KR20040018914A - 화상 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

화상 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

제1 기판의 접착제로 밀봉하는 부분에 액연형이며, 또한 자외광을 차폐하는 수지막을 설치함으로써, 제2 기판측으로부터 조사되는 자외광이 제1 기판 내를 전파하여 표시 영역에 도달하는 것을 억제하는 구조로 하였다.
이에 의해, 기판 밀봉용 접착제를 자외광의 조사로 경화할 때에 표시 영역에 형성되어 있는 발광 적층체를 구성하는 유기 재료나 액티브 소자를 구성하는 반도체층의 광열화를 방지하여, 고신뢰, 또한 고성능인 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.

Description

화상 표시 장치 및 그 제조 방법{Image Display Apparatus and Process for its Production}
본 발명은, 화상 표시 장치에 관한 것으로, 특히 한 쌍의 기판 사이에 표시 영역을 형성한 표시 패널을 이용한 화상 표시 장치와 그 제조 방법에 관한 것이다.
퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화기 등의 휴대 정보 기기, 혹은 텔레비전 수상기의 모니터 등에 박형, 경량, 혹은 저소비 전력 특성을 갖는 소위 패널형의 화상 표시 장치가 널리 채용되고 있다. 이러한 종류의 화상 표시 장치에는 액정 표시 패널, 유기 일렉트롤루미네선스 패널(이하, 유기 EL 패널이라고도 칭함), 플라즈마 패널 혹은 전계 방출형 패널 등을 이용한 것이 알려져 있다.
패널형의 화상 표시 장치는, 통상 적어도 한 쪽이 유리 등의 광투과성을 갖는 한 쌍의 기판 사이에 액티브 소자를 구성하는 반도체층이나 형광체층, 혹은 발광층으로 이루어지는 다수의 화소를 매트릭스형으로 배치한 표시 영역을 갖고, 이 표시 영역의 주위를 접착제로 기밀하게 밀봉하여 구성된다. 기판의 밀봉은 한 쌍의 기판의 상기 표시 영역의 외주 사이에 에폭시계 수지 등의 접착제를 개재시키고, 자외광 조사나 가열 처리로 경화함으로써 행해진다. 이 자외광 조사에 의한 경화 공정에 있어서, 자외광이 화소 영역에 형성된 반도체층이나 유기 발광층 등의 구성 재료에 조사되면, 상기 반도체층이나 발광층 등의 구성 재료의 물성(혹은 특성이라고도 함)이 열화되는 경우가 있다. 이하에서는, 유기 EL 패널을 이용한 화상 표시 장치를 예로 들어 상기한 자외광의 조사에 의한 영향을 설명한다.
유기 EL 패널을 이용한 화상 표시 장치는, 적어도 유리판을 적합하게 하는 광투과성의 제1 기판 상에 형성한 애노드 전극을 화소마다 패터닝하는 공정, 애노드 전극 상에 형성하는 후술하는 적층체를 소자마다 분리하기 위한 뱅크를 형성하는 공정, 뱅크로 구획된 공간에 애노드 전극으로부터 정공(正孔)을 도입하는 홀 도입층을 형성하는 공정, 정공을 발광층에 수송하는 홀 수송층을 형성하는 공정, 적색, 녹색 및 청색으로 발광하는 유기막으로 이루어지는 발광층을 소자 등의 적층체를 선택적으로 형성하는 공정, 캐소드 전극으로부터 전자를 수송하는 전자 수송층을 형성하는 공정, 전자를 공급하는 캐소드 전극을 형성하는 공정, 이들의 적층체를 외부로부터 차단하기 위해, 밀봉용 접착제에 의해 제1 기판 상에 밀봉관인 제2 기판을 기밀하게 접합하는 공정을 차례로 행하여 제조한다.
밀봉용 접착제는, 통상 상기 접착제를 도포한 밀봉 영역에 대해 기판측으로부터 자외광을 조사함으로써 경화시킨다. 또한, 그 후 가열 처리로 더욱 경화를 촉진시키는 공정을 거치는 경우도 있다. 이와 같은 유기 EL 패널을 이용한 화상 표시 장치는 밀봉 영역으로 둘러싸이는 표시 영역에 자외광이 조사됨에 따른 상기한 반도체층이나 발광층 등의 특성 열화에다가 일본 특허 공개 평11-176571호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, 밀봉관으로 기밀 밀봉해도 밀봉 부분을 통해 침입하는 외기나 수분의 영향에 의해 발광층과 전극층 사이에서 박리가 생기거나, 화소 영역의 상기한 각 구성 재료의 특성이 변화된다. 특히, 발광층의 특성이 열화되면, 표시 화면에 다크 스폿이라 칭하는 비발광 영역이 생기거나 하여, 구동 시간의 경과에 수반하여 소정 품질의 발광을 유지할 수 없게 된다.
전술한 바와 같이 외기나 수분에 영향을 받기 쉽기 때문에 기판 사이를 밀봉할 때의 분위기와 밀봉 후, 어떻게 밀봉 직후의 상태를 유지할 수 있을지가 과제가 된다. 또한, 유기 EL 패널에서는 발광층이 유기 재료이므로 밀봉 후에 가스가 발생할 가능성이 있다. 이로 인해 발생한 가스 및 밀봉용 접착제를 통과하여 침입해 온 외기나 수분을 흡수 가능한 흡착재를 넣은 상태로 밀봉한다. 이 흡착재가 발광층이나 전극 등으로 이루어지는 발광 적층체에 간섭하지 않도록 밀봉관이 되는 제2 기판의 형상은 그 내부를 주변부보다 오목하게 하거나, 혹은 주변에 리브를 형성하여 흡착재를 설치하는 것이 일반적이다.
밀봉관이 되는 제2 기판의 내부를 오목하게 하는 방식으로서, 유리판이나 석영판의 내부를 기계 가공이나 샌드블러스트나 화학 엣칭으로 새겨 넣는 방식, 금속판이나 유리판을 프레스 등에 의해 일체 성형하는 방식이 있다. 금속판을 밀봉관에 채용한 경우에는 발광층을 형성한 제1 기판측으로부터 자외광을 조사하여 밀봉용 접착제를 경화할 필요가 있다. 유리판을 밀봉관에 채용한 경우에는 발광층을 형성한 기판측뿐만 아니라, 밀봉관이 되는 제2 기판측으로부터도 자외광을 조사하여 밀봉용 접착제를 경화할 수 있다.
그러나, 발광층을 형성한 제1 기판측으로부터 자외광을 조사하는 경우에는 전극 단자의 취출부(외부 단자)가 금속 재료인 경우, 이 외부 단자에 의해 자외광이 차광되므로 밀봉용 접착제가 충분한 경화를 행할 수 없다. 그로 인해, 밀봉관을 유리판 등의 투광성 재료의 제2 기판으로 하고, 이 제2 기판측으로부터의 자외광 조사에 의한 밀봉용 접착제를 경화시키는 것이 확실하다. 그러나, 어떠한 경우에 있어서도 접착제의 경화 공정에서의 자외광 조사에 의해 발광층을 형성한 제1 기판 내에서 자외광이 산란하거나, 혹은 제1 기판 내를 표시 영역까지 전파하여 발광층을 형성한 표시 소자(발광 적층체)를 조사하고, 그 유기 재료가 열화되어 발광 수명이 저하된다. 이와 같이, 밀봉용 접착제의 자외광에 의한 경화시에 유기 재료로 이루어지는 발광 적층체를 자외광으로부터 보호하는 것이 과제 중 하나가 되고 있다.
유기 EL 패널을 이용한 화상 표시 장치는 발광층이 형성된 유리를 적합하게 하는 제1 기판 상에 밀봉관을 포개어 밀봉용 접착제로 밀봉하여 얻을 수 있고, 유기 재료로 이루어지는 발광 적층체는 밀봉용 접착제에 의해 외부 분위기와 차단되어 있다. 밀봉하는 공정은 활성 가스나 수분을 최대한 배제한 분위기에서 작업하기 위해, 외부로부터 밀폐된 공간에서 행한다. 그러나, 상기한 바와 같이 밀봉한 후 유기 재료로 이루어지는 발광 적층체는 외부로부터 밀봉용 접착제를 거쳐서 침입해 오는 수분이나 산소 등의 가스에 의해 발광 특성(발광 물성이라고도 함)이 열화되어 발광 수명이 짧아진다. 그로 인해, 발광층을 형성한 제1 기판과 밀봉관이 되는 제2 기판을 정확하게 위치 맞춤하여 밀봉용 접착제에 의한 기밀 밀봉을 확실하게 행하는 것도 과제 중 하나가 되고 있다. 이와 같은 자외광 조사에 수반하는 과제는 유기 EL 패널을 이용한 화상 표시 장치에 한정되는 것은 아니고, 액정 표시 장치나 플라즈마 방전 표시 장치, 전계 방출 표시 장치 등의 각종 패널형의 화상 표시 장치에 대해서도 마찬가지이다.
본 발명의 목적은 상기한 각 과제를 해결하여 기판 사이의 밀봉시에 조사되는 자외광으로부터 화소 영역의 각 구성재를 보호하여 접착제의 경화를 확실하게 행하고, 또한 기밀성을 높인 밀봉을 실현함으로써 신뢰성이 높은 화상 표시 장치를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명은 상기한 구성 및 후술하는 실시예의 구성에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 기술 사상내에 다양한 변경이 가능하다. 본 발명의 이러한 특징, 다른 특징, 목적 및 이점들은 첨부된 도면을 참조한 설명을 통해 더욱 명백해 질 것이다.
도1은 본 발명에 의한 화상 표시 장치의 기본 패널 구성을 모식적으로 설명한 주요부 단면도.
도2는 본 발명에 의한 화상 표시 장치의 다른 기본 패널 구성을 모식적으로 설명한 주요부 단면도.
도3은 유기 EL 패널을 이용한 화상 표시 장치의 상기 유기 EL 패널의 일예를 설명한 제1 기판의 내면을 도시한 평면도.
도4는 도3에 도시한 제1 기판에 밀봉관이 되는 제2 기판을 접합한 상태를 제2 기판측으로부터 본 평면도.
도5는 본 발명에 의한 화상 표시 장치의 제1 실시예의 구성을 설명한 유기 EL 패널의 모식도.
도6은 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 화소 분리 뱅크와 리브를 동시에 형성하는 공정의 설명도.
도7은 본 발명을 적용한 유기 EL 화상 표시 장치의 제조 방법의 제1 실시예를 설명한 공정도.
도8은 본 발명을 적용한 유기 EL 화상 표시 장치의 제조 방법의 제1 실시예를 설명한 도7에 이은 공정도.
도9는 본 발명의 화상 표시 장치의 제조에 사용하는 스크린 마스크의 일구성예의 개요를 설명한 부분 평면도.
도10은 본 발명의 화상 표시 장치의 제조에 사용하는 스크린 마스크의 다른 구성예의 개요를 설명한 부분 평면도.
도11은 본 발명의 제1 실시예에 사용하는 스크린 마스크의 또 다른 구성예의 개요를 설명한 부분 평면도.
도12는 본 발명에 의한 화상 표시 장치의 제2 실시예를 설명한 유기 EL 패널의 주요부 단면 모식도.
도13은 본 발명에 의한 화상 표시 장치의 제3 실시예의 구성을 설명한 유기 EL 패널의 주요부 단면 모식도.
도14는 본 발명에 의한 화상 표시 장치의 제4 실시예의 구성을 설명한 유기 EL 패널의 주요부 단면 모식도.
도15는 본 발명에 의한 화상 표시 장치의 제5 실시예의 구성을 설명한 유기 EL 패널의 주요부 단면 모식도.
도16은 본 발명의 제6 실시예를 설명한 유기 EL 패널의 제1 기판의 주요부 모식 단면도.
도17은 도16에 도시한 본 발명의 제6 실시예의 제1 기판에 화소 분리 뱅크와 자외광 차폐막을 형성하는 공정의 설명도.
도18은 도17의 공정에서 화소 분리 뱅크 및 자외광 차폐 수지막을 형성한제1 기판을 이용하여 유기 EL 패널을 제조하는 공정도.
도19는 유기 발광층을 설치하는 제1 기판에 형성되는 박막 트랜지스터의 구성예를 설명한 주요부 모식 단면도.
도20은 유기 EL 패널의 1화소의 구성예를 설명한 회로도.
도21은 본 발명의 화상 표시 장치를 탑재한 전자 기기의 일예로서의 텔레비전 수상기의 외관도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 제1 기판
2 : 제2 기판
3 : 리브
4 : 밀봉관
5 : 흡착재
6 : 애노드 전극
7 : 화소 분리 뱅크
8 : 발광층
9 : 캐소드 전극
10 : 발광 적층체
11 : 스키지
12 : 스크랩퍼
13 : 헤드
14 : 스크린판
15 : 스크린 마스크
20 : 자외광 차폐 수지막
21 : 외부 단자
22 : 밀봉용 접착제
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 제1 기판과 제2 기판을 위치 맞춤하여 양 기판 사이의 주연의 밀봉 영역에 도포한 접착제에 자외광을 조사하여 경화시킬 때에 상기 밀봉 영역으로 둘러싸이는 표시 영역에 자외광이 조사 및/또는 도달하는 것을 억제하기 위한 하기에 기재된 새로운 구조와 그 제조 방법을 제공한다.
도1은 본 발명에 의한 화상 표시 장치의 기본 패널 구성을 모식적으로 설명한 주요부 단면도이다. 도면 중, 참조 부호 100은 제1 기판, 200은 제2 기판이고,제1 기판의 내면에는 액티브 소자를 포함하는 화소 영역(101)이 형성되어 있다. 참조 부호 AR은 화소 영역(101)으로 구성되는 표시 영역을 나타낸다. 제1 기판(100)과 제2 기판(200)이 대향하는 주연을 주회하여 밀봉용 접착제(220)가 도포되어 양 기판을 밀봉하고 있다. 그리고, 제1 기판(100)에는 상기 접착제(220)와의 사이에 자외광을 차폐하는 자외광 차폐 수지막(300)을 갖고 있다. 또한, 화소를 구동하기 위한 구동 회로를 제1 기판(100) 상의 접착제(220)보다 표시 영역(AR)측에 배치한 것이나, 이 구동 회로를 제1 기판(100) 상의 접착제(220)의 외측에 실장한 것 등이 있지만, 여기서는 도시를 생략하고 있다.
접착제(220)는 제2 기판(200)측으로부터 자외광 UV를 조사하여 경화된다. 자외광 차폐 수지막(300)을 형성한 것으로, 접착제(220)를 경화시키기 위한 자외광 UV는 제1 기판(100)에의 입사가 차단되어 상기 제1 기판(100)에서 산란하거나, 혹은 제1 기판(100)의 내부를 전파하여 표시 영역(AR)에는 도달하지 않는다. 따라서, 자외광의 조사에 의해 화소 영역(101)의 구성재 혹은 표시 영역에 설치한 액티브 소자의 반도체층이 자외광으로 열화되는 것이 억제된다. 이 자외광 차폐 수지막(300)은 흡광 물질의 입자를 혼입한 수지 레지스트의 도포, 혹은 제1 기판(100)에 외부 단자 등의 배선 등이 형성되어 있는 경우에 절연층에서 절연한 흑색의 금속 차광막을 이용할 수도 있다.
도2는 본 발명에 의한 화상 표시 장치의 다른 기본 패널 구성을 모식적으로 설명한 주요부 단면도이다. 도2에서는 도1에 있어서의 구성에 제2 기판(200)의 접착제 도포 부분을 피하여 자외광 차폐 수지막(301)을 형성한 것이다. 제1기판(100)에 설치하는 자외광 차폐 수지막(300)은 도1과 같은 것으로, 제2 기판(200)의 자외광 차폐 수지막(301)은 흑색의 금속 차광막으로 할 수도 있다. 이 때, 제2 기판(200)의 외부 단자 등의 배선 등이 형성되어 있는 경우에 금속 차광막을 설치하는 경우는 적절한 절연층을 개재시키면 된다.
이 구성에 의해, 자외광 UV는 제1 기판(100)으로의 입사가 차단되어 상기 제1 기판(100)으로 산란하거나, 혹은 제1 기판(100)의 내부를 전파하여 표시 영역(AR)에는 도달하지 않는다. 따라서, 자외광의 조사로 화소 영역(101)의 구성재 혹은 표시 영역에 설치한 액티브 소자의 반도체층이 자외광에 의해 열화되는 것이 억제된다. 다른 구성 및 효과는 도1과 동일하다.
이와 같이, 본 발명은 액티브 소자를 갖는 다수의 화소를 매트릭스형으로 배치한 표시 영역을 갖는 광투과성의 제1 기판(100)과, 상기 제1 기판(100)에 대향하여 상기 표시 영역의 외주에 위치하는 액연형의 밀봉 부분에 밀봉용 접착제(220)를 개재시켜 밀봉한 광투과성의 제2 기판(200)을 갖는 화상 표시 장치의 상기 밀봉 부분에 있어서의 상기 제1 기판(100)과 상기 접착제(220) 사이에 자외광을 차폐하는 자외광 차폐 수지막(300)을 설치하였다. 또한, 상기 제2 기판(200)의 상기 접착제(220)를 피한 부분에 자외광 차폐 수지막(301)을 설치할 수도 있다. 이 자외광 차폐 수지막(301)은 제2 기판(200)의 내면에 화소의 구성재를 갖지 않고, 제1 기판(100)측을 관찰측으로 하는 경우 등에서는 상기 제2 기판(200)의 접착제(220)보다도 내측 전체에 형성할 수 있다. 또한, 자외광 차폐 수지막(301) 대신에 금속 차광막을 형성할 수도 있다.
특히, 유기 EL 패널을 이용한 화상 표시 장치에 본 발명을 적용하는 경우는 액티브 소자로 구동되는 애노드 전극과, 적어도 발광층을 갖는 유기층을 상기 애노드 전극 상에 설치한 화소 분리 뱅크 내부에 형성한 발광 적층체와, 상기 발광 적층체를 상기 애노드 전극 사이에 끼워 넣는 캐소드 전극으로 이루어지는 복수의 화소를 매트릭스형으로 배치한 유리판을 적합하게 하는 투광성 제1 기판과, 상기 제1 기판에 대향하여 상기 표시 영역의 외주위에 위치하는 액연형의 밀봉 영역에 밀봉용 접착제를 개재시켜 밀봉한 유리판을 적합하게 하는 광투과성의 제2 기판을 갖는 유기 EL 패널을 이용한 화상 표시 장치에서는 상기 밀봉 영역에 있어서의 상기 제1 기판과 상기 접착제 사이에 자외광을 차폐하는 자외광 차폐막을 설치하였다. 또한, 상기 제2 기판의 상기 액연형의 밀봉 영역에 대응하는 상기 접착제의 개재 부분을 피한 부분에 자외광 차폐막을 설치해도 좋다.
또한, 상기 유기 EL 패널을 이용한 화상 표시 장치에 있어서의 제1 기판에 갖는 상기 자외광 차폐 수지막의 형성 재료를 상기 화소 분리 뱅크와 동질의 재료로 형성하는 것이 바람직하고, 상기 자외광 차폐 수지막의 상기 액연형의 연장 방향(변)과 교차하는 방향에서 상기 제1 기판과 직각인 방향의 단면을 상기 표시 영역측으로 돌출되는 내주 볼록부와 상기 표시 영역측의 반대측으로 돌출되는 외주 볼록부로 이루어지는 오목형부를 갖고, 또한 상기 내주 볼록부와 상기 외주 볼록부의 막 두께가 상기 화소 분리 뱅크의 막 두께보다 크게 한다. 이 자외광 차폐 수지막과 상기 제1 기판 사이에 자외광을 차광하는 금속 차광막을 설치할 수도 있다.
상기한 유기 EL 패널을 이용한 화상 표시 장치를 제조하는 방법으로서는 다음의 공정을 갖는 프로세스를 채용하는 것이 바람직하다. 즉, 광투과성의 제1 기판 상의 화소 영역에 매트릭스형으로 배치되는 다수의 액티브 소자와, 상기 액티브 소자의 각각으로 구동되는 애노드 전극 및 외부 단자를 포함하는 전극/배선을 형성하는 화소 영역 형성 공정과, 상기 각 애노드 전극 사이를 분리하는 화소 분리 뱅크와, 상기 제1 기판의 상기 표시 영역의 외주에 따라서 액연형 또한 상기 액연의 주회 방향 중앙 부분에 내주 볼록부와 외주 볼록부로 형성된 오목부를 갖는 자외광 차광 수지막을 동시에 형성하는 분리 뱅크/자외광 차광 수지막 형성 공정과, 상기 화소 분리 뱅크로 분리된 애노드 전극의 각각의 위에 유기 발광층을 형성하는 유기 발광층 형성 공정과, 상기 유기 발광층을 씌워 캐소드 전극을 형성하는 캐소드 형성 공정과, 상기 제1 기판의 상기 자외광 차광 수지막에 대응하는 주연을 액연형으로 주회하여 돌출된 리브를 갖는 광투과성의 제2 기판의 상기 리브부로 둘러싸인 영역에 가스 및 수분의 흡착재 층을 형성하는 흡착재 층 형성 공정과, 상기 제1 기판의 상기 자외광 차광 수지막의 상기 오목부에 접착제를 도포하는 접착제 도포 공정과, 상기 제2 기판의 상기 리브부를 상기 제1 기판의 상기 오목부에 결합하여 상기 접착제로 밀봉하는 기판 접합 공정을 적어도 포함한다.
또한, 상기 분리 뱅크/자외광 차광 수지막 형성 공정 전에 상기 자외광 차광 수지막을 형성하는 위치에 있는 상기 외부 단자 상에 절연막을 거쳐서 자외광을 차광하는 금속 차광막을 형성하는 금속 차광막 형성 공정을 마련할 수도 있다. 그리고, 상기 분리 뱅크/자외광 차광 수지막 형성 공정으로서, 상기 분리 뱅크와 상기 자외광 차광 수지막의 각각에 대응하는 개구를 갖는 스크린 마스크를 이용한 인쇄법을 채용할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 발광 적층체를 형성한 광투과성의 제1 기판 및 제1 기판과 동등한 광투과성을 갖고, 적어도 밀봉용 접착제로 밀봉하는 영역이 투명한 제2 기판(또는, 밀봉관이 되는 제2 기판)을 이용하여 광투과성 기판의 밀봉용 접착제로 밀봉하는 부분에 상당하는 외주에 액연형으로 자외광을 차폐하는 자외광 차폐 수지막(또는, 자외광 차폐 수지막과 금속 차광막)을 설치함으로써, 밀봉용 접착제를 자외광의 조사로 경화할 때 표시 영역에 있는 반도체층이나 유기 재료로 이루어지는 발광 적층체 등의 구성재를 자외광으로부터 보호할 수 있다.
또한, 특히 유기 EL 패널을 이용한 화상 표시 장치에서는 대향하여 포개는 제1 기판과, 제2 기판 사이를 액연형의 밀봉용 접착제로 밀봉하는 부분의 내측에 가스 및 수분을 흡수하는 흡착재를 배치함으로써 내부에서 발생한 가스, 수분 및 외부로부터 침입한 산소 등의 가스 및 수분을 흡착할 수 있으므로, 유기 재료로 이루어지는 발광 적층체의 발광 특성의 열화를 억제하여 높은 신뢰성과 수명의 장기화를 실현할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 실시예의 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시예에서는 본 발명을 유기 EL 패널을 이용한 화상 표시 장치에 적용한 경우를 예로 들어 설명한다. 여기서는, 제1 기판과 밀봉관이 되는 제2 기판은 모두 유리 기판을 이용하고 있다. 유기 EL 패널에는 발광에 기여하는 부분에 사용하는 유기 재료로서 저분자 재료계와 고분자 재료계가 있지만, 본 발명은 이들을 한정하는 것은 아니고, 상기 저분자 재료계와 고분자 재료계의 쌍방을혼성한 유기 EL 패널이라도 좋다.
저분자 재료계의 유기 EL 패널의 제1 기판의 층구성은, 일반적으로 유리 기판/애노드 전극/홀 주입층/홀 수송층/발광층/전자 수송층/캐소드 전극이다. 한편, 고분자 재료계의 유기 EL 패널의 제1 기판의 층구성은, 일반적으로 유리 기판/애노드 전극/홀 수송층/발광층/캐소드 전극이다. 고분자 재료계의 EL 패널의 경우에는 저분자 재료계의 유기 EL 패널의 홀 주입층/홀 수송층을 홀 수송층이 양쪽의 특성을 겸하는 경우가 있고, 또한 고분자 재료계의 유기 EL 패널에서는 저분자 재료계의 유기 EL 패널의 전자 수송층/캐소드 전극을 캐소드 전극으로만 대용하는 경우가 있다. 또한, 본 발명은 이하의 실시예에서 이용한 재료, 조성 등에 한정되는 것은 아니다.
다음에, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다. 도3은 유기 EL 패널을 이용한 화상 표시 장치의 상기 유기 EL 패널의 일예를 설명하는 제1 기판의 내면을 도시한 평면도이다. 또한, 도4는 도3에 도시한 제1 기판에 밀봉관이 되는 제2 기판을 접합한 상태를 제2 기판측으로부터 본 평면도이다. 도3 및 도4는 후술하는 유기 EL 패널에 공통이다. 이 유기 EL 패널에서는 제1 기판(1)의 내면에 박막 트랜지스터 등의 액티브 소자, 화소 전극(애노드 전극), 발광층, 대향 전극(캐소드 전극) 등으로 이루어지는 구성재로 형성된 화소 영역(AR)을 갖고, 이 화소 영역을 구성하는 각 화소를 구동하기 위한 구동 회로(201)를 액연형으로 설치한 밀봉 영역에 갖는 접착제(3)의 내측에 형성하고 있다. 이들의 구동 회로(201)는 제1 기판(1)에 직접 형성되어 있다. 밀봉 영역[접착제 (3)]의 외측에는 도시하지 않은외부의 신호 처리 유닛으로부터 상기 구동 회로(201)에 표시를 위한 주사 신호나 데이터 신호를 공급하는 외부 단자(21)가 인출되어 있다.
제1 기판(1)에 제2 기판(2)을 접합하여 접착제(3)로 밀봉한 상태가 도4이다. 제2 기판(2)은 제1 기판(1)보다 작은 사이즈이고, 제1 기판(1)의 외주연에 외부 단자(21)가 노출되어 있다. 또한, 본 예에서는 긴 변측에 설치한 구동 회로가 데이터 구동용, 짧은 변측에 설치한 구동 회로가 주사 구동용이다. 본 예에서는 구동 회로를 밀봉 영역의 내측에 설치하고 있지만, 이들 구동 회로를 밀봉 영역의 외측에 직접 형성하거나, 혹은 집적 회로 칩을 탑재한 형식도 있다.
(제1 실시예)
도5는 본 발명에 의한 화상 표시 장치의 제1 실시예의 구성을 설명한 유기 EL 패널의 모식도이고, 도5의 (a)는 도4의 A-A'선에 따른 단면도, 도5의 (b)는 도5의 (a)의 A부의 확대도이다. 또한, 도5에서는, 도3에 도시한 구동 회로는 도시를 생략하고 있다. 도5에 있어서, 참조 부호 1은 제1 기판, 2는 밀봉관이 되는 제2 기판, 3은 제2 기판의 외주에 갖는 리브이고, 제1 기판(1)에 갖는 자외광 차폐 수지막(20)과 위치 맞춤되어 양자 사이에 개재되는 접착제(도시하지 않음)에 의해 접착 고정된다. 또한, 참조 부호 4는 제2 기판(2)과 리브(3)를 일체화한 밀봉관, 5는 흡착재, 6은 애노드 전극, 7은 화소 분리 뱅크, 8은 발광층, 9는 캐소드 전극, 10은 애노드 전극(6)과 발광층(8) 및 캐소드 전극(9)으로 구성된 발광 적층체를 도시한다. 또한, 부호 20은 밀봉 영역에 형성된 자외광 차폐 수지막, 21은 외부 단자이다.
발광층 적층체(10)를 형성하는 제1 기판(1)은 유리 기판 등의 광투과성 기판이고, 밀봉관이 되는 제2 기판(2)은 제1 기판(1)과 동질의 광투과성 기판이다. 밀봉관(4)은 제2 기판(2)과 리브(3)에 의해 구성되고, 리브(3)는 제2 기판(2)의 외주에 제1 기판(1)측으로 돌출되어 형성된다. 본 예에서는, 리브(3)는 제2 기판(2)과는 별개의 부재이고, 양자는 적절한 접착 수단으로 일체적으로 고정되어 있다. 발광 적층체(10)는 애노드 전극(6)과 화소 분리 뱅크(7)와 발광층(8) 및 캐소드 전극(9)으로 구성된다. 제2 기판(2)에 갖는 리브(3)는 발광 적층체(10)가 형성된 영역보다 큰 영역[제2 기판(2)의 면 내에 있어서의 폭 면적]에 형성하고, 그 두께는 흡착재(5)와 제1 기판(1)에 갖는 발광 적층체(10)와의 두께의 합계보다 크다.
또한, 전술한 바와 같이 발광층(8)의 재료계(고분자계, 저분자계)에 의해 애노드 전극(6)과 캐소드 전극(9)으로 협지된 발광에 기여하는 부분의 층 구성은 변동한다. 리브(3)의 재료에는 유기 재료 및 무기 재료를 이용할 수 있다. 그 형성 방식으로서는 스크린 인쇄, 디스펜서 등으로 직접 그리는 방식, 스핀너 등에 의해 리브(3)의 재료를 제2 기판(2)의 편측 전체면에 도포한 후에 불필요한 주변 이외 것을 노광 및 현상 공정에 의해 제거하여 형성하는 방식 등을 채용할 수 있다. 흡착재(5)는 제1 기판(1)과 제2 기판(2)을 자외광 차폐 수지막(20)과 리브(3)를 도시하지 않은 접착제로 밀봉한 후에 발광 적층체(10) 등으로부터 발생하는 내부 발생 가스 및 외부로부터 침입해 오는 외기(외부 가스: 주로 산소)나 수분을 흡착하는 것이다.
도6은 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 화소 분리 뱅크와 자외선 차폐 수지막을 동시에 형성하는 공정의 설명도이다. 참조 부호 11은 스키지, 12는 스크레퍼, 13은 스키지(11)와 스크레퍼(12)를 유지하고, 또한 상하 이동시키는 기구를 갖는 헤드, 14는 스크린판, 15는 스크린 마스크, 16은 화소 분리 뱅크 전사용 개구 패턴, 17은 자외광 차폐 수지막(20)의 전사용 개구 패턴, 18은 레지스트의 페이스트(이하에서는, 편의상 잉크라고도 함), 19는 기판 고정 테이블, 이 공정에서 화소 분리 뱅크(7)와 자외광 차폐 수지막(20)은 동일한 레지스트로 이루어진다. 또한, 리브는 2매 기판의 위치 맞춤 기능을 갖는다.
스키지(11)는 스크린 마스크(15)의 스키지측의 면에 놓여져 있는 레지스트의 잉크(18)를 화소 분리 뱅크 전사용 개구 패턴(16)과 자외광 차폐 수지막 전사용 개구 패턴(17)을 통해 그 반대측에 도포하는 것이다. 스크레퍼(12)는 스크린 마스크(15)에 구비되어 있는 화소 분리 뱅크 전사용 개구 패턴(16)과 자외광 차단 수지막 전사용 개구 패턴(17) 내에 잉크(18)를 충전하는 것이다. 스키지(11)와 스크레퍼(12)는 헤드(13)에 의해 상하 이동된다. 잉크 충전시에는 스키지(11)를 들어올리고 스크레퍼(12)를 내려 스크린 마스크(15)에 밀착시키고, 잉크 도포시에는 스크레퍼(12)를 들어올리고 스키지(11)를 내려 스크린(15)에 밀착시킨다. 스크린 마스크(15)는 프레임형의 스크린 판(14)에 장착되어 있다. 도6에는 스크린 판(14)을 한 쌍의 프레임 변만으로 도시한다.
스크린 마스크(15)에 갖는 자외광 차폐 수지막 전사용 개구 패턴(17)의 개구 영역은 화소 분리 뱅크용 개구 패턴(16)의 개구 영역보다 반드시 크게 형성한다. 이는 스크린 인쇄에서는 스크린 마스크(15)의 개구부의 폭(여기서는 설명을 이해하기 쉽게 하기 위해, 라인형으로 인쇄하는 것을 가정하여 폭으로 함)에 의해 잉크 도포 두께에 변동이 생기는 것을 본 발명자가 발견한 것에 의거하는 것으로, 자외광 차폐 수지막용 잉크의 도포 두께를 화소 분리 뱅크용 잉크의 도포 두께보다 두껍게 하고, 또한 양자를 동시에 도포하기 위해 자외광 차폐 수지막 전사용 개구 패턴(17)의 폭을 화소 분리 뱅크용 개구 패턴(16)의 폭보다 크게 한 것이다. 즉, 스크린 마스크(15)의 개구부의 폭이 일정 폭을 경계로, 그보다 커지게 되면 도포 두께는 일정하고, 그 폭보다도 작아지는 만큼 도포 두께가 감소하는 경향이 있다. 이 현상을 이용함으로써, 동일면 내에 있어서 동시에 막 두께가 다른 것을 형성할 수 있다.
또한, 이 라인 폭에 대한 도포 두께의 경향은 잉크의 재질과 스크린 판의 사양에 따라 다르다. 본 실시예에서는 화소 분리 뱅크용 잉크 재료 및 자외광 차폐 수지막용 잉크 재료로서, 센트럴 글래스 가부시끼가이샤제「스크린 인쇄용 폴리이미드 PP-2000」에, 시아이가세이 가부시끼가이샤의「흑색 초미립자 NanoTek Black-1」을 체적비 3 %의 농도로 혼입하여 광파장 300 ㎚ 내지 800 ㎚의 범위에 있어서 광투과율 0.05 % 이하이고, 빛을 거의 투과시키지 않는 상태의 것을 사용하였다. 또한, 스크린 마스크(15)에는 선 직경이 18 ㎛, 개구부의 치수가 33 ㎛, 개구 면적이 42 %인 500번 스테인레스 메쉬품에 가부시끼가이샤 도꾜 프로세스 서비스제의 용제 내성이 우수한 유제(제품명 : NSL)를 막 두께 30 ㎛로 형성한 것을 이용하였다.
상기한 잉크 재료와 상기 스크린 마스크(15)의 조합에서는 도포 라인 폭이150 ㎛를 초과하면 막 두께는 스크린 마스크(15)의 유제 두께와 대략 동등한 두께로 형성되고, 라인 폭이 150 ㎛보다 작아지는 만큼 도포 형성한 막 두께는 감소하여 라인 폭이 20 ㎛에서는 그 막 두께는 약 5 ㎛였다.
즉, 자외광 차폐 수지막용 개구 패턴(17)의 폭을 150 ㎛보다 크게 하고, 화소 분리 뱅크 전사용 개구 패턴(16)의 폭을 20 ㎛로 한 경우에서는 막 두께 30 ㎛로 이루어지는 자외광 차폐 수지막이 막 두께 5 ㎛로 이루어지는 화소 분리 뱅크와 동시에 형성 가능하다. 막 두께가 30 ㎛ 정도이면, 위치 결정하기 위한 안내로서의 효과를 충분히 얻는 것이 가능하다. 또한, 스크린 인쇄에 의해, 동시에 도포 두께가 다른 것을 전사하는 조건은 상기 잉크 재료와 상기 사양의 스크린 마스크에 한정되는 것은 아니다.
도6의 (a)에 도시한 바와 같이, 스크린 판(14)에 장착된 스크린 마스크(15)의 화소 분리 뱅크 전사용 개구 패턴(16)에 대해 제1 기판(1) 상에 형성된 캐소드 전극(6)의 위치를 맞추고, 제1 기판(1)을 기판 고정 테이블(19) 상에 적재하여 고정한다. 본 실시예에서는 기판 고정 테이블(19)에 미세한 진공화용 구멍이 마련되어 있고, 이 진공화용 구멍으로부터의 진공압을 이용하여 스크린 마스크(15)를 감압 흡착하여 고정한다. 다음에, 스크린 마스크(15) 상에 잉크(18)를 놓고, 헤드(13)에 의해 스키지(11)를 상승시키고 스크레퍼(12)를 하강시켜 스크린 마스크(15)에 밀착시킨 후, 스크레퍼(12)를 이동시켜 잉크(18)를 긁으면서 화소 분리 뱅크 전사용 개구 패턴(16)과 자외광 차폐 수지막 전사용 개구 패턴(17)에 잉크(18)를 충전한다. 도6의 (a)에 있어서는 우측으로부터 좌측으로 스크레퍼(12)를 움직이게 함으로써 달성된다.
다음에 도6의 (b)에 도시한 바와 같이, 헤드(13)로 스크레퍼(12)를 상승시키고 스키지(11)를 하강시켜 스크린 마스크(15)에 밀착시킨 후, 스키지(11)를 좌측으로부터 우측으로 움직이게 함으로써 화소 분리 뱅크 전사용 개구 패턴(16) 및 자외광 차단 수지막 전사용 개구 패턴(17)에 충전된 잉크(18)를 제1 기판(1) 상에 전사한다. 이에 의해, 화소 분리 뱅크(7)는 캐소드 전극(6)을 구획하는 위치에 형성된다. 이와 동시에 화소 분리 뱅크(7)보다 두껍고, 기판 사이의 위치 맞춤하기 위한 안내로서의 효과를 충분히 얻는 것이 가능한 막 두께의 자외광 차폐 수지막(20)이 제1 기판(1)의 표시 영역의 외주에 형성된다.
도7과 도8은 본 발명을 적용한 유기 EL 화상 표시 장치의 제조 방법의 제1 실시예를 설명한 공정도이다. 도7의 (a), (b)는 도8의 (c) 내지 (g)로 이어진다. 도7과 도8에 있어서, 참조 부호 21은 외부 단자, 22는 밀봉용 접착제, 도5 및 도6과 동일한 참조 부호는 동일 기능 부분에 대응한다. 본 실시예에서는, 우선 도7의 (a)에 도시한 바와 같이, 발광층을 형성하는 제1 기판(1)의 편측에 애노드 전극(6)과 외부 단자(21)를 형성한다. 본 실시예에서는, 밀봉관이 되는 제2 기판에는 제1 기판(1)과 동질의 유리 기판(코닝제「#1737」)을 이용하였다. 또한, 본 실시예에서는 종횡비 3 : 4의 공칭 15 인치 사이즈로 발광층을 형성하기 위해, 유리 기판의 사이즈는 발광층 사이즈보다 각 변에서 20 ㎜ 크게 하여 348 ㎜ × 267 ㎜로 하였다.
제1 기판(1)이 되는 유리 기판의 두께는 0.7 ㎜이다. 애노드 전극(6)은 투명한 도전성 재료 등을 이용한다. 이 재료로서는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), SnO2등이 있다. 또한, 외부 단자(21)는 도전율이 높은 재료가 바람직하고, Cr, Mo-Ta, Ta, Al, Cu 등을 사용할 수 있다. 본 실시예에서는, 애노드 전극(6) 및 외부 단자(21)는 제1 기판(1)의 표면에 스패터 처리로 도전재를 전체면 코트한 후, 노광 및 현상을 행하여 형성하였다. 또한, 애노드 전극(6)의 표면은 보다 평활한 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예에서는 애노드 전극(6)의 재료로서 면적 저항율 약 10 Ω/㎠ 이하의 ITO를 이용하였다. 외부 단자(21)는 애노드 전극(6)의 형성시에 동시에 ITO로 패턴 형성하고, 또한 도전율이 높은 재료를 이용하여 용장 배선을 형성함으로써 외부 단자의 저저항화와 단선 방지를 행할 수 있다.
다음에, 도7의 (b)에 도시한 바와 같이, 애노드 전극(6)과 외부 전극(21)이 상향이 되도록 제1 기판(1)을 기판 고정 테이블(19)에 유지하고, 도6에서 설명한 방법으로 화소 분리용 뱅크(7)와, 그보다 두꺼운 막 두께의 자외광 차폐 수지막(20)을 동시에 도포하여 형성하였다. 또한, 화소 분리용 뱅크(7) 및 자외광 차폐 수지막(20)의 재질은 동일한 것이고, 그 재료로서는 폴리이미드 페이스트, 머레이미드와니스, 폴리아미드 페이스트 등이 있지만, 형상 유지성으로부터 틱소성이 높은 것이 바람직하다. 또한, 폴리이미드에 한정되는 것은 아니고, 흡습성이 적어 가스의 발생이 적은 것이면 된다.
본 실시예에 있어서의 화소 분리용 뱅크(7) 및 자외광 차폐 수지막(20)의 상기 잉크는 전술한 바와 같이, 센트럴 글래스 가부시끼가이샤제의「스크린 인쇄용 폴리이미드 PP-2000」에, 시아이가세이 가부시끼가이샤제의「흑색 초미립자 NanoTek Black-1」을 체적비 3 %의 농도로 혼입하고, 광파장 300 내지 800 ㎚의 범위에 있어서 광투과율 0.05 % 이하이고, 빛을 거의 투과시키지 않는 상태의 것을 이용하였다. 이 잉크의 도포 후, 질소 분위기 속에서 상온으로부터 220 ℃까지 5 ℃/분의 속도로 승온시키고, 220 ℃에 이른 후, 60분 유지하여 경화시켰다. 또한, 스크린 마스크(15)에는 선 직경이 18 ㎛, 개구부의 치수가 33 ㎛, 개구 면적이 42 %인 500번 스테인레스 메쉬품에, 가부시끼가이샤 도꾜 프로세스 서비스제의 용제 내성이 우수한 스크린 마스크 형성용 감광성 수지로 이루어지는 유제(제품명 : NSL)를 이용하여 패턴을 형성한 것을 이용하였다.
본 실시예에서는 1화소의 표시 영역 사이즈는 세로 180 ㎛, 가로 80 ㎛이고, 그 피치는 세로 300 ㎛, 가로 100 ㎛이다. 화소 분리용 뱅크(7)는 표시 영역 이외에도 씌울 필요가 있으므로, 그 치수는 횡라인 폭 120 ㎛, 종라인 폭 20 ㎛가 되고, 횡라인의 피치는 300 ㎛, 종라인의 피치는 100 ㎛이다. 화소 분리 뱅크(7)의 형성 영역의 치수는 308 ㎜ × 231 ㎜의 공칭 15 인치의 대각 사이즈이고, 화소는 이 중에 횡방향으로 1024 × 3개(적색, 녹색, 청색의 3색분)의 합계 3072개, 종방향으로는 768개를 매트릭스형으로 배치하였다. 또한, 화소 분리 뱅크(7)의 두께는 발광층 및 홀 수송층 등의 각층의 형성 후의 원하는 두께와, 각 층의 적층 방식에 의해 결정된다. 본 실시예에서 이용한 발광재는 고분자계의 것이다.
또한, 발광 적층체의 구성은 애노드 전극/홀 수송층/발광층/캐소드 전극이다. 애노드 전극 및 캐소드 전극은 스패터 및 증착으로 형성하고, 홀 수송층과 발광층은 잉크젯법으로 도포하였다. 스패터 및 증착으로 형성하는 애노드 전극 및 캐소드 전극은 형성 직후로부터 막 두께는 크게 변동하지 않으며, 그 막 두께는 100 ㎚ 정도이다. 한편, 홀 수송층과 발광층은 잉크젯법으로 도포하기 위해, 용제로 희석한 재료 용액의 잉크를 이용한다. 그로 인해, 도포 직후와 용제가 휘발한 건조 후에는 막 두께가 크게 변동한다.
본 실시예에서는 홀 수송층 및 적색, 녹색, 청색의 발광층 모두 고형분 농도가 3 %로 희석된 것을 이용하여 건조 후의 막 두께를 각각 O.1 ㎛로 설계하고 있으므로, 도포 직후의 미건조 상태에 있어서의 막 두께는 3 ㎛이다. 용제로 희석한 잉크를 이용하여 잉크젯 등에 의해 층형성을 행하는 경우, 화소 분리 뱅크(7)의 두께는 희석한 잉크의 도포 직후의 막 두께에 의해 결정된다. 본 실시예에서는 홀 수송층 및 적색, 녹색, 청색의 발광층의 도포 직후의 막 두께가 3 ㎛이므로, 화소 분리 뱅크는 그보다 크게 막 두께 5 ㎛로 하였다. 라인 폭 20 ㎛에서 막 두께 5 ㎛로 도포할 때의 상기 스크린 마스크(15)의 패턴을 형성하는 유제의 두께는 30 ㎛이다.
또한, 상기한 바와 같이 라인 폭은 일정 폭을 경계로 스크린 인쇄에서는 도포 두께가 일정한 영역과, 라인 폭이 감소하고, 또한 도포 두께도 똑같이 감소하는 경향이 있다. 상기 화소 분리 뱅크 재료와 상기 스크린 마스크의 조합에서는 스크린 마스크의 개구부 폭이 150 ㎛를 경계로 스크린 마스크의 개구부 폭에 대한 도포 두께의 경향이 변화한다. 즉 폭 20 ㎛의 종라인과 폭 120 ㎛의 횡라인을 그 폭의개구부를 갖는 패턴으로 이루어지는 스크린 마스크로 형성하면, 폭 20 ㎛의 종라인은 막 두께 5 ㎛ 정도로 도포되지만, 폭 120 ㎛의 횡라인은 스크린판의 유제 두께에 가까운 25 ㎛ 정도의 막 두께로 도포어, 동일한 화소 분리 뱅크라도 종라인과 횡라인에서 막 두께에 큰 차이가 생긴다.
그래서 화소 분리 뱅크의 종라인과 횡라인의 막 두께를 일치시키기 위해 폭 120 ㎛의 횡라인은 폭 25 ㎛ 라인 3개를 공간 22.5 ㎛에서 배치한 패턴으로 분할함으로써, 폭 20 ㎛의 종라인보다도 두껍게 인쇄한 후, 잉크를 공간 영역으로 유동시켜 레벨링시킴으로써 공간을 메우고, 또한 종라인과 동일한 높이가 되도록 하였다.
자외광 차폐 수지막(20)의 막 두께는 제2 기판의 리브와의 위치 맞춤시의 안내 기능을 갖게 하기 위해 두꺼운 쪽이 바람직하다. 상기 스크린 마스크를 이용한 경우, 라인 폭의 크기에 막 두께가 영향을 받지 않는 라인 폭은 150 ㎛ 이상이므로 자외광 차폐 수지막(20)의 폭을 그 폭보다 크게 200 ㎛로 하고, 320 ㎜ × 243 ㎜와 324 ㎜ × 247 ㎜의 동심 상에 2중으로 발광층 형성 영역을 둘러싸도록 형성하였다. 또한, 본 실시예에서는 위치 맞춤 리브는 동심으로 내주 볼록부와 외주 볼록부로 이루어지는 동심 2중으로 형성하고 있다. 또한, 자외광 차폐 수지막(20)을 동심형으로 2중으로 형성하는 경우, 동심형 사이의 영역에도 자외광 차폐용 수지막용 잉크를 형성할 필요가 있다.
도9는 본 발명의 화상 표시 장치의 제조에 사용하는 스크린 마스크의 일구성예의 개요를 설명한 부분 평면도이다. 도9는 스크린 마스크의 코너 부분이다. 도9에 도시한 바와 같이, 스테인레스 메쉬(23)에 유제(24)로 패턴을 형성하고, 유제(24)가 형성되어 있지 않은 부분으로부터 잉크가 제1 기판에 인쇄된다. 도9에 도시한 바와 같은 스크린 마스크를 이용하여 제1 기판의 외주에 위치하는 자외광 차폐 수지막용 제1 패턴(외주의 볼록부)(25)과 내주에 위치하는 제2 패턴(내주의 볼록부)(26) 사이(공간 영역)에 이들 패턴에 대해 수직 방향으로, 상기 화소 분리용 뱅크(7)와 같은 폭 25 ㎛의 제3 패턴(직사각 패턴)(27A)을 45 ㎛ 피치로 전체 주위 인쇄한다.
이와 같은 스크린 마스크를 사용함으로써 잉크를 두껍게 인쇄한 후, 공간 영역으로 유동시켜 레벨링시킴으로써 상기 공간 영역에 양측보다도 얇은 두께로 잉크를 채워, 단면이 오목형인 자외광 차폐막(20)을 형성할 수 있다.
도10은 본 발명의 화상 표시 장치의 제조에 사용하는 스크린 마스크의 다른 구성예의 개요를 설명한 부분 평면도이다. 도10에 도시한 바와 같이, 제1 기판의 외주에 형성하는 자외광 차폐 수지막용 제1 패턴(25)과 내주의 제2 패턴(26) 사이에 이들 패턴에 평행한 방향으로 폭 25 ㎛의 제3 패턴(27B)(라인 패턴)을 45 ㎛ 피치로 전체 주위 형성할 수도 있다. 도9와 마찬가지로, 이 스크린 마스크를 사용함으로써, 잉크를 두껍게 인쇄한 후, 잉크를 공간 영역으로 유동시켜 레벨링시킴으로써 상기 공간 영역에 양측보다도 얇은 두께로 잉크를 채워, 단면이 오목형인 자외광 차폐 수지막(20)을 형성할 수 있다.
도11은 본 발명의 실시예에 사용하는 스크린 마스크의 또 다른 구성예의 개요를 설명한 부분 평면도이다. 도11에 도시한 바와 같이, 제1 기판의 외주에 형성하는 자외광 차폐 수지막용 제1 패턴(25)과 내주의 제2 패턴(26) 사이에 직경이 25㎛ 혹은 그 이상의 제3 패턴(도트 패턴)(27C)의 군을 전체 주위에 걸쳐서 형성할 수도 있다. 도9나 도10과 마찬가지로, 이 스크린 마스크를 사용함으로써 잉크를 두껍게 인쇄한 후, 잉크를 공간 영역으로 유동시켜 레벨링시킴으로써 상기 공간 영역에 양측보다도 얇은 두께로 잉크를 채워, 단면이 오목형인 자외광 차폐 수지막(20)을 형성할 수 있다.
또한, 스크린 마스크는 상기한 패턴에 한정되는 것은 아니고, 자외광 차폐 수지막이 되는 인쇄 잉크의 제1 패턴(25)과 내주의 제2 패턴(26) 사이에 메쉬형의 패턴, 그 밖의 불연속, 혹은 연속 패턴을 형성하여 인쇄된 잉크를 레벨링시킴으로써 공간 영역을 채워, 단면이 오목형인 자외광 차폐 수지막(20)을 형성할 수 있다.
다음에, 도8로 복귀하여 도8의 (c)에 도시한 바와 같이, 화소 분리 뱅크(7) 내에 발광층(8)을 형성한다. 또한 본 실시예에서는, 상기한 바와 같이 고분자계의 발광층을 이용하여 애노드 전극과 캐소드 전극에 협지된 발광층의 구성은 홀 수송층/발광층으로 하여, 각각 인접하는 화소 분리 뱅크 내에 도포하였다. 도포 방식으로서는, 스크린 인쇄법과 잉크젯법 등이 있고, 본 실시예에서는 잉크젯법을 이용하였다.
또한, 홀 수송층은 전색 공통으로 하고, 홀 수송 재료의 잉크로서는 도전성 고분자인 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)와 도펀트인 폴리스틸렌술폰산을 포함하는 수성 콜로이드 용액(Bayer사제의「BYTORON P-CH-8000」)을 이용하였다. 또한, 각 색을 발광하는 발광 재료의 잉크로서, 녹색은 Dow제 Green-K를 1, 2, 3, 4-테트라메틸벤젠으로 조합한 것, 적색은 Dow사제의「Red-F」를 1, 2, 3, 4-테트라메틸벤젠으로 조합한 것, 청색은 Dow사제의「Blue-C」를 1, 3, 5-트리메틸벤젠으로 조합한 것을 이용하였다. 또한, 본 실시예에서는 홀 수송층은 전색 공통으로 하였지만, 생산성은 떨어지나 각 색마다 재질과 막 두께를 바꾸어도 좋다.
다음에, 도8의 (d)에 도시한 바와 같이 제1 기판(1)의 소정의 화소 분리 뱅크(7)에 형성된 적색, 녹색, 청색의 각 발광층 상에 캐소드 전극(9)을 진공 증착법에 의해 형성한다. 본 실시예에서는 캐소드 전극(9)의 재료로서 Al/Ca를 이용하였다. 또한, 캐소드 전극으로서는, 일 함수가 작은 것이면 좋고, Al/Ca로 한정되는 것은 아니다.
다음에, 도8의 (e)에 도시한 바와 같이, 밀봉관이 되는 제2 기판(2)의 외주에 액연형으로 돌출되는 바와 같이 리브(3)를 형성하여 밀봉관(4)으로 하고, 리브(3)에 둘러싸인 영역을 제1 기판(1)의 표시 영역에 대향시켜 포갠다. 이와 같이 포갤 때에 제2 기판(2)의 외주에 액연형으로 형성한 리브(3)에 간섭하지 않는 영역 전체면에 흡착재(5)를 설치하였다. 본 실시예에서는 제2 기판(2)에 제1 기판(1)과 동질의 유리 기판(코닝샤제「#1737」)을 이용하였다. 이 유리 기판(1)의 판 두께는 0.7 ㎜이고, 치수는 328 ㎜ × 246 ㎜이다. 또한, 도3에서 설명한 바와 같이, 이 흡착재(5)는 유기재로 이루어지는 발광층으로부터 발생하는 가스나 다음 공정에서 밀봉관(4)과 제1 기판(1)을 포개어 밀봉재인 접착제를 이용하여 밀봉한 후에, 상기 밀봉재(접착제)를 관통하여 침입하는 외기나 수분을 흡착하기 위한 것이다.
본 실시예에서는 자외광 차폐 수지막(20)을 두께 30 ㎛로 형성하였으므로,제2 기판(2)에 갖는 리브(3)의 두께를 500 ㎛로 하였다. 자외광 차폐 수지막(20)의 형성 방식에는 스크린 인쇄 및 디스펜서에 의해 직접 그리는 방식 및 스핀너 등에 의해 전체면에 형성한 후, 노광 및 현상으로부터 주변 이외의 불필요한 부위를 제거하는 방식이 있다. 본 실시예에서는 스크린 인쇄를 이용하여 프레임형의 크기가 322 ㎜ × 245 ㎜로 인쇄하는 라인 폭을 1800 ㎛로 하고, 상기한 자외광 차폐 수지막의 내측 치수를 320 ㎜ × 243 ㎜, 외측 치수를 324 ㎜ × 247 ㎜로 하였다. 이에 대해 제2 기판에 갖는 리브(3)의 측면이 상기 자외광 차폐 수지막의 인쇄 라인의 내측과 외측의 양 쪽에 접촉하도록 하였다.
또한, 제2 기판(2)에 갖는 리브(3)의 재료로서는 제2 기판(2)의 표면과의 밀착성이 좋고, 흡습성이 적고, 가스 등의 발생이 적어 그 자신이 높은 밀봉 효과를 갖고, 밀봉관용 기판과의 경계면 및 그 자신이 외기 및 수분을 가능한 한 통과시키지 않는 것이 바람직하다. 또한, 제2 기판(2)에 갖는 리브(3)의 재료에는 자외광의 흡수가 적은 것을 이용함으로써 밀봉재이며 접착제에 자외광 경화 재료로 이루어지는 것을 이용한 경우, 제2 기판(2)측으로부터 자외광을 조사하여 접착제를 경화시킬 수 있다. 이는 외부 단자(21)에 의해 차광되는 부위가 생기는 제1 기판측으로부터의 조사보다도 균일하게 밀봉용 접착제에 자외광을 조사할 수 있어 밀봉용 접착제를 기판면 내에서 보다 안정되게 경화할 수 있다.
본 실시예에서는, 제2 기판(2)에 갖는 리브(3)에 스크린 인쇄용 투명 유전체 유리 재료를 이용하였다. 투명 유전체 유리 재료로서는 저온 소성형의 붕규산 유리계나 납 유리계를 사용할 수 있다. 본 실시예에서는, 니뽄덴끼 글래스 가부시끼가이샤제의 저온 소성형 붕규산 유리를 이용하였다.
다음에, 도8의 (f)에 도시한 바와 같이 자외광 차폐 수지막(20)의 내측과 외측에 둘러싸인 프레임형 홈(오목부) 내에 접착제(22)를 도포한다. 이 도포 방식으로서는 디스펜서, 스크린 인쇄가 있다. 본 실시예에서는 디스펜서를 이용하여 접착제(22)를 도포하였다. 또한, 본 실시예와 같이 제2 기판(2)에 갖는 리브(3)로 위치 맞춤을 행하는 기능도 갖는 자외광 차폐 수지막(20)의 단면 형상을 오목형으로 형성하고, 그 사이에 접착제(22)를 도포하는 방식을 취함으로써 점도가 낮은 접착제라도 자외광 차폐 수지막(20) 외에 상기 접착제가 유출되는 일이 없다.
이 접착제(22)의 재료로서는 자외광 경화형 재료, 열경화형 재료, 자외광 열경화형 재료가 있다. 자외광 경화형 재료 및 자외광 열경화형 재료를 이용한 경우, 자외광 조사시에 접착제에 가까운 부분의 유기 EL층에 자외광이 확산 조사되어 휘도 열화(수명 저하)가 생길 가능성이 있다. 또한, 열경화형 재료 및 자외광 열경화형 재료를 이용한 경우, 이를 100 ℃를 초과하는 온도로 경화시키면, 자외광의 경우와 마찬가지로 유기 EL층에 영향을 끼쳐 휘도 열화나 수명 저하가 생길 가능성이 있다. 본 실시예에서는 접착제(22)로서, 자외광 조사에 의해 제1차의 경화가 행해지고, 계속해서 80 ℃의 가열로 제2차 경화(본 경화)하는 자외광 열경화형 재료를 이용하였다. 자외광 열경화형의 접착제의 재료로서는 쓰리본드 가부시끼가이샤제「30Y-296G」를 이용하였다.
다음에, 도8의 (g)에 도시한 바와 같이, 제1 기판(1)과 밀봉관(4)을 구성하는 제2 기판(2)을 소정의 위치 관계로 포갠다. 이 포갬은 제1 기판(1)의 자외광차폐 수지막(20)의 오목부와 제2 기판(2)의 리브(3)와의 셀프 얼라인먼트 효과로 실현된다. 그 후, 제1 기판(1)에 갖는 표시 영역에 자외광이 누설되지 않도록 상기 표시 영역을 차폐하는 차폐 마스크를 제2 기판(2)의 상면에 적재하여 소요 부분을 충분히 차폐한 후, 제2 기판(2)측으로부터 자외광 UV를 조사하여 접착제(22)를 경화시킨다.
본 실시예에서는 제2 기판(2)측으로부터의 발광 적층체 형성 영역에의 자외광의 차폐는 이 차폐 마스크뿐만 아니라, 흡착재(5)에 의해서도 행할 수 있다. 또한, 오목형의 자외광 차폐 수지막(20)에 의해 제1 기판(1)의 유리판 내로의 자외광의 침입을 방지할 수 있으므로, 제1 기판(1) 내를 자외광이 산란하여 전파됨에 따른 유기 재료로 이루어지는 발광 적층체의 열화를 방지할 수 있다. 또한, 이 때 포개어진 밀봉관(4)과 제1 기판(1)은 제2 기판(2)의 리브(3)와 자외광 차폐 수지막(20)에 의해 면방향의 구속을 하지 않아도 서로 어긋나는 일은 없다.
계속해서, 80 ℃의 오븐 내에서 가열하여 접착제(22)를 제2차 경화(본 경화)시킨다. 또, 이들의 작업은 모두 불활성 가스인 질소 속에서 행하였다. 접착제(22)에 의해 접합된 부위는 자외광 차폐 수지막(20)의 오목부와 밀봉관(4)을 구성하는 제2 기판(2)에 설치한 리브(3)가 맞물려 있으므로, 동일한 접착제의 폭으로 양 기판을 평면끼리 접합하는 경우보다, 접착제의 접착 거리(폭)가 길어져 외기나 수분의 침입을 보다 양호하게 방지할 수 있다. 이렇게 하여 제조한 유기 EL 패널의 외부 단자(21)에 표시를 위한 전압이나 신호를 인가하거나, 혹은 구동 회로를 접속함으로써 화상 표시 장치를 조립한다.
(제2 실시예)
도12는 본 발명에 의한 화상 표시 장치의 제2 실시예를 설명한 유기 EL 패널의 주요부 단면 모식도이다. 도면 중, 상기 실시예의 도면과 동일한 참조 부호는 동일 기능 부분을 나타낸다. 본 실시예에서는 제1 기판(1)에 형성하는 자외광 차폐막을 2층으로 하고 있고, 제1 기판(1)에 하부 자외광 차폐 수지막(30)을 설치하고, 그 위에 동심형으로 2개의 자외광 차폐 수지막[20A(외주 볼록부에 상당)과 20B(내주 볼록부에 상당)]을 설치하였다. 본 실시예에서는 제2 기판(2)에 설치하는 리브(3)는 상기 제2 기판(2)을 구성하는 유리판을 블러스트 가공법 혹은 화학 엣칭법을 이용하여 성형하였다.
하부 자외광 차폐 수지막(30)은 화소 분리용 뱅크(7)와 동시에 상기 도6과 같은 인쇄법으로 형성한다. 이 하부 자외광 차폐 수지막(30) 상에 상기 화소 분리용 뱅크(7)와 하부 자외광 차폐 수지막(30)을 형성하는 스크린 마스크는 다른 스크린 마스크를 이용하여 자외광 차폐 수지막(20A, 20B)을 형성한다. 또한, 하부 자외광 차폐 수지막(30)의 재료(잉크)는 화소 분리용 뱅크(7) 및 자외광 차폐 수지막(20A, 20B)과 동일한 것을 이용한다. 하부 자외광 차폐 수지막(30)은 적어도 자외광 차폐 수지막(22A, 22B) 사이에 있는 공간 영역을 제1 기판(1)측으로부터 막는 위치에 형성한다.
본 실시예의 자외광 차폐 구조는 제1 기판(2)에 갖는 리브(3)를 자외광 차폐 수지막(20A, 20B) 사이에 형성된 큰 공간 영역에 결합하는 폭으로 형성할 수 있다. 즉, 제2 기판에 설치하는 리브(3)의 밀봉 폭을 크게 하는 것이 가능해진다. 하부자외광 차폐 수지막(30)은 공간 영역을 통해 제1 기판(1)에 통과하는 자외광을 저지한다. 이에 의해, 제1 실시예의 효과에다가 제1 기판(1)과 제2 기판(2)의 밀봉 거리가 더욱 커져 상기 밀봉부로부터의 가스나 수분의 침입을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
(제3 실시예)
도13은 본 발명에 의한 화상 표시 장치의 제3 실시예의 구성을 설명한 유기 EL 패널의 주요부 단면 모식도이다. 도면 중, 도12와 동일한 참조 부호는 동일 기능 부분을 나타낸다. 본 실시예에서는 도12와 같은 구조를 갖는 제2 기판(2)을 이용하여 제1 기판(1)에 형성하는 하부 자외광 차폐 수지막(30)을 화소 분리 뱅크(7)에 가까운 곳까지 형성하였다. 이에 의해, 접착제(22)의 경화시에 제2 기판(2)측으로부터 누출되는 자외광은 하부 자외광 차폐 수지막(30)에서 흡수되어 발광 적층체를 자외광으로부터 보호할 수 있다. 다른 효과는 제2 실시예와 마찬가지이다.
(제4 실시예)
도14는 본 발명에 의한 화상 표시 장치의 제4 실시예의 구성을 설명한 유기 EL 패널의 주요부 단면 모식도이다. 도면 중, 도12 및 도13과 동일한 참조 부호는 동일 기능 부분을 나타낸다. 본 실시예는 제2 기판(2)의 내면에 상부 자외광 차폐 수지막(32)을 형성하고, 이 위에 흡착재(5)를 설치하였다. 제1 기판(1)의 구성은 도12와 마찬가지이다. 제2 기판(2)에 상부 자외광 차폐 수지막(32)을 설치한 것으로, 접착제(22)의 경화를 위해 제2 기판(2)측으로부터 조사되는 자외광이 화소 영역으로 침입하는 것을 더욱 효과적으로 저지할 수 있다. 다른 효과는 도12와 마찬가지이다.
(제5 실시예)
도15는 본 발명에 의한 화상 표시 장치의 제5 실시예의 구성을 설명한 유기 EL 패널의 주요부 단면 모식도이다. 도면 중, 도12 및 도13과 동일한 참조 부호는 동일 기능 부분을 나타낸다. 본 실시예는 제2 기판(2)에 설치하는 리브(3)를 상기 제2 기판(2)과는 다른 프레임형 부재로 구성하고, 이를 제2 기판(2)의 외주에 적절한 고정 부착 수단으로 고정 부착하여 밀봉관으로 하였다. 다른 구성은 도14와 마찬가지이다. 리브(3)의 재료는 자외광을 투과하는 것이면 좋고, 투명한 저열팽창 저융점 유리 재료(비정질 실리카 붕규산 유리계, 유클리프타이트-납 유리계 등)나 실리카 분산형 투명 폴리이미드 재료 등을 사용할 수 있다. 본 실시예에 의해서도 도14와 같은 효과를 얻을 수 있다. 또한, 도14와 도15에 있어서의 하부 자외광 차폐 수지막(30)을 도13과 마찬가지로 화소 분리 뱅크(7)의 부근까지 연장하여 설치할 수도 있다.
(제6 실시예)
도16은 본 발명의 제6 실시예를 설명한 유기 EL 패널의 제1 기판의 주요부 모식 단면도이다. 본 실시예에서는 제1 기판(1)의 주연에 설치하는 자외광 차폐 구조로서 금속 차폐막(34)과 잉크의 인쇄에 의한 자외광 차폐 수지막(20)을 채용하였다. 잉크의 인쇄로 형성하는 자외광 차폐 수지막(20)의 단면 형상은 오목형이다. 제1 기판(1)의 외주에 외부 단자(21)가 있는 것을 고려하여 상기 금속 차폐막(34)의 하층에 절연층(33)을 개재시켰다. 금속 차폐막(34)은 자외광의 차폐가 가능한 것이면 좋고, 본 실시예에서는 밀봉 영역 이외를 마스크로 씌우고, Al을 150 ㎚ 정도의 두께로 증착하여 금속 차폐막(34)으로 하였다. 또한, 절연층(33)은 SiO2를 소정의 위치에 CVD법으로 100 ㎚ 정도의 두께로 형성하였다.
또한, 자외광 차폐 수지막(20)의 단면 형상을 상기와 같은 오목형으로 하는 것에 한정되지 않으며, 상기 도12 내지 도15에서 설명한 바와 같은 동심형으로 함으로써 상기 각 실시예와 같은 효과를 얻을 수 있다.
도17은 도16에 나타낸 본 발명의 제6 실시예의 제1 기판에 화소 분리 뱅크와 자외광 차폐 수지막을 형성하는 공정의 설명도이다. 도17의 (a)는 도7의 (a)에 도시한 것과 같은 제1 기판(1)의 외부 단자(21) 상에 절연층(33)을 거쳐서 금속 차폐막(34)을 형성한 상태를 나타내는 단면도, 도17의 (b)는 도17의 (a)의 제1 기판(1)에 화소 분리 뱅크와 자외광 차폐 수지막을 형성하는 공정의 설명도이다.
외부 단자(21) 상에 절연막(33)과 금속 차폐막(34)을 형성한 도17의 (a)에 도시한 제1 기판(1)을 도17의 (b)의 기판 고정 테이블(19)에 적재하여 고정한다. 고정 수단은 도7에서 설명한 것과 마찬가지이다. 이 위에 스크린판(14)으로 지지된 스크린 마스크(15)에 의해 화소 분리 뱅크(7)와 자외광 차폐 수지막(20)을 형성한다. 스크린 마스크(15)에 갖는 자외광 차단 수지막 전사용 개구 패턴(17)의 개구 영역은 화소 분리 뱅크용 개구 패턴(16)의 개구 영역보다 반드시 크게 형성한다. 자외광 차폐 수지막용 잉크의 도포 두께를 화소 분리 뱅크용 잉크의 도포 두께보다 두껍게 하고, 또한 양자를 동시에 도포하기 위해 자외광 차폐 수지막 전사용 개구 패턴(17)의 폭을 화소 분리용 개구 패턴(16)의 폭보다 크게 하였다.
도18은 도17의 공정에서 화소 분리 뱅크 및 자외광 차폐 수지막을 형성한 제1 기판을 이용하여 유기 EL 패널을 제조하는 공정도이다. 도18의 (a)에 도시한 바와 같이, 화소 분리 뱅크(7) 및 자외광 차폐 수지막(20)을 형성한 제1 기판(1)이 인접하는 화소 분리 뱅크(7) 사이에 발광층(8)을 형성한다. 계속해서, 발광층(8) 상에 캐소드 전극(9)을 형성한다[도18의 (b)].
한편, 리브(3)와 흡착재(5)를 갖는 제2 기판(2)으로 구성한 밀봉관(4)을 준비한다[도18의 (c)]. 제1 기판(1)의 자외광 차폐 수지막(20)의 오목부에 접착제(22)를 도포하고[도18의 (d)], 밀봉관(4)의 제2 기판(2)의 주연에 갖는 리브(3)를 제1 기판(1)의 자외광 차폐 수지막(20)의 오목부에 결합하고, 결합 간극에 개재 삽입된 접착제(22)에 자외광 UV를 조사하여 경화시킨다[도18의 (e)].
본 실시예에서는 금속 차폐막(34)에 의한 자외광의 차폐뿐만 아니라, 또한 단면 형상이 오목형인 자외광 차폐 수지막(20)을 형성하고 있으므로, 자외광 차폐 수지막(20)만의 경우에 비해 자외광의 차폐가 완전한 것이 된다. 본 실시예의 금속 차폐막을 병용한 자외광 차폐 구조에 있어서의 자외광 차폐 수지막(20) 대신에, 도12 내지 도15에서 설명한 하부 자외광 차폐 수지막과 자외광 차폐 수지막의 조합을 채용해도 본 실시예와 동등 이상의 양호한 결과를 얻을 수 있다.
이상의 설명에서는 제1 기판에 형성된 유기 EL층의 구성재를 자외광으로부터 보호하는 것으로 하고 있지만, 본 발명의 구성은 이 외에 표시 영역에 설치한 박막 트랜지스터 등의 액티브 소자(이하, 박막 트랜지스터로서 설명함)를 구성하는 반도체층이 접착제 경화를 위해 조사하는 자외광으로부터 보호하는 효과도 갖는다. 밀봉 영역의 내부에 갖는 개개의 화소 선택을 위한 박막 트랜지스터, 혹은 이 밀봉 영역의 내부에 박막 트랜지스터를 구비한 구동 회로를 직접 실장한 유기 EL 패널을 구비한 화상 표시 장치에 대해, 상기 실시예 중 어느 한 구성으로 함으로써 상기한 박막 트랜지스터를 자외광으로부터 보호할 수 있다.
따라서, 본 발명은 유기 EL 패널에 한정되지 않고, 액정 패널, 플라즈마 패널, 그 밖의 액티브 매트릭스형의 표시 패널을 이용한 화상 표시 장치에 적용하여 같은 효과를 얻을 수 있다.
도19는 유기 발광층을 설치하는 제1 기판에 형성되는 박막 트랜지스터의 구성예를 설명한 주요부 모식 단면도이다. 박막 트랜지스터는 유리판으로 이루어지는 제1 기판(1) 상에 올가노 실리콘 나노클러스터를 도포하는 공정과, 이 올가노 실리콘 나노클러스터를 산화시켜 기초막인 산화실리콘막(SiO2)(35)을 형성하는 공정과, 소스 영역과 드레인 영역 및 그들에 협지된 채널 영역을 갖는 아일랜드형의 폴리실리콘막(36)을 형성하는 공정과, 이 폴리실리콘막(36) 상에 게이트 절연막(37)을 형성하는 공정과, 채널 영역 상에 게이트 절연막(37)을 거쳐서 게이트 전극(38)을 형성하는 공정을 경유하여 형성된다.
여기서, 올가노 실리콘 나노클러스터라 함은, 유기 용제에 녹을 수 있고, 밴드 갭이 3 eV 내지 1.2 eV인 유기 실리콘 화합물을 의미하고, 테트라할로겐화실란과 유기할로겐화물을 알칼리 금속 혹은 알칼리 토류 금속 존재 하에서 반응시키고,또한 불산으로 처리함으로써 얻을 수 있다. 테트라할로겐화실란의 일부를 트리할로겐화실란 또는 디할로겐화실란으로 바꾸어도 좋다.
이렇게 얻게 된 올가노 실리콘 나노클러스터는, 탄화수소, 알코올, 에테르, 방향족 용제, 극성 용매 등 일반적인 유기 용매에 녹을 수 있다. 또한, 합성의 마지막에 불산 처리를 행함으로써, 반응계 속의 산소나 물, 정지재로부터 실리콘 나노클러스터 속으로 도입되어 있는 산소 원자를 배제할 수 있다. 이들의 산소 원자는, 실리콘 박막을 얻고자 하는 경우에는 실리콘 산화막 생성의 원인이 되어 바람직하지 않다. 불산 처리를 행함으로써, 산소 원자를 포함하지 않는 실리콘 박막 전구체로서의 실리콘 나노클러스터를 얻을 수 있다.
올가노 실리콘 나노클러스터의 박막은 적절하게 선택된 용제 속에 올가노 실리콘 나노클러스터를 용해한 용액으로부터 스핀 코트법, 디핑법 등 습식법에 의한 일반적인 박막 형성법으로 얻을 수 있다. 성막한 올가노 실리콘 나노클러스터를 실질적으로 산소가 존재하지 않는 분위기 또는 환원성 분위기 속에서 가열 또는 자외광 조사하면 실리콘 박막을 얻을 수 있고, 산화성 분위기에서 가열 또는 자외광 조사함으로써 산화실리콘 박막을 얻을 수 있다. 상기한 가열과 자외광 조사를 조합해도 좋다. 또한 실질적으로 산소가 존재하지 않는 분위기 또는 환원성 분위기 속에서 레이저 조사함으로써 실리콘 박막을 얻는 것도 가능하다.
이 올가노 실리콘 나노클러스터를 전구체로 하는 산화실리콘막 상에 박막 트랜지스터를 형성한다. 전술한 바와 같이, 올가노 실리콘 나노클러스터는 테트라할로겐화실란이 원료이고, 올가노 실리콘 나노클러스터를 전구체로 하는 산화실리콘막은 할로겐을 포함한다. 할로겐에는 나트륨 이온, 칼륨 이온 등을 편석시켜 포획, 게터시키는 효과가 있고, 유리판인 제1 기판(1)으로부터의 박막 트랜지스터에의 불순물 확산을 효과적으로 방지한다. 또한, 불순물 확산 방지를 위해서는 산화실리콘막 두께가 두꺼울수록 그 효과는 크다. 올가노 실리콘 나노클러스터는 스핀 코트로 성막이 가능하고, 대면적의 두께막 형성이 용이하고, 불순물에 의한 임계치 변동을 억제할 수 있어 휘어짐이나 균열은 발생하지 않는다. 따라서, 본 발명은 대면적의 유리 기판을 이용한 유기 EL 패널 등을 이용한 화상 표시 장치의 제조에 매우 유용하다.
또한, 올가노 실리콘 나노클러스터를 산화시키는 공정과, 산화시키지 않고 실리콘 박막으로 하는 공정을 적절하게 조합하여 아일랜드형 실리콘 층과 그 주위를 둘러싸도록 산화실리콘막을 형성하는 것이 가능하고, 아일랜드형 반도체층 단부의 단차를 감소한 구조를 실현할 수 있어 게이트 절연막의 박막화에 의한 절연 내압의 저하를 방지할 수 있다. 게다가, 이 기술은 반도체층을 형성한 후, 노광, 현상, 엣칭이라는 종래의 아일랜드형 반도체층 형성법보다도 적은 공정수로 아일랜드형 반도체층 과 그 주위의 절연막을 형성할 수 있으므로 제조 비용을 삭감하는 것이 가능하다.
본 실시예에 관한 박막 트랜지스터는 표면이 절연성인 제1 기판(1) 상에 설치된 산화실리콘막(35)과, 주표면 및 단부면을 갖는 복수의 아일랜드형 폴리실리콘 반도체층(36)과, 이 폴리실리콘 반도체층(36) 속에, 소스 영역, 드레인 영역 및 그들에 협지된 채널 영역을 갖고, 아일랜드형 폴리실리콘 반도체층(36)의 단부면과만접촉하는 산화실리콘막(35) 상의 제1 절연막(게이트 절연막)(37)과, 아일랜드형 폴리실리콘 반도체층(36)과 게이트 절연막(37)을 씌우는 제2 절연막(층간 절연막)(42)과, 채널 영역 상에 층간 절연막(42)을 거쳐서 형성된 게이트 전극(38)과, 소스 영역 및 드레인 영역과, 소스 영역 및 드레인 영역과 접촉하는 소스 전극(43) 및 드레인 전극(44)을 구비한 구조를 이루고 있고, 상기한 산화실리콘막은 할로겐 원소를 포함하도록 하였다.
아일랜드형 폴리실리콘 반도체층(36)과 게이트 절연막(37)은 단부면만이 접촉하므로 단차가 적어, 게이트 절연막(37)의 박막화에 의한 절연 내압의 저하를 방지할 수 있다. 그리고, 산화실리콘막은 할로겐 원소를 포함하므로 제1 기판(1)으로부터 게이트 산화막에의 불순물의 확산 침입을 효과적으로 방지할 수 있다.
여기서, 올가노 실리콘 나노클러스터 용액의 제작 방법을 설명한다. 둥근 바닥 플라스코에 알칼리 금속으로서, 칩형 Mg 금속(64 mmol)을 넣어 진공 하 120 ℃에서 가열하여 활성화하고, 이를 냉각 후, 상기한 반응계를 질소 분위기로 하여 탈수 테트라히드로플란(THF)을 가한다. 이를 0 ℃에 있어서 초음파를 조사(60 W)하면서 테트라클로로실란(16 mmol)을 가하여 반응시킨다. 2.5 시간 반응시킨 후, 생성된 흑갈색 반응액에, tert-부틸브로마이드(16 mmol)를 반응시킨다. 1 시간 반응시킨 후, 반응액의 온도를 50 ℃로 하여, 다시 0.5 시간 반응시킨다. 이 반응액을 증류수 속에 적하하여 여과법에 의해 불용분을 회수한다. 회수한 불용분을 47 % 불산 속에 분산시키고, 30분간 교반 반응시켜 여과에 의해 다른 불용분을 얻는다. 톨루엔을 용매로 하여 이 불용분의 16 중량 % 용액을 조제하여 올가노 실리콘 나노클러스터 용액으로 한다.
다음에, 박막 트랜지스터를 제1 기판(1)에 구성하는 방법을 도19를 참조하여 설명한다. 제1 기판(1)은 왜곡점 670 ℃의 무알칼리 유리이고, 그 사이즈를 348 ㎜ × 267 ㎜로 하였다. 이 제1 기판(1) 상에, 막 두께가 500 ㎚가 되도록 회전수를 조정한 스핀 코트법을 이용하여 올가노 실리콘 나노클러스터 용액을 도포하여 핫플레이트 상에서 80 ℃로 1분간 건조시킨다. 그 후, 산소 분위기 속에서 500 W 초고수은 램프를 이용하여 자외광을 3분간 조사하여 산화실리콘(SiO2)막(35)을 얻는다. 또한, 플라즈마 CVD법에 의해 아몰퍼스 실리콘층을 50 ㎚ 퇴적한다. 다음에, XeCl 엑시머 레이저를 조사하여 아몰퍼스 실리콘층을 결정화하여 폴리실리콘막을 얻는다.
다음에, 공지의 포토 엣칭 공정에 의해 폴리실리콘막을 패터닝하여 아일랜드형 폴리실리콘 반도체막(36)을 얻는다. 그 후, 플라즈마 CVD법에 의해 게이트 절연막(37)이 되는 SiO2막을 70 ㎚ 두께로 퇴적하고, 다시 스퍼터링법에 의해 Nb를 250 ㎚ 두께로 퇴적한다. 공지의 포토 엣칭 공정에 의해 Nb를 패터닝하여 게이트 전극(38)을 형성한다.
다음에, N채널 박막 트랜지스터(50)의 형성을 위해, 아일랜드형 폴리실리콘 반도체막(36)에 이온 투입을 행하여 고저항 N형 폴리실리콘층(39)을 형성한다. 그 후, 저저항 N형 폴리실리콘층(40)을 형성한다. 한편, P채널 박막 트랜지스터(51)의 형성을 위해, 이온 주입을 이용하여 저저항 P형 폴리실리콘층(41)을 형성한다.고저항 폴리실리콘층의 시트 저항치로서는 20 ㏀ 내지 100 ㏀이, 저저항 폴리실리콘층의 시트 저항치로서는 500 Ω 내지 10000 Ω이 바람직한 범위이다. 또한, 전체를 씌우도록 SiO2로 이루어지는 층간 절연막(42)이 형성되고, 층간 절연막(42)에 설치한 콘택트 관통 구멍을 거쳐서 Ti/Al/Ti의 3층 금속막으로 이루어지는 소스 전극(43), 드레인 전극(44) 및 주사선(게이트선)이나 데이터선(드레인선) 등의 소요의 배선이 형성된다. 여기서, 3층 금속막을 이용한 것은 저저항 폴리실리콘층과 Al과의 콘택트 저항 및 화소 전극(ITO)(46)과 Al과의 콘택트 저항을 저감하기 위해서이다.
소스 전극(43), 드레인 전극(44) 및 소요의 배선의 패터닝 후, 전체를 씌우도록 Si3N4로 이루어지는 막 두께 500 ㎚의 보호 절연막(45)을 형성한다. 또한, 보호 절연막(45)에 마련한 콘택트 관통 구멍을 거쳐서 화소 전극(ITO)(46)과, 화상 표시부의 N채널 박막 트랜지스터(50)의 소스 전극(43)이 콘택트되어 있다.
기초막[산화실리콘막(35)] 형성시의 실리콘 나노클러스터의 산화는 가열법을 이용해도 좋고, 혹은 자외광 조사법과 가열법의 조합이라도 좋다. 이 경우, 자외광 조사는 작업 처리량의 향상에, 또한 가열은 막의 치밀화 등 막질의 개선에 효과적이다. 또한, 기초막으로서는 산화실리콘막뿐만 아니라, 산화실리콘과 얇은 질화실리콘과의 적층막을 이용해도 좋다. 질화실리콘을 버퍼층으로서 이용하면, 유리 기판 내의 불순물이 게이트 절연막 속으로 확산 침입하는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
아몰퍼스 실리콘의 결정화법은 열 어닐(anneal)에 의한 고상 성장법이라도 좋고, 열 어닐과 레이저 어닐의 조합이라도 좋다. 게이트 절연막은 올가노 실리콘 나노클러스터의 산화막이라도 좋다. 막 속의 할로겐 작용에 의해 나트륨, 칼륨 등의 작용이 억제된다. 또한, 층간 절연막이나 보호막 등의 각종 절연막의 퇴적 방법은 플라즈마 CVD법 등 공지의 퇴적법이라도 좋다. 또한, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극의 전극 재료는 Al, Ti, Ta 등 공지의 전극 재료라도 좋다.
또한, XeCl 엑시머 레이저를 조사하기 전에, 진공 조건 하(1 × 10 - 5 torr)에서 500 ℃로 1 시간 가열하지만, 이 공정은 실질적으로 산소가 존재하지 않는 분위기 또는 환원성 분위기에서 자외광 조사를 해도 좋고, 양자를 조합해도 좋다. 자외광 조사는 작업 처리량의 향상에, 가열은 막의 치밀화 등 막질의 개선에 효과적이다. 또한, 이 공정을 생략하여 실질적으로 산소가 존재하지 않는 분위기 또는 환원성 분위기에서 레이저 조사를 하여 결정화해도 좋다. 이 경우, 프로세스가 간략화되므로 제조 비용을 삭감할 수 있다.
또한, 올가노 실리콘 나노클러스터의 산화법은 산화성 분위기에서의 가열이라도 좋다. 이 경우, 산화 전에 아일랜드형 반도체층을 형성해 두는 것이 바람직하다. 아일랜드형 반도체층 형성 후의 열처리에 의해 치밀한 막을 얻을 수 있다. 다른 제조 방법으로서, 아일랜드형 반도체층이 되는 부분을 마스크로 씌워 산화 분위기 속에서 가열함으로써 아일랜드형 반도체층과, 그 주위의 절연막을 동시에 형성하는 방법도 제조 프로세스 간략화에 유효하다. 또한, 마스크를 제거하여 자외광 또는 레이저 조사에 의해 반도체층의 막질이 개선된다.
스핀 코트법에 의해 올가노 실리콘 나노클러스터를 성막한 후, 산화실리콘막 또는 비단결정 실리콘막을 형성하므로 대형 기판을 이용한 프로세스에 유효하다. 또한, 올가노 실리콘 나노클러스터로 형성된 산화실리콘막은 할로겐 원소를 포함하므로, 유리 기판 내 불순물에 의한 박막 트랜지스터 특성의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 아일랜드형 반도체층 단부의 단차를 감소시킨 구조를 실현할 수 있으므로, 게이트 절연막의 박막화에 의한 절연 내압의 저하를 방지할 수 있다. 이 기술은 종래의 노광, 현상, 엣칭이라는 아일랜드형 반도체층 형성법에 비해 노광 및 가열, 또는 노광만하는 등 종래의 방법보다도 적은 공정수로 아일랜드형 반도체층과 그 주위의 절연막을 형성할 수 있어 제조 비용을 삭감하는 것이 가능하다. 또한, 아일랜드형 반도체층 및 그 주위의 절연막은 할로겐 원소를 포함하므로, 유리 기판 내로부터 게이트 절연막 속으로의 불순물 확산 침입에 의한 박막 트랜지스터 특성의 열화를 방지할 수 있다.
상기한 본 발명의 박막 트랜지스터의 제조에서는 종래의 CVD법 대신에 스핀 코트법을 이용하므로 성막시의 전력을 삭감할 수 있다. 따라서, 신뢰성이 높고, 저렴한 액정 표시 장치를 제공할 수 있다. 물론, 비단결정 실리콘 박막의 제조 방법을 종래의 CVD법으로부터 본 발명의 스핀 코트법으로 변경하는 것만으로도 대형 기판 상에 균일한 성막이 가능, 성막시의 전력 삭감 등의 이점으로부터 제조 비용을 삭감할 수 있어 저렴한 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.
상술한 성막법에 있어서, 스핀 코트법에 의해 올가노 실리콘나노클러스터를성막한 후, 실질적으로 산소가 존재하지 않는 분위기 또는 환원성 분위기에서의 자외광 조사를 행해도, 또한 가열을 실시해도 좋다. 또는, 양자를 조합해도 좋다. 자외광 조사는 처리량의 향상에, 가열은 막의 치밀화 등 막질의 개선에 효과적이다. 자외광 조사 또는 가열한 후, 다시 레이저 조사를 행하면 실리콘의 결정성이 개선되어 박막 트랜지스터의 특성이 향상된다. 또한, 자외광 조사 또는 가열이라는 공정을 생략하여 실질적으로 산소가 존재하지 않는 분위기 또는 환원성 분위기에서 레이저 조사를 하여 결정화해도 좋다. 이 경우, 프로세스가 간략화되므로 제조 비용을 삭감할 수 있다. 본 발명의 화상 표시 장치에 있어서의 박막 트랜지스터의 제조 방법은 상기한 실시예에 한정된 것은 아니고, 종래의 액정 패널 등에 사용되고 있는 것이라도 상관없다.
상기한 박막 트랜지스터를 제1 기판의 화소 영역에 갖는 유기 EL 패널에 있어서, 밀봉관이 되는 제2 기판을 위치 맞춤하여 주변에 있는 밀봉 영역에서 접착제를 이용하여 밀봉한다. 이 때, 밀봉 영역에 상당하는 외주에 액연형으로 자외광을 차폐하는 자외광 차폐 수지막을 설치함으로써, 밀봉용 접착제의 자외광에 의한 경화시에 유기 재료로 이루어지는 발광 적층체를 자외광으로부터 보호할 수 있다. 즉, 밀봉용 접착제를 자외광으로 경화할 때, 자외광 차폐 수지막에 의해 상기 자외광이 제1 기판 내에서 산란하거나, 혹은 제1 기판 내를 전파하여 발광 적층체에 도달하는 일이 없으므로 상기 발광 적층체의 특성 열화를 방지할 수 있다.
또한, 화소 분리용 뱅크와 동시에 형성되는 자외광 차폐 수지막을 동심의 볼록부를 액연형으로 형성하여 화소 영역을 주회하는 상기 액연형의 주회 방향 중앙에 오목부를 마련하고, 이 오목부에 제2 기판에 갖는 리브를 결합시킴으로써 양 기판의 위치 맞춤이 용이해진다. 즉, 자외광 차폐 수지막의 오목부가 제2 기판의 리브의 위치 맞춤 안내 부재가 되어, 양 기판을 용이하고 또한 정밀도가 양호하게 포갤 수 있다. 또한, 이 밀봉 구조로 함으로써 접착제에 의한 접착 거리를 크게 할 수 있으므로, 보다 확실한 기밀 밀봉이 가능해진다.
도20은 유기 EL 패널의 1화소의 구성예를 설명한 회로도이다. 1화소는 도19에서 설명한 박막 트랜지스터를 갖는다. 데이터선 DL(m + 1)과 주사선 GL(n + 1), GL(n) 및 전류 공급선(CSL)으로 둘러싸인 영역에 형성된다. 여기서는, 현재 주사되어 있는(선택되어 있는) 주사선을 GL(n + 1)로서 설명한다. 주사선 GL(n + 1)로 선택되어 있는 복수의 화소 중, 화소 PX에 착안한다. 액티브 소자인 제1 박막 트랜지스터(TFT1)는 스위칭 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터(TFT2)는 드라이버 트랜지스터이다. 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 게이트는 주사선 GL(n + 1)에 접속되고, 그 드레인은 데이터선 DL(m+1)에, 소스는 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 게이트에 접속되어 있다.
제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 드레인 전극은 전류 공급선(CSL)에 접속되어 있다. 그리고, 그 소스 전극은 유기 EL 소자(OLED)의 애노드 전극(AD)에 접속되어 있다. 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 소스와 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 게이트 전극의 접속점에는 데이터 신호 유지 소자로서의 콘덴서(CPR)의 한 쪽 단자가 접속되고, 다른 쪽 단자는 직전의 주사선 GL(n)에 접속되어 있다.
제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 소스 전극과 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 게이트 전극의 접속점에 접속되는 콘덴서(CPR)의 한 쪽 단자는 +극이고, 주사선 GL(n)에 접속되는 다른 쪽 단자는 -극이다. 또한, 유기 발광 소자(OLED)는 애노드 전극(AD)과 캐소드 전극(CD) 사이에 유기 발광층을 협지한 구성이고, 애노드 전극(AD)은 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 소스 전극에 접속하고, 캐소드 전극(CD)은 전체 화소에 걸쳐서 전체 형성되어 있다.
제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 턴 온으로 콘덴서(CPR)에 기록되고, 전하량으로서 유지된 데이터 신호는 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 턴 오프에 수반하는 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 턴 온으로 전류 공급선(CSL)으로부터의 전류를 상기 콘덴서(CPR)에 유지된 전하량(데이터 신호의 계조를 나타냄)으로 제어된 전류량으로서 유기 발광 소자(OLED)로 흐르게 한다. 유기 발광 소자(OLED)는 공급되는 전류량에 대략 비례한 휘도이고, 또한 상기 유기 발광 소자(OLED)의 유기 재료에 의존한 색으로 발광한다.
컬러 표시의 경우는, 통상은 적색, 녹색, 청색의 화소마다 유기 발광층의 재료를 바꾸거나, 혹은 백색의 유기 발광층 재료와 각색의 컬러 필터의 조합을 이용한다. 또한, 데이터 신호를 부여하는 방법은 아날로그량, 혹은 시분할의 디지털량이라도 좋다. 또한, 계조 제어는 적색, 녹색, 청색의 각 화소의 면적을 분할한 면적 계조 방식을 조합해도 좋다.
도21은 본 발명의 화상 표시 장치를 탑재한 전자 기기의 일예로서의 텔레비전 수상기의 외관도이다. 참조 부호 DSP는 표시부, STD는 스탠드부이다. 표시부(DSP)에는 상기 실시예 중 어느 한 구성을 갖는 화상 표시 장치가 실장되어있다. 또한, 퍼스널 컴퓨터나 각종 모니터에 본 발명의 화상 표시 장치를 실장할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 제1 기판의 외주에 액연형으로 동심의 볼록부로 형성한 자외선 차폐 수지막의 오목부를 마련하고, 이 오목부에 제2 기판의 주연에 갖는 리브를 결합시켜 접착제를 거쳐서 양 기판을 밀봉하므로, 접착제를 경화하는 자외광으로부터 표시 영역에 갖는 유기 재료로 이루어지는 발광 적층체, 혹은 액티브 소자를 구성하는 반도체층의 열화를 방지할 수 있다. 또한, 제1 기판에 화소 분리용 뱅크와 동시에 자외광 차폐 수지막(혹은, 자외광 차폐 수지막과 금속 차광막)을 형성하므로, 발광 적층체를 형성하는 영역에 대해 제2 기판의 리브를 위치 어긋나게 하는 일 없이 접합할 수 있어 고정밀도의 밀봉과 접착제에 의한 고신뢰성의 기밀 밀봉을 실현할 수 있다.
본 발명에 따른 실시예가 도시되고 설명된 바와 같이, 개시된 실시예는 본 발명의 범위 내에서 변경과 수정이 가능하다는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 본 명세서에서 도시되고 설명된 세부사항 실시예로 국한되지 않고, 청구범위의 범주 내의 모든 변경과 수정까지도 포함한다.

Claims (15)

  1. 액티브 소자를 갖는 다수의 화소를 매트릭스형으로 배치한 표시 영역을 갖는 광투과성의 제1 기판과, 상기 제1 기판에 대향하여 상기 표시 영역의 외주에 위치하는 액연형의 밀봉 부분에 밀봉용 접착제를 개재시켜 밀봉한 광투과성의 제2 기판을 갖는 화상 표시 장치이며, 상기 밀봉 부분에 있어서의 상기 제1 기판과 상기 접착제 사이에 자외광을 차폐하는 자외광 차폐막을 갖는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 기판의 상기 접착제를 피한 부분에 자외광 차폐막을 갖는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  3. 액티브 소자로 구동되는 애노드 전극과, 적어도 발광층을 갖는 유기층을 상기 애노드 전극 상에 설치한 수지로 이루어지는 화소 분리용 뱅크의 내부에 형성한 발광 적층체와, 상기 발광 적층체를 상기 애노드 전극 사이에 끼워 넣는 캐소드 전극으로 이루어지는 복수의 화소를 매트릭스형으로 배치한 광투과성의 제1 기판과, 상기 제1 기판에 대향하여 상기 표시 영역의 주위에 위치하는 액연형의 밀봉 영역에 밀봉용 접착제를 개재시켜 밀봉한 광투과성의 제2 기판을 갖는 화상 표시 장치이며, 상기 밀봉 영역에 있어서의 상기 제1 기판과 상기 접착제 사이에 자외광을 차폐하는 자외광 차폐 수지막을 갖는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2 기판의 상기 액연형의 밀봉 영역에 대응하는 상기 접착제의 개재 부분을 피한 부분에 자외광 차폐 수지막 또는 자외광을 차광하는 금속 차광막을 갖는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제2 기판의 상기 액연형의 밀봉 영역의 내측에, 가스 및 수분을 흡수하는 흡착재를 설치한 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제1 기판에 갖는 상기 자외광 차폐 수지막의 형성 재료가 상기 화소 분리 뱅크와 동질의 재료인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 자외광 차폐 수지막의 형성 재료가 상기 화소 분리용 뱅크와 동질의 재료로 이루어지고, 상기 자외광 차폐 수지막의 상기 액연형의 밀봉 영역과 교차하는 방향에서 상기 제1 기판과 직각인 방향의 단면이 상기 표시 영역측으로 돌출되는 내주 볼록부와 상기 표시 영역측의 반대측으로 돌출되는 외주 볼록부로 이루어지는 오목형부를 갖고, 또한 상기 내주 볼록부와 상기 외주 볼록부의 막 두께가 상기 화소 분리 뱅크의 막 두께보다 크고, 상기 제2 기판의 주연에 따라서 상기 자외선 차폐 수지막의 상기 오목형부에 결합하는 리브를 갖고, 상기 오목형부와 상기 리브 사이에 접착제를 갖는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  8. 제3항에 있어서, 상기 자외광 차폐 수지막과 상기 제1 기판 사이에 자외광을 차광하는 금속 차광막을 갖는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  9. 제3항에 있어서, 상기 발광층이 유기 일렉트롤루미네선스 발광층인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 액티브 소자가 저온 성막 폴리실리콘 반도체층을 이용한 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  11. 제3항에 있어서, 상기 액티브 소자가 저온 성막 폴리실리콘 반도체층을 이용한 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
  12. 광투과성의 제1 기판 상의 표시 영역에 매트릭스형으로 배치되는 다수의 액티브 소자와, 상기 액티브 소자의 각각으로 구동되는 애노드 전극 및 외부 단자를 포함하는 전극/배선을 형성하는 표시 영역 형성 공정과, 상기 각 애노드 전극 사이를 분리하는 화소 분리 뱅크와, 상기 제1 기판의 상기 표시 영역의 외주에 따라서 액연형 또한 상기 액연의 주회 방향 중앙 부분에 내주 볼록부와 외주 볼록부로 형성된 오목부를 갖는 자외광 차광 수지막을 동시에 형성하는 분리 뱅크/자외광 차광 수지막 형성 공정과, 상기 화소 분리 뱅크로 분리된 애노드 전극의 각각의 위에 유기 발광층을 형성하는 유기 발광층 형성 공정과, 상기 유기 발광층을 씌워 캐소드전극을 형성하는 캐소드 형성 공정과, 상기 제1 기판에 형성된 상기 자외광 차광 수지막을 갖는 밀봉 영역에 대향하는 주연부를 액연형으로 주회하여 돌출한 리브를 갖는 광투과성의 제2 기판의 상기 리브로 둘러싸인 영역에 가스 및 수분의 흡착재층을 형성하는 흡착재층 형성 공정과, 상기 제1 기판의 상기 자외광 차광 수지막의 상기 오목부에 접착제를 도포하는 접착제 도포 공정과, 상기 제2 기판의 상기 리브부를 상기 제1 기판의 상기 오목부에 결합하여 상기 접착제로 밀봉하는 기판 밀봉 공정을 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 분리 뱅크/자외광 차광 수지막 형성 공정 전에, 상기 자외광 차광 수지막을 형성하는 위치에 있는 상기 외부 단자 상에 절연막을 거쳐서 자외광을 차광하는 금속 차광막을 형성하는 금속 차광막 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 분리 뱅크/자외광 차광 수지막 형성 공정이 상기 분리 뱅크와 상기 자외광 차광 수지막의 각각에 대응하는 개구를 갖는 스크린 마스크를 이용한 인쇄법을 이용하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 분리 뱅크 및 상기 자외광 차광 수지막이 자외광 흡수 입자를 혼입한 수지 레지스트로 형성되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치의 제조 방법.
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