KR20040004879A - 반도체 소자의 인덕터 및 그 형성방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (5)
- 반도체 기판;상기 반도체 기판 내부에 매립된 자성층; 및상기 자성층 내부에 형성되는 인덕터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 인덕터.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판은 소정 깊이의 트렌치를 가지며,상기 트렌치내에 자성층 및 인덕터가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 인덕터.
- 반도체 기판의 소정 부분에 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치 내부 표면에 제 1 자성층을 형성하는 단계;상기 트렌치 저부의 제 1 자성층 상부에 소정 두께를 갖는 인덕터를 형성하는 단계; 및상기 인덕터가 형성된 트렌치 내부를 제 2 자성층으로 매립시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 인덕터 형성방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 자성층을 형성하는 단계와, 상기 인덕터를 형성하는 단계는,상기 트렌치가 형성된 반도체 기판 상부에 제 1 자성층을 형성하는 단계;상기 제 1 자성층 상부에 상기 트렌치가 충분히 매립되도록 인덕터용 금속막을 증착하는 단계;상기 인덕터용 금속막 및 제 1 자성층을 화학적 기계적 연마하여, 상기 트렌치내에 매립시키는 단계;상기 인덕터용 금속막 상부에 인덕터 한정용 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 인덕터 한정용 포토레지스트 패턴의 형태로 상기 인덕터용 금속막을 식각하여, 인덕터를 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 인덕터 형성방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴의 형태로 상기 인덕터용 금속막을 식각하는 단계에서, 상기 인덕터가 원하는 높이를 갖도록 인덕터용 금속막을 과도 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 인덕터 형성방법.
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