KR20040018282A - 마이크로 전자, 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계장치를 제조하기 위한 가스 흡수 물질의 증착물이 집적된지지체 - Google Patents

마이크로 전자, 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계장치를 제조하기 위한 가스 흡수 물질의 증착물이 집적된지지체 Download PDF

Info

Publication number
KR20040018282A
KR20040018282A KR10-2003-7016721A KR20037016721A KR20040018282A KR 20040018282 A KR20040018282 A KR 20040018282A KR 20037016721 A KR20037016721 A KR 20037016721A KR 20040018282 A KR20040018282 A KR 20040018282A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support
gas absorbing
layer
absorbing material
base
Prior art date
Application number
KR10-2003-7016721A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100554492B1 (ko
Inventor
마르코 아미오띠
Original Assignee
사에스 게터스 에스.페.아.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from IT2001MI001557A external-priority patent/ITMI20011557A1/it
Priority claimed from IT2002MI000689A external-priority patent/ITMI20020689A1/it
Application filed by 사에스 게터스 에스.페.아. filed Critical 사에스 게터스 에스.페.아.
Publication of KR20040018282A publication Critical patent/KR20040018282A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100554492B1 publication Critical patent/KR100554492B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00277—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS
    • B81C1/00285—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C23C14/025—Metallic sublayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C23C16/0281—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating of metallic sub-layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
    • H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/208—Particular post-treatment of the devices, e.g. annealing, short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6835—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)

Abstract

정확한 동작을 위해 가스 흡수를 필요로 하는 마이크로 전자, 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계 장치를 제조하기 위한 지지체(10; 20)의 여러 실시예가 개시되며, 상기 지지체는 기계적인 지지 베이스(11; 21), 상기 베이스 상의 가스 흡수 물질로 된 층(13) 및 가스 흡수 물질의 일시적 보호를 위한 것으로, 장치의 제조중에 제거되는 층을 구비한다.

Description

마이크로 전자, 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계 장치를 제조하기 위한 가스 흡수 물질의 증착물이 집적된 지지체{SUPPORT WITH INTEGRATED DEPOSIT OF GAS ABSORBING MATERIAL FOR MANUFACTURING MICROELECTRONIC, MICROOPTOELECTRONIC OR MICROMECHANICAL DEVICES}
마이크로 전자 장치(집적회로라고도 하며, 약자로 IC로 나타낸다)는 모든 집적 전자 산업의 기초이다. 마이크로 광전자 장치는 예를 들어 종래와 달리 동작을 위해 극저온을 필요로 하지 않는 신세대 적외선 방사(IR) 센서를 구비한다. 이러한 IR 센서는 배기된 챔버에 배치된 일련의 반도체 물질 증착물, 예를 들어 실리콘으로 형성된다. 마이크로 기계 장치(당업계에서 "마이크로 기계" 또는 그 약자로 MM으로 보다 잘 알려진)는 소형 센서 또는 액추에이터 등의 응용 개발 단계에 있으며, 마이크로 기계의 일반적인 예는 자동차 에어백, 기어 및 몇 미크론(㎛) 크기의 스프로켓 휠을 갖는 마이크로 모터, 또는 광 스위치를 활성화하기 위한 센서로서 사용되는 마이크로 가속도계이며, 하나는 광 회로의 "온" 상태에 해당하며 다른 하나는 "오프" 상태에 해당하는 2개의 다른 방향을 따라 광빔을 보내는 2개의 다른위치 사이에서 몇 십 미크론 정도의 크기를 갖는 미러면이 이동될 수 있다. 다음에, 이러한 장치는 모두 고체 상태 장치로 일반적으로 정의한다.
IC는 다른 전기(또는 자기) 기능성을 갖는 물질층의 평면 지지체 상의 증착 혹은 그것의 선택적 제거 동작을 포함하는 기술에 의해 제조된다. 증착 및 선택적 제거의 동일한 기술이 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계 장치 구조에도 적용된다. 이들은 일반적으로 동일한 기술로 형성된 하우징에 포함된다. 이들 제조에 가장 일반적으로 사용되는 지지체는 약 1 ㎜의 두께와 30 ㎝까지의 지름을 갖는 실리콘 "슬라이스"(당업계에서는 "웨이퍼"라 함)이다. 이들 각각의 웨이퍼 위에는 상당수의 장치가 구성되고, 제조 공정 마지막에는 기계적 또는 레이저 절단에 의해 상기 슬라이스로부터 마이크로 기계의 경우에는 단일 장치로, 또는 IR 센서의 경우에는 몇 십개의 장치 열을 포함하는 부품으로 분리된다.
증착 단계는 일반적으로 "화학적 증기 증착"으로부터 일반적으로 정의된 "CVD"와 같은 증기 상태로부터의 화학적 증착, "물리적 증기 증착"으로부터의 "PVD"와 같은 증기 상태로부터의 물리적 증착 등의 기술에 의해 실행되며, 물리적 증착은 일반적으로 "스퍼터링"으로도 나타낸다. 일반적으로, 공지된 바와 같이 적절한 마스킹에 의한 화학적 또는 물리적 어택을 통해 선택적 제거가 행해진다.
집적 회로 및 마이크로 기계는 본래 기계적인 보호 이유로, 최종 목적 장치(컴퓨터, 자동차 등)에 삽입되기 전에 중합체, 금속 또는 세라믹 물질로 캡슐화된다. 이에 반하여, IR 방사 센서는 일반적으로 챔버에 포함되어, IR 방사에 대해 투명한 "윈도우"로서 정의된 하나의 벽을 향한다.
어떤 종류의 집적 회로에서는 고체 상태 장치에서의 가스 확산을 제어할 수 있는 것이 중요하며, 장치 층을 통해 확산하는 수소는 자신의 정확한 반응을 바꿀 수 있는 강유전체(일반적으로 납 티타네이트-지르코네이트, 스트론튬-비즈무쓰 탄탈레이트 또는 티타네이트, 또는 비즈무쓰-란탄 티타네이트)에 도달할 수 있다.
IR 센서 및 마이크로 기계에서 가스 제어 및 제거는 더욱 더 중요하다. IR 센서의 경우, 챔버에 있는 가스는 윈도우로부터 일련의 실리콘 증착물로의 대류에 의해 방사의 일부를 흡수하거나 열을 수송할 수 있고, 측정을 변형시킨다. 마이크로 기계에서, 매우 작은 크기의 가동부로 인한 가스 분자들과 가동부간의 기계적 마찰은 장치의 이상적인 동작으로부터 눈에 띄는 편향을 이끌 수 있으며, 더욱이 물과 같은 극성 분자는 가동부와 다른 부분들, 예를 들어 가동부의 지지체간의 응착 현상을 일으킬 수 있어, 장치 고장을 일으킨다. 따라서, 일련의 실리콘 증착물을 가진 IR 센서 또는 마이크로 기계에서는, 전체 장치 수명을 위해 하우징을 진공 상태로 할 수 있는 것이 중요하다.
이들 장치에서 가스량을 최소화하기 위해, 일반적으로 제조는 진공 챔버 내에서 행해지며 포장 전에 펌프 단계를 거친다. 장치를 형성하는 동일 물질이 가스를 방출할 수도 있고, 혹은 장치 수명 중에 외부로부터 가스가 스며들 수 있기 때문에, 아무리 해도 이런 방법으로 문제는 완벽히 해결되지 않는다.
고체 상태 장치에 들어오는 가스를 제거하기 위해, 이를 흡수할 수 있는 물질을 사용하는 것이 제안되었다. 이러한 물질은 일반적으로 "게터"라고 하는 것으로 이루어지며, 게터는 일반적으로 지르코늄, 티타늄, 바나듐, 니오븀 또는 탄탈,또는 이들의 다른 전이 원소, 희토류 또는 알루미늄과의 합금 등, 수소, 산소, 물, 탄소 산화물 및 어떤 경우에는 질소 등의 가스에 대해 강한 화학적 친화력을 갖는 금속; 및 주로 알칼리 산화물 또는 알칼리토금속 중 수분 흡수에 특유한 건조제이다. IC에서 가스, 특히 수소 흡수 물질의 사용에 대해서는 이를테면 특허 US-A-5,760,433 및 공개된 일본 특허 출원 JP-11-040761 및 JP-2000-40799에 설명되어 있고, IR 센서에서의 사용은 예를 들어 특허 US 5,921,461에 설명되어 있으며, 마지막으로 마이크로 기계에서 가스 흡수 물질의 사용은 예를 들어 기술 저널 센서 및 액추에이터 A, vol. 43(1994) 243-248 페이지에 발행된 H.Henmi 등의 기사 "유리-실리콘 에노딕 접합에 의한 마이크로 센서의 진공 포장"에 설명되어 있다.
고체 상태 장치 제조 단계에서 CVD 또는 스퍼터링에 의해 가스 흡수 물질의 국부적 증착물이 얻어질 수 있다. 그러나, 이 과정은 상기 장치의 제조자에 의해 높이 평가되지 않는데, 장치 제조시 가스 흡수 물질은 전체 공정에 이 물질의 국부적 증착 단계가 추가될 필요를 수반하기 때문이며, 이는 일반적으로 수지 증착, 방사(일반적으로 UV)를 통한 수지 국부적 증감, 감광성 수지의 선택적 제거, 가스 흡수 물질 증착 및 수지 및 수지 상에 증착된 흡수 물질의 잇따른 제거 동작을 통해 실행되며, 감광성 수지가 제거된 영역에 가스 흡수 물질 증착물이 남는다. 더욱이, 제조 라인에서 가스 흡수 물질 증착물은 각각의 공정 단계 및 여기서 사용된 물질의 수를 증가시키는 단점을 가지며, 상기 다른 단계가 실행되는 다른 챔버 중 "크로스-오염"의 위험이 증가되고, 오염으로 인한 폐기물 증가가 뒤따른다.
본 발명은 마이크로 전자, 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계 장치를 제조하기 위한 가스 흡수 물질의 일체 증착물을 구비한 지지체에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 제1 가능한 지지체의 부분적인 절단 사시도를 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 제2 가능한 지지체의 부분적인 절단 사시도를 나타낸다.
도 3 내지 도 11은 본 발명의 지지체를 사용하는 몇 가지 방법을 나타낸다.
본 발명의 목적은 상술한 종래 기술의 문제점을 극복하는 것이며, 특히 고체 상태 장치의 제조를 간소화하는 것이다.
이 목적은 마이크로 전자, 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계 장치를 제조하기 위한 가스 흡수 물질의 증착물이 집적된 지지체를 구비한 본 발명에 따라 달성되며, 지지체는 기계적인 지지 기능을 갖는 베이스, 상기 베이스의 표면 상의 가스 흡수 물질로 된 연속 또는 불연속 증착물, 및 상기 가스 흡수 물질 증착물을 완전히 덮으며, 마이크로 전자, 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계 장치 또는 그 부품의 제조에 호환성이 있는 물질로 이루어진 층으로 구성된다.
본 발명의 지지체는 특히 산업에 일반적으로 사용되는 실리콘 웨이퍼와 실질적으로 유사하지만, 상술한 고체 물질 증착 및 제거 기술에 의해 마이크로 전자 또는 마이크로 기계 장치가 형성되는 표면 밑에 "매립된" 가스 흡수 물질(연속 층 또는 비연속 증착의 형태)을 갖는다.
도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.
설명을 명확하게 하기 위해, 도면에서 본 발명에 따른 지지체는 실제 치수에 대해 매우 확대된 높이-지름 비로 나타낸다. 더욱이, 도면에서 지지체는 항상 낮은 디스크 물질인 웨이퍼로 나타내는데, 이는 고체 상태 장치의 제조자에 의해 일반적으로 채택되는 형상이기 때문이지만, 이 형상은 다르게, 예를 들어 정사각형 또는 직사각형으로 할 수도 있다.
도 1은 부분적인 절단도에서 본 발명의 지지체의 가장 간단한 실시예를 나타낸다. 지지체(10)는 베이스(11)를 포함하며, 이는 단지 지지체 및 그로부터 유도되는 장치를 기계적으로 지지하는 기능만을 갖고, 지지체(10)의 두께(1 ㎜ 정도)는 이 베이스의 두께로부터 거의 전적으로 주어진다. 베이스(11)의 표면(12) 상에는 가스 흡수 물질(14)의 연속 층(13)이 있고, 그 상부 표면에는 층(15)의 상부 표면(17) 상에 제조되는 IC 또는 MM 제조 공정과 호환 가능한 물질(16)로 된 다른 층(15)이 덮여진다.
베이스(11) 물질은 금속, 세라믹, 유리 또는 반도체, 바람직하게는 실리콘이 될 수 있다.
물질(14)은 각종 가스 분자들을 흡수할 수 있는 일반적으로 게터라 하는 물질, 및 수분 흡수에 특유한 건조제 중에서 선택된 임의의 알려진 물질이 될 수 있다.
게터 물질의 경우, 이는 예를 들어 Zr, Ti, Nb, Ta, V와 같은 금속; 2원 합금 Ti-V, Zr-V, Zr-Fe, Zr-Ni, 3원 합금 Zr-Mn-Fe 또는 Zr-V-Fe 또는 보다 많은 성분의 합금과 같이 상기 금속 사이의 합금 또는 상기 금속과 Cr, Mn, Fe, Co, Ni,Al, Y, La 및 희토류 중에서 선택된 하나 이상의 엘리먼트와의 합금일 수 있다. 본 출원에 바람직한 게터 물질은 티타늄, 지르코늄, St 101R이란 명칭으로 출원인으로부터 제조 및 판매되는 Zr 84%-Al 16% 중량비 조성을 갖는 합금, St 707R이란 명칭으로 출원인으로부터 제조 및 판매되는 Zr 70%-V 24.6%-Fe 5.4% 중량비 조성을 갖는 합금, 및 St 787이란 명칭으로 출원인으로부터 제조 및 판매되는 Zr 80.8%-Co 14.2%-TR 5%(TR은 희토류, 이트륨, 란탄 또는 이들의 혼합물이다) 중량비 조성을 갖는 합금이다. 게터 물질 층(13)은 증발, 금속유기 전구체로부터의 증착 등의 다른 기술에 의해, 또는 "레이저 융삭(ablation)" 및 "e-빔 증착"으로서 당업계에 공지된 기술에 의해 얻어질 수 있으며, 이 층은 스퍼터링에 의해 얻어지는 것이 바람직하다.
건조제의 경우, 알칼리 산화물 또는 알칼리토금속 중에서 선택되는 것이 바람직하며, 이를 포함하는 장치의 제조, 사용 또는 배열 단계에서 안전성 또는 환경 문제를 제기하지 않는 칼슘 산화물(CaO)을 사용하는 것이 바람직하다. 산화물 층(13)은 이를테면 소위 "반응성 스퍼터링" 기술을 통해 얻어지며, 산소 비율이 낮은 희가스(일반적으로 아르곤) 분위기에서 관심 있는 알칼리 또는 알칼리토금속을 증착하므로, 증착시 금속이 그 산화물로 변환된다.
층(13)은 약 0.1 내지 5 ㎛ 범위 내의 두께를 가질 수 있고, 지시한 것보다 낮은 두께 값을 가지면 층(13)의 가스 흡착 용량이 극도로 감소되는 한편, 보다 높은 두께 값을 가지면 흡착 특성에 대한 실질적인 이점 없이 증착시간이 연장된다.
물질(16)은 고체 상태 장치 제조에서 일반적으로 기판으로서 사용되는 물질 중 하나이며, 소위 Ⅲ-Ⅴ 물질(예를 들어 GaAs o InP), 또는 바람직하게 실리콘이 될 수 있다. 층(16)은 스퍼터링, 에피택시, CVD 또는 당업계에 공지된 그 밖의 기술에 의해 얻어질 수 있다. 층(16)의 두께는 일반적으로 50 ㎛ 미만이며, 약 1 내지 20 ㎛ 범위 이내인 것이 바람직하다. 이 층은 두 가지 기능을 행하는데, 이 층이 노출될 때까지(층(16)의 일부 또는 국부적인 제거에 의해) 가스와의 접촉으로부터 가스 흡수 물질을 보호하고, 이어서 증착되는 층의 앵커리지(anchorage)로서 작용하여 IC, 마이크로 광전자 장치 또는 MM을 구성하거나, 이들 장치가 형성되는 층 자체가 될 수도 있다(예를 들어 마이크로 기계 가동부가 그 일부의 제거에 의해 이 층에서 얻어질 수 있다). 층(16) 상부 표면은 장치 제조의 다음 동작을 고려하여 그 화학적 조성을 변화시키도록, 예를 들어 산화물 또는 질화물을 형성하도록 처리될 수도 있다.
도 2는 본 발명에 따라 가능한 제2 실시예를 나타내며, 이 경우에도 지지체는 부분적인 절단도로 나타내고, 이 경우 외에 명확성을 위해 가스 흡수 물질의 베이스 상의 많은 증착물의 측면 치수가 확대된다. 지지체(20)는 베이스(21)를 포함한다. 이 베이스 표면(23)의 영역(22, 22', ...)에는 가스 흡수 물질(25)로 된 분리된 증착물(24, 24', ...)이 얻어지고, 이들은 물질(27)의 층(26)으로 덮여진다. 베이스(21)는 지지체(10)의 베이스(11)와 동일한 종류 및 크기를 가지며, 비슷하게 물질(25, 27)은 각각 장치(10)를 참조하여 설명한 물질(14, 16)과 동일한 종류이다.
증착물(24, 24', ...)은 지지체(10)의 층(13)과 같은 두께이다. 그러나, 이들 증착물은 분리되어 있고, 일반적으로 500 ㎛ 미만의 측면 치수를 가지며 최종 목적 장치에 좌우되는 폭 범위 내에서 변할 수 있고, 예를 들어 IC에서 사용될 것으로 예상되면, 측면 치수는 몇 미크론 이하의 범위 이내인 한편, MM의 경우에 이 치수는 몇 십 내지 몇 백 미크론으로 이루어질 수 있다.
층(26)은 가변 두께를 가져, 증착물(24, 24', ...) 위의 영역에서는 낮고 이 증착물이 제거된 영역에서는 높으며, 이들 영역의 표면(23)에 부착된다. 증착물 위의 영역에서 이 층의 두께는 지지체(10)의 층(15)과 동일한 값을 갖는 한편, 증착물(24, 24', ...)이 제거된 영역에서 그 두께는 이 증착물의 두께만큼 증가될 것이다. 부착성을 높이기 위해, 층(26)은 베이스(21)와 동일 물질로 이루어지는 것이 바람직하며, 베이스(21)에 대해 바람직한 조성물은 실리콘(단결정 또는 다결정)이고, 실리콘은 층(26)의 에피택시를 통해 성장된다.
도 3 및 도 4는 IC 제조시 지지체(10)의 가능한 사용을 나타낸다. 예를 들어 실리콘 층으로 형성된 지지체(10)의 상부 표면(17) 상에 고체 상태 마이크로 전자 회로(30, 30', ...)가 공지 기술에 의해 얻어진다. 지지체(10)는 도 3에서 점선을 따라 절단되어 단일 IC 장치를 얻고, 이들 중 하나를 도 4에 나타내며, 층(17) 아래에 가스 흡수 물질(14)로 이루어진 층(13)이 매립되어 집적된 지지체(10)의 일부 상에 얻어진 집적 회로(40)를 나타낸다. 이 층(13)은 장치의 다른 층으로 확산할 수도 있는 가스, 특히 수소를 흡수할 수 있어, 집적회로(40)의 오염을 방지 또는 감소시킨다.
MM 제조의 경우, 지지체의 표면(17) 상에 도 5에서 50, 50', ...으로 나타내며 마이크로 기계의 가동부를 구성하는 구조물이 제조된다. 구조물(50, 50', ...)(외부와 각각의 단일 마이크로 장치와의 전기 접속용 도선을 포함하며, 도면에 나타내지 않음)의 제조가 완료되면, 지지체에는 상기 구조물로부터 제거된 표면(17) 영역에서 층(15)의 국부적 제거 동작이 가해져 가스 흡수 물질(14)을 노출시키는 통로(51, 51', ...)를 형성하고, 이어서 그와 같이 처리된 지지체(10) 상에 덮개 엘리먼트(60)가 배치되고(덮개 엘리먼트와 지지체(10)와의 어셈블리는 도 6에 단면도로 나타냄), 이 엘리먼트는 일반적으로 베이스(11)와 동일한 물질로 실현되며, 표면(17)에 쉽게 고정되어야 하고(실리콘의 사용이 바람직함), 이 엘리먼트(60)는 지지체(10) 상에 구조물(50, 50', ...)이 얻어지고 층(13)의 일부가 노출된 영역에 대응하여 동공(61, 61', ...)(도면에 나타낸 경우)을 가질 수 있고, 특히 상기 동공은 각각 지지체(10) 및 엘리먼트(60)가 함께 고정될 때 50, 50', ...과 같은 구조물 및 물질(14)에 대한 액세스를 제공하는 통로(51)가 포함되는 공간(62)이 얻어져, 통로는 공간(62)과 직접 접촉되고 상기 공간에서 존재하거나 방출된 가스를 흡수할 수 있다. 마지막으로, 지지체(10) 및 엘리먼트(60)로 구성된 어셈블리를 그 부착 영역을 따라 절단함으로써 단일 마이크로 기계가 얻어진다.
상술한 마이크로 기계 제조 공정에 변형에 있어서, 구조물(50, 50')의 제조 단계 전에 층(15)의 국부적 제거가 행해진다.
상술한 공정의 다른 변형에 있어서, 그 최종 결과는 도 7에 나타낸 마이크로 기계(70)이며, 본 발명의 지지체가 엘리먼트(60)로서 사용된다. 이 경우, 마이크로 기계가 형성되는 기판은 종래의 것으로서, 가스 흡수 층이 집적되지 않는다. 본 발명의 지지체(10)에는 층(15)의 국부적 제거 처리가 가해져, 가동 구조물(73)을 수용하기 위한 공간(72)을 구성하는 동공(71) 및 물질(14)에 대한 액세스를 제공하는 통로를 동시에 형성한다.
지지체(20)의 사용은 표면 상에 마이크로 장치가 형성되는 지지체로서의 사용(도 5 및 도 6에 나타낸 것과 비슷한 사용)에 관해서만 설명하였지만, IC 제조용 지지체(도 3 및 도 4를 참조로 설명한) 또는 마이크로 기계에서의 덮개 엘리먼트(도 7을 참조로 설명한)로서 사용될 수도 있는 것은 명백하다. 지지체(20)에는 증착물(24, 24', ...)에 관련하여 층(26)의 국부적 제거 처리가 가해져, 도 8에서 단면으로 나타낸 바와 같이 지지체 통로(80, 80', ...) 상에 얻어지고, 마이크로 기계 제조의 다음 단계를 준비한다. 도 9의 가동 구조물(90, 90')이 이 지지체 상에 형성되고, 그 후에 가동 구조물(90, 90') 및 통로(80, 80')로부터 제거된 영역에서 지지체(20)에 덮개 엘리먼트(100)가 고정되어, 도 10에 단면으로 나타낸 어셈블리(101)를 얻고, 마지막으로 지지체(20)와 엘리먼트(100) 사이의 부착 영역에 구성된 라인(도면에서 점선)을 따라 어셈블리(101)를 절단함으로써 도 11에서 단면으로 나타낸 마이크로 기계(110)가 얻어진다.
지지체(20)가 그 사용 방식으로 인해, 최종 적용이 알려진 경우에 제조되어야 한다. 특히, 마이크로 장치의 경우에는 증착물(24, 24', ...)의 측면 크기 및 상호간 거리를 정확하게 정의할 수 있도록 가동 구조물(50, 50', ..., 73 또는 90, 90', ...)의 측면 크기는 물론 다음에 제조될 동공(61, 61', ... 또는 71)의 측면크기 또한 알고 있는 것이 중요하고, 이와 같은 방식으로 가스 흡수 물질에 액세스를 제공하는 동공이 가동 구조물과 충돌하지 않고, 이들이 마이크로 기계가 수용되는 공간(62 또는 72) 주변에 포함되도록 해야한다. 이 정확한 사이징은 지지체(20) 상에 제조될 장치의 최종 회로 제조자, 도면, 심지어는 준비로부터 취득됨으로써 실행될 수 있다.

Claims (21)

  1. 마이크로 전자, 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계 장치를 제조하기 위한 가스 흡수 물질의 증착물이 집적된 지지체(10; 20)로서, 기계적인 지지 기능을 갖는 베이스(11; 21), 상기 베이스의 표면(12; 23) 상의 가스 흡수 물질(14; 25)로 된 연속(13) 또는 불연속(24, 24', ...) 증착물, 및 상기 가스 흡수 물질 증착물을 완전히 덮으며, 마이크로 전자, 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계 장치 또는 그 부품의 제조에 호환성이 있는 물질(16; 27)로 이루어진 층(15; 26)을 구비하는 지지체(10; 20).
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 흡수 물질의 증착물(13)은 상기 베이스(11)의 전체 표면(12)에 걸쳐 연속하는 지지체(10).
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 흡수 물질의 증착물은 상기 베이스(21)의 상기 표면(23) 상에 분리된 증착물(24, 24", ...)의 형태인 지지체(20).
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 베이스(11; 21)는 금속, 세라믹, 유리 또는 반도체 중에서 선택된 물질로 이루어지는 지지체.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 물질은 실리콘인 지지체.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 흡수 물질은 게터 물질인 지지체.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 게터 물질은 Zr, Ti, Nb, Ta, V 금속, 상기 금속들간의 합금 또는 상기 금속과 Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Y, La 및 희토류 중에서 선택된 하나 이상의 원소와의 합금 중에서 선택되는 지지체.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 게터 물질은 티타늄인 지지체.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 게터 물질은 지르코늄인 지지체.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 게터 물질은 Zr 84%-Al 16%의 중량비 조성을 갖는 합금인 지지체.
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 게터 물질은 Zr 70%-V 24.6%-Fe 5.4%의 중량비 조성을 갖는 합금인 지지체.
  12. 제 7 항에 있어서, 상기 게터 물질은 Zr 80.8%-Co 14.2%-TR 5%의 중량비 조성을 갖는 합금이며, TR은 희토류, 이트륨, 란탄 또는 이들의 혼합물을 의미하는 지지체.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 흡수 물질은 건조제인 지지체.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 건조제는 알칼리 산화물 또는 알칼리토금속 중에서 선택되는 지지체.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 건조제는 칼슘 산화물인 지지체.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 흡수 물질의 연속 또는 불연속 증착물은 0.1 내지 5 ㎛ 범위 내의 두께를 갖는 지지체.
  17. 제 1 항에 있어서, 마이크로 전자, 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계 장치 또는 이들의 부품의 제조에 호환되는 상기 물질은 반도체 물질인 지지체.
  18. 제 1 항에 있어서, 상기 물질은 실리콘인 지지체.
  19. 제 1 항에 있어서, 마이크로 전자, 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계 장치 또는 이들의 부품의 제조에 호환되는 물질의 상기 층은 50 ㎛ 미만의 두께를 갖는 지지체.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 두께는 1 내지 20 ㎛ 범위 이내인 지지체.
  21. 제 1 항에 있어서, 마이크로 기계 장치(70)의 제조시 덮개 엘리먼트(60)로서 사용되는 지지체.
KR1020037016721A 2001-07-20 2002-07-16 마이크로 전자, 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계장치를 제조하기 위한 가스 흡수 물질의 증착물이 집적된지지체 KR100554492B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ITMI2001A001557 2001-07-20
IT2001MI001557A ITMI20011557A1 (it) 2001-07-20 2001-07-20 Supporto per la produzione di dispositivi microelettronici microoptoelettronici o micromeccanici con deposito integrato di materiale getter
IT2002MI000689A ITMI20020689A1 (it) 2002-04-03 2002-04-03 Supporto per la produzione di dispositivi microeletronici microoptoelettronici o micromeccanici con deposito integrato di materiale assorbit
ITMI2002A000689 2002-04-03
PCT/IT2002/000465 WO2003009317A2 (en) 2001-07-20 2002-07-16 Support with integrated deposit of gas absorbing material for manufacturing microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040018282A true KR20040018282A (ko) 2004-03-02
KR100554492B1 KR100554492B1 (ko) 2006-03-03

Family

ID=26332782

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020037016721A KR100554492B1 (ko) 2001-07-20 2002-07-16 마이크로 전자, 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계장치를 제조하기 위한 가스 흡수 물질의 증착물이 집적된지지체

Country Status (15)

Country Link
US (3) US7180163B2 (ko)
EP (1) EP1410433B1 (ko)
JP (1) JP4831931B2 (ko)
KR (1) KR100554492B1 (ko)
CN (1) CN100355045C (ko)
AT (1) ATE291777T1 (ko)
AU (1) AU2002334385A1 (ko)
CA (1) CA2447282C (ko)
DE (1) DE60203394T2 (ko)
DK (1) DK1410433T3 (ko)
ES (1) ES2238062T3 (ko)
HK (1) HK1076539A1 (ko)
MY (1) MY128708A (ko)
TW (1) TW583049B (ko)
WO (1) WO2003009317A2 (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW583049B (en) * 2001-07-20 2004-04-11 Getters Spa Support with integrated deposit of gas absorbing material for manufacturing microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
TW533188B (en) * 2001-07-20 2003-05-21 Getters Spa Support for microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
US6867543B2 (en) * 2003-03-31 2005-03-15 Motorola, Inc. Microdevice assembly having a fine grain getter layer for maintaining vacuum
US7164520B2 (en) 2004-05-12 2007-01-16 Idc, Llc Packaging for an interferometric modulator
US7551246B2 (en) 2004-09-27 2009-06-23 Idc, Llc. System and method for display device with integrated desiccant
US7184202B2 (en) * 2004-09-27 2007-02-27 Idc, Llc Method and system for packaging a MEMS device
US7710629B2 (en) 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with reinforcing substance
US20060076632A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-13 Lauren Palmateer System and method for display device with activated desiccant
US8040587B2 (en) 2006-05-17 2011-10-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Desiccant in a MEMS device
US7816164B2 (en) 2006-12-01 2010-10-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS processing
US8093698B2 (en) * 2006-12-05 2012-01-10 Spansion Llc Gettering/stop layer for prevention of reduction of insulating oxide in metal-insulator-metal device
JP2009522104A (ja) 2006-12-15 2009-06-11 ビ−エイイ− システムズ パブリック リミテッド カンパニ− 薄膜ゲッタ装置に関する改善
WO2009041951A1 (en) 2007-09-28 2009-04-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optimization of desiccant usage in a mems package
ITMI20090410A1 (it) 2009-03-18 2010-09-19 Getters Spa Leghe getter non evaporabili adatte particolarmente per l'assorbimento di idrogeno
FR2967150A1 (fr) * 2010-11-09 2012-05-11 Commissariat Energie Atomique Procédé de réalisation de substrat a couches enfouies de matériau getter
US8628996B2 (en) 2011-06-15 2014-01-14 International Business Machines Corporation Uniformly distributed self-assembled cone-shaped pillars for high efficiency solar cells
US20130049143A1 (en) * 2011-08-26 2013-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Release activated thin film getter
US9102511B2 (en) 2012-06-08 2015-08-11 Texas Instruments Incorporated Hermetic plastic molded MEMS device package and method of fabrication
US8889456B2 (en) 2012-08-29 2014-11-18 International Business Machines Corporation Method of fabricating uniformly distributed self-assembled solder dot formation for high efficiency solar cells
US10160638B2 (en) 2013-01-04 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for a semiconductor structure
DE102017210459A1 (de) 2017-06-22 2018-12-27 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Vorrichtung mit einer ersten Kaverne und einer zweiten Kaverne
WO2023186704A1 (en) * 2022-04-01 2023-10-05 Saes Getters S.P.A. Substrate comprising a base and an integrated getter film for manufacturing microelectronic devices

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3214381A (en) * 1962-12-05 1965-10-26 Bell Telephone Labor Inc Barium oxide moisture getter preparation
JPS56137658A (en) * 1980-03-31 1981-10-27 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Semiconductor device
JPS63198320A (ja) * 1987-02-13 1988-08-17 Mitsubishi Electric Corp 結晶成長方法
US5229306A (en) * 1989-12-27 1993-07-20 Texas Instruments Incorporated Backside gettering method employing a monocrystalline germanium-silicon layer
KR0139489B1 (ko) * 1993-07-08 1998-06-01 호소야 레이지 전계방출형 표시장치
DE69409257T2 (de) * 1993-12-13 1998-09-10 Honeywell Inc Integrierte silizium-vakuum-mikropackung für infrarot-geräte
US5453659A (en) * 1994-06-10 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Anode plate for flat panel display having integrated getter
JP2806277B2 (ja) * 1994-10-13 1998-09-30 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US5599749A (en) * 1994-10-21 1997-02-04 Yamaha Corporation Manufacture of micro electron emitter
CA2162095A1 (en) 1994-12-27 1996-06-28 Jeffery Alan Demeritt Getter housing for electronic packages
US5610438A (en) * 1995-03-08 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Micro-mechanical device with non-evaporable getter
US5668018A (en) * 1995-06-07 1997-09-16 International Business Machines Corporation Method for defining a region on a wall of a semiconductor structure
US5614785A (en) * 1995-09-28 1997-03-25 Texas Instruments Incorporated Anode plate for flat panel display having silicon getter
JP3324395B2 (ja) * 1995-10-31 2002-09-17 富士電機株式会社 電界型真空管とそれを用いた圧力センサ、加速度センサおよびそれらの製造方法
US5837935A (en) * 1996-02-26 1998-11-17 Ford Motor Company Hermetic seal for an electronic component having a secondary chamber
JPH09306920A (ja) * 1996-05-20 1997-11-28 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
US5760433A (en) * 1996-05-31 1998-06-02 Hughes Electronics In situ reactive layers for protection of ferroelectric integrated circuits
IT1283484B1 (it) * 1996-07-23 1998-04-21 Getters Spa Metodo per la produzione di strati sottili supportati di materiale getter non-evaporabile e dispositivi getter cosi' prodotti
CN1180239A (zh) * 1996-08-01 1998-04-29 西门子公司 掺杂硅基片
US6673400B1 (en) * 1996-10-15 2004-01-06 Texas Instruments Incorporated Hydrogen gettering system
JPH10176768A (ja) * 1996-11-27 1998-06-30 Xerox Corp マイクロデバイス支持システム及びマイクロデバイスのアレイ
JPH10188460A (ja) 1996-12-25 1998-07-21 Sony Corp 光ディスク装置及び光ディスク記録媒体
IT1290451B1 (it) * 1997-04-03 1998-12-03 Getters Spa Leghe getter non evaporabili
US5921461A (en) * 1997-06-11 1999-07-13 Raytheon Company Vacuum package having vacuum-deposited local getter and its preparation
US5951750A (en) * 1997-06-19 1999-09-14 Engelhard Corporation Anti-yellowing polyolefin compositions containing pearlescent pigment to prevent yellowing and method therefore
US5961362A (en) * 1997-09-09 1999-10-05 Motorola, Inc. Method for in situ cleaning of electron emitters in a field emission device
US5866978A (en) * 1997-09-30 1999-02-02 Fed Corporation Matrix getter for residual gas in vacuum sealed panels
JP4137230B2 (ja) 1998-04-18 2008-08-20 東洋電装株式会社 ウォッシャスイッチの可動接点取付構造
US6499354B1 (en) * 1998-05-04 2002-12-31 Integrated Sensing Systems (Issys), Inc. Methods for prevention, reduction, and elimination of outgassing and trapped gases in micromachined devices
JP2000019044A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Teijin Seiki Co Ltd 真空圧力センサ
US6843936B1 (en) * 1998-10-22 2005-01-18 Texas Instruments Incorporated Getter for enhanced micromechanical device performance
IT1312248B1 (it) * 1999-04-12 2002-04-09 Getters Spa Metodo per aumentare la produttivita' di processi di deposizione distrati sottili su un substrato e dispositivi getter per la
US6534850B2 (en) * 2001-04-16 2003-03-18 Hewlett-Packard Company Electronic device sealed under vacuum containing a getter and method of operation
TW533188B (en) * 2001-07-20 2003-05-21 Getters Spa Support for microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
TW583049B (en) * 2001-07-20 2004-04-11 Getters Spa Support with integrated deposit of gas absorbing material for manufacturing microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
EP1310380A1 (en) 2001-11-07 2003-05-14 SensoNor asa A micro-mechanical device and method for producing the same
US6923625B2 (en) 2002-01-07 2005-08-02 Integrated Sensing Systems, Inc. Method of forming a reactive material and article formed thereby

Also Published As

Publication number Publication date
TW583049B (en) 2004-04-11
WO2003009317A2 (en) 2003-01-30
CA2447282C (en) 2008-05-06
US20080038861A1 (en) 2008-02-14
MY128708A (en) 2007-02-28
CN1620722A (zh) 2005-05-25
EP1410433B1 (en) 2005-03-23
CA2447282A1 (en) 2003-01-30
DK1410433T3 (da) 2005-06-27
ATE291777T1 (de) 2005-04-15
WO2003009317A3 (en) 2003-09-25
ES2238062T3 (es) 2005-08-16
US8105860B2 (en) 2012-01-31
DE60203394T2 (de) 2006-03-23
AU2002334385A1 (en) 2003-03-03
US7180163B2 (en) 2007-02-20
DE60203394D1 (de) 2005-04-28
US20070210431A1 (en) 2007-09-13
KR100554492B1 (ko) 2006-03-03
HK1076539A1 (en) 2006-01-20
JP2005513758A (ja) 2005-05-12
JP4831931B2 (ja) 2011-12-07
US8193623B2 (en) 2012-06-05
CN100355045C (zh) 2007-12-12
EP1410433A2 (en) 2004-04-21
US20040048449A1 (en) 2004-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100554492B1 (ko) 마이크로 전자, 마이크로 광전자 또는 마이크로 기계장치를 제조하기 위한 가스 흡수 물질의 증착물이 집적된지지체
KR100611134B1 (ko) 마이크로일렉트로닉, 마이크로옵토일렉트로닉 또는마이크로메카니칼 소자용 지지부
US8546928B2 (en) Micromechanical housing comprising at least two cavities having different internal pressure and/or different gas compositions and method for the production thereof
US7462931B2 (en) Indented structure for encapsulated devices and method of manufacture
ITMI20011557A1 (it) Supporto per la produzione di dispositivi microelettronici microoptoelettronici o micromeccanici con deposito integrato di materiale getter
ITMI20011558A1 (it) Supporto per dispositivi microelettronici microoptoelettronici o micromeccanici

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130207

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140206

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150205

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160204

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170202

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180206

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190201

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200212

Year of fee payment: 15