KR20040096496A - 가열된 진공 지지 장치 - Google Patents
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Abstract
지지 퍽의 표면 및 웨이퍼 표면을 가로 질러서 균일한 온도 분배를 제공하기 위해서 지지 퍽 및 상기 지지 퍽에 결합된 하나 이상의 히터들을 포함하는 웨이퍼 지지 장치가 제공된다. 상기 하나 이상의 히터들은 독립적으로 제어 가능하다. 웨이퍼 지지 장치는 상기 지지 퍽을 상기 하우징으로부터 분리하기 위해서 상기 지지 퍽 및 냉각기 하우징 사이에 위치한 절연 링을 더 포함한다.
Description
웨이퍼 프로세싱 시스템들 및 방법들은 반도체들 및 집적 회로들의 제조에 널리 사용된다. 웨이퍼 프로세싱 시스템의 한 특별한 형태는 반도체들 및 집적 회로들의 제조 단계로서 기판의 표면 위에 막들 및 층들을 증착하기 위해서 화학 기상 증착(CVD)을 이용한다. 다양한 CVD 시스템들이 당해 기술분야에서 사용된다. 예를 들면, 막들은 저압 CVD(LPCVD) 시스템들, 대기압 CVD(APCVD) 시스템들 또는 다양한 형태의 플라즈마 CVD(PECVD) 시스템들을 사용해서 증착될 수 있다. 일반적으로, 상기 모든 시스템들은, 소정의 주입된 가스 화학물질들이 기판 표면 위의 재료층과 반응하고 증착하는 증착 챔버를 이용한다. 많은 형태의 재료들이 산화물 또는 도핑된 산화물과 같은 유전체들로 증착될 수 있다.
시스템의 적당한 동작을 위해서, 특히 원하는 품질 및 반복성의 막을 증착하기 위해서, 반도체 웨이퍼 및 기판의 지지는 중요하다. 기판들은 일반적으로 웨이퍼 지지대 또는 척(chuck)에 의해서 증착 챔버내에 지지된다. 프로세스 동안에 웨이퍼를 실질적으로 균일한 가열 및 냉각을 제공하는 것이 중요하다. 웨이퍼의 가열 동안에 비-균일성들은 웨이퍼의 표면 위에 형성된 비-균일 막을 만든다. 척 설계의 개선들이 진행되어 왔지만, 종래기술의 진공 척들은 단일 피스 지지 퍽(puck) 및 온도 제어과 결부된 문제점들과 같은 한계들을 보여주었다. 따라서, 개선이 요구된다.
본 출원은 2001년 11월 26일에 제출된 미국 특허출원 60/333,447호에 기초한 우선권을 주장하고, 상기 출원의 내용은 전체적인 참조로 본 발명에 합쳐진다.
본 발명은 일반적으로 반도체 장비 및 프로세싱 분야에 관한 것이다. 더 특히, 본 발명은 프로세싱 동안 반도체 웨이퍼 또는 기판을 지지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 장치의 부분 단면도이다.
도 2는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 지지 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 장치의 확대 집합도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 2개의 가열 영역들을 도시하는 히터들의 상부도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 5개의 가열 구역들을 도시하는 히터들의 상부도이다.
도 6은 5개의 가열 구역 제어를 가지는 본 발명의 지지 장치에 의해서 수행된 웨이퍼 상의 실질적으로 균일한 온도 프로파일을 도시하는 개략도이다.
도 7은 5개의 가열 구역 제어 및 석영 절연 링을 가지는 본 발명의 지지 장치에 의해서 수행된 웨이퍼 상의 실질적으로 균일한 온도 프로파일을 도시하는 개략도이다.
도 8a 및 8b는 2개의 가열 영역 제어과 5개의 가열 구역 제어를 각각 가지는 본 발명의 지지 장치에 의해서 수행된 웨이퍼 상의 USG(undoped silicate glass) 막들에 대한 막 균일도를 도시한다.
진공 웨이퍼 지지 장치에는 지지 퍽 및 지지 퍽의 표면과 웨이퍼 표면을 가로 질러서 균일한 온도 분배를 제공하기 위한 지지 퍽에 결합된 하나 이상의 히터들을 포함하여 제공된다. 하나 이상의 히터들은 독립적으로 제어 가능하다.
일 실시예에서, 상기 히터들은 절연성 바디에 동심의 외부 및 내부 가열 영역들(regions)에 위치하고, 독립적으로 제어 가능하다. 또 다른 실시예에서, 상기 외부 가열 영역은 독립적으로 제어 가능한 하나 이상의 가열 구역들(zones)로 또 나누어 진다.
또 다른 실시예에서, 진공 웨이퍼 지지 장치는 하우징으로부터 지지 퍽을 열적으로 분리하기 위해서 지지 퍽과 냉각 하우징 사이에 위치한 절연 링을 더 포함한다. 절연 링은 바람직하게 석영(quartz)으로 만들어진다. 석영 절연 링은 지지 퍽으로부터 방사 열 손실을 감소시키고, 지지 퍽에 대해서 일정하고 균일한 온도 분배를 용이하게 한다. 석영 절연 링은 상기 퍽의 외부 직경을 줄임으로써, 가장밖의 피스에 덜 비싼 재료를 사용함으로써 지지 퍽의 비용을 감소시킨다.
본 발명의 다른 목적들 및 장점들은 본 발명의 상세한 설명 및 다음의 도면을 참조하여 읽을 때 분명하게 된다.
본 발명은 프로세싱 동안에 반도체 웨이퍼 또는 기판을 지지하기 위한 장치 및 방법을 제공한다. 더 특히, 본 발명은 기판의 프로세싱 동안에 개선된 온도 균일도를 촉진하는 가열된 진공 지지 장치를 제공한다.
도 1내지 5를 참조하여, 이제 본 발명의 진공 지지 장치(10)가 설명된다. 일반적으로, 진공 지지 장치(10)는 하우징(12), 기판(16)을 지지하기 위해서 하우징(12)에 위치한 지지 퍽 또는 바디(14), 및 기판(16)의 표면에 대해서 균일한 온도 분배를 제공하도록 지지 퍽(14)을 가열하기 위한 지지 퍽(14)에 결합된 하나 이상의 히터들(18)을 포함한다.
하우징(12)은 기계적으로 강인하고 화학적 및 열적으로 안정한 재료로 만들어진다. 하우징(12)은 일반적으로 기판의 가열 및 냉각을 위한 세트 기준 온도를 제공하고, 진공 지지 장치(10)의 컴포넌트들에 대한 적당한 동작 환경을 보장하기 위해서 온도 제어된다. 예를 들면, 하우징(12)은 바람직하게 도 3에 도시된 것처럼, 라인(20)에 의해서 공급된 물과 같은 냉각 매체에 의해서 냉각된다.
지지 퍽(14)은 기판을 지지하기 위한 제 1 내부 포션(22) 및 하우징(12)에 결합된 제 2 외부 포션(24) 및 지지 장치(10)의 다른 컴포넌트들을 포함한다. 제 1 내부 포션(22)은 기판(16)을 지지하기에 적당한 구성 및 크기를 가지는 평면 표면(26)을 가진다. 특히, 원형 웨이퍼를 지지하기 위해서, 제 1 내부 포션(22)의 평면 표면(26)은 바람직하게 원형 구성을 가진다. 예를 들면, 지지 퍽(14)의 제 1 내부 포션(22)은 200mm 및 300mm 웨이퍼들을 지지하기 위한 크기일 수 있다. 바람직하게, 제 1 포션(22)의 평면 표면(26)은 아래 설명될 이유에서 제 2 외부포션(24)에 관하여 리세스(28)를 가지도록 형성된다.
제 2 외부 포션(24)은 바람직하게 임의의 높이를 가지는 평면 표면(30)을 포함하고, 지지 장치(10)가 동작 및 사용중 일때, 기판(16)의 상부 표면은 평면 표면(30)과 실질적으로 같은 평면이다. 도 1에 도시된 것과 같은 일 실시예에서, 제 2 외부 포션(24)에는 제 1 내부 포션(22)의 주변 근방에 제 1 엔드(end)(32), 및 하우징(12)에 결합된 제 2 엔드(34) 및 지지 장치(10)의 다른 컴포넌트들이 제공된다. 제 1 엔드(32)는 동일한 평면 표면(30)을 가진다. 제 2 엔드(34)는 하기에 설명된 것처럼 증착 링(38)을 받기 위해서 제 1 엔드 표면(30) 보다 더 낮은 높이를 가지는 평면 표면(36)을 가진다.
지지 퍽 또는 바디(14)는 바람직하게 기계적으로 강인하고 화학적 및 열적으로 안정한 재료로 만들어진다. 지지 퍽(14)은 바람직하게 부식성 수액에 저항하고, 프로세스된 기판에 어떠한 오염 입자들도 만들지 않는 비-금속 절연 재료들로 만들어진다. 질화 알루미늄(AIN)과 같은 세라믹은 지지 퍽에 바람직한 재료이다. 질화 알루미늄(AIN)은 높은 온도에서 뛰어난 열적 전도체를 제공하고, 대부분의 금속 재료들과 비교해서 훨씬 낮은 열 팽창 계수를 가진다. 질화 알루미늄(AIN) 퍽 바디는 뛰어난 척 및 웨이퍼 온도 균일도를 제공할 수 있고, 더 적은 비용, 하기에 설명될 낮은-정확도 엘리먼트들의 사용을 가능하게 한다. AIN 척 바디는 증착 영역의 주기적 세척을 위해 사용된 플로오르-함유 가스들로 높게 비활성화된다.
지지 퍽(14)은 바람직하게 냉각기 플레이트(46) 및 하우징(12)으로부터 절연되어 기판(16)에 온도 균일도를 제공하고, 히터 효율을 촉진한다. 일 실시예에서,도 2에 도시된 것처럼, 절연 링(40)은 하우징(12)으로부터 지지 퍽(14)을 열적으로 분리하기 위해서 사용된다. 특히, 절연 링(40)은 지지 퍽(14)의 주변부 둘레에 위치하고, 하우징(12)에 결합된다. 절연 링(40)은 지지 퍽(140의 주변에 가깝게 접촉헤서 배치될 수 있고, 또는 바람직하게 개선된 절연 효과를 위해서 대략 1" 내지 대략 1.5"(대략 25 내지 대략 38mm) 거리만큼 지지 퍽(14)의 주변부로부터 떨어진다.
절연 링(40) 위에는 냉각 플레이트(46)에 결합된 증착 링(38)이 배치된다. 바람직하게, 증착 링(38)은 열 접촉을 최소화하기 위해서 에어 갭 만큼 절연 링(40) 위에 간격을 둔다. 바람직하게, 하나 이상의 열적 차폐부들(42)은 도 2 및 도 3에 도시된 것처럼, 절연 및 증착 링들(38 및 40) 사이에 배치된다. 지지 장치(10)의 어셈블리 후에, 증착 링(38)은 제 2 포션(24)의 평면 표면과 실질적으로 동일 평면인 평면 표면(44)을 가진다. 선택적으로, 도 1에 도시된 것처럼, 퍽 바디의 제 2 포션(24)이 제 1 및 제 2 엔드(32 및 34)를 가지는 실시예에서, 제 2 엔드(34)는 적당한 수단에 의해서 직접 하우징(12)에 결합될 수 있다. 제 2 엔드 위에는 플레이트(46) 및 제 2 포션(24)의 제 1 엔드(32)에 결합된 증착 링(38)이 배치된다. 바람직하게, 증착 링(38)은 열적 접촉을 최소화하기 위해서 제 2 포션(24)의 제 2 엔드(34) 위에 공간을 둔다. 증착 링(38)은 바람직하게 지지 장치(10)가 어셈블리된 후에, 제 2 외부 포션(24)의 제 1 엔드 표면(30)과 실질적으로 동일 평면인 표면(44)을 가진다.
절연 링(40)은 적당한 절연 재료들로 만들어 질 수 있다. 바람직하게, 절연링(40)은 석영으로 만들어진다. 증착 링(38)은 화학적 및 열적 안정한 절연 재료들로 만들어지고, 바람직하게 질화 알루미늄(AIN)과 같은 퍽 바디(14)와 동일한 재료로 만들어진다. 절연 및 증착 링(40 및 38)은 지지 퍽(14)으로부터 방사 열 손실을 감소시키고 나서, 기판(16)이 지지된 위의 제 1 포션(22)의 평면 표면(26)을 가로 질러서 일정하고 균일한 온도 분배를 가능하게 한다. 절연 및 증착 링(40 및 38)은 또한 냉각된 하우징 및 플레이트(12 및 46)에 열 손실을 최소화함으로써 파워 소비를 감소시킨다. 절연 링(40)은 또한 접선 응력(tangential stresses)을 감소시킴으로써 지지 퍽(14)의 기계적 신뢰도를 개선한다. 석영 절연 링(40)은 퍽(14)의 외부 직경을 감소시킴으로써 및 최외각 피스에 덜 비싼 재료를 사용함으로써 세라믹 지지 퍽(14)의 비용을 감소시킨다.
하나 이상의 히터들(18)은 지지 퍽(14)에 결합되어, 지지 퍽(14)의 제 1 포션(22) 및 그 위에 지지된 기판(16)을 가로 질러서 일정하고 균일한 온도 분배를 제공한다. 하나 이상의 히터들(18)은 지지 퍽(14)으로 혼합될 수 있거나 또는 바람직하게 에어 갭에 의해서 지지 퍽(14)으로부터 분리된 절연 바디(48)에 혼합된다. 하나 이상의 히터들(18) 각각은 아래 설명되는 것처럼, 독립적으로 제어된다.
히터들(18)은 도 4에 도시된 것처럼, 저항성 코일, 튜브형 또는 두꺼운 막들과 같은 적당한 가열 엘리먼트들(47)을 포함한다. 일 실시예에서, 도 4에 도시된 것처럼, 가열 엘리먼트들(47)은 동심의 환형 내부 및 외부 가열 영역들(50 및 52)을 형성하는 절연 바디(48)에 위치한다. 내부 및 외부 영역들(50 및 52)의 가열 엘리먼트들(47)은 독립적으로 제어된다. 가열 엘리먼트들(47) 내장하기 위한 절연바디(48)는 석영과 같은 열적으로 절연 재료이다. 저항성 와이어들과 같은 가열 엘리먼트들(47)이 다수의 동심의링들의 구성에서 석영 절연 바디(48)에 내장될 수 있다. 가열 엘리먼트들에 대한 특정 구성이 설명되었지만, 본 발명은 거기에 한정되지 않는다. 하나 이상의 가열 영역들의 가열 엘리먼트들에 대한 다른 구성이 이용될 수 있다.
바람직하게, 내부 가열 영역(50)은 지지 퍽(14)의 제 1 포션(22)에 실질적으로 근접한다. 외부 가열 영역(52)은 지지 퍽(14)의 제 2 외부 영역(24)에 실질적으로 근접한다. 그러나, 히터들의 다른 증착이 가능하고, 본 발명은 거기에 한정되지 않는다.
일 실시예에서, 외부 가열 영역(52)은 도 5에 도시된 것처럼, 2이상의 가열 구역들로 나누어진다. 외부 영역(52)의 2이상의 가열 구역들 각각의 가열 엘리먼트들(47)은 프로세스 환경에서 불균형 조건들을 완화하기 위해서 독립적으로 제어된다. 예를 들면, 도 5에 도시된 것처럼, 외부 영역(52)은 바람직하게 4개의 사분 구역들(54, 56, 58 및 60)로 나누어진다. 사분 구역들(54 부터 60) 각각의 가열 엘리먼트들(47)은 독립적으로 제어된다. 외부 영역(52)의 4개의 가열 구역들 및 내부 영역들(50)의 하나의 가열 구역은 독립적으로 제어되는 5개의 가열 구역들을 제공한다. Eurotherm 및 Watlow와 같은 종래기술에서 이용 가능한 종래의 온도 제어기들이 가열 영역들 또는 구역들을 독립적으로 제어하기 위해서 사용된다. 각각의 독립적인 온도 제어기는 3가지 형태(비례, 적분 및 미분)의 피드백 제어를 엘리먼트 점화 회로에 제공한다. 위상각 점화 제어기들을 또는 제로-크로스오버 고체상태 중계들이 일반적으로 이용된다.
히터들(18)은 지지 퍽(14) 외의 표면들에 열 손실을 최소화하기 위해서 하우징(12)으로부터 절연된다. 비-금속 절연 바디(62) 및 방사 차폐부들(42)은 도 3에 도시된 것처럼, 히터들(18)을 하우징(12)으로부터 절연시키기 위해서 사용될 수 있다.
외부 및 내부 영역들, 또는 다중 가열된 구역들의 히터들(18)은 도 2에 도시된 것처럼, 지지 퍽(14)에 배치된 열결합부들(64)로부터 히터들에 결합된 온도 제어기들(도시되지 않음)까지의 피드백을 통해서 독립적으로 제어된다. 다중 히터들 또는 가열된 구역들은 국부 가스 흐름, 전도 경로들의 비대칭성들 또는 지지 퍽 접촉부에 기판의 불일치성과 같은 외부 요인들에 의한 웨이퍼 비-균일도에 대한 국부 보상을 제공함으로써 기판의 온도 균일도를 매우 개선한다. 다중 가열된 구역들은 웨이퍼-내에, 및 웨이퍼-대-웨이퍼 온도 변화를 감소시킨다.
지지 장치는 도 2 및 3에 도시된 것처럼, 보유 링들(66) 및 히터 커버(74)를 더 포함한다. 기판 클램핑 진공 라인들(68)가 아래 설명되는 것과 같은 동작에서 척 바디(14)에 기판을 척킹하도록 진공을 제공하기 위해서 제공된다. 리프트 핀들 및 메카니즘(70 및 72)이 아래 설명되는 것과 같은 동작에서 지지 퍽(14)으로부터 기판(16)을 리프트하기 위해서 제공된다.
동작에서, 지지 장치(10)는 증착 챔버내에서 지지 장치(10)를 위치시키기 위해서 리프트 메카니즘(72)을 통해서 위 아래로 움직인다. 기판(16)은 리프트 핀들(70)에 의해서 지지 퍽(14) 위로 리프트되어 위치되고, 진공에 의해서 지지퍽(14)에 고정된다. 기판(16)은 지지 장치(10)가 배치된 챔버에서 유지되는 진공 조건을 초과하여, 바람직하게 기판(16) 및 지지 퍽(14) 사이에 만들어진 압력 차이에 의해서 제 1 포션(22)에 부착되거나 또는 척킹된다. 즉, 기판(16)이 지지 퍽(14)에 척킹될 때, 기판(16) 및 지지 퍽(14) 사이의 압력은 챔버의 압력보다 더 적다. 상기 압력 차이를 만들기 위해서, 지지 퍽(14)은 진공 서플라이(도시되지 않음)와 수액 커뮤니케이션하는 진공 채널들(68)로 제공된다.
기판(16)이 지지 퍽(14) 위에 고정될 때, 기판(16)은 실질적으로 기판을 둘러싸는 주변 표면들과 동일 평면이다. 2개의 가열 영역들 또는 다중 가열 구역들의 가열 엘리먼트들(47)은 독립적으로 제어되어, 기판 표면 및 주변 표면들이 실질적으로 동일한 온도를 가진다.
바람직하게, 본 발명의 웨이퍼 지지 장치는 프로세싱 동안에 웨이퍼의 표면 위에 양호한 품질의 막들을 증착하기 위해서 프로세스의 실질적으로 균일한 흐름 또는 웨이퍼의 표면 위에 반응성 가스들을 촉진시킨다. 지지대는 웨이퍼 표면들과 실질적으로 동일 평면인 집적된 웨이퍼 주변 표면들을 제공하고, 실질적으로 웨이퍼와 동일한 온도로 가열된다. 따라서, 흐르는 프로세스 가스들은 웨이퍼 및 지지대에 대한 모든 위치에서 높은 균일 흐름 및 열적 환경을 가지게 된다. 또한, 지지 퍽 주변 주위의 과도적인 증착은 표면 온도를 주변 주위로 완만하게 감소시킨다.
도 6 및 7은 본 발명의 진공 지지 장치로 달성되는 온도 분배를 도시한다. 도 6 및 7에 도시된 것처럼, 웨이퍼 위에 실질적인 일정하고 균일한 온도 분배가 5개의 가열 구역 제어로 달성된다. 온도는 APNext 모듈 챔버에서 측정된다. 석영 절연 링(40)을 가진 진공 지지 장치(10)는 도 7에 도시된 것처럼, 웨이퍼 표면을 가로 질러서 뛰어난 온도 분배로 제공된다. 도 8은 프로세싱 동안에 본 발명의 진공 지지 장치에 의해서 수행된 웨이퍼 위에 USG 막들에 대한 양호한 막 균일도를 도시한다. 8.8% 1σ의 막 두께 균일도가 동심의 외부 및 내부 가열 영역 제어를 가지는 진공 지지 장치로 달성된다. 1.6% 1σ의 막 두께 균일도는 5개의 가열 구역 제어를 가지는 진공 지지 장치로 달성된다.
상기 설명된 것처럼, 가열에 있어서 개선된 균일도를 가지는 지지 장치가 본 발명에 의해서 제공된다. 본 발명의 특정 실시예에 대한 이전 설명이 예시 및 설명을 목적으로 개시되었다. 상기 실시예들이 개시된 정확한 형태에 한정되거나 제한하는 것은 아니고, 분명히 많은 변경들, 실시예들, 및 변화들이 상기 발명에 따라 가능하다. 본 발명의 범위는 여기에 첨부된 청구항들 및 균등물들에 의해서 정의된다.
Claims (16)
- 진공 지지 장치로서,표면을 가지는 지지 퍽; 및상기 지지 퍽의 상기 표면을 가로 질러서 균일한 온도 분배를 제공하기 위해서 상기 지지 퍽에 결합된 하나 이상의 히터들을 포함하고,상기 하나 이상의 히터들이 독립적으로 제어 가능한 진공 지지 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 지지 퍽은 질화 알루미늄으로 만들어진 것을 특징으로 하는 진공 지지 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 히터들은 절연성 바디의 하나 이상의 가열 영역들에 위치한 가열 엘리먼트들을 포함하고, 상기 하나 이상의 가열 영역들의 가열 엘리먼트들은 독립적으로 제어 가능한 것을 특징으로 하는 진공 지지 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 하나 이상의 히터들은 상기 절연성 바디의 동심의 외부 및 내부 가열 영역들에 위치한 가열 엘리먼트들을 포함하고, 독립적으로 제어 가능한 것을 특징으로 하는 진공 지지 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 외부 가열 영역 내에 상기 가열 엘리먼트들은 하나 이상의 가열 구역들에 위치하고, 독립적으로 제어 가능한 것을 특징으로 하는 진공 지지 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 외부 가열 영역 내에 가열 엘리먼트들은 4개의 사분 구역들에 위치한 것을 특징으로 하는 진공 지지 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 가열 엘리먼트들은 저항성 코일들을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 지지 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 동심의 내부 영역은 대략 180 내지 200mm의 내부 직경을 가지고, 상기 외부 영역은 대략 185 내지 305mm의 외부 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 진공 지지 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 동심의 내부 영역은 대략 280 내지 320mm의 내부 직경을 가지고, 상기 외부 영역은 대략 285 내지 406mm의 외부 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 진공 지지 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 지지 퍽은 주변부를 가지고, 상기 진공 척은 상기 지지 퍽을 둘러싸는 하우징으로부터 상기 지지 퍽을 절연하기 위해서 상기 주변부를 둘러싸는 절연 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 지지 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 절연 부재는 석영으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 진공 지지 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 히터들은 상기 지지 퍽으로부터 에어 갭 만큼 공간을 두는 것을 특징으로 하는 진공 지지 장치.
- 웨이퍼를 지지하는 장치로서,하우징;상기 하우징 내에 위치한 지지 퍽;상기 지지 퍽을 상기 하우징으로부터 절연하기 위해서 상기 지지 퍽 및 상기하우징 사이에 위치한 절연 부재;상기 지지 퍽에 결합된 하나 이상의 히터들 - 상기 하나 이상의 히터들은 독립적으로 제어 가능함 - ; 및상기 웨이퍼를 상기 지지 퍽에 고정하기 위한 진공 시스템을 포함하는 웨이퍼를 지지하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 지지 퍽은 질화 알루미늄으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 지지하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 절연 부재는 석영으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 지지하는 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 하나 이상의 히터들은 절연 바디의 하나 이상의 가열 영역들에 위치한 가열 엘리먼트들을 포함하고, 하나 이상의 가열 영역들에 위치한 상기 가열 엘리먼트들은 독립적으로 제어 가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 지지하는 장치.
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