KR20040019969A - 일렉트로루미네선스 장치 및 그 제조 방법, 전자 기기 - Google Patents

일렉트로루미네선스 장치 및 그 제조 방법, 전자 기기 Download PDF

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KR20040019969A
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Abstract

본 발명은 박형화를 실현할 수 있는 EL 장치 및 그 제조 방법, 전자 기기를 제공하는 것을 과제로 한다.
EL 장치(10)는 제 1 전극(30)과, 제 1 전극(30) 위에 설치된 EL층(40)과, EL층(40)을 덮도록 설치된 제 2 전극(50)과, 제 2 전극(50)에 직접 접촉하여 설치된 배리어층(52)을 갖는다. 제 2 전극(50)의 적어도 배리어층(52) 측의 면은 무기 산화물로 형성되어 이루어진다. 배리어층(52)의 적어도 제 2 전극(50) 측의 면은 무기 화합물로 형성되어 이루어진다.

Description

일렉트로루미네선스 장치 및 그 제조 방법, 전자 기기{ELECTROLUMINESCENCE DEVICE AND MANUFACTURING OF THE SAME, ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은 일렉트로루미네선스 장치 및 그 제조 방법, 전자 기기에 관한 것이다.
일렉트로루미네선스(이하, EL이라고 함) 소자는 수분이나 산소의 영향을 받기 쉽기 때문에, 유리 기판을 새겨 넣어 형성되는 밀봉용 기판에 의해 밀봉되어 있다. 유리 기판의 조각에는 습식(wet) 에칭법, 샌드 블래스팅(sand-blasting)법 또는 가공 성형법 등이 있으나, 가공 시간, 공정 수 또는 비용의 면에서 각각 일장일단이 있었다. 또한, 유리 기판으로 형성된 밀봉용 기판에서는 EL 장치의 박형화를실현하는 것이 어렵다.
본 발명의 목적은 박형화를 실현할 수 있는 EL 장치 및 그 제조 방법, 전자 기기를 제공함에 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 EL 장치를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 EL 장치의 단면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 EL 장치의 회로를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 EL 장치의 단면도.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 EL 장치의 단면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전자 기기를 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 전자 기기를 나타내는 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 EL 장치
12 기판
14 주사 드라이버
16, 18, 20 양극 배선
40 EL층
22 음극 배선
30 제 1 전극
32 절연층
34 스위칭 소자
40 EL층
42 발광층
44 정공 수송층
46 전자 수송층
48 뱅크층
50 제 2 전극
52 배리어층
54 보호층
(1) 본 발명에 따른 EL 장치는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 위에 설치된 EL층과, 상기 EL층을 덮도록 설치된 제 2 전극과, 상기 제 2 전극에 직접 접촉하여 설치된 배리어층을 갖고, 상기 제 2 전극의 적어도 상기 배리어층 측의 면은 무기 산화물로 형성되어 이루어지며, 상기 배리어층의 적어도 상기 제 2 전극 측의 면은 무기 화합물로 형성되어 이루어진다.
본 발명에 의하면, 제 2 전극의 무기 산화물로 형성된 면에 배리어층의 무기 화합물로 형성된 면이 직접 접촉하기 때문에, 배리어층의 가스 배리어 성능이 높아지고 있다. 또한, 제 2 전극 위에 배리어층을 직접 형성하기 때문에, EL 장치의 박형화를 실현할 수 있다.
(2) 이 EL 장치에 있어서, 상기 제 2 전극은 인듐 주석 산화물 또는 인듐 아연 산화물로 형성되어 있을 수도 있다.
(3) 이 EL 장치에 있어서, 상기 제 2 전극은 상기 EL층의 측방(側方) 및 상방(上方)을 덮도록 형성되어 있을 수도 있다.
(4) 이 EL 장치에 있어서, 상기 배리어층은 실리콘 화합물로 형성된 적어도 1층으로 이루어져 있을 수도 있다.
(5) 이 EL 장치에 있어서, 상기 배리어층은 상기 제 2 전극에 접촉하는 실리콘 산화물로 이루어지는 층을 가질 수도 있다.
(6) 이 EL 장치에 있어서, 상기 배리어층은 상기 제 2 전극에 접촉하는 실리콘 질화물로 이루어지는 층을 가질 수도 있다.
(7) 이 EL 장치에 있어서, 상기 배리어층은 상기 제 2 전극에 접촉하는 실리콘 질산화물로 이루어지는 층을 가질 수도 있다.
(8) 이 EL 장치에 있어서, 상기 제 2 전극의 주위에 형성된 실리콘 화합물로 이루어지는 절연층을 더 갖고, 상기 배리어층은 상기 절연층 위에 도달하도록 형성되어 있을 수도 있다.
(9) 이 EL 장치에 있어서, 상기 배리어층을 덮는 보호층을 더 가질 수도 있다.
(10) 이 EL 장치에 있어서, 상기 배리어층과 상기 보호층 사이에 배치된 접착층을 더 가질 수도 있다.
(11) 이 EL 장치에 있어서, 상기 접착층은 상기 보호층보다도 유연한 재료로 형성되어 있을 수도 있다.
(12) 본 발명에 따른 전자 기기는 상기 EL 장치를 갖는다.
(13) 본 발명에 따른 EL 장치의 제조 방법은 제 1 전극 위에 설치된 일렉트로루미네선스층을 덮도록, 제 2 전극을 무기 산화물로 이루어지는 표면을 갖도록 형성하는 것과, 배리어층을, 적어도 그 일부가 상기 제 2 전극에 직접 접촉하도록 무기 화합물에 의해 형성하는 것을 포함한다.
본 발명에 의하면, 제 2 전극의 무기 산화물로 이루어지는 표면에 직접 접촉하도록 무기 화합물에 의해 배리어층의 적어도 일부를 형성하기 때문에, 배리어층의 가스 배리어 성능을 높게 할 수 있다. 또한, 제 2 전극 위에 배리어층을 직접 형성하기 때문에, EL 장치의 박형화를 실현할 수 있다.
(14) 이 EL 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 제 2 전극을 기상(氣相) 성막법에 의해 형성할 수도 있다.
(15) 이 EL 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 배리어층을 기상 성막법에 의해 형성할 수도 있다.
(16) 이 EL 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 제 2 전극을 인듐 주석 산화물 또는 인듐 아연 산화물로 형성할 수도 있다.
(17) 이 EL 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 배리어층을 실리콘 화합물로 형성할 수도 있다.
(18) 이 EL 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 배리어층을 상기 제 2 전극에 접촉하는 실리콘 산화물로 이루어지는 층을 갖도록 형성할 수도 있다.
(19) 이 EL 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 배리어층을 상기 제 2 전극에 접촉하는 실리콘 질화물로 이루어지는 층을 갖도록 형성할 수도 있다.
(20) 이 EL 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 배리어층을 상기 제 2 전극에 접촉하는 실리콘 질산화물로 이루어지는 층을 갖도록 형성할 수도 있다.
(21) 이 EL 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 제 2 전극의 주위에 형성된 실리콘 화합물로 이루어지는 절연층 위에 도달하도록 상기 배리어층을 형성할 수도있다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
(제 1 실시예)
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 EL 장치를 나타내는 도면이다. EL 장치(10)는 기판(12)을 갖는다. 기판(12)은 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 실리콘 기판 중 어느 것이어도 좋다. EL 장치(10)가 기판(12)과는 반대측으로부터 광을 취출(取出)하는 톱 이미션(top-emission)형이면, 기판(12)에 광투과성은 불필요하나, 기판(12)으로부터 광을 취출하는 보텀 이미션(bottom-emission)형이면, 기판(12)은 광투과성을 필요로 한다.
EL 장치(10)는 한쌍의 주사 드라이버(14)를 갖는다. 주사 드라이버(14)는 칩 부품일 수도 있고, 기판(12) 위에 형성된 박막 회로(예를 들어, TFT를 포함하는 회로)일 수도 있다.
EL 장치(10)는 복수의 양극(陽極) 배선(16, 18, 20)을 갖는다. 양극 배선(16, 18, 20)은 각각 EL층(40)(도 2참조)에 전류를 흐르게 하기 위한 배선이다. 양극 배선(16, 18, 20)은 각각 다른 폭으로 형성되어 있고, EL층(40)의 색(R, G, B)에 따른 발광 효율의 차이에 대응하여, 다른 값의 전류를 흐르게 하는데 적합하다. EL 장치(10)는 음극(陰極) 배선(22)을 갖는다. 음극 배선(22)은 양극 배선(16, 18, 20)의 외측에 배치되어 있다. 또한, 음극 배선(22)은 배선 기판과의 부착 측을 제외하도록 コ자 형상(또는 C자 형상)으로 형성되어 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 EL 장치의 단면도이다. EL 장치(10)는 복수의 제 1 전극(30)을 갖는다. 각각의 제 1 전극(30)은 양극 배선(16, 18, 20) 중 어느 하나에 전기적으로 접속되어 있다. 기판(12)이 절연체가 아닐 경우, 제 1 전극(30)과 기판(12) 사이에는 절연층(32)이 형성되어 있을 수도 있다.
기판(12)이 실리콘으로 이루어진 경우, 절연층(32)은 실리콘 화합물(예를 들어, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 질산화물)로 형성할 수도 있다. 절연층(32)은 복수층으로 형성할 수도 있다. 제 1 전극(30)의 측방(側方)에 절연층(32)의 일부를 형성할 수도 있다. 제 1 전극(30)과 절연층(32)을 일면(一面)으로 되도록 형성할 수도 있다.
EL 장치(10)는 제 1 전극(30)으로의 전류를 제어하는 스위칭 소자(34)를 갖는다. 스위칭 소자(34)는 절연층(32)에 의해 덮여 있을 수도 있다.
각각의 제 1 전극(30) 위에는 EL층(40)이 형성되어 있다. EL층(40)은 발광층(42)을 갖는다. 발광층(42)은 고분자 또는 저분자의 유기 재료로 형성되어 있다. 발광층(42)은 캐리어의 주입에 의해 발광한다. EL층(40)은 정공 수송층(44) 및 전자 수송층(46)에 의해 사이에 끼워져 있을 수도 있다. 서로 인접하는 EL층(40) 사이에는 뱅크층(48)이 형성되어 있다. 뱅크층(48)은 전기적으로 절연체로 형성되어 있어, 서로 인접하는 EL층(40) 사이의 전기적 도통을 차단한다. 뱅크층(48)은 실리콘 화합물(예를 들어, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 질산화물)로 형성할 수도 있다.
EL 장치(10)는 제 2 전극(50)을 갖는다. 제 2 전극(50)은 EL층(40)(예를 들어, 그 측방 및 상방)을 덮도록 형성되어 있다. 제 2 전극(50)은 모든 EL층(40)을덮고 있을 수도 있다. 제 2 전극(50)은 뱅크층(48)을 덮고 있을 수도 있다. 제 2 전극(50)은 모든 제 1 전극(30)을 덮도록 형성되어 있을 수도 있다. 제 2 전극(50)은 투명일 수도 있다. 제 2 전극(50)의 적어도 표면(배리어층(52) 측의 면)은 무기 산화물로 형성되어 있다. 제 2 전극(50)은 인듐 주석 산화물 또는 인듐 아연 산화물로 형성할 수도 있다. 제 2 전극(50)은 음극 배선(22)과 전기적으로 접속되어 있다. 제 2 전극(50)(예를 들어, 그 하단부)의 주위에는 절연층(32)의 일부가 있을 수도 있다.
EL 장치(10)는 복수층 또는 1층으로 이루어지는 배리어층(52)을 갖는다. 배리어층(52)은 투명(예를 들어, 80% 이상의 광투과율)이다. 배리어층(52)은 제 2 전극(50)에 직접 접촉하도록 형성되어 있다. 배리어층(52)의 적어도 제 2 전극(50) 측의 면은 무기 화합물(예를 들어, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 질산화물 등의 실리콘 화합물)로 형성되어 있다. 배리어층(52)은 실리콘 화합물로 형성된 적어도 1층으로 구성되어 있을 수도 있다. 배리어층(52)은 제 2 전극(50)에 접촉하는 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 이루어지는 층을 갖고 있을 수도 있다. 배리어층(52)은 절연층(32) 위에 도달하도록 형성되어 있다. 배리어층(52)은 10㎚∼300㎚, 예를 들어, 10O㎚ 정도의 두께로 형성되어 있다.
본 실시예에 의하면, 제 2 전극(50)의 무기 산화물로 형성된 면에 배리어층(52)의 무기 화합물로 형성된 면이 직접 접촉하기 때문에, 배리어층(52)의 가스 배리어 성능이 높아지고 있다. 배리어층(52)에서의 실리콘 화합물로 이루어지는 절연층(32) 위의 부분(예를 들어, 하단부)도 마찬가지로 가스 배리어 성능이높아지고 있다.
또한, 제 2 전극(50) 위에 배리어층(52)을 직접 형성하기 때문에, EL 장치(10)의 박형화를 실현할 수 있다.
배리어층(52) 위에는 보호층(54)이 형성되어 있을 수도 있다. 보호층(54)은 투명(예를 들어, 80% 이상의 광투과율)이다. 보호층(54)은 내구성 또는 반사 방지 기능을 갖고 있으며, 가스 배리어성을 갖고 있을 수도 있다. 보호층(54)은 유리, 플라스틱 필름, 탄소 원자를 갖는 고분자층, 다이아몬드 라이크 카본 또는 불소 폴리머 등으로 형성할 수 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, EL 장치(10)에는 배선 기판(60)이 부착되어 있고, EL 모듈이 구성되어 있다. 배선 기판(60)은 기판(62)을 갖는다. 기판(62)은 플렉시블(flexible) 기판일 수도 있다. 기판(62)에는 배선 패턴(도시 생략)이 형성되어 있다. EL 장치(10)와 배선 기판(60)의 전기적 접속에는 이방성 도전 재료(이방성 도전막, 이방성 도전 페이스트 등)를 사용할 수도 있다.
배선 기판(60)에는 집적 회로 칩(64)이 탑재되어 있다. 집적 회로 칩(64)에는 EL 장치(10)로의 신호를 생성하는 기능을 포함하는 신호 드라이버가 형성되어 있을 수도 있다. 집적 회로 칩(64)은 페이스다운(face-down) 본딩되어 있을 수도 있고, TAB(Tape Automated Bonding)에 의한 전기적 접속이 도모되어 있을 수도 있다.
본 실시예에 따른 EL 장치는 상술한 바와 같이 구성되어 있으며, 이하, 그 제조 방법에 대해서 설명한다. EL 장치의 제조 방법에서는 제 1 전극(30) 위에 설치된 EL층(40)을 덮도록, 제 2 전극(50)을 무기 산화물로 이루어지는 표면을 갖도록 형성한다. 그리고, 배리어층(52)을 적어도 그 일부가 제 2 전극(50)에 직접 접촉하도록 무기 화합물에 의해 형성한다.
제 2 전극(50)은 기상 성막법(스퍼터링 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 등)에 의해 형성할 수도 있다. 배리어층(52)은 기상 성막법(스퍼터링 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 등)에 의해 형성할 수도 있다.
기상 성막법은 감압(減壓) 하에서 행하는 것일 수도 있다. 그 이외의 내용은 상술한 EL 장치의 설명으로부터 도출할 수 있으므로, 설명을 생략한다.
본 실시예에 의하면, 제 2 전극(50)의 무기 산화물로 이루어지는 표면에 직접 접촉하도록 무기 화합물에 의해 배리어층(52)의 적어도 일부를 형성하기 때문에, 배리어층(52)의 가스 배리어 성능을 높게 할 수 있다. 또한, 제 2 전극(50) 위에 배리어층(52)을 직접 형성하기 때문에, EL 장치(10)의 박형화를 실현할 수 있다.
도 3은 본 실시예에 따른 EL 장치를 갖는 EL 모듈의 회로를 설명하는 도면이다. EL 장치(10)는 복수의 주사선(70)과, 주사선(70)에 대하여 교차하는 방향으로 연장되는 복수의 신호선(72)과, 신호선(72)에 따라 연장되는 복수의 전원선(74)을 갖는다. 주사선(70)은 주사 드라이버(14)(예를 들어, 시프트 레지스터 및 레벨 시프터를 구비함)에 전기적으로 접속되어 있다. 신호선(72)은 집적 회로 칩(64)의 신호 드라이버(76)에 전기적으로 접속되어 있다. 전원선(74)은 양극 배선(16, 18, 20) 중 어느 하나에 전기적으로 접속되어 있다. 주사선(70) 및 신호선(72)의 각교점에 대응하여, 화소로 되는 EL층(40)이 설치되어 있다.
주사선(70)에는, 각 화소에 대응하여, 스위칭 소자(34)가 전기적으로 접속되어 있다. 스위칭 소자(34)가 박막트랜지스터(MOSFET)이면, 그 게이트 전극에 주사선(70)이 전기적으로 접속된다. 또한, 신호선(72)에는, 각 화소에 대응하여, 커패시터(80)가 전기적으로 접속되어 있다. 상세하게는, 커패시터(80)는 신호선(72)과 전원선(74) 사이에 전기적으로 접속되어 있어, 신호선(72)으로부터의 화상 신호에 따른 전하를 유지할 수 있게 되어 있다. 커패시터(80)와 신호선(72) 사이에 스위칭 소자(34)가 전기적으로 접속되어 있다.
주사선(70)으로부터의 주사 신호에 의해 스위칭 소자(34)가 제어되고, 스위칭 소자(34)는 커패시터(80)로의 전하 축적을 제어한다.
커패시터(80)에 유지된 전하량 또는 그 유무(有無)에 의해 구동 소자(82)가 제어된다. 구동 소자(82)가 박막트랜지스터(MOSFET)이면, 그 게이트 전극과 커패시터(80)의 신호선(72) 측의 전극이 전기적으로 접속된다. 구동 소자(82)는 전원선(74)과 EL층(40) 사이에 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 구동 소자(82)는 전원선(74)으로부터 EL층(40)으로의 전류 공급을 제어한다.
이러한 구성에 의거하여, 주사선(70)의 주사 신호에 의해 스위칭 소자(34)가 온(on)으로 되면, 그 때의 신호선(72)과 전원선(74)의 전위차에 의해 커패시터(80)에 전하가 유지되고, 그 전하에 따라 구동 소자(82)의 제어 상태가 결정된다. 그리고, 구동 소자(82)의 채널을 통하여 전원선(74)으로부터 제 1 전극(30)에 전류가 흐르고, EL층(40)을 통하여 제 2 전극(50)에 전류가 흐른다. EL층(40)은 이것을흐르는 전류량에 따라 발광하게 된다.
(제 2 실시예)
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 EL 장치를 나타내는 도면이다. 본 실시예에서는, 제 2 전극(100)이 EL층(40)의 상방을 덮는 상면부와, 상면부로부터 하강하는 측면부와, 측면부로부터 외측 방향으로 연장되는 플랜지부(102)를 갖는다. 또한, 배리어층(110)은 제 2 전극(100)의 상면부에 접촉하는 상면 배리어부와, 제 2 전극(100)의 측면부에 접촉하는 측면 배리어부와, 제 2 전극(100)의 플랜지부(102)에 접촉하는 플랜지 배리어부(112)를 갖는다. 본 실시예에 의하면, 배리어층(110)이 플랜지 배리어부(112)를 갖고 있어, EL층(40)으로부터 떨어진 위치까지 밀봉할 수 있기 때문에, 가스 배리어성이 더 높아진다. 그 이외의 구성, 제조 방법 및 작용 효과는 제 1 실시예에서 설명한 내용이 해당된다.
(제 3 실시예)
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 EL 장치를 나타내는 도면이다. 본 실시예에서는, 접착층(120)이 배리어층(52) 위에 설치되고, 접착층(120) 위에 보호층(122)이 설치되어 있다. 보호층(122)은 제 1 실시예에서 설명한 보호층(54)의 내용이 해당된다. 접착층(120)은 우레탄, 아크릴, 에폭시 수지, 폴리올레핀 등으로 형성할 수도 있다. 접착층(120)은 투명이다. 접착층(120)이 보호층(122)보다도 유연한 재료(예를 들어, 유리 전이점이 낮은 재료)로 형성되어 있으면, 외부로부터의 충격을 접착층(120)이 흡수한다. 그 이외의 구성, 제조 방법 및 작용 효과는 제 1 실시예에서 설명한 내용이 해당된다.
본 발명의 실시예에 따른 EL 장치를 갖는 전자 기기로서, 도 6에는 노트북 컴퓨터(1000)가 도시되고, 도 7에는 휴대 전화(2000)가 도시된다.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않고, 다양한 변형이 가능하다. 예를 들면, 본 발명은 실시예에서 설명한 구성과 실질적으로 동일한 구성(예를 들어, 기능, 방법 및 결과가 동일한 구성, 또는 목적 및 결과가 동일한 구성)을 포함한다. 또한, 본 발명은 실시예에서 설명한 구성의 본질적이지 않은 부분을 치환한 구성을 포함한다. 또한, 본 발명은 실시예에서 설명한 구성과 동일한 작용 효과를 나타내는 구성 또는 동일한 목적을 달성할 수 있는 구성을 포함한다. 또한, 본 발명은 실시예에서 설명한 구성에 공지 기술을 부가한 구성을 포함한다.
본원의 발명자들은 본 발명의 효과를 확인하기 위한 실험을 행하였다. 실험에서는 무기 화합물로 형성되어 이루어지는 배리어층, 무기 산화물층, 금속층 및 수지층을 사용했다.
배리어층의 성막에는 전자 사이클론 공명(共鳴) 플라즈마 스퍼터링을 적용하며, 타깃(target) 원료로서 Si을 선택하고, 진공도를 0.2㎩로 하고, 도입 가스를 Ar, O2로 하고, 막 두께를 7O㎚로 했다.
무기 산화물층의 형성에는 마그네트론 DC 스퍼터링을 적용하며, 타깃 원료로서 InSnO을 선택하고, 진공도를 0.4㎩로 하고, 도입 가스를 Ar, O2로 하고, 막 두께를 1OO㎚로 했다.
금속층의 형성에는 저항 가열 증착을 적용하며, 원료로서 고순도 Al을 선택하고, 진공도를 1.O×1O-5㎩로 하고, 막 두께를 1OO㎚로 했다.
수지층의 형성에는 폴리에틸렌테레프탈레이트를 사용하고, 두께를 188㎛로 했다.
그리고, JIS-Z0208에 준거하여 수증기 투과율(g/㎡·24hours:60℃ 90% RH)을 측정했다. 그 결과는 다음과 같다.
수지층·무기 산화물층·배리어층의 적층체의 수증기 투과율은 0.04이고, 배리어층의 수증기 투과율을 산출하면 0.04이었다.
수지층·배리어층의 적층체의 수증기 투과율은 1.76이고, 배리어층의 수증기 투과율을 산출하면 2.18이었다.
수지층·금속층·배리어층의 적층체의 수증기 투과율은 0.41이고, 배리어층의 수증기 투과율을 산출하면 0.81이었다.
수지층만의 수증기 투과율은 9.19이었다.
실험 결과로부터, 무기 산화물층 위에 무기 화합물의 배리어층을 형성한 경우에, 가장 낮은 수증기 투과율(가장 높은 가스 배리어 성능)로 됨을 알 수 있었다. 이 결과는, 본 발명의 효과를 실증하는 것이다.
본 발명에 따르면, 박형화를 실현할 수 있는 EL 장치 및 그 제조 방법, 전자 기기를 제공할 수 있다.

Claims (21)

  1. 제 1 전극과,
    상기 제 1 전극 위에 설치된 일렉트로루미네선스층과,
    상기 일렉트로루미네선스층을 덮도록 설치된 제 2 전극과,
    상기 제 2 전극에 직접 접촉하여 설치된 배리어층을 갖고,
    상기 제 2 전극의 적어도 상기 배리어층 측의 면은 무기 산화물로 형성되어 이루어지며,
    상기 배리어층의 적어도 상기 제 2 전극 측의 면은 무기 화합물로 형성되어 이루어지는 일렉트로루미네선스 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 인듐 주석 산화물 또는 인듐 아연 산화물로 형성되어 이루어지는 일렉트로루미네선스 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 상기 일렉트로루미네선스층의 측방(側方) 및 상방(上方)을 덮도록 형성되어 이루어지는 일렉트로루미네선스 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 배리어층은 실리콘 화합물로 형성된 적어도 1층으로 이루어지는 일렉트로루미네선스 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 배리어층은 상기 제 2 전극에 접촉하는 실리콘 산화물로 이루어지는 층을 갖는 일렉트로루미네선스 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 배리어층은 상기 제 2 전극에 접촉하는 실리콘 질화물로 이루어지는 층을 갖는 일렉트로루미네선스 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 배리어층은 상기 제 2 전극에 접촉하는 실리콘 질산화물로 이루어지는 층을 갖는 일렉트로루미네선스 장치.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 전극의 주위에 형성된 실리콘 화합물로 이루어지는 절연층을 더 갖고,
    상기 배리어층은 상기 절연층 위에 도달하도록 형성되어 이루어지는 일렉트로루미네선스 장치.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 배리어층을 덮는 보호층을 더 갖는 일렉트로루미네선스 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 배리어층과 상기 보호층 사이에 배치된 접착층을 더 갖는 일렉트로루미네선스 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 접착층은 상기 보호층보다도 유연한 재료로 형성되어 이루어지는 일렉트로루미네선스 장치.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 일렉트로루미네선스 장치를 갖는 전자 기기.
  13. 제 1 전극 위에 설치된 일렉트로루미네선스층을 덮도록, 제 2 전극을 무기 산화물로 이루어지는 표면을 갖도록 형성하는 것과,
    배리어층을, 적어도 그 일부가 상기 제 2 전극에 직접 접촉하도록 무기 화합물에 의해 형성하는 것을 포함하는 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 전극을 기상(氣相) 성막법에 의해 형성하는 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 배리어층을 기상 성막법에 의해 형성하는 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법.
  16. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 제 2 전극을 인듐 주석 산화물 또는 인듐 아연 산화물로 형성하는 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법.
  17. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 배리어층을 실리콘 화합물로 형성하는 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 배리어층을 상기 제 2 전극에 접촉하는 실리콘 산화물로 이루어지는 층을 갖도록 형성하는 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 배리어층을 상기 제 2 전극에 접촉하는 실리콘 질화물로 이루어지는 층을 갖도록 형성하는 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 배리어층을 상기 제 2 전극에 접촉하는 실리콘 질산화물로 이루어지는 층을 갖도록 형성하는 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법.
  21. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 제 2 전극의 주위에 형성된 실리콘 화합물로 이루어지는 절연층 위에 도달하도록 상기 배리어층을 형성하는 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법.
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