KR20040068492A - 탄성 표면파 장치, 통신장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 통과대역 제기측의 지극히 근방에 있어서도 감쇠량이 큰 탄성 표면파 장치 및 그것을 가지는 통신장치를 제공한다.
압전기판 상에 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 IDT(203∼205)와, 이 IDT(203∼205)를 사이에 끼우도록 리플렉터(206, 207)를 가지는 탄성 표면파 필터(200)에 있어서, 리플렉터(206, 207)의 전극지의 일부에 교차폭 웨이팅을 실시하고, 또한, 리플렉터(206, 207)에서 교차폭 웨이팅의 방법을 다르게 하고 있다.

Description

탄성 표면파 장치, 통신장치{Saw filter and communication device}
본 발명은 전송특성을 향상할 수 있고, 또한 대형화를 회피할 수 있는 탄성 표면파 장치, 및 그것을 가지는 통신장치에 관한 것이다.
최근, 자동차 전화기나 휴대전화기라는 이동체 통신기기의 소형화, 경량화, 고주파화에 따라, 이들의 이동체 통신기기에 탑재되는 필터로서, 소형이며 경량인 탄성 표면파 필터(탄성 표면파 장치)가 다용되고 있다. 특히 휴대전화 시스템에서는, 송신 주파수와 수신 주파수가 근접해 있는 시스템이 증가하고 있다. 이에 따라, 송신용 필터로서 이용되는 경우에는 수신 주파수대, 수신용 필터로서 이용되는 경우에는 송신 주파수대의 감쇠량을 크게 할 필요가 있고, 탄성 표면파 장치에 있어서도 통과대역 근방에서 감쇠량을 크게 하라는 요구가 강해지고 있다.
이 요구에 대하여, 탄성 표면파 장치에 있어서 통과대역 근방의 감쇠량을 크게 하는 것을 개시하는 특허도 많이 출원되어 있다(특허문헌 1, 2 참조). 예를 들면, 특허문헌 1에서는 도 39에 나타낸 바와 같이, 빗형 전극부(IDT)(102∼104)를 사이에 끼우도록 리플렉터(105, 106)를 배치한 탄성 표면파 장치(101)가 개시되어 있다. 이 탄성 표면파 장치(101)에서는, 리플렉터(105, 106)의 일부에 있어서, 전극지의 교차폭 웨이팅(interdigital-width weight)을 실시함으로써, 통과대역 저역측에 발생하는 스퓨리어스를 억제하고, 감쇠량을 크게 하고 있다.
[특허문헌 1] 일본국 특허 공개공보 2000-196399호(공개일 2000년 7월 14일
[특허문헌 2] 일본국 특허 공개공보 평10-261935호 공보(공개일 1998년 9월 29일
그러나, 상기의 방법에서는, 통과대역 저역측의 지극히 근방에 발생하는 스퓨리어스를 억제하기 위해서는 교차폭 웨이팅하는 리플렉터의 개수를 많게 할 필요가 있어, 탄성 표면파 장치가 커진다는 문제가 있었다. 그 이유는, 도 40에 있어서의 A로 나타낸 반사율이 제로가 되는 주파수는, 다른 B∼D로 나타낸 반사율이 제로가 되는 주파수와 비교하여, 리플렉터에 있어서의 전극지의 개수가 바뀌는 것에 의한 변화가 작기 때문이다. 그 때문에, A의 점으로 나타낸 반사율의 골(valley)은 리플렉터의 웨이팅을 행하여도 충분히 없앨 수 없다.
본 발명은 상기의 문제점에 비추어 이루어진 것으로, 그 목적은 통과대역 제기측의 지극히 근방에 있어서도 감쇠량이 크고, 또한 소형화할 수 있는 탄성 표면파 장치 및 통신장치를 제공하는데 있다.
도 1은 제 1실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 개략적인 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는 패키지에 수납되어 있는 본 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 주요부의 단면도이다.
도 3은 비교예의 탄성 표면파 장치의 개략적인 구성을 나타내는 평면도이다.
도 4는 상기 실시형태에 따른 제 1 실시예의 탄성 표면파 장치 및 제 1 비교예에 따른 탄성 표면파 장치에 있어서의, 주파수-전송특성(주파수-삽입손실 특성)을 나타내는 그래프이다.
도 5는 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 구성의 등가회로이다.
도 6은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 일변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 7은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 실시형태의 탄성 표면파 장치의 하나의 제조 프로세스를 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 실시형태의 탄성 표면파 장치의 다른 제조 프로세스를 나타내는단면도이다.
도 10은 제 2 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 개략적인 구성을 나타내는 평면도이다.
도 11은 상기 실시형태에 따른 제 2 실시예의 탄성 표면파 장치 및 제 1 비교예에 따른 탄성 표면파 장치에 있어서의, 주파수-전송특성(주파수-삽입손실 특성)을 나타내는 그래프이다.
도 12는 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 일변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 13은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 14는 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 15는 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 16은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 17은 제 3 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 개략적인 구성을 나타내는 평면도이다.
도 18은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 일변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 19는 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 20은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 21은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 22는 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 23은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 24는 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 25는 제 4 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 개략적인 구성을 나타내는 평면도이다.
도 26은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 일변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 27은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 28은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 29는 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 30은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 31은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 32는 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 33은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 34는 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 35은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 36은 상기 실시형태의 탄성 표면파 장치를 이용한 통신장치의 주요부 블록 도이다.
도 37은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 38은 상기 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 또 다른 변형예의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 39는 종래의 탄성 표면파 장치의 개략적인 구성을 나타내는 평면도이다.
도 40은 상기 종래의 탄성 표면파 장치에 있어서의 리플렉터의 반사특성을 나타내는 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
201 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(탄성 표면파 소자)
203, 204, 205 IDT(빗형 전극부)
206 리플렉터 (제 1의 리플렉터)
207 리플렉터 (제 2의 리플렉터)
701 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(제 1의 탄성 표면파 소자)
702 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(제 2의 탄성 표면파 소자)
703, 704, 705 IDT(빗형 전극부)
708, 709, 710 IDT(빗형 전극부)
706, 707 리플렉터
711, 712 리플렉터
801 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(제 1의 탄성 표면파 소자)
802 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(제 2의 탄성 표면파 소자)
805, 806, 807 IDT(빗형 전극부)
810, 811, 812 IDT(빗형 전극부)
808, 809 리플렉터
813, 814 리플렉터
본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에 탄성 표면파의 전파방향을 따라 배치되어 있는 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 제 1, 제 2의 리플렉터;를 가지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 전극지의 일부가 교차폭 웨이팅되어 있고, 제 1의 리플렉터와 제 2의 리플렉터에서, 교차폭 웨이팅되어 있는 전극지의 개수가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
상기의 구성은 제 1의 리플렉터와 제 2의 리플렉터에서, 교차폭 웨이팅되어 있는 전극지의 개수가 다르기 때문에, 전극지의 개수가 다른 리플렉터를 구비하는 탄성 표면파 장치를 복수개 병렬로 접속하고 있는 구성과 동일해진다.
탄성 표면파 장치에 있어서의 리플렉터 전체의 반사특성은, 빗형 전극부를 사이에 끼우는 좌우의 리플렉터에 있어서의 반사특성을 합성(sum)한 것이 되기 때문에, 전극지의 개수가 다른 리플렉터를 구비하는 각 탄성 표면파 장치에서는, 통과대역외에서 좌우의 리플렉터에 있어서의 반사특성의 산(peak)과 골(valley)을 없애는 것이 가능하다. 따라서, 전극지의 개수가 다른 리플렉터를 구비하는 탄성 표면파 장치에 있어서, 통과대역 저역측의 지극히 근방에 발생하는 스퓨리어스의 발생을 감소할 수 있다.
즉, 상기의 구성에서는 통과대역 저역측의 지극히 근방에 발생하는 스퓨리어스가 감소된 탄성 표면파 장치를 병렬로 접속한 구성과 동일하며, 통과대역외에 있어서, 특히 통과대역 근방에 있어서의 불필요 스퓨리어스의 발생을 감소할 수 있다. 이에 의해, 감쇠량을 크게 할 수 있기 때문에, 필요한 감쇠량을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서는 리플렉터의 개수를 많게 할 필요가 없으므로, 종래의 탄성 표면파 장치와 동일한 사이즈를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 배치되어 있는 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 제 1, 제 2의 리플렉터;를 가지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1의 리플렉터와 제 2의 리플렉터에서, 전극지의 개수가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 배치되어 있는 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 제 1, 제 2의 리플렉터;를 가지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1의 리플렉터와 제 2의 리플렉터에서, 전극지의 듀티(duty)가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 배치되어 있는 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 제 1, 제 2의 리플렉터;를 가지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1의 리플렉터와 제 2의 리플렉터에서, 전극지 피치가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 배치되어 있는 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 제 1, 제 2의 리플렉터;를 가지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1의 리플렉터에 인접하는 빗형 전극부와의 최외 전극지 중심간 거리와, 제 2의 리플렉터에 인접하는 빗형 전극부와의 최외 전극지 중심간 거리가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 배치되어 있는 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 제 1, 제 2의 리플렉터;를 가지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1, 제 2의 리플렉터에 있어서의 1군데 이상에서, 주위의 전극지에 대한 전극지폭 또는 주위의 전극지 간격에 대한 전극지 간격이 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 배치되어 있는 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 제 1, 제 2의 리플렉터;를 가지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1, 제 2의 리플렉터에 있어서의 1군데 이상에서, 주위의 전극지에 대한 듀티가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
상기의 각 구성에 따르면, 통과대역외에서 좌우의 리플렉터에 있어서의 반사특성의 산과 골을 없앨 수 있다. 따라서, 상기 탄성 표면파 장치에 있어서, 통과대역 저역측의 지극히 근방에 발생하는 스퓨리어스의 발생을 감소할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서는 리플렉터의 개수를 많게 할 필요가 없으므로, 종래의 탄성 표면파 장치와 동일한 사이즈를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드(cascade) 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 상기 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터와 제 2의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터에서, 교차폭 웨이팅되어 있는 전극지의 개수가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터와 제 2의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터에서, 전극지의 개수가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터와 제 2의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터에서, 전극지의 듀티가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터와 제 2의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터에서, 전극지의 피치가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1의 탄성 표면파 소자와 제 2의 탄성 표면파 소자에서, 리플렉터와 리플렉터에 인접하는 빗형 전극부와의 최외 전극지 중심간 거리가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에 있어서의 1군데 이상에서, 주위의 전극지에 대한 전극지폭 또는 주위의 전극지 간격에 대한 전극지 간격이 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에 있어서의 1군데 이상에서, 주위의 전극지에 대한 듀티가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
상기의 각 구성에 따르면, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치에 있어서, 통과대역외에서 각 탄성 표면파 소자의 리플렉터에 있어서의 반사특성의 산과 골을 없앨 수 있다. 따라서, 상기 탄성 표면파 장치에 있어서, 통과대역 저역측의 지극히 근방에 발생하는 스퓨리어스의 발생을 감소할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서는, 리플렉터의 개수를 많게 할 필요가 없으므로, 종래의 탄성 표면파 장치와 동일한 사이즈를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를 구비하고, 제 1의 탄성 표면파 소자 및 제 2의 탄성 표면파 소자의 입력단자끼리, 출력단자끼리의 적어도 한쪽이 접속되어 있는 탄성 표면파 장치에 있어서, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에 있어서의 적어도 1군데 이상에서, 주위의 전극지에 대한 듀티가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는, 상기의 구성 이외에, 제 1의 탄성 표면파 소자의 리플렉터와 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에서, 교차폭 웨이팅되어 있는 전극지의 개수가 다른 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제1, 제 2의 탄성 표면파 소자를 구비하고, 제 1의 탄성 표면파 소자 및 제 2의 탄성 표면파 소자의 입력단자끼리, 출력단자끼리가 접속되어 있는 탄성 표면파 장치에 있어서, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1의 탄성 표면파 소자의 리플렉터와 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에서, 전극지의 개수가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를 구비하고, 제 1의 탄성 표면파 소자 및 제 2의 탄성 표면파 소자의 입력단자끼리, 출력단자끼리가 접속되어 있는 탄성 표면파 장치에 있어서, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1의 탄성 표면파 소자의 리플렉터와 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에서, 전극지의 듀티가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를 구비하고, 제 1의 탄성 표면파 소자 및 제 2의 탄성 표면파 소자의 입력단자끼리, 출력단자끼리가 접속되어 있는 탄성 표면파 장치에있어서, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1의 탄성 표면파 소자와 제 2의 탄성 표면파 소자에서, 리플렉터와 리플렉터에 인접하는 빗형 전극부와의 최외 전극지 중심간 거리가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를 구비하고, 제 1의 탄성 표면파 소자 및 제 2의 탄성 표면파 소자의 입력단자끼리, 출력단자끼리가 접속되어 있는 탄성 표면파 장치에 있어서, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에 있어서의 1군데 이상에서, 주위의 전극지에 대한 전극지폭 또는 주위의 전극지 간격에 대한 전극지 간격이 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를 구비하고, 제 1의 탄성 표면파 소자 및 제 2의 탄성 표면파 소자의 입력단자끼리, 출력단자끼리가 접속되어 있는 탄성 표면파 장치에 있어서, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의리플렉터에 있어서의 1군데 이상에서, 주위의 전극지에 대한 듀티가 다른 것을 특징으로 하고 있다.
상기의 각 구성에 따르면, 제 1의 탄성 표면파 소자 및 제 2의 탄성 표면파 소자의 입력단자끼리, 출력단자끼리가 접속되어 있는 탄성 표면파 장치에 있어서, 통과대역외에서 각 탄성 표면파 소자의 리플렉터에 있어서의 반사특성의 산과 골을 없앨 수 있다. 따라서, 상기 탄성 표면파 장치에 있어서, 통과대역 저역측의 지극히 근방에 발생하는 스퓨리어스의 발생을 감소할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서는 리플렉터의 개수를 많게 할 필요가 없으므로, 종래의 탄성 표면파 장치와 동일한 사이즈를 실현할 수 있다.
또한, 상기 탄성 표면파 장치는 상기 압전기판이, 페이스 다운 공법(face-down method)으로 패키지내에 수납되어 있어도 좋다.
본 발명의 통신장치는 상기 과제를 해결하기 위해서, 상기 탄성 표면파 장치의 어느 하나를 가지는 것을 특징으로 하고 있다. 상기의 구성에 따르면, 통과대역 저역측의 지극히 근방의 스퓨리어스를 억제한 탄성 표면파 장치를 가짐으로써, 통과대역 저역측의 감쇠량이 크고, 전송특성이 향상한 통신장치를 제공할 수 있다.
<발명의 실시형태>
〔제 1 실시형태〕
본 발명의 제 1 실시형태에 대해서 도 1∼도 9, 및 도 37과 도 38에 근거하여 설명하면, 이하 대로이다. 본 실시형태에서는, DCS(digital communication system) 수신용의 탄성 표면파 필터를 예로 들어서 설명한다.
도 1에, 본 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치(탄성 표면파 필터)(200)의 주요부의 구성을 나타낸다. 상기 탄성 표면파 장치(200)는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(탄성 표면파 소자)(201), 및 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(201)에 직렬로 접속된 탄성 표면파 공진자(202)를, 압전기판(도시하지 않음) 상에, 구비하고 있는 구성이다. 상기 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(201) 및 탄성 표면파 공진자(202)는 Al전극에 의해 형성되어 있다. 본 실시형태에서는 압전기판으로서, 40±5°Y컷 X전파 LiTaO3기판을 이용하고 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(201)의 구성은, 복수의 전극지를 가지는 빗형 전극부(Inter-Digital Transducer, 이하, IDT라고 한다)(204)를 사이에 끼우도록 IDT(203, 205)가 형성되고, 그 양측(좌우)에 리플렉터(제 1의 리플렉터)(206) 및 리플렉터(제 2의 리플렉터)(207)가 형성되어 있다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 서로 인접하는 IDT(203)와 IDT(204)의 사이, 및 IDT(204)과 IDT(205)의 사이의 몇개의 전극지는, IDT의 다른 부분보다도 피치가 작아져 있다(협피치 전극지부(213, 214)). 또한, 상기 리플렉터(206, 207)는 전극지의 일부가 교차폭 웨이팅되어 있다. 도 1에 있어서는, 간결하게 나타내기 위해서, 실제의 전극지 개수보다도 적게 도시하고 있다. IDT(204)는 입력신호단자(211)에 접속되고, IDT(203, 205)는 탄성 표면파 공진자(202)를 개재해서 출력단자(212)에 접속되어 있다.
상기 탄성 표면파 공진자(202)의 구성은 IDT(208)를 사이에 끼우도록, 리플렉터(209, 210)가 형성되어 있다.
다음으로, 본 실시형태에 있어서의 패키지에 수납되어 있는 탄성 표면파 장치의 단면도를 도 2에 나타낸다. 상기 탄성 표면파 장치는, 패키지와 탄성 표면파 필터가 형성되어 있는 압전기판(305)과의 도통을, 범프 본딩(306)에 의해 취하는 페이스 다운 공법에 의해 만들어진 구조이다.
상기 패키지는 2층 구조가 되어 있고, 바닥판부(301), 측벽부(302), 다이-어태치면(die-attach surface: 303) 및 캡(304)을 구비하고 있다. 이 바닥판부(301)는 예를 들면 직사각형 형상이며, 이 바닥판부(301)의 4주변부에서 각각 측벽부(302)가 입설되어 있다. 캡부(304)는 이 각 측벽부(302)에 의해 형성되는 개구를 덮어서 막고 있다. 이 바닥판부(301)의 상면(내표면)에는, 압전기판(305)과의 도통을 취하는 다이-어태치부(303)가 형성되어 있다. 압전기판(305)과 다이-어태치부(303)는 범프(306)에 의해 결합되어 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 제 1 실시예의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(200)의 상세한 설계의 일예에 대해서는, 이하 대로이다.
전극지의 피치를 좁게 하지 않은 전극지의 피치로 결정되는 파장을 λI이라고 하면,
교차폭: 41.7λI,
IDT 개수: (IDT(203), IDT(204), IDT(205)의 순서): 20 (3)/(3) 33 (3)/(3) 20개(괄호내는 피치를 좁게 한 전극지의 개수),
리플렉터 개수: (리플렉터(206, 207)) 85개(이 중, 교차폭 웨이팅을 실시하고 있는 개수는, 리플렉터(206)에서 60개, 리플렉터(207)에서 35개),
듀티(duty): 0.72(IDT, 리플렉터 둘다),
전극막 두께: 0.092λI
이와 같이, 제 1 실시예의 종결합 공진자형 필터(200)에서는, 리플렉터(206)와 리플렉터(207)에서 교차폭 웨이팅하고 있는 전극지 개수가 다르다.
또한, 상기 탄성 표면파 공진자(202)의 상세한 설계의 일예에 대해서는, 이하 대로이다.
교차폭: 23.8λI,
IDT 개수: 160개,
리플렉터 개수: 15개,
듀티: 0.60,
전극막 두께: 0.093λI
또한, 본 실시형태에 따른 제 1 실시예의 탄성 표면파 장치(200)에 대한 비교로서, 도 3에, 제 1 비교예의 탄성 표면파 장치(250)를 나타낸다. 이 탄성 표면파 장치(250)는 상기 탄성 표면파 장치(200)에 있어서, 리플렉터(206, 207)에 있어서의 전극지 중에서, 교차폭 웨이팅을 실시하고 있는 전극지의 개수를 양쪽의 리플렉터(206, 207) 둘다 35개로 한 구성이다. 그 밖의 설계 파라미터는 상기 탄성 표면파 장치(200)와 동일하다.
도 4에, 본 실시형태에 따른 제 1 실시예의 탄성 표면파 장치(200)및 제 1 비교예에 따른 탄성 표면파 장치(250)에 있어서의, 주파수-전송특성(주파수-삽입손실 특성)을 나타낸다.
도 4를 보면, 제 1 실시예의 탄성 표면파 장치(200)에서는, 제 1 비교예의 탄성 표면파 장치(250)에 대하여, A로 나타낸 스퓨리어스가 약 2㏈억제되어, 통과대역 저역측의 지극히 근방의 감쇠량이 개선되어 있는 것을 알 수 있다.
이하, 본 발명의 원리에 대해서 설명한다. 제 1 실시예의 탄성 표면파 장치(200)에서는, 제 1 비교예의 구성에 대하여 리플렉터(206)와 리플렉터(207)에서 전극지 웨이팅하는 개수를 다르게 하고 있다. 이에 의해, 제 1 실시예의 탄성 표면파 장치(200)에서는 도 5에 나타낸 바와 같이, 리플렉터에 있어서의 전극지의 개수가 다른 탄성 표면파 필터를 복수개 병렬접속하는 것과 동일해진다. 즉, 1개 1개의 탄성 표면파 필터에 있어서, IDT를 사이에 끼우는 좌우에서 리플렉터에 있어서의 전극지의 개수가 다른 것과 동일해진다.
1개의 탄성 표면파 필터에 있어서, IDT를 사이에 끼우는 좌우에서 리플렉터에 있어서의 전극지의 개수가 다르면, 리플렉터의 반사특성은 좌우의 리플렉터에 있어서의 반사특성을 합성한 것이 되기 때문에, 통과대역외의 리플렉터에 있어서의 반사특성의 산과 골을 억제하는 효과가 더욱 커진다. 따라서, 제 1 비교예의 탄성 표면파 장치(250)에 비하여 제 1 실시예의 탄성 표면파 장치(200) 쪽이, 통과대역 저역측의 지극히 근방의 스퓨리어스의 수준을 억제할 수 있다.
그 때, 제 1 실시예의 탄성 표면파 장치(200)에서는, 리플렉터의 개수는 제 1 비교예와 동일하므로, 탄성 표면파 장치(200)를 크게 하지 않고, 상기 스퓨리어스의 수준을 억제할 수 있다.
이상과 같이, 제 1 실시예의 탄성 표면파 장치(200)에서는. 리플렉터(206)와 리플렉터(207)에서 리플렉터의 교차폭 웨이팅을 하는 전극지의 개수를 다르게 하여, 종래보다도 통과대역 저역측의 지극히 근방의 스퓨리어스의 수준을 억제하고, 감쇠량이 큰 탄성 표면파 필터를 얻을 수 있다.
제 1 실시예에서는, 리플렉터(206)와 리플렉터(207)에서 교차폭 웨이팅을 하는 전극지의 개수를 다르게 하고 있지만, 예를 들면, 도 6, 도 7에 나타낸 바와 같이, 리플렉터(206)와 리플렉터(207)에서, 교차폭 웨이팅을 하는 전극지의 개수는 동일하여, 교차폭 웨이팅하는 방법이 바뀌어도, 본 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 제 1 실시예에서는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 예를 나타냈지만, 본 발명의 원리로부터 알 수 있는 바와 같이, IDT를 사이에 끼우는 리플렉터를 구비하는 구조의 탄성 표면파 소자가 이용하는 설계, 예를 들면, 횡결합 공진자형 탄성 표면파 필터, 트랜스버셜형(transversal) 필터, 래더형 필터 등의 탄성 표면파 장치에 있어서도, 동일한 효과를 얻을 수 있다.
게다가, 본 발명은 도 37이나 도 38에 나타낸 바와 같이, 평형- 불평형 변환기능을 가지는 구성의 탄성 표면파 장치에 있어서도, 동일한 효과를 얻을 수 있다. 도 37의 탄성 표면파 장치는, 도 1에 나타낸 IDT(204) 대신에, IDT(204)의 한쪽의 전극지 그룹을 탄성 표면파의 전파방향을 따라 2분할하고, 각각의 전극지 소그룹에서 각 평형신호를 입출력할 수 있는 IDT(204a)를 구비한 것이다. 도 38의 탄성 표면파 장치는, 도 1에 나타낸 IDT(204) 대신에, IDT(204)의 서로 교차하는 쌍방의 전극지 그룹의 각각으로부터 각 평형신호를 입출력할 수 있는 IDT(204b)를 가지는것이다.
또한, 제 1 실시예에서는 도 2와 같이, 범프 본드법(bump-bonding system)을 이용하는 페이스 다운 공법으로, 패키지(300)와 압전기판(305)상의 각 전극 패드와의 도통을 취하는 방법으로 탄성 표면파 장치를 제작하였지만, 이것은 와이어 본드 공법(wire-bonding method)을 이용하여도 문제는 없다.
또한, 페이스 다운 공법으로 제작하는 구성으로서는 도 2의 구성에 한하지 않고, 예를 들면 도 8과 같이 집합기판(501)상에 압전기판(502)을 플립칩 공법으로 접합하고, 그 위에 수지(503)를 피복하여 봉지하고, 다이싱에 의해 1패키지 단위로 절단하는 구성, 도 9와 같이 마찬가지로 집합기판(551)상에 압전기판(552)을 플립칩 공법으로 접합하고, 그 위에 시트 형상의 수지재(553)를 피복하여 봉지하고, 다이싱에 의해 1패키지 단위로 절단하는 구성으로, 탄성 표면파 장치가 제작되어 있어도 좋다.
게다가, 제 1 실시예에서는, 40±5°Y컷 X전파 LiTaO3로 이루어지는 압전기판을 이용하였지만, 효과가 얻어지는 원리로부터도 알 수 있듯이, 본 발명은 이 압전기판에 한하지 않고, 예를 들면 64°∼72°Y컷 X전파 LiNbO3, 41°Y컷 X전파 LiNbO3등의 압전기판을 이용하여도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
〔제 2 실시형태〕
본 발명의 다른 실시형태에 대해서 도 10∼도 16에 근거해서 설명하면, 이하 대로이다. 한편, 설명의 편의상, 상기 제 1 실시형태에 나타낸 각 부재와 동일한기능을 가지는 부재에는, 동일한 부호를 부여하고 그 설명을 생략한다.
본 실시형태에 있어서의 탄성 표면파 필터의 구성을 도 10에 나타낸다. 본 실시형태에서는 제 1 실시형태에서의 구성에 있어서, 리플렉터(206)와 리플렉터(207)에서, 교차폭 웨이팅하는 전극지의 개수를 동일 개수로 하고, 전극지의 총개수를 다르게 하고 있다.
본 실시형태에 따른 제 2 실시예의 탄성 표면파 장치(탄성 표면파 필터)(220)의 상세한 설계의 일예에 대해서는, 리플렉터(206, 207)의 각각에 있어서의 교차폭 웨이팅하는 전극지의 개수를 40개로 하고, 더욱이 리플렉터(206)에 있어서의 전극지의 총개수를 100개, 리플렉터(207)에 있어서의 전극지의 총개수를 70개로 하고 있다. 한편, 리플렉터(206, 207) 이외의 IDT(203, 204, 205), 및 탄성 표면파 공진자(202)의 설계는, 제 1 실시예과 전부 동일하다.
도 11에, 본 실시형태에 따른 제 1 실시예의 탄성 표면파 장치(200) 및 제 1 비교예에 따른 탄성 표면파 장치(250)에 있어서의, 주파수-전송특성(주파수-삽입손실 특성)을 나타낸다.
도 11을 보면, 제 2 실시예의 탄성 표면파 장치(220)에서는, 제 1 비교예의 탄성 표면파 장치(250)에 대하여, B로 나타낸 스퓨리어스가 약 2㏈억제되고, 통과대역 저역측의 지극히 근방의 감쇠량이 개선되어 있다는 것을 알 수 있다.
제 2 실시예의 탄성 표면파 장치(200)에서는, 제 1 비교예의 구성에 대하여 리플렉터(206)와 리플렉터(207)에서 동일한 개수의 전극지에 교차폭 웨이팅을 실시하는 동시에, 각각의 전극지의 총개수를 다르게 하고 있다. 이에 의해, 제 1 실시예의 탄성 표면파 장치(200)와 동일하게, 통과대역외의 리플렉터 반사특성의 산과 골을 억제하는 효과가 커진다. 따라서, 본 실시형태와 같이, 리플렉터에 있어서의 전극지의 교차폭 웨이팅의 이외에, 게다가, 통과대역외의 리플렉터의 산과 골을 감소하는 수법을 조합시킴으로써, 제 1 실시형태와 동일하게 효과적으로 통과대역 저역측의 지극히 근방의 스퓨리어스 수준을 억제할 수 있다.
탄성 표면파 장치에 있어서 통과대역외의 리플렉터의 산과 골을 감소하는 수법으로서는, 제 2 실시예의 구성과 같이 리플렉터에 있어서의 전극지의 개수를 IDT를 사이에 끼우는 리플렉터의 각각에서 다르게 하는 것 이외에, 예를 들면 도 12∼도 16에 나타내는 수법을 들 수 있다.
도 12에서는, 리플렉터(206)와 리플렉터(207)에서 듀티를 다르게 하고 있다. 도 13에서는, 리플렉터(206)와 리플렉터(207)에서 전극지 피치를 다르게 하고 있다. 도 14에서는, 리플렉터(206)와 리플렉터(206)에 인접하는 IDT(203)와의 최외 전극지 중심간 거리와, 리플렉터(207)와 리플렉터(207)에 인접하는 IDT(205)와의 최외 전극지 중심간 거리를 다르게 하고 있다. 도 15에서는, 리플렉터(206, 207)의 일부(1군데 이상)에 있어서 주위의 전극지에 대하여 전극지폭(또는 주위의 전극지 간격에 대한 전극지 간격)이 다른 부위를 형성하고 있다. 도 16에서는, 리플렉터(206, 207)의 일부(1군데 이상)에 있어서 주위의 전극지에 대하여 듀티가 다른 부위를 형성하고 있다.
도 12∼도 16에서 나타낸 각 수법을 이용함으로써, 탄성 표면파 장치에 있어서 통과대역외의 리플렉터의 산과 골을 감소할 수 있고, 이에 의해, 통과대역 저역측의 지극히 근방의 스퓨리어스 수준을 억제할 수 있다.
〔제 3 실시형태〕
본 발명의 다른 실시형태에 대해서 도 17∼도 24에 근거해서 설명하면, 이하 대로이다.
본 실시형태에 있어서의 탄성 표면파 필터의 구성을, 도 17에 나타낸다. 본 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치(탄성 표면파 필터)(700)는, 캐스케이드 접속된 2개의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(제 1의 탄성 표면파 소자)(701) 및 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(제 2의 탄성 표면파 소자)(702)를, 압전기판(도시하지 않음) 상에, 구비하고 있는 구성이다. 상기 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(701, 702)는, Al전극에 의해 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 압전기판으로서, 40±5°Y컷 X전파 LiTaO3기판을 이용하고 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(701)의 구성은, IDT(704)를 사이에 끼우도록 IDT(703, 705)가 형성되고, 그 양측에 리플렉터(706, 707)가 형성되어 있다. 상기 리플렉터(706, 707)는 각각 전극지의 일부에 교차폭 웨이팅이 실시되어 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(702)의 구성은, IDT(709)를 사이에 끼우도록 IDT(708, 710)가 형성되고, 그 양측에 리플렉터(711, 712)가 형성되어 있다. 상기 리플렉터(711, 712)는 각각 전극지의 일부에 교차폭 웨이팅이 실시되어 있다.
또한, 리플렉터(706, 707)와, 리플렉터(711, 712)에서는, 전극지의 총개수를 동일한 개수로 하고, 교차폭 웨이팅이 실시되어 있는 전극지의 개수를 다르게 하고있다.
즉, 상기 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(701)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(702)에서는, 리플렉터의 설계 이외는 동일하다.
상기의 구성에서는, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(701, 702)에 있어서의 리플렉터(706, 707, 711, 712)의 전극지를 교차폭 웨이팅하고, 또한, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(701)에 있어서의 리플렉터(706, 707)에 대하여, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(702)에 있어서의 리플렉터(711, 712)에 있어서의 교차폭 웨이팅하는 전극지의 개수를 다르게 하고 있다.
이에 의해, 본 실시형태에 있어서는, 제 1, 제 2 실시형태와 동일하게, 종래보다도 통과대역 저역측의 지극히 근방의 스퓨리어스 수준을 억제하여, 감쇠량이 큰 탄성 표면파 필터를 얻을 수 있다.
더욱이, 본 실시형태에서는, 상기 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(701)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(702)에 있어서의 설계는, 교차폭 웨이팅하는 리플렉터의 전극지의 개수를 다르게 하고 있는 점 이외는 동일한 설계로 하였지만, 이 설계는 필요에 따라서 다르게 하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 리플렉터(706, 707)와, 리플렉터(711, 712)에서, 교차폭 웨이팅하는 리플렉터의 전극지의 개수를 다르게 하고 있지만, 예를 들면, 도 18에 나타낸 바와 같이, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(701, 702)의 각각의 리플렉터(706, 707)와, 리플렉터(711, 712)에서 교차폭 웨이팅하는 전극지의 개수를 동일한 개수로 하고, 교차폭 웨이팅하는 방법이 바뀌어도 동일한 효과를 얻을수 있다.
또한, 도 19에 나타낸 바와 같이, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(701, 702)의 각각의 리플렉터(706, 707)와, 리플렉터(711, 712)에서 교차폭 웨이팅하는 리플렉터의 전극지의 개수를 동일한 개수로 하고, 리플렉터(706, 707)와, 리플렉터(711, 712)에서, 전극지의 총개수를 다르게 하여도 좋다.
또한, 도 20에 나타낸 바와 같이, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(701, 702)의 각각의 리플렉터(706, 707)와, 리플렉터(711, 712)에서 교차폭 웨이팅하는 리플렉터의 전극지의 개수를 동일한 개수로 하고, 리플렉터(706, 707)와, 리플렉터(711, 712)에서 듀티를 다르게 하여도 좋다. 또한, 도 21에 나타낸 바와 같이, 리플렉터(706, 707)와, 리플렉터(711, 712)에서 전극지 피치를 다르게 하여도 좋다.
또한, 도 22에 나타낸 바와 같이, 리플렉터(706, 707)와 각각 리플렉터(706, 707)에 인접하는 IDT(703, 705)와의 최외 전극지 중심간 거리와, 리플렉터(711, 712)와 각각 리플렉터(711, 712)에 인접하는 IDT(708, 710)와의 최외 전극지 중심간 거리를 다르게 하여도 좋다.
또한, 도 23에 나타낸 바와 같이, 리플렉터(711, 712)의 일부에 있어서 주위의 전극지에 대한 전극지폭(주위의 전극지 간격에 대한 전극지 간격)이 다른 부위를 형성하여도 좋다. 또한, 도 24에 나타낸 바와 같이, 리플렉터(711, 712)의 일부에 있어서 주위의 전극지에 대한 듀티가 다른 부위를 형성하여도 좋다.
〔제 4 실시형태〕
본 발명의 다른 실시형태에 대해서 도 25∼도 35에 근거해서 설명하면, 이하 대로이다.
본 실시형태에 있어서의 탄성 표면파 필터의 구성을, 도 25에 나타낸다. 본 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치(탄성 표면파 필터)(800)는, 2개의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(제 1의 탄성 표면파 소자)(801) 및 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(제 2의 탄성 표면파 소자)(802), 및 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801, 802)의 각각에 직렬로 접속된 탄성 표면파 공진자(803, 804)를, 압전기판(도시하지 않음) 상에, 구비하고 있는 구성이다. 상기 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801, 802)의 각각의 입력단자는, 병렬로 접속하여 불평형 신호단자(815)에 접속되어 있다. 또한, 상기 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801, 802)의 각각의 출력단자는, 각각 탄성 표면파 공진자(803, 804)를 개재해서 평형 신호단자(816, 817)에 접속되어 있다. 상기 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801, 802), 및 탄성 표면파 공진자(803, 804)는, Al전극에 의해 형성되어 있다. 그리고, 상기 탄성 표면파 장치(800)에는, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801, 802)로 이용해서 평형-불평형 변환기능을 갖게 하고 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801)의 구성은, IDT(806)를 사이에 끼우도록 IDT(805, 807)가 형성되고, 그 양측에 리플렉터(808, 809)가 형성되어 있다. 상기 리플렉터(808, 709)는 각각 전극지의 일부에 교차폭 웨이팅이 실시되어 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(802)의 구성은, IDT(811)를 사이에 끼우도록 IDT(810, 812)가 형성되고, 그 양측에 리플렉터(813, 814)가 형성되어 있다.상기 리플렉터(813, 814)는 각각 전극지의 일부에 교차폭 웨이팅이 실시되어 있다. 또한, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(802)의 IDT(810) 및 IDT(812)의 방향은, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801)의 IDT(805) 및 IDT(807)에 대하여, 교차폭 방향으로 반전시키고 있다. 이에 의해, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(802)에 있어서의 입력신호에 대한 출력신호의 위상은, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801)에 대하여 약 180°반전되어 있다.
상기 탄성 표면파 공진자(803, 804)는 동일한 구성이며, 각각 IDT를 사이에 끼우도록, 양측에 리플렉터가 형성되어 있는 구성이다.
상기 탄성 표면파 장치(800)에서는, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801)의 리플렉터(808, 809)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(802)의 리플렉터(813, 814)에서, 교차폭 웨이팅하는 전극지의 개수를 다르게 하고 있다.
즉, 상기 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(802)에서는, 리플렉터의 설계 및, IDT(805, 807)와 IDT(810, 812)의 방향 이외는 동일하다.
상기의 구성에서는, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801, 802)에 있어서의 리플렉터(808, 809, 813, 814)의 전극지를 교차폭 웨이팅하고, 또한, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801)에 있어서의 리플렉터(808, 809)에 대하여, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(802)에 있어서의 리플렉터(813, 814)에 있어서의 교차폭 웨이팅하는 전극지의 개수를 다르게 하고 있다. 이에 의해, 제 1, 제 2 및 제 3 실시형태와 동일하게, 종래보다도 통과대역 저역측의 지극히 근방의 스퓨리어스 수준을 억제하여, 감쇠량이 큰 탄성 표면파 필터를 얻을 수 있다.
본 실시형태에서는, 상기 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(802)에 있어서의 설계는, 교차폭 웨이팅하는 리플렉터의 전극지의 개수를 다르게 한 점, IDT의 방향을 바꾼 점 이외는 동일한 설계로 하였지만, 이 설계는 필요에 따라서 다르게 하여도 좋다.
상기의 탄성 표면파 장치(800)에서는, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(802)의 입력단자를 병렬접속하고, 출력단자를 직렬접속하였지만, 이것은 물론 직렬, 병렬을 반대로 접속하여도 좋다.
또한, 도 26에 나타낸 바와 같이, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(802)에 있어서의 입력단자 및 출력단자 모두 병렬로, 각각 단자(901, 902)에 접속하는 구성이어도 좋다.
또한, 도 27에 나타낸 바와 같이, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(802)에 있어서의 입력단자 및 출력단자 모두 직렬로, 각각 단자(1001∼1004)에 접속하는 구성이어도 좋다.
상기 탄성 표면파 장치(800)에서는, 리플렉터(808, 809)와, 리플렉터(813, 814)에서, 교차폭 웨이팅하는 전극지의 개수를 다르게 하였지만, 예를 들면, 도 28에 나타낸 바와 같이, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801)의 리플렉터(808, 809)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(802)의 리플렉터(813, 814)에서, 교차폭 웨이팅하는 전극지의 개수는 동일한 개수이며, 교차폭 웨이팅하는 방법이 바뀌어도 좋다.
또한, 도 29에 나타낸 바와 같이, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801)의 리플렉터(808, 809)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(802)의 리플렉터(813, 814)에서, 교차폭 웨이팅하는 전극지의 개수는 동일한 개수이며, 리플렉터(808, 809)와, 리플렉터(813, 814)에서 전극지의 총개수를 다르게 하여도 좋다.
또한, 도 30에 나타낸 바와 같이, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(801, 802)의 각각의 리플렉터(808, 809)와, 리플렉터(813, 814)에서 교차폭 웨이팅하는 리플렉터의 전극지의 개수를 동일한 개수로 하고, 리플렉터(808, 809)와, 리플렉터(813, 814)에서 듀티를 다르게 하여도 좋다.
또, 도 31에 나타낸 바와 같이, 리플렉터(808, 809)와, 리플렉터(813, 814)에서 전극지 피치를 다르게 하여도 좋다. 또한, 도 32에 나타낸 바와 같이, 리플렉터(808, 809)와 각각 리플렉터(808, 809)에 인접하는 IDT(805, 807)와의 최외 전극지 중심간 거리와, 리플렉터(813, 814)와 각각 리플렉터(813, 814)에 인접하는 IDT(810, 812)와의 최외 전극지 중심간 거리를 다르게 하여도 좋다.
또한, 도 33에 나타낸 바와 같이, 리플렉터(813, 814)의 일부에 있어서 주위의 전극지에 대한 전극지폭(주위의 전극지 간격에 대한 전극지 간격)이 다른 부위를 형성하여도 좋다. 또한, 도 34에 나타낸 바와 같이, 리플렉터(813, 814)의 일부에 있어서 주위의 전극지에 대한 듀티가 다른 부위를 형성하여도 좋다.
또한, 도 35에 나타낸 바와 같이, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1101, 1102)에, 각각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1103, 1104)를 캐스케이드 접속한 구성에 있어서도, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1101, 1103)에 있어서의리플렉터와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1102, 1104)에 있어서의 리플렉터를 상기와 동일하게 구성함으로써, 상기의 실시형태의 효과를 얻을 수 있다.
다음으로, 상기 실시형태에 기재된 탄성 표면파 장치를 이용한 통신장치에 대해서 도 36에 근거하여 설명한다. 상기 통신장치(600)는 수신을 행하는 리시버측(Rx측)으로서, 안테나(601), 안테나 공용부/RF Top필터(602), 앰프(603), Rx 단간(inter-stage) 필터(604), 믹서(605), 1st IF필터(606), 믹서(607), 2nd IF필터(608), 1st＋2nd로컬 신시사이저(611), TCXO(temperature compensated crystal oscillator(온도 보상형 수정 발진기))(612), 디바이더(613), 로컬 필터(614)를 구비해서 구성되어 있다.
Rx 단간 필터(604)에서 믹서(605)에는, 도 36에 2중선으로 나타낸 바와 같이, 밸런스성을 확보하기 위하여 각 평형신호를 이용하여 송신하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 통신장치(600)는 송신을 행하는 트랜스미터측(Tx측)으로서, 상기 안테나(601) 및 상기 안테나 공용부/RF Top필터(602)를 공용하는 동시에, Tx IF필터(621), 믹서(622), Tx 단간 필터(623), 앰프(624), 커플러(625), 아이솔레이터(626), APC(automatic power control(자동출력제어))(627)를 구비해서 구성되어 있다.
그리고, 상기의 Rx 단간 필터(604), 1st IF필터(606), Tx IF필터(621), Tx 단간 필터(623)에는 상술한 본 실시형태에 기재된 탄성 표면파 장치를 바람직하게 이용할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치는, 통과대역외의, 통과대역 근방에 있어서의 감쇠특성도 양호하고, 특히 통과대역 저역측의 감쇠량이 크다는 우수한 특성을 가지는 것이다. 따라서, 상기 탄성 표면파 장치를 가지는 본 발명의 통신장치는, 전송특성을 향상할 수 있는 것이다.
본 발명은 상술한 각 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 청구항에 나타낸 범위에서 여러가지 변경이 가능하고, 다른 실시형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적당히 조합시켜서 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 탄성 표면파 필터는, 압전기판 상에 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 IDT와, 이 IDT를 사이에 끼우도록 제 1, 제 2의 리플렉터를 가지는 탄성 표면파 필터에 있어서, 상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 전극지의 일부가 교차폭 웨이팅되어 있고, 또한, 제 1, 제 2의 리플렉터에서 교차폭 웨이팅의 방법을 다르게 하고 있다.
이에 의해, 본 발명에서는, 종래의 리플렉터의 전극지에 있어서의 교차폭 웨이팅보다도, 통과대역 저역측의 지극히 근방의 스퓨리어스를 억제할 수 있어, 감쇠량이 큰 탄성 표면파 필터를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서는, 리플렉터의 개수를 많게 할 필요가 없으므로, 종래의 탄성 표면파 장치와 동일한 사이즈를 실현할 수 있다.
본 발명의 탄성 표면파 장치는, 통과대역외의, 통과대역 근방에 있어서의 감쇠특성도 양호하고, 특히 통과대역 저역측의 감쇠량이 크다는 우수한 특성을 가진다. 따라서, 상기 탄성 표면파 장치를 가지는 본 발명의 통신장치는, 전송특성을 향상할 수 있어, 통신분야에 적합하게 이용할 수 있다.

Claims (23)

  1. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 배치되어 있는 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 제 1, 제 2의 리플렉터;를 가지는 탄성 표면파 장치로서,
    상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 전극지의 일부가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    제 1의 리플렉터와 제 2의 리플렉터에서, 교차폭 웨이팅되어 있는 전극지의 개수가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  2. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 배치되어 있는 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 제 1, 제 2의 리플렉터;를 가지는 탄성 표면파 장치로서,
    상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1의 리플렉터와 제 2의 리플렉터에서, 전극지의 개수가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  3. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 배치되어 있는 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 제 1, 제 2의 리플렉터;를 가지는 탄성 표면파 장치로서,
    상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1의 리플렉터와 제 2의 리플렉터에서, 전극지의 듀티(duty)가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  4. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 배치되어 있는 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 제 1, 제 2의 리플렉터;를 가지는 탄성 표면파 장치로서,
    상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1의 리플렉터와 제 2의 리플렉터에서, 전극지 피치가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  5. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 배치되어 있는 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 제 1, 제 2의 리플렉터;를 가지는 탄성 표면파 장치로서,
    상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1의 리플렉터에 인접하는 빗형 전극부와의 최외 전극지 중심간 거리와, 제 2의 리플렉터에 인접하는 빗형 전극부와의 최외 전극지 중심간 거리가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  6. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 배치되어 있는 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 제 1, 제 2의 리플렉터;를 가지는 탄성 표면파 장치로서,
    상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1, 제 2의 리플렉터에 있어서의 1군데 이상에서, 주위의 전극지에 대한 전극지폭 또는 주위의 전극지 간격에 대한 전극지 간격이 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  7. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 배치되어 있는 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 제 1, 제 2의 리플렉터;를 가지는 탄성 표면파 장치로서,
    상기 제 1, 제 2의 리플렉터의 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1, 제 2의 리플렉터에 있어서의 1군데 이상에서, 주위의 전극지에 대한 듀티가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  8. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드(cascade) 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치로서,
    상기 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터와 제 2의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터에서, 교차폭 웨이팅되어 있는 전극지의 개수가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  9. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치로서,
    제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터와 제 2의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터에서, 전극지의 개수가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  10. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치로서,
    제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터와 제 2의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터에서, 전극지의 듀티가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  11. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치로서,
    제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터와 제 2의 탄성 표면파 소자에 있어서의 리플렉터에서, 전극지의 피치가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  12. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치로서,
    제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1의 탄성 표면파 소자와 제 2의 탄성 표면파 소자에서, 리플렉터와 리플렉터에 인접하는 빗형 전극부와의 최외 전극지 중심간 거리가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  13. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치로서,
    제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에 있어서의 1군데 이상에서, 주위의 전극지에 대한 전극지폭 또는 주위의 전극지 간격에 대한 전극지 간격이 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  14. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를, 캐스케이드 접속하여 이루어지는 탄성 표면파 장치로서,
    제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에 있어서의 1군데 이상에서, 주위의 전극지에 대한 듀티가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  15. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를 구비하고,
    제 1의 탄성 표면파 소자 및 제 2의 탄성 표면파 소자의 입력단자끼리, 출력단자끼리의 적어도 한쪽이 접속되어 있는 탄성 표면파 장치로서,
    제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에 있어서의 적어도 1군데 이상에서, 주위의 전극지에 대한 듀티가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  16. 제 15항에 있어서, 제 1의 탄성 표면파 소자의 리플렉터와 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에서, 교차폭 웨이팅되어 있는 전극지의 개수가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  17. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를 구비하고,
    제 1의 탄성 표면파 소자 및 제 2의 탄성 표면파 소자의 입력단자끼리, 출력단자끼리가 접속되어 있는 탄성 표면파 장치로서,
    제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1의 탄성 표면파 소자의 리플렉터와 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에서, 전극지의 개수가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  18. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를 구비하고,
    제 1의 탄성 표면파 소자 및 제 2의 탄성 표면파 소자의 입력단자끼리, 출력단자끼리가 접속되어 있는 탄성 표면파 장치로서,
    제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1의 탄성 표면파 소자의 리플렉터와 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에서, 전극지의 듀티가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  19. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를 구비하고,
    제 1의 탄성 표면파 소자 및 제 2의 탄성 표면파 소자의 입력단자끼리, 출력단자끼리가 접속되어 있는 탄성 표면파 장치로서,
    제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1의 탄성 표면파 소자와 제 2의 탄성 표면파 소자에서, 리플렉터와 리플렉터에 인접하는 빗형 전극부와의 최외 전극지 중심간 거리가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  20. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를 구비하고,
    제 1의 탄성 표면파 소자 및 제 2의 탄성 표면파 소자의 입력단자끼리, 출력단자끼리가 접속되어 있는 탄성 표면파 장치로서,
    제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에 있어서의 1군데 이상에서, 주위의 전극지에 대한 전극지폭 또는 주위의 전극지 간격에 대한 전극지 간격이 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  21. 압전기판 상에, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부; 및 상기 빗형 전극부를 상기 전파방향을 따라 사이에 끼우는 리플렉터;를 가지는 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자를 구비하고,
    제 1의 탄성 표면파 소자 및 제 2의 탄성 표면파 소자의 입력단자끼리, 출력단자끼리가 접속되어 있는 탄성 표면파 장치로서,
    제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터의, 적어도 한쪽에 있어서의 일부의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있고,
    또한, 제 1, 제 2의 탄성 표면파 소자의 리플렉터에 있어서의 1군데 이상에서, 주위의 전극지에 대한 듀티가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  22. 제 1항에 있어서, 상기 압전기판이, 페이스 다운 공법(face-down method)으로 패키지내에 수납되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  23. 제 1항에 기재된 탄성 표면파 장치를 가지는 것을 특징으로 하는 통신장치.
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