KR20040004494A - 반도체 웨이퍼를 처리하는 통합 시스템 - Google Patents

반도체 웨이퍼를 처리하는 통합 시스템 Download PDF

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KR20040004494A KR10-2003-7009526A KR20037009526A KR20040004494A KR 20040004494 A KR20040004494 A KR 20040004494A KR 20037009526 A KR20037009526 A KR 20037009526A KR 20040004494 A KR20040004494 A KR 20040004494A
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Abstract

본 발명에 따르면, 도전성 앞면을 갖는 복수의 웨이퍼를 처리하는 통합 시스템이 제공된다. 상기 시스템은 웨이퍼의 앞면상에 증착 또는 금속 제거를 위한 복수의 처리 하부시스템을 포함한다. 각각의 처리 하부시스템은 처리챔버 및 세정챔버를 포함한다. 또한, 상기 시스템은 복수의 처리 하부시스템 중 적정한 하나로 각각의 웨이퍼를 집어넣거나 빼내는 핸들링 하부시스템을 구비한다. 복수의 처리 하부시스템 및 웨이퍼 핸들링 시스템이 통합 시스템을 형성한다.

Description

반도체 웨이퍼를 처리하는 통합 시스템{INTEGRATED SYSTEM FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFERS}
반도체 산업에서, 웨이퍼 상의 재료를 증착 및 에칭시키기 위하여 다양한 공정들이 사용될 수 있다. 증착기술은 전기화학적 증착(ECD) 및 전기화학적 기계적 증착(ECMD)과 같은 공정들을 포함한다. 상기 두 공정들에서, 컨덕터는 웨이퍼의 표면(캐소드)와 접촉하게 되는 전해질을 통하여 전달되는 전류에 의하여 반도체 웨이퍼나 작업물(work piece) 위에 증착된다. ECMD 공정은 표면의 평면도를 유지하면서 도전재료를 지닌 웨이퍼 표면의 홀 및 트렌치를 균일하게 충전시킬 수 있다. ECMD 방법 및 장치의 보다 상세한 설명은, 본 발명의 양수인이 공동 보유하고 있는 "Method and Apparatus for Electrochemical Mechanical Deposition"이란 제목의 미국특허 제6,176,992호에서 찾을 수 있다.
통상적인 도금공정이 증착챔버내에서 도전재료를 증착시켜 수행된다면, 작업물은 기계적 및 화학적으로, 예를 들어 화학적 기계적 폴리싱(CMP)으로 폴리싱하기 위한 클러스터 툴내의 또 다른 챔버로 이송될 수도 있다. 알려진 바와 같이, ECD또는 ECMD 공정이 완료된 후 전극에 대하여 웨이퍼를 양극(포지티브)으로 만듦으로써 전기화학적 에칭을 사용하여 재료의 제거가 수행될 수도 있다.
어떠한 공정이 사용되던 간에, 다음에 작업물은 증착 및/또는 폴리싱 단계후에 세척(rinsing)/세정(cleaning) 스테이션으로 이송된다. 세척/세정 단계동안, 증착 및/또는 폴리싱 공정에 의하여 발생되는 여러 잔류물은 물 등과 같은 유체에 의하여 웨이퍼에서 세척되어 나가고, 후속해서 웨이퍼가 건조된다.
통상적으로, 처리 챔버들은 클러스터 툴 또는 시스템을 형성하기 위하여 클러스터로 배열되는 다중의 처리 스테이션 또는 모듈로 디자인된다. 흔히, 이러한 클러스터 툴 또는 시스템은 복수의 웨이퍼를 동시에 처리하는데 사용된다. 일반적으로, 클러스터 툴은 다중의 처리 스테이션 및 모듈을 구비하도록 구성되며, 특정 작업을 위하여 디자인된다. 하지만, 종래의 클러스터 툴에서는, 증착 및 세정처리 단계 모두는 통상적으로 별도의 챔버를 필요로 한다. 이러한 이유로, 공지된 클러스터 툴에서는, 웨이퍼가 처리되고 세정되기 위하여 또 다른 스테이션이나 시스템으로 이동해야만 한다. 따라서, 이렇게 구성된 시스템은 특정 처리 환경으로부터 웨이퍼를 집어서 세정 환경으로 옮길 필요가 있다. 이는, 상기 웨이퍼가 이송되는 동안 미립자와 같은 오염물질들이 상기 웨이퍼상에 들러붙을 수도 있기 때문에 부적절할 수 있다. 게다가, 이러한 일련의 웨이퍼의 언로딩, 이송 및 리로딩은 비용과 시간이 많이 소모되며 큰 설치면적을 필요로 한다.
결론적으로, 제조원가를 줄이고 제조효율을 증대시키는 대안적인 통합 처리 시스템에 대한 필요성이 있다.
본 발명의 개요
도전성의 앞면을 갖는 복수의 웨이퍼를 처리하기 위한 통합 시스템이 제공된다. 상기 시스템은 웨이퍼의 앞면상에 증착시키고 그로부터 금속을 제거하기 위한 복수의 처리용 하부시스템(subsystem)을 포함한다. 각각의 처리 시스템은 처리챔버와 세정챔버를 포함한다. 또한, 상기 시스템은 복수의 처리용 하부시스템들 중 적당한 하나로 각각의 웨이퍼를 집어넣거나 빼내기 위한 웨이퍼 핸들링 하부시스템을 구비한다. 복수의 처리용 하부시스템 및 웨이퍼 핸들링 하부시스템이 통합 시스템을 형성한다.
본 발명의 상기 및 여타의 특징, 이점들은 첨부된 도면, 설명 및 청구항을 참조하면 보다 잘 이해할 수 있을 것이다.
본 발명은 반도체 처리 기술에 관한 것이며, 보다 특별하게는 통합 반도체 웨이퍼 처리 시스템에 관한 것이다.
도 1은 복수의 전기화학적 증착 처리 스테이션을 사용하는 본 발명의 제1실시예를 예시한 도,
도 2는 복수의 전기화학적 기계적 증착 처리 스테이션을 사용하는 본 발명의 제2실시예를 예시한 도,
도 3은 복수의 화학적 기계적 가공 처리 스테이션을 사용하는 본 발명의 제3실시예를 예시한 도,
도 4는 복수의 전기화학적 폴리싱 또는 에칭 처리 스테이션을 사용하는 본 발명의 제4실시예를 예시한 도,
도 5 및 도 6은 각각 적어도 하나의 도금 처리 스테이션 및 적어도 하나의컨덕터 제거 스테이션을 사용하는 본 발명에 따른 제5 및 제6실시예를 예시한 도,
도 7은 복수의 상이한 처리 스테이션들을 사용하는 본 발명의 제7실시예를 예시한 도,
도 8은 어닐 스테이션을 포함하는 복수의 상이한 처리 스테이션들을 사용하는 본 발명의 제8실시예를 예시한 도이다.
본 발명은 반도체 디바이스 제조용 시스템을 제공한다. 상기 시스템은 세정, 에지 제거 및 건조와 같은 여타의 공정 단계들과 함께 통합되는 전기화학적 기계적 증착(ECMD), 전기화학적 증착(ECD), 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 및 전기화학적 폴리싱(EC-폴리싱)과 같은 처리 단계들을 수행하기 위한 복수의 처리 모듈을 포함한다. 또한, 본 발명의 통합 툴은 상기 처리 모듈들을 활용하도록 디자인되어 전기화학적 증착, 화학적 기계적 폴리싱 및 전기화학적 폴리싱과 관련된 다중처리 단계들을 수행한다.
상술된 바와 같이, ECD, ECMD, CMP 또는 전기화학적 폴리싱 처리에서 생겨나는 전해질 잔류물들은 웨이퍼로부터 세척되어 나가고 그 후 상기 웨이퍼가 건조될필요가 있다. 또한, 상기 처리가 끝난후에, 웨이퍼 표면의 에지 부근에 증착되는 금속의 일부를 제거할 필요가 있다. 흔히 이러한 처리를 '베벨 에지 세정(bevel edge clean)' 또는 '에지 제거(edge removal)' 단계라 칭한다. 본 발명에서는, 예로 든 처리챔버, 즉 ECD, ECMD, CMP 또는 전기화학적 폴리싱 챔버 및 그들 각각의 세정챔버가 수직방향으로 쌓아올려져 있다. 하지만, 종래기술에서는, ECD 처리, 전기화학적 에칭 처리, CMP 처리 및 세정 처리는 서로에 대하여 수평방향으로 배치된 상이한 챔버들에서 수행된다. 에지 제거 단계는 세정챔버에서 수행될 수도 있다. 본 출원명세서에서는, 세정챔버에서 (잔류물을 제거하기 위하여 물 등과 같은 유체를 사용하는) 세정 및 건조단계가 수행되며, 에지 제거 처리 단계가 수행될 수도 있다.
이제, 도면을 참조하기로 한다(전체를 통하여 같은 참조부호는 같은 부분을 지칭한다). 도 1은 처리섹션(102) 및 로드/언로드 섹션(104) 또는 버퍼 섹션(106)을 통하여 상기 처리섹션에 연결되는 카세트섹션을 포함하는 본 발명의 통합 툴(100) 또는 시스템을 예시하고 있다. 처리섹션은 도 1에 도시된 형태에서와 같이 처리섹션(102) 주위에서 집단을 이루는 1개 이상의 처리 스테이션(108A-108D)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 처리 스테이션(108A-108D)은 전기화학적 증착(ECD) 챔버 및 세정챔버(즉, ECD/세정챔버)를 구비하는 챔버들이 수직방향으로 쌓아올려지는 것이 바람직할 수 있다. 그렇게 구성될 경우, 본 발명의 통합 툴(100)은 상이한 직경을 갖는 웨이퍼들을 처리할 수 있다. 일 예시로, 처리 스테이션(108A, 108B)은 300mm 웨이퍼를 처리할 수 있는 한편, 처리 스테이션(108C,108D)은 200mm 웨이퍼를 처리할 수 있으며, 그 반대의 경우도 가능하다. 이미 상술하였듯이, 상기한 일 예시의 수직방향의 챔버 디자인 및 작동은, 본 발명의 양수인이 공동 보유한, 1999년 12월 17일에 "Vertically Configured Chamber Used for Multiple Processes,"란 제목으로 출원되어 함께 계류중인 미국 특허출원 제09/466,014호에개시되어 있다. 작동에 있어서, 도금될 웨이퍼(110) 또는 작업물은 카세트(112)의 카세트섹션(104)로 전달된 다음, 각각 집어올려져 제1로봇(114)에 의해 버퍼섹션(106)으로 이송된다. 그 다음, 각각의 웨이퍼(110)는 제2로봇(116)에 의해 처리섹션(102)의 수직방향 챔버(108A-108D) 중 하나로 이송될 수 있다. 상술된 바와 같이, 수직방향 챔버(108A-108D)는 200 또는 300mm 웨이퍼 중 하나를 처리하도록 맞추어 질 수 있다. 전기화학적 증착 및 세정 처리가 완료된 후에는, 상기 이송단계가 역순으로 수행되어 각각의 웨이퍼를 통합 툴(100)로부터 제거한다. 도 2는 처리섹션(202) 및 로드/언로드 섹션(204) 또는 버퍼 섹션(206)을 통하여 처리섹션에 연결된 카세트 섹션을 포함하는 본 발명의 통합 툴(200) 또는 시스템의 또 다른 실시예를 예시하고 있다. 도 2에 나타낸 형태에서와 같이, 상기 처리섹션은 처리섹션(102) 주위에서 집단을 이루는 1개 이상의 처리 스테이션(208A-208D)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 처리 스테이션(208A-208D)은, 상술된 미국특허 제6,176,992호에 개시된 바와 같이 작업물상의 도전재료의 도금 또는 제거 중 어느 하나를 수행할 수 있는 전기화학적 기계적 증착(ECMD) 챔버 및 세정챔버(즉, ECMD/세정챔버)를 구비하는 챔버들을 수직방향으로 쌓아 올린 것이 바람직하다. 이렇게 구성될 경우, 본 발명의 통합 툴(200)은 상이한 직경을 갖는 웨이퍼들을 처리할 수 있다. 일 예시로, 처리 스테이션(108A, 108B)은 300mm 웨이퍼를 처리할 수 있는 한편, 처리 스테이션(108C,108D)은 200mm 웨이퍼를 처리할 수 있으며, 그 반대의 경우도 가능하다. 이미 상술하였듯이, 상기한 일 예시의 수직방향챔버의 디자인 및 작동은, 본 발명의 양수인이 공동 보유한, 1999년 12월 17일에 "VerticallyConfigured Chamber Used for Multiple Processes,"란 제목으로 출원되어 함께 계류중인 미국 특허출원 제09/466,014호에 개시되어 있다.
작동에 있어서, 도전재료로 도금될 및/또는 이미 그 위에 증착된 도전재료가 제거된 웨이퍼(210) 또는 작업물은 카세트(212)의 카세트섹션(204)으로 전달된 다음, 각각 집어올려져 제1로봇(214)에 의해 버퍼섹션(206)으로 이송된다. 그 다음, 각각의 웨이퍼(210)는 제2로봇(216)에 의해 처리섹션(202)의 수직방향 챔버(208A-208D) 중 하나로 이송될 수 있다. 상술된 바와 같이, 수직방향 챔버(208A-208D)는 200 또는 300mm 웨이퍼 중 하나를 처리하도록 맞추어질 수 있다. 도금 및/또는 제거, 그리고 세정처리가 완료된 후에는, 상기 이송단계가 역순으로 수행되어 각각의 웨이퍼(210)를 통합 툴(200)로부터 제거한다. 도 3은 처리섹션(302) 및 로드/언로드 섹션(304) 또는 버퍼섹션(306)을 통하여 처리섹션에 연결된 카세트 섹션을 포함하는 본 발명의 통합 툴(300) 또는 시스템의 또 다른 실시예를 예시하고 있다. 도 3에 나타낸 형태에서와 같이, 처리섹션(302)은 상기 처리섹션(302) 주위에서 집단을 이루는 1개 이상의 처리 스테이션(308A-308D)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 처리 스테이션(308A-308D)은, 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 챔버 및 세정챔버(즉, CMP/세정챔버)를 구비할 수 있는 챔버들을 수직방향으로 쌓아 올린 것이 바람직하다. 이렇게 구성될 경우, 본 발명의 통합 툴(300)은 상이한 직경을 갖는 웨이퍼들을 처리할 수 있다. 일 예시로, 처리 스테이션(308A, 308B)은 300mm 웨이퍼를 처리할 수 있는 한편, 처리 스테이션(308C,308D)은 200mm 웨이퍼를 처리할 수 있으며, 그 반대의 경우도 가능하다. 이미 상술하였듯이, 상기한 일 예시의 수직방향의챔버 디자인 및 작동은, 본 발명의 양수인이 공동 보유한, 1999년 12월 17일에 "Vertically Configured Chamber Used for Multiple Processes,"란 제목으로 출원되어 함께 계류중인 미국 특허출원 제09/466,014호에 개시되어 있다.
작동에 있어서, 폴리싱될 웨이퍼(310) 또는 작업물은 카세트(312)의 카세트섹션(304)으로 전달된 다음, 각각 집어올려져 제1로봇(314)에 의해 버퍼섹션(306)으로 이송된다. 그 다음, 각각의 웨이퍼(310)는 제2로봇(316)에 의해 처리섹션(302)의 수직방향 챔버(308A-308D) 중 하나로 이송될 수 있다. 상술된 바와 같이, 수직방향 챔버(308A-308D)는 200 또는 300mm 웨이퍼 중 하나를 처리하도록 맞추어질 수 있다. 화학적 기계적 폴리싱 및 세정처리가 완료된 후에는, 상기 이송단계가 역순으로 수행되어 각각의 웨이퍼(310)를 통합 툴(300)로부터 제거한다. 도 4는 처리섹션(402) 및 로드/언로드 섹션(404) 또는 버퍼섹션(406)을 통하여 처리섹션에 연결된 카세트 섹션을 포함하는 본 발명의 통합 툴(400) 또는 시스템의 또 다른 실시예를 예시하고 있다. 도 4에 나타낸 형태에서와 같이, 처리섹션(402)은 상기 처리섹션(402) 주위에서 집단을 이루는 1개 이상의 처리 스테이션(408A-408D)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 처리 스테이션(408A-408D)은, 전기화학적 폴리싱 또는 전기화학적 에칭 챔버 및 세정챔버(즉, EC-폴리싱/세정챔버)를 구비할 수 있는 챔버들을 수직방향으로 쌓아 올린 것이 바람직하다. 이렇게 구성될 경우, 본 발명의 통합 툴(400)은 상이한 직경을 갖는 웨이퍼들을 처리할 수 있다. 일 예시로, 처리 스테이션(408A, 408B)은 300mm 웨이퍼를 처리할 수 있는 한편, 처리 스테이션(408C,408D)은 200mm 웨이퍼를 처리할 수 있으며, 그 반대의 경우도 가능하다. 이미 상술하였듯이, 상기한 일 예시의 수직방향의 챔버 디자인 및 작동은, 본 발명의 양수인이 공동 보유한, 1999년 12월 17일에 "Vertically Configured Chamber Used for Multiple Processes,"란 제목으로 출원되어 함께 계류중인 미국 특허출원 제09/466,014호에 개시되어 있다.
작동에 있어서, 전기화학적으로 폴리싱될 웨이퍼(410) 또는 작업물은 카세트(412)의 카세트섹션(404)으로 전달된 다음, 각각, 제1로봇(414)에 의해 버퍼섹션(406)으로 이송된다. 그 다음, 각각의 웨이퍼(410)가 집어올려져 제2로봇(416)에 의해 처리섹션(402)의 수직방향 챔버(408A-408D) 중 하나로 이송될 수 있다. 상술된 바와 같이, 수직방향 챔버(408A-408D)는 200 또는 300mm 웨이퍼 중 하나를 처리하도록 맞추어질 수 있다. EC 폴리싱 및 세정처리가 완료된 후에는, 상기 이송단계가 역으로 수행되어 각각의 웨이퍼(410)를 통합 툴(400)로부터 제거한다.
오염물 및 소모되는 시간을 줄여주는 본 발명의 장점을 상기 설명으로부터 명백히 이해할 수 있겠으나, 상이한 처리능력을 가진 수직방향의 챔버들이 통합 시스템의 일부를 구성하게 될 경우, 동일한 수직방향의 챔버내에서 일어날 수 있는 작동의 수는 웨이퍼를 핸들링하기 위한 로봇을 그리 많이 요구하지 않기 때문에, 전체 스루풋의 관점에서 또 다른 장점이 얻어질 수 있으며 오염도 줄어든다. 이는 단일 처리섹션과 연관된 각각의 상이한 도금 및 제거 챔버들내에 관련 세정챔버 역시 존재하기 때문이다. 따라서, 본 발명에 의하지 않았다면 소요되는 시간, 즉 웨이퍼를 하나의 처리챔버로부터 상이한 세정챔버로 이송하였다가 다시 상이한 처리챔버로 이송시키는데 필요한 시간이 제거된다(이에 대해서는 보다 상세히 후술하기로 한다).
도 5는 처리섹션(502) 및 로드/언로드 섹션(504) 또는 버퍼섹션(506)을 통하여 처리섹션에 연결된 카세트 섹션을 포함하는 본 발명의 통합 툴(500) 또는 시스템의 또 다른 실시예를 예시하고 있다. 도 5에 나타낸 형태에서와 같이, 처리섹션(502)은 상기 처리섹션(502) 주위에서 집단을 이루는 1개 이상의 처리 스테이션(508A, 508B 및 509A, 509B)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 처리 스테이션(508A, 508B 및 509A, 509B)은 챔버들을 수직방향으로 쌓아 올린 것이 바람직하다. 상기 수직방향으로 쌓아 올린 챔버들은 ECD/세정 챔버(508A,508B)의 세트 및 CMP/세정챔버(509A,509B)의 세트로서 배열될 수 있다. 이미 상술하였듯이, 상기한 일 예시의 수직방향의 챔버 디자인 및 작동은, 본 발명의 양수인이 공동 보유한, 1999년 12월 17일에 "Vertically Configured Chamber Used for Multiple Processes,"란 제목으로 출원되어 함께 계류중인 미국 특허출원 제09/466,014호에 개시되어 있다.
작동에 있어서, 도금되고 폴리싱될 웨이퍼(510) 또는 작업물은 카세트(512)의 카세트섹션(504)으로 전달된 다음, 각각, 제1로봇(514)에 의해 버퍼섹션(506)으로 이송된다. 그 다음, 각각의 웨이퍼(510)가 집어올려져 제2로봇(516)에 의해 수직방향 챔버(508A, 508B 및 509A, 509B) 중 하나로 이송될 수 있다. 일 예로, 상기 제2로봇(516)은 맨처음 웨이퍼(510)를 ECD/세정챔버(508A)로 이송시킨다. 일단 증착에 의한 도금 및 초기세정이 끝나게 되면, 제2로봇(516)은 웨이퍼들을 집어올려 그들을 CMP/세정챔버(509A)로 이송시킨다. CMP/세정챔버(509A)내에서 수행되는 화학적 기계적 폴리싱 및 세정처리가 완료된 후에는, 통합 툴(500)의 카세트(512)내의 웨이퍼를 교체하기 위하여 상기 제2로봇(516)에 이어 제1로봇(514)이 연속해서 각 웨이퍼(510)를 핸들링한다. 상술된 바와 같이, 수직방향 챔버(508A, 508B 또는 509A, 509B)는 200 또는 300mm 웨이퍼 중 하나를 처리하도록 맞추어질 수 있다.
도 6는 처리섹션(602) 및 로드/언로드 섹션(604) 또는 버퍼섹션(606)을 통하여 처리섹션에 연결된 카세트 섹션을 포함하는 본 발명의 통합 툴(600) 또는 시스템의 또 다른 실시예를 예시하고 있다. 도 6에 나타낸 형태에서와 같이, 처리섹션(602)은 상기 처리섹션(602) 주위에서 집단을 이루는 1개 이상의 처리 스테이션(608A, 608B 및 609A, 609B)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 처리 스테이션(608A, 608B 및 609A, 609B)은 챔버들을 수직방향으로 쌓아 올린 것이 바람직하다. 상기 수직방향으로 쌓아 올린 챔버들은 ECD/세정 챔버(608A,608B)의 세트 및 EC-폴리싱/세정챔버(609A,609B)의 세트로서 배열될 수 있다. 이미 상술하였듯이, 상기한 일 예시의 수직방향의 챔버 디자인 및 작동은, 본 발명의 양수인이 공동 보유한, 1999년 12월 17일에 "Vertically Configured Chamber Used for Multiple Processes,"란 제목으로 출원되어 함께 계류중인 미국 특허출원 제09/466,014호에 개시되어 있다.
작동에 있어서, 도금되고 전기화학적으로 폴리싱 및/또는 에칭될 웨이퍼(610) 또는 작업물은 카세트(612)의 카세트섹션(604)으로 전달된 다음, 각각, 제1로봇(614)에 의해 버퍼섹션(606)으로 이송된다. 그 다음, 각각의 웨이퍼(610)가 집어올려져 제2로봇(616)에 의해 수직방향 챔버(608A, 608B 및609A, 609B) 중 하나로 이송될 수 있다. 일 예로, 상기 제2로봇(616)은 맨처음 각각의 웨이퍼(610)를 ECD/세정챔버(608A)로 이송시킨다. 일단 ECD/세정챔버(608A)내에서 도금 및 후속하는 초기세정이 일어나게 되면, 제2로봇(616)은 각각의 웨이퍼를 집어올려 CMP/세정챔버(609A)로 이송시킨다. CMP/세정챔버(609A)내에서 수행되는 화학적 기계적 폴리싱 및 세정처리가 완료된 후에는, 통합 툴(600)의 카세트(612)내의 웨이퍼를 교체하기 위하여 상기 제2로봇(616)에 이어 제1로봇(614)이 연속해서 각 웨이퍼(610)를 핸들링한다. 상술된 바와 같이, 수직방향 챔버(608A, 608B 또는 609A, 609B)는 200 또는 300mm 웨이퍼 중 하나를 처리하도록 맞추어질 수 있다.
도 7은 처리섹션(702) 및 로드/언로드 섹션(704) 또는 버퍼섹션(706)을 통하여 처리섹션(702)에 연결된 카세트 섹션을 포함하는 본 발명의 통합 툴(700) 또는 시스템의 또 다른 실시예를 예시하고 있다. 도 7에 나타낸 형태에서와 같이, 처리섹션(702)은 상기 처리섹션(702) 주위에서 집단을 이루는 제1, 제2, 제3 및 제4처리 스테이션(708A, 708B, 708C 및 708D)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 처리 스테이션(708A-708D)은 챔버들을 수직방향으로 쌓아 올린 것이 바람직하다. 상기 제1스테이션(708A)은 ECD/세정 수직방향 챔버로 이루어질 수 있다. 제2스테이션(708B)은 ECMD/세정 수직방향 챔버로 이루어질 수 있다. 제3스테이션(708C)은 CMP/세정 수직방향 챔버로 이루어질 수 있다. 제4스테이션(708D)은 EC-폴리싱/세정 수직방향 챔버로 이루어질 수 있다. 이미 상술하였듯이, 상기한 일 예시의 수직방향의 챔버 디자인 및 작동은, 본 발명의 양수인이 공동 보유한, 1999년 12월 17일에 "Vertically Configured Chamber Used for Multiple Processes,"란 제목으로 출원되어 함께 계류중인 미국 특허출원 제09/466,014호에 개시되어 있다.
작동에 있어서, (ECD 및/또는 ECMD로) 도금되고 전기화학적으로 폴리싱되거나 CMP 폴리싱될 웨이퍼(710) 또는 작업물은 카세트(712)의 카세트섹션(704)으로 전달된 다음, 각각, 제1로봇(714)에 의해 버퍼섹션(706)으로 이송된다. 그 다음, 각각의 웨이퍼(710)가 집어올려져 제2로봇(716)에 의해 수직방향 챔버(708A-708D) 중 하나로 이송될 수 있다.
일 예로, 상기 제2로봇(716)은 맨처음 상기 웨이퍼(710)를 ECMD/세정챔버(708B)로 이송시킨다. 일단 ECMD/세정챔버(708B)내에서 도금 및 전기폴리싱된 다음 초기세정이 수행되고 나면, 제2로봇(716)은 상기 웨이퍼(710)를 집어올려 CMP/세정챔버(708C) 또는 EC-폴리싱/세정챔버(708D)로 이송시킨다. CMP/세정챔버(708C) 또는 EC-폴리싱/세정챔버(708D)내에서 각각 수행되는 화학적 기계적 폴리싱 및 세정 또는 EC-폴리싱 및 세정이 완료된 후에는, 통합 툴(700)의 카세트(712)내의 웨이퍼를 교체하기 위하여 상기 제2로봇(716)에 이어 제1로봇(714)이 연속해서 각 웨이퍼(710)를 핸들링한다.
두번째 예시로, 상기 제2로봇(716)은 맨처음 상기 웨이퍼(710)를 ECD/세정챔버(708A)로 이송시킨다. 일단 ECD/세정챔버(708A)내에서 도금 및 초기세정이 수행되고 나면, 제2로봇(716)은 상기 웨이퍼(710)를 집어올려 CMP/세정챔버(708C) 또는 EC-폴리싱/세정챔버(708D)로 이송시킨다. CMP/세정챔버(708C) 또는 EC-폴리싱/세정챔버(708D)에 의하여 각각 수행되는 화학적 기계적 폴리싱 및 세정 또는 EC-폴리싱 및 세정이 완료된 후에는, 통합 툴(700)의 카세트(712)내의 웨이퍼를 교체하기 위하여 상기 제2로봇(716)에 이어 제1로봇(714)이 연속해서 각 웨이퍼(710)를 핸들링한다.
상술된 바와 같이, 수직방향 챔버(708A, 708B 또는 708C, 708D)는 200 또는 300mm 웨이퍼 중 하나를 처리하도록 맞추어질 수 있다. 비록 상기 실시예가 4개의 처리 스테이션을 예로 들었으나, 본 발명의 범위내에서 4개 이상, 예를 들어 6개의 처리챔버가 사용될 수도 있다는 점을 이해해야 한다.
또한, 본 발명의 범위내에서 상기 시스템들은 웨이퍼를 어닐링하기 위한 어닐링챔버를 포함할 수도 있다. 어닐챔버가 포함될 경우, 어닐챔버가 버퍼영역 부근에 배치되도록 하고, 상기 어닐챔버가 웨이퍼를 가열할 수 있는 "고온(hot)" 섹션 및 어닐링이 완료된 후에 웨이퍼를 냉각시킬 수 있는 "저온(cool)" 섹션 모두를 포함하도록 하는 것이 바람직하다. 상기 어닐챔버는 소정 시간에 단일 웨이퍼를 처리할 수 있는 능력을 가지며, 그에 대해서는 잘 알려져 있다. 따라서, 추가 설명은 생략하기로 한다. 본 발명에 대한 장점은 어닐챔버가 다른 처리 섹션과 통합되어 있어 효율 및 스루풋을 최대화시킬 수 있는 형태에 있다.
시스템의 구조에 따라서는, 어닐챔버로 웨이퍼를 집어넣거나 빼내는데 두 로봇 중 하나만 구성될 수도 있다. 아래에 설명되는 바와 같이, 두 로봇이 상기 작업을 수행할 수 있을 경우, 그 때에 있어 만일 후술되는 것 처럼 어닐링후에 추가적인 작업이 없다면, 어닐챔버가 대체 버퍼영역으로서의 역할을 할 수 있다.
도 8은 처리섹션(802) 및 로드/언로드 섹션(804) 또는 버퍼섹션(806)을 통하여 처리섹션에 연결된 카세트 섹션을 포함하는, 상술된 바와 같은 어닐챔버를 사용하는 본 발명의 통합 툴(800) 또는 시스템의 또 다른 실시예를 예시하고 있다. 도 8에 나타낸 형태에서와 같이, 처리섹션(802)은 상기 처리섹션(802) 주위에서 집단을 이루는 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5처리 스테이션(808A, 808B, 808C, 808D 및 808E)를 포함할 수 있다. 상기 제1스테이션(808A)은 200mm 웨이퍼를 처리할 수 있는 ECD/세정 수직방향 챔버 또는 ECMD/세정 수직방향 챔버로 이루어질 수 있다(둘 모두 보다 큰 시스템에서 사용될 수도 있음). 제2스테이션(808B)은 300mm 웨이퍼를 처리할 수 있는 ECD/세정 수직방향 챔버 또는 ECMD/세정 수직방향 챔버로 이루어질 수 있다(둘 모두 보다 큰 시스템에서 사용될 수 있음). 제3스테이션(808C)은 200mm 웨이퍼를 처리할 수 있는 CMP/세정 수직방향 챔버 또는 EC-폴리싱/세정 수직방향 챔버로 이루어질 수 있다(둘 모두 보다 큰 시스템에서 사용될 수 있음). 제4스테이션(808D)은 300mm 웨이퍼를 처리할 수 있는 CMP/세정 수직방향 챔버 또는 EC-폴리싱/세정 수직방향 챔버로 이루어질 수 있다(둘 모두 보다 큰 시스템에서 사용될 수 있음). 이미 상술하였듯이, 상기한 일 예시의 수직방향의 챔버 디자인 및 작동은, 본 발명의 양수인이 공동 보유한, 1999년 12월 17일에 "Vertically Configured Chamber Used for Multiple Processes,"란 제목으로 출원되어 함께 계류중인 미국 특허출원 제09/466,014호에 개시되어 있다. 상술된 바와 같이, 제5챔버(808E)가 어닐링챔버로 이루어질 수도 있다.
작동에 있어서, (ECD 및/또는 ECMD로) 도금될 웨이퍼(810) 또는 작업물은 카세트(812)의 카세트섹션(804)으로 전달된 다음, 각각, 제1로봇(814)에 의해 버퍼섹션(806)으로 이송된다. 그 다음, 각각의 웨이퍼(810)가 집어올려져 제2로봇(816)에 의해 수직방향 챔버(808A-808E) 중 하나로 이송될 수 있다.
일 예로, 상기 제2로봇(816)은 맨처음 웨이퍼의 크기에 따라 각각의 웨이퍼(810)를 ECMD/세정챔버(808A,808B) 중 하나로 이송시킨다. 일단 ECMD/세정챔버(808A,808B)내에서 웨이퍼의 앞면으로부터의 도전재료의 도금 및 제거 그리고 초기세정이 수행되고 나면, 제2로봇(816)은 상기 웨이퍼(810)를 집어올려 어닐링챔버(808E)로 이송시킨다. 일단 웨이퍼(810)가 어닐링챔버내에서 어닐링 및 냉각되고 나면, 그 다음으로 상기 웨이퍼(810)는 제2로봇(816)에 의하여 집어올려져 웨이퍼의 크기에 따라 CMP/세정챔버 또는 EC-폴리싱/세정챔버(808C 또는 808D) 중 하나로 이송된다. CMP/세정챔버 또는 EC-폴리싱/세정챔버(808C 또는 808D) 중 하나를 사용하여 웨이퍼의 앞면으로부터 도전재료가 제거되고, 후속하는 세정이 동일한 수직방향 챔버내에서 완료되면, 상기 제2로봇(816)에 이어 제1로봇(814)이 상호작동하여 상기 웨이퍼를 카세트섹션(804)로 다시 이송시킨다. 또 다른 예시로서, 어닐이 완료된 후 추가처리가 필요하지 않다면, 제1로봇(814)에 의하여 웨이퍼가 집어 올려져 다시 카세트섹션(804)으로 직접 이송될 수 있다.
상술된 여러 실시예에서, 본 발명은 카세트섹션내로 배치되는 상이한 크기의 웨이퍼를 처리할 수 있다는 점에 유의해야 한다. 각각의 상이한 카세트내의 웨이퍼의 크기는 시스템 콘트롤러에 의하여 사용되는 소프트웨어 태그(tag)의 이용을 통하여 파악된다. 또한, 웨이퍼를 들어올리는 로봇 아암은, 각 웨이퍼의 중심을 검출하고 그 크기와 무관하게 상기 웨이퍼를 적절히 집어올릴 수 있도록 구성된다.
또한, 각 웨이퍼에 대하여, 시스템 콘트롤러에는 상기 웨이퍼를 위하여 필요한 상이한 처리 스테이션에 의하여 수행되는 프로세스 시퀀스의 다양한 부분들을 갖춘 처리 순서(process sequence) 또는 처방(recipe)이 로딩된다. 특정 웨이퍼를 특정 처리 스테이션으로 보낼 경우, 시스템 콘트롤러에 의한 명령내에 있는 상기 처방의 일부가 처리 스테이션 모듈로 보내진 다음 처리가 수행되며 그 후 라우팅되는 웨이퍼를 추적할 수 있게 된다.
생산환경에서는 본 발명에 의해서도 의도된 바와 같이 각 웨이퍼가 동일한 처리 순서를 갖는 것이 통상적이지만, 소정의 연구 환경에서는, 각 웨이퍼의 처리에 대하여 보다 많은 제어가 이루어지는 것이 유익하다고 판명되었다. 따라서, 각각의 웨이퍼가 상이한 크기의 웨이퍼를 처리하는 동일 유형의 처리 스테이션들을 포함할 수 있는 적정한 처리 스테이션으로 이송되기 때문에, 처리 스테이션에서 처리 스테이션으로의 웨이퍼의 이송이 조정되도록 시스템 콘트롤러가 시스템을 통하여 웨이퍼의 진행을 추적한다.
물론, 상술한 바는 본 발명의 바람직한 실시예에 관한 것이며, 첨부된 청구항에 설명된 바와 같은 본 발명의 기술적사상 및 범위를 벗어나지 않는 다양한 수정이 이루어질 수 있음을 이해해야 한다.

Claims (128)

  1. 각각 전도성 앞면을 가지고 있는 복수의 웨이퍼를 처리하는 통합시스템에 있어서,
    각각의 상기 웨이퍼의 전도성 앞면에 적어도 전도재의 일부를 퇴적시키거나 제거시키는 처리챔버 및 각각의 처리챔버의 사용전에 상기 웨이퍼상에 축적되는 잔류물을 제거하기 위하여 상기 처리챔버에 대하여 수직으로 배치되는 세정챔버를 각각 포함하는 복수의 처리용 하부시스템; 및
    상기 복수의 처리용 하부시스템 및 웨이퍼유지시스템으로 또는 그곳으로부터 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼핸들링 하부시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 전기화학적 기계적 퇴적챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 전기화학적 퇴적챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 화학적 기계적 폴리싱챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 전기화학적 폴리싱챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    각각의 상기 처리용 하부시스템은 웨이퍼핸들링 하부시스템에 인접해 클러스터배열로 배치되는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 1이상의 웨이퍼핸들링로봇을 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 각각의 처리용 하부시스템내의 상기 세정챔버는 유체 및 건조를 이용하여 세정을 수행함에 따라 잔류물을 제거하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 유체는 물인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 처리용 하부시스템내의 각각의 세정챔버는 웨이퍼의 에지부 근처에 퇴적된 전도재의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건조된 웨이퍼만을 핸들링하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건조된 웨이퍼만을 핸들링하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 제1 및 제2 웨이퍼로봇을 포함하고,
    상기 제1로봇은 각각의 웨이퍼를 카세트로부터 제거하고 상기 웨이퍼를 버퍼에 위치시킨 후, 곧 바로 상기 버퍼로부터 각 웨이퍼를 제거하고 상기 카세트내의 웨이퍼를 교체하며,
    상기 제2로봇은 상기 버퍼로부터 각각의 웨이퍼를 제거하고 상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 하나에 웨이퍼를 위치시킨 후, 곧 바로 상기 처리용 하부시스템으로부터 각 웨이퍼를 제거하고 버퍼내의 웨이퍼를 교체하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건조된 웨이퍼만을 핸들링하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 전기화학적 기계적 퇴적챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 전기화학적 퇴적챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 화학적 기계적 폴리싱챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 전기화학적 폴리싱챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 적어도 소정의 하나는 하나의 사이즈의 웨이퍼를 처리할 수 있고, 상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 다른 하나는 상기 하나의 사이즈의 웨이퍼와 상이한 사이즈의 웨이퍼를 처리할 수 있고,
    상기 제1 및 제2로봇은 하나의 사이즈 및 상이한 사이즈의 웨이퍼를 각각 핸들링할 수 있는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 적어도 소정의 하나는 하나의 사이즈의 웨이퍼를 처리할 수 있고, 상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 다른 하나는 상기 하나의 사이즈의 웨이퍼와 상이한 사이즈의 웨이퍼를 처리할 수 있는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 전기화학적 기계적 퇴적챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 전기화학적 퇴적챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 화학적 기계적 폴리싱챔버 및 전기화학적 폴리싱챔버 중의 하나인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  24. 1이상의 처리용 하부시스템 및 유지영역으로부터 상기 1이상의 처리용 하부시스템으로 1이상의 웨이퍼를 이동시킬 수 있는 웨이퍼핸들링 하부시스템을 포함하는 통합 웨이퍼처리시스템을 이용하여 전도성 앞면을 갖는 1이상의 웨이퍼를 처리하는 방법에 있어서,
    상기 1이상의 처리용 하부시스템은,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템을 이용하여 상기 유지영역으로부터 상기 1이상의 처리용 하부시스템으로 웨이퍼를 이동시키는 단계;
    상기 1이상의 처리용 하부시스템내에서, 처리된 웨이퍼를 얻기 위하여 1이상의 처리용 하부시스템내에 배치된 처리챔버를 이용하여 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계;
    상기 처리챔버로부터 상기 1이상의 처리용 하부시스템내에 함께 배치된 세정챔버로 처리된 웨이퍼를 수직으로 이동시키는 단계;
    세정된 웨이퍼를 얻기 위하여 그 위에 배치된 잔류물을 제거하도록 상기 세정챔버내에 있는 처리된 웨이퍼를 세정하는 단계; 및
    건조웨이퍼를 얻기 위하여 상기 세정챔버내의 세정된 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템을 이용하여 상기 1이상의 처리용 하부시스템으로부터 상기 유지영역으로 상기 건조웨이퍼를 이동시키는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제24항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 처리하는 단계는 전기화학적 기계적 퇴적을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제24항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 처리하는 단계는 전기화학적 퇴적을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제24항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 처리하는 단계는 화학적 기계적 폴리싱을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제24항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 처리하는 단계는 전기화학적 폴리싱을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 각각 전도형 앞면을 갖는 복수의 웨이퍼를 처리하는 통합시스템에 있어서,
    상기 각각의 웨이퍼의 전도성 앞면상에 도체를 퇴적시키기 위한 제1처리챔버 및 상기 제1처리챔버의 사용이전에 상기 웨이퍼상에 축적되는 잔류물을 제거하기 위하여 상기 제1처리챔버에 대하여 수직으로 배치되는 제1세정챔버를 포함하는 적어도 하나의 제1처리용 하부시스템; 및
    상기 각각의 웨이퍼의 전도성 앞면상에서 도체의 일부를 제거하는 제2처리챔버 및 상기 제2처리챔버의 사용이전에 상기 웨이퍼상에 축적된 잔류물을 제거하기 위하여 상기 제2처리챔버에 대하여 수직으로 배치되는 제2세정챔버를 포함하는 적어도 하나의 제2처리용 하부시스템을 포함하는 복수의 처리용 하부시스템; 및
    복수의 처리용 하부시스템 및 웨이퍼유지시스템으로 또는 그곳으로부터 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼핸들링 하부시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  32. 제30항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  33. 제30항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  34. 제30항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  35. 제30항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링로봇은 건조된 웨이퍼만을 핸들링하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  36. 제30항에 있어서,
    각각의 상기 복수의 처리용 하부시스템은 상기 웨이퍼핸들링 하부시스템에 인접해 클러스터배열로 배치되는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  37. 제30항에 있어서,
    각각의 상기 처리용 하부시스템의 세정챔버는 유체 및 건조를 이용하여 세정을 수행함으로써 잔류물을 제거하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  38. 제37항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  39. 제37항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  40. 제37항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  41. 제37항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  42. 제30항에 있어서,
    상기 제1세정챔버는 상기 웨이퍼의 에지부 근처에 퇴적된 도체의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  43. 제30항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건저된 웨이퍼만을 핸들링하고, 제1 및 제2웨이퍼핸들링로봇을 포함하며,
    상기 제1로봇은 각각의 웨이퍼를 카세트로부터 제거하고 상기 웨이퍼를 버퍼에 위치시킨 후, 곧 바로 상기 버퍼로부터 각 웨이퍼를 제거하고 상기 카세트내의 웨이퍼를 교체하며,
    상기 제2로봇은 상기 버퍼로부터 각각의 웨이퍼를 제거하고 상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 하나에 웨이퍼를 위치시킨 후, 곧 바로 상기 처리용 하부시스템으로부터 각 웨이퍼를 제거하고 버퍼내의 웨이퍼를 교체하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  44. 제30항에 있어서,
    상기 제1 및 제2로봇은 각각 2이상의 상이한 사이즈의 웨이퍼를 핸들링할 수 있는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  45. 복수의 처리용 하부시스템 및 웨이퍼핸들링 하부시스템을 포함하는 통합된 웨이퍼처리시스템을 이용하여 전도성 앞면을 갖는 1이상의 웨이퍼를 처리하는 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템을 이용하여 상기 유지영역으로부터 상기 제1처리용 하부시스템으로 웨이퍼를 이동시키는 단계;
    상기 제1처리용 하부시스템내에서, 초기에 처리된 웨이퍼를 얻기 위하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면상에 전도재를 조금이라도 퇴적시키도록 제1처리용 하부시스템내에 배치된 제1처리챔버를 이용하여 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계;
    상기 제1처리챔버로부터 상기 제1처리용 하부시스템내에 함께 배치된 제1세정챔버로 상기 초기에 처리된 웨이퍼를 수직으로 이동시키는 단계;
    초기에 세정된 웨이퍼를 얻기 위하여 그 위에 배치된 잔류물을 제거하도록 상기 제1세정챔버내에 있는 상기 초기에 처리된 웨이퍼를 세정하는 단계;
    초기의 건조웨이퍼를 얻기 위하여 상기 제1세정챔버내의 초기에 세정된 웨이퍼를 건조시키는 단계;
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템을 이용하여 상기 제1처리용 하부시스템으로부터 제2처리용 하부시스템으로 초기의 건조웨이퍼를 이동시키는 단계;
    상기 제2처리용 하부시스템내에서, 처리된 웨이퍼를 얻기 위하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면상에서 전도재의 일부를 제거하도록 제2처리용 하부시스템내에 배치된 제2처리챔버를 이용하여 초기의 건조웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계;
    상기 제2처리챔버로부터 상기 제2처리용 하부시스템내에 함께 배치된 제2세정챔버로 상기 처리된 웨이퍼를 수직으로 이동시키는 단계;
    세정된 웨이퍼를 얻기 위하여 그 위에 배치된 잔류물을 제거하도록 상기 제2세정챔버내에 있는 상기 처리된 웨이퍼를 세정하는 단계; 및
    건조웨이퍼를 얻기 위하여 상기 제2세정챔버내의 세정된 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  46. 제45항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템을 이용하여 상기 제2처리용 하부시스템으로부터 상기 유지영역으로 상기 건조웨이퍼를 이동시키는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  47. 제45항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 에지부 근처에 퇴적된 전도재의 일부를 제거하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  48. 제45항에 있어서,
    상기 제1공정챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 전기화학적 퇴적챔버를 사용하고;
    상기 제1공정챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 화학적 기계적 폴리싱챔버를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  49. 제45항에 있어서,
    상기 제1공정챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 전기화학적 퇴적챔버를 사용하고;
    상기 제1공정챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 전기화학적 폴리싱챔버를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  50. 제45항에 있어서,
    상기 제1공정챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 사용하고;
    상기 제1공정챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 화학적 기계적 폴리싱챔버를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  51. 제45항에 있어서,
    상기 제1공정챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 사용하고;
    상기 제1공정챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 전기화학적 폴리싱챔버를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  52. 각각 전도성 앞면을 가지고 있는 복수의 웨이퍼를 처리하는 통합시스템에 있어서, 상기 시스템은
    각각의 상기 웨이퍼의 전도성 앞면으로부터 도체의 적어도 일부를 퇴적시키거나 제거시키는 처리챔버 및 처리챔버의 사용전에 상기 웨이퍼상에 축적되는 잔류물을 제거하기 위하여 상기 처리챔버에 대하여 수직으로 배치되는 세정챔버를 각각 포함하는 복수의 처리용 하부시스템; 및
    상기 복수의 처리용 하부시스템 및 상기 웨이퍼유지시스템으로 또는 그곳으로부터 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼핸들링 하부시스템을 포함하고,
    상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 제1하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버이고,
    상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 제2하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버이고,
    상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 제3하부시스템은 화학적 기계적 퇴적챔버이고,
    상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 제2하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  53. 제52항에 있어서,
    상기 각각의 처리용 하부시스템은 상기 웨이퍼핸들링 하부시스템에 인접해 클러스터배열로 배치되는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  54. 제52항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 1이상의 웨이퍼핸들링로봇을 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  55. 제52항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 2이상의 웨이퍼핸들링로봇을 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  56. 제52항에 있어서,
    상기 각각의 처리용 하부시스템내의 상기 세정챔버는 유체 및 건조를 이용하여 세정을 수행함으로써 잔류물을 제거하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  57. 제52항에 있어서,
    상기 제1 및 제2처리용 하부시스템의 각각의 세정챔버는 상기 웨이퍼의 에지부 근처에 퇴적된 도체의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  58. 제52항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건조된 웨이퍼를 핸들링하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  59. 제52항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건조된 웨이퍼만을 핸들링하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  60. 제52항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 제1 및 제2웨이퍼핸들링로봇을 포함하고,
    상기 제1웨이퍼핸들링로봇은 각각의 웨이퍼를 카세트로부터 제거하고 상기 웨이퍼를 버퍼에 위치시킨 후, 곧 바로 상기 버퍼로부터 각 웨이퍼를 제거하고 상기 카세트내의 웨이퍼를 교체하며,
    상기 제2웨이퍼핸들링로봇은 상기 버퍼로부터 각각의 웨이퍼를 제거하고 상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 하나에 웨이퍼를 위치시킨 후, 곧 바로 상기 처리용 하부시스템으로부터 각 웨이퍼를 제거하고 버퍼내의 웨이퍼를 교체하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  61. 각각 전도형 앞면을 갖는 복수의 웨이퍼를 처리하는 통합시스템에 있어서,
    상기 각각의 웨이퍼의 전도성 앞면상에 도체를 퇴적시키기 위한 제1처리챔버를 포함하는 적어도 하나의 제1처리용 하부시스템; 및
    상기 각각의 웨이퍼의 전도성 앞면상에서 도체의 일부를 제거하는 제2처리챔버를 포함하는 적어도 하나의 제2처리용 하부시스템을 포함하는 복수의 처리용 하부시스템; 및
    복수의 처리용 하부시스템 및 웨이퍼유지시스템으로 또는 그곳으로부터 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼핸들링 하부시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  62. 제61항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  63. 제61항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  64. 제61항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  65. 제61항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  66. 제61항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 상기 제1처리챔버의 사용이전에 상기 웨이퍼상에 축적되는 잔류물을 제거하기 위하여 그와 관련된 제1세정챔버를 더욱 포함하고,
    상기 제2처리용 하부시스템은 상기 제2처리챔버의 사용이전에 상기 웨이퍼상에 축적되는 잔류물을 제거하기 위하여 그와 관련된 제2세정챔버를 더욱 포함하고,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건조된 웨이퍼만을 핸들링하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  67. 제66항에 있어서,
    상기 각각의 복수의 처리용 하부시스템은 상기 웨이퍼핸들링 하부시스템에 인접해 클러스터배열로 배치되는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  68. 제66항에 있어서,
    상기 각각의 처리용 하부시스템내의 세정챔버는 유체 및 건조를 이용하여 세정을 수행함으로써 잔류물을 제거하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  69. 제68항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  70. 제68항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  71. 제68항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  72. 제68항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  73. 제66항에 있어서,
    상기 제1세정챔버는 상기 웨이퍼의 에지부 근처에 퇴적된 도체의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  74. 제61항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건조된 웨이퍼만을 핸들링하고, 제1 및 제2웨이퍼핸들링로봇을 포함하고,
    상기 제1웨이퍼핸들링로봇은 각각의 웨이퍼를 카세트로부터 제거하고 상기웨이퍼를 버퍼에 위치시킨 후, 곧 바로 상기 버퍼로부터 각 웨이퍼를 제거하고 상기 카세트내의 웨이퍼를 교체하며,
    상기 제2웨이퍼핸들링로봇은 상기 버퍼로부터 각각의 웨이퍼를 제거하고 상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 하나에 웨이퍼를 위치시킨 후, 곧 바로 상기 처리용 하부시스템으로부터 각 웨이퍼를 제거하고 버퍼내의 웨이퍼를 교체하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  75. 각각 전도성 앞면을 가지고 있는 복수의 웨이퍼를 처리하는 통합시스템에 있어서,
    각각의 상기 웨이퍼의 전도성 앞면으로부터 전도재의 적어도 일부를 퇴적시키거나 제거시키는 처리챔버 및 각각의 처리챔버의 사용전에 상기 웨이퍼상에 축적되는 잔류물을 제거하기 위하여 상기 처리챔버에 대하여 수직으로 배치되는 세정챔버를 각각 포함하는 복수의 처리용 하부시스템;
    1이상의 웨이퍼를 어닐링할 수 있는 어닐링챔버; 및
    상기 복수의 처리용 하부시스템 및 상기 웨이퍼유지시스템으로 또는 그곳으로부터 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼핸들링 하부시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  76. 제75항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 전기화학적 기계적 퇴적챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  77. 제75항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 전기화학적 퇴적챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  78. 제75항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 화학적 기계적 폴리싱챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  79. 제75항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 전기화학적 폴리싱챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  80. 제75항에 있어서,
    상기 각각의 처리용 하부시스템은 상기 웨이퍼핸들링 하부시스템에 인접해 클러스터배열로 배치되는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  81. 제80항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 1이상의 웨이퍼핸들링로봇을 포함하는 것을특징으로 하는 통합시스템.
  82. 제75항에 있어서,
    상기 각각의 처리용 하부시스템내의 세정챔버는 유체 및 건조를 이용하여 세정을 수행함으로써 잔류물을 제거하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  83. 제82항에 있어서,
    상기 각각의 처리용 하부시스템의 각각의 세정챔버는 상기 웨이퍼의 에지부 근처에 퇴적된 전도재의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  84. 제83항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건조된 웨이퍼만을 핸들링하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  85. 제75항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건조된 웨이퍼만을 핸들링하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  86. 제75항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 제1 및 제2웨이퍼핸들링로봇을 포함하고,
    상기 제1웨이퍼핸들링로봇은 각각의 웨이퍼를 카세트로부터 제거하고 상기 웨이퍼를 버퍼에 위치시킨 후, 곧 바로 상기 버퍼 또는 상기 어닐링챔버로부터 각 웨이퍼를 제거하고 상기 카세트내의 웨이퍼를 교체하며,
    상기 제2웨이퍼핸들링로봇은 상기 버퍼로부터 각각의 웨이퍼를 제거하고 상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 하나에 웨이퍼를 위치시킨 후, 곧 바로 상기 처리용 하부시스템으로부터 각 웨이퍼를 제거하고 상기 버퍼 또는 상기 어닐링챔버내의 웨이퍼를 교체하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  87. 제86항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건조된 웨이퍼만을 핸들링하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  88. 제87항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 전기화학적 기계적 퇴적챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  89. 제87항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 전기화학적 퇴적챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  90. 제87항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 화학적 기계적 폴리싱챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  91. 제87항에 있어서,
    상기 복수의 처리용 하부시스템의 각각의 처리챔버는 전기화학적 폴리싱챔버인 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  92. 각각 전도형 앞면을 갖는 복수의 웨이퍼를 처리하는 통합시스템에 있어서,
    상기 각각의 웨이퍼의 전도성 앞면상에 도체를 퇴적시키기 위한 제1처리챔버 및 상기 제1처리챔버의 사용이전에 상기 웨이퍼상에 축적되는 잔류물을 제거하기 위하여 상기 제1처리챔버에 대하여 수직으로 배치되는 제1세정챔버를 포함하는 적어도 하나의 제1처리용 하부시스템; 및
    상기 각각의 웨이퍼의 전도성 앞면상에서 도체의 일부를 제거하는 제2처리챔버 및 상기 제2처리챔버의 사용이전에 상기 웨이퍼상에 축적된 잔류물을 제거하기 위하여 상기 제2처리챔버에 대하여 수직으로 배치되는 제2세정챔버를 포함하는 적어도 하나의 제2처리용 하부시스템을 포함하는 복수의 처리용 하부시스템;
    상기 각각의 복수의 웨이퍼를 어닐링하는 어닐링챔버; 및
    복수의 처리용 하부시스템와 어닐링챔버 및 웨이퍼유지시스템으로 또는 그곳으로부터 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼핸들링 하부시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  93. 제92항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  94. 제92항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  95. 제92항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  96. 제92항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  97. 제92항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건조된 웨이퍼만을 핸들링하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  98. 제92항에 있어서,
    상기 각각의 복수의 처리용 하부시스템은 상기 웨이퍼핸들링 하부시스템에 인접해 클러스터배열로 배치되는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  99. 제92항에 있어서,
    상기 각각의 처리용 하부시스템내의 세정챔버는 유체 및 건조를 이용하여 세정을 수행함으로써 잔류물을 제거하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  100. 제99항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  101. 제99항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  102. 제99항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  103. 제99항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  104. 제92항에 있어서,
    상기 제1세정챔버는 상기 웨이퍼의 에지부 근처에 퇴적된 도체의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  105. 제92항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건조된 웨이퍼만을 핸들링하고, 제1 및 제2웨이퍼핸들링로봇을 포함하고,
    상기 제1웨이퍼핸들링로봇은 각각의 웨이퍼를 카세트로부터 제거하고 상기 웨이퍼를 버퍼에 위치시킨 후, 곧 바로 상기 버퍼로부터 각 웨이퍼를 제거하고 상기 카세트내의 웨이퍼를 교체하며,
    상기 제2웨이퍼핸들링로봇은 상기 버퍼로부터 각각의 웨이퍼를 제거하고 상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 하나에 웨이퍼를 위치시킨 후, 곧 바로 상기 처리용 하부시스템으로부터 각 웨이퍼를 제거하고 상기 버퍼내의 웨이퍼를 교체하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  106. 제25항에 따른 장치에 있어서,
    상기 어닐링챔버는 어닐링영역 및 칠링영역(chilling area)을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  107. 복수의 처리용 하부시스템 및 웨이퍼핸들링 하부시스템을 포함하는 통합된 웨이퍼처리시스템을 이용하여 전도성 앞면을 갖는 1이상의 웨이퍼를 처리하는 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템을 이용하여 상기 유지영역으로부터 상기 제1처리용 하부시스템으로 웨이퍼를 이동시키는 단계;
    상기 제1처리용 하부시스템내에서, 초기에 처리된 웨이퍼를 얻기 위하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면상에 전도재를 조금이라도 퇴적시키도록 제1처리용 하부시스템내에 배치된 제1처리챔버를 이용하여 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계;
    상기 제1처리챔버로부터 상기 제1처리용 하부시스템내에 함께 배치된 제1세정챔버로 상기 초기에 처리된 웨이퍼를 수직으로 이동시키는 단계;
    초기에 세정된 웨이퍼를 얻기 위하여 그 위에 배치된 잔류물을 제거하도록 상기 제1세정챔버내에 있는 상기 초기에 처리된 웨이퍼를 세정하는 단계;
    초기의 건조웨이퍼를 얻기 위하여 상기 제1세정챔버내의 초기에 세정된 웨이퍼를 건조시키는 단계;
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템을 이용하여 상기 제1처리용 하부시스템으로부터 어닐링챔버로 초기의 건조웨이퍼를 이동시키는 단계;
    상기 어닐링챔버내에서, 어닐링된 웨이퍼를 얻기 위하여 초기의 건조웨이퍼를 어닐링하는 단계;
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템을 이용하여 상기 어닐링챔버로부터 제2처리용 하부시스템으로 어닐링된 웨이퍼를 이동시키는 단계;
    상기 제2처리용 하부시스템내에서, 처리된 웨이퍼를 얻기 위하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면상에서 전도재의 일부를 제거하도록 제2처리용 하부시스템내에 배치된 제2처리챔버를 이용하여 어닐링된 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계;
    상기 제2처리챔버로부터 상기 제2처리용 하부시스템내에 함께 배치된 제2세정챔버로 상기 처리된 웨이퍼를 수직으로 이동시키는 단계;
    세정된 웨이퍼를 얻기 위하여 그 위에 배치된 잔류물을 제거하도록 상기 제2세정챔버내에 있는 상기 처리된 웨이퍼를 세정하는 단계; 및
    건조웨이퍼를 얻기 위하여 상기 제2세정챔버내의 세정된 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  108. 제107항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템을 이용하여 상기 제2처리용 하부시스템으로부터 상기 유지영역으로 상기 건조웨이퍼를 이동시키는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  109. 제107항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 에지부 근처에 퇴적된 전도재의 일부를 제거하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  110. 제107항에 있어서,
    상기 제1처리챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 전기화학적 퇴적챔버를 사용하고;
    상기 제1처리챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 화학적 기계적 폴리싱챔버를 이용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  111. 제107항에 있어서,
    상기 제1처리챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는전기화학적 퇴적챔버를 사용하고;
    상기 제1처리챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 전기화학적 폴리싱챔버를 이용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  112. 제107항에 있어서,
    상기 제1처리챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 사용하고;
    상기 제1처리챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 화학적 기계적 폴리싱챔버를 이용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  113. 제107항에 있어서,
    상기 제1처리챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 사용하고;
    상기 제1처리챔버를 이용하여 상기 웨이퍼의 전도성 앞면을 처리하는 단계는 전기화학적 폴리싱챔버를 이용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  114. 각각 전도형 앞면을 갖는 복수의 웨이퍼를 처리하는 통합시스템에 있어서,
    상기 각각의 웨이퍼의 전도성 앞면상에 도체를 퇴적시키기 위한 제1처리챔버를 포함하는 적어도 하나의 제1처리용 하부시스템; 및
    상기 각각의 웨이퍼의 전도성 앞면상에서 도체의 일부를 제거하는 제2처리챔버를 포함하는 적어도 하나의 제2처리용 하부시스템을 포함하는 복수의 처리용 하부시스템;
    상기 각각의 복수의 웨이퍼를 어닐링하는 어닐링챔버; 및
    복수의 처리용 하부시스템 및 웨이퍼유지시스템으로 또는 그곳으로부터 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼핸들링 하부시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  115. 제114항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  116. 제114항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  117. 제114항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는통합시스템.
  118. 제114항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  119. 제114항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 상기 제1처리챔버의 사용이전에 상기 웨이퍼상에 축적되는 잔류물을 제거하기 위하여 그와 관련된 제1세정챔버를 더욱 포함하고,
    상기 제2처리용 하부시스템은 상기 제2처리챔버의 사용이전에 상기 웨이퍼상에 축적되는 잔류물을 제거하기 위하여 그와 관련된 제2세정챔버를 더욱 포함하고,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건조된 웨이퍼만을 핸들링하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  120. 제119항에 있어서,
    상기 각각의 복수의 처리용 하부시스템은 상기 웨이퍼핸들링 하부시스템에 인접해 클러스터배열로 배치되는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  121. 제119항에 있어서,
    상기 각각의 처리용 하부시스템내의 세정챔버는 유체 및 건조를 이용하여 세정을 수행함으로써 잔류물을 제거하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  122. 제121항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  123. 제121항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  124. 제121항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기 제2처리용 하부시스템은 화학적 기계적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  125. 제121항에 있어서,
    상기 제1처리용 하부시스템은 전기화학적 기계적 퇴적챔버를 포함하고, 상기제2처리용 하부시스템은 전기화학적 폴리싱챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  126. 제119항에 있어서,
    상기 제1세정챔버는 상기 웨이퍼의 에지부 근처에 퇴적된 도체의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  127. 제119항에 있어서,
    상기 웨이퍼핸들링 하부시스템은 건조된 웨이퍼만을 핸들링하고, 제1 및 제2웨이퍼핸들링로봇을 포함하고,
    상기 제1웨이퍼핸들링로봇은 각각의 웨이퍼를 카세트로부터 제거하고 상기 웨이퍼를 버퍼에 위치시킨 후, 곧 바로 상기 버퍼로부터 각 웨이퍼를 제거하고 상기 카세트내의 웨이퍼를 교체하며,
    상기 제2웨이퍼핸들링로봇은 상기 버퍼로부터 각각의 웨이퍼를 제거하고 상기 복수의 처리용 하부시스템 중의 하나에 웨이퍼를 위치시킨 후, 곧 바로 상기 처리용 하부시스템으로부터 각 웨이퍼를 제거하고 버퍼내의 웨이퍼를 교체하는 것을 특징으로 하는 통합시스템.
  128. 제114항에 따른 장치에 있어서,
    상기 어닐링챔버는 어닐링영역 및 칠링영역을 포함하는 것을 특징으로 하는장치.
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