KR20040070627A - 회전각 검출 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 회전각 검출 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 종래 회전각 검출 장치 중에서 마그넷 치차와 센서 패키지로 이루어져 분리 장착되는 경우, 마그넷 치차와 센서 패키지가 이격되어 있어야 하므로 장착 공간이 크고 장착 공차에 따른 센서 특성 저하가 발생하며 제조 비용이 높은 문제점이 있었다. 또한, MEMS 회전각속도 검출 장치의 출력을 적분하여 사용하는 경우, 내부 미세 질량체의 지속적인 동작으로 인해 잡음에 민감해지고 센서 수명이 짧아지는 단점과 함께 다양한 부가 회로가 필요하다는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 외부 자극에 의한 운동을 검출하여 그에 따른 역방향 운동으로 원래 위치를 유지하는 단일 기판층으로 이루어진 회전 질량체 및 자계 센서부와; 상기 회전 질량체 및 자계 센서부와 접합되어 단일칩을 형성하며, 상기 회전 질량체 및 자계 센서부에 기준 자계를 제공하기위한 자계 형성 구조물을 포함하는 회전각 검출 장치 및 그 제조 방법을 제공함으로써 크기와 장착 공차를 현저히 줄이고, 별도의 패키징 없이 반도체 공정으로 대량생산할 수 있도록 하여 제조 비용을 낮추고 회전각에 비례한 출력값을 직접 출력하도록 하여 부가 회로가 요구되지 않아 소형, 고정밀, 저가격을 모두 실현할 수 있는 효과가 있다.

Description

회전각 검출 장치 및 그 제조 방법{STEERING ANGLE SENSING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 회전각 검출 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 치차와 자계센서를 일체화하는 것으로 제조 공차로 인한 특성 변화를 방지하고, 공간과 비용을 줄이면서 정밀성과 수명을 높이는데 적당하도록 한 회전각 검출 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 회전체로 인한 자계의 변화를 검출하기 위한 회전각 검출 장치는 회전체에 치차 및 치차와 같은 요철구조의 자성체 또는 미세하게 분극된 환형 모양의 자성체를 고정시킨 후, 회전체의 회전으로 야기되는 자계의 변화를 홀센서나 자기저항(MR) 센서등의 자계 센서를 이용하여 검출하게 된다. 상기 회전체의 회전으로 발생하는 자계의 변화는 자계 센서의 전기적인 출력으로 나타나고, 이를 통해 회전 정보를 얻을 수 있다.

상기와 같은 일반적인 회전각 검출 장치는 자동차용 센서로 활용되고 있으며, 구체적으로는 캠 및 크랭크의 위치 검출, 자동 변속기의 변속 위치 검출, 잠김 방지 브레이크 시스템을 위한 회전 속도 검출, 조향각, 조향 속도 검출등에 이용되고 있다.

도 1은 종래 회전각 검출 장치의 동작 원리를 보이는 블록도로서, 도시한 바와 같이 원형 마그넷 치차(1)와 별도로 구성되어 배치된 자계센서(3)를 가지는 패키지(2)로 이루어져 있다.

일반적으로, 상기 마그넷 치차(1)를 측정하고자하는 회전체에 장착하고, 소정의 동작 범위(마그넷 치차(1)와 패키지(2) 사이의 적정 간격) 내에 센서 패키지(2)를 위치시킨다. 상기 마그넷 치차(1)는 회전체에 연결되어 있으므로 회전축에 따라 회전하게 되고, 그 회전에 따라 자계의 세기 또는 방향에 변화가 발생하게 된다. 이러한 자계의 변화를 상기 패키지(2) 내의 자계 센서(3)가 검출하는 것으로 회전 정보를 알 수 있게 된다. 상기 자계 센서(3)는 전술한 바와 같이 홀센서나 자기저항 센서 등을 이용한다.

상기와 같은 구성과 검출 방법을 가지는 종래 회전각 검출 장치는 도시한 바와 같이 소정의 이격 거리 때문에 장착을 위한 공간이 요구되고, 상기 센서 패키지(2)를 마그넷 치차(1)와 이격시켜 장착해야 하므로 실제 장착에 따른 공차에 의해 센서 특성이 변동하게 된다. 이는 센서의 특성 저하를 유발하므로 각각의 회전각 검출 장치를 설치한후 그에 대한 보정을 실시하거나 공차를 감안하여 정밀도를 낮추어야 한다.

도시된 구성을 통해 알수 있는 바와 같이, 상기 센서 패키지(2)와 마그넷 치차(1) 사이의 거리는 센서의 특성을 결정하는 중요 변수가 되는데, 이는 장착 오차나 공간 확보의 문제 등으로 최적화 하기가 곤란하게 된다. 또한, 별도로 마그넷 치차(1)와 센서 패키지(2)를 제조해야 하기 때문에 생산 비용이 높아진다. 즉, 종래 회전각 검출장치는 넓은 장착 공간이 필요하고, 마그넷 치차와 패키지가 별도로구성되므로 생산 비용이 높고 설치가 번거로우며, 장착 오차로인해 정밀도가 떨어진다.

상기와 같은 구조적 크기를 줄일 수 있는 연구가 진척되면서 미세전기 기계시스템(Micro Electro Mechanical System:MEMS)의 미세 가공 기술을 적용한 검출 장치들이 나타나고 있다. 상기 MEMS는 기계적인 연마가 아닌 반도체 공정을 이용하여 미세한 전기/기계적 특성을 가지는 시스템을 제조하는 기술로서, 각종 변환기(transducer)나 SoC(System on Chip)의 한 방법으로 주목받고 있는 기술이다. 즉, 기존의 시스템들로는 달성하지 못했던 크기 축소 및 단일칩화 등이 가능해진다. 하지만, 아직까지 회전각 검출 장치에 MEMS를 적용한 예는 없으며(종내 기술에서는 마그넷 치차와 센서 패키징이 별도로 구성되어 마그넷 치차의 회전에 따른 자계 변화를 이격된 거리의 센서가 측정하도록 되어 있으므로 MEMS를 적용할 수 없음), 회전각 검출장치와 유사한 회전각속도 검출 장치(Gyroscope)에는 MEMS 기술을 이용한 예가 보고되고 있다. 회전각속도를 적분하면 회전각을 얻을 수 있으므로 회전각속도 검출장치는 회전각 검출 장치로 사용할 수 있다.

도 2는 MEMS 회전각속도 검출 장치의 동작 방법을 도시한 개념도로서, 항상 기계적, 전기적 진동을 받고 있는 질량체와 부가 회로들로 이루어져 있다. 상기 질량체가 반도체 공정을 통한 MEMS 기술로 제작되는데, 상기 질량체를 이용하여 회전각속도를 측정한다.

상기 미세 질량체는 장치에 전원이 인가되면 항상 구동축(Y축)으로 진동하게 되는데, 이 경우 Z축에 따른 회전이 발생하면 코리올리의 힘에 의해 검출축(X축)으로 변위가 생기게 된다. 이러한 변위를 정전용량의 변화나 저항값의 변화등으로 검출하게 된다.

전술한 바와 같이 MEMS 회전각속도 검출장치는 단일칩으로 제조되기 때문에 그 크기는 대단히 작지만 센서가 동작하기 위해서 상기 미세 질량체가 끊임없이 진동해야 한다. 이러한 기계적인 진동은 센서의 수명을 단축하고, 전기적/기계적 외부 잡음에 민감해진다. 또한, 출력 신호가 진동하는 질량체로부터 얻어지므로 출력 신호는 질량체의 진동 주파수에 따라 변조된 신호이며, 이를 사용하기 위해서는 복조회로나 필터링 회로가 부가되어야만 한다. 또한, 출력은 회전각속도에 비례하므로 회전각을 얻기위해서는 적분이 요구된다. 즉, 크기는 작지만 지속적인 진동에 의해 잡음에 영향을 받기 쉽고, 수명이 짧으며 다양한 부가 회로들이 요구된다.

상기한 바와 같이 종래 회전각 검출 장치 중에서 마그넷 치차와 센서 패키지로 이루어져 분리 장착되는 경우, 마그넷 치차와 센서 패키지가 이격되어 있어야 하므로 장착 공간이 크고 장착 공차에 따른 센서 특성 저하가 발생하며 제조 비용이 높은 문제점이 있었다. 또한, MEMS 회전각속도 검출 장치의 출력을 적분하여 사용하는 경우, 내부 미세 질량체의 지속적인 동작으로 인해 잡음에 민감해지고 센서 수명이 짧아지는 단점과 함께 다양한 부가 회로가 필요하다는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 치차 및 질량체와 자계 센서를 반도체 공정으로 단일칩화하여 그 크기와 장착 공차를 현저히 줄이고, 별도의 패키징 없이 반도체 공정으로 대량생산할 수 있도록 하여 제조 비용을 낮추며, 회전각에비례한 출력값을 직접 출력하도록 하여 부가 회로가 요구되지 않아 소형 고정밀 저가격을 모두 달성하는 회전각 검출 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

도1은 종래 회전각 검출 장치의 동작 원리를 나타낸 블록도.

도2는 종래 미세가공 기술로 제조된 회전각속도 검출 장치의 개념도.

도3은 본 발명 일실시예의 회전 질량체 및 센서 구조물.

도4는 본 발명 일실시예의 자계형성 구조물.

도5는 도3과 도4를 단일칩으로 결합한 본 발명 일 실시예.

도6a 내지 도6f는 본 발명 일실시예의 제조과정을 도시한 수순 단면도.

도7은 본 발명 다른 실시예의 단면도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

10: 회전 질량체 및 자계센서부 11: 미세 질량체

12: 지지보 13: 지지 고정부

14: 빗살형 구조물 15: 전극

20: 자계형성 구조물 21: 기판

22,23: 코일 31: 제 1기판

32: 산화피막층 33: 제 2기판

34: 자계센서 41: 제 3기판

42: 코일 51: 제 1미소자계 발생부

52: 제 2미소자계 발생부

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 외부 자극에 의한 운동을 검출하여 그에 따른 역방향 운동으로 원래 위치를 유지할 수 있는 단일 기판층으로 이루어진 회전 질량체 및 자계 센서부와; 상기 회전 질량체 및 자계 센서부와 접합되어 단일칩을 형성하며, 상기 회전 질량체 및 자계 센서부에 기준 자계를 제공하기위한 자계 형성 구조물로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 회전 질량체 및 자계 센서부는 외부 자극에 의해 회전할 수 있는 미세 질량체와; 상기 미세 질량체를 지지하며 탄성을 제공하는 지지보와; 상기 지지보와 연결되어 기판 상에 고정되는 고정부와; 상기 미세 질량체와 연결되고, 제어 신호에 의해 미세 질량체를 회전시킬 수 있는 구동부와; 상기 구조물의 회전운동축 상에 위치하는 자계 센서부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 구동부는 미세 질량체와 연결되어 구성된 빗살형 구조물과; 제어 신호에 의한 정전력을 상기 빗살형 구조물에 제공하여 외부 자극에 의한 미세 질량체의 회전을 원위치로 보정하기위한 요철형 전극 쌍으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 회전체의 중심이 될 기판 상부 일부에 자계 센서를 형성하는 단계와; 상기 기판을 가공하여 지지 고정부 및 지지 고정부와 지지보로 연결되는 회전체 및 구동부 패턴을 형성하는 단계와; 상기 지지보와 회전체 및 구동부 패턴의 하부 일부를 제거하여 지지 고정부와 단차를 두도록하는 것으로 회전이 요구되는 부분을 부유시키는 단계와; 미세 자계발생부가 형성된 하판 기판 상부에 상기 구조물을 접착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기와 같이 구성된 본 발명의 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명 일 실시예에서 사용되는 회전 질량체 및 자계 센서부(10)의 사시도로서, 도시한 바와 같이 단일 기판으로 이루어져 있다. 먼저, 외관으로 드러나는 특징을 통해 그 구동방식을 살펴보도록 한다.

중앙 부분은 미세 질량체로 형성된 미세 질량체들(11a, 11b)과 대칭으로 연결되어, 회전 운동의 축이 되는 부분이며, 사각형으로 도시된 부분은 자계센서가 위치하는 부분이다. 상기 미세 질량체들(11a, 11b)의 중심은 지지보(12)를 통해 지지 고정부(13)와 연결되어 있고, 상기 지지 고정부(13)는 상기 미세 질량체(11)나 지지보(12) 보다 높이가 길게 되어 있으며, 상기 회전하는 부분들은 지지 고정부(13)와 연결된 지지보(12)에 의해 부유하고 있다. 상기 지지 고정부(13)는 이후 하판에 고정된다. 외부 회전 자극이 전해지면 전체 구조물이 회전 모멘트를 발생시켜 미세 질량체(11)가 회전(미세 질량체(11)는 관성에의해 고정되므로 전체 구조물의 입장에서 보면 미세 질량체(11)를 비롯한 부유 구조물이 회전하는 것으로 간주될 수 있음)하게 된다. 따라서, 상기 지지보(12)는 상기 미세 질량체(11)를 지지하는 역할과 함께 원래의 위치로 돌아오려는 스프링의 역할도 하게 된다. 상기중심부에 연결된 빗살형 구동부(14a, 14b)는 그 구조에 따라 요철로 형성된 좌우 전극들(15a~15d)은 상기 미세 질량체(11)가 받는 모멘트에 반해서 상기 미세 질량체(11)를 원위치로 복귀시키기위해 정전력을 발생시키는 부분이다.

상기 설명한 바와 같이 본 발명의 상부층 구조물이 형성되며, 이러한 구조 외에도 회전 모멘트에 민감하도록 다양한 형태로 구성될 수 있다는 것은 당 업자에게 명백하다. 또한, 상기 정전력을 발생시켜 구조물을 원래 위치로 복귀시키는 빗살형 구동부(14a, 14b)와 전극들(15a~15d)은 본 실시예에서는 정전력을 이용하기때문에 구성된 것으로서, 다른 실시예에서는 자계를 통한 인력 발생이나 전기열을 이용한 변형력 발생 등의 다양한 구동력을 발생시킬 수 있는 구조로 형성될 수 있다.

상기 형성된 상부층과 접합될 하부층은 상이한 전계를 대칭 영역에 발생시키기위한 구조가 포함된 기판으로 구성되며, 도 4는 하부층의 일 실시예를 도시한 것이다.

도 4에 도시한 바와 같이, 서로 감기는 방향이 상이하여 발생하는 자계(점선)들이 상이하도록 한 코일들(22, 23)을 기판(21) 상에 형성한다. 상기 방향이 다른 자계는 이후 접합될 상부층의 자계센서에 의해 판독되며, 외부 자극에 의한 미세 질량체(11)의 회전으로 인해 자계 센서의 위치가 변동하게 되면 측정되는 하부층 자계의 방향이 변하게 되며 그에 따라 자계 센서가 회전의 방향과 정도를 검출할 수 있게 된다.

도 4에 도시한 바와 같이 한쌍의 방향이 다른 코일(22, 23)을 형성한 구조는 다수의 방향이 상이한 코일들로 형성할 수 있으며, 그 외에도 미세한 자계를 형성할 수 있는 다른 구조들이 가능하다. 예를 들어, 극성이 다른 페라이트로 하판을 구성하거나 기판 상에 위치시키는 구성, 자석 고무(magnetic rubber)를 이용한 구성 등이 가능하다.

상기 도 3과 도 4를 접합시킨다. 상기 접합 방법은 반도체 공정 중 열접합(thermal bonding)이나 접착제를 이용한 접합, 저온 용접(eutectic bondig) 등의 다양한 방법이 이용될 수 있다.

도 5는 상기 도 3과 도 4를 접합시킨 것으로, 상기와 같이 구성된 본 발명의 실시예는 외부 패키지가 필수적이지 않으며, 미세공정에 의해 제조되므로 대단히 작은 크기로 구현이 가능하다. 예를 들면 손톱 크기 정도로 제조할 수 있으며, 그로인해 장착 공간이 대폭 축소될 수 있다. 또한, 반도체 공정을 통해 제조되므로 대량 생산이 가능하여 비용이 줄어들고, 치차와 센서의 위치 공차는 미세 공정을 통해 수 미크론 정도로 조절할 수 있다.

이제, 본 실시예의 실질적인 동작을 설명하도록 한다. 먼저, 하판(20)에 위치된 코일들(22,23)에 전류를 흘려 서로 상이한 방향의 자계가 형성되도록 하면, 외부 회전 자극이 없는 경우 자계 센서는 설정된 자계와 일정한 방향 관계를 유지하게 되며, 이를 측정할 수 있다. 외부에서 회전 자극이 있는 경우, 고정부분인 지지 고정부(13)를 비롯한 하판(20)에 접착된 부분들은 외부 회전 자극에 의해 동일한 방향으로 회전하려 하지만, 상기 미세 질량체(11)는 관성에 의해 고정되어 있으려하기 때문에 실제 회전의 반대 방향으로 부유하는 구조물이 회전하게 된다. 상기 미세 질량체(11)의 회전으로 인해 그와 연결된 중심부에 위치된 자계 센서 역시 회전하게 되고 노출되는 자계의 방향에 변화가 생기게 된다. 상기 자계 센서는 이러한 자계의 변화를 검출하여 회전 각도를 검출하게 된다. 상기 자계 센서의 감도와 동작 범위의 한계는 부유 구조물의 크기와 무게, 미세 질량체(11)의 크기와 무게, 그리고 지지보(12)의 특성에 따른다. 이는 자계 센서의 감도와 동작 범위를 설계자가 설정할 수 있다는 것을 의미하며, 대단히 정밀한 회전각 측정 장치에서 동작 범위가 넓은 회전각 측정 장치까지 비용 효과적으로 설계할 수 있게 된다.

상기와 같이 외부 회전 자극으로 인해 위치가 변형된 부유 구조물을 원래의 위치로 돌리기 위해서 빗살형 구동부(14)와 전극(15)이 사용된다. 상기 전극(15)에 전압을 가하면 전극(15)과 빗살형 구동부(14) 사이에 인력이 발생하게 되고, 이러한 정전력에 의해 상기 부유 구조물이 원래의 위치로 되돌아 오게 된다. 예를 들어, 시계 방향의 회전이라면 전극(15a, 15c)에 전압을 가하고, 그로인해 빗살형 구동부(14a, 14b)와 전극(15a, 15c) 사이에 인력이 발생되어 회전하는 구조물과 반대 방향으로 회전력을 발생시켜 원래의 위치로 되돌릴 수 있다. 이렇게 원래의 위치로 되돌리고, 다시 전극에 가하는 전압을 제거하여 회전을 측정하는 방법을 반복하면 현재 미세 질량체(11)의 회전 위치를 알아낼 수 있다. 또한, 궤환 제어를 통해 질량체를 계속 원위치 시키면서 그에 필요한 전극 전압의 크기와 시간을 측정하면 전체 회전각이나 회전 속도등과 같은 회전 정보를 알 수 있다.

예를 들어, 외부 회전 자극이 크면 클수록 전극에 가해지는 전압의 크기가 커지고, 외부 회전 자극이 계속되면 전극 전압 역시 계속 인가되어야 하므로 이러한 정보들을 누적하면 본 실시예와 같은 회전각 측정 센서가 부착된 회전체의 회전정보를 모두 얻을 수 있게 된다.

이제, 본 발명 일 실시예의 제조 방법을 도 6a 내지 도 6f의 수순 단면도를 참조하여 상세히 설명하도록 한다.

도 6a에 도시한 바와 같이, SIO(Silicon On Insulator) 기판(31,32,33)을 사용하여 용이하게 회전체를 부유시킬 수 있는 상부 구조물을 형성할 수 있는데, 본 발명은 이와 같은 특정한 다층기판의 이용으로 제한되지는 않는다. 단층의 기판을 미세 가공 기술을 이용하여 동일한 형상을 제조할 수 있으며, 적층 기판을 상이한 구조로 형성하여 동일한 형상으로 제조할 수 있다는 것은 당 업자에게 명백하다.

본 발명에서는 용이한 제조를 위해 제 1기판(31)과 제 2기판(33) 사이에 산화 피막층(32)이 형성된 SIO 기판을 이용하며, 그 상부 일부에 자계 센서(34)를 형성한다. 상기 자계 센서가 위치하는 부분은 상판의 중앙 부분이다.

그리고, 도 6b에 도시한 바와 같이, 자계 센서(34)를 형성한 후 자계 센서(34)에 보호막(미도시)을 형성하고, 상기 제 2기판(33)에 부유 구조물을 패턴한다. 이 경우 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 이용한다. 상기 구조물의 크기는 약 4㎜×4㎜ 정도인 것이 바람직하다.

그리고, 도 6c에 도시한 바와 같이 상판의 지지부를 형성하고 부유 구조물 부분을 부유시키기위해 제 1기판(33)을 패터닝하여 부유 구조물 부분의 산화 피막층(32)을 노출시킨다.

그리고, 도6d에 도시한 바와 같이 노출된 산화 피막층(32)을 식각하여 부유 구조물을 부유시키는 것으로 상판의 제조를 마친다.

상기 상판의 제조와 동시에 혹은 그 다음에 하판을 제조하게 되는데, 간단히 도 6e와 같이 제 3기판(41) 상에 구리층을 증착한 후 패터닝하여 코일(42)을 형성한다.

마지막으로, 도 6f에 도시한 바와 같이 상기 형성된 상판 구조물과 상기 형성된 하판을 접착하여 하나의 구조물을 구성한다.

전술한 본 발명 일 실시예의 제조 방법은 설명된 각 단계들이나 공정으로 제한되는 것은 아니며 본 발명의 범위 내에서 변경할 수 있다.

도 7은 본 발명의 다른 실시예를 도시한 것으로 하판에 코일을 형성하는 대신 극성이 다른 제 1미소자계 발생부(51)와 제 2미소자계 발생부(52)를 결합한 것을 이용할 수도 있다. 상기 미소자계 발생부(51, 52)는 페라이트나 자계 고무등과 같은 영구 자석을 이용한 것이다.

전술한 바와 같이 본 발명 회전각 검출 장치는 소형으로 대량 생산이 가능하고 정밀하며, 출력 역시 회전각에 비례하므로 부가 회로 없이 사용할 수 있다.

상기한 바와 같이 본 발명 회전각 검출 장치 및 그 제조 방법은 치차 및 질량체와 자계 센서를 반도체 공정으로 미세하고 정밀하게 가공한 후 단일칩화 함으로써 크기와 장착 공차를 현저히 줄이고, 별도의 패키징 없이 반도체 공정으로 대량생산할 수 있도록 하여 제조 비용을 낮추고 회전각에 비례한 출력값을 직접 출력하도록 하여 부가 회로가 요구되지 않아 소형, 고정밀, 저가격을 모두 실현할 수 있는 효과가 있다.

Claims (9)

1. 외부 자극에 의한 운동을 검출하여 그에 따른 역방향 운동으로 원래 위치를 유지할 수 있는 단일 기판층으로 이루어진 회전 질량체 및 자계 센서부와; 상기 회전 질량체 및 자계 센서부와 접합되어 단일칩을 형성하며, 상기 회전 질량체 및 자계 센서부에 기준 자계를 제공하기위한 자계 형성 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 회전각 검출 장치.
2. 제 1항에 있어서, 상기 회전 질량체 및 자계 센서부는 외부 자극에 의해 회전할 수 있는 미세 질량체와; 상기 미세 질량체를 지지하며 탄성을 제공하는 지지보와; 상기 지지보와 연결되어 기판 상에 고정되는 고정부와; 상기 미세 질량체와 연결되고, 제어 신호에 의해 미세 질량체를 회전시킬 수 있는 구동부와; 상기 구조물의 회전운동축 상에 위치하는 자계 센서부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회전각 검출 장치.
3. 제 2항에 있어서, 상기 구동부는 미세 질량체와 연결되어 구성된 빗살형 구조물과; 제어 신호에 의한 정전력을 상기 빗살형 구조물에 제공하여 외부 자극에 의한 미세 질량체의 회전을 윈위치로 보정하기위한 요철형 전극 쌍으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회전각 검출 장치.
4. 제 2항에 있어서, 상기 구동부는 자계에 의한 인력이나 전기열을 이용한 변형으로 외부 자극에 의한 미세 질량체의 회전을 윈위치로 보정할 수 있는 수단인 것을 특징으로 하는 회전각 검출 장치.
5. 제 1항에 있어서, 상기 자계 형성 구조물은 기판과; 쌍으로 형성되어 서로 상이한 자계를 발생시키는 코일로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회전각 검출 장치.
6. 제 1항에 있어서, 상기 자계 형성 구조물은 상이한 극을 가지는 영구 자석들의 배열을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회전각 검출 장치.
7. 회전체의 중심이 될 기판 상부 일부에 자계 센서를 형성하는 단계와; 상기 기판을 가공하여 지지 고정부 및 지지 고정부와 지지보로 연결되는 회전체 및 구동부 패턴을 형성하는 단계와; 상기 지지보와 회전체 및 구동부 패턴의 하부 일부를 제거하여 지지 고정부와 단차를 두도록하는 것으로 회전이 요구되는 부분을 부유시키는 단계와; 미세 자계발생부가 형성된 하판 기판 상부에 상기 구조물을 접착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 회전각 검출 장치 제조 방법.
8. 제 7항에 있어서, 상기 하판 기판 상에 감기는 방향이 상반되는 금속 코일 패턴을 형성하여 미세 자계 발생부를 구성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로특징으로 하는 회전각 검출 장치 제조 방법.
9. 제 7항에 있어서, 상반된 극의 페라이트 혹은 자기 고무를 다수 배치하여 하판 기판을 형성하거나 이들을 기판 상에 위치시켜 미세 자계발생부가 형성된 하판 기판을 구성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 특징으로 하는 회전각 검출 장치 제조 방법.