KR20040020793A - 전자 부품을 덮는 보호막의 형성 방법 및 보호막을포함하는 전자 기기 - Google Patents

전자 부품을 덮는 보호막의 형성 방법 및 보호막을포함하는 전자 기기 Download PDF

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KR20040020793A
KR20040020793A KR1020030060233A KR20030060233A KR20040020793A KR 20040020793 A KR20040020793 A KR 20040020793A KR 1020030060233 A KR1020030060233 A KR 1020030060233A KR 20030060233 A KR20030060233 A KR 20030060233A KR 20040020793 A KR20040020793 A KR 20040020793A
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오고시구니조
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도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 예컨대, 기판의 한 면에 탑재된 유기 EL 소자를 효과적으로 밀봉할 수 있는 보호막의 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
투명 기판(1)의 한 면 위에 탑재된 유기 EL 소자(2)에 대향하여 증발원으로서의 도가니(15a∼15c)가 배치된다. 또한, 유기 EL 소자(2)에 대응하는 개구부(11a)를 구비한 마스크(11)가 준비되고, 이 마스크(11)는 투명 기판(1)과 도가니(15) 사이에 배치된다. 상기 투명 기판(1)에 대한 마스크(11)의 위치를 단계적으로 증대시키는 동시에, 도가니(15a∼15c)에서 증발시키는 재료를 선택한다. 이에 따라, 유기 EL 소자(2)를 덮는 제1층의 보호막(21)과, 이 제1층의 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제2층의 보호막(22)이 형성되고, 또한 제3층 이상의 보호막도 마찬가지로 형성된다.

Description

전자 부품을 덮는 보호막의 형성 방법 및 보호막을 포함하는 전자 기기{METHOD OF FORMING PROTECTION FILM FOR COVERING ELECTRONIC COMPONENT AND ELECTRONIC DEVICE HAVING PROTECTION FILM}
본 발명은 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품을 덮는 보호막의 형성 방법 및 보호막을 구비한 전자 기기에 관한 것이며, 예컨대 광 투과성 기판의 한 면 위에 탑재된 유기 전기 루미네선스(EL) 소자를 보호하고, 그 발광 특성을 양호하게 유지할 수 있도록 한 보호막의 형성 방법에 관한 것이다.
유기 EL 소자는 도 1a 및 도 1b로서 도시된 바와 같이, 광 투과성 기판(1)(투명 기판이라고도 칭함)의 한 면 위에 적층체로서 구성된다. 또한, 도 1a는 기판의 일부에서 파단(破斷)한 상태의 사시도로 도시하고 있고, 도 1b는 적층 상태를 도시하는 단면도로 도시하고 있다. 즉, 적층체로서의 유기 EL 소자(2)는 광 투과성 기판(1) 위에 제1 전극(3)이 예컨대 스퍼터링에 의해 스트립(stripe)형으로 형성되고, 그 위에 홀 수송층(4)이 예컨대 증착에 의해 형성된다. 또한, 홀 수송층(4)의위에, 유기 화합물에 의한 발광 재료층(5)이 마찬가지로 증착에 의해 막 형성된다. 또한, 발광 재료층(5)의 위에 복수개의 제2 전극(6)이 상기 제1 전극에 직교한 방향으로 형성된다. 또한, 도 1a에 있어서는 발광 재료층(5) 및 홀 수송층(4)은 하나의 층으로 도시되어 있다.
여기서, 도 1b에 도시하는 바와 같이 제1 전극(3)에 직류 전원(E)의 정(正)극을, 또한 제2 전극(6)에 직류 전원(E)의 부(負)극을 선택적으로 접속한 경우, 양쪽 모두가 교차하는 화소 부분에서, 제1 전극(3)으로부터의 홀과 제2 전극(6)으로부터의 전자가 유기 발광 재료층(5)에서 재결합하여 발광한다. 이 발광 작용에 의한 빛은 광 투과성 기판(1)을 통해 외부로 방출된다.
상기한 광 투과성 기판(1)으로서는, 예컨대 투명한 유리, 석영, 사파이어 또는 유기막을 이용할 수 있으며, 제1 전극으로서의 양극(3)으로는 예컨대 인듐주석 산화물(ITO)이 이용된다. 또한, 제2 전극으로서의 음극(6)으로는 예컨대 알루미늄 합금 등이 이용되고 있다. 이러한 유기 EL 소자(2)는 적층체가 대기에 노출되고, 특히 음극(6)은 대기에 포함된 습기에 의해서 산화되고, 발광 특성을 열화시킨다고 하는 문제가 있다. 그래서, 일본 특허 공개 평성 제9-148066호 공보에는 기밀 용기에 의해 적층체로 이루어지는 유기 EL 소자를 광 투과성 기판과의 사이에서 밀봉하고, 또한 그 내부에 건조제를 봉입한 구성이 도시되어 있다.
그런데, 상기한 구성에 의하면, 기밀 용기로서 한 면이 개방된 상자형의 스테인레스제의 용기가 이용되고, 이것을 접착제를 이용하여 광 투과성의 기판에 접착함으로써 적층체로 이루어지는 유기 EL 소자를 밀봉하도록 되어 있다. 그러나, 상기한 구성에 의하면, 상기 용기의 존재에 의해 발광 표시 패널의 두께가 현저히 증대한다.
또한, 상기한 유기 EL 소자는 광 투과 기판으로서 예컨대 유기막을 이용하는 것으로, 가요성 발광 표시 패널을 얻을 수 있다고 하는 특질을 가지고 있지만, 밀봉 부재로서 상기한 바와 같은 금속제의 용기를 이용하는 경우에 있어서는 이러한 특질을 살릴 수 없다. 한편, 일본 특허 공개 제2000-223264호 공보에는 기밀 용기가 아니라 유기 EL 소자를 무기막, 유기막의 적층의 보호막에 의해 밀봉하는 방법이 개시되어 있다. 보호막을 사용한 밀봉에 의해 플렉시블한 발광 패널의 작성이 용이하게 되지만, 그러나, 막 형성하는 보호막이 복수개인 경우에는 막 형성하는 보호막의 크기에 맞춘 마스크를 사용해야 하는 것, 마스크의 교환 빈도가 늘어나는 것, 마스크에 맞춘 챔버(막 형성실)가 필요한 것, 마스크의 보관 장소 등의 제조 공정의 증가 등의 문제가 발생한다.
본 발명은 상기한 바와 같은 기술적인 관점에 기초하여 이루어진 것으로, 예컨대, 상기한 바와 같은 유기 EL 표시 패널로 대표되는 기판의 한 면에 탑재된 전자 부품을 효과적으로 밀봉할 수 있는 보호막의 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이며, 또한 상기한 밀봉용 보호막을 구비한 유기 EL 표시 패널로 대표되는 전자 기기의 신규한 구성을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
도 1a 및 도 1b는 유기 EL 소자의 적층 상태를 도시하는 모식도.
도 2는 본 발명에 따른 막 형성 방법에 있어서의 제1 실시예에 있어서, 제1층의 보호막을 막 형성하는 상태를 도시하는 모식도.
도 3은 마찬가지로, 제1 실시예에 있어서 제2층의 보호막을 막 형성하는 상태를 도시하는 모식도.
도 4는 마찬가지로, 제1 실시예에 있어서 제3층의 보호막을 막 형성하는 상태를 도시하는 모식도.
도 5는 도 2 내지 도 4에 도시하는 막 형성 공정에 의해서 형성되는 보호막의 형태를 도시하는 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 막 형성 방법에 있어서의 제2 실시예에 있어서, 제1층의 보호막을 막 형성하는 상태를 도시하는 모식도.
도 7은 마찬가지로, 제2 실시예에 있어서 제2층의 보호막을 막 형성하는 상태를 도시하는 모식도.
도 8은 마찬가지로, 제2 실시예에 있어서 제3층의 보호막을 막 형성하는 상태를 도시하는 모식도.
도 9는 본 발명에 따른 막 형성 방법에 있어서의 제3 실시예에 있어서, 제1층의 보호막을 막 형성하는 상태를 도시하는 모식도.
도 10은 마찬가지로, 제3 실시예에 있어서 제2층의 보호막을 막 형성하는 상태를 도시하는 모식도.
도 11은 마찬가지로, 제3 실시예에 있어서 제3층의 보호막을 막 형성하는 상태를 도시하는 모식도.
도 12는 본 발명에 따른 막 형성 방법에 있어서 이용할 수 있는 물리 기상 막 형성법의 제1 예를 도시하는 모식도.
도 13은 마찬가지로, 물리 기상 막 형성법의 제2 예를 도시하는 모식도.
도 14는 마찬가지로, 물리 기상 막 형성법의 제3 예를 도시하는 모식도.
도 15는 마찬가지로, 물리 기상 막 형성법의 제4 예를 도시하는 모식도.
도 16a 내지 도 16d는 본 발명에 따른 막 형성 방법에 있어서 이용할 수 있는 막 형성 재료를 수용하는 도가니의 구성 및 서로의 배치 관계를 설명하는 평면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 광 투과성 기판
2 : 유기 EL 소자
3 : 제1 전극
4 : 홀 수송층
5 : 발광 재료층
6 : 제2 전극
11 : 마스크
11a : 개구부
15 : 도가니
16 : 증발 재료
21 : 제1층의 보호막
상기한 목적을 달성하기 위해서 이루어진 본 발명에 따른 전자 부품을 덮는보호막의 형성 방법은, 청구항 1에 기재된 바와 같이, 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품을 덮도록 하여, 적어도 2층 이상의 보호막을 형성시키는 보호막의 형성 방법으로서, 상기 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품에 대응하는 개구부를 구비한 마스크를 상기 기판에 대하여 소정의 제1 거리를 이격하여 배치하고, 상기 마스크의 개구부를 통해 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 제1층의 보호막으로서 퇴적시키는 막 형성 공정과, 상기 기판에 대한 상기 마스크를 상기 제1 거리보다도 큰 제2 거리를 이격하여 배치하고, 상기 마스크의 개구부를 통해 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 제2층의 보호막으로서 퇴적시키는 막 형성 공정을 순차 실행함으로써, 전자 부품을 덮는 제1층의 보호막과, 이 제1층의 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제2층의 보호막을 적어도 형성하는 점에 특징을 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 전자 부품을 덮는 보호막의 형성 방법은, 청구항 2에 기재된 바와 같이, 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품을 덮도록 하여, 적어도 2층 이상의 보호막을 형성시키는 보호막의 형성 방법으로서, 상기 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품에 대응하는 개구부를 구비한 마스크가 상기 기판과 증발원 사이에 배치되고, 상기 기판에 대하여 소정의 제1 거리를 이격하여 배치된 상태의 마스크의 개구부를 통해 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 제1층의 보호막으로서 퇴적시키는 막 형성 공정과, 상기 기판에 대한 상기 마스크의 위치를 상기 제1 거리보다도 큰 제2 거리를 이격하여 배치하고, 상기 마스크의 개구부를 통해 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 제2층의 보호막으로서 퇴적시키는 막 형성 공정을 상기 기판과 증발원과의 거리를 일정하게 유지하면서 순차 실행함으로써, 전자 부품을 덮는 제1층의 보호막과, 이 제1층의 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제2층의 보호막을 적어도 형성하는 점에 특징을 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 전자 부품을 덮는 보호막의 형성 방법은, 청구항 4에 기재된 바와 같이, 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품을 덮도록 하여, 적어도 2층 이상의 보호막을 형성시키는 보호막의 형성 방법으로서, 상기 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품에 대응하는 개구부를 구비한 마스크가 상기 기판과 증발원 사이에 배치되고, 상기 기판에 대하여 소정의 제1 거리를 이격하여 배치된 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 마스크의 개구부를 통해 상기 기판 및 전자 부품 위에 제1층의 보호막으로서 퇴적시키는 막 형성 공정과, 상기 기판에 대한 상기 증발원의 위치를 제1 거리보다도 작은 제2 거리를 이격하여 배치하고, 상기 마스크의 개구부를 통해 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 제2층의 보호막으로서 퇴적시키는 막 형성 공정을 상기 기판과 마스크와의 거리를 일정하게 유지하면서 순차 실행함으로써, 전자 부품을 덮는 제1층의 보호막과, 이 제1층의 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제2층의 보호막을 적어도 형성하는 점에 특징을 갖는다.
한편, 상기한 목적을 달성하기 위해서 이루어진 본 발명에 따른 보호막을 구비한 전자 기기는, 청구항 7에 기재된 바와 같이, 기판의 한 면 위에 전자 부품이 탑재되고, 이 전자 부품을 덮도록 하여 적어도 2층 이상의 보호막을 구비한 전자기기로서, 상기 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품에 대응하는 개구부를 구비한 마스크를 상기 기판에 대하여 소정의 제1 거리를 이격하여 배치하고, 상기 마스크의 개구부를 통해 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 퇴적시킴으로써 얻어지는 제1층의 보호막과, 상기 기판에 대한 상기 마스크의 위치를 제1 거리보다도 큰 제2 거리를 이격하여 배치하고, 상기 마스크의 개구부를 통해 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 퇴적시킴으로써 얻어지는 제2층의 보호막이 적어도 구비되고, 상기 제1층의 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제2층의 보호막이 형성되어 있는 점에 특징을 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 보호막을 구비한 전자 기기는, 청구항 8에 기재된 바와 같이, 기판의 한 면 위에 전자 부품이 탑재되고, 이 전자 부품을 덮도록 하여 적어도 2층 이상의 보호막을 구비한 전자 기기로서, 상기 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품에 대응하는 개구부를 구비한 마스크를 상기 기판과 증발원 사이에 배치하고, 상기 기판에 대하여 소정의 제1 거리를 이격하여 배치된 상태의 마스크의 개구부를 통해 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 퇴적시킴으로써 얻어지는 제1층의 보호막과, 상기 기판에 대한 상기 마스크의 위치를 제1 거리보다도 큰 제2 거리를 이격하여 배치하고, 상기 마스크의 개구부를 통해 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 퇴적시킴으로써 얻어지는 제2층의 보호막이 적어도 구비되고, 상기 제1층의 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제2층의 보호막이 형성되어 있는 점에 특징을 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 보호막을 구비한 전자 기기는, 청구항 9에 기재된 바와 같이, 기판의 한 면 위에 전자 부품이 탑재되고, 이 전자 부품을 덮도록 하여 적어도 2층 이상의 보호막을 구비한 전자 기기로서, 상기 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품에 대응하는 개구부를 구비한 마스크를 상기 기판과 증발원 사이에 배치하고, 상기 기판에 대하여 소정의 제1 거리를 이격하여 배치된 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 마스크의 개구부를 통해 상기 기판 및 전자 부품 위에 퇴적시킴으로써 얻어지는 제1층의 보호막과, 상기 기판에 대한 상기 증발원의 위치를 제1 거리보다도 작은 제2 거리를 이격하여 배치하고, 상기 마스크의 개구부를 통해 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 퇴적시킴으로써 얻어지는 제2층의 보호막이 적어도 구비되고, 상기 제1층의 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제2층의 보호막이 형성되어 있는 점에 특징을 갖는다.
이하, 본 발명에 따른 전자 부품을 덮는 보호막의 형성 방법에 관해서 도면에 기초하여 설명한다. 도 2∼도 4는 그 제1 실시예를 막 형성의 공정순에 따라서 모식도로 도시하는 것이며, 도 5는 도 2∼도 4의 공정에 의해서 형성된 보호막의 형태를 단면도로 도시하는 것이다. 또한, 도 2∼도 4에 있어서의 참조부호 1은 도 1a 및 도 1b에 기초하여 설명한 투명 기판을 도시하고 있고, 참조부호 2는 투명 기판의 한 면 위에 적층된 전자 부품으로서의 예컨대 유기 EL 소자(군)를 도시하고 있다. 즉, 이하의 설명에 있어서는, 투명 기판의 한 면 위에 적층 형성된 유기 EL 소자를 보호하기 위해서 복수층의 보호막을 형성시키는 방법에 관해서 설명하지만, 상기 전자 부품으로서는 유기 EL 소자에 한정되는 것이 아니라, 무기 EL 소자 등의 다른 구성의 전자 부품을 덮는 보호막의 형성에 있어서도 마찬가지로 적용할 수 있다.
우선, 도 2∼도 4에 도시하는 제1 실시예에 따른 보호막의 형성 장치에 있어서는, 광 투과성 기판(1)의 한 면 위에 탑재된 유기 EL 소자(2)에 대응하는 개구부를 구비한 마스크(11)가 준비된다. 즉, 상기 마스크(11)에는 광 투과성 기판(1)에 형성된 유기 EL 소자(2)의 거의 전면을 커버할 수 있는 면적을 구비한 개구부(11a)가 형성되어 있다. 그리고, 이 제1 실시예에 있어서는, 광 투과성 기판(1)에 대하여 소정의 거리(La1)를 두고, 막 형성 재료로서의 증발 재료(16)를 수용한 증발원으로서의 도가니(15)가 배치되어 있다.
도 2에 도시하는 상태는 상기 광 투과성 기판(1)에 대하여 마스크(11)를 소정의 제1 거리(Lb1)를 이격하여 배치하고, 마스크(11)에 형성된 개구부(11a)를 통해 도가니(15)로부터 증발하는 막 형성 재료를 상기 광 투과성 기판(1) 및 유기 EL 소자(2) 위에 제1층의 보호막으로서 퇴적시키는 막 형성 공정을 도시하고 있다. 이 경우, 광 투과성 기판(1)에 형성된 유기 EL 소자(2)의 거의 중앙부가 회전 중심이 되도록 하여, 광 투과성 기판(1)은 도면 중 "R"로 도시하는 바와 같이 기판면의 방향으로 회전 구동된다. 이에 따라, 도가니(15)로부터 증발하는 막 형성 재료는 상기 마스크(11)의 개구부(11a)를 통해 상기 유기 EL 소자(2)와 그 주연부의 광 투과성 기판(1) 위에, 제1층의 보호막(21)으로서 퇴적된다. 이 경우, 제1층의 보호막(21)은 마스크(11)에 형성된 개구부(11a)에 대응하여, 회전 중심으로부터 W1의 범위에서 퇴적된다.
도 3은 제1층의 보호막(21)이 퇴적된 상태의 광 투과성 기판(1) 및 유기 EL소자(2)에 대하여, 제2층의 보호막을 더 퇴적시키는 막 형성 공정을 도시하고 있다. 이 도 3에 도시하는 공정에서는, 광 투과성 기판(1)에 대한 증발원으로서의 도가니(15)의 위치[거리(La1)]는 바꾸지 않고서, 광 투과성 기판(1)에 대한 상기 마스크(11)를 상기 제1 거리(Lb1)보다도 큰 제2 거리(Lb2)를 이격한 위치에 이동하고, 마스크(11)의 개구부(11a)를 통해 막 형성 재료를 상기 광 투과성 기판(1) 및 유기 EL 소자(2) 위에, 제2층의 보호막(22)으로서 퇴적시키게 된다. 이 경우, 상기 도가니(15)에 수용되는 증발 재료(16)는 적절하게 변경된다.
그리고, 마찬가지로 하여 광 투과성 기판(1)에 형성된 유기 EL 소자(2)의 거의 중앙부가 회전 중심이 되도록 하여, 광 투과성 기판(1)은 도 3에 "R"로 도시하는 바와 같이 기판면의 방향으로 회전 구동된다. 이에 따라, 도가니(15)로부터 증발하는 막 형성 재료는 상기 마스크(11)의 개구부(11a)를 통해 상기 유기 EL 소자(2)와 그 주연부의 광 투과성 기판(1) 위에, 제2층의 보호막(22)으로서 퇴적된다. 이 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 제2층의 보호막(22)은 회전 중심으로부터 W2의 범위에서 퇴적된다. 여기서, 광 투과성 기판(1)에 대한 도가니(15)의 거리(La1)는 상기한 바와 같이 동일해지며, 광 투과성 기판(1)에 대한 마스크(11)의 거리가 Lb1<Lb2의 관계가 되기 때문에, 회전 중심으로부터의 막 형성 범위는 W1<W2의 관계가 된다. 따라서, 제1층의 보호막(21) 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제2층의 보호막(22)이 형성된다.
도 4는 제2층의 보호막(22)이 퇴적된 상태의 광 투과성 기판(1) 및 유기 EL 소자(2)에 대하여, 제3층의 보호막을 더 퇴적시키는 막 형성 공정을 도시하고 있다. 이 도 4에 도시하는 공정에서는, 광 투과성 기판(1)에 대한 증발원으로서의 도가니(15)의 위치[거리(La1)]는 바꾸지 않고서, 광 투과성 기판(1)에 대한 상기 마스크(11)를 상기 제2 거리(Lb2)보다도 더욱 큰 제3 거리(Lb3)를 이격한 위치에 이동하고, 마스크(11)의 개구부(11a)를 통해 막 형성 재료를 상기 광 투과성 기판(1) 및 유기 EL 소자(2) 위에, 제3층의 보호막(23)으로서 퇴적시키게 된다. 이 경우, 상기 도가니(15)에 수용되는 증발 재료(16)는 적절하게 변경된다.
그리고, 마찬가지로 하여 광 투과성 기판(1)에 형성된 유기 EL 소자(2)의 거의 중앙부가 회전 중심이 되도록 하여, 광 투과성 기판(1)은 도 4에 "R"로 도시하는 바와 같이 기판면의 방향으로 회전 구동된다. 이에 따라, 도가니(15)로부터 증발하는 막 형성 재료는 상기 마스크(11)의 개구부(11a)를 통해 상기 유기 EL 소자(2)와 그 주연부의 광 투과성 기판(1) 위에, 제3층의 보호막(23)으로서 퇴적된다. 이 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 제3층의 보호막(22)은 회전 중심으로부터 W3의 범위에서 퇴적된다. 즉, 광 투과성 기판(1)에 대한 도가니(15)의 거리(La1)는 동일해지며, 광 투과성 기판(1)에 대한 마스크(11)의 거리가 Lb2<Lb3의 관계가 되기 때문에, 회전 중심으로부터의 막 형성 범위는 W2<W3의 관계가 된다. 따라서, 제2층의 보호막(22) 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제3층의 보호막(23)이 형성된다.
이상의 설명은 제3층의 보호막(23)을 형성하기까지의 공정에 관해서 진술하고 있지만, 필요에 따라서 제4층 이상의 보호막도 마찬가지로 하여 형성할 수 있다. 이렇게 하여 도 5는 상기한 막 형성 공정을 지나서 형성된 제1∼제3 보호막(21∼23)의 막 형성 상태를 도시하고 있다. 상기한 막 형성 공정에 의해서 형성된 보호막의 구성에 의하면, 도 5에 도시하는 바와 같이, 제1층의 보호막(21)은 유기 EL 소자(2)와 그 주연부의 광 투과성 기판(1)을 덮도록 하여 형성되어 있고, 또한 제2층의 보호막(22)은 제1층의 보호막(21)을 보다 폭넓게 커버하도록 하여 막 형성된다. 마찬가지로 하여, 제3층의 보호막(23)도 제2층의 보호막(22)을 보다 폭넓게 커버하도록 하여 막 형성된다.
따라서, 상기한 제1 실시예에 의하면, 예컨대 1장의 마스크를 이용하여 보호막을 복수층에 걸쳐 형성하는 것이 가능해진다. 또한, 예컨대 EL 소자를 보호막에 의해서 피복하는 구성에 이용한 경우에 있어서는, 각 보호막을 형성하는 각각의 재료를 적절히 선택함으로써, 특히 EL 소자와 같이 대기에 포함되는 습기에 의한 영향을 받아 소자의 수명을 단축시킨다고 하는 문제를 효과적으로 회피할 수 있다.
또한, 상기한 보호막에 의한 구성에 의하면, 금속제의 밀봉 용기를 이용하는 종래의 구성에 비교하면, 패널 전체의 두께를 현저히 저감시키는 것이 가능해진다. 또한, 상기한 기판에 예컨대 유기막을 이용하고, EL 소자를 피복하는 각 보호막의 재료로서 유연성이 풍부한 것을 이용한 경우에 있어서는, 습도 대책을 실시한 플렉시블한 발광 표시 패널을 얻을 수 있다.
또한, 상기한 도 2∼도 4에 도시하는 보호막의 막 형성 공정에서는 증발원으로서의 도가니(15)를 구비한, 말하자면 물리 기상 막 형성법을 예로 들고 있지만, 챔버 내에 막 형성용의 가스를 흘려보내는 화학 기상 막 형성법을 이용할 수도 있다. 이 경우에 있어서는, 마스크(11)의 개구부(11a)를 통해 광 투과성 기판(1)측에소위 가스가 들어가서, 특히 막 형성 상태에 「번짐」 또는 「흐림」이라고 하는 현상도 발생한다. 그러나, 이것에 의해서 얻어지는 보호막은 실용적인 면에 있어서는 충분한 내습 특성 등을 갖게 할 수 있다.
다음에, 도 6∼도 8은 본 발명에 따른 막 형성 방법에 있어서의 제2 실시예를 설명하는 것이다. 또한, 도 6∼도 8에 있어서, 이미 설명한 각 부에 해당하는 부분은 동일 부호로 나타내고 있으며, 이에 따라, 그 상세한 설명은 생략한다. 이 도 6∼도 8에 표시된 보호막의 형성 장치에 있어서는, 막 형성 재료를 개별적으로 수용하는 복수의 도가니(15a∼15c)를 구비하고, 이것들은 동일 챔버 내에 배치되어 있다. 그리고, 각 도가니(15a∼15c)에는 도 6∼도 8에 각각 도시하는 바와 같이 셔터(S1∼S3)가 부착되어 있다.
그리고, 도 6∼도 8에 도시하는 각 공정에서는 이미 설명한 도 2∼도 4에 도시하는 각 공정과 동일한 막 형성 동작이 이루어진다. 이 경우, 도 6에 도시하는 제1층의 보호막(21)을 막 형성하는 공정에서는 각 도가니(15a∼15c)에 각각 부착된 셔터(S1∼S3) 중, 제1 도가니(15a)에 부착된 셔터(S1)를 개방하는 제어가 이루어진다. 즉, 도 6에 있어서는, 셔터(S1)가 도시되지 않고, 제1 도가니(15a)로부터의 막 형성 재료가 광 투과성 기판(1)의 배치 방향으로 증발할 수 있는 상태를 도시하고 있다.
이때, 제2 및 제3 도가니(15b, 15c)에 부착된 각 셔터(S2 및 S3)는 상기 각 도가니(15b, 15c)를 폐쇄시킨 상태가 된다. 이에 따라, 제1 도가니(15a)에서 증발하는 막 형성 재료만을 마스크(11)에 형성된 개구부(11a)를 통해 상기 광 투과성기판(1) 및 유기 EL 소자(2) 위에 제1층의 보호막(21)으로서 퇴적시킬 수 있다.
계속해서, 제2층의 보호막(22)을 막 형성시키는 경우에 있어서는, 도 7에 도시하는 바와 같이 제2 도가니(15b)에 부착된 셔터(S2)를 개방하는 제어가 이루어진다. 즉, 도 7에 있어서는 셔터(S2)가 도시되어 있지 않고 제2 도가니(15b)로부터의 막 형성 재료가 광 투과성 기판(1)의 배치 방향으로 증발할 수 있는 상태를 도시하고 있다. 이때, 제1 및 제3 도가니(15a, 15c)에 부착된 각 셔터(S1 및 S3)는 상기 각 도가니(15a, 15c)를 폐쇄시킨 상태가 된다. 이에 따라, 제2 도가니(15b)에서 증발하는 막 형성 재료만을 마스크(11)에 형성된 개구부(11a)를 통해 상기 광 투과성 기판(1) 및 유기 EL 소자(2) 위에 제2층의 보호막(22)으로서 퇴적시킬 수 있다.
또한, 제3층의 보호막(23)을 막 형성시키는 경우에 있어서는, 도 8에 도시하는 바와 같이 제3 도가니(15c)에 부착된 셔터(S3)를 개방하는 제어가 이루어진다. 즉, 도 8에 있어서는, 셔터(S3)가 도시되어 있지 않고 제3 도가니(15c)로부터의 막 형성 재료가 광 투과성 기판(1)의 배치 방향으로 증발할 수 있는 상태를 도시하고 있다. 이때, 제1 및 제2 도가니(15a, 15b)에 부착된 각 셔터(S1 및 S2)는 상기 각 도가니(15a, 15b)를 폐쇄시킨 상태가 된다. 이에 따라, 제3 도가니(15c)에서 증발하는 막 형성 재료만을 마스크(11)에 형성된 개구부(11a)를 통해 상기 광 투과성 기판(1) 및 유기 EL 소자(2) 위에 제3층의 보호막(22)으로서 퇴적시킬 수 있다.
이상과 같이, 도 6∼도 8에 도시하는 막 형성 공정을 이용한 경우에는, 이미 설명한 도 2∼도 4에 도시하는 막 형성 공정과 같은 작용 효과를 얻을 수 있다. 그리고, 이에 따라 얻어지는 보호막의 각 구성은 도 5에 도시하는 것과 마찬가지가된다. 또한, 도 6∼도 8에 도시하는 막 형성 공정에서는 막 형성 재료를 생성하는 재료를 개별적으로 수용하는 셔터가 부착된 각 도가니를 구비함으로써 동일한 마스크를 이용하면서, 동일한 챔버 내에서 일련의 막 형성 공정을 실행할 수 있어, 그 능률을 매우 향상시키는 것에 기여할 수 있다.
다음에 도 9∼도 11은 본 발명에 따른 보호막의 형성 방법에 있어서의 제3 실시예를 설명하는 것이다. 또한, 도 9∼도 11에 있어서, 이미 설명한 각 부에 해당하는 부분은 동일 부호로 나타내고 있으며, 이에 따라, 그 상세한 설명은 생략한다. 이 도 9∼도 11에 도시된 보호막의 형성 장치에 있어서도 광 투과성 기판(1)의 한 면 위에 탑재된 유기 EL 소자(2)에 대응하는 개구부를 구비한 마스크(11)가 준비된다. 그리고, 막 형성 재료를 생성하는 재료를 개별적으로 수용하는 복수의 도가니(15a∼15c)가 동일 챔버 내에 배치되어 있고, 또한 각 도가니(15a∼15c)에는 도 9∼도 11에 각각 도시하는 바와 같이 셔터(S1∼S3)가 부착되어 있다.
이 도 9∼도 11에 도시하는 실시예에 있어서는 기판과 마스크와의 거리를 일정하게 유지하면서, 기판에 대한 증발원으로서의 도가니의 위치를 순차적으로 가깝게 하여 막 형성하게 된다. 즉, 도 9에 도시된 바와 같이, 유기 EL 소자(2)를 탑재한 광 투과성 기판(1)에 대하여 마스크(11)를 소정의 거리(Lb2)를 이격하여 배치한다. 한편, 광 투과성 기판(1)에 대하여 증발원으로서의 도가니(15a∼15c)는 소정의 제1 거리인 La1을 이격하여 배치된다.
그리고, 제1층의 보호막(21)을 막 형성하는 도 9에 도시하는 공정에서는, 각 도가니(15a∼15c)에 각각 부착된 셔터(S1∼S3) 중, 제1 도가니(15a)에 부착된셔터(S1)를 개방하는 제어가 이루어진다. 즉, 도 9에 있어서는 셔터(S1)가 도시되어 있지 않고 제1 도가니(15a)로부터의 막 형성 재료가 광 투과성 기판(1)의 배치 방향으로 증발할 수 있는 상태를 도시하고 있다. 이때, 제2 및 제3 도가니(15b, 15c)에 부착된 각 셔터(S2 및 S3)는 상기 각 도가니(15b, 15c)를 폐쇄시킨 상태가 된다. 이에 따라, 제1 도가니(15a)에서 증발하는 막 형성 재료만을 마스크(11)에 형성된 개구부(11a)를 통해 상기 광 투과성 기판(1) 및 유기 EL 소자(2) 위에 제1층의 보호막(21)으로서 퇴적시킬 수 있다.
이 경우, 광 투과성 기판(1)에 형성된 유기 EL 소자(2)의 거의 중앙부가 회전 중심이 되도록 하여, 광 투과성 기판(1)은 도면 중 "R"로 도시하는 바와 같이 기판면의 방향으로 회전 구동된다. 이에 따라, 도가니(15a)에서 증발하는 막 형성 재료는 상기 마스크(11)의 개구부(11a)를 통해 상기 유기 EL 소자(2)와 그 주연부의 광 투과성 기판(1) 위에, 제1층의 보호막(21)으로서 퇴적된다. 이 경우, 제1층의 보호막(21)은 마스크(11)에 형성된 개구부(11a)에 대응하여, 회전 중심으로부터 W1의 범위에서 퇴적된다.
계속해서, 도 10에 도시하는 바와 같이 광 투과성 기판(1)에 대한 마스크(11)의 위치[거리(Lb2)]는 바꾸지 않고서, 광 투과성 기판(1)에 대한 증발원으로서의 도가니(15a∼15c) 위치가 제2 거리인 La2를 이격하여 배치된다. 즉, 도가니(15a∼15c)는 광 투과성 기판(1)쪽으로 가까워진다. 이 상태로 각 도가니(15a∼15c)에 각각 부착된 셔터(S1∼S3) 중, 제2 도가니(15b)에 부착된 셔터(S2)를 개방하는 제어가 이루어진다.
즉, 도 10에 있어서는 셔터(S2)가 도시되어 있지 않고 제2 도가니(15b)로부터의 막 형성 재료가 광 투과성 기판(1)의 배치 방향으로 증발할 수 있는 상태를 도시하고 있다. 이때, 제1 및 제3 도가니(15a, 15c)에 부착된 각 셔터(S1 및 S3)는 상기 각 도가니(15a, 15c)를 폐쇄시킨 상태가 된다. 이에 따라, 제2 도가니(15b)에서 증발하는 막 형성 재료만을 마스크(11)에 형성된 개구부(11a)를 통해 상기 광 투과성 기판(1) 및 유기 EL 소자(2) 위에 제2층의 보호막(22)으로서 퇴적시킬 수 있다.
이 경우, 광 투과성 기판(1)에 형성된 유기 EL 소자(2)의 거의 중앙부가 회전 중심이 되도록 하여, 광 투과성 기판(1)은 도면 중 "R"로 도시하는 바와 같이 기판면의 방향으로 회전 구동된다. 이에 따라, 도가니(15b)에서 증발하는 막 형성 재료는 상기 마스크(11)의 개구부(11a)를 통해 상기 유기 EL 소자(2)와 그 주연부의 광 투과성 기판(1) 위에 제2층의 보호막(22)으로서 퇴적된다. 이 경우, 제2층의 보호막(22)은 마스크(11)에 형성된 개구부(11a)에 대응하여, 회전 중심으로부터 W2의 범위에서 퇴적된다.
또한, 도 11에 도시하는 바와 같이 광 투과성 기판(1)에 대한 마스크(11)의 위치[거리(Lb2)]는 바꾸지 않고서, 광 투과성 기판(1)에 대한 증발원으로서의 도가니(15a∼15c) 위치가 제3 거리인 La3을 이격하여 배치된다. 즉, 도가니(15a∼15c)는 광 투과성 기판(1)쪽으로 더욱 가까워진다. 이 상태로 각 도가니(15a∼15c)에 각각 부착된 셔터(S1∼S3) 중, 제3 도가니(15c)에 부착된 셔터(S3)를 개방하는 제어가 이루어진다.
즉, 도 11에 있어서는 셔터(S3)가 도시되어 있지 않고 제3 도가니(15c)로부터의 막 형성 재료가 광 투과성 기판(1)의 배치 방향으로 증발할 수 있는 상태를 도시하고 있다. 이때, 제1 및 제2 도가니(15a, 15b)에 부착된 각 셔터(S1 및 S2)는 상기 각 도가니(15a, 15b)를 폐쇄시킨 상태가 된다. 이에 따라, 제3 도가니(15c)에서 증발하는 막 형성 재료만을 마스크(11)에 형성된 개구부(11a)를 통해 상기 광 투과성 기판(1) 및 유기 EL 소자(2) 위에 제3층의 보호막(23)으로서 퇴적시킬 수 있다.
이 경우, 광 투과성 기판(1)에 형성된 유기 EL 소자(2)의 거의 중앙부가 회전 중심이 되도록 하여, 광 투과성 기판(1)은 도면 중 "R"로 도시하는 바와 같이 기판면의 방향으로 회전 구동된다. 이에 따라, 도가니(15c)에서 증발하는 막 형성 재료는 상기 마스크(11)의 개구부(11a)를 통해 상기 유기 EL 소자(2)와 그 주연부의 광 투과성 기판(1) 위에, 제3층의 보호막(23)으로서 퇴적된다. 이 경우, 제3층의 보호막(23)은 마스크(11)에 형성된 개구부(11a)에 대응하여, 회전 중심으로부터 W3의 범위에서 퇴적된다.
도 9∼도 11에 도시하는 막 형성 방법에 의하면, 광 투과성 기판(1)에 대한 마스크(11)의 거리는 동일해지고, 막 형성순에 따라서 광 투과성 기판(1)에 대한 도가니(15a∼15c)의 거리가 순차적으로 작아지는 관계(La1>La2>La3)가 되도록 제어된다. 따라서, 각 공정에서의 회전 중심으로부터의 막 형성 범위는 W1<W2<W3의 관계가 되고, 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 상층의 보호막을 순차 형성시킬 수 있다.
또한, 이상의 설명은 제3층의 보호막을 형성하기까지의 공정에 관해서 진술하고 있지만, 필요에 따라서 제4층 이상의 보호막도 마찬가지로 하여 형성할 수 있다. 그리고, 도 9∼도 11에 도시된 막 형성 방법에 있어서도, 이미 설명한 도 6∼도 8에 도시하는 막 형성 방법과 같은 작용 효과를 얻을 수 있어, 이에 따라 얻어지는 보호막의 각 구성은 도 5에 도시하는 것과 마찬가지가 된다.
도 12∼도 15는 상기한 막 형성 방법에 있어서 이용할 수 있는 물리 기상 막 형성법의 예를 도시하고 있다. 도 12는 저항 가열 진공 증착법의 예를 도시하는 것이며, 이것은 막 형성 재료를 수용한 도가니(15)의 주위에 히터(18a)가 배치되고, 이 히터(18a)에 의해서 막 형성 재료를 가열 증발시킴으로써 광 투과성 기판(1)에 대하여 막을 형성시키게 된다. 또한, 도 13은 고주파 유도 가열 진공 증착법의 예를 도시하는 것이며, 이것은 마찬가지로 막 형성 재료를 수용한 도가니(15)의 주위에 유도 가열 유닛(18b)이 배치되고, 이 유도 가열 유닛(18b)에 공급되는 고주파 전류에 의해 막 형성 재료를 가열 증발시킴으로써 광 투과성 기판(1)에 대하여 막을 형성시키게 된다.
도 14는 전자빔 가열 진공 증착법의 예를 도시하는 것이며, 이것은 도가니(15)에 수용된 막 형성 재료에 대하여 전자빔 발생 유닛(18c)으로부터의 전자빔을 투사시켜 가열하고, 재료를 증발시킴으로써 광 투과성 기판(1)에 대하여 막을 형성시키게 된다. 또한, 도 15는 마그네트론 스퍼터링법의 예를 도시하는 것이며, 이것은 마그네트론 장치(18d)에 의해서 생성되는 전계에 교차하는 자계의 인가에 의해, 타겟으로서의 재료(16a)를 광 투과성 기판(1)에 대하여 스퍼터링시키는것이다.
또한, 본 발명에 따른 보호막의 형성 방법에 있어서는 물리 기상 막 형성법으로서, 그 외에 증착 중합법, 플라즈마 증착법, 분자 에피택셜법, 크러스터 이온빔법, 이온플레이팅법, 플라즈마 중합법 등을 이용할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 보호막의 형성 방법에 있어서는 도면에는 도시하고 있지 않지만 화학 기상 막 형성법으로서, 플라즈마 CVD법, 레이저 CVD법, 열 CVD법, 가스소스 CVD법 등을 이용할 수 있다. 이들은 적층하는 막의 재질 등을 고려하여 적절하게 선택할 수 있다.
또한, 도 16a 내지 도 16d는 본 발명에 따른 막 형성 방법에 있어서 이용할 수 있는 막 형성 재료를 수용하는 도가니의 구성 및 상호의 배치 관계에 관해서 설명하는 것이다. 즉, 도 16a는 제1∼제3 원통형 도가니(15a∼15c)를 평면에서 보아 삼각형으로 집합시켜 배치한 것이다. 또한, 도 16b는 제1∼제3 원통형 도가니(15a∼15c)를 평면에서 보아 거의 직선형으로 배치한 것이다.
또한, 도 16c는 제1∼제4 직방체형으로 형성된 도가니(15a∼15d)를 평면에서 보아 「田」자형으로 집합시켜 배치한 것이다. 또한, 도 16d는 제1∼제3 벌집형으로 형성된 도가니(15a∼15c)를 평면에서 보아 삼각형으로 집합시켜 배치한 것이다. 본 발명에 따른 막 형성 방법에 있어서는 도 16a 내지 도 16d에 도시하는 것 이외의 각 도가니의 구성 및 배열 형태도 적절하게 이용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 막 형성 방법에 있어서 사용할 수 있는 막 형성 재료로서는 무기물 및 유기물 중 어느 쪽이라도 사용할 수 있다. 후술하는 것에 한정되는 것이 아니지만 무기물의 막 형성 재료로서는, SiN, AlN, GaN 등의 질화물, SiO, Al2O3, Ta2O5, ZnO, GeO 등의 산화물, SiON 등의 산화질화물, SiCN 등의 탄화질화물, 금속 불소화합물, 금속막 등을 예로 들 수 있다.
또한, 후술하는 것에 한정되는 것이 아니지만 유기물의 막 형성 재료로서는, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리파라크실렌, 불소계 고분자(퍼플루오로올레핀, 퍼플루오로에테르, 테트라플루오로에틸렌, 클로로트리플루오로에틸렌, 디클로로디플루오로에틸렌 등), 금속 알콕시드(CH3OM, C2H5OM 등), 폴리이미드 전구체, 페릴렌계 화합물 등을 예로 들 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판의 한 면에 탑재된 유기 EL 소자를 효과적으로 밀봉할 수 있는 보호막의 형성 방법 및 보호막을 구비한 전자 기기를 제공한다.

Claims (10)

  1. 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품을 덮도록 하여, 적어도 2층 이상의 보호막을 형성시키는 보호막의 형성 방법으로서,
    상기 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품에 대응하는 개구부를 구비한 마스크를 상기 기판에 대하여 소정의 제1 거리를 이격하여 배치하고, 상기 마스크의 개구부를 통해 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 제1층의 보호막으로서 퇴적시키는 막 형성 공정과;
    상기 기판에 대한 상기 마스크를 상기 제1 거리보다도 큰 제2 거리를 이격하여 배치하고, 상기 마스크의 개구부를 통해 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 제2층의 보호막으로서 퇴적시키는 막 형성 공정을 순차 실행함으로써, 전자 부품을 덮는 제1층의 보호막과, 이 제1층의 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제2층의 보호막을 적어도 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 부품을 덮는 보호막의 형성 방법.
  2. 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품을 덮도록 하여, 적어도 2층 이상의 보호막을 형성시키는 보호막의 형성 방법으로서,
    상기 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품에 대응하는 개구부를 구비한 마스크가 상기 기판과 증발원 사이에 배치되고, 상기 기판에 대하여 소정의 제1 거리를 이격하여 배치된 상태의 마스크의 개구부를 통해 증발원으로부터의 막 형성 재료를상기 기판 및 전자 부품 위에 제1층의 보호막으로서 퇴적시키는 막 형성 공정과;
    상기 기판에 대한 상기 마스크의 위치를 상기 제1 거리보다도 큰 제2 거리를 이격하여 배치하고, 상기 마스크의 개구부를 통해 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 제2층의 보호막으로서 퇴적시키는 막 형성 공정을 상기 기판과 증발원과의 거리를 일정하게 유지하면서 순차 실행함으로써, 전자 부품을 덮는 제1층의 보호막과, 이 제1층의 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제2층의 보호막을 적어도 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 부품을 덮는 보호막의 형성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판에 대한 상기 마스크의 거리를 순차적으로 크게 설정하면서, 보호막을 더 순차 퇴적시킴으로써 앞서 퇴적시킨 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 3층 이상의 보호막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 전자 부품을 덮는 보호막의 형성 방법.
  4. 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품을 덮도록 하여, 적어도 2층 이상의 보호막을 형성시키는 보호막의 형성 방법으로서,
    상기 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품에 대응하는 개구부를 구비한 마스크가 상기 기판과 증발원 사이에 배치되고, 상기 기판에 대하여 소정의 제1 거리를 이격하여 배치된 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 마스크의 개구부를 통해 상기 기판 및 전자 부품 위에 제1층의 보호막으로서 퇴적시키는 막 형성 공정과;
    상기 기판에 대한 상기 증발원의 위치를 제1 거리보다도 작은 제2 거리를 이격하여 배치하고, 상기 마스크의 개구부를 통해 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 제2층의 보호막으로서 퇴적시키는 막 형성 공정을 상기 기판과 마스크와의 거리를 일정하게 유지하면 순차 실행함으로써, 전자 부품을 덮는 제1층의 보호막과, 이 제1층의 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제2층의 보호막을 적어도 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 부품을 덮는 보호막의 형성 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기판에 대한 상기 증발원의 거리를 순차적으로 작게 설정하면서, 보호막을 더 순차 퇴적시킴으로써 앞서 퇴적시킨 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 3층 이상의 보호막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 전자 부품을 덮는 보호막의 형성 방법.
  6. 제2항 또는 제4항에 있어서, 상기 막 형성 재료를 개별적으로 수용하는 셔터를 부착시킨 각 도가니를 동일 챔버 내에 배치하고, 상기 보호막을 기판 및 전자 부품 위에 순차 퇴적시키는 각 막 형성 공정에서, 상기 각 도가니에 부착시킨 셔터를 선택적으로 개방시킴으로써 다른 막 형성 재료에 의한 보호막을 순차 형성시키는 것을 특징으로 하는 전자 부품을 덮는 보호막의 형성 방법.
  7. 기판의 한 면 위에 전자 부품이 탑재되고, 이 전자 부품을 덮도록 하여 적어도 2층 이상의 보호막을 구비한 전자 기기로서,
    상기 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품에 대응하는 개구부를 구비한 마스크를 상기 기판에 대하여 소정의 제1 거리를 이격하여 배치하고, 상기 마스크의 개구부를 통해 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 퇴적시킴으로써 얻어지는 제1층의 보호막과;
    상기 기판에 대한 상기 마스크의 위치를 제1 거리보다도 큰 제2 거리를 이격하여 배치하며, 상기 마스크의 개구부를 통해 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 퇴적시킴으로써 얻어지는 제2층의 보호막을 적어도 구비하고,
    상기 제1층의 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제2층의 보호막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 보호막을 포함하는 전자 기기.
  8. 기판의 한 면 위에 전자 부품이 탑재되고, 이 전자 부품을 덮도록 하여 적어도 2층 이상의 보호막을 구비한 전자 기기로서,
    상기 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품에 대응하는 개구부를 구비한 마스크를 상기 기판과 증발원 사이에 배치하고, 상기 기판에 대하여 소정의 제1 거리를 이격하여 배치된 상태의 마스크의 개구부를 통해 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 퇴적시킴으로써 얻어지는 제1층의 보호막과;
    상기 기판에 대한 상기 마스크의 위치를 제1 거리보다도 큰 제2 거리를 이격하여 배치하며, 상기 마스크의 개구부를 통해 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 퇴적시킴으로써 얻어지는 제2층의 보호막을 적어도 구비하고, 상기 제1층의 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제2층의 보호막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 보호막을 포함하는 전자 기기.
  9. 기판의 한 면 위에 전자 부품이 탑재되고, 이 전자 부품을 덮도록 하여 적어도 2층 이상의 보호막을 구비한 전자 기기로서,
    상기 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품에 대응하는 개구부를 구비한 마스크를 상기 기판과 증발원 사이에 배치하고, 상기 기판에 대하여 소정의 제1 거리를 이격하여 배치된 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 마스크의 개구부를 통해 상기 기판 및 전자 부품 위에 퇴적시킴으로써 얻어지는 제1층의 보호막과;
    상기 기판에 대한 상기 증발원의 위치를 제1 거리보다도 작은 제2 거리를 이격하여 배치하며, 상기 마스크의 개구부를 통해 증발원으로부터의 막 형성 재료를 상기 기판 및 전자 부품 위에 퇴적시킴으로써 얻어지는 제2층의 보호막을 적어도 구비하고, 상기 제1층의 보호막 위에 이것을 보다 폭넓게 커버하는 제2층의 보호막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 보호막을 포함하는 전자 기기.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판이 광 투과성의 소재(素材)에 의해 형성되고, 상기 기판의 한 면 위에 탑재된 전자 부품이 기판면에 대하여 적층 형성된 적어도 제1 전극과, 유기 발광 재료층과, 제2 전극을 포함하는 유기 EL 소자인 것을 특징으로 하는 보호막을 포함하는 전자 기기.
KR1020030060233A 2002-08-30 2003-08-29 전자 부품을 덮는 보호막의 형성 방법 및 보호막을포함하는 전자 기기 KR20040020793A (ko)

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