KR20040080377A - 연속적인 아연도금 이전에 스트립을 제어하여 산화시키는방법 및 아연도금 라인 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 산화성 첨가 원소들을 스틸의 기계적 특성을 개선시킬 수 있는 비율로 함유하는 스틸 스트립(1)의 연속적인 고온-딥(hot-dip) 아연도금 방법에 관한 것으로, 이 방법에서 상기 스트립은 가열, 균열(均熱; soaking) 및 냉각을 위한 열처리 섹션들로 구성되는 아연도금 노(3)를 환원 분위기에서 통과하고 이후 아연도금 배쓰(2)에 침지된다. 상기 산화성 첨가 원소들이 표면으로 이동하여 그곳에서 산화물 층을 형성하기 전에 상기 스트립내에서 본질적으로 산화되도록, 상기 스트립은 상기 노의 입구 섹션의 상류에서, 스트립이 노출되는 가스의 온도, 기간 및 산소 함량에 관한 조건들하에서 산화 처리를 받게 된다.
Description
본 발명은 산화성 첨가 원소들을 스틸의 기계적 특성들을 개선시킬 수 있는 비율로 함유하는 스틸 스트립을 연속적으로 고온-딥 아연도금(hot-dip galvanizing)하기 위한 방법에 관한 것이다.
스틸의 기계적 특성의 개선은, 예를 들어 두께를 축소시켜 스틸의 중량을 감소시키기 위한 목적으로 기계적 강도를 증대시키는 방향, 또는 성형성(drawability)을 증대시키는 방향으로 이루어지거나, 이들 기준을 둘다 만족시키는 방향으로 이루어진다. 이 결과 예를 들어 DP(dual phase) 및 TRIP(transformation-induced plasticity) 스틸의 다상(multiphase) 그레이드들이 발전되었다.
이들 상당한 고강도의 다상 그레이드는 일반적으로 Si, Mn, Cr, Mo 등과 같은 경화 원소의 첨가에 의해 얻어진다.
종래기술에 따른 고온-딥 아연도금 노는 대체로, 가열, 균열 및 냉각과 같은 다양한 열처리 단계를 수행하도록 설치된 몇개의 섹션들을 포함한다. 상기 열처리 노는, 아연도금되기 전에 스틸 시트의 표면상에 존재하는 철 산화물을 제거하도록 의도된 질소/수소 혼합물로 구성되는 불활성 또는 환원 분위기를 이용하여 조절(conditioning)된다.
다상 스틸들의 경우에는, 철보다 더 산화될 수 있는, 스틸에 존재하는 Si,Mn, Cr, Mo 등과 같은 원소들이 노내에 존재하는 산소 원자들과 우선적으로 결합되어 스트립 표면상에 산화물을 형성하는 것으로 밝혀졌다. 이들 성분들의 매우 높은 산화 가능성에 의하면, 그 원자들이 스트립의 표면쪽으로 이동하는 결과를 초래할 수 있으며, 이로 인해 상기 원자들은 노 내에 존재하는 산소에 의해 산화될 수 있다.
그 결과, 스트립의 표면상에는 얇은 산화물 층이 형성된다. 이들 산화물은 안정적이고, 노의 다양한 영역들을 통과하는 동안 감소되지 않으며, 따라서 스트립이 아연 배쓰내에 침지될 때 스트립의 표면에 여전히 남아있게 되고 아연도금 작업중에 아연의 부착을 방해한다. 노 내부 분위기의 이슬점을 현재의 종래 기술이 감당할 수 있는 한계까지 낮추는 것으로는 이 현상을 해소하지 못하며, 이들 산화물의 존재에 의해 야기되는 결함들이 표면상에 존재하는 것은 여전히 관측되고 있다.
그러므로, 현 시점에서 스틸 스트립 고온-딥 아연도금 방법은, Si, Cr, Mn, Mo 등의 산화성 원소들을 스틸의 기계적 특성을 개선시키기에 충분한 양만큼 함유하는 다상 스틸 그레이드를 정확히 아연도금할 수 없다.
본 발명의 제안된 방법의 목적은, 연속적인 고온-딥 아연도금 장치, 및 산화성 원소들을 스틸의 기계적 특성을 개선시키기에 충분한 양만큼 함유하는 스트립의 정확한 처리를 가능하게 하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 산화성 첨가 원소들을 스틸의 기계적 특성을 개선시킬 수 있는 비율로 함유하는 스틸 스트립을 연속적으로 고온-딥 아연도금 처리하기 위한 라인에 관한 것으로, 상기 라인에서 상기 스트립은 아연도금 배쓰에 침지되기 전에 환원 분위기에서 아연도금 노를 통과하며, 상기 아연도금 노의 상류에서 상기 라인은 상기 스트립을 적절한 온도로 가열하기 위한 수단, 및 상기 스트립을 산화 분위기에 노출시키기 위한 구역을 포함하며, 상기 구역의 산소 함량은, 상기 스트립의 처리 온도 및 처리 기간으로 인해, 상기 스틸 스트립내의 산화성 첨가 원소들이 상기 스틸 스트립의 표면으로 이동하여 그곳에서 아연도금 결함들을 초래할 수 있는 산화물 층을 형성하기 전에 상기 스트립의 표면 및 이 표면의 바로 아래에서 산화되도록 존재하는 것을 특징으로 한다. 이 작업중에 생성되는 철 산화물들은 상기 스트립이 노를 통과하는 동안 환원될 것이다.
상기 스트립은 산화 처리를 위해 150℃ 내지 400℃ 사이의 온도, 바람직하게는 대략 150℃ 내지 300℃ 사이의 온도로 가열되는 것이 유리하다. 주어진 등급의 스틸에 있어서, 그 표면의 산화는 주어진 산화 분위기에서 한 쌍의 파라미터, 즉 상기 산화 분위기에서의 스트립의 온도 및 체류 기간을 선택함으로써 제어될 것이다.
상기 온도/체류 기간 쌍은 연속적으로 모니터링되어 라인의 작업 속도, 특히 스트립의 순간 이동 속도를 고려할 것이다. 상기 스트립 산화 처리는 노 상류에서의 가열 파워를 조절하거나(그로 인해 스트립의 온도를 변화시키거나) 노의 상류에 배치된 가열 소자와 노의 입구 사이의 거리(이는 산화 기간에 따라 변화됨)를 변화시킴으로써 제어될 수 있다.
제어된 산화 작업이 스트립의 표면에서 이루어지는 산화 분위기는, 노의 상류에 설치되고 그 산소 함량이 제어되는 챔버내의 주위 공기 또는 임의의 다른 제한된 분위기일 수 있다.
본 발명은 상술한 배치들과는 별도로, 첨부 도면을 참조하여 상세히 기술되지만 결코 한정적이지 않은 예시적 실시예들에 관하여 보다 명료하게 후술될 몇가지 기타 배치들로 구성된다.
도 1은 본 발명의 방법을 수행하기 위한 연속 고온-딥 아연도금 라인의 다이어그램.
도 2는 y-축상에 플로팅된, 스트립상의 지점의 온도 변화를, x-축상에 플로팅된 라인상의 지점의 위치의 함수로서 도시하는 그래프.
도 3은 아연도금 라인의 대체 실시예의 다이어그램.
도 4 내지 도 6은 다른 대체 실시예들의 도시도.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 스틸 스트립 2 : 아연도금 배쓰
3 : 아연도금 노 4 : 스트립 속도 센서
5 : 스트립 표면온도 센서 6 : 스트립 표면 방사율 센서
7 : 제어 수단 15, 20 : 이동 롤
16, 19 : 이동 롤
도 1 내지 도 4의 경우에, 스트립은 좌에서 우로 이동한다.
도 1에는, 용융-아연 도금 배쓰(2)에서 스틸 스트립(1)을 연속적으로 고온-딥 아연도금 처리하기 위한 라인이 도시되어 있다.
상기 라인은 상기 스트립(1)이 상기 배쓰(2)에 침지(dip)되기 전에 스트립을 처리하기 위한, 종래 기술에 따른 아연도금 노(3)를 구비한다. 상기 노는 다양한 열처리 단계들을 연속적으로 실시하기 위해 설치된 여러 섹션들을 포함하며, 이들 섹션은 일반적으로, 가열, 균열 및 스트립의 표면상에 아연을 증착하기에 적합한 온도로의 냉각이다. 노(3)내의 분위기는 환원적인 바, 이는 가능한 한 낮게 유지되는 이슬점을 갖는 종래의 질소/수소 가스 혼합물에 의해 생성되는 것이다.
상기 스틸 스트립(1)은 Si, Cr, Mn, Mo 와 같은 산화성 첨가 원소들을 그 기계적 특성들을 개선시키기에 충분한 비율로 함유한다. 이제까지, 이러한 형태의 아연도금 라인은 상기와 같은 산화성 원소들을 상기와 같은 비율로 함유하는 스틸을 연속 고온-딥 작업에서 정확히 아연도금할 수 없었는 바, 그 이유는 전술했듯이 고온 가열 및 균열 처리 동안에, 이들 첨가 원소들의 매우 얇은 산화물층이 표면상에 형성되어 용융 아연의 표면에 잔류함으로써 코팅에 결함을 초래하기 때문이다.
본 발명에 따르면, 상기 스트립(1)은 노(3)의 상류에서, 구역(8)에서, 특히 Si, Cr, Mn 또는 Mo 와 같은 산화성 첨가 원소들이 상기 표면으로 이동하여 아연도금 결함을 초래할 수 있는 산화물 층을 형성하기 전에 상기 스트립의 표면 아래에서 산화되도록, 분위기/온도 및 체류 기간 조건들 하에서 산화 처리를 받게 된다.
이들 조건하에서, 노(3)에서의 처리 동안에, 첨가 원소들의 산화물들은 재료 내에 트랩된(trapped) 상태로 있게 되고, 아연도금 결함들을 초래하는 포인트까지 산화물 층을 농축시킬 수 있는 스트립 표면으로의 첨가 원소들의 이동은 더 이상 존재하지 않는다.
구역(8)에서의 처리 동안 및 상기 구역(8)으로부터 노의 입구로 이동하는 동안에 스트립의 표면에는 철 산화물들이 형성된다. 상기 스트립(1)이 용융 아연 배쓰(2)에 진입했을 때 상기 스트립이 정확한 아연도금이 일어날 수 있게 해주는 첨가 원소들의 환원된 산화물의 층을 갖는 표면을 갖도록 상기 철 산화물들은 노(3)의 챔버 내에서 환원된다.
상기 구역(8)은 스트립(1)을 통상 150℃ 내지 400℃ 사이의 소망 온도까지 상승시키기 위한 가열 수단을 포함한다. 스트립 속도 센서(4), 스트립 표면 온도 센서(5) 및 스트립 표면 방사율 센서(6)와 같은 센서들에 기초하여 스트립의 가열을 조절하기 위해, 컴퓨터로 구성되는 제어 수단(7)이 제공된다.
주어진 산화 분위기에 대한 산화율은 스트립(1)이 가열 수단(8)을 떠날 때의 최종 온도와, 구역(8)에서 및 구역(8)과 노(3)의 입구 사이에서의 체류 기간을 제어함으로써 제어된다. 이들 파라미터의 조합은 처리될 스틸의 등급, 라인의 속도 및 스트립의 두께와 폭에 따라 최적화된다.
상기 가열 수단(8)은, 라인 속도의 변화나 스트립(1)의 외형의 변화에 의해 초래되는 천이 단계 동안에 스트립의 표면 산화의 제어를 유지하기 위해 낮은 열관성(thermal inertia) 및 높은 굴절율을 갖도록 선택된다. 이 가열 수단(8)은 나화(裸火; naked flame) 또는 간접 가열 형태의 가스 노로 구성될 수 있으나, 바람직하기로는 상기 가열 수단은 전자기 유도 노(electromagnetic induction furnace)로 구성될 것이다. 상기 유도 노는 생성되는 가열 속도를 변화시키기 위해 상기 아연도금 노에 대해 근접 또는 이격 이동될 수 있는 적어도 하나의 유도 코일을 갖는다.
상기 구역(8)내에서 그리고 상기 구역(8)과 노(3)의 입구 사이에서의 스트립(1)의 산화 처리는 바람직하게 공기중에서 이루어질 것이다. 상기 스트립의 산화는 이후 두 개의 파라미터, 즉 상기 구역(8)을 떠나는 스트립의 온도, 및 상기 구역(8)으로의 진입과 상기 노(3)로의 진입 사이의 스트립의 공기내 체류 기간을 제어함으로써 제어될 것이다. 공기중에서의 고온 스트립의 짧은 체류 기간을 보상하기 위해 상기 온도는 라인 속도가 증가되면 증가되어야 할 것이다.
도 2는 y-축상에 플롯 도시된 스트립(1)상의 지점의 온도 변화를, x-축상에 플롯 도시된 라인상에서의 상기 지점의 위치의 함수로서 도시하고 있다. 상기 가열 수단(8)의 상류에서, 상기 스트립의 온도는 예를 들어 100℃ 이하와 같이 낮으며, 세그먼트(9)에 대응한다. 상기 스트립(1)이 상기 가열 수단(8)을 통과할 때, 그 온도는 예를 들어 경사진 세그먼트(10)에 따라서 증가된다. 상기 스트립(1)의 온도는, 스트립이 가열 수단(8)을 떠나는 시점부터 노(3)에 진입하는 시점까지, 세그먼트(11)에 의해 개략 도시되어 있듯이 대략적으로 일정하게 유지되며, 산화 처리는 이 단계 동안에 지속된다. 상기 노(3)의 챔버 내에서, 상기 스트립(1)은, 그 금속학에 맞는 도면부호 12로 지칭되는 사이클로 계속 가열될 것이다.
상기 스트립의 산화는 도 2에 나타난 하나 이상의 파라미터들을 변화시킴으로써 제어될 수 있다. 상기 세그먼트(11)의 가변 온도 유지 레벨을 얻기 위해서는, 상기 세그먼트(10)의 평균 경사를 변경함으로써 스트립의 온도를 변화시킬 수 있다. 또한 예를 들어 상기 스트립이 온도 유지 동안에 노출되는 산화 분위기중의 산소 농도를 변화시킴으로써 온도 유지(11) 기간을 변화시키거나 스트립 산화의 효율을 수정할 수도 있다.
도 3은 가열 구역(8)이 챔버(13)에 의해 노(3)의 입구에 밀봉 방식으로 연결되는 도 1의 변형예를 도시한다. 상기 챔버(13)내에서는, 스트립의 산화가 스틸의 특정 형태, 스트립의 속도 및 기타 스트립의 산화 속도를 제어하는데 필요한 파라미터에 맞도록 산소 농도를 제어할 수 있다. 상기 챔버(13)의 산소 함량, 및 상기 챔버를 외부에 대해 또는 노(3)의 챔버에 대해 밀봉하기 위한 수단은 종래의 수단을 사용하여 제어될 것이다.
산화 처리의 기간은, 가열 수단(8)의 출구와 노(3)의 입구 사이의 스트립(1)길이를 수정함으로써, 라인의 작동 파라미터에 따라 유리하게 제어될 수 있다. 이 길이 변화는 다양한 방법으로 수용될 수 있다.
첫 번째 가능한 방법은, 가열 수단(8)을 도 4에 점선 화살표 14로 개략 도시되어 있듯이 스트립(1)의 방향을 따라서 이동시키는 것으로 구성된다. 주어진 스트립 속도에 있어서, 상기 가열 수단(8)이 노(3)에 근접할 때는 처리 시간이 감소하고, 가열 수단(8)이 노에서 멀리 이동할 때는 처리 시간이 증가한다.
두 번째 가능한 방법이 도 5에 도시되어 있다. 상기 가열 수단(8)은 고정적이며, 상기 가열 수단(8)과 노(3) 사이에서 상기 스트립(1)은, 고정된 롤(15)과, 화살표 17로 개략 도시된 바와 같이 스트립의 방향에 대해 평행하게 이동될 수 있는 이동 롤(16)의 위를 통과한다. 상기 이동 롤(16)이 우측으로 이동하면, 가열 수단(8)과 노(3) 사이의 스트립 길이가 증가하고, 따라서 산화 처리 시간이 증가된다. 역으로, 이동 롤(16)이 도 5에서 좌측으로 이동하면, 스트립의 길이가 감소하며 따라서 처리 시간이 단축된다. 이와 같이 하나의 이동 롤(16)과 두개의 수평 스트립 스트랜드를 갖는 배치는, 가열 수단(8)과 노(3) 사이에서의 스트립 길이를 증가시키고 이 길이의 가능한 변화를 증가시키기 위해 여러개의 롤과 여러개의 길이 가변적인 스트랜드에 의해 여러번 반복될 수 있다.
도 6은 도 5의 대체 실시예를 도시하며, 여기에서는 가열 수단(8)이 고정적이고 스트립(1)은 두개의 고정 롤(20)과, 화살표 18로 개략 도시된 바와 같이 스트립의 주요 방향에 대해 수직하게 이동될 수 있는 하나의 이동 롤(19)의 위를 통과한다. 상기 이동 롤(19)이 상방으로 이동하면, 가열 수단(8)과 노(3) 사이의 스트립 길이가 증가하고, 따라서 산화 처리 시간이 증가된다. 역으로, 이동 롤(16)이 도 6에서 하방으로 이동하면, 스트립의 길이가 감소하며 따라서 처리 시간이 단축된다. 이와 같이 하나의 이동 롤(16)과 두개의 수직 스트랜드를 갖는 배치는, 가열 수단(8)과 노(3) 사이에서의 스트립 길이를 증가시키고 이 길이의 가능한 변화를 증가시키기 위해 여러번 반복될 수 있다.
가열 수단(8)과 노(3)의 입구 사이에서의 스트립 길이가 변화될 수 있게 하는 고정 롤과 이동 롤의 모든 조합은 스트립 산화 시간을 변화시킬 수 있으며, 본 발명의 내용 안에서 실시될 수 있음이 이해될 것이다.
도 5의 롤(15, 17) 또는 도 6의 롤(19, 20, 21)을 13과 같은 챔버 내에 배치하는 것도 가능한 바, 여기에서 산소 농도는 달성하고자 하는 처리에 맞게 제어 및 조절될 수 있다.
또한, 스트립이 가열 수단(8)을 떠날 때 스트립의 온도를 제어하는 것과 재료의 특성 및 의도하는 대상물에 따라서 산화 기간을 제어하는 것의 조합이 가능하다는 것이 이해될 것이다. 이러한 온도 및 처리 기간의 제어와, 대응 액추에이터의 작동의 제어는 조작자에 의해 입력되는 제품 데이타에 따라서 또한 예를 들어 4, 5 및 6과 같은 센서들에 의해 실시되는 측정들에 따라서 컴퓨터(7)에 의해 이루어진다.
이들 장치의 사용으로 인해, 상기 스트립(1)은 용융 아연 배쓰(2)에 진입하며, 첨가 원소들의 산화물을 갖는 경우에 그 표면에 대한 아연 부착이 최적화될 수 있도록 산화물 형성이 제한되는 표면을 갖는다.
본 발명에 따른 아연도금 라인은, 다양한 등급의 스틸을 그 첨가물의 성질과 무관하게 그 표면상에서의 아연 코팅에 있어서 일체의 결함이 없이 경제적으로 아연도금할 수 있는 유연한 제조 공구를 구성한다. 제어 수단(7) 및 가열 수단(8)은 그것들이 적응될 수 있는 속도로 인해, 산화 제어 공정이 모든 치수의 제품들에 대해서 및 제조 라인의 속도 변화에 대해서 적응될 수 있게 한다.
Si, Cr, Mn, Mo 등과 같은 첨가물을 함유하는 스트립의 산화를 제어하는 방법을 실시하는데 필요한 장치들은 그 제조 범위를 확장하기 위해 기존의 플랜트에 쉽게 추가될 수 있거나, 또는 이들이 설치되는 플랜트에서는 상기 첨가물들을 함유하지 않는 등급의 스틸을 제조하기 위해 쉽게 중립화될 수 있음에도 유의해야 한다.
Claims (12)
- 산화성 첨가 원소들을 스틸의 기계적 특성을 개선시킬 수 있는 비율로 함유하는 스틸 스트립(1)을 연속적으로 고온-딥 아연도금하기 위한 방법으로서, 상기 스트립은 가열, 균열 및 냉각을 위한 열처리 섹션들로 구성되는 아연도금 노(3)를 환원 분위기에서 통과하고 이후 아연도금 배쓰(2)에 침지되며, 상기 스트립은 상기 산화성 첨가 원소들이 표면으로 이동하여 그곳에서 아연도금 결함을 생성하기 쉬운 산화물 층을 형성하기 전에 상기 스트립내에서 본질적으로 산화되도록, 스트립이 노출되는 가스의 온도, 기간 및 산소 함량에 관한 조건들하에서 산화 처리를 받게 되는, 연속 고온-딥 아연도금 방법에 있어서,상기 스트립은 상기 노의 입구 섹션의 상류에서 산화 처리를 받게 되고, 상기 스트립이 산화 처리를 위해 노출되는 상기 가스는 공기이며, 상기 스트립은 산화 처리를 위해 대략 150℃ 내지 400℃ 사이의 온도로 가열되고, 상기 스트립의 표면에서 및 그 바로 아래에서의 산화는, 라인 속도의 증가 및 처리 시간의 감소시에는 스틸 스트립(1)의 온도가 증가하고 그 역도 성립되도록 온도/시간 쌍을 제어함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 연속 고온-딥 아연도금 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스틸 스트립은 산화 처리를 위해 대략 150℃ 내지 300℃ 사이의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 연속 고온-딥 아연도금 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 온도는 상기 아연도금 노의 상류에서 상기 스트립을 가열하기 위한 수단(8)의 파워를 변화시킴으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 연속 고온-딥 아연도금 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화 처리 시간은 상기 노의 상류에 위치하는 가열 수단(8)의 출구와 상기 아연도금 노(3)의 입구 사이에서의 상기 스트립(1)의 길이를 변화시킴으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 연속 고온-딥 아연도금 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 가열 수단(8)의 상기 출구와 상기 아연도금 노(3)의 상기 입구 사이에서의 상기 스트립의 길이는 상기 가열 수단을 상기 스트립의 방향을 따라서 이동시킴으로써 변경되는 것을 특징으로 하는 연속 고온-딥 아연도금 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 가열 수단(8)의 상기 출구와 상기 아연도금 노(3)의 상기 입구 사이에서의 상기 스트립의 길이는 상기 스트립의 적어도 하나의 수직 또는 수평 스트랜드의 길이 또는 이들 두 가지의 조합을 조절함으로써 변경되는 것을 특징으로 하는 연속 고온-딥 아연도금 방법.
- 산화성 첨가 원소들을 스틸의 기계적 특성을 개선시킬 수 있는 비율로 함유하는 스틸 스트립(1)을 연속적으로 고온-딥 아연도금하기 위한 라인으로서, 상기 스트립은 아연도금 배쓰(2)에 침지되기 전에 환원 분위기에서 아연도금 노(3)를 통과하는, 연속 고온-딥 아연도금 라인에 있어서,상기 라인은 상기 아연도금 노의 상류에서, 상기 스트립을 대략 150℃ 내지 400℃ 사이의 온도로 가열하기 위한 수단(8), 및 상기 스트립을 산화 분위기에 노출시키기 위한 구역을 포함하며, 상기 구역의 산소 함량은, 상기 스트립의 처리 온도 및 처리 기간으로 인해, 상기 스틸 스트립내의 상기 산화성 첨가 원소들이 표면으로 이동하여 그곳에서 산화물 층을 형성하기 전에 상기 스트립 내에서 산화되도록 존재하는 것을 특징으로 하는 연속 고온-딥 아연도금 라인.
- 제 7 항에 있어서, 상기 가열 수단(8)은 상기 스트립을 산화 가스에 노출시키기 위한 구역에 역시 기여하는 유도 노로 구성되는 것을 특징으로 하는 연속 고온-딥 아연도금 라인.
- 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 가열 구역(8)은, 산소 농도가 모니터링 되어 얻고자 하는 처리로 조절될 수 있는 챔버(13)에 의해 상기 노(3)의 입구에 밀봉 연결되는 것을 특징으로 하는 연속 고온-딥 아연도금 라인.
- 제 8 항에 있어서, 상기 유도 노는 생성되는 가열 속도를 변경시키기 위해 상기 아연도금 노에 대해 근접 또는 이격 이동될 수 있는 적어도 하나의 유도 코일을 구비하는 것을 특징으로 하는 연속 고온-딥 아연도금 라인.
- 제 7 항에 있어서, 상기 가열 수단은 가스 노로 구성되는 것을 특징으로 하는 연속 고온-딥 아연도금 라인.
- 제 7 항 내지 제 11 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 스트립을 센서(4, 5, 6)들에 의해 제공되는 정보에 반응하여, 상기 가열 수단의 출구에서 정해진 온도로 유지하기 위해 상기 가열 수단(8)에 작용하기에 적합한 제어 수단(7)을 구비하는 것을 특징으로 하는 연속 고온-딥 아연도금 라인.
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