린 후 서냉하였으며, 상기 유기분자는 원기둥 형태의 배열을 가지는 미세구조를 형성한다 (도 2b).

형성된 구조에 대해 선택적으로 RuO₄(ruthenium tetraoxide)를 이용하여 원기둥 형태의 내부에 Ru 금속을 선택적으로 화학흡착시킨다 (도 2c).

이후 반응성 이온 에칭을 통해, 금속이 흡착된 부분과 금속이 흡착되지 않은 부분의 에칭 속도차로부터 점 형태의 구조를 기질 상에 형성시킨다 (도 2d).

본 발명의 바람직한 구현예에 따라 유기분자들이 열처리에 의해 자기조립되는 과정은 다음과 같다.

유기분자의 성질은 열처리에 의해 개질될 수 있는데, 열처리를 위한 적절한 시작 물질은 레이저 열분해에 의해 생성된 유기분자를 포함한다. 또한, 시작 물질로서 사용된 유기분자는 상이한 조건 하에서 하나 이상의 사전 가열 단계를 겪을 수 있는데, 레이저 열분해에 의해 형성된 유기분자의 열처리에 있어서, 추가의 처리는 결정성을 향상시키고, 원소 탄소와 같은 오염물을 제거하며, 가능하게는 예컨대 추가의 산소나, 기타 기상 또는 비기상 화합물로부터의 원소를 합체함으로써 화학량론을 변경시킬 수 있다. 유기분자는 일반적으로 균일한 가열을 제공하도록 오븐 등에서 가열되는 것이 바람직하다. 처리 조건은 일반적으로 온화하여, 상당한양의 입자 소결은 발생하지 않는다. 따라서, 가열 온도는 시작 물질과 생성 물질 모두의 융점에 비해 낮은 것이 바람직하다. 열처리가 조성 변경을 포함하는 경우, 분자의 크기와 형태가 온화한 가열 온도에서도 변경될 수 있다.

자기조립 구조체는 물질/기재의 표면 상에 및/또는 그 표면 내에 발생된다. 자기조립 구조체는 경계 내에 위치 결정되어, 구조체는 위치 결정된 섬을 형성하는 방식으로 각각의 구조체는 복수 요소의 회로 또는 기구의 부품으로서 요소를 형성할 수 있다. 특히, 각각의 구조체는 집적 전자 회로의 부품일 수 있으며, 이 구성 요소는 예컨대 전기 부품, 광학 소자 및 광자 결정을 포함할 수 있다.

미리 정한 경계 내에 구조체를 형성하기 위하여, 관심 대상의 자기조립 구조체의 형성에는 일반적으로 구조체의 한도를 정하는 공정과 별도의 자기조립 공정이 필요하다. 경계를 정하는 공정은 일반적으로 구조체의 한도를 정하는 데에 외력을 활용한다. 자기조립 공정 자체는 일반적으로 구조체의 경계를 정하지 못한다. 자기조립은, 조성물/물질이 결합되는 경우에 결과적인 구조체 내에 자연적 순서(natural ordering)를 야기하는 조성물/물질의 자연 감지 기능을 기초로 한다. 일반적으로, 위치 결정 단계는 자기조립 공정의 전 또는 후에 수행될 수 있지만, 처리 단계의 성질은 특정 순서를 지시할 수도 있다. 알짜 효과(net effect)는, 경계 내에서는 나노입자가 상응하게 덮는 범위와, 이러한 덮는 범위가 없는 경계 외측의 구역을 갖는 자기조립 구조체를 야기한다. 별도의 경계를 정하는 공정은, 경계 내에서 자기조립 공정을 활성화시키거나 경계 외측의 영역을 비활성으로 되게 함으로써 자기조립 공정에 연결된다. 일반적으로, 활성화 공정 또는 비활성화 공정을 수행하기 위해서는 외력이 가해져야 한다.

유기분자들이 벌크 상에서 일정한 구조를 형성하는 것은 투과전자현미경을 통해 확인할 수 있다. 본 실험에서 이용한 것과 동일한 조건의 공정을 통해 샘플을 제작한 결과, 도 3과 같은 결과를 얻을 수 있었으며, 이를 통하여 본 유기분자가 육각기둥 형태의 규칙적인 구조를 형성함을 알 수 있었다.

본 발명의 바람직한 구현예에 따라 상기 유기분자들의 자기조립에 의해 형성된 일정한 구조에 선택적으로 금속을 화학흡착시키는 과정은 다음과 같다.

먼저 유리 용기 속에 RuO₄용액과, 유기분자 박막이 입혀진 기질을 용액과 직접 접촉하지 않도록 하여 같이 넣어둔다. 이 과정에서 RuO₄용액 중의 Ru 금속이 기상으로 확산되면서 기질상의 유기분자 박막에 흡착이 된다. 흡착된 Ru 금속은 구조의 특정부분에 선택적으로 화학반응을 일으키게 된다.

본 발명에서는 RuO₄를 사용하였으나 OsO₄(osmium tetraoxide)나, 기타 유기분자에 의해 형성된 구조에 선택적으로 화학흡착이 가능한 금속은 모두 이용 가능하다.

본 발명의 바람직한 구현예에 따라 상기 화학흡착 과정을 거친 후, 에칭 공정을 거치게 되면, 표면상의 유기분자층이 일정부분 박리되어 최종적으로 나노패턴이 형성된 소자가 얻어지게 되며, 이와 같은 에칭 공정은 반도체 소자 공정시 통상적으로 사용되는 방법이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들면, KCN-KOH 혼합용액 또는 HF 수용액 등의 에칭 용액을 사용하거나, 반응성 이온 에칭(RIE: Reactive Ion Etching) 또는 이온밀링을 통하여 수행할 수 있다.

본 발명의 바람직한 구현예에 따라 상기와 같이 형성된 나노패턴은 다양한 종류의 생체 물질들을 반응시켜 원하는 형태의 배열(array)을 형성하는데 있어서 중요한 표면 기판으로 사용될 수 있으며, 이는 고집적화와 소형화된 바이오칩을 생산하는 데 매우 중요한 기능을 수행할 것이다.

본 발명으로부터 얻어진 점 형태의 구조는 이에 상응하는 역상으로 구조의 변환이 가능하다. 점 형태의 구조가 형성된 기판 상에 실리콘 혹은 질화 실리콘(SiN)을 증착하여, 구조의 외부를 채워준다. 이후 원래 있던 점 형태의 구조를 선택적으로 제거하게 되면, 초기의 점 형태 구조에서 구멍 형태의 구조로 변형이 가능하다.

본 발명에서 얻어진 구조의 역상에서 구멍의 깊이를 더 깊게 하여 기질을 통과할 수 있도록 할 경우는 나노미터 및 그 이하 수준의 분리막으로서 사용이 가능하다.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하기로 한다.그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다.

실시예 1: 유기분자의 합성

본 발명에서 사용한 화학식 1의 유기분자는 <반응식 1>과 같은 과정을 통해 합성하였다. 주사전자현미경으로 확인한 결과 이 유기분자는 나노미터 이하 수준의 규칙적인 원기둥 구조를 이루는 것을 확인하였다.

<반응식 1>

실시예 2: 기판 표면의 개질

본 발명에서는 기판의 성질을 변화시키지 않은 실리콘 웨이퍼를 사용하였다. 필요에 의해 기질 상에 금속, 비금속 및 기타 박막을 형성시켜 사용할 수 있다.

실시예 3: 유기분자 박막의 형성

본 유기분자 시료를 테트라하이드로퓨란(THF) 용매에 녹여 실리콘 웨이퍼 상에 스핀코팅하여 박막을 형성시켰다 (도 2a). 본 발명에서는 2000~3000 rpm의 속도로 10~30초 동안 스핀 코팅하였으며, 이 과정에서 박막의 두께를 적절히 변화시킬 수 있다.

실시예 4: 열처리(annealing)

240℃까지 온도를 올린 후에 서냉하여 규칙적인 미세구조를 형성시켰다 (도 2b). 본 발명에서 사용한 유기분자의 경우 240℃에서 자기조립이 일어나며, 이는 사용하는 유기분자에 따라 달라질 수 있다. 이 온도에서 유기분자들이 자기조립을 위한 충분한 이동성을 가지게 되며, 가장 안정된 구조로 자기조립을 하게 된다. 본 발명에서 사용한 유기분자의 경우는 원기둥이 육각형 모양으로 배열된 3차원 구조가 가장 안정적인 구조가 된다.

실시예 5: RuO₄(ruthenium tetraoxide)를 이용한 화학흡착

본 유기분자의 경우 중심부분을 RuO₄화합물을 이용하여 선택적으로 화학흡착 시킬 수 있으므로, 수 분간 샘플을 RuO₄에 노출시켜 중심부분에 Ru 금속을 화학흡착 시켰다(도 2c).

RuO₄에 샘플을 노출시킬 경우, Ru 금속이 공기중으로 확산되어 유기분자 박막 상에 흡착된다. Ru 금속은 특정한 반응기들(에테르 결합, 알코올, 벤젠고리, 아민 등)과 화학적으로 반응하며, 본 발명에서 사용한 유기분자의 경우, 원기둥의 중심부분에 해당하는 영역이 Ru 금속에 의해 화학흡착 된다.

사용되는 유기분자에 따라 화학흡착되는 금속을 대체할 수 있다. 예를 들면, OsO₄(osmium tetraoxide)의 경우는 탄소 이중결합, 알코올, 에테르 결합, 아민 등의 반응기에 화학흡착한다.

실시예 6: 에칭(etching)

이후 반응성 이온 에칭 과정을 거치게 되면 식각속도의 차이에 따라 중심부분이 남아있는 점 형태가 이루어지게 된다(도 2d). 도 4는 이로부터 형성된 점들의 형태를 보여주는 주사전자현미경 사진이다. 본 발명에서는 CF₄기체를 이용하여 약 100초 간 에칭을 하였다. 에칭시간은 기기에 따라 차이가 생기므로 이는 모든 경우에 통용된다고는 할 수 없으며, 조건을 설정하기 위한 테스트 단계가 필요하다.

실시예 7: 기판에 나노패턴을 형성하는 방법

실시예 1 내지 6의 과정에 얻어진 유기분자의 나노패턴을 마스크로 하여 기판을 식각하여 기판에 나노팬턴을 형성하였다. 본 발명에서는 기질 상에 중간층을 사용하지 않았으나, 기타 박막층을 기질과 유기분자박막 사이에 형성할 경우, 형성된 점 구조의 나노패턴은 이후의 식각 공정에서 마스크 역할을 하게 된다. 즉, 점 패턴이 형성된 부분의 하단은 식각이 되지 않고, 표면이 드러난 중간 박막층은 식각이 되어 유기분자에 의해 형성된 패턴이 중간 박막층으로 옮겨가게 되는 것이다.이는 중간박막층으로 사용된 물질에 따라 달라지는데, 금속 박막층일 경우는 이온밀링(ion milling)에 의해 식각이 가능하며, 기타 비금속, 유기물 박막층일 경우 반응성 이온 에칭 및 이온밀링에 의해 식각이 가능하다. 식각 조건은 각 박막층의 특성에 따른다.

실시예 8: 고밀도 기록재료용 자성금속의 나노패턴 제작

먼저 기판상에 코발트, 니켈 및 플라티늄 합금 (Co₆₈Cr₁₈Pt₁₄) 등 최종 기록재료로 사용하고자 하는 자성금속의 박막을 형성시킨 다음, 실시예 1 내지 6의 과정을 수행하였다.

이를 통해 얻어진 유기분자의 나노패턴을 마스크로 하여, 이온밀링을 실시하여 자성금속 박막의 나노패턴을 제작하였다(도 5).

상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 수 나노미터 및 그 이하수준의 미세패턴을 간단한 몇 단계의 공정을 거쳐 쉽게 제작할 수 있고, 미세구조의 방향성 조절이 용이해서 박막의 구조를 간단하게 제작할 수 있다.

또한, 기판에 형성된 나노패턴은 고밀도 기록재료, 탄소나노튜브와 금속나노선(metal nano wire)의 제조를 위한 주형(template), 단백질 칩, DNA 칩, 바이오센서 등의 생물소자, 새로운 나노패턴의 형성을 위한 마스크, 그리고 건전지의 다공성 전극으로 사용이 가능하며, 분리용 막의 소재와 굴절방지용 코팅소재를 개발에 유용하게 활용될 수 있다.

Claims

하기의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노미터 또는 그 이하 사이즈의 패턴을 형성하는 방법:

(a) 기판 상에 자기조립을 유발하는 유기분자의 박막을 형성하는 단계;

(b) 열처리(annealing)에 의해 상기 유기분자들을 자기조립시켜 규칙적인 구조를 형성하는 단계;

(c) 상기 유기분자들의 자기조립에 의해 형성된 규칙적인 구조에 선택적으로 금속을 화학흡착시키는 단계; 및

(d) 상기 선택적으로 금속이 화학흡착된 박막을 에칭하여 금속이 흡착되지 않은 부분을 제거하는 단계.
제1항에 있어서, 상기 (a) 단계 이전에 패턴구조의 방향성을 조절하기 위하여 기판 표면을 개질하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제2항에 있어서, 기판 표면의 개질은 기판 상에 금속 및 비금속, 유기물 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항에 있어서, 유기분자는 디스크형 덴드리머 쐐기형(fan-shaped) 유기분자 또는 원뿔형 유기분자인 것을 특징으로 하는 방법.
제4항에 있어서, 유기분자는 화학식 1의 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.

<화학식 1>
제1항에 있어서, (a) 단계의 박막은 스핀코팅(spin-coating), 문지르기(rubbing), 또는 수면에 박막을 형성하여 뜨는 방식(solution spreading) 을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항에 있어서, (b) 단계는 액정 상변이온도 이상으로 올린 후에 서냉하는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항에 있어서, (c) 단계는 유기분자의 중심부분을 RuO₄(ruthenium tetraoxide) 화합물을 이용하여 선택적으로 화학흡착시키는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항에 있어서, (d) 단계는 반응성 이온 에칭을 이용하는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항에 의해 형성된 유기분자의 나노패턴을 마스크로 하여 기판을 식각하는 것을 특징으로 하는 기판에 나노패턴을 형성하는 방법.
제3항에 의해 형성된 유기분자의 나노패턴을 마스크로 하여 비금속 박막 또는 금속박막을 식각하는 것을 특징으로 하는 비금속 또는 금속 박막에 나노패턴을 형성하는 방법.
제10항 또는 제11항에 있어서, 식각은 반응성 이온 에칭 및/또는 이온밀링을 이용하는 것을 특징으로 하는 방법.
제10항의 방법에 의해 제조된 복수개의 나노패턴을 복수 개 결합하는 것을 특징으로 하는 분리용 막(membrane)의 제조방법.
제10항의 방법에 의해 제조된 요홈의 나노패턴이 형성되어 있는 기판을 2n개 결합하여 이루어지는 분리용 막 (여기서 n은 자연수이다).
하기의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 기록재료용 자성금속 박막의 나노패턴 형성방법:

(a) 기판 상에 자성금속 박막을 형성하는 단계;

(b) 상기 자성금속 박막위에 자기조립을 유발하는 유기분자의 박막을 형성하는 단계;

(c) 열처리(annealing)에 의해 상기 유기분자들을 자기조립시켜 규칙적인 구조를 형성하는 단계;

(d) 상기 유기분자들의 자기조립에 의해 형성된 규칙적인 구조에 선택적으로 금속을 화학흡착시키는 단계;

(e) 상기 선택적으로 금속이 화학흡착된 박막을 에칭하여 금속이 흡착되지 않은 부분을 제거하여 유기분자의 나노패턴을 제작하는 단계; 및

(f) 상기 유기분자의 나노패턴을 마스크로 하여 자성금속 박막을 식각하는 단계.
제15항에 있어서, (e) 단계의 에칭은 반응성 이온 에칭이고, (f) 단계의 식각은 이온밀링을 이용하는 것을 특징으로 하는 방법.
제15항에 있어서, 자성금속은 Fe, Ni, Co, Cr 또는 Pt이거나, 상기 원소중 하나이상을 함유하는 합금인 것을 특징으로 하는 방법.