KR20040019936A - 금속의 기계적 폴리싱 (ｃｍｐ)을 위한 슬러리 및 이의 용도 - Google Patents

금속의 기계적 폴리싱 (ｃｍｐ)을 위한 슬러리 및 이의 용도 Download PDF

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Abstract

본 발명은 산화제, 선택적으로 구리 부식 억제제, 연마제 입자, 계면활성제, 클로라이드 이온 공급원 및 설페이트 이온 공급원을 포함하는 슬러리 조성물에 관한 것이다.

Description

금속의 기계적 폴리싱 (ＣＭＰ)을 위한 슬러리 및 이의 용도{SLURRY FOR MECHANICAL POLISHING (CMP) OF METALS AND USE THEREOF}
본 발명은, 본원에 참고로 인용되고 있는, "CMP 슬러리에서 폴리싱 속도를 강화시키기 위한 첨가제(ADDITIVES TO ENHANCE POLISH RATES IN CMP SLURRIES)"라는 제목으로 2001년 8월 31일자로 출원된 본 출원인의 공계류중인 미국 특허 출원 제 60/316,332 호의 일부계속출원이다.
본 발명은 표면을 폴리싱 또는 평탄화하는데 특히 유용한 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명은, 구리 다마스크(damascene) 및 이중 다마스크 특징부를함유하는 반도체 웨이퍼와 같은 집적회로 디바이스에서 상호접속 배선으로서 사용하는 구리를 폴리싱 또는 평탄화하는데 특히 유용하다. 본 발명은 또한 본 발명의 조성물을 사용하는 폴리싱 방법에 관한 것이다.
초소형전자공업분야에서, 집적회로의 제조 도중, 전형적으로 스크래치가 없는 표면이, 관련 구조물을 평탄화시키고/시키거나 불필요한 물질을 제거하려는 목적으로 폴리싱된다. 관련 폴리싱으로는 화학-기계적 폴리싱(CMP)이 있다. 예를 들면, 알루미늄, 구리 및 텅스텐과 같은 금속이 평탄화된다. 더욱이, 전형적으로 알루미늄, 구리 또는 텅스텐 아래에 내화성 금속 라이너가 존재하여 하위 절연체에 대한 우수한 접착력 및 낮은 수준의 모럴라이제이션(moralization)에 대한 우수한 접촉 저항성이 제공된다. 상기 라이너는 니오븀, 탄탈륨 및 티탄 단독 또는 이들의 질화물, 또는 임의의 다른 내화성 금속과의 조합물일 수 있다. 최근에는 특히 초대규모집적회로(VLSI) 및 극초고밀도집적회로(ULSI) 반도체 칩을 위한 칩 상호접속/배선 물질로서 구리 및 구리 합금이 개발되어 있다.
구리 및 구리 합금을 사용하게 되면, 알루미늄 및 이의 합금과 비교할 경우, 개선된 디바이스 성능을 나타낸다.
반도체 디바이스의 제조시, 구리 또는 이의 합금과 같은 배선 구조물의 금속성 상호접속 물질은, 전형적으로 이의 표면내에 에칭된 특징부를 트렌칭한(trench) 유전체 층 상에 블랭킷(blanket) 전착된 필름으로서 출발한다. 전착된 구리 필름은 예비-에칭된 갭을 충전하거나 또는 유전체 내에서 트렌칭하며, 제거되어야 하는 웨이퍼의 표면 상에 과잉 금속을 남긴다. 과잉 금속이 일단 제거되면,음각가공(inlaid) 금속 배선 구조물이 웨이퍼의 표면 상에 남는다. 이 공정은 다마스크 공정으로서 지칭된다. 일반적으로, 화학-기계적 폴리싱(CMP)은 제어된 하향 압력하에서 통상의 폴리싱 슬러리로 포화된 폴리싱 패드를 사용하는 웨이퍼의 원형/오비탈 운동을 포함한다. 이 방식에서, 과잉 금속의 제거 및 웨이퍼 표면의 재평탄화가 달성된다. 더욱 최근에는, CMP 가공을 위해서 적합한 연마제 입자로 함침된 폴리싱 패드가 사용되고 있다. 화학-기계적 폴리싱에 관해서는, 본원에 참고로 인용되고 있는 미국 특허 제 4,671,851 호, 미국 특허 제 4,910,155 호 및 미국 특허 제 4,944,836 호에 보다 상세하게 기술되어 있다.
금속의 CMP에 사용되는 폴리싱 슬러리는 전형적으로 산화금속 연마제(예: 알루미나 또는 실리카), 유기산, 계면활성제, 킬레이트화제 및 적합한 산화제로 구성된 수성 현탁액이다. 연마제는 기계적 작용으로 물질의 제거를 촉진시키는 역할을 한다. 산화제는 부식-보조 공정을 통한 기계적 제거를 강화시키도록 작용한다. 시판되거나 보유하고 있는 슬러리 내에 사용되는 상기 산화제는 전형적으로 상당한 농도로 존재하는 무기 금속 염(예: FeNO3또는 KIO3) 뿐만 아니라 과산화수소이다. 착제 또는 킬레이트화제는 패드 변색 및 증가된 산화제 반응성을 유발할 수 있는, 공정 슬러리중의 자유 구리 이온의 축적(buildup)을 방지하도록 존재한다. 이들 첨가제는 일반적으로 CMP 슬러리의 폴리싱 성능을 개선시킨다.
Cu에 대한 현재의 CMP 슬러리에서의 고려사항중 하나는 이들이 전형적으로 200 내지 500Å/분의 폴리싱 속도를 제공한다는 것이다. 예를 들면, 미국 특허 제5,954,997 호, 미국 특허 제 6,117,775 호 및 미국 특허 제 6,126,853 호를 참고한다. 다운포스와 같은 기계적 파라미터를 예컨대 약 6psi까지 증가시키면 1500 내지 1700Å/분의 폴리싱 속도가 제공될 수 있다. 그러나, 이들 속도에서조차도, BEOL(Back End Of the Line) 적용에서 1 내지 2μ의 Cu를 제거하는데 비교적 긴 폴리싱 시간이 요구된다. 패턴화 웨이퍼 상에 폴리싱을 실시하는 경우에는 증가된 다운포스를 사용하는 것이 바람직하지 않은데, 이는 Cu의 디싱(dishing)이 증가되는 것을 초래하기 때문이다.
따라서, 디싱 및 부식 문제점을 해결하는 Cu의 폴리싱 방법을 제공하는 것이 바람직하다. 더욱이, 또한 폴리싱 방법은 비교적 연성이어서 스크래칭되기 쉬운 구리 표면이 스크래칭되지 않아야 한다. 또한, 폴리싱 슬러리는 Cu와 접촉하고 있는 임의의 라이너 물질과 대비하여 Cu에 매우 선택적으로 향하게 제공되어야 한다.
또한, 배경기술에서 기술한 선택적 폴리싱 및 CMP에 대한 설명은 본원에 참고로 인용되고 있는, "티탄, 질화티탄, 질화탄탈륨을 위한 선택적 폴리싱 방법(Selective Polish Process for Titanium, Titnium Nitride, Tantalum Nitride)"이라는 제목으로 란더스(Landers) 등의 미국 특허 제 5,676,587 호에서 찾을 수 있다.
본 발명은, 6psi 이상의 비교적 높은 다운포스를 필요로 하지 않으면서, 약 Å/분 이상과 같이 상당히 증가된 폴리싱 속도를 갖는 슬러리 조성물을 제공한다.따라서, 본 발명은 폴리싱 시간을 상당히 단축시킨다. 본 발명은 낮은 다운포스를 사용하여 CMP 도중 Cu 홈 및 산화 부식을 최소화하면서 작동할 수 있는 슬러리를 제공한다.
더욱이, 본 발명은, 조성물의 성분의 적절한 선택에 의해, Ta, TaN, Ti, TiN, W, 이들의 조합물 및 다른 라이너 물질 중 하나와 대비하여 Cu에 매우 선택적으로 향하게 제공하는 슬러리를 제공한다. 특히, 본 발명은 연마제 입자, 산화제, 클로라이드 이온 공급원 및 설페이트 이온 공급원을 포함하는 슬러리 조성물에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 폴리싱할 표면 상에 전술된 슬러리를 제공하는 단계, 및 상기 표면을 폴리싱 패드와 접촉시켜 폴리싱하는 단계를 포함하는 표면 폴리싱 방법에 관한 것이다.
본 발명의 또다른 목적 및 이점은 하기 상세한 설명으로부터 당해 분야의 숙련자에게 있어 쉽게 자명해질 것이며, 이는 발명의 바람직한 실시양태에서 본 발명을 실시하는데 고려되는 가장 바람직한 방식을 단순히 예시함으로써 제시 및 설명되고 있다. 실현되어지는 바와 같이, 본 발명은 다른 상이한 실시양태가 가능하며, 그에 관한 몇몇 상세한 설명은 발명의 범주에서 벗어나지 않고서 다양하고 분명한 관점에서 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명에 관한 설명은 본 발명의 속성상 예시적인 것으로서 간주되어야지 이에 대해 제한적인 것으로 간주되어서는 안된다.
도 1은 다양한 조성물에 대한 다운포스(downforce)의 함수로서 구리 폴리싱 속도의 편차를 도시하고 있다.
도 2 및 도 3은 상이한 조성물에 대한 농도의 함수로서 구리 폴리싱 속도의 편차를 도시하고 있다.
본 발명의 슬러리 조성물은 산화제를 포함한다. 적합한 산화제로는 산화용 금속 염, 산화용 금속 착체, 산화용 산(예: 질산, 과황산, 과아세트산 및 과요오드산), 철 염(예: 니트레이트, 설페이트, EDTA 및 시트레이트); 칼륨 페리시아나이드, 과산화수소, 알루미늄 염, 나트륨 염, 칼륨 염(예: 요오드화칼륨), 암모늄 염(예: 암모늄 세륨 니트레이트), 4차 암모늄 염, 포스포늄 염, 클로레이트, 퍼클로레이트(예: 칼륨 퍼클로레이트), 니트레이트, 퍼망가네이트(예; 칼륨 퍼망가네이트), 퍼설페이트 및 이들의 혼합물이 포함된다.
바람직한 산화제는 철(II) 니트레이트 및 과산화수소이다. 산화제(들)는 전형적으로 조성물 중에 약 1 내지 약 50g/ℓ, 바람직하게는 약 10 내지 약 40g/ℓ의 양으로 존재한다.
본 발명의 조성물은 구리를 폴리싱하는데 사용하는 경우 구리 부식 억제제를 추가로 포함한다. 또한, 상기 조성물이 Al 또는 W를 폴리싱하는데 사용되는 경우, 이들은 구리 부식 억제제를 포함할 수 있거나, 또는 바람직하게는 이를 포함한다. 전형적인 구리 부식 억제제는 이미다졸, 트리아졸(예: 1,2,4-트리아졸) 및 벤조트리아졸을 포함한다. 구리 부식 억제제의 양은 존재하는 경우 전형적으로 약 0.1 내지 약 5g/ℓ이며, 이의 전형적인 예는 약 2.5g/ℓ이다.
본 발명의 조성물은 또한 연마제 입자를 포함한다. 사용되는 연마제 입자는 폴리싱 슬러리 내에 통상적으로 사용되는 것들을 포함한다. 적합한 연마제 입자의 예로는 알루미나, 실리카, 산화철(II), 지르코니아, 세리아, 이산화티탄 및 이들의혼합물이 포함된다. 바람직한 연마제는 알루미나이다. 또한, 연마제 입자는 2가의 희토류 이온 또는 이의 콜로이드성 수산화물의 현탁액을 포함할 수 있으며, 여기서 상기 희토류 이온은 더욱 높은 원자가 형태를 취하고 있다. 몇몇 적합한 희토류 이온의 예로는 Ce4+, Pr4+및 Tb4+, 또는 이들의 콜로이드성 산화물의 현탁액, 예컨대 산화세륨의 현탁액이 있다. 2가의 희토류 또는 희토류 산화물 콜로이드는 산화 촉매로서 작용한다.
본원에 참고로 인용되고 있는 공계류중인 미국 특허 출원 제 08/756,361 호에 개시된 바와 같은 2가의 희토류 첨가제가 폴리싱 슬러리의 일부를 구성할 수 있다.
연마제 입자는 전형적으로 약 10 내지 약 1000㎚, 바람직하게는 약 50 내지 약 200㎚의 입자 크기를 갖는다. 연마제 입자의 양은 전형적으로 약 0.5 내지 약 6중량%, 바람직하게는 약 2 내지 약 4중량%이다.
필요한 경우 연마제의 혼합물이 사용될 수 있다. 이러한 혼합물의 예는 알루미나(약 0.1 내지 약 6중량%), 실리카(약 0.1 내지 약 5중량%) 및 지르코니아(약 0.1 내지 약 6중량%)를 포함한다. 연마제의 더욱 전형적인 혼합물은 알루미나(약 1 내지 약 5중량%) 및 실리카(약 1 내지 약 20중량%)를 포함한다.
또한, 본 발명의 슬러리는 수성 슬러리를 포함하는 것이 바람직하다. 다른 유형의 적합한 슬러리는 희석 유기 용매(예: 프로필렌 카보네이트) 및 일가 및 다가 알콜(예: 메탄올, 에탄올, 에틸렌 글리콜 및 글리세롤)을 사용하는 것을 포함한다. 물론, 이들 희석제의 혼합물 및 물과의 혼합물이 또한 필요한 경우 사용될 수 있다.
본 발명의 조성물은 또한 계면활성제를 함유한다. 적합한 계면활성제로는 음이온성, 양이온성, 비이온성 및 쯔비터이온성 화합물이 포함된다. 본 발명에 사용하기 위한 몇몇 계면활성제의 예는 예컨대 커크-오트머(Kirk-Othmer)의 문헌 "Encyclopedia of Chemical Terminology, 3rd Edition, Vol. 22(John Wiley & Sons, 1983)", 시즐렛(Sislet) 및 우드(Wood)의 문헌 "Encyclopedia of Surface Active Agents(Chemical Publishing Co., Inc. 1964)", 맥커천(McCutcheon)의 문헌 "Emulsifiers & Detergents, North American and International Edition(McCutcheon Division, The MC Publishing Co., 1991)", 애쉬(Ash)의 문헌 "The Condensed Encyclopedia of Surfactants(Chemical Publishing Co., Inc. 1989)", 애쉬의 문헌 "What Every Chemical Technologist Wants to Know About... Emulsifiers and Wetting Agents,Vol. 1(Chemical Publishing Co., Inc. 1988)", 타드로스(Tadros)의 문헌 "Surfactants(Academic Press, 1984), 네이퍼(Napper)의 문헌 "Polymeric Stabilization of Colloidal Dispersion(Academic Press, 1983)" 및 로젠(Rosen)의 문헌 "Surfactants & Interfacial Phenomena, 2 nd Edition(John Wiley & Sons, 1989)"에 개시되어 있으며, 이들 문헌은 본원에 참고로 인용되고 있다. 적합한 계면활성제의 전형적인 예로는 Na-알킬 설페이트, Na-알킬 설포네이트, 4차, 예컨대 테트라메틸 암모늄 할라이드, 세틸 트리메틸 암모늄 할라이드, 수산화물, 노닐 에테르 및 이들의 조합물이 있다. 바람직한 계면활성제는 설페이트, 예컨대 Na-헥실, -헵틸, -옥틸, -노닐 및 -라우릴 설페이트이며, 가장 바람직하게는 Na-옥틸 설페이트이다. Na-옥틸 설페이트는 두파놀(Dupanol) 80(위트코(Witco)), 스탄다폴(Standapol) LF(헨켈(Henkel)/코그니스(Cognis)), 텍사폰(Texapon) 842(헨켈), 텍사폰 890(헨켈), 설포텍스(Sulfotex) OA(헨켈) 및 폴리스텝(Polystep) B-29(스테판(Stephan))라는 상표명으로 시판중이다.
계면활성제의 양은 전형적으로 약 0.1 내지 약 100㎖/ℓ, 바람직하게는 약 20 내지 약 50㎖/ℓ이다.
본 발명의 조성물은 또한 클로라이드 이온 공급원 및 설페이트 이온 공급원 모두를 포함한다. 클로라이드 이온 및 설페이트 이온 공급원은 전형적으로 알칼리 금속의 염, 예컨대 나트륨 염 및 칼륨 염; 알칼리 토금속, 예컨대 칼슘 염; 및 암모니아를 포함하는 염으로서 존재한다.
바람직한 클로라이드 이온 공급원은 염화나트륨이고, 바람직한 설페이트 이온 공급원은 황산나트륨이다.
클로라이드 이온 및 설페이트 이온 공급원 각각의 양은 전형적으로 약 0.001 내지 약 5g/ℓ이며, 클로라이드 이온 공급원의 바람직한 양은 약 0.05 내지 약 0.1g/ℓ이다. 설페이트 이온 공급원의 바람직한 양은 약 1 내지 약 3g/ℓ이다.
바람직하게는, 필요하지는 않지만, 슬러리 조성물은 2개의 부분으로 구성되며, 여기서 A부는 산화제, 계면활성제, 클로라이드 이온 공급원 및 설페이트 이온 공급원, 및 존재한다면 부식 억제제를 포함하며, B부는 연마제 입자를 포함한다.
본 발명의 조성 및 특히 상기 성분들의 바람직한 농도는 낮은 다운포스에서의 Cu의 높은 폴리싱 속도, 다른 라이너 물질(예: Ta 및 Ti)과 대비된 Cu의 우수한 선택성, 린싱(rinsing) 후의 더욱 깨끗한 표면, 더욱 우수한 최종 형태 및 더욱 낮은 야금 결점(예컨대, 스크레칭, 피팅(pitting) 등)을 나타낸다.
본 발명의 슬러리 조성물은 Cu, W, Al 및 이들의 합금을 폴리싱하는데 유용하며, Ti, TiN, Ta 및 TaN과 대비해 Cu, W 및 Al에 선택적이다.
본 발명에 따라 처리된 구조물은 전형적으로 유전 물질(예: 이산화규소) 내에 함침된 구리 상호접속부(interconnector)(라인, 플러그, 바이어스, 글로벌 및 로컬 상호접속)를 갖는 반도체 디바이스이며, 이는 또한 낮은 k 유전/다마스크 및 이중 다마스크 구조물에서와 같은 캐핑 층(예컨대, 질화규소)을 포함할 수 있다. 상기 이산화규소는 전형적으로 고밀도 플라스마-침착된 이산화규소 또는 TEOS(테트라에틸오르토실리케이트)이다.
구리 상호접속은 전형적으로 구리와 유전층 사이의 차단제 또는 라이너 물질로서 탄탈륨, 질화탄탈륨, 티탄, 질화티탄 또는 이들의 조합물을 사용한다. 이와 같이, CMP 조성물은 다양한 다른 물질, 구리, 유전 층 및 캐핑 층 뿐만 아니라, 일반적으로 산화된 규소의 박층인 웨이퍼 후면에 접촉한다.
따라서, 폴리싱 조성물은 또한 유전 층에 대비되게 금속이 제거되도록 선택적이어야 한다.
본 발명은 낮은 다운포스에서 Cu의 높은 폴리싱 속도를 달성가능하게 만든다. 예를 들면, 사용되는 다운포스는 1psi 정도로 낮을 수 있다. 전형적으로는,사용되는 다운포스는 약 1psi, 바람직하게는 약 2 내지 약 6psi이다. 당해 분야의 숙련자에게 있어서, 폴리싱 또는 평탄화의 다른 파라미터는 상기 개시내용을 일단 이해하게 되면 불필요한 실험을 실시하지 않고서 결정할 수 있다. 예를 들면, 폴리싱 압반(패드)의 회전 속도는 전형적으로 약 10 내지 약 90rpm, 바람직하게는 약 40 내지 80rpm이고, 웨이퍼 캐리어의 회전 속도는 약 10 내지 약 70rpm, 바람직하게는 약 15 내지 60rpm이다.
폴리싱 패드는 초소형전자를 위한 폴리싱에 통상적으로 사용되는 것일 수 있다.
본 발명에 의해 전달가능한 폴리싱 속도는 전형적으로 약 6,000 내지 약 11,000Å/분, 더욱 전형적으로는 약 내지 약 Å/분이다.
하기 비제한적인 실시예는 본 발명을 추가로 예시하도록 제공된다.
특히, 표 1은 다양한 염의 존재 및 부재하에서의 Cu의 폴리싱 속도를 나타낸다. 임의의 첨가된 염의 부재하에서, Cu 폴리싱 속도는 약 330Å/분으로서 낮다. 그러나, NaCl 10m/M의 첨가는 폴리싱 속도를 약 9400Å/분까지 증가시킨다. 나트륨 옥틸 설페이트를 기본으로 하는 음이온성 계면활성제인 두포놀(Duponol)을 첨가하면 Cu 폴리싱 속도가 약 1900Å/분까지 증가된다. 다른 모든 염은 Cu 폴리싱 속도에서의 증가를 거의 나타내지 않는다.
하기 제시된 실시예에서, 슬러리는 철(II) 니트레이트 10g/ℓ, 알루미나 1.5중량% 및 벤조트리아졸 1.5g/ℓ를 함유한다. Na-옥틸 설페이트는 두포놀(듀퐁(Dupont)), 스탄다폴(코그니스) 또는 텍사폰(코그니스)로서 존재한다.
표 2는 두포놀(Na 옥틸 설페이트) 및 다른 Na 염이 존재하는 경우 Cu의 폴리싱 속도를 나타낸다. 설페이트 및 클로라이드는 분명하게 Cu 폴리싱 속도를 증가시키는 반면, 다른 것들은 거의 효과를 나타내지 않는다.
표 3은 클로라이드와 다른 염의 조합된 효과를 나타낸다. 클로라이드의 첨가는 모든 조건하에서 Cu 폴리싱 속도를 증가시킨다.
표 4는 NaCl, Na 옥틸 설페이트 및 다른 염의 조합된 효과를 나타낸다.
도 1은 다양한 첨가제에 있어서 다운포스에 대한 Cu 폴리싱 속도의 편차를나타낸다. 제 1 곡선과 제 2 곡선을 비교하면, BTA의 존재가 더욱 높은 다운포스에서도 Cu 폴리싱 속도를 저하시키는 것으로 나타낸다. 클로라이드의 첨가는 폴리싱 속도를 크게 증가시키지 않는다(제 3, 제 4 및 제 7 곡선). 그러나, Na 옥틸 설페이트의 조합에서는 제 5 곡선 및 제 6 곡선에 의해 나타낸 바와 같이 크게 증가한다.
도 2와 도 3을 비교하면, Na 옥틸 설페이트(두포놀)의 존재하에서는 비록 낮은 농도의 클로라이드에서도 더욱 높은 폴리싱 속도를 얻을 수 있음이 나타난다.
본 발명은, 제 1 스트림 내에 A부를 포함하고 제 2 스트림 내에 B부를 포함하는 2개 스트림의 슬러리 부분으로 폴리싱하는 기술을 제공한다. 본 발명의 상이한 실시양태에서, 소정의 적용에 가장 적합한 상이한 조성의 슬러리를 생성시키는데 다양한 조합의 유속이 사용될 수 있다. 이러한 유동은 폴리싱 도중 상이한 시간에서 조절되어 다양한 상태의 폴리싱에서 상이한 조성의 슬러리를 생성시킬 수 있게 된다.
본 발명의 상기 설명은 본 발명을 예시 및 기술하는 것이다. 또한, 개시내용은 본 발명의 바람직한 실시양태만을 제시 및 기술하지만, 전술된 바와 같이, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변형 및 환경에서 사용가능하며, 본원에서 표현한 바와 같이 상기 교시내용 및/또는 당해 분야의 숙련자에게 발명의 개념의 범주내에서의 변화 또는 변형이 가능하다. 이전 본원에서 기술된 실시양태는 발명을 실시하는데 공지된 가장 바람직한 방식을 설명하려는 의도이며, 당해 분야의 숙련자에 의해 발명을 상기한 또는 다른 실시양태 및 발명의 특정 용도에서 요구되는 다른 변형 실시양태로 이용가능하게 한다. 따라서, 본 명세서는 발명을 본원에 개시된 형태로 한정하고자 하는 것이 아니다. 또한, 첨부된 특허청구범위는 다른 실시양태를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
따라서, 본 발명은 폴리싱 시간을 상당히 단축시키며, 또한 낮은 다운포스를 사용하여 CMP 도중 Cu 홈 및 산화 부식을 최소화하면서 작동할 수 있는 슬러리를 제공한다.

Claims (25)

  1. 연마제 입자, 산화제, 계면활성제, 클로라이드 이온 공급원 및 설페이트 이온 공급원을 포함하는 슬러리 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    연마제 입자 약 0.5 내지 약 6중량%, 산화제 약 1 내지 50g/ℓ, 계면활성제 약 0.1 내지 약 100㎖/ℓ, 클로라이드 이온 공급원 약 0.001 내지 약 20g/ℓ 및 설페이트 이온 공급원 약 0.001 내지 약 20g/ℓ를 포함하는 슬러리 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    부식 억제제를 추가로 함유하는 슬러리 조성물.
  4. 제 3 항에 있어서,
    부식 억제제의 양이 약 0.1 내지 약 5g/ℓ인 슬러리 조성물.
  5. 제 4 항에 있어서,
    부식 억제제가 이미다졸, 트리아졸 및 치환된 트리아졸로 이루어진 군으로부터 선택된 슬러리 조성물.
  6. 제 4 항에 있어서,
    부식 억제제가 벤조트리아졸을 포함하는 슬러리 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서,
    클로라이드 이온 공급원이 염화나트륨을 포함하는 슬러리 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서,
    클로라이드 이온 공급원의 양이 약 0.001 내지 약 5g/ℓ인 슬러리 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서,
    클로라이드 이온 공급원의 양이 약 0.05 내지 약 0.1g/ℓ인 슬러리 조성물.
  10. 제 1 항에 있어서,
    설페이트 이온 공급원의 양이 약 1 내지 약 3g/ℓ인 슬러리 조성물.
  11. 제 1 항에 있어서,
    설페이트 이온 공급원이 황산나트륨을 포함하는 슬러리 조성물.
  12. 제 1 항에 있어서,
    산화제가 철(II) 니트레이트를 포함하는 슬러리 조성물.
  13. 제 1 항에 있어서,
    연마제 입자가 알루미나를 포함하는 슬러리 조성물.
  14. 제 1 항에 있어서,
    계면활성제가 설페이트를 포함하는 슬러리 조성물.
  15. 제 14 항에 있어서,
    설페이트가 나트륨 헥실 설페이트, 나트륨 헵틸 설페이트, 나트륨 옥틸 설페이트, 나트륨 노닐 설페이트, 나트륨 라우릴 설페이트 및 이의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 슬러리 조성물.
  16. 제 1 항에 있어서,
    계면활성제가 나트륨 알킬 설페이트, 알킬 설포네이트, 4차 암모늄 염, 노닐 에테르 및 이의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 슬러리 조성물.
  17. 제 1 항에 있어서,
    계면활성제가 나트륨 옥틸 설페이트를 포함하는 슬러리 조성물.
  18. 연마제 입자, 산화제, 계면활성제, 클로라이드 이온 공급원 및 설페이트 이온 공급원을 포함하는 슬러리 조성물을 표면 상에 제공하는 단계; 및 상기 표면을 폴리싱 패드와 접촉시켜 폴리싱하는 단계를 포함하는 표면 폴리싱 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    표면이 구리, 알루미늄, 텅스텐 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    폴리싱할 표면이 구리 또는 구리 합금이고, 슬러리 조성물이 구리 부식 억제제를 추가로 포함하는 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    구리 또는 구리 합금 아래에 내화성 금속 라이너가 존재하는 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    내화성 금속 라이너가 니오븀, 탄탈륨, 티탄, 이들의 질화물, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 방법.
  23. 제 18 항에 있어서,
    약 1 내지 약 9psi의 다운포스(downforce)를 사용하여 폴리싱을 실시하는 방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    다운포스가 약 2 내지 약 6psi인 방법.
  25. 제 20 항에 있어서,
    폴리싱 도중 폴리싱 패드의 속도가 약 10 내지 약 90rpm이고, 폴리싱 도중 웨이퍼 캐리어의 속도가 약 10 내지 약 70rpm인 방법.
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